一種帶金屬圍壩的dpc陶瓷基板制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種帶金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法，包括有以下步驟：（1）制作好陶瓷基板和圍壩；（2）在陶瓷基板上鍍上熔點(diǎn)為240℃?400℃合金材料而形成第一焊接層，并在圍壩的外表面鍍上熔點(diǎn)為240℃?400℃合金材料而形成第二焊接層；（3）在第一焊接層的表面覆蓋一層助焊劑或焊料而形成連接層，將圍壩置于陶瓷基板上，使得第二焊接層疊于連接層的表面，從而形成半成品；（4）將半成品過(guò)回流焊，并在惰性氣體的保護(hù)下，溫度控制在240℃?400℃之間，使得第一焊接層和第二焊接層熔接在一起；（5）取出冷卻即可形成成品。本發(fā)明方法可在240℃?400℃的低溫環(huán)境下進(jìn)行，有效避免了高溫對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)的影響，工藝簡(jiǎn)單，既節(jié)能，又便于批量化生產(chǎn)。
【專利說(shuō)明】
一種帶金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及LED支架領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種帶金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于目前要求氣密性封裝的光器件來(lái)說(shuō)，通常需要在DPC陶瓷基板上設(shè)置有圍壩，利用圍壩所圍構(gòu)形成的空間可填充封裝膠水，從而實(shí)現(xiàn)更好的氣密性?，F(xiàn)有技術(shù)中，通常是采用金屬圍壩并利用焊料直接焊接在鍍銅的DPC陶瓷基板上，這種方式雖然能夠?qū)崿F(xiàn)圍壩與DPC陶瓷基板的焊接連接，然而，由于銅的熔點(diǎn)較高，往往這種封裝需要800°C以上的高溫才能將圍壩焊接在DPC陶瓷基板上，這種高溫對(duì)于DPC陶瓷基板來(lái)說(shuō)是一個(gè)很大的考驗(yàn)，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的品質(zhì)，并且這種高溫的焊接方式既耗能，又不利于量化生產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種帶金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法，其能有效解決現(xiàn)有之采用高溫方式將圍壩焊接在DPC陶瓷基板上容易導(dǎo)致產(chǎn)品品質(zhì)下降并且耗能不利于量化生產(chǎn)的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下之技術(shù)方案:
一種帶金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法，包括有以下步驟:
(1)制作好陶瓷基板和圍壩；
(2)在陶瓷基板上鍍上熔點(diǎn)為240°C-400°C合金材料而形成第一焊接層，并在圍壩的外表面鍍上熔點(diǎn)為240 0C -400 0C合金材料而形成第二焊接層；
(3)在第一焊接層的表面覆蓋一層助焊劑或焊料而形成連接層，將圍壩置于陶瓷基板上，使得第二焊接層疊于連接層的表面，從而形成半成品；
(4)將半成品過(guò)回流焊，并在惰性氣體的保護(hù)下，溫度控制在240°C-400°C之間，使得第一焊接層和第二焊接層熔接在一起；
(5)取出冷卻即可形成成品。
[0005]作為一種優(yōu)選方案，所述陶瓷基板包括有底板、上鍍銅層和下鍍銅層，該上鍍銅層和下鍍銅層分別設(shè)置于底板的上下表面，該底板上設(shè)置有導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔導(dǎo)通連接于上鍍銅層和下鍍銅層之間，前述第一焊接層設(shè)置于上鍍銅層的表面上。
[0006]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，由上述技術(shù)方案可知:
通過(guò)預(yù)先在陶瓷基板和圍壩上鍍上熔點(diǎn)為240°C-400°C合金材料而形成第一焊接層和第二焊接層，并配合將助焊劑或焊料置于第一焊接層和第二焊接層之間，然后過(guò)回流焊，使得第一焊接層和第二焊接層熔接在一起，本發(fā)明方法可在240 °C -400 °C的低溫環(huán)境下進(jìn)行，有效避免了高溫對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)的影響，工藝簡(jiǎn)單，既節(jié)能，又便于批量化生產(chǎn)，本發(fā)明方法可用于金屬管殼、IC、LED等氣密封裝和芯片封裝，有廣闊的應(yīng)用前景，尤其是對(duì)目前發(fā)展看漲的UV LED是一種實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化的有效方法。
[0007]為更清楚地闡述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是本發(fā)明之較佳實(shí)施例完成制作過(guò)程的立體示意圖；
圖2是本發(fā)明之較佳實(shí)施例完成制作過(guò)程的截面圖。
[0009]附圖標(biāo)識(shí)說(shuō)明:
10、陶瓷基板11、底板
12、上鍍銅層13、下鍍銅層
101、導(dǎo)通孔20、圍壩
30、第一焊接層40、第二焊接層
50、連接層。
【具體實(shí)施方式】
[0010]請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖2所示，其顯示出了本發(fā)明之較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，包括有陶瓷基板10和圍壩20。
[0011]該陶瓷基板10上設(shè)置有第一焊接層30，圍壩20的外表面設(shè)置有第二焊接層40，第二焊接層40疊設(shè)于第一焊接層30上，且第一焊接層30與第二焊接層40之間夾設(shè)有連接層50，該連接層50為助焊劑或焊料，
在本實(shí)施例中，所述陶瓷基板10包括有底板11、上鍍銅層12和下鍍銅層13，該上鍍銅層12和下鍍銅層13分別設(shè)置于底板11的上下表面，該底板11上設(shè)置有導(dǎo)通孔101，該導(dǎo)通孔101導(dǎo)通連接于上鍍銅層12和下鍍銅層13之間，前述第一焊接層30設(shè)置于上鍍銅層12的表面上。
[0012]本發(fā)明還揭示一種帶金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法，包括有以下步驟:
(I)制作好陶瓷基板10和圍壩20。
[0013](2)在陶瓷基板10上鍍上熔點(diǎn)為240°C-400°C合金材料而形成第一焊接層30，并在圍壩20的外表面鍍上熔點(diǎn)為240°C-400 °C合金材料而形成第二焊接層40; 240 °C-400 °C合金材料最好米用金錫合金、鎳金合金或鎳鈀金合金等含金合金，金含量為75-90%之間，性能穩(wěn)定，不會(huì)黃化。
[0014](3)在第一焊接層30的表面覆蓋一層助焊劑或焊料而形成連接層50，將圍壩20置于陶瓷基板10上，使得第二焊接層40疊于連接層50的表面，從而形成半成品，焊料為合金材料，其熔點(diǎn)為240°C-400°C。
[0015](4)將半成品過(guò)回流焊，并在惰性氣體的保護(hù)下，溫度控制在240°C-400°C之間，使得第一焊接層30和第二焊接層40熔接在一起；
(5)取出冷卻即可形成成品。
[0016]本發(fā)明的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于:通過(guò)預(yù)先在陶瓷基板和圍壩上鍍上熔點(diǎn)為240°C-40(TC合金材料而形成第一焊接層和第二焊接層，并配合將助焊劑或焊料置于第一焊接層和第二焊接層之間，然后過(guò)回流焊，使得第一焊接層和第二焊接層熔接在一起，本發(fā)明方法可在240°C-40(TC的低溫環(huán)境下進(jìn)行，有效避免了高溫對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)的影響，工藝簡(jiǎn)單，既節(jié)能，又便于批量化生產(chǎn)，本發(fā)明方法可用于金屬管殼、IC、LED等氣密封裝和芯片封裝，有廣闊的應(yīng)用前景，尤其是對(duì)目前發(fā)展看漲的UV LED是一種實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化的有效方法。
[0017]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明的技術(shù)范圍作任何限制，故凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法，其特征在于:包括有以下步驟: (1)制作好陶瓷基板和圍壩； (2)在陶瓷基板上鍍上熔點(diǎn)為240°C-400°C合金材料而形成第一焊接層，并在圍壩的外表面鍍上熔點(diǎn)為240 0C -400 0C合金材料而形成第二焊接層； (3)在第一焊接層的表面覆蓋一層助焊劑或焊料而形成連接層，將圍壩置于陶瓷基板上，使得第二焊接層疊于連接層的表面，從而形成半成品； (4)將半成品過(guò)回流焊，并在惰性氣體的保護(hù)下，溫度控制在240°C-400°C之間，使得第一焊接層和第二焊接層熔接在一起； (5)取出冷卻即可形成成品。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶金屬圍壩的DPC陶瓷基板制備方法，其特征在于:所述陶瓷基板包括有底板、上鍍銅層和下鍍銅層，該上鍍銅層和下鍍銅層分別設(shè)置于底板的上下表面，該底板上設(shè)置有導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔導(dǎo)通連接于上鍍銅層和下鍍銅層之間，前述第一焊接層設(shè)置于上鍍銅層的表面上。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK105826458SQ201610262791
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年4月26日
【發(fā)明人】章軍, 吳朝暉, 康為, 羅素?fù)? 唐莉萍
【申請(qǐng)人】東莞市凱昶德電子科技股份有限公司