陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，諸如液晶顯示器(英文:Liquid Crystal Display;簡 稱:IXD)等顯示裝置廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域。
[0003] LCD通常包括陣列基板，陣列基板包括襯底基板以及依次形成在襯底基板上的柵 極、柵絕緣層、有源層、源漏極金屬層、鈍化層和像素電極。其中，有源層通過一次構(gòu)圖工藝 形成，在形成源漏極金屬層時(shí)，可以先在形成有有源層的襯底基板上形成金屬材質(zhì)層，然后 通過一次構(gòu)圖工藝對該金屬材質(zhì)層進(jìn)行處理形成源漏極金屬層，在通過一次構(gòu)圖工藝對金 屬材質(zhì)層進(jìn)行處理的過程中，需要對該金屬材質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。相關(guān)技術(shù)中，為了避免刻蝕過 程損傷有源層，在形成源漏極金屬層之前，可以通過一次構(gòu)圖工藝在有源層上形成阻擋層 對有源層進(jìn)行保護(hù)，然后在形成阻擋層的襯底基板上形成源漏極金屬層。
[0004] 但是，由于相關(guān)技術(shù)通過一次構(gòu)圖工藝形成阻擋層(也即是，有源層和阻擋層分別 通過一次構(gòu)圖工藝形成），因此陣列基板的制造過程額外增加了一次構(gòu)圖工藝(額外增加了 阻擋層的形成工藝），影響了生產(chǎn)效率，導(dǎo)致陣列基板的產(chǎn)能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示 裝置。所述技術(shù)方案如下：
[0006] 第一方面，提供一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：
[0007] 在襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層；
[0008] 在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上依次形成有源層薄膜和阻擋層薄膜；
[0009] 通過一次構(gòu)圖工藝對所述有源層薄膜和所述阻擋層薄膜進(jìn)行處理，形成有源層和 阻擋層。
[0010] 可選地，所述通過一次構(gòu)圖工藝對所述有源層薄膜和所述阻擋層薄膜進(jìn)行處理， 形成有源層和阻擋層，包括：
[0011]在形成有所述阻擋層薄膜的襯底基板上形成光刻膠層；
[0012] 對形成有所述光刻膠層的襯底基板依次進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，形成依次疊加的有 源層、阻擋層圖形和光刻膠圖形，所述有源層、所述阻擋層圖形和所述光刻膠圖形的形狀相 同；
[0013] 對所述光刻膠圖形進(jìn)行灰化處理，露出所述阻擋層圖形的待刻蝕區(qū)域；
[0014] 對所述待刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成所述阻擋層，露出所述有源層上用于與待形成 的源極和漏極搭接的臺階結(jié)構(gòu)的臺階面；
[0015] 剝離所述光刻膠層上剩余的光刻膠。
[0016] 可選地，所述對所述光刻膠圖形進(jìn)行灰化處理，露出所述阻擋層圖形的待刻蝕區(qū) 域，包括：
[0017] 采用至少兩種氣體，在預(yù)設(shè)灰化功率、預(yù)設(shè)氣體壓力、預(yù)設(shè)灰化速率下，對所述光 刻膠圖形灰化預(yù)設(shè)時(shí)長，露出所述阻擋層圖形的待刻蝕區(qū)域。
[0018] 可選地，所述至少兩種氣體包括:氧氣和六氟化硫氣體。
[0019] 可選地，所述預(yù)設(shè)灰化功率的取值范圍為:4500瓦特~5500瓦特。
[0020] 可選地，所述預(yù)設(shè)氣體壓力的取值范圍為：150毫托~200毫托。
[0021 ] 可選地，所述預(yù)設(shè)灰化速率為:140埃每秒。
[0022 ] 可選地，所述預(yù)設(shè)時(shí)長的取值范圍為:51秒~74秒。
[0023] 可選地，所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階面的寬度的取值范圍為:1.0微米~1.2微米。
[0024] 可選地，在所述通過一次構(gòu)圖工藝對所述有源層薄膜和所述阻擋層薄膜進(jìn)行處 理，形成有源層和阻擋層之后，所述方法還包括：
[0025] 在形成有所述阻擋層的襯底基板上依次形成源漏極金屬層、鈍化層和像素電極；
[0026] 其中，所述有源層包括用于與待形成的源極和漏極搭接的臺階結(jié)構(gòu)，所述源漏極 金屬層包括源極和漏極，所述源極和所述漏極分別搭接在所述臺階結(jié)構(gòu)上，且所述源極和 所述漏極不接觸，所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極接觸。 [0027]可選地，所述源漏極金屬層的厚度的取值范圍為:2000埃~3500埃；
[0028]所述鈍化層的厚度的取值范圍為:2500埃~6000埃。
[0029] 第二方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括:襯底基板，
[0030] 所述襯底基板上依次形成有柵極、柵絕緣層、有源層、阻擋層、源漏極金屬層、鈍化 層和像素電極；
[0031] 其中，所述有源層包括臺階結(jié)構(gòu)，所述源漏極金屬層包括源極和漏極，所述源極和 所述漏極分別搭接在所述臺階結(jié)構(gòu)上，且所述源極和所述漏極不接觸，所述鈍化層上形成 有過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極接觸；
[0032] 所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階面的寬度的取值范圍為:1.0微米~1.2微米；
[0033]所述源漏極金屬層的厚度的取值范圍為:2000埃~3500埃；
[0034]所述鈍化層的厚度的取值范圍為:2500埃~6000埃。
[0035]第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括:第二方面所述的陣列基板。
[0036] 本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：
[0037] 本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，該方法包括:在襯底基板上依次 形成柵極和柵絕緣層;在形成有柵絕緣層的襯底基板上依次形成有源層薄膜和阻擋層薄 膜;通過一次構(gòu)圖工藝對有源層薄膜和阻擋層薄膜進(jìn)行處理，形成有源層和阻擋層。本發(fā)明 通過將有源層與阻擋層采用一次構(gòu)圖工藝形成，減少了 mask的使用次數(shù)，提升了產(chǎn)能，且通 過灰化工藝形成有源層的臺階形狀，使得有源層與源極和漏極通過臺階結(jié)構(gòu)緊密搭接，減 少了有源層與源極和漏極搭接的不良。
[0038] 應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本 發(fā)明。
【附圖說明】
[0039] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使 用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他 的附圖。
[0040]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041 ]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的方法流程圖；
[0042]圖3-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的方法流程圖；
[0043] 圖3-2是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種在襯底基板上形成柵極后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044] 圖3-3是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種在形成有柵極的襯底基板上形成柵絕緣層 后的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0045] 圖3-4是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成有源 層薄膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046] 圖3-5是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種在形成有有源層薄膜的襯底基板上形成阻 擋層薄膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047] 圖3-6是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種通過一次構(gòu)圖工藝對有源層薄膜和阻擋層 薄膜進(jìn)行處理形成有源層和阻擋層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048] 圖3-7是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種通過一次構(gòu)圖工藝對有源層薄膜和阻擋層 薄膜進(jìn)行處理形成有源層和阻擋層的方法流程圖；
[0049]圖3-71是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種在形成有阻擋層薄膜的襯底基板上形成光 刻膠層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050] 圖3-72是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種對形成有光刻膠層的襯底基板依次進(jìn)行曝 光、顯影、刻蝕，形成依次疊加的有源層、阻擋層圖形和光刻膠圖形后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051] 圖3-72a是圖3-72所示實(shí)施例提供的一種對形成有光刻膠層的襯底基板依次進(jìn)行 曝光、顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖3-72b是圖3-72所示實(shí)施例提供的一種對阻擋層薄膜進(jìn)行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0053]圖3-73是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種對光刻膠圖形進(jìn)行灰化處理后的結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0054]圖3-74是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種對光刻膠圖形進(jìn)行灰化處理前后的對照 圖；
[0055]圖3-75是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種對待刻蝕區(qū)域