一種ptcr熱敏電阻的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電子元件的制備領(lǐng)域，尤其涉及一種PTCR熱敏電阻的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的不斷進步，對于新技術(shù)材料的使用越來越多，在通信行業(yè)對于過電流保護用正溫度系數(shù)熱敏電阻器的研究也未間斷。這些標準的頒布使PTCR熱敏電阻器在通信行業(yè)的應(yīng)用得到規(guī)范，同時也推動了 PTCR熱敏電阻器在通信行業(yè)的發(fā)展。雖然高分子PTCR熱敏電阻器有自熱少，可自由成型、靈敏度高等優(yōu)點，但也存在電流噪聲大、耐電流沖擊后性能劣化、阻值長期穩(wěn)定性差、失效時容易引起明火等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在解決上述問題，提供一種陶瓷型PTCR熱敏電阻的制備方法。
[0004]—種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于包括如下步驟:(I)將Bau x y z)SrxPbyCazTi03+aY203+bG+cMn(N03)2+dLi2C03按配比混合，其中:x=2%~ll% ；y=0.5%~4% ；z=0.5%~5% ；a=0.2%~0.3% ；b=l%~2% ；c=0.04%~0.08% ；d=0.01%~0.08% ；G 為 AST 玻璃相，制成備料；(2)將備料混合均勻后攪拌研磨，出料烘干后造粒，干壓成型后排膠；(3)在1100~1180°C溫度下進行燒成，保溫后繼續(xù)升溫在1300~1350°C溫度下燒成后保溫20min ;(4)進行平面打磨、老煉后鍍鎳，再老煉后被表面電極；經(jīng)過磨外圓溫循后制得熱敏電阻。
[0005]本發(fā)明所述的一種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述步驟(2)中的成型規(guī)格為5.5_X2mm。
[0006]本發(fā)明所述的一種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述步驟(2)中的排膠時間為2ho
[0007]本發(fā)明所述的一種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述步驟(3)中的升溫速度為 100~150°C /1min0
[0008]本發(fā)明所述的一種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述步驟(4)中所述老煉的溫度為300°C，時間為2h。
[0009]本發(fā)明所述的PTCR熱敏電阻的制備方法，通過對其工藝的改進，采用Y2O3摻雜的鈦酸鋇基配方，工藝穩(wěn)定性好，適合生產(chǎn)小型化PTCR熱敏電阻器，使得所制備的熱敏電阻器反應(yīng)靈敏，耐電流強度大、阻值穩(wěn)定性好，操作簡單可以大規(guī)模推廣使用。
【具體實施方式】
[0010]一種PTCR熱敏電阻的制備方法，包括如下步驟:(I)將Ba(1 x y z) SrxPbyCazTi03+aY203+bG+cMn (NO3)2+dLi2C03按配比混合，其中:x=2%~ll% ；y=0.5%~4% ；z=0.5%~5% ；a=0.2%~0.3% ；b=l%~2% ；c=0.04%~0.08% ；d=0.01%~0.08% ；G 為 AST 玻璃相，制成備料；(2)將備料混合均勻后攪拌研磨，出料烘干后造粒，干壓成型后排膠；(3)在1100~1180°C溫度下進行燒成，保溫后繼續(xù)升溫在1300~1350°C溫度下燒成后保溫20min ;(4)進行平面打磨、老煉后鍍鎳，再老煉后被表面電極；經(jīng)過磨外圓溫循后制得熱敏電阻。
[0011]本發(fā)明所述的一種PTCR熱敏電阻的制備方法，所述步驟(2)中的成型規(guī)格為5.5mmX2mm。所述步驟(2)中的排膠時間為2h。所述步驟(3)中的升溫速度為100-1500C /1min0從室溫開始慢速升溫，預(yù)設(shè)的第一保溫點為1100~1180°C，在600°C以下主要是讓坯片中的水分和粘合劑揮發(fā)，而這種自內(nèi)往外的揮發(fā)不能進行過快，否則會造成坯片出現(xiàn)較大的氣孔。到達第一保溫點時要進行保溫，使低熔點的雜質(zhì)充分揮發(fā)，各溫區(qū)坯片溫度達成一致。第二保溫點設(shè)在1300~1350°C，在第一保溫點升溫到第二保溫點時要進行快速升溫，升溫速度為100~150°C /1min0實驗證明，由于8&1103陶瓷在晶粒開始長大的溫度范圍(1240~1260°C)內(nèi)，容易產(chǎn)生二次結(jié)晶，使瓷片的性能大大降低。在1300~1350°C下進行保溫時，起半導(dǎo)化作用的氧化物中的離子置換主晶相中的鋇離子或鈦離子，從而完成半導(dǎo)化。在降溫過程中，降溫冷卻的速度對室溫電阻率影響很大，降溫速度越快，室溫電阻率越低。因此，通過調(diào)整降溫速度來調(diào)整瓷片的室溫電阻。因為在1150°C時，晶粒與晶界在整體結(jié)構(gòu)上基本被凍結(jié)，所以在降溫到1150°C以后，PTCR片的性能已基本穩(wěn)定。所述步驟(4)中所述老煉的溫度為300°C，時間為2h。
【主權(quán)項】
1.一種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于包括如下步驟:(I)將Ba (1 x y z)SrxPbyCazTi03+aY203+bG+cMn(N03)2+dLi2C03按配比混合，其中:x=2%~ll% ；y=0.5%~4% ；z=0.5%~5% ；a=0.2%~0.3% ；b=l%~2% ；c=0.04%~0.08% ；d=0.01%~0.08% ；G 為 AST 玻璃相，制成備料；(2)將備料混合均勻后攪拌研磨，出料烘干后造粒，干壓成型后排膠；(3)在1100~1180°C溫度下進行燒成，保溫后繼續(xù)升溫在1300~1350°C溫度下燒成后保溫20min ;(4)進行平面打磨、老煉后鍍鎳，再老煉后被表面電極；經(jīng)過磨外圓溫循后制得熱敏電阻。2.如權(quán)利要求1所述的一種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述步驟(2)中的成型規(guī)格為？?5.5mmX2mm。3.如權(quán)利要求1所述的一種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述步驟(2)中的排膠時間為2h。4.如權(quán)利要求1所述的一種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述步驟(3)中的升溫速度為 100~150°C /1min05.如權(quán)利要求1所述的一種PTCR熱敏電阻的制備方法，其特征在于所述步驟(4)中所述老煉的溫度為300°C，時間為2h。
【專利摘要】一種PTCR熱敏電阻的制備方法，屬于電子元件的制備領(lǐng)域。將BaTiO3、Y2O3、Mn(NO3)2、Li2CO3等按配比混合，制成備料；將備料混合均勻后攪拌研磨，出料烘干后造粒，干壓成型后排膠；在1100~1180℃溫度下進行燒成，保溫后繼續(xù)升溫在1300~1350℃溫度下燒成后保溫20min；進行平面打磨、老煉后鍍鎳，再老煉后被表面電極；經(jīng)過磨外圓溫循后制得熱敏電阻。通過對其工藝的改進，采用Y2O3？摻雜的鈦酸鋇基配方，工藝穩(wěn)定性好，適合生產(chǎn)小型化PTCR？熱敏電阻器，使得所制備的熱敏電阻器反應(yīng)靈敏，耐電流強度大、阻值穩(wěn)定性好，操作簡單可以大規(guī)模推廣使用。
【IPC分類】C04B35/622, H01C7/02, C04B35/468
【公開號】CN105632663
【申請?zhí)枴緾N201410603095
【發(fā)明人】王耀斌
【申請人】陜西盛邁石油有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年10月31日