一種太陽能電池片加工工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池片領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽能電池片加工工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅太陽電池使用的材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅材料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成，然后注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻后，即得多晶硅錠。這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽電池片，可提高材料利用率和方便組裝。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，其光電轉(zhuǎn)換效率在12%左右，稍低于單晶硅太陽電池，但其材料制造簡便，電耗低，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到廣泛應(yīng)用。但是，傳統(tǒng)的太陽能電池片加工工藝的效率低，殘次率較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于通過一種太陽能電池片加工工藝，來解決以上【背景技術(shù)】部分提到的問題。
[0004]為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0005]一種太陽能電池片加工工藝，其包括如下步驟:
[0006]S101、切片:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片；
[0007]S102、清洗:先常規(guī)清洗，然后用酸溶液將硅片表面切割損傷層除去；
[0008]S103、制備絨面:用堿溶液對硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面；
[0009]S104、磷擴(kuò)散:采用涂布源進(jìn)行擴(kuò)散，制成PN+結(jié)，結(jié)深0.3 — 0.5um ；
[0010]S105、周邊刻蝕:用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層；
[0011]S106、去除背面PN+結(jié):用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結(jié)；
[0012]S107、制作上下電極:用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)工藝，先制作下電極，然后制作上電極；
[0013]S108、制作減反射膜:用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法的任一種制作減反射膜；
[0014]S109、燒結(jié):將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。
[0015]特別地，所述太陽能電池片加工工藝還包括:
[0016]S1010、測試分檔:按規(guī)定參數(shù)規(guī)范，測試分類。
[0017]本發(fā)明提出的太陽能電池片加工工藝的過程簡單，對設(shè)備的要求低，而且效率高，易實現(xiàn)，太陽能電池片的殘次率低。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明實施例提供的太陽能電池片加工工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0020]請參照圖1所示，圖1為本發(fā)明實施例提供的太陽能電池片加工工藝流程圖。本實施例中太陽能電池片加工工藝具體包括如下步驟:
[0021]S101、切片:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。
[0022]S102、清洗:先常規(guī)清洗，然后用酸溶液將硅片表面切割損傷層除去30-50um。
[0023]S103、制備絨面:用堿溶液對硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。
[0024]S104、磷擴(kuò)散:采用涂布源進(jìn)行擴(kuò)散，制成PN+結(jié)，結(jié)深0.3 — 0.5um。
[0025]S105、周邊刻蝕:用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。
[0026]擴(kuò)散時在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層，會使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。
[0027]S106、去除背面PN+結(jié):用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結(jié)。
[0028]S107、制作上下電極:用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)工藝，先制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。
[0029]S108、制作減反射膜:用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法的任一種制作減反射膜。
[0030]S109、燒結(jié):將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。
[0031]S1010、測試分檔:按規(guī)定參數(shù)規(guī)范，測試分類。
[0032]本發(fā)明的技術(shù)方案降低了傳統(tǒng)工藝的復(fù)雜程度，過程簡單，對設(shè)備的要求低，而且效率聞，易實現(xiàn)，太陽能電池片的殘次率低。
[0033]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【主權(quán)項】
1.一種太陽能電池片加工工藝，其特征在于，包括如下步驟: 5101、切片:采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片； 5102、清洗:先常規(guī)清洗，然后用酸溶液將硅片表面切割損傷層除去； 5103、制備絨面:用堿溶液對硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面； 5104、磷擴(kuò)散:采用涂布源進(jìn)行擴(kuò)散，制成PN+結(jié)，結(jié)深0.3 — 0.5um ； 5105、周邊刻蝕:用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層； 5106、去除背面PN+結(jié):用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結(jié)； 5107、制作上下電極:用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)工藝，先制作下電極，然后制作上電極； 5108、制作減反射膜:用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法的任一種制作減反射膜； 5109、燒結(jié):將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片加工工藝，其特征在于，還包括: S1010、測試分檔:按規(guī)定參數(shù)規(guī)范，測試分類。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種太陽能電池片加工工藝，其包括：S101、切片；S102、清洗；S103、制備絨面；S104、磷擴(kuò)散；S105、周邊刻蝕；S106、去除背面PN+結(jié)；S107、制作上下電極；S108、制作減反射膜；S109、燒結(jié)：將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。本發(fā)明過程簡單，對設(shè)備的要求低，而且效率高，易實現(xiàn)，太陽能電池片的殘次率低。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號】CN105576075
【申請?zhí)枴緾N201410551314
【發(fā)明人】華源興
【申請人】江蘇凱旋涂裝自動化工程有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年10月16日