晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶圓封裝領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，晶圓片級(jí)芯片封裝(WaferLevel Chip Scale Packaging，簡(jiǎn)稱WLCSP)工藝應(yīng)用廣泛，此種工藝封裝后的芯片體積即等同IC(integrated circuit，集成電路)裸晶的原尺寸，不僅明顯地縮小內(nèi)存模塊尺寸，而符合行動(dòng)裝置對(duì)于機(jī)體空間的高密度需求;另一方面在效能的表現(xiàn)上，更提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣扰c穩(wěn)定性。為了實(shí)現(xiàn)WLCSP工藝，在工藝流程中都是整張晶圓進(jìn)行封裝和測(cè)試，最后才切割成一個(gè)個(gè)的IC顆粒。然而整張晶圓進(jìn)行封裝異常報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)就會(huì)很高，如圖1所示，bump(凸點(diǎn))爆錫、橋接、變形就是其中一種高風(fēng)險(xiǎn)異常。其中凸點(diǎn)11發(fā)生了該類異常，已經(jīng)無法滿足SMT(Surface Mount Technology，表面貼裝技術(shù))組裝工藝需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡(jiǎn)要概述，以便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個(gè)概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡(jiǎn)化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0004]本發(fā)明實(shí)施例的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種使晶圓不造成報(bào)廢和不具有較大的良率損失的晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:
[0006]—種晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，包括以下步驟:
[0007](I)去除凸點(diǎn):使用第一濕法蝕刻液進(jìn)行凸點(diǎn)溶解，形成表面焊錫附著殘留；
[0008](2)去除表面焊錫附著殘留:去除表面焊錫附著殘留后裸露出凸塊焊盤和鈍化層，所述凸塊焊盤的下方設(shè)有IMC，Intermetallic compound合金層；
[0009](3)去除凸塊焊盤和IMC合金層；
[0010](4)去除鈍化層:得到的晶圓片為重新分布層的再布線狀態(tài)。
[0011]所述凸塊焊盤為銅層。
[0012]所述步驟(3)還包括:通過第二濕法蝕刻液進(jìn)行凸塊焊盤的銅蝕刻JMC合金層同時(shí)一起被剝離掉。
[0013]所述第二濕法蝕刻液為醋酸與雙氧水的混合液。
[0014]所述醋酸與雙氧水的體積比為1:2。
[0015]所述步驟(2)中通過RF，Rad1 Frequency無線電頻率反派射去除表面焊錫附著殘由ο
[0016]所述步驟(4)中通過灰化工藝進(jìn)行干法蝕刻去除鈍化層。
[0017]所述第一濕法蝕刻液為硝酸、甲基環(huán)酸和水的混合液。
[0018]所述第一濕法蝕刻液包括以下質(zhì)量百分含量的物質(zhì):10 %?15 %硝酸、60 %?70%甲基環(huán)酸、其余為純水。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
[0020]為了使晶圓不造成報(bào)廢和不具有較大的良率損失，本發(fā)明的工藝方法可以使用蝕刻技術(shù)將bump進(jìn)行去除，并將wafer(晶圓片)恢復(fù)到RDL再布線狀態(tài)，最終重新開始加工流程。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的帶有凸點(diǎn)的晶圓片級(jí)芯片封裝的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的表面具有焊錫附著殘留的晶圓片級(jí)芯片封裝的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的去除表面焊錫附著殘留的晶圓片級(jí)芯片封裝的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的去除凸塊焊盤和IMC合金層的晶圓片級(jí)芯片封裝的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的恢復(fù)到RDL再布線狀態(tài)的晶圓片級(jí)芯片封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]附圖標(biāo)記:
[0028]1-凸點(diǎn)；12-凸塊焊盤；13-頂C合金層；14-鈍化層；15-重新分布層；16-焊錫附著殘由ο
【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。在本發(fā)明的一個(gè)附圖或一種實(shí)施方式中描述的元素和特征可以與一個(gè)或更多個(gè)其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本發(fā)明無關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0030]實(shí)施例1
[0031]—種晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，包括以下步驟:
[0032]參見圖1和圖2，(I)去除凸點(diǎn):使用第一濕法蝕刻液進(jìn)行凸點(diǎn)11溶解，形成表面焊錫附著殘留16;第一濕法蝕刻液各物質(zhì)的質(zhì)量百分含量為:15%硝酸、65%甲基環(huán)酸、20%純水。
[0033]參見圖2和圖3，(2)去除表面焊錫附著殘留16:通過1^，1^(1丨0 Frequency無線電頻率反濺射去除表面焊錫附著殘留16，去除表面焊錫附著殘留后，裸露出凸塊焊12和鈍化層14，凸塊焊盤12的下方設(shè)有頂C合金層13;即原凸點(diǎn)11處只留下凸塊焊盤12和頂C合金層13;
[0034]參見圖3和圖4，(3)去除凸塊焊盤12和IMC合金層13:通過第二濕法蝕刻液進(jìn)行凸塊焊盤的銅蝕刻，MC合金層13同時(shí)一起被剝離掉；凸塊焊盤12為銅層，是凸點(diǎn)11焊劑時(shí)的凸塊焊盤，MC合金層13為焊接過程產(chǎn)生的IMC合金層。所述第二濕法蝕刻液為醋酸與雙氧水以1:2的體積比混合的混合液。
[0035]參見圖4和圖5，(4)去除鈍化層14:由于在鈍化層14材料上進(jìn)行了較強(qiáng)的蝕刻工藝，鈍化層14的厚度會(huì)存在一定程度降低，現(xiàn)通過灰化工藝進(jìn)行干法蝕刻(CF4 Gas，CF4氣體)去除鈍化層14層，最終留下如圖5所示，wafer晶圓片為重新分布層15(RDL)的再布線狀
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[0036]采用本發(fā)明的方法，使晶圓不造成報(bào)廢，損失率小。
[0037]實(shí)施例2
[0038]與實(shí)施例1的方法相同，所不同的是:第一濕法蝕刻液各物質(zhì)的質(zhì)量百分含量為:10%硝酸、60%甲基環(huán)酸、30%純水。
[0039]實(shí)施例3
[0040]與實(shí)施例1的方法相同，所不同的是:第一濕法蝕刻液各物質(zhì)的質(zhì)量百分含量為:12%硝酸、70%甲基環(huán)酸、18%純水。
[0041]最后應(yīng)說明的是:以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)去除凸點(diǎn):使用第一濕法蝕刻液進(jìn)行凸點(diǎn)溶解，形成表面焊錫附著殘留； (2)去除表面焊錫附著殘留:去除表面焊錫附著殘留后裸露出凸塊焊盤和鈍化層，所述凸塊焊盤的下方設(shè)有IMC，Intermetal I ic compound合金層； (3)去除凸塊焊盤和頂C合金層； (4)去除鈍化層:得到的晶圓片為重新分布層的再布線狀態(tài)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，其特征在于，所述凸塊焊盤為銅層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，其特征在于，所述步驟(3)還包括:通過第二濕法蝕刻液進(jìn)行凸塊焊盤的銅蝕刻JMC合金層同時(shí)一起被剝離掉。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，其特征在于，所述第二濕法蝕亥Ij液為醋酸與雙氧水的混合液。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，其特征在于，所述醋酸與雙氧水的體積比為1: 2。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，其特征在于，所述步驟(2)中通過無線電頻率反濺射去除表面焊錫附著殘留。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，其特征在于，所述步驟(4)中通過灰化工藝進(jìn)行干法蝕刻去除14層。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，其特征在于，所述第一濕法蝕刻液為硝酸、甲基環(huán)酸和水的混合液。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，其特征在于，所述第一濕法蝕刻液包括以下質(zhì)量百分含量的物質(zhì):10 %?15 %硝酸、60 %?70 %甲基環(huán)酸、其余為純水。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶圓片級(jí)芯片封裝凸點(diǎn)的返工方法，包括以下步驟：(1)去除凸點(diǎn)：使用第一濕法蝕刻液進(jìn)行凸點(diǎn)溶解，形成表面焊錫附著殘留；(2)去除表面焊錫附著殘留：去除表面焊錫附著殘留后裸露出凸塊焊盤和鈍化層，所述凸塊焊盤的下方設(shè)有IMC，Intermetallic？compound合金層；(3)去除凸塊焊盤和IMC合金層；(4)去除14：得到的晶圓片為重新分布層的再布線狀態(tài)。本發(fā)明為了使晶圓不造成報(bào)廢和不具有較大的良率損失，本發(fā)明的工藝方法可以使用蝕刻技術(shù)將bump進(jìn)行去除，并將wafer(晶圓片)恢復(fù)到RDL再布線狀態(tài)，最終重新開始加工流程。
【IPC分類】H01L21/60
【公開號(hào)】CN105609434
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510994374
【發(fā)明人】錢泳亮
【申請(qǐng)人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年12月25日