局部背表面場(chǎng)n型太陽(yáng)能電池及制備方法和組件、系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及制備方法和組件、系統(tǒng)。本發(fā)明的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟：對(duì)N型晶體硅基體的前后表面分別進(jìn)行摻雜，再在硅基體前后表面生長(zhǎng)阻擋層，然后在其背表面印刷耐酸漿料形成副柵狀圖案的掩膜；然后浸入酸性溶液中去除未被掩膜覆蓋區(qū)域的阻擋層；浸入堿性溶液中去除掩膜，并刻蝕其他區(qū)域而保留掩膜下方n+重?fù)诫s區(qū)域；再次浸入酸性溶液中去除硅基體前后表面殘余的阻擋層。其有益效果是：由于背面副柵僅和局部n+重?fù)诫s區(qū)域接觸，所以接觸電阻低；其他區(qū)域?yàn)榉菗诫s區(qū)域，所以俄歇復(fù)合低；通過(guò)設(shè)置金屬絲來(lái)形成正面副柵，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及制備方法和組件、系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及制備方法和組件、系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池是一種能將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。目前，業(yè)界的主流產(chǎn)品為P型晶硅太陽(yáng)能電池。該電池工藝簡(jiǎn)單，但是具有光致衰減效應(yīng)，即電池的效率會(huì)隨著時(shí)間的增加而逐漸衰減，這主要是由于摻入P型硅襯底中的硼原子與襯底中的氧原子相結(jié)合產(chǎn)生硼氧對(duì)的結(jié)果。研究表明，硼氧對(duì)起著載流子陷阱作用，使少數(shù)載流子壽命降低，從而導(dǎo)致了電池光電轉(zhuǎn)換效率的衰減。相對(duì)于P型晶硅電池，N型晶硅電池具有光致衰減小、耐金屬雜質(zhì)污染性能好、少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，并且由于N型晶體硅太陽(yáng)能電池的正負(fù)電極都可以制作成常規(guī)的H型柵線(xiàn)電極結(jié)構(gòu)，因此該電池不僅正面可以吸收光，其背表面也能吸收反射和散射光從而產(chǎn)生額外的電力。
[0003]常見(jiàn)的N型晶體硅太陽(yáng)能電池為p+/n/n+結(jié)構(gòu)，其中電池正表面為ρ+型摻雜，背表面為η+型摻雜。為了降低背面電極和η+摻雜區(qū)域之間的接觸電阻，所以希望η+層為重?fù)诫s。為了提高電池的開(kāi)路電壓和短路電流，我們需要減少重?fù)诫s帶來(lái)高俄歇復(fù)合，這時(shí)又希望η+層為輕摻雜?，F(xiàn)有技術(shù)無(wú)法很好地解決由背表面η+型摻雜層帶來(lái)的填充因子與開(kāi)路電壓短路電流之間的矛盾。另外，正表面的P+摻雜區(qū)域一般采用摻鋁銀漿制作電極，摻鋁銀漿的價(jià)格一般較為昂貴，這導(dǎo)致含銀漿料在電池制造成本中的占比居高不下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及制備方法和組件、系統(tǒng)。本發(fā)明提供的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及其制備方法得到的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池可以較好地解決由背表面η+型摻雜層帶來(lái)的填充因子與開(kāi)路電壓短路電流之間的矛盾。通過(guò)設(shè)置金屬絲來(lái)形成正面副柵，在保證金屬絲副柵線(xiàn)電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
[0005 ]本發(fā)明提供的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其技術(shù)方案是:
[0006]—種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0007](I)、對(duì)N型晶體硅基體進(jìn)行摻雜處理，然后在N型晶體硅基體的正表面和背表面制備阻擋層，背面阻擋層的厚度小于正面阻擋層的厚度；
[0008](2)、在步驟(I)處理后的N型晶體硅基體的背表面印刷耐酸漿料并烘干形成副柵狀圖案的掩膜；
[0009](3)、將步驟(2)處理后的N型晶體硅基體浸入酸性溶液中去除未被掩膜覆蓋區(qū)域的背面阻擋層，但正面的阻擋層要求不被酸性溶液去除，但厚度會(huì)相應(yīng)減薄；
[0010](4)、將步驟(3)處理后的N型晶體硅基體浸入堿性溶液中去除掩膜，堿性溶液同時(shí)去除未被掩膜覆蓋的η+重?fù)诫s區(qū)域，保留被掩膜覆蓋的η+重?fù)诫s區(qū)域，從而形成局部η+重?fù)诫s的背表面；
[0011 ] (5)、再次將N型晶體硅基體浸入酸性溶液中去除正表面和背表面殘余的阻擋層；
[0012](6)、在步驟(5)處理后的N型晶體硅基體的正表面制備鈍化減反膜并在背表面制備鈍化膜，然后在N型晶體硅基體的背表面使用金屬漿料印刷背面電極，背面電極的背面副柵與局部η+重?fù)诫s區(qū)域連接;在N型晶體硅基體的正表面使用金屬絲制備與所述ρ+摻雜區(qū)域歐姆接觸的正面電極，燒結(jié)后完成局部背面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備。
[0013]其中，步驟(6)中，制備正面電極的方法是:將沾附有摻鋁銀漿的金屬絲貼附在N型晶體硅基體的正表面，經(jīng)烘干、燒結(jié)后，金屬絲與ρ+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸。
[0014]其中，步驟(6)中，制備正面電極的方法是:在N型晶體硅基體的正表面使用摻鋁銀漿印刷分段副柵;然后在分段副柵上鋪設(shè)金屬絲，燒結(jié)后的分段副柵、金屬絲和P+摻雜區(qū)域三者之間形成歐姆接觸。
[0015]其中，步驟(6)中，制備正面電極的方法是:在N型晶體硅基體的正表面使用摻鋁銀漿印刷分段副柵，然后進(jìn)行燒結(jié)處理;在燒結(jié)后的N型晶體硅基體的分段副柵上印刷熱敏導(dǎo)電層;然后在熱敏導(dǎo)電層上鋪設(shè)鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲，將鋪設(shè)好鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲的N型晶體硅基體進(jìn)行加熱，使得鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲、熱敏導(dǎo)電層、ρ+摻雜區(qū)域和分段副柵四者之間形成歐姆接觸。
[0016]其中，所述熱敏導(dǎo)電層是錫膏導(dǎo)電層，所述鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲為錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的任一種;所述錫膏含有錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金中的任一種。
[0017]其中，對(duì)N型晶體硅基體進(jìn)行加熱的方式是采用紅外加熱的方式，加熱的回流峰值溫度為183-250攝氏度。
[0018]其中，步驟(I)中對(duì)N型晶體硅基體進(jìn)行摻雜處理的方法包括以下步驟:
[0019]S1、選擇N型晶體硅基體，并對(duì)N型晶體硅基體的前表面作制絨處理;N型晶體硅基體的電阻率為0.5?15Ω.cm；
[0020]S2、將步驟SI處理后的N型晶體硅基體放入工業(yè)用擴(kuò)散爐中對(duì)制絨面進(jìn)行硼擴(kuò)散形成正表面的P+摻雜區(qū)域，硼源采用三溴化硼，擴(kuò)散溫度為900-1000°C，時(shí)間為60-180分鐘;硼擴(kuò)散后的方阻值為40-100 Ω /sqr;
[0021 ] S3、將硼擴(kuò)散后的N型晶體硅基體放入刻蝕清洗機(jī)中，去除背表面的硼擴(kuò)散層和正表面的硼硅玻璃層；
[0022]S4、使用離子注入機(jī)在步驟S3處理后的N型晶體硅基體背表面注入磷并進(jìn)行退火處理形成背表面的η+重?fù)诫s區(qū)域，η+重?fù)诫s區(qū)域的方阻值為10-40 Ω/sqr;退火的峰值溫度為700?950 °C，退火時(shí)間為30?200min，環(huán)境氣源為N2和O2。
[0023]其中，所述阻擋層是S12層或SiNx層，正面阻擋層的厚度為200-300nm，背面阻擋層厚度為50_100nmo
[0024]其中，步驟(2)中副柵狀圖案的掩膜的寬為20-100um，互相平行，間距為l-2mm。
[0025]其中，步驟(3)中的酸性溶液為5-20%的HF溶液中，N型晶體硅基體浸入5_20%HF溶液中的時(shí)間為0.5-5分鐘，取出N型晶體硅基體后用去離子水清洗。
[0026]其中，步驟(4)中的所述堿性溶液是10?30%的KOH溶液、10?30%的NaOH溶液、10?30 %的四甲基氫氧化銨溶液或者10?30 %的乙二胺溶液;堿性溶液的溫度為50-90 °C，N型晶體硅基體浸入堿性溶液中的反應(yīng)時(shí)間為0.5-5分鐘，取出N型晶體硅基體后用去離子水清洗。
[0027]其中，步驟(5)中的酸性溶液是5-20%的HF溶液中，N型晶體硅基體浸入5_20%HF溶液中的時(shí)間為2-5分鐘，取出N型晶體硅基體后用去離子水清洗。
[0028]其中，步驟(6)中，在N型晶體硅基體的背表面制備背面電極的方法是:在N型晶體硅基體的背表面使用銀漿印刷H型柵線(xiàn)的背面電極并進(jìn)行烘干，其中背面主柵寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3-6根，背面副柵寬20-100umo
[0029]本發(fā)明還提供了一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體，所述N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的p+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;所述N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的局部η+重?fù)诫s區(qū)域和背表面鈍化膜;所述N型晶體硅基體還包括設(shè)置在背表面的背面電極，所述背面電極包括背面主柵和背面副柵，所述背面副柵與所述局部η+重?fù)诫s區(qū)域連接，所述正面電極包括與所述ρ+摻雜區(qū)域歐姆接觸的金屬絲。
[0030]其中，所述金屬絲通過(guò)銀招合金材料與所述ρ+摻雜區(qū)域電連接。
[0031]其中，所述正面電極包括分段副柵，所述金屬絲通過(guò)分段副柵與所述ρ+摻雜區(qū)域電連接。
[0032]其中，所述正面電極包括分段副柵和設(shè)置在分段副柵上熱敏導(dǎo)電層，所述分段副柵與所述P+摻雜區(qū)域電連接;所述金屬絲與所述熱敏導(dǎo)電層電連接。
[0033]其中，所述分段副柵是銀鋁合金分段副柵;所述熱敏導(dǎo)電層是錫膏導(dǎo)電層，所述金屬絲是鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲。
[0034]本發(fā)明還提供了一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，所述局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池是上述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池。
[0035]本發(fā)明還提供了一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)以上串聯(lián)的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，所述局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件是上述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件。
[0036]本發(fā)明的實(shí)施包括以下技術(shù)效果:
[0037]本發(fā)明的技術(shù)效果主要體現(xiàn)在:1、本發(fā)明通過(guò)設(shè)置阻擋層、耐酸漿料掩膜、酸液腐蝕和堿液腐蝕等一系列操作處理后，可以在N型晶體硅的背面形成局部η+重?fù)诫s區(qū)域，后續(xù)金屬化時(shí)，副柵金屬漿料僅接觸局部η+重?fù)诫s區(qū)域。由于副柵僅和局部η+重?fù)诫s區(qū)域接觸，所以接觸電阻低、填充因子高；同時(shí)，不和副柵接觸的區(qū)域?yàn)榉菗诫s區(qū)域，所以俄歇復(fù)合低、開(kāi)路電壓高。而采用現(xiàn)有技術(shù)，如果背面的局部η+摻雜摻雜層為重?fù)诫s，雖然接觸電阻低但是開(kāi)路電壓也低；如果背面的η+摻雜區(qū)域?yàn)檩p摻雜，雖然開(kāi)路電壓高但是接觸電阻高填充因子差。由此可見(jiàn)，按照上述方法制備的η型太陽(yáng)能電池可以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的開(kāi)路電壓和填充因子的矛盾，故而具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。2、正表面ρ+摻雜區(qū)域的金屬化舍棄常規(guī)的印刷摻鋁銀漿制作主柵和副柵的方法，通過(guò)設(shè)置金屬絲來(lái)形成副柵，在保證金屬絲副柵線(xiàn)電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
【附圖說(shuō)明】
[0038]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟一后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0039]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟四后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0040]圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟五后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0041]圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟六后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0042]圖5為本發(fā)明實(shí)施例的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟七后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0043]圖6為本發(fā)明實(shí)施例的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟八后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0044]圖7為本發(fā)明實(shí)施例的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟九后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0045]圖8為本發(fā)明實(shí)施例的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0046]圖9為本發(fā)明實(shí)施例的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十一后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0047]圖10為本發(fā)明實(shí)施例1的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二
(a)后的粘附有銀漿的金屬絲示意圖。
[0048]圖11為本發(fā)明實(shí)施例1的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二
(b)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0049]圖12為本發(fā)明實(shí)施例2的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二
(a)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0050]圖13為本發(fā)明實(shí)施例2的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二
(b)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0051]圖14為本發(fā)明實(shí)施例3的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二
(a)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0052]圖15為本發(fā)明實(shí)施例3的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二
(b)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0053]圖16為本發(fā)明實(shí)施例3的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二(C)后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0054]圖17為本發(fā)明實(shí)施例2和實(shí)施例3的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二中非連續(xù)的線(xiàn)條狀分段副柵示意圖。
[0055]圖18為本發(fā)明實(shí)施例2和實(shí)施例3的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二中非連續(xù)的圓點(diǎn)狀分段副柵示意圖。
[0056]圖19為本發(fā)明實(shí)施例2和實(shí)施例3的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十二中錯(cuò)位排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)狀分段副柵示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0057]下面將結(jié)合實(shí)施例以及附圖對(duì)本發(fā)明加以詳細(xì)說(shuō)明，需要指出的是，所描述的實(shí)施例僅旨在便于對(duì)本發(fā)明的理解，而對(duì)其不起任何限定作用。
[0058]實(shí)施例1
[0059]參見(jiàn)圖1至圖11所示，本實(shí)施例提供的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0060 ] (I )、選擇156mm X 156mm的N型晶體硅基體1，并對(duì)N型晶體硅基體1的前表面作制絨處理;N型晶體硅基體10的電阻率為0.5?15Ω ?。111，優(yōu)選1?50.cm;N型晶體硅基體10的厚度為50?300μπι，優(yōu)選80?200μπι;完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。
[0061](2)、將步驟(I)處理后的N型晶體硅基體10放入工業(yè)用擴(kuò)散爐中對(duì)制絨面進(jìn)行硼擴(kuò)散形成正表面的P+摻雜區(qū)域12，硼源采用三溴化硼，擴(kuò)散溫度為900-100(TC，時(shí)間為60-180分鐘。硼擴(kuò)散后的方阻值為40-100 Ω/sqr，優(yōu)選50-70 Ω/sqr。
[0062](3)、將硼擴(kuò)散后的N型晶體硅基體10放入刻蝕清洗機(jī)中，去除背表面的硼擴(kuò)散層和正表面的硼硅玻璃層。
[0063](4)、使用離子注入機(jī)在步驟(3)處理后的N型晶體硅基體10背表面注入磷并進(jìn)行退火處理形成背表面的η+重?fù)诫s區(qū)域16，n+重?fù)诫s區(qū)域16的方阻為10-40 Ω/sqr。退火的峰值溫度為700?950°C，優(yōu)選為850?900°C，退火時(shí)間為30?200min，優(yōu)選為60?200min，環(huán)境氣源優(yōu)選為他和02。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖2所示。
[0064](5)、在步驟(4)處理后的N型晶體硅基體10正表面和背表面上生長(zhǎng)阻擋層。阻擋層可以為S12層或SiNx層，本實(shí)施例采用S12層作為具體的示例。具體方法為，將N型晶體硅基體10放入PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備中，在正表面生長(zhǎng)厚度為200-300nm的S12層13，在背表面生長(zhǎng)厚度為50-100nm的S12層17。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖3所示。
[0065](6)、在步驟(5)處理后的N型晶體硅基體10的背表面印刷耐酸漿料40并烘干形成掩膜。其過(guò)墨后的圖案為副柵線(xiàn)結(jié)構(gòu)，副柵線(xiàn)線(xiàn)寬50-200um，長(zhǎng)154mm，互相平行，間距為1-2mm，優(yōu)選1.55mm，共設(shè)置100根。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖4所示。
[0066](7)、將步驟(6)處理后的N型晶體硅基體1浸入5-20 % HF溶液中，0.5-5分鐘后取出用去離子水清洗干凈。此時(shí)背表面未被掩膜覆蓋區(qū)域的S12被HF去除干凈，而正表面仍有大部分S12沒(méi)有被去除。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖5所示。
[0067 ] (8)、將步驟(7)處理后的N型晶體硅基體1浸入1?30 %重量百分比的堿液中，工作溫度為50-90°C，反應(yīng)0.5-5分鐘取出用去離子水清洗干凈。此時(shí)背表面未被掩膜覆蓋區(qū)域因?yàn)闆](méi)有S12的保護(hù)將和堿液發(fā)生反應(yīng)，這些區(qū)域的η+重?fù)诫s區(qū)域被去除。同時(shí)殘余的掩膜也將被堿液去除干凈。而被掩膜覆蓋的區(qū)域則為局部η+重?fù)诫s區(qū)域161;注意在本步驟中，正表面的P+摻雜區(qū)域12和背表面的副柵狀局部η+重?fù)诫s區(qū)域161由于表面覆蓋有S12膜，并不會(huì)和堿液發(fā)生反應(yīng)。堿液可以為K0H、Na0H、四甲基氫氧化銨或乙二胺溶液。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖6所示。
[0068](9)、將步驟(8)處理后的N型晶體硅基體10浸入5-20%HF溶液中，2-5分鐘后取出用去離子水清洗干凈。此時(shí)正表面和背表面殘余的S12層均被去除干凈。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖7所示。
[0069](10)、在步驟(9)處理后的N型晶體硅基體10的正表面和背表面設(shè)置鈍化減反膜14及鈍化膜18，其中正表面的鈍化減反膜14是Si02、SiNx和Al2O3介質(zhì)膜中一種或多種，背表面的鈍化膜18是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜。正表面鈍化減反膜14的厚度為70?IlOnm;背表面鈍化膜18的厚度為不低于20nm。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖8所示。
[0070](11)、在N型晶體硅基體10的背表面使用銀漿印刷電極并進(jìn)行烘干，其電極圖案為H型柵線(xiàn)，其中背面主柵22線(xiàn)寬0.5-3mm，長(zhǎng)154mm，等間距設(shè)置3-6根，背面副柵28線(xiàn)寬20-1 OOum，長(zhǎng)154mm，互相平行，間距為1.55mm，共設(shè)置100根。務(wù)必使印刷后的背面副柵28落在局部η+重?fù)诫s區(qū)域161內(nèi)。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖9所示。
[0071](12)、完成N型晶體硅基體10正表面的金屬化，其過(guò)程包括如下幾個(gè)步驟:
[0072](a)如圖10所示，將可以與ρ+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的摻鋁銀漿24粘附在金屬絲26的一側(cè)，粘附在金屬絲26上的摻鋁銀漿24可以非連續(xù)地沾附在金屬絲上，亦可以連續(xù)地沾附在金屬絲上；金屬絲26的截面形狀可以為圓形，其直徑為40-80um;金屬絲26的截面形狀亦可以是方形或三角形。金屬絲26可以是銅絲、銀包銅絲或者其他合金絲。
[0073](b)、如圖11所示，將多條沾附有摻鋁銀漿24的金屬絲26等間距平行貼附在N型晶體硅基體1的正表面并烘干，金屬絲26之間的間距為1-3mm ；
[0074](c)、將步驟(b)后的N型晶體硅基體10置于燒結(jié)爐中燒結(jié)，燒結(jié)的峰值溫度不高于900°C。至此，完成局部η+的N型電池的制備。
[0075]實(shí)施例2
[0076]參見(jiàn)圖1至圖9、圖12和圖13及圖17至圖19所示，本實(shí)施例中的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0077]步驟(I)?(11)與實(shí)施例1相同，此處不再贅述。
[0078](12)、完成N型晶體硅基體10正表面的金屬化，其過(guò)程包括如下幾個(gè)步驟:
[0079](a)如圖12所示，使用可以與ρ+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的摻鋁銀漿在N型晶體硅基體10的正表面印刷分段副柵27。分段副柵27的長(zhǎng)度小于或等于電池片的邊長(zhǎng)，本實(shí)施例為154mm，優(yōu)選分段副柵互相平行。分段副柵27可以由非連續(xù)的線(xiàn)條組成，每段線(xiàn)條長(zhǎng)30-300微米，寬30-300微米。本實(shí)施例中，分段副柵27由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，圓點(diǎn)直徑為30-300微米。本實(shí)施例中分段副柵27的圖案形狀可以為非連續(xù)的圓點(diǎn)(如圖18)、非連續(xù)的線(xiàn)條(如圖17)或者錯(cuò)位排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)(如圖19)。
[0080](b)、如圖13所示，在分段副柵27上一一對(duì)應(yīng)地鋪設(shè)金屬絲26形成連續(xù)的副柵線(xiàn)。金屬絲26的截面可以為圓形，其直徑為40-80um;金屬絲26的截面形狀亦可以方形或三角形。金屬絲26可以是銅絲、銀包銅絲或者其他合金絲，長(zhǎng)度為154mm，直徑為40-80微米。鋪設(shè)時(shí)務(wù)必使金屬絲26接觸分段副柵27上的摻鋁銀漿層。
[0081](c)、將步驟(b)后的N型晶體硅基體10置于燒結(jié)爐中燒結(jié)，燒結(jié)的溫度不高于900°C。至此，完成局部η+的N型電池的制備。
[0082]實(shí)施例3
[0083]參見(jiàn)圖1至圖9、圖14至圖16及圖17至圖19所不，本實(shí)施例中的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0084]步驟(I)?(11)與實(shí)施例1相同，此處不再贅述。
[0085](12)、完成N型晶體硅基體10正表面的金屬化，其過(guò)程包括如下幾個(gè)步驟:
[0086](a)如圖14所示，使用可以與ρ+摻雜區(qū)域12形成歐姆接觸的摻鋁銀漿在N型晶體硅基體10的正表面印刷分段副柵27并進(jìn)行燒結(jié)。分段副柵27的長(zhǎng)度小于或等于電池片的邊長(zhǎng)，本實(shí)施例為154mm，優(yōu)選分段副柵互相平行。分段副柵27可以由非連續(xù)的線(xiàn)條組成，每段線(xiàn)條長(zhǎng)30-300微米，寬30-300微米。分段副柵27還也可以由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，圓點(diǎn)直徑30-300微米。燒結(jié)的溫度不高于900°C。本實(shí)施例中分段副柵27的圖案形狀可以為非連續(xù)的圓點(diǎn)(如圖18)、非連續(xù)的線(xiàn)條(如圖17)或者錯(cuò)位排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)(如圖19)。
[0087](b)、如圖15所示，將步驟(a)處理后的N型晶體硅基體10置于印刷機(jī)，使用錫膏印刷錫膏導(dǎo)電層29。錫膏導(dǎo)電層29的過(guò)墨圖案可以為非連續(xù)的線(xiàn)條，每段線(xiàn)條長(zhǎng)40-300微米，寬40-300微米。錫膏導(dǎo)電層29的過(guò)墨圖案還也可以為非連續(xù)的圓點(diǎn)，圓點(diǎn)直徑40-300微米。印刷時(shí)務(wù)必使過(guò)墨后的錫膏導(dǎo)電層29位于分段副柵27上。
[0088](C)、如圖16所示，在錫膏導(dǎo)電層29上一一對(duì)應(yīng)地鋪設(shè)金屬絲26形成連續(xù)的副柵線(xiàn)。金屬絲26的截面可以為圓形，其直徑為40-80um;金屬絲26的截面形狀亦可以方形或三角形。金屬絲26可以是銅絲、銀包銅絲或者其他合金絲，長(zhǎng)度為154mm，直徑為40-80微米。鋪設(shè)時(shí)務(wù)必使金屬絲26接觸錫膏導(dǎo)電層29。
[0089](d)、對(duì)步驟(C)后的N型晶體硅基體10進(jìn)行加熱，使得金屬絲26、錫膏導(dǎo)電層29和分段副柵27三者形成歐姆接觸。加熱方式采用紅外加熱，回流峰值溫度為183-250度。至此，完成局部η+的N型電池的制備。
[0090]本實(shí)施例通過(guò)設(shè)置阻擋層、耐酸漿料掩膜、酸液腐蝕和堿液腐蝕等一系列操作處理后，可以在N型晶體硅的背面形成局部η+重?fù)诫s區(qū)域，后續(xù)金屬化時(shí)，副柵金屬漿料僅接觸局部η+重?fù)诫s區(qū)域。由于副柵僅和局部η+重?fù)诫s區(qū)域接觸，所以接觸電阻低、填充因子高；同時(shí)，不和副柵接觸的區(qū)域?yàn)榉菗诫s區(qū)域，所以俄歇復(fù)合低、開(kāi)路電壓高。而采用現(xiàn)有技術(shù)，如果背面的局部η+摻雜區(qū)域?yàn)橹負(fù)诫s，雖然接觸電阻低但是開(kāi)路電壓也低;如果背面的η+摻雜區(qū)域?yàn)檩p摻雜，雖然開(kāi)路電壓高但是接觸電阻高填充因子差。由此可見(jiàn)，按照上述方法制備的η型太陽(yáng)能電池可以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的開(kāi)路電壓和填充因子的矛盾，故而具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。2、正表面P+摻雜區(qū)域的金屬化舍棄常規(guī)的印刷摻鋁銀漿制作主柵和副柵的方法，通過(guò)設(shè)置金屬絲來(lái)形成副柵，在保證金屬絲副柵線(xiàn)電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
[0091]參見(jiàn)圖9?圖19所示，本實(shí)施例還提供了一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體10，Ν型晶體硅基體10的正表面包括依次從內(nèi)到外的ρ+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14;Ν型晶體硅基體10的背表面包括依次從內(nèi)到外的局部η+重?fù)诫s區(qū)域161和背表面鈍化膜18;Ν型晶體硅基體10還包括設(shè)置在背表面的背面電極，背面電極包括背面主柵22和背面副柵28，背面副柵28與局部η+重?fù)诫s區(qū)域161連接，正面電極包括與ρ+摻雜區(qū)域12歐姆接觸的金屬絲26。上述的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，由于背面副柵僅和局部η+重?fù)诫s區(qū)域161接觸，所以接觸電阻低、填充因子高；同時(shí)，不和背面副柵接觸的區(qū)域?yàn)榉菗诫s區(qū)域，所以俄歇復(fù)合低、開(kāi)路電壓高。而采用現(xiàn)有技術(shù)，如果背面的局部η+摻雜區(qū)域?yàn)橹負(fù)诫s，雖然接觸電阻低但是開(kāi)路電壓也低;如果背面的η+摻雜區(qū)域?yàn)檩p摻雜，雖然開(kāi)路電壓高但是接觸電阻高填充因子差。由此可見(jiàn)，本實(shí)施例的N型太陽(yáng)能電池可以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的開(kāi)路電壓和填充因子的矛盾，故而具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。正表面P+摻雜區(qū)域的金屬化舍棄常規(guī)的印刷摻鋁銀漿制作主柵和副柵的方法，通過(guò)設(shè)置金屬絲來(lái)形成副柵，在保證金屬絲副柵線(xiàn)電阻不增加的情況下，極大的減少電池的銀漿消耗，從而降低電池片的制作成本。
[0092]本實(shí)施例中，金屬絲與P+摻雜區(qū)域的連接方式為金屬絲通過(guò)銀招合金材料與P+摻雜區(qū)域12電連接;或者正面電極包括分段副柵27，金屬絲通過(guò)分段副柵27與ρ+摻雜區(qū)域12電連接;或者正面電極包括分段副柵27和設(shè)置在分段副柵27上熱敏導(dǎo)電層，分段副柵與ρ+摻雜區(qū)域12電連接;金屬絲26與熱敏導(dǎo)電層電連接。分段副柵27是銀鋁合金分段副柵;熱敏導(dǎo)電層是錫膏導(dǎo)電層29，金屬絲是鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲。分段副柵27可以由非連續(xù)的線(xiàn)條組成，每段線(xiàn)條長(zhǎng)30-300微米，寬30-300微米。分段副柵可以是由非連續(xù)的圓點(diǎn)組成，圓點(diǎn)直徑為30-300微米。分段副柵的圖案形狀可以為非連續(xù)的圓點(diǎn)(如圖18)、非連續(xù)的線(xiàn)條(如圖17)或者錯(cuò)位排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)(如圖19)。金屬絲為銅絲、錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的一種。鈍化減反膜14是Si02、SiNx或Al2O3介質(zhì)膜中一種或多種，鈍化膜18是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜;鈍化減反膜14的厚度為70?IlOnm;鈍化膜18的厚度為不低于20nm。背面主柵22是銀背面主柵，背面副柵28是銀背面副柵。
[0093]本實(shí)施例還提供了一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下連接的前層材料、封裝材料、局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池是上述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池。本實(shí)施例的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本發(fā)明提供的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件的改進(jìn)僅涉及上述的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件。
[0094]本實(shí)施例還提供了一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件是上述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件。本實(shí)施例的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本發(fā)明提供的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的改進(jìn)僅涉及上述的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)。
[0095]最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)地說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:包括以下步驟: (1)、對(duì)N型晶體硅基體進(jìn)行摻雜處理，然后在N型晶體硅基體的正表面和背表面制備阻擋層，背面阻擋層的厚度小于正面阻擋層的厚度； (2)、在步驟(I)處理后的N型晶體硅基體的背表面印刷耐酸漿料并烘干形成副柵狀圖案的掩膜； (3)、將步驟(2)處理后的N型晶體硅基體浸入酸性溶液中去除未被掩膜覆蓋區(qū)域的背面阻擋層，但正面的阻擋層要求不被酸性溶液去除，但厚度會(huì)相應(yīng)減??； (4)、將步驟(3)處理后的N型晶體硅基體浸入堿性溶液中去除掩膜，堿性溶液同時(shí)去除未被掩膜覆蓋的η+重?fù)诫s區(qū)域，保留被掩膜覆蓋的η+重?fù)诫s區(qū)域，從而形成局部η+重?fù)诫s的背表面； (5)、再次將N型晶體硅基體浸入酸性溶液中去除正表面和背表面殘余的阻擋層； (6)、在步驟(5)處理后的N型晶體硅基體的正表面制備鈍化減反膜并在背表面制備鈍化膜，然后在N型晶體硅基體的背表面使用金屬漿料印刷背面電極，背面電極的背面副柵與局部η+重?fù)诫s區(qū)域連接;在N型晶體硅基體的正表面使用金屬絲制備與所述ρ+摻雜區(qū)域歐姆接觸的正面電極，燒結(jié)后完成局部背面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:步驟(6)中，制備正面電極的方法是:將沾附有摻鋁銀漿的金屬絲貼附在N型晶體硅基體的正表面，經(jīng)烘干、燒結(jié)后，金屬絲與P+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:步驟(6)中，制備正面電極的方法是:在N型晶體硅基體的正表面使用摻鋁銀漿印刷分段副柵;然后在分段副柵上鋪設(shè)金屬絲，燒結(jié)后的分段副柵、金屬絲和P+摻雜區(qū)域三者之間形成歐姆接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:步驟(6)中，制備正面電極的方法是:在N型晶體硅基體的正表面使用摻鋁銀漿印刷分段副柵，然后進(jìn)行燒結(jié)處理;在燒結(jié)后的N型晶體硅基體的分段副柵上印刷熱敏導(dǎo)電層;然后在熱敏導(dǎo)電層上鋪設(shè)鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲，將鋪設(shè)好鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲的N型晶體硅基體進(jìn)行加熱，使得鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲、熱敏導(dǎo)電層、ρ+摻雜區(qū)域和分段副柵四者之間形成歐姆接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:所述熱敏導(dǎo)電層是錫膏導(dǎo)電層，所述鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲為錫包銅絲、銀包銅絲、錫包鋁絲或錫包鋼絲中的任一種；錫膏含有錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金中的任一種。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:對(duì)N型晶體硅基體進(jìn)行加熱的方式是采用紅外加熱的方式，加熱的回流峰值溫度為183-250攝氏度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:步驟(I)中對(duì)N型晶體硅基體進(jìn)行摻雜處理的方法包括以下步驟: S1、選擇N型晶體娃基體，并對(duì)N型晶體娃基體的如表面作制域處理;N型晶體娃基體的電阻率為0.5?15Ω.cm； 52、將步驟SI處理后的N型晶體硅基體放入工業(yè)用擴(kuò)散爐中對(duì)制絨面進(jìn)行硼擴(kuò)散形成正表面的P+摻雜區(qū)域，硼源采用三溴化硼，擴(kuò)散溫度為900-1000°C，時(shí)間為60-180分鐘；硼擴(kuò)散后的方阻值為40-100 Ω /sqr； 53、將硼擴(kuò)散后的N型晶體硅基體放入刻蝕清洗機(jī)中，去除背表面的硼擴(kuò)散層和正表面的硼硅玻璃層； 54、使用離子注入機(jī)在步驟S3處理后的N型晶體硅基體背表面注入磷并進(jìn)行退火處理形成背表面的η+重?fù)诫s區(qū)域，η+重?fù)诫s區(qū)域的方阻值為10-40 Ω/sqr;退火的峰值溫度為700?950 °C，退火時(shí)間為30?200min，環(huán)境氣源為N2和O2。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:所述阻擋層是S12層或SiNx層，正面阻擋層的厚度為200-300nm，背面阻擋層厚度為50-100nm。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:步驟(2)中副柵狀圖案的掩膜的寬為20-100um，互相平行，間距為l-2mm。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:步驟(3)中的酸性溶液為5-20 %的HF溶液中，N型晶體硅基體浸入5-20 % HF溶液中的時(shí)間為0.5-5分鐘，取出N型晶體硅基體后用去離子水清洗。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:步驟(4)中的所述堿性溶液是1?30 %的KOH溶液、1?30 %的NaOH溶液、10?30%的四甲基氫氧化銨溶液或者10?30%的乙二胺溶液;堿性溶液的溫度為50-90°C，N型晶體硅基體浸入堿性溶液中的反應(yīng)時(shí)間為0.5-5分鐘，取出N型晶體硅基體后用去離子水清洗。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:步驟(5)中的酸性溶液是5-20%的HF溶液中，N型晶體硅基體浸入5-20%HF溶液中的時(shí)間為2-5分鐘，取出N型晶體硅基體后用去離子水清洗。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:步驟(6)中，在N型晶體硅基體的背表面制備背面電極的方法是:在N型晶體硅基體的背表面使用銀漿印刷H型柵線(xiàn)的背面電極并進(jìn)行烘干，其中背面主柵寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3-6根，背面副柵寬20-1 OOum ο14.一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體，所述N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;所述N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的局部η+重?fù)诫s區(qū)域和背表面鈍化膜;其特征在于:所述N型晶體硅基體還包括設(shè)置在背表面的背面電極，所述背面電極包括背面主柵和背面副柵，所述背面副柵與所述局部η+重?fù)诫s區(qū)域連接，所述正面電極包括與所述ρ+摻雜區(qū)域歐姆接觸的金屬絲。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述金屬絲通過(guò)銀鋁合金材料與所述P+摻雜區(qū)域電連接。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述正面電極包括分段副柵，所述金屬絲通過(guò)分段副柵與所述P+摻雜區(qū)域電連接。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述正面電極包括分段副柵和設(shè)置在分段副柵上熱敏導(dǎo)電層，所述分段副柵與所述P+摻雜區(qū)域電連接;所述金屬絲與所述熱敏導(dǎo)電層電連接。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述分段副柵是銀鋁合金分段副柵;所述熱敏導(dǎo)電層是錫膏導(dǎo)電層，所述金屬絲是鍍有熱敏導(dǎo)電材料的金屬絲。19.一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，其特征在于:所述局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池是權(quán)利要求14-18任一所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池。20.—種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)以上串聯(lián)的局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，其特征在于:所述局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件是權(quán)利要求19所述的一種局部背表面場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK105826408SQ201610263462
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年4月26日
【發(fā)明人】林建偉, 劉志鋒, 孫玉海, 季根華, 張育政
【申請(qǐng)人】泰州中來(lái)光電科技有限公司