層疊型陶瓷電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供即使是薄層多層化后的介電體陶瓷層和內(nèi)部電極層也能夠改善內(nèi)部電極與外部電極的接觸不良并且在可靠性方面表現(xiàn)優(yōu)異的層疊型陶瓷電子部件。所述層疊型陶瓷電子部件具有多個(gè)介電體陶瓷層與多個(gè)內(nèi)部電極層交替層疊而成的元件主體和設(shè)置于所述元件主體的內(nèi)部電極層露出的端面的外部電極，露出于所述元件主體的端面的多個(gè)內(nèi)部電極層中的至少一部分具有連結(jié)鄰接的內(nèi)部電極層的端面電極部，在所述端面電極部與接觸的所述介電體陶瓷層之間具有連接部，以覆蓋端面電極部的方式設(shè)置外部電極。
【專利說明】
層疊型陶瓷電子部件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種內(nèi)部電極層和陶瓷層交替層疊而成的層疊型陶瓷電子部件。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，在電子設(shè)備的小型化、薄型化發(fā)展過程中要求搭載于運(yùn)些電子設(shè)備中的 電子部件也小型化。尤其是關(guān)于層疊陶瓷電容器，根據(jù)薄型民用設(shè)備的需要受限于電子部 件的按照面積而要求小型部件的高容量化。
[0003] 從運(yùn)樣的市場要求出發(fā)，層疊陶瓷電容器必須確保容量并且小型化。在此，層疊陶 瓷電容器的靜電容量W式1表示。
[0004]
[0005] C:靜電容量;Er:相對(duì)介電常數(shù);e〇:真空介電常數(shù)
[0006] S:內(nèi)部電極重疊面積;d:介電體陶瓷層厚度;n:層疊數(shù)
[0007] 由式1可知，在小型化的要求不斷提高中，考慮到確定的形狀尺寸和內(nèi)部電極的重 疊面積，為了提高層疊陶瓷電容器的靜電容量，提高陶瓷材料的固有的相對(duì)介電常數(shù)、減薄 介電體陶瓷層厚度、減薄內(nèi)部電極層厚度并增加層疊數(shù)等來調(diào)整。
[000引然而，關(guān)于相對(duì)介電常數(shù)，根據(jù)物質(zhì)固有的值，如果沒有發(fā)現(xiàn)新型介電體物質(zhì)則不 能預(yù)計(jì)有大幅度的提高，必然需要減薄內(nèi)部電極層厚度或介電體陶瓷層厚度。因此，要求由 o.eownW下的內(nèi)部電極層W及介電體陶瓷層來形成的層疊陶瓷電容器。
[0009] 通常為了減薄內(nèi)部電極層W及介電體陶瓷層，形成內(nèi)部電極層的金屬顆粒和形成 介電體陶瓷層的介電體陶瓷顆?？蒞使用經(jīng)過微細(xì)化的粉末。
[0010] 然而，如果使用微細(xì)化后的金屬顆粒和介電體陶瓷顆粒，則金屬顆粒其反應(yīng)性高 于介電體陶瓷顆粒，在伴隨著燒結(jié)的收縮開始溫度會(huì)產(chǎn)生大的失配。其結(jié)果，容易成為內(nèi)部 電極層進(jìn)入到元件主體內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，在內(nèi)部電極層與外部電極之間產(chǎn)生空隙，從而會(huì)發(fā)生 連接不良難W確保品質(zhì)。
[0011] 因此，在專利文獻(xiàn)1中提出了通過直接電鍛來形成外部電極的方法。提出了通過該 方法，即使是引入到元件主體內(nèi)部的內(nèi)部電極層也將內(nèi)部電極層端面的露出部作為核而析 出電鍛膜，電鍛膜生長，由此夾著介電體陶瓷層的內(nèi)部電極層的露出部彼此連接，能夠形成 薄而且平整的外部電極。
[0012] 另外，在專利文獻(xiàn)2中提出了通過進(jìn)行準(zhǔn)備內(nèi)部電極的端部被引出到表面的陶瓷 素體的工序、形成含有包含第1金屬成分的第1金屬填料W及包含烙點(diǎn)高于所述第1金屬成 分的第2金屬成分的第2金屬填料的樹脂電極層的工序、將所述電極層加熱并形成含有所述 第1和第2金屬成分和包含于所述內(nèi)部電極中的金屬并且具有位于所述陶瓷素體表面上的 金屬層的電極的加熱工序，從而能夠得到可W改善內(nèi)部電極層與外部電極層的連接不良的 結(jié)構(gòu)體。
[0013] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0014] 專利文獻(xiàn)
[0015] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-21523號(hào)公報(bào)
[0016] 專利文獻(xiàn)2:日本特開2013-118356號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0018] 然而，在專利文獻(xiàn)1中，因?yàn)橥ㄟ^直接電鍛來形成外部電極，所W會(huì)有鍛膜與元件 主體沒有化學(xué)結(jié)合，鍛膜與部件主體的接合強(qiáng)度不充分的問題。其結(jié)果，會(huì)有在彎曲強(qiáng)度試 驗(yàn)中從鍛膜與元件主體之間開始變得容易發(fā)生界面剝離的技術(shù)問題。
[0019] 另外，在專利文獻(xiàn)帥，因?yàn)樵诮殡婓w陶瓷層的厚度被薄層多層化到0.6皿W下的 層疊陶瓷電容器中引出到表面的內(nèi)部電極彼此的間隙窄從而第1金屬填料和第2金屬填料 難W侵入，所W有在外部電極與被內(nèi)部電極夾著的介電體陶瓷層之間產(chǎn)生空隙的技術(shù)問 題。其結(jié)果，會(huì)有在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中將空隙作為起點(diǎn)從外部電極與介電體陶瓷層之間容易 發(fā)生界面剝離的技術(shù)問題。
[0020] 本發(fā)明的目的在于提供一種即使在介電體陶瓷層和內(nèi)部電極層被薄層多層化的 情況下也能夠改善連接不良并且抑制在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中在外部電極與元件主體之間發(fā)生 的界面剝離的層疊型陶瓷電子部件。
[0021] 解決技術(shù)問題的手段
[0022] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所設(shè)及的層疊型陶瓷電子部件其特征在于:所述 層疊型陶瓷電子部件具有多個(gè)介電體陶瓷層與多個(gè)內(nèi)部電極層交替層疊而成的元件主體 和在所述元件主體的內(nèi)部電極層所露出的端面上設(shè)置的外部電極，露出于所述元件主體的 側(cè)端面的多個(gè)內(nèi)部電極層中的至少一部分具有連結(jié)鄰接的內(nèi)部電極層的端面電極部，并且 在與所述端面電極部接觸的所述介電體陶瓷層之間具有連接部，W覆蓋端面電極部的方式 設(shè)置外部電極。
[0023] 在此，端面電極部是指相比元件主體更突出于外部電極側(cè)的內(nèi)部電極層的端部。 另外，連接部是指接觸于端面電極部和介電體陶瓷層端部的層，也包括不連續(xù)的層。
[0024] 運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)體在燒結(jié)外部電極之前形成，因而外部電極與端面電極部的接合面積 增加，所W接合強(qiáng)度提高并且能夠改善連接不良。進(jìn)一步，因?yàn)樵诙嗣骐姌O部與介電體陶瓷 層的界面具有連接部，所W能夠抑制在端面電極部與介電體陶瓷層端部之間產(chǎn)生空隙，并 且在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中能夠飛躍性地改善在外部電極與元件主體之間發(fā)生的界面剝離。
[0025] 所述連接部的特征在于，將所述內(nèi)部電極金屬的氧化物作為主成分。
[0026] 根據(jù)運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵谶B接部中主成分含有內(nèi)部電極金屬的氧化物，所W能夠 提高連接部與介電體陶瓷層端部的接合性，并且在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中能夠飛躍性地改善在外 部電極與元件主體之間發(fā)生的界面剝離。
[0027] 另外，所述連接部為接觸于端面電極部和介電體陶瓷層端部的非常薄的層，優(yōu)選 為 IOOnmW 下。
[0028] 所述連接部的副成分的特征在于，含有V、化、化、Mn、Mg、Si、Ti、Ba、Ca、化的氧化物 中的至少任意一種。
[00巧]根據(jù)運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)檫B接部含有V、化、化、111、1旨、51、1'1、8曰、化、2'的氧化物中的 至少任意一種，所W與端面電極部的反應(yīng)性良好，連接部與端面電極部的接合性提高，并且 在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中能夠飛躍性地改善在外部電極與元件主體之間發(fā)生的界面剝離。
[0030] 另外，所述端面電極部中存在連結(jié)至少3層W上的內(nèi)部電極層的端面電極部，通過 端面電極部連結(jié)3層W上的內(nèi)部電極層的比例相對(duì)于全部內(nèi)部電極層為10% W上。
[0031] 目P，作為例子如果是具有300層內(nèi)部電極層的層疊型陶瓷電子部件，則意味著30層 W上的內(nèi)部電極層通過端面電極部連結(jié)3層W上。
[0032] W運(yùn)樣的比例構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體其端面電極部與內(nèi)部電極層的接合強(qiáng)度提高，并且在 彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中能夠飛躍性地改善在外部電極與元件主體之間所發(fā)生的界面剝離。
[0033] 發(fā)明的效果
[0034] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種即使是在介電體陶瓷層和內(nèi)部電極層被薄層多層化的 情況下也能改善連接不良并且飛躍性地改善了在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中在外部電極與元件主體 之間所發(fā)生的界面剝離的層疊型陶瓷電子部件。
【附圖說明】
[0035] 圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的層疊陶瓷電容器的概略截面圖。
[0036] 圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的熱壓燒成爐的概略圖。
[0037] 圖3是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的熱壓燒成爐的燒成時(shí)的概略圖。
[0038] 圖4是為了說明本發(fā)明所設(shè)及的層疊陶瓷電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)體的形態(tài)的層疊陶瓷 電容器的部分截面圖。
[0039] 圖5是由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的實(shí)施例7制得的外部電極形成前的層疊 陶瓷電容器的內(nèi)部電極突出部的部分截面的場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)照片。
[0040] 符號(hào)的說明
[0041] 1…介電體陶瓷層、2…內(nèi)部電極層、3…元件主體部件、4…外部電極、10…層疊陶 瓷電容器、20…加壓沖頭加熱室、21…加壓室、22…沖頭、23…工作臺(tái)、24…加熱器、25…推 板、26…接受板、27…元件主體試樣、28…高強(qiáng)度板、29…陶瓷臺(tái)、31…內(nèi)部電極層、32…介 電體陶瓷層、33…外部電極、34…端面電極部、35…連接部。
【具體實(shí)施方式】
[0042] W下，舉例說明層疊陶瓷電容器作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式。將相同符號(hào)賦予 相同部件并省略重復(fù)的說明。另外，附圖是示意性的，部件相互之間的尺寸的比率或部件的 形狀等可W與實(shí)物不同。
[0043] (層疊陶瓷電容器）
[0044] 如圖1所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所設(shè)及的層疊陶瓷電容器10具有介電體陶瓷 層1和內(nèi)部電極層2交替層疊的結(jié)構(gòu)的元件主體部件3。在該元件主體部件3的兩端部形成分 別與元件主體部件的內(nèi)部中交替配置的內(nèi)部電極層2相導(dǎo)通的一對(duì)外部電極4。元件主體部 件3的形狀沒有特別地限制，通常為長方體形狀。另外，其尺寸也沒有特別地限制，可W根據(jù) 用途做成適當(dāng)?shù)某叽纭?br>[0045] (層疊陶瓷電容器的制造方法）
[0046] 本實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的制造方法可W通過介電體陶瓷膏體的制作、內(nèi)部 電極膏體的制作、高低差吸收層用陶瓷膏體的制作、印刷、層疊、切斷運(yùn)樣的公知的方法來 制作元件主體部件的包含有機(jī)成分等的狀態(tài)的物質(zhì)。接著，為了燃燒有機(jī)成分等并使之碳 化，并且使元件主體部件燒結(jié)，經(jīng)過脫粘結(jié)劑工序、燒成工序而得到元件主體部件。接著，在 燒結(jié)后的元件主體的端面上形成外部電極，在外部電極上形成鍛膜，從而完成層疊陶瓷電 容器。
[0047] W下就制造方法進(jìn)行具體地說明。
[004引（介電體陶瓷層的陶瓷組成）
[0049] 上述的介電體陶瓷層的組成沒有特別地限定，優(yōu)選將AB化（其中，表示A位點(diǎn)至少 包含Ba并且B位點(diǎn)至少包含Ti的巧鐵礦型結(jié)晶）作為主成分，并且作為副原料相對(duì)于IOOmol 的AB03含有Mg WMgO換算為0.0 lmol W上且2. OOmol W下、R的化合物（其中，R為選自Y、Dy、 Ho、化、Lu、GdW及Tb中的至少1種）WR2O3換算為0.20molW上且l.OOmolW下、Si〇2為 0.40mol W上且2. OOmol W下、Mn的化合物WMnO換算為超過0.0 Omol且小于0.50mol、V的化 合物WV2化換算為0.Olmol W上且0. SOmolW下所示的組成范圍的組成。
[0050] (介電體陶瓷膏體）
[0051] 本發(fā)明中的介電體陶瓷層優(yōu)選使用平均粒徑為20nm至IOOnm的介電體陶瓷粉末。 通過將平均粒徑控制在該范圍內(nèi)，從而能夠制作致密的介電體生巧薄片。
[0052] 介電體陶瓷膏體可W通過W成為所述介電體陶瓷層組成的方式用高速攬拌機(jī)混 合介電體陶瓷顆粒、副原料的氧化物或碳酸鹽和有機(jī)載體之后，在S漉式滾社機(jī)或球磨機(jī)、 珠磨機(jī)中進(jìn)行分散并混煉來進(jìn)行制作。
[0053] (內(nèi)部電極膏體）
[0054] 本發(fā)明中的內(nèi)部電極膏體的導(dǎo)電性粉末，作為粒徑?jīng)]有特別地限制，優(yōu)選使用平 均粒徑為IOnm至150nm的導(dǎo)電性粉末。另外，為了使導(dǎo)電性粉末的燒結(jié)舉動(dòng)延遲而作為輔助 材料添加的介電體陶瓷粉末優(yōu)選使用與在介電體陶瓷膏體中所使用的介電體陶瓷粉末相 同組成且平均粒徑為IOnm至50皿左右的介電體陶瓷粉末。作為用作導(dǎo)電材料的金屬，能夠 使用Ni、化、Ni -化合金、Ag-Pd合金等，沒有特別地限定。
[0055] 內(nèi)部電極膏體可W通過用高速攬拌機(jī)混合準(zhǔn)備好的導(dǎo)電性粉末、用作所述輔助材 料的介電體陶瓷粉末、有機(jī)載體，在=漉式滾社機(jī)或球磨機(jī)中進(jìn)行分散并混煉來進(jìn)行制作。
[0056] (高低差吸收層用陶瓷膏體）
[0057] 關(guān)于高低差吸收層的組成，將與介電體陶瓷層相同的無機(jī)組成作為無機(jī)主成分， 作為副成分沒有特別地限定，優(yōu)選W換算為0.Olmol W上且2.OOmol W下的范圍含有至少一 種 W 上的 CuO、Cr 2〇3、MnO、V2〇5、S i 〇2、MgO、T i 〇2、BaC〇3、CaC〇3、Zr〇2?？?W 通過用高速攬拌機(jī)混 合準(zhǔn)備好的原料粉末、分散劑和有機(jī)溶劑，在珠磨機(jī)中進(jìn)行分散，漿料化之后混合有機(jī)載 體，用高速攬拌機(jī)進(jìn)行混合之后，用蒸發(fā)器等在所希望的范圍內(nèi)使有機(jī)溶劑蒸發(fā)氣化，然后 用=漉式滾社機(jī)進(jìn)行混煉來進(jìn)行制作。
[0058] 上述有機(jī)載體是將粘結(jié)劑樹脂溶解于溶劑中而獲得的。作為用于有機(jī)載體的粘結(jié) 劑樹脂，沒有特別地限制，可W列舉乙基纖維素、聚乙締醇縮下醒、丙締酸樹脂等通常的各 種粘結(jié)劑樹脂。
[0059] (層疊陶瓷電容器的制造）
[0060] 使用由此制得的介電體陶瓷膏體、內(nèi)部電極膏體W及高低差吸收層用陶瓷膏體來 制造層疊陶瓷電容器。
[0061] 首先，為了形成介電體陶瓷生巧薄片，使用上述的介電體陶瓷膏體，通過模具涂層 法(die coating me化od)、刮刀法等在作為支撐體的載體薄膜14上Wo.6皿W上且0.9皿W 下的厚度形成介電體陶瓷生巧薄片并進(jìn)行干燥。
[0062] 接著，為了形成內(nèi)部電極生巧層，使用上述的內(nèi)部電極膏體用絲網(wǎng)印刷等印刷法 在介電體陶瓷生巧薄片上W優(yōu)選為0.7皿W下的厚度形成內(nèi)部電極生巧薄片并進(jìn)行干燥。
[0063] 進(jìn)一步，為了形成高低差吸收層陶瓷生巧層，通過絲網(wǎng)印刷等印刷法在介電體陶 瓷生巧薄片上優(yōu)選W與內(nèi)部電極生巧層同等的厚度與內(nèi)部電極生巧層具有IOwii左右的重 疊來形成于內(nèi)部電極生巧層之間的凹部并進(jìn)行干燥。在此，將由此制得的生巧薄片稱為容 量部生巧薄片。
[0064] 剝下如上所述制得的容量部生巧薄片的載體薄膜，層疊所希望數(shù)量的容量部生巧 薄片，制作層疊陶瓷電容器中形成靜電容量的生巧體，進(jìn)一步在僅W介電體陶瓷生巧薄片 形成的生巧薄片中其它的途徑制作層疊所希望層數(shù)后的層疊體，在生巧體層疊面的上下進(jìn) 行熱壓合來粘結(jié)。
[0065] 接著，將所得到的元件主體切斷成單片。單片化方法沒有特別地限制，可W列舉測 刀切斷方法或劃片刀法、激光切割法等。
[0066] (脫粘結(jié)劑工序）
[0067] 脫粘結(jié)劑工序中的條件為氧分壓為ICT2IatmW上且ICTiSatmW下、在氨濃度為 0.1 % W上且4.0% W下的氮氨混合氣體中、頂部保持溫度為650°C W上且850°C W下的條件 下進(jìn)行。升溫速度和保持時(shí)間沒有特別地限制，殘留碳量可W為0.1質(zhì)量％ ^下。如果降低 脫粘結(jié)劑溫度則殘留碳較多，所W在燒成工序中由于更多地從元件主體除去碳而會(huì)變得容 易發(fā)生分層。
[006引（熱處理工序）
[0069] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的熱處理工序因?yàn)橹瞥删哂斜景l(fā)明中所使用的端面電 極部和連接部的結(jié)構(gòu)，所W可W使用特殊的熱壓燒結(jié)法。但是，本發(fā)明的效果在于結(jié)構(gòu)體， 只要是能夠制作本發(fā)明的結(jié)構(gòu)體的方法，可W使用任何介電體陶瓷膏體、內(nèi)部電極膏體、高 低差吸收層用膏體、各種燒成方法，例如可W列舉漉道害燒成、熱等靜壓化Ot isostatic pressing)燒成、間歇式爐燒成等。
[0070] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的熱壓燒結(jié)如圖2、圖3所示用連續(xù)式高速熱壓燒成來進(jìn) 行燒結(jié)。
[0071] 如圖2所示，本發(fā)明中的連續(xù)式高速熱壓燒成爐由加壓沖頭加熱室20、加壓室21、 沖頭22、工作臺(tái)23、加熱器24、推板25、接受板26構(gòu)成，元件主體試樣27置于高強(qiáng)度板28之 上，高強(qiáng)度板28安裝于陶瓷臺(tái)29之上和沖頭22的底部。
[0072] 如圖3所示，本發(fā)明中的連續(xù)式高速熱壓燒成爐通過在加壓沖頭加熱室20中從 1200°C被加熱到1300°C的沖頭22和高強(qiáng)度板28對(duì)通過推板25被送到工作臺(tái)23并且放置于 陶瓷臺(tái)29和高強(qiáng)度板28上的元件主體試樣27進(jìn)行加壓加熱，由此進(jìn)行燒結(jié)。燒結(jié)后的元件 主體試樣通過接受板26送出至加壓室21之外。
[0073] 作為燒成條件，例如可W列舉升溫速度為7〇oo°c A W上且iooooor A W下、加壓 量為1. OMPa W上且SOMPa W下的條件。
[0074] 作為燒成氣氛，優(yōu)選在氮、氨W及水蒸氣共存的氣氛下氨濃度為大于0.1%且 4.0% W下進(jìn)行。如果氨濃度過高，則在脫粘結(jié)劑工序中殘留的碳也會(huì)在燒成工序中殘留， 并且再氧化條件會(huì)移動(dòng)到高溫側(cè)，因而不優(yōu)選。相反地，如果過低，則導(dǎo)電性粉末會(huì)發(fā)生氧 化，因而不優(yōu)選。
[0075] 作為上述的高強(qiáng)度板，可W列舉碳化鶴、碳化娃、氮化娃等抗熱沖擊性強(qiáng)并且彎曲 強(qiáng)度大的材料。從與試樣的反應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用碳化娃。
[0076] 作為上述的加壓沖頭，可W列舉碳化娃、氮化侶等比導(dǎo)熱率高的材料。從耐熱性、 比導(dǎo)熱率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用碳化娃。
[0077] 作為上述的陶瓷臺(tái)，可W列舉穩(wěn)定化氧化錯(cuò)、氧化侶、氮化娃等比導(dǎo)熱率低的材 料。從抗熱沖擊性、比導(dǎo)熱率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用穩(wěn)定化氧化錯(cuò)、氮化娃。
[0078] 對(duì)使之運(yùn)樣燒結(jié)燒成之后的元件主體進(jìn)行再氧化處理。在再氧化處理中，在熱壓 裝置內(nèi)進(jìn)行加壓，另外，也可W用其它的間歇爐、連續(xù)爐等來進(jìn)行。另外，通常來說將氧分壓 控制在l(T 8atm至l(T4atm的范圍的氮和水蒸氣的共存氣氛下進(jìn)行。另外，優(yōu)選保持溫度為 800°C至950°C的范圍下進(jìn)行。如果退火時(shí)的保持溫度小于上述的溫度范圍，則因?yàn)榻殡婓w 材料的再氧化不充分，所W會(huì)有絕緣電阻W及壽命特性降低的情況。另外，如果超過上述的 范圍，則難W獲得本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
[0079] 通過上述工序，從而內(nèi)部電極層的導(dǎo)電材料從元件主體擠出，在與鄰接的內(nèi)部電 極層接觸的階段浸潤于介電體陶瓷層端部，形成端面電極部。另外，連接部是在形成了端面 電極部之后的降溫階段與介電體陶瓷層端部的氧化物發(fā)生界面反應(yīng)而形成的。
[0080] 在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中，用上述方法制作了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，例如，即使不是通常 的熱壓燒結(jié)或加壓燒結(jié)，通過將Ni膏體涂布于元件主體的內(nèi)部電極層引出的端部，控制氣 氛來進(jìn)行燒成也能夠形成，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不限于上述方法。
[0081 ]運(yùn)樣，對(duì)使用上述介電體陶瓷膏體和內(nèi)部電極膏體制得的元件主體通過上述熱處 理工序能夠制得本發(fā)明的結(jié)構(gòu)體。關(guān)于本發(fā)明的結(jié)構(gòu)體的最佳的形態(tài)，用圖4進(jìn)行說明。
[0082] 圖4是圖1的層疊陶瓷電容器的概略截面圖的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一部分放大圖。
[0083] 如果放大本發(fā)明所設(shè)及的層疊陶瓷電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面，則如圖4所示，由內(nèi) 部電極層31、介電體陶瓷層32、外部電極33、端面電極部34W及連接部35構(gòu)成。在此，端面電 極部34是指比元件主體更突出于外部電極33側(cè)的內(nèi)部電極層31的端部，連接部35存在于在 端面電極部34與介電體陶瓷層32的端部之間所存在的界面。
[0084] 如圖4所示，本發(fā)明所設(shè)及的層疊陶瓷電容器內(nèi)部結(jié)構(gòu)由于具有由內(nèi)部電極層成 分構(gòu)成的端面電極部，所W改善了外部電極與內(nèi)部電極的連接不良，進(jìn)一步，由于具有連接 了介電體陶瓷層端部與端面電極部的連接部，所W能夠使元件主體與外部電極的連接良 好，能夠獲得飛躍性地改善了在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中在外部電極與元件主體之間所發(fā)生的界面 剝離的良好結(jié)果。
[0085] 進(jìn)一步，連接部優(yōu)選將內(nèi)部電極金屬的氧化物作為主成分，例如可W例示NiO或 CuO。
[0086] 根據(jù)運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵谶B接部中主成分包含內(nèi)部電極金屬的氧化物，所W連接 部與介電體陶瓷層端部的接合性有所提高，并且能夠飛躍性地改善在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中在外 部電極與元件主體之間所發(fā)生的界面剝離。
[0087] 作為連接部的厚度沒有特別地限制，因?yàn)樵诮缑嫔桑鵚為InmW上且5nmW下 左右。另外，在端面電極與介電體陶瓷層端部的界面上必須形成連接部。
[0088] 進(jìn)一步，連接部優(yōu)選含有V、化、化、111、1旨、51、1'1、8曰^曰、化的氧化物中的至少任意 一種作為副成分，進(jìn)一步優(yōu)選為V、化、MnXu。
[0089] 根據(jù)運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)檫B接部含有V、化、化、111、1旨、51、1'1、8曰、化、2'的氧化物中的 至少任意一種作為副成分，所W與端面電極部的反應(yīng)性良好，連接部與端面電極部的接合 性提高，能夠飛躍性地改善在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中在外部電極與元件主體之間所發(fā)生的界面剝 離。
[0090] 進(jìn)一步，端面電極部中存在連結(jié)至少3層W上的內(nèi)部電極層的端面電極部，通過端 面電極部連結(jié)3層W上的內(nèi)部電極層的比例優(yōu)選為10% W上。
[0091] W運(yùn)樣的比例構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體其端面電極部與內(nèi)部電極層的接合強(qiáng)度提高，并且能 夠飛躍性地改善在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中在外部電極與元件主體之間所發(fā)生的界面剝離。連結(jié)3 層W上的內(nèi)部電極層的比例如果相對(duì)于全部內(nèi)部電極層為小于10%，則端面電極部和連接 部存在的效果變小，在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中會(huì)有在外部電極與元件主體之間發(fā)生界面剝離的情 況。
[0092] (外部電極膏體）
[0093] 本發(fā)明中的外部電極膏體能夠通過將導(dǎo)電性粉末作為主成分，并將作為副成分的 玻璃粉末和有機(jī)載體用=漉式滾社機(jī)等進(jìn)行混煉來制作。導(dǎo)電性粉末沒有特別地限定，優(yōu) 選使用至少含有Cu,且作為粒徑平均粒徑為0.3WI1至7. Owii的粉末。通過將平均粒徑控制在 該范圍內(nèi)從而能夠制作致密的外部電極。
[0094] 將燒成后的元件主體的一部分浸潰于用W上的方法制得的外部電極膏體，并進(jìn)行 燒結(jié)，由此能夠形成外部電極。外部電極的燒結(jié)條件優(yōu)選為例如在經(jīng)過加濕的氮和氨的共 存氣氛中在600°C至850°C的溫度范圍保持10分鐘至1小時(shí)左右。
[0095] 鍛膜的形成方法沒有特別地限定，對(duì)于形成有外部電極的燒結(jié)體，通過使用了 Ni 鍛槽、Sn鍛槽的滾鍛法依次在外部電極上形成Ni鍛層和Sn鍛層，由此形成了 Ni/Sn鍛層。運(yùn) 樣，能夠制作出具有本發(fā)明的結(jié)構(gòu)體的層疊陶瓷電容器。
[0096] W上已就本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式作了說明，但是本發(fā)明絲毫不會(huì)被限定于上述的 實(shí)施方式，可W在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更來適用。
[0097] 實(shí)施例1
[0098] W下基于更加詳細(xì)的實(shí)施例來說明本發(fā)明，可W在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi) 進(jìn)行各種變更。
[0099] (介電體陶瓷膏體的粉末制作）
[0100] 在本實(shí)施例中，制造了具有組成為(8日日.96姑).日4)(1'1日.8放日.1日)〇3+1旨0(0.1質(zhì)量份)+ Mn0(0.3質(zhì)量份)+Y203(0.4質(zhì)量份)+Si〇2(0.3質(zhì)量份)+V205(0.05質(zhì)量份)的介電體層的層疊 陶瓷電容器。首先，通過球磨機(jī)對(duì)粒徑為0.1~1皿的BaTi〇3、CaTi〇3、Ba化〇3、MgC〇3、MnC〇3、 Y2化、Si〇2的材料粉末進(jìn)行16小時(shí)的濕式混合并進(jìn)行干燥，由此準(zhǔn)備了介電體粉末。
[0101] 相對(duì)于100質(zhì)量份的介電體粉末，用球磨機(jī)混合丙締酸樹脂4.8質(zhì)量份、乙酸乙醋 100質(zhì)量份、礦物油精6質(zhì)量份和甲苯4質(zhì)量份并進(jìn)行膏體化，從而獲得介電體陶瓷膏體。
[0102] (內(nèi)部電極用膏體的制作）
[0103] 接著，相對(duì)于100質(zhì)量份的平均粒徑為0.15皿的Ni顆粒，通過S漉滾壓機(jī)將有機(jī)載 體(將乙基纖維素8質(zhì)量份溶解于下基卡必醇92質(zhì)量份而得到的混合物)40質(zhì)量份和下基卡 必醇10質(zhì)量份進(jìn)行混煉并進(jìn)行膏體化，從而獲得內(nèi)部電極層用膏體。
[0104] (高低差吸收層用陶瓷膏體的制作）
[0105] 將與介電體陶瓷膏體相同的無機(jī)組成原料與溶解有分散劑的甲基乙基酬溶劑混 合，用高速攬拌機(jī)進(jìn)行混合攬拌并漿料化之后，使用9化5mm的氧化錯(cuò)珠來粉碎混合24小 時(shí)。
[0106] 將有機(jī)載體投入到上述漿料中，使用(P化5mm的氧化錯(cuò)珠來粉碎混合24小時(shí)之 后，用蒸發(fā)器使有機(jī)溶劑揮發(fā)調(diào)整無機(jī)物濃度，用=漉式滾社機(jī)進(jìn)行混煉，從而制作出高低 差吸收層用陶瓷膏體。
[0107] (層疊陶瓷電容器的制作）
[0108] 使用上述的介電體陶瓷膏體，通過刮刀法將介電體生巧薄片形成于作為支撐體的 載體薄膜上。介電體生巧薄片的厚度W元件主體內(nèi)部每1層介電體陶瓷層的厚度成為〇.5皿 的方式進(jìn)行調(diào)整。
[0109] 接著，為了形成內(nèi)部電極層而使用上述的內(nèi)部電極膏體，用絲網(wǎng)印刷將內(nèi)部電極 膏體形成于介電體生巧薄片上。
[0110] 進(jìn)一步，為了形成高低差吸收層，將上述的高低差吸收層用陶瓷膏體絲網(wǎng)印刷于 內(nèi)部電極圖案之間的凹部，并進(jìn)行干燥。運(yùn)樣準(zhǔn)備好了容量部生巧薄片。
[0111] 另外，與內(nèi)層用生巧薄片分開準(zhǔn)備在載體薄膜上僅形成有介電體生巧薄片的外層 用生巧薄片。
[0112] 接著，上述的容量部生巧薄片是用容量部生巧薄片層疊所希望的片數(shù)而成，外層 用生巧薄片是用外層用生巧薄片層疊所希望的片數(shù)而成。載體薄膜每次層疊后剝離。
[0113] 使用劃片機(jī)來切斷所獲得的元件主體。
[0114] 接著，WO. Imm的間隔將上述切斷后的單片化后的元件主體排列于高強(qiáng)度板上，與 高強(qiáng)度板一起進(jìn)行脫粘結(jié)劑。
[0115] 在本實(shí)施例中，作為高強(qiáng)度板使用碳化娃。
[0116] 脫粘結(jié)劑條件為:在氨濃度4.0%的加濕后的氮氨混合氣體中將保持溫度設(shè)定為 800°C，將保持時(shí)間設(shè)定為12小時(shí)。升溫速度沒有特別地限制，一直進(jìn)行至殘留碳量成為0.1 質(zhì)量下。
[0117] 使用圖2所示的熱壓燒成裝置，W約86400°CA的升溫速度W5MPa的加壓量在1100 °C的燒成溫度下燒結(jié)所獲得的高強(qiáng)度板上的脫粘結(jié)劑后的元件主體。
[0118] 燒成時(shí)的氣氛為加濕后的氮和氨的混合氣體，并且氧分壓為ICr^atm。
[0119] 作為上述的熱壓燒成裝置的夾具材料種類，在本實(shí)施例中作為加壓沖頭使用碳化 娃，作為陶瓷臺(tái)使用氮化娃。
[0120] 對(duì)運(yùn)樣燒結(jié)后的元件主體進(jìn)行再氧化處理。在本發(fā)明中用無加壓的間歇式爐在控 審化l(T5atm的氮和水蒸氣共存的氣氛下進(jìn)行再氧化處理。另外，保持溫度為950°C。
[0121] 在此，外部電極膏體通過準(zhǔn)備作為導(dǎo)電性粉末的Cu粉末(平均粒徑為0.祉m)和有 機(jī)載體，用=漉式滾社機(jī)進(jìn)行混煉來制作。
[0122] 然后，使燒結(jié)后的元件主體的一部分浸潰于該外部電極膏體中并進(jìn)行干燥，在氮 氣中進(jìn)行燒結(jié)。升溫速度沒有特別地限定，將保持溫度設(shè)定為800°C，將保持時(shí)間設(shè)定為20 分鐘。
[0123] 通過使用了 Ni鍛槽、Sn鍛槽的滾鍛法在形成有外部電極的元件主體中將Ni鍛層和 Sn鍛層依次形成于外部電極上，由此形成了 Ni/Sn鍛層。運(yùn)樣形成了具有本發(fā)明的結(jié)構(gòu)體的 層疊陶瓷電容器。
[0124] (實(shí)施例2)
[012引除了將0.7質(zhì)量份的吐203追加到高低差吸收層用膏體中W外，W與實(shí)施例1相同的 方法進(jìn)行制作。
[0126] (實(shí)施例3)
[0127] 除了將0.7質(zhì)量份的CuO追加到高低差吸收層用膏體中W外，W與實(shí)施例1相同的 方法進(jìn)行制作。
[012引（實(shí)施例4)
[0129] 除了將0.7質(zhì)量份的MnO追加到高低差吸收層用膏體中W外，W與實(shí)施例1相同的 方法進(jìn)行制作。
[0130] (實(shí)施例5)
[0131] 除了將0.7質(zhì)量份的V2化追加到高低差吸收層用膏體中W外，W與實(shí)施例1相同的 方法進(jìn)行制作。
[0132] (實(shí)施例6)
[0133] 除了將燒成時(shí)的加壓量變更為IOMPaW外，W與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行制作。另 夕h介電體生巧薄片的厚度W元件主體內(nèi)部每1層介電體陶瓷層的厚度成為0.5皿的方式進(jìn) 行調(diào)整。
[0134] (實(shí)施例7)
[0135] 除了將燒成時(shí)的加壓量變更為ISMPaW外，W與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行制作。另 夕h介電體生巧薄片的厚度W元件主體內(nèi)部每1層介電體陶瓷層的厚度成為0.5皿的方式進(jìn) 行調(diào)整。
[0136] (實(shí)施例8)
[0137] 除了將燒成時(shí)的加壓量變更為20MPaW外，W與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行制作。另 夕h介電體生巧薄片的厚度W元件主體內(nèi)部每1層介電體陶瓷層的厚度成為0.5皿的方式進(jìn) 行調(diào)整。
[013引（實(shí)施例9)
[0139] 除了將燒成時(shí)的加壓量變更為40MPaW外，W與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行制作。另 夕h介電體生巧薄片的厚度W元件主體內(nèi)部每1層介電體陶瓷層的厚度成為0.5皿的方式進(jìn) 行調(diào)整。
[0140] (實(shí)施例10)
[0141] 除了將0.7質(zhì)量份的吐2〇3追加到高低差吸收層用膏體中W外，W與實(shí)施例7相同的 方法進(jìn)行制作。
[0142] (比較例1)
[0143] 變更成漉道害燒成裝置，W與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行制作。在燒成時(shí)的氣氛為加 濕后的氮和氨的混合氣體，并且氧分壓為的條件下進(jìn)行燒成。
[0144] (比較例2)
[0145] 改變外部電極膏體和外部電極膏體燒結(jié)時(shí)的溫度W及氣氛，W與比較例I相同的 方法進(jìn)行制作。通過砰取25.6重量份的作為第1導(dǎo)電性填料的Sn、60重量份的作為第2導(dǎo)電 性填料的Ag、14.4重量份的熱固化性環(huán)氧樹脂，用S漉式滾社機(jī)進(jìn)行混煉來制作外部電極 膏體。條件為:燒結(jié)時(shí)的溫度為52(TC，氣氛為氮?dú)?，氧分壓為l(T 6atm。用運(yùn)樣的制造方法制 得的層疊陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)體由于成為通過從內(nèi)部電極延伸出來的連接部而互相連接元 件主體側(cè)面的至少1組相鄰的內(nèi)部電極的露出部的結(jié)構(gòu)體，所W外部電極與內(nèi)部電極的接 合面積變得充分，并且能夠抑制靜電容量的降低。
[0146] 所制得的層疊陶瓷電容器的不包括外部電極的形態(tài)設(shè)定成，被介電體陶瓷層夾持 的內(nèi)部電極層為270層，元件主體內(nèi)部每1層介電體陶瓷層的厚度為0.5WI1，內(nèi)部電極層的厚 度為0.4曲!，外層部的厚度為25皿，容量為4.化F。
[0147] (層疊陶瓷電容器的評(píng)價(jià)）
[0148] 所制得的層疊陶瓷電容器通過W下的評(píng)價(jià)方法對(duì)端面電極部的有無、由端面電極 部連結(jié)了 3層W上的內(nèi)部電極層的比例、連接部的有無、連接部的主成分、連接部的副成分、 靜電容量、彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
[0149] (端面電極部的有無的評(píng)價(jià)）
[0150] 端面電極部的有無的評(píng)價(jià)方法是使用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM) W5000倍 來觀察所制得的層疊陶瓷電容器的截面，從而評(píng)價(jià)了介電體陶瓷層厚度、內(nèi)部電極層厚度 W及端面電極部的有無。
[0151] (連接部的有無、連接部的主成分、連接部的副成分的組成評(píng)價(jià)）
[0152] 連接部的有無、連接部的主成分和連接部的副成分的評(píng)價(jià)是通過使用附屬于掃描 透射電子顯微鏡的能量色散X射線分光裝置化DS) W50萬倍來觀察所制得的層疊陶瓷電容 器的連接部，進(jìn)行視野的線分析來進(jìn)行評(píng)價(jià)。
[0153] (由端面電極部連結(jié)了 3層W上的內(nèi)部電極層的比例）
[0154] 由端面電極部連結(jié)了 3層W上的內(nèi)部電極層的比例的評(píng)價(jià)是通過使用場發(fā)射掃描 電子顯微鏡(FE-SEM) W5000倍來觀察所制得的層疊陶瓷電容器的截面的10個(gè)視野，評(píng)價(jià)端 面電極部連結(jié)3層W上的內(nèi)部電極的層數(shù)，計(jì)算出相對(duì)于內(nèi)部電極層數(shù)的比例。
[0155] (靜電容量）
[0156] 對(duì)所制得的層疊陶瓷電容器使用LCR測試儀化P公司制造，4284A似化化、1. OVrms 的條件測定靜電容量，求得實(shí)效靜電容量。
[0157] (彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)評(píng)價(jià)）
[0158] 使用焊錫(Sn96.5%-Ag3%-Cu0.5%)將制得的層疊陶瓷電容器安裝于玻璃環(huán)氧 基板之后，使用彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)從忍片型電子部件的安裝部的下側(cè)對(duì)玻璃環(huán)氧基板施加彎 曲應(yīng)力，實(shí)施基板彎曲試驗(yàn)。
[0159] 將關(guān)于實(shí)施例1和比較例1至2的端面電極部的有無、由端面電極部連結(jié)了 3層W上 的內(nèi)部電極層的比例、連接部的有無、連接部的主成分、連接部的副成分、靜電容量、彎曲強(qiáng) 度試驗(yàn)的結(jié)果示于表1中。
[0160] [表 1]
[0161]
[0162] 在實(shí)施例1中，由端面電極部連結(jié)了3層W上的內(nèi)部電極層的比例小，但是觀察到 大量由端面電極部連結(jié)了 2層的內(nèi)部電極層。
[0163] 如表1所示，可知如果如比較例1那樣在無加壓下進(jìn)行燒結(jié)，則因?yàn)橥獠侩姌O與內(nèi) 部電極的接合面積不充分，所W會(huì)發(fā)生容量降低。
[0164] 如表1所示，可知如果如比較例2那樣變更外部電極膏體，則外部電極與內(nèi)部電極 的接合面積變得充分，從而能夠抑制容量發(fā)生降低。但是，在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中可知不能抑制 不良品的產(chǎn)生。薄層多層化后的層疊陶瓷電容器被認(rèn)為不能夠抑制在外部電極與元件主體 之間產(chǎn)生空隙，且在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中在外部電極與元件主體之間發(fā)生了界面剝離。
[0165] 如表1所示，可知本發(fā)明所設(shè)及的實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)體其靜電容量不會(huì)降低。認(rèn)為通 過增加端面電極部與外部電極的接合面積，從而改善了連接不良。另外，可知在彎曲強(qiáng)度試 驗(yàn)中能夠抑制不良品的產(chǎn)生。認(rèn)為其原因在于在端面電極部與介電體陶瓷層端部之間有連 接部，沒有空隙，從而抑制了在外部電極與元件主體之間的界面剝離。
[0166] 將關(guān)于實(shí)施例2至10的端面電極部的有無、由端面電極部連結(jié)了 3層W上的內(nèi)部電 極層的比例、連接部的有無、連接部的主成分、連接部的副成分、靜電容量、彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)的 結(jié)果示于表2中。
[0167] [表 2]
[016 引
[0169]如表2所示，可知本發(fā)明所設(shè)及的實(shí)施例2至實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)體在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中 能夠抑制不良品的產(chǎn)生。認(rèn)為其原因在于通過在連接部中含有作為副成分的化、化、Mn、V的 氧化物從而提高了連接部與端面電極部的接合強(qiáng)度。
[0170] 如表2所示，可知本發(fā)明所設(shè)及的實(shí)施例6至實(shí)施例10的結(jié)構(gòu)體在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中 能夠進(jìn)一步抑制不良品的產(chǎn)生。認(rèn)為其原因在于通過具有3層W上發(fā)生了連結(jié)的端面電極 部從而提高了端面電極部與內(nèi)部電極層的接合強(qiáng)度。
[0171] 圖5是實(shí)施例7的在燒結(jié)外部電極之前觀察到的試樣的截面圖。由圖5看到可知，端 面電極部和介電體陶瓷層端部緊密附著，并具有連接部。另外，因?yàn)轱@示運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)的比例 高，所W抑制了在端面電極部與介電體陶瓷層端部之間產(chǎn)生空隙，并且改善了連接不良。因 此，認(rèn)為在彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)中能夠飛躍性地抑制在外部電極與元件主體之間發(fā)生界面剝離。
[0172] 本發(fā)明并不限定于上述的各個(gè)實(shí)施例，關(guān)于介電體陶瓷材料和內(nèi)部電極材料的組 成、內(nèi)部電極層厚度、介電體陶瓷層厚度、外部電極層厚度、熱處理工序可W在本發(fā)明的范 圍內(nèi)增加各種應(yīng)用。
[0173] 產(chǎn)業(yè)上利用的可能性
[0174] 本發(fā)明可W提供一種小型化高容量化的層疊型陶瓷電子部件即使在介電體陶瓷 層和內(nèi)部電極層被薄層多層化的情況下也能改善連接不良且彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)表現(xiàn)優(yōu)異的可 靠性良好的層疊型陶瓷電子部件。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種層疊型陶瓷電子部件，其特征在于： 所述層疊型陶瓷電子部件具有:多個(gè)介電體陶瓷層與多個(gè)內(nèi)部電極層交替層疊而成的 元件主體和在所述元件主體的內(nèi)部電極層所露出的端面上設(shè)置的外部電極， 露出于所述元件主體的端面的多個(gè)內(nèi)部電極層中的至少一部分具有連結(jié)鄰接的內(nèi)部 電極層的端面電極部，在所述端面電極部與接觸的所述介電體陶瓷層之間具有連接部，以 覆蓋端面電極部的方式設(shè)置外部電極。2. 如權(quán)利要求1所述的層疊型陶瓷電子部件，其特征在于： 所述連接部將所述內(nèi)部電極金屬的氧化物作為主成分。3. 如權(quán)利要求1或者2所述的層疊型陶瓷電子部件，其特征在于： 所述連接部的副成分含有V、Cr、Cu、Mn、Mg、Si、Ti、Ba、Ca、Zr的氧化物中的至少任意一 種。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的層疊型陶瓷電子部件，其特征在于： 所述端面電極部中存在連結(jié)至少3層以上的內(nèi)部電極層的端面電極部，通過端面電極 部連結(jié)3層以上的內(nèi)部電極層的比例為10%以上。
【文檔編號(hào)】H01G4/232GK105826073SQ201610044522
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年1月22日
【發(fā)明人】山口孝, 山口孝一, 石田慶介, 遠(yuǎn)藤誠, 田邊新平
【申請(qǐng)人】Tdk株式會(huì)社