Ffs模式的陣列基板及制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種FFS模式的陣列基板及制作方法，該FFS模式的陣列基板包括玻璃基板，所述柵極設(shè)置于該玻璃基板上；第一絕緣層，其設(shè)置于該玻璃基板以及柵極上；半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述第一絕緣層上，所述半導(dǎo)體層包括溝道區(qū)域以及公共電極區(qū)域，在所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域形成所述溝道半導(dǎo)體層，在所述半導(dǎo)體層的公共電極區(qū)域的半導(dǎo)體摻雜形成公共電極層；第二絕緣層，其沉積于該溝道半導(dǎo)體層、公共電極層以及第一絕緣層上，該第二絕緣層上形成有將該溝道半導(dǎo)體層露出的第一過孔以及第二過孔。本發(fā)明具有縮短工藝流程、減少光罩次數(shù)的有益效果。
【專利說明】
FFS模式的陣列基板及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種FFS模式的陣列基板及制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣驅(qū)動(dòng)的LCD顯示技術(shù)利用了液晶的雙極性偏振特點(diǎn)，通過施加電場(chǎng)控制液晶分子的排列方向，實(shí)現(xiàn)對(duì)背光源光路行進(jìn)方向的開關(guān)控制。根據(jù)對(duì)液晶分子施加電場(chǎng)方向的不同，可以將LCD顯示模式分為TN系列模式，VA系列模式及IPS系列模式。VA系列模式指對(duì)液晶分子施加縱向電場(chǎng)，而IPS系列模式指對(duì)液晶分子施加橫向電場(chǎng)。而在IPS系列模式中，對(duì)于施加橫向電場(chǎng)的不同，又可分為IPS模式和FFS模式等。其中FFS顯不模式的每一個(gè)像素單元含有上下兩層電極，即像素電極和公共電極，且下層的公共電極采用開口區(qū)整面平鋪的方式。FFS顯示模式具有高透過率，廣視角以及較低的色偏等優(yōu)點(diǎn)，是一種廣泛應(yīng)用的IXD顯示技術(shù)。
[0003]為了提高氧化物TFT的穩(wěn)定性，刻蝕阻擋層(ESL)結(jié)構(gòu)的TFT結(jié)構(gòu)被廣泛采用，該結(jié)構(gòu)可以有效降低外界環(huán)境因素與源漏電極的刻蝕損傷對(duì)背溝道的影響。然而，ESL結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)FFS顯示模式陣列基板制造方法需要更多的光罩次數(shù)，增加了工藝的復(fù)雜性以及生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種FFS模式的陣列基板及其制作方法；以解決現(xiàn)有技術(shù)中ESL結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)FFS顯示模式陣列基板制造方法需要更多的光罩次數(shù)，增加了工藝的復(fù)雜性以及生產(chǎn)成本的技術(shù)問題。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟:
[0007]在玻璃基板上形成柵極；
[0008]在玻璃基板以及柵極上依次沉積第一絕緣層以及半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層設(shè)置有溝道區(qū)域、公共電極區(qū)域以及位于公共電極區(qū)域與溝道區(qū)域之間的第三間隔區(qū)域；
[0009]在該半導(dǎo)體層上涂布第二光阻層，將該第二光阻層上與所述第三間隔區(qū)域正對(duì)區(qū)域的光阻去除；
[0010]對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，以在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域形成所述溝道半導(dǎo)體層，在該半導(dǎo)體層的公共電極區(qū)域形成待摻雜半導(dǎo)體層；
[0011]去除待摻雜半導(dǎo)體層上的第二光阻層，并對(duì)該待摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜以形成公共電極層；
[0012]去除該溝道半導(dǎo)體層上的第二光阻層；
[0013]在溝道半導(dǎo)體層、公共電極層以及第一絕緣層上沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上形成將該溝道半導(dǎo)體層露出的第一過孔以及第二過孔。
[0014]在本發(fā)明所述的FFS模式的陣列基板的制作方法中，還包括以下步驟:
[0015]在第二絕緣層上沉積像素電極層，該像素電極層設(shè)置有多個(gè)像素電極區(qū)域，以及位于相鄰兩個(gè)像素電極區(qū)域之間的第一間隔區(qū)域；
[0016]在像素電極層上沉積第一金屬層，該第一金屬層設(shè)置有源極區(qū)域、漏極區(qū)域，以及位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的第二間隔區(qū)域；
[0017]在第一金屬層上涂布第一光阻層，將第一光阻層上與第一間隔區(qū)域和第二間隔區(qū)域正對(duì)區(qū)域的光阻去除；
[0018]對(duì)第一金屬層和像素電極層進(jìn)行刻蝕，以在第一金屬層的源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別形成源極和漏極，在像素電極層的像素電極區(qū)域形成像素電極；
[0019]去除第一光阻層，并除去位于像素電極上的第一金屬層；
[0020]在源極、漏極、像素電極以及第二絕緣層上沉積第三絕緣層。
[0021]在本發(fā)明所述的FFS模式的陣列基板的制作方法中，所述溝道半導(dǎo)體層設(shè)置有兩個(gè)分別與所述第一過孔以及第二過孔對(duì)應(yīng)的摻雜區(qū)域，所述去除該溝道半導(dǎo)體層上的第二光阻層的步驟包括:
[0022]將所述溝道半導(dǎo)體層的兩個(gè)摻雜區(qū)域上的第二光阻層去除，并對(duì)該兩個(gè)摻雜區(qū)域進(jìn)行摻雜，以將該溝道半導(dǎo)體層位于該兩個(gè)摻雜區(qū)域的半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體，然后去除所述溝道半導(dǎo)體層上剩余的第二光阻層。
[0023]在本發(fā)明所述的FFS模式的陣列基板的制作方法中，所述第二絕緣層以及所述第三絕緣層均包括氮化硅和/或二氧化硅。
[0024]在本發(fā)明所述的FFS模式的陣列基板的制作方法中，所述溝道半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物。
[0025]在本發(fā)明所述的FFS模式的陣列基板的制作方法中，所述像素電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，所述像素電極層的厚度為10納米至100納米。
[0026]本發(fā)明還提供了一種FFS模式的陣列基板，包括:
[0027]玻璃基板，所述柵極設(shè)置于該玻璃基板上；
[0028]第一絕緣層，其設(shè)置于該玻璃基板以及柵極上；
[0029]半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述第一絕緣層上，所述半導(dǎo)體層包括溝道區(qū)域以及公共電極區(qū)域，在所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域形成所述溝道半導(dǎo)體層，在所述半導(dǎo)體層的公共電極區(qū)域的半導(dǎo)體摻雜形成公共電極層；
[0030]第二絕緣層，其沉積于該溝道半導(dǎo)體層、公共電極層以及第一絕緣層上，該第二絕緣層上形成有將該溝道半導(dǎo)體層露出的第一過孔以及第二過孔。
[0031 ]在本發(fā)明所述的FFS模式的陣列基板中，還包括:
[0032]像素電極層，其沉積于所述第二絕緣層上，所述像素電極層上設(shè)置有像素電極；
[0033]源極以及漏極，該源極以及漏極設(shè)置于所述像素電極層之上；
[0034]第三絕緣層，其設(shè)置于源極、漏極、像素電極以及第二絕緣層上。
[0035]在本發(fā)明所述的FFS模式的陣列基板中，還包括:
[0036]所述溝道半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物。
[0037]在本發(fā)明所述的FFS模式的陣列基板中，還包括:
[0038]所述像素電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，所述像素電極層的厚度為10納米至100納米。
[0039]本實(shí)施例中，通過將通過將該溝道半導(dǎo)體層以及公共電極層設(shè)置在同一層，可以通過一道光罩形成，并通過在該半導(dǎo)體層的公共電極區(qū)域摻雜形成該公共電極層，具有縮短工藝流程，提高生產(chǎn)效率的有益效果。
【附圖說明】
[0040]圖1為本發(fā)明的FFS模式的陣列基板的一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖2為本發(fā)明的FFS模式的陣列基板的制作方法的一優(yōu)選實(shí)施例中的流程圖；
[0042]圖3A-圖31為本發(fā)明FFS模式的陣列基板的制作方法的一優(yōu)選實(shí)施例中的具體制作示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0044]在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
[0045]請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為本發(fā)明的FFS模式的陣列基板的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本優(yōu)選實(shí)施例的一種FFS模式的陣列基板，包括:玻璃基板11、柵極12、半導(dǎo)體層(圖1中未標(biāo)號(hào))、第一絕緣層14、第二絕緣層20、像素電極層30、源極41、漏極42以及第三絕緣層50。其中，該玻璃基板11、柵極12、半導(dǎo)體層(圖1中未標(biāo)號(hào))以及第一絕緣層14組成基層。
[0046]具體地，該柵極12設(shè)置于該玻璃基板11上。該第一絕緣層14設(shè)置于玻璃基板11以及柵極12上，該半導(dǎo)體層設(shè)置于該第一絕緣層14上。在本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體層設(shè)置有溝道區(qū)域、公共電極區(qū)域以及位于該溝道區(qū)域和公共電極區(qū)域之間的第三間隔區(qū)域(未標(biāo)號(hào))，該溝道區(qū)域形成薄膜晶體管的溝道半導(dǎo)體層13，該溝道半導(dǎo)體層13位于柵極12上方。該公共電極區(qū)域的半導(dǎo)體層通過摻雜形成公共電極層15，該第三間隔區(qū)域的半導(dǎo)體層通過光刻工藝除去。
[0047]該第二絕緣層20設(shè)置于該第一絕緣層14、公共電極層15以及溝道半導(dǎo)體層13之上。該第二絕緣層20上通過光刻形成有將該溝道半導(dǎo)體層13漏出的第一過孔以及第二過孔。該像素電極層30設(shè)置于該第二絕緣層20之上，該像素電極層30設(shè)置有位于薄膜晶體管區(qū)域的接觸部30a以及位于該薄膜晶體管區(qū)域一側(cè)的多個(gè)像素電極，該接觸部30a通過該第一過孔以及第二過孔與溝道半導(dǎo)體層13接觸。該源極41以及漏極42均設(shè)置于該像素電極層30的接觸部30a上，并分別通過接觸部30a與溝道半導(dǎo)體層13接觸。該第三絕緣層50設(shè)置于第二絕緣層20、源極41、漏極42以及像素電極層30之上。
[0048]其中，該半導(dǎo)體層采用銦鎵鋅氧化物，也既是溝道半導(dǎo)體層13采用銦鎵鋅氧化物，當(dāng)然其并不限于此。
[0049]該第一絕緣層14采用氮化硅和/或二氧化硅制成，其主要用于將柵極12與公共電極層15絕緣開。該第一絕緣層14的厚度為100納米至300納米。
[0050]該第二絕緣層20采用氮化硅和/或二氧化硅制成，其主要用于將該像素電極層30和公共電極層15絕緣開。該第二絕緣層20的厚度為50納米至150納米。
[0051]該第三絕緣層50采用氮化硅制成，在本實(shí)施例中其為平坦層，主要用于保護(hù)該像素電極、源極41、漏極42。
[0052]該像素電極層30為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，其厚度為10納米至100納米。
[0053]進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，該溝道半導(dǎo)體層13上還設(shè)置有兩個(gè)分別與第一過孔以及第二過孔對(duì)應(yīng)的摻雜區(qū)域，在該溝道半導(dǎo)體層13的摻雜區(qū)域進(jìn)行摻雜從而將該區(qū)域的半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體，從而具有降低溝道半導(dǎo)體層13的阻抗的作用。
[0054]本實(shí)施例中，通過將源極41和漏極42設(shè)置在像素電極層30之上，從而使得在制作過程中，可以通過一道光罩同時(shí)形成該源極41、漏極42以及像素電極，具有縮短工藝流程，提尚生廣效率的有益效果。
[0055]進(jìn)一步地，通過將該溝道半導(dǎo)體層13以及公共電極層15設(shè)置在同一層，可以通過一道光罩形成，并通過在該半導(dǎo)體層的公共電極區(qū)域摻雜形成該公共電極層15，進(jìn)一步縮短了工藝流程，并提高了生成效率。
[0056]請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中的FFS模式的陣列基板的流程圖，該方法包括以下步驟:
[0057]S301，形成一基層，該基層設(shè)置有柵極以及溝道半導(dǎo)體層；
[0058]S302，在基層上沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上形成將該溝道半導(dǎo)體層露出的第一過孔以及第二過孔；
[0059]S303，在第二絕緣層上沉積像素電極層，該像素電極層設(shè)置有多個(gè)像素電極區(qū)域，以及位于相鄰兩個(gè)像素電極區(qū)域之間的第一間隔區(qū)域；
[0060]S304，在像素電極層上沉積第一金屬層，該第一金屬層設(shè)置有源極區(qū)域、漏極區(qū)域，以及位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的第二間隔區(qū)域；
[0061]S305，在第一金屬層上涂布第一光阻層，將第一光阻層上與第一間隔區(qū)域和第二間隔區(qū)域正對(duì)區(qū)域的光阻去除；
[0062]S306，對(duì)第一金屬層和像素電極層進(jìn)行刻蝕，以在第一金屬層的源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別形成源極和漏極，在像素電極層的像素電極區(qū)域形成像素電極；
[0063]S307，去除第一光阻層，并除去位于像素電極上的第一金屬層；
[0064]S308，在源極、漏極、像素電極以及第二絕緣層上沉積第三絕緣層。
[0065]下面結(jié)合圖3A-圖31對(duì)各個(gè)步驟進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0066]在步驟S301中，其具體包括以下子步驟:
[0067]S31，在玻璃基板上形成柵極；
[0068]S32，在玻璃基板以及柵極上依次沉積第一絕緣層以及半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層設(shè)置有溝道區(qū)域、公共電極區(qū)域以及位于公共電極區(qū)域與溝道區(qū)域之間的第三間隔區(qū)域；
[0069]S33，在該半導(dǎo)體層上涂布第二光阻層，將該第二光阻層上與所述第三間隔區(qū)域正對(duì)區(qū)域的光阻去除；
[0070]S34，對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，以在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域形成所述溝道半導(dǎo)體層，在該半導(dǎo)體層的公共電極區(qū)域形成待摻雜半導(dǎo)體層；
[0071]S35，去除待摻雜半導(dǎo)體層上的第二光阻層，并對(duì)該待摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜以形成公共電極層；
[0072]S36，去除該溝道半導(dǎo)體層上的第二光阻層；
[0073]其中，所述第二絕緣層沉積于該溝道半導(dǎo)體層、公共電極層以及第一絕緣層上。
[0074]在該步驟S31中，該柵極13的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合，其采用物理氣相沉積法沉積形成。轉(zhuǎn)至步驟S32。
[0075]在步驟S32中，該第一絕緣層14采用氮化硅和/或二氧化硅并采用化學(xué)氣相沉積法沉積形成制成，其主要用于將柵極12與公共電極層15絕緣開。該第一絕緣層14的厚度為100納米至300納米。該半導(dǎo)體層1315采用銦鎵鋅氧化物并采用物理氣相沉積法沉積形成。其上分為溝道區(qū)域1A、公共電極區(qū)域IB以及位于公共電極區(qū)域IB與溝道區(qū)域IA之間的第三間隔區(qū)域1C。轉(zhuǎn)至步驟S33。
[0076]在步驟S33中，采用半色調(diào)掩膜工藝或灰色調(diào)掩膜工藝，對(duì)該第二光阻層100進(jìn)行處理，使得將該第二光阻層100上與第三間隔區(qū)域正對(duì)的區(qū)域的光阻去除。轉(zhuǎn)至步驟S34。
[0077]在步驟S34中，對(duì)該半導(dǎo)體層1315進(jìn)行刻蝕時(shí)可以采用干法也可采用濕法。在步驟S35中，對(duì)該待摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜以形成公共電極層15時(shí)，可以采用氫氣或者氦氣進(jìn)行PLASMATREATMENT工藝。轉(zhuǎn)至步驟 S36。
[0078]在步驟S36中，在去除該該溝道半導(dǎo)體層13上的第二光阻層100時(shí)，可以將光阻氧化的方法。轉(zhuǎn)至步驟S302。
[0079]在步驟S302中，在基層的溝道半導(dǎo)體層、公共電極層以及第一絕緣層上沉積第二絕緣層時(shí)，采用氮化硅和/或二氧化硅制成，其主要用于將該像素電極層30和公共電極層15絕緣開。該第二絕緣層20的厚度為50納米至150納米。該第一過孔20a以及過孔20b分別將溝道半導(dǎo)體層13露出。轉(zhuǎn)至步驟S303。
[0080]在步驟S303中，該像素電極層30為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，其厚度為10納米至100納米。在步驟S304中，該第一金屬層40采用物理氣相沉淀形成。轉(zhuǎn)至步驟S305。
[0081]在步驟S305中，采用半色調(diào)掩膜工藝或灰色調(diào)掩膜工藝，對(duì)該第二光阻層進(jìn)行處理將該第二光阻層上與該第三間隔區(qū)域正對(duì)區(qū)域的光阻去除。
[0082]在步驟S306中，對(duì)第一金屬層40和像素電極層30進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用濕法刻蝕，以在第一金屬層40的源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別形成源極41和漏極42，在像素電極層30的像素電極區(qū)域形成像素電極。
[0083]在步驟S307中，去除第一光阻層時(shí)可以采用將其氧化然后去除的方式，去除該像素電極上的第一金屬層40時(shí)，可以采用本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)，不贅述。去除該第一金屬層后，轉(zhuǎn)至步驟S308。
[0084]在步驟S308中，該第三絕緣層50采用氮化硅制成，在本實(shí)施例中其為平坦層，主要用于保護(hù)該像素電極、源極41、漏極42。
[0085]進(jìn)一步地，該溝道半導(dǎo)體層13設(shè)置有兩個(gè)分別與第一過孔20a以及第二過孔20b對(duì)應(yīng)的摻雜區(qū)域，該步驟S36包括:
[0086]將溝道半導(dǎo)體層的兩個(gè)摻雜區(qū)域上的第二光阻層去除，并對(duì)該兩個(gè)摻雜區(qū)域進(jìn)行摻雜，以將該溝道半導(dǎo)體層位于該兩個(gè)摻雜區(qū)域的半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體，然后去除溝道半導(dǎo)體層上剩余的第二光阻層。通過該步驟可以減小溝道半導(dǎo)體層的阻抗。
[0087]本實(shí)施例中，通過將源極41和漏極42設(shè)置在像素電極層30之上，從而使得在制作過程中，可以通過一道光罩同時(shí)形成該源極41、漏極42以及像素電極，具有縮短工藝流程，提尚生廣效率的有益效果。
[0088]進(jìn)一步地，通過將該溝道半導(dǎo)體層13以及公共電極層15設(shè)置在同一層，可以通過一道光罩形成，并通過在該半導(dǎo)體層的公共電極區(qū)域摻雜形成該公共電極層15，進(jìn)一步縮短了工藝流程，并提高了生成效率。
[0089]綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基板上形成柵極； 在玻璃基板以及柵極上依次沉積第一絕緣層以及半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層設(shè)置有溝道區(qū)域、公共電極區(qū)域以及位于公共電極區(qū)域與溝道區(qū)域之間的第三間隔區(qū)域； 在該半導(dǎo)體層上涂布第二光阻層，將該第二光阻層上與所述第三間隔區(qū)域正對(duì)區(qū)域的光阻去除； 對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，以在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域形成所述溝道半導(dǎo)體層，在該半導(dǎo)體層的公共電極區(qū)域形成待摻雜半導(dǎo)體層； 去除待摻雜半導(dǎo)體層上的第二光阻層，并對(duì)該待摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜以形成公共電極層； 去除該溝道半導(dǎo)體層上的第二光阻層； 在溝道半導(dǎo)體層、公共電極層以及第一絕緣層上沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上形成將該溝道半導(dǎo)體層露出的第一過孔以及第二過孔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括以下步驟: 在第二絕緣層上沉積像素電極層，該像素電極層設(shè)置有多個(gè)像素電極區(qū)域，以及位于相鄰兩個(gè)像素電極區(qū)域之間的第一間隔區(qū)域； 在像素電極層上沉積第一金屬層，該第一金屬層設(shè)置有源極區(qū)域、漏極區(qū)域，以及位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的第二間隔區(qū)域； 在第一金屬層上涂布第一光阻層，將第一光阻層上與第一間隔區(qū)域和第二間隔區(qū)域正對(duì)區(qū)域的光阻去除； 對(duì)第一金屬層和像素電極層進(jìn)行刻蝕，以在第一金屬層的源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別形成源極和漏極，在像素電極層的像素電極區(qū)域形成像素電極； 去除第一光阻層，并除去位于像素電極上的第一金屬層； 在源極、漏極、像素電極以及第二絕緣層上沉積第三絕緣層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述溝道半導(dǎo)體層設(shè)置有兩個(gè)分別與所述第一過孔以及第二過孔對(duì)應(yīng)的摻雜區(qū)域，所述去除該溝道半導(dǎo)體層上的第二光阻層的步驟包括: 將所述溝道半導(dǎo)體層的兩個(gè)摻雜區(qū)域上的第二光阻層去除，并對(duì)該兩個(gè)摻雜區(qū)域進(jìn)行摻雜，以將該溝道半導(dǎo)體層位于該兩個(gè)摻雜區(qū)域的半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體，然后去除所述溝道半導(dǎo)體層上剩余的第二光阻層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層以及所述第三絕緣層均包括氮化硅和/或二氧化硅。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述溝道半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS模式的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述像素電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，所述像素電極層的厚度為10納米至100納米。7.一種FFS模式的陣列基板，其特征在于，包括: 玻璃基板，所述柵極設(shè)置于該玻璃基板上； 第一絕緣層，其設(shè)置于該玻璃基板以及柵極上； 半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述第一絕緣層上，所述半導(dǎo)體層包括溝道區(qū)域以及公共電極區(qū)域，在所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域形成所述溝道半導(dǎo)體層，在所述半導(dǎo)體層的公共電極區(qū)域的半導(dǎo)體摻雜形成公共電極層； 第二絕緣層，其沉積于該溝道半導(dǎo)體層、公共電極層以及第一絕緣層上，該第二絕緣層上形成有將該溝道半導(dǎo)體層露出的第一過孔以及第二過孔。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的FFS模式的陣列基板，其特征在于，還包括: 像素電極層，其沉積于所述第二絕緣層上，所述像素電極層上設(shè)置有像素電極； 源極以及漏極，該源極以及漏極設(shè)置于所述像素電極層之上； 第三絕緣層，其設(shè)置于源極、漏極、像素電極以及第二絕緣層上。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的FFS模式的陣列基板，其特征在于，其特征在于，所述溝道半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的FFS模式的陣列基板，其特征在于，其特征在于，所述像素電極層為氧化銦錫透明電極層或氧化銦鋅透明電極層，所述像素電極層的厚度為10納米至100納米。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK105826248SQ201610141051
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年3月11日
【發(fā)明人】葛世民
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司