關漏電極105。驅動薄膜晶體管112包括驅動半導體層、驅動柵電極115、驅動源電極113和驅動漏電極117。
[0041]電容器110包括第一維持電極109和第二維持電極111,在第一維持電極109和第二維持電極111之間設置有層間絕緣層。
[0042]開關薄膜晶體管108作為用于選擇像素發(fā)光的開關。開關柵電極107連接到柵極線102。開關源電極103連接到數(shù)據(jù)線104。開關漏電極105被設置為與開關源電極103相隔一定距離，開關漏電極105連接到第一維持電極109。
[0043]驅動薄膜晶體管112向像素電極施加驅動功率，以使所選的像素中的有機發(fā)光二極管單元114的有機發(fā)射層發(fā)光。驅動柵電極115連接到第一維持電極。驅動源電極113和第二維持電極111分別連接到公共功率線106。驅動漏電極117通過一接觸孔連接到有機發(fā)光二極管單元114的像素電極。
[0044]利用上述結構，通過施加到柵極102的柵極電壓來驅動開關薄膜晶體管108，從而將施加到數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)津寗颖∧ぞw管112。與從公共功率線106傳輸?shù)津寗颖∧ぞw管112的共電壓和通過開關薄膜晶體管108傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓之間的電壓差對應的電壓被存儲在電容器110中，與存儲在電容器110中的電壓對應的電流經(jīng)過驅動薄膜晶體管112流向有機發(fā)光二極管單元114，因而，有機發(fā)光二極管單元114發(fā)光。
[0045]其中，有機發(fā)光顯示裝置還包括基板、蓋板和偏光片(圖中均未示出)。薄膜晶體管單元以及有機發(fā)光二極管單元114形成于基板上。偏光片加覆在蓋板的一側，蓋板加覆有偏光片的一側與基板形成有薄膜晶體管單元以及有機發(fā)光二極管單元114的一側相對并封裝以減少有機發(fā)光顯示裝置的厚度。
[0046]圖4示出本發(fā)明提供的有機發(fā)光顯示裝置的側面剖視圖。有機發(fā)光顯示裝置200包括基板214、薄膜晶體管單元210、有機發(fā)光二極管單元208、偏光片206以及蓋板212。
[0047]基板214由諸如玻璃、陶瓷或塑料之類的絕緣材料形成。然而，本發(fā)明的實施例不限于此。因此，基板214可以是由不銹鋼等制成的導電金屬基板。
[0048]薄膜晶體管單元210的電路結構參見圖3，包括開關薄膜晶體管118、驅動薄膜晶體管112和電容器110。開關薄膜晶體管包括開關半導體層、開關柵電極107、開關源電極103和開關漏電極105。驅動薄膜晶體管包括驅動半導體層、驅動柵電極115、驅動源電極113和驅動漏電極117。電容器包括第一維持電極109和第二維持電極111，在第一維持電極和第二維持電極之間設置有層間絕緣層。
[0049]其中，驅動薄膜晶體管根據(jù)如下方式形成:
[0050]薄膜晶體管單元210的驅動薄膜晶體管的驅動半導體層(圖中未示出)形成在基板214上。優(yōu)選地，驅動半導體層由多晶硅層形成。另外，驅動半導體層包括未摻雜有雜質的溝道區(qū)以及位于溝道區(qū)的兩側的摻雜有P+雜質的源區(qū)和漏區(qū)。在這種情況下，摻雜的離子材料是P型雜質，如硼(B)，通常使用B2H6作為摻雜的離子材料。雜質根據(jù)薄膜晶體管的類型而改變。
[0051]優(yōu)選地，使用P型雜質的PMOS結構的薄膜晶體管用作驅動薄膜晶體管，但本領域技術人員應當理解，本發(fā)明不限于此。因此，NMOS結構的薄膜晶體管或CMOS結構的薄膜晶體管可以用作驅動薄膜晶體管。
[0052]由硅氮化物(SiNx)或二氧化硅(Si02)制成的柵極絕緣層形成在驅動半導體層。包括驅動柵電極的柵極布線形成在柵極絕緣層上。柵極布線還包括柵極線、第一維持電極和其它布線。另外，驅動柵電極被形成為與驅動半導體層的至少一部分疊置，具體地講，驅動柵電極被形成為與溝道區(qū)疊置。
[0053]覆蓋驅動柵電極的層間絕緣層形成在柵極絕緣層上。柵極絕緣層和層間絕緣層共享使驅動半導體層的源區(qū)和漏區(qū)暴露的通孔。與柵極絕緣層類似，在這個實施例中，層間絕緣層由基于陶瓷的材料(例如，硅氮化物(SiNx)或二氧化硅(Si02))制成。
[0054]包括驅動源電極和驅動漏電極的數(shù)據(jù)布線形成在層間絕緣層上。數(shù)據(jù)布線還包括數(shù)據(jù)線、公共功率線、第二維持電極和其它布線。另外，驅動源電極和驅動漏電極通過通孔分別連接到驅動半導體層的源區(qū)和漏區(qū)。
[0055]驅動薄膜晶體管的構造不限于上述實施例，并能夠利用本領域普通技術人員能夠理解的公開構造以不同方式修改。
[0056]另外，開關薄膜晶體管的形成于驅動薄膜晶體管的構造類似，在此不予贅述。開關薄膜晶體管可以是多晶薄膜晶體管或包括非晶硅層的非晶薄膜晶體管。
[0057]有機發(fā)光顯示單元208根據(jù)如下方式形成:
[0058]有機發(fā)光顯示單元208的像素電極形成在薄膜晶體管單元210上。像素電極與驅動漏電極連接。另外，像素電極被設置成與像素限定層的開口對應。像素限定層可以由硅石組的無機材料或樹脂(例如，聚丙烯酸酯樹脂或聚酰亞胺)制成。
[0059]有機發(fā)射層形成在像素電極上并在像素限定層的開口中，共電極形成在像素限定層和有機發(fā)射層上。
[0060]像素電極和共電極中的一個或兩者可以由透明導電材料形成，其中的一個可以由透反射導電材料或反射導電材料形成。根據(jù)像素電極和共電極的材料的選擇，可以將有機發(fā)光顯示裝置200分為頂部發(fā)光型、底部發(fā)光型和雙面發(fā)光型。
[0061]對于透明導電材料,不同的實施例使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(1η203)。對于反射材料，不同的實施例使用鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰 / 鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或金(Au)。
[0062]在一些實施例中,有機發(fā)射層由低分子材料或聞分子材料制成。這樣的有機發(fā)射層以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層的多層結構形成。即，空穴注入層設置在作為正電極的像素電極上，在空穴注入層上順序地堆疊空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層。
[0063]偏光片206包括線偏光膜202和相位延遲板204。其中，相位延遲板204為1/4波長板，相位延遲板204的光軸和線偏光膜202的偏振軸之間的交叉角為45度。線偏光膜202由聚乙烯醇基材構成。
[0064]其中，薄膜晶體管單元210形成于基板214的一側。有機發(fā)光二極管單元208形成于薄膜晶體管210的與基板214相背的一側(即，薄膜晶體管210位于有機發(fā)光二極管單元208與基板214之間)。偏光片206在有機發(fā)光二極管單元208與蓋板212之間。其中，相位延遲板204置于線偏光膜202和有機發(fā)光二極管單元208之間。偏光片
[0065]在一個變化例中，有機發(fā)光顯示裝置200還包括一平坦化層。平坦化層覆蓋薄膜晶體管單元210。平坦化層去除臺階，并執(zhí)行平坦化，從而提高有機發(fā)光顯示裝置200的發(fā)光效率。另外，平坦化層具有接觸孔，通過接觸孔使薄膜晶體管單元210的漏電極部分暴Mo
[0066]其中，平坦化層由聚丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹月旨、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂和/或苯并環(huán)丁烯(BCB)制成。
[0067]在一個變化例中，有機發(fā)光顯示裝置200還包括一緩沖層(圖中未示出)。緩沖層形成在基板214上。緩沖層防止雜質透過基板214，并使基板214的表面平坦化，緩沖層由用于執(zhí)行這樣的功能的一種或多種不同材料制成。例如，可以使用硅氮化物(SiNx)層、二氧化硅(Si02)層和/或硅氧氮化物(S1xNy)層作為緩沖層。然而，緩沖層并不總是必需的，根據(jù)基板214的類型和工藝條件可以省去緩沖層。
[0068]圖5示出本發(fā)明提供的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。具體地，本圖示出了六個步驟。
[0069]步驟S101，提供一基板。其中，基板由諸如玻璃、陶瓷或塑料之類的絕緣材料形成。然而，本發(fā)明的實施例不限于此。因此，基板可以是由不銹鋼等制成的導電金屬基板。
[0070]步驟S102，在基板的一側形成薄膜晶體管單元。其中，薄膜晶體管單元包括開關薄膜晶體管、驅動薄膜晶體管和電容器。開關薄膜晶體管包括開關半導體層、開關柵電極、開關源電極和開關漏電極。驅動薄膜晶體管包括驅動半導體層、驅動柵電極、驅動源電極和驅動漏電極。電容器包括第一維持電極和第二維持電極，在第一維持電極和第二維持電極之間設置有層間絕緣層。
[0071]步驟S103，在薄膜晶體管單元的與基板相背的一側形成有機發(fā)光二極管單元。有機發(fā)光顯示單元的像素電極形成在薄膜晶體管單元上。像素電極與漏電極連接。另外，像素電極被設置成與像素限定層的開口對應。像素限定層可以由硅石組的無機材料或樹脂(例如，聚丙烯酸酯樹脂或聚酰亞胺)制成。有機發(fā)射層形成在像素電極上