ANO通過第二存儲電容器電極SG2電連接至驅(qū)動TFT的漏極DD ο
[0059]根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器能夠保證存儲電容器STG具有足夠容量，因?yàn)榈谝淮鎯﹄娙萜麟姌OSGl和第二存儲電容器電極SG2能夠被形成為在發(fā)光區(qū)域AA中具有寬區(qū)域而不減小開口率。因此，當(dāng)驅(qū)動TFT DT處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器能夠利用存儲電容器STG的電荷來保持像素?cái)?shù)據(jù)直到下一周期為止。
[0060]〈第二實(shí)施方式〉
[0061]將參照圖8和圖9給出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的描述。圖8是例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖，圖9是例示了沿著圖8的線ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0062]參照圖8和圖9，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括:基板SUB，在該基板SUB中限定了發(fā)光區(qū)域AA和非發(fā)光區(qū)域NA;開關(guān)TFT ST;第一存儲電容器電極SGl，該第一存儲電容器電極SGl連接至開關(guān)TFT ST JgaTFT DT，該驅(qū)動TFT DT連接至開關(guān)TFT ST;第二存儲電容器電極SG2，該第二存儲電容器電極SG2連接至驅(qū)動TFT DT;存儲電容器STG，該存儲電容器STG由第一存儲電容器電極SGl和疊置在第一存儲電容器電極SGl上的第二存儲電容器電極SG2形成；以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED，該有機(jī)發(fā)光二極管OLED連接至驅(qū)動TFT DT。存儲電容器STG和有機(jī)發(fā)光二極管OLED形成在發(fā)光區(qū)域AA中，而TFT ST和TFT DT或互連線SL、DL、VDD形成在非發(fā)光區(qū)域NA中。
[0063]掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL按照矩陣形式形成在基板SUB上以便限定像素。開關(guān)TFTST形成在掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL的交點(diǎn)處并用來選擇像素。開關(guān)TFT ST包括開關(guān)柵極SG、溝道層SA、開關(guān)源極SS和開關(guān)漏極SD。開關(guān)柵極SG從掃描線SL分支并且開關(guān)源極SS從數(shù)據(jù)線DL分支。
[0064]驅(qū)動TFT DT包括驅(qū)動?xùn)艠ODG、溝道層DA、驅(qū)動源極DS和驅(qū)動漏極DD。驅(qū)動?xùn)艠ODG連接至開關(guān)漏極SD并且驅(qū)動源極DS從驅(qū)動電流線VDD分支。
[0065]具有比TFT ST和TFT DT的半導(dǎo)體層SE更寬的區(qū)域的第一透明導(dǎo)電層IT01、遮光層SLS和遮光層DLS以及緩沖層BF依次形成在開關(guān)TFT ST和驅(qū)動TFT DT下方。遮光層SLS和遮光層DLS用來保護(hù)氧化物半導(dǎo)體元件不受外部光的影響。
[0066]更具體地，發(fā)光區(qū)域AA和非發(fā)光區(qū)域NA被限定在基板SUB上。第一透明導(dǎo)電層ITOl、遮光層SLS和遮光層DLS以及緩沖層BF依次形成在非發(fā)光區(qū)域NA上。半導(dǎo)體層SE形成在遮光層SLS和遮光層DLS以及緩沖層BF上，使得半導(dǎo)體層SE具有比遮光層SLS和遮光層DLS以及緩沖層BF更窄的區(qū)域。柵絕緣層GI以及柵極SG和柵極DG依次形成在半導(dǎo)體層SE上，使得柵絕緣層GI以及柵極SG和柵極DG被布置在半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域上。層間絕緣層INl形成在基板SUB的整個(gè)表面上，以覆蓋半導(dǎo)體層SE的兩側(cè)以及柵極SG和柵極DG。源極SS和源極DS以及漏極SD和漏極DD形成在層間絕緣層INl上并且通過穿透層間絕緣層INl的接觸孔SSH、接觸孔DSH、接觸孔SDH和接觸孔DDH分別與半導(dǎo)體層SE的兩側(cè)接觸。源極SS和源極DS以及漏極SD和漏極DD可以由包括第二透明導(dǎo)電層IT02和形成在第二透明導(dǎo)電層IT02上的金屬層的雙層形成。這里，開關(guān)TFT ST的漏極SD和驅(qū)動TFT DT的柵極DG通過柵接觸孔GH連接。按照這種方式，開關(guān)TFT ST和驅(qū)動TFT DT被完成。
[0067]形成驅(qū)動TFT DT的漏極DD的第二透明導(dǎo)電層IT02延伸至發(fā)光區(qū)域AA。延伸至發(fā)光區(qū)域AA的第二透明導(dǎo)電層IT02用作第二存儲電容器電極SG2。第二存儲電容器電極SG2疊置在當(dāng)形成布置在遮光層下方的第一透明導(dǎo)電層ITOl時(shí)形成的第一存儲電容器電極SGl上，并且使層間絕緣層INl被插置在第二存儲電容器電極SG2與第一存儲電容器電極SGl之間以便形成存儲電容器STG。第一存儲電容器SGl通過存儲電容器接觸孔SGH連接至開關(guān)TFT ST的漏極SD。
[0068]因?yàn)榇鎯﹄娙萜鱏TG按照由透明導(dǎo)電材料形成的第二存儲電容器電極SG2疊置在由透明導(dǎo)電材料形成的第一存儲電容器電極SG I上的這樣的方式形成，所以存儲電容器SGT能夠在發(fā)光區(qū)域AA中被形成為具有大面積而不減小開口率。因此，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器能夠保證存儲電容器STG具有足夠容量。
[0069]鈍化層IN2形成在上面形成有TFT ST的源極SS和漏極SD以及TFT DT的源極DS和漏極DD以及第二存儲電容器電極SG2的基板SUB的整個(gè)表面上。驅(qū)動TFT DT的漏極DD的一部分通過形成在鈍化層IN2中的像素接觸孔PH而被暴露。
[0070]濾色器CF可以在發(fā)光區(qū)域AA中形成在第二存儲電容器電極SG2上，使得濾色器CF分別對應(yīng)于像素區(qū)域。這里，可以依次布置紅色濾色器CF、綠色濾色器CF和藍(lán)色濾色器CF，并且濾色器CF還可以包括白色濾色器CF。紅色濾色器CF和/或綠色濾色器CF可以在像素區(qū)域中延伸并且形成在其中形成有TFT ST和TFT DT的區(qū)域上以便覆蓋TFT ST和TFT DT，這未示出。
[0071]暴露像素接觸孔PH的涂覆層OC形成在上面形成有濾色器CF的基板SUB的整個(gè)表面上。涂覆層OC被涂覆在基板SUB的整個(gè)表面上，以便使上面形成有濾色器CF的基板SUB的表面平整。
[0072]陽極ANO形成在涂覆層OC上以通過像素接觸孔PH與驅(qū)動TFTDT的漏極DD接觸。因此，陽極ΑΝ0、驅(qū)動TFT DT的漏極DD和第二存儲電容器電極SG2電連接。
[0073]暴露陽極ANO的一部分的堤BN形成在陽極ANO上。有機(jī)發(fā)射層OLE形成在陽極ANO的已暴露部分上，并且陰極CAT形成在有機(jī)發(fā)射層OLE上以覆蓋有機(jī)發(fā)射層OLE。按照這種方式，包括陽極ANO、有機(jī)發(fā)射層OLE和陰極CAT的有機(jī)發(fā)光二極管OLED完成。
[0074]將參照圖1OA至圖1OJ給出制造根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的工藝的描述。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的特性通過制造工藝來詳細(xì)地描述。圖1OA至圖1OJ是例示了用于制造根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法的截面圖。
[0075]參照圖1OA和圖1OB，第一透明導(dǎo)電材料、不透明的遮光材料、絕緣材料和半導(dǎo)體材料被依次涂覆在基板SUB的整個(gè)表面上。透明導(dǎo)電材料可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物等。半導(dǎo)體材料可以包括包含氧以及銦、鎵、鋅和錫中的任何一種的氧化物，例如，諸如銦鎵鋅氧化物(IGZO)的氧化物半導(dǎo)體材料。通過第一掩模工藝使第一透明導(dǎo)電材料層、不透明的遮光材料層、絕緣材料層和半導(dǎo)體材料層圖案化，以形成第一透明導(dǎo)電層ITOl、遮光層SLS、遮光層DLS和遮光層LS、緩沖層BF以及半導(dǎo)體層SE。形成在發(fā)光區(qū)域AA上的第一透明導(dǎo)電層ITOl用作第一存儲電容器電極SGl。
[0076]更具體地，第一透明導(dǎo)電材料、遮光材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料和光刻膠被依次涂覆在基板SUB上。制備了用于通過第一掩模來使第一透明導(dǎo)電材料層、遮光材料層、絕緣材料層、半導(dǎo)體材料層和光刻膠圖案化的半色調(diào)掩模。該半色調(diào)掩模包括用于屏蔽投射到其的光的全色調(diào)區(qū)域、用于透射投射到其的光的一部分并且屏蔽投射到其的光的一部分的半色調(diào)區(qū)域、以及用于完全透射投射到其的光的區(qū)域。通過所制備的半色調(diào)掩模來選擇性地投射光。這里，光刻膠可以是正型或負(fù)型的。現(xiàn)在將描述使用了正型光刻膠的情況。
[0077]當(dāng)通過半色調(diào)掩模暴露的光刻膠被顯影時(shí)，與半色調(diào)掩模的全色調(diào)區(qū)域和半色調(diào)區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠圖案PRl保留。這里，與全色調(diào)區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠圖案PRl比與半色調(diào)區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠圖案PRl更厚。主要利用保留的光刻膠圖案PRl來使第一透明導(dǎo)電材料層、遮光材料層、絕緣材料層和半導(dǎo)體材料層圖案化。遮光層SLS、遮光層DLS和遮光層LS以及緩沖層BF是根據(jù)主要圖案化形成的。第一透明導(dǎo)電層ITOl保留在遮光層SLS、遮光層DLS和遮光層LS之下。這里，保留在發(fā)光區(qū)域AA上的第一透明導(dǎo)電層用作第一存儲電容器電極SG1。通過主要圖案化形成的半導(dǎo)體層圖案SM保留在緩沖層BF上(圖10A)。
[0078]隨后，執(zhí)行用于將光刻膠圖案PRl去除預(yù)定厚度的灰化工藝，使得僅與全色調(diào)區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠圖案PRl保留。其次使用保留的光刻膠圖案PRl來使半導(dǎo)體圖案SM圖案化以便形成半導(dǎo)體層SE。這里，去除了發(fā)光區(qū)域AA上的半導(dǎo)體圖案SM。隨后，通過剝離工藝去除保留的光刻膠圖案PRl (圖10B)。
[0079]根據(jù)利用半色調(diào)掩模的圖案化，遮光層SLS和遮光層DLS具有比半導(dǎo)體層SE更寬的區(qū)域。遮光層SLS和遮光層DLS用來保護(hù)氧化物半導(dǎo)體元件不受外部光的影響。因此，期望遮光層SLS和遮光層DLS在具有比半導(dǎo)體層SE更寬的區(qū)域的同時(shí)疊置在半導(dǎo)體層SE上以便有效地保護(hù)半導(dǎo)體層SE。
[0080]參照圖1OC和10D，絕緣材料和金屬材料被依次涂覆在上面形成有半導(dǎo)體層SE的基板SUB的整個(gè)表面上并且同時(shí)通過第二掩模工藝圖案化，以形成柵絕緣層GI以及疊置在柵絕緣層GI上的柵極SG和柵極DG。柵極SG和柵極DG被形成為使得柵極SG和柵極DG在暴露半導(dǎo)體層SE的兩側(cè)的同時(shí)被分別布置在半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域上。半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域被分別限定為開關(guān)TFT的溝道層SA和驅(qū)動TFT的溝道層DA。半導(dǎo)體層SE的已暴露部分成為分別與開關(guān)TFT的源極和漏極接觸的源區(qū)域SSA和漏區(qū)域SDA以及與驅(qū)動TFT的源極和漏極接觸的源區(qū)域DSA和漏區(qū)域DDA。當(dāng)半導(dǎo)體材料是氧化物半導(dǎo)體材料時(shí)，可以通過等離子體加工工藝使源區(qū)域SSA和源區(qū)域DSA以及漏區(qū)域SDA和漏區(qū)域DDA導(dǎo)電。
[0081]第二