防止eeprom被紫外線擦寫的版圖實現(xiàn)方法及版圖結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器擦寫及工藝版圖設計領域，特別是涉及一種防止EEPR0M(帶電可擦可編程只讀存儲器)被紫外線擦寫的版圖實現(xiàn)方法。本發(fā)明還涉及一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖結構。
【背景技術】
[0002]EEPROM作為一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片，可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。EEPROM是器件中存在浮柵結構，EEPROM的寫入就是通過某種效應讓電子聚集在浮柵上，EEPROM擦除(非電擦除)是指在需要消去電子時，可以利用紫外線進行照射，給電子足夠的能量，逃逸出浮柵。通常嵌入式芯片中EEPROM從測試模式進入到應用模式后，EEPROM就不可以再被擦除。但可以采用上面的紫外線照射方法從物理層面將數(shù)據(jù)擦除。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現(xiàn)方法，可以防止通過紫外線照射方法擦除EEPROM數(shù)據(jù)；為此，本發(fā)明還要提供一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖結構。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明的防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現(xiàn)方法是采用如下技術方案實現(xiàn)的:
[0005]采用一個EEPROM存儲器，可以正常進行EEPROM讀寫操作；
[0006]采用一個Mn金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區(qū)域覆蓋；
[0007]采用多個第一接地連接孔將Mn金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上;
[0008]采用一個Mk金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區(qū)域覆蓋；
[0009]采用多個第二接地連接孔將Mk金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上;
[0010]其中，Mn為EEPROM存儲器芯片中第η層金屬，Mk為EEPROM存儲器芯片中第k層金屬，η和k均為正整數(shù)，且k弇η。
[0011]所述防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖結構，包括:
[0012]一能夠正常進行讀寫操作的EEPROM存儲器；
[0013]一位于EEPROM存儲器芯片中的Mn金屬屏蔽層；
[0014]一位于EEPROM存儲器芯片中的Mk金屬屏蔽層；
[0015]多個第一接地連接孔；
[0016]多個第二接地連接孔；
[0017]所述Mn金屬屏蔽層，覆蓋在EEPROM存儲器陣列區(qū)域的上方，且通過第一接地連接孔將Mn金屬屏蔽層接地；所述Mk金屬屏蔽層，覆蓋在EEPROM存儲器陣列區(qū)域的上方，且通過第二接地連接孔將Mk金屬屏蔽層接地；其中，Mn為EEPROM存儲器芯片中第η層金屬，Mk為EEPROM存儲器芯片中第k層金屬，η和k均為正整數(shù)，且k弇η。
[0018]隨著芯片設計技術的發(fā)展，產(chǎn)品在實現(xiàn)更多功能的同時，芯片的安全變的越來越重要。本發(fā)明以較簡單物理實現(xiàn)的方法，實現(xiàn)了在非授權情況下保護EEPROM數(shù)據(jù)被擦寫的功能，從而提高了產(chǎn)品的安全和市場競爭力。
【附圖說明】
[0019]下面結合附圖與【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0020]附圖是防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖結構示意圖。
【具體實施方式】
[0021]從【背景技術】部分的分析可以知道，當紫外線照射EEPROM芯片時，可以進行數(shù)據(jù)擦除；而通過版圖設計方法能夠禁止這種通過紫外線擦除EEPROM的方式。結合附圖所示，所述防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖結構，具體實現(xiàn)方式是:
[0022]采用一個容量為P能夠正常進行讀寫操作的EEPROM存儲器，例如10Κ，40Κ…等的EEPR0M。
[0023]在EEPROM存儲器陣列區(qū)域上方，布一層^金屬屏蔽層同時通過Mn接地連接孔(第一接地連接孔)將屏蔽層接地。Mjg EEPROM存儲器芯片中第η層金屬。
[0024]在EEPROM存儲器陣列區(qū)域上方，布一層仏金屬屏蔽層同時通過Mk接地連接孔(第二接地連接孔)將屏蔽層接地。Mk指EEPROM存儲器芯片中第k層金屬，且k古η。η和k均為正整數(shù)。
[0025]EEPROM存儲器中儲存的數(shù)據(jù)經(jīng)過以上兩層金屬屏蔽層的保護，在專用紫外線擦寫器的照射下數(shù)據(jù)不能被擦寫改變。
[0026]以上通過【具體實施方式】和實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現(xiàn)方法，其特征在于: 采用一個EEPROM存儲器，該EEPROM存儲器能夠正常進行讀寫操作； 采用一個Mn金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區(qū)域覆蓋； 采用多個第一接地連接孔將Mn金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上； 采用一個Mk金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區(qū)域覆蓋； 采用多個第二接地連接孔將Mk金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上；其中，Mn為EEPROM存儲器芯片中第η層金屬，Mk為EEPROM存儲器芯片中第k層金屬；η和k均為正整數(shù)，且k# η。2.一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖結構，其特征在于，包括: 一能夠正常進行讀寫操作的EEPROM存儲器； 一位于EEPROM存儲器芯片中的Mn金屬屏蔽層； 一位于EEPROM存儲器芯片中的Mk金屬屏蔽層； 多個第一接地連接孔； 多個第二接地連接孔； 所述Mn金屬屏蔽層，覆蓋在EEPROM存儲器陣列區(qū)域的上方，且通過第一接地連接孔將Mn金屬屏蔽層接地；所述Mk金屬屏蔽層，覆蓋在EEPROM存儲器陣列區(qū)域的上方，且通過第二接地連接孔將Mk金屬屏蔽層接地； 其中，Mn為EEPROM存儲器芯片中第η層金屬，Mk為EEPROM存儲器芯片中第k層金屬，η和k均為正整數(shù)，且k# η。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現(xiàn)方法，采用一個EEPROM存儲器，可以正常進行EEPROM讀寫操作，采用一個Mn金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區(qū)域覆蓋，采用多個第一接地連接孔將Mn金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上，采用一個Mk金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區(qū)域覆蓋，采用多個第二接地連接孔將Mk金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上；其中，Mn為EEPROM存儲器芯片中第n層金屬，Mk為EEPROM存儲器芯片中第k層金屬，且k≠n。本發(fā)明還公開了一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖結構。本發(fā)明可以防止通過紫外線照射方法擦除EEPROM數(shù)據(jù)。
【IPC分類】H01L23/552, H01L27/115, H01L23/58
【公開號】CN105633088
【申請?zhí)枴緾N201410667926
【發(fā)明人】肖特
【申請人】上海華虹集成電路有限責任公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年11月20日