光電子器件設(shè)備，用于制造光電子器件設(shè)備的方法和用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的方法
【專利摘要】在不同的實施例中提供一種光電子器件設(shè)備(100)，所述光電子器件設(shè)備(100)具有：第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)(106)，所述光學(xué)有源結(jié)構(gòu)構(gòu)建用于提供電磁輻射；測量結(jié)構(gòu)，所述測量結(jié)構(gòu)構(gòu)建用于確定電磁輻射的光密度分布；其中測量結(jié)構(gòu)構(gòu)建用于確定在第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)(106)中的光密度分布，并且其中測量結(jié)構(gòu)(116)具有多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)(116i)，其中多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)(116i)構(gòu)建為接收所提供的電磁輻射的光電器件(116i)和/或光電子器件(116i)。
【專利說明】
光電子器件設(shè)備，用于制造光電子器件設(shè)備的方法和用于運(yùn) 行光電子器件設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 在不同的實施方式中提供一種光電子器件設(shè)備，一種用于制造光電子器件設(shè)備的 方法和一種用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 基于有機(jī)的光電子器件、例如有機(jī)發(fā)光二極管(0巧anic Ii曲t emitting diode-OLED)越來越多地廣泛應(yīng)用在常規(guī)照明中。
[0003 ] OL抓具有陽極和陰極連同設(shè)置在陽極和陰極之間的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)。有機(jī)功能層 結(jié)構(gòu)能夠具有產(chǎn)生電磁福射的一個或多個發(fā)射體層，分別由用于載流子對生成的兩個或更 多個載流子對生成層（"charge generating laye;r"-CGL)構(gòu)成的一個或多個載流子對生成 層結(jié)構(gòu)，一個或多個空穴注入層，一個或多個電子注入層W及一個或多個電子阻擋層、也稱 作空穴傳輸層（"hole transport layer"，HTL)和一個或多個空穴阻擋層、也稱作電子傳輸 層（"electron transport layerW-El'D，W 便將電流定向。
[0004] OLED的光密度還通過能夠流過二極管的最大電流密度限制。為了提高OL抓的光密 度，已知一個或多個OL邸彼此間串聯(lián)的組合一一所謂的堆疊的/層堆的OL邸或串聯(lián)式0LED。
[0005] 化抓能夠借助于有害的環(huán)境影響和/或有機(jī)組成部分的擴(kuò)散而老化。由此能夠改 變OL抓在運(yùn)行過程中的光電子特性。在OL抓的老化期間例如能夠在OL抓上進(jìn)行逐步的光密 度降低和壓降的增加。換言之:常規(guī)的OL邸的效率在常規(guī)運(yùn)行期間變小，運(yùn)在圖IOa和圖IOb 中示出。
[0006] 在圖IOa中示出測量出的壓降1002和測量出的、歸一化的光密度1006作為常規(guī)的 化抓的歸一化的運(yùn)行時長1004的函數(shù)。光密度1006W未被利用的化抓的光密度來歸一化， 即在0%運(yùn)行時長的情況歸一化。運(yùn)行時長1004W光密度1006下降至原始光密度(0%運(yùn)行 時長）的70%的時間來歸一化。此外，OLED的壽命能夠通過改變在化抓上的壓降、改變發(fā)光 面的均勻度或一致性和/或移動色度坐標(biāo)來限制。
[0007] 在圖IOb中示出常規(guī)的OL抓的發(fā)光場1010、1020、1030。常規(guī)的化抓的（在圖IOa和 1化中示出的）初始均勻的發(fā)光圖像在逐漸老化期間由于在運(yùn)行中的略微的電流和溫度不 均勻度而僅是略微不均勻的。
[000引然而，在制造化抓時能夠?qū)㈩w粒1008封入OL抓的層中。由于所述顆粒封入1008能 夠?qū)崿F(xiàn)化抓在運(yùn)行中的表現(xiàn)為短路(shod)的失效。經(jīng)由封入的顆粒1008幾乎所有的電流 都能夠流出，運(yùn)在圖IOb中在1020中W深色的斑點(diǎn)1008示出。OL邸能夠由此局部地圍繞短路 部強(qiáng)烈地變熱，由此能夠造成組件的折斷（破裂）、烙化和/或進(jìn)一步退化。由此能夠造成 化抓的突然的失效，由此運(yùn)行電壓降至零，運(yùn)在圖IOa和b中在1030中示出。如在圖Ila中在 1020中示出，在壓降1002和光密度1006中不能識別出對產(chǎn)生的短路的明確指示。相反，在發(fā) 光圖像中清楚地圍繞顆粒1008構(gòu)成深色的斑點(diǎn)，所述斑點(diǎn)能夠進(jìn)一步擴(kuò)大并且最后能夠造 成OLED的突然的失效1030。
[0009] 至今為止沒有提供對于克服顆粒封入的充分的措施，所述措施能夠通過自主失效 來限制常規(guī)的OL抓的壽命。然而在OL抓的預(yù)測試，例如用于顆粒尋找(Partikel screening 顆粒篩選)的直接或間接的方法，例如光學(xué)顯微鏡檢查或熱學(xué)測量之后，能夠繼續(xù)存在關(guān)于 顆粒封入的殘余不確定性。
[0010] 此外，在常規(guī)的方法中用簡單的驅(qū)動器電路運(yùn)行化抓，所述驅(qū)動器電路實現(xiàn)特定 的亮度的設(shè)定。所述電路提供用于運(yùn)行OLED所需的電功率而不用考慮改變OLED的光電子特 性。在常規(guī)的方法中，測量化邸的光密度或溫度并且為了反饋將其傳送到驅(qū)動器電路上，W 便補(bǔ)償逐漸的燈老化。在另一常規(guī)的方法中，借助于外部的光電檢測器測量光密度的逐漸 的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 在不同的實施方式中提供一種光電子器件設(shè)備、一種用于制造光電子器件設(shè)備的 方法和一種用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的方法，借助于其可行的是，將光電子器件在顆粒引 起的光電子器件失效之前關(guān)斷和/或?qū)㈩w粒引起的短路的位置定位并且消除所述短路。
[0012] 在本說明書的范圍中，能夠不考慮相應(yīng)的聚集態(tài)將有機(jī)材料理解成W化學(xué)一致的 形式存在的、特征在于特征性的物理和化學(xué)特性的碳化合物。此外，在本說明書的范圍中， 能夠不考慮相應(yīng)的聚集態(tài)將無機(jī)材料理解成W化學(xué)一致的形式存在的、特征在于特征性的 物理和化學(xué)特性的不具有碳的化合物或單碳化合物。在本說明書的范圍中，能夠不考慮相 應(yīng)的聚集態(tài)將有機(jī)-無機(jī)材料(雜化材料)理解成W化學(xué)一致的形式存在的、特征在于特征 性的物理和化學(xué)特性的具有包含碳的化合物部分和不具有碳的化合物部分的化合物。在本 說明書的范圍中，術(shù)語"材料"包括全部上述材料，例如有機(jī)材料、無機(jī)材料和/或雜化材料。 此外，在本說明書的范圍中，能夠如下理解材料混合物:組成部分由兩種或更多種不同材料 構(gòu)成，其組成部分例如非常精細(xì)地分布。將由一種或多種有機(jī)材料、一種或多種無機(jī)材料或 一種或多種雜化材料組成的材料混合物或材料理解成材料類。術(shù)語"物質(zhì)"能夠與術(shù)語"材 料"同義地應(yīng)用。
[OOU]在不同的實施例中，術(shù)語"半透邸'或"半透明居'或"半透明材料"能夠理解為:層 對于光是可穿透的，例如對于由發(fā)光器件所產(chǎn)生的例如一個或多個波長范圍的光是可穿透 的，例如對于可見光的波長范圍中的光是可穿透的（例如至少在38化m至780nm的波長范圍 的子范圍中）。例如，在不同的實施例中，術(shù)語"半透明層"理解為:全部的禪合輸入到結(jié)構(gòu) (例如層）中的光量基本上也從該結(jié)構(gòu)(例如層）中禪合輸出，其中光的一部分在此能夠被散 射。例如能夠借助于載體中的散射中屯、引起光散射，所述散射中屯、例如是空氣封入物、具有 大于IOOnm的直徑d50和至少比載體折射率大或小0.05的折射率的顆粒。
[0014] 在不同的實施例中，術(shù)語"透明"或"透明層"或"透明材料"能夠理解為:層對于光 是可穿透的（例如至少在38化m至78化m的波長范圍的子范圍中），其中禪合輸入到結(jié)構(gòu)（例 如層）中的光基本上在沒有散射或光轉(zhuǎn)換地也從該結(jié)構(gòu)(例如層）中禪合輸出。因此，"透明" 在不同的實施例中能夠視作為"半透明"的特殊情況。
[0015] 在本文的范圍中，光電子器件能夠理解為電子器件的一個實施方案，其中光電子 器件具有光學(xué)有源區(qū)域。光學(xué)有源區(qū)域能夠吸收電磁福射并且由此構(gòu)成光電流或者借助于 施加到光學(xué)有源區(qū)域上的電壓發(fā)射福射。
[0016] 具有兩個面狀的光學(xué)有源側(cè)的面狀的光電子器件能夠在光學(xué)有源側(cè)的連接方向 上例如透明地或半透明地構(gòu)成，例如構(gòu)成為透明的或半透明的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0017] 然而，光學(xué)有源區(qū)域也能夠具有面狀的光學(xué)有源側(cè)和面狀的光學(xué)無源側(cè)，例如構(gòu) 建頂部發(fā)射體或底部發(fā)射體的有機(jī)發(fā)光二極管。光學(xué)無源側(cè)對此還能夠設(shè)有鏡結(jié)構(gòu)和/或 不透明材料或材料混合物，由此能夠?qū)⒐怆娮悠骷墓饴范ㄏ颉?br>[0018] 在不同的設(shè)計方案中，發(fā)射電磁福射的器件能夠是發(fā)射電磁福射的半導(dǎo)體器件 和/或構(gòu)成為發(fā)射電磁福射的二極管，構(gòu)成為發(fā)射電磁福射的有機(jī)二極管，構(gòu)成為發(fā)射電磁 福射的晶體管或構(gòu)成為發(fā)射電磁福射的有機(jī)晶體管。福射例如能夠是(在可見的范圍中的） 光，UV福射和/或紅外福射。在此，發(fā)射電磁福射的器件例如能夠構(gòu)成為發(fā)光二極管（light emitting diode,L抓），構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode，0LED)， 構(gòu)成為發(fā)光晶體管或構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光晶體管。在不同的設(shè)計方案中，發(fā)光器件能夠是集成 電路的一部分。此外，能夠設(shè)有例如安裝在共同的殼體中的多個發(fā)光器件。
[0019] 在本文的范圍中，在不同的設(shè)計方案中，有機(jī)光電子器件能夠構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二 極管（0巧anic Ii曲t emitting diode-化抓），有機(jī)光伏設(shè)備，例如有機(jī)太陽能電池，有機(jī) 光學(xué)傳感器，有機(jī)場效應(yīng)晶體管（organic field effect transistor 0陽T)和/或有機(jī)光 電二極管。有機(jī)場效應(yīng)晶體管能夠是全0FET，其中所有層是有機(jī)的。有機(jī)光電子器件能夠具 有有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)。有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)能夠具有有機(jī)材料或有機(jī)材料混合物或由其形成，所 述有機(jī)材料/有機(jī)材料混合物例如構(gòu)建用于從所提供的電流中提供電磁福射或者用于從所 提供的電磁福射中提供電流。
[0020] 在不同的設(shè)計方案中，接收電磁福射并且由其產(chǎn)生光電流的光電子器件稱作光電 檢測器。在不同的設(shè)計方案中，光電檢測器例如能夠構(gòu)建布線的光電二極管、上覆的光電二 極管（surface mounted device-SMD)或板上忍片光電二極管(Die,裸片）。此外，光電檢測 器能夠構(gòu)成為在作用為光電二極管時不通電的發(fā)光二極管，例如有機(jī)發(fā)光二極管。此外，光 電檢測器能夠構(gòu)成為光電導(dǎo)體，其電導(dǎo)率或其電阻隨著所接收的電磁福射的光通量改變。 光電導(dǎo)體能夠是光電器件并且在本文的范圍中能夠理解為光電子器件的特殊情況。
[0021] 在本文的范圍中，能夠接收電磁福射的半導(dǎo)體忍片理解為光電二極管忍片。
[0022] 在不同的設(shè)計方案中，光電子器件例如能夠具有接收電磁福射的半導(dǎo)體忍片(布 線的光電二極管，SMD光電二極管）或構(gòu)建接收電磁福射的半導(dǎo)體忍片，例如構(gòu)建板上忍片 光電二極管。
[0023] 在不同的設(shè)計方案中，在半導(dǎo)體忍片上或上方能夠施加和/或構(gòu)成有封裝部 (Package)。封裝部例如能夠構(gòu)成為封裝件、光學(xué)透鏡、鏡結(jié)構(gòu)和/或構(gòu)成為轉(zhuǎn)換元件。
[0024] 在不同的設(shè)計方案中，鏡結(jié)構(gòu)能夠具有光柵、金屬鏡或鏡、光子晶體和/或全反射 邊界面或構(gòu)成為上述結(jié)構(gòu)。
[0025] 在不同的設(shè)計方案中，布線的發(fā)光二極管能夠是能夠提供電磁福射的半導(dǎo)體忍 片，例如作為L邸忍片或OLm)忍片。半導(dǎo)體忍片例如能夠用塑料蓋封裝。塑料蓋能夠?qū)m)忍 片或OL邸忍片在制造期間和在運(yùn)行中進(jìn)行保護(hù)免受外部的、有害的影響，例如氧氣和/或水 的影響。
[0026] 在不同的設(shè)計方案中，上覆的發(fā)光二極管（SMD)能夠是在殼體中的L抓忍片。殼體 能夠與襯底實體地連接。
[0027] 在不同的設(shè)計方案中，板上忍片光電二極管能夠具有光電二極管忍片，所述光電 二極管忍片固定在襯底上，其中光電二極管忍片既不能夠具有殼體也不能夠具有接觸焊 盤。各個光電二極管忍片例如能夠施加或構(gòu)成在襯底上，例如印刷電路板上。光電二極管忍 片能夠借助于接觸焊盤與印刷電路板進(jìn)行布線(wire bonding,引線鍵合）。例如能夠借助 于金線進(jìn)行布線。
[0028] 在不同的實施方式中，提供光電子器件設(shè)備，所述光電器件設(shè)備具有:第一光學(xué)有 源結(jié)構(gòu)，所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)構(gòu)建用于提供電磁福射;測量結(jié)構(gòu)，所述測量結(jié)構(gòu)構(gòu)建用于 確定電磁福射的光密度分布;其中測量結(jié)構(gòu)構(gòu)建用于確定在第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)中的光密度 分布，并且其中測量結(jié)構(gòu)具有多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)，其中多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)構(gòu)建為 接收所提供的電磁福射的光電器件和/或光電子器件。
[0029] 在一個設(shè)計方案中，第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成為一個第一光電子器件或構(gòu)成為 多個第一光電子器件或具有一個第一光電子器件或多個第一光電子器件。
[0030] 在一個設(shè)計方案中，第一光電子器件能夠構(gòu)成為有機(jī)光電子器件。
[0031] 在一個設(shè)計方案中，第一光電子器件能夠構(gòu)成為面照明元件。
[0032] 在一個設(shè)計方案中，光電子器件設(shè)備還能夠具有波導(dǎo)體，所述波導(dǎo)體構(gòu)建用于引 導(dǎo)所提供的電磁福射，即例如是波導(dǎo)體。波導(dǎo)體例如能夠由下述材料形成，所述材料使得波 導(dǎo)體對于所提供的電磁福射是半透明的或透明的，并且使得波導(dǎo)體具有用于引導(dǎo)電磁福射 的、進(jìn)行反射的邊界面。
[0033] 在一個設(shè)計方案中，第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)能夠與波導(dǎo)體光學(xué)禪合，使得所提供的電 磁福射至少部分地提供到波導(dǎo)體中。
[0034] 在一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)與波導(dǎo)體光學(xué)禪合，使得將所提供的電磁福射由測 量結(jié)構(gòu)至少部分地從波導(dǎo)體中接收。
[0035] 在一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)構(gòu)成為，使得測量結(jié)構(gòu)具有第一運(yùn)行模式和第二運(yùn) 行模式，其中測量結(jié)構(gòu)在第一運(yùn)行模式中提供從施加到測量結(jié)構(gòu)上的電壓或電流中提供另 外的電磁福射;并且在第二運(yùn)行模式中從由第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)提供的并且由第二光學(xué)有源 結(jié)構(gòu)接收的電磁福射中產(chǎn)生電流或電壓。由此在不同的設(shè)計方案中在第一光電子器件運(yùn)行 中在兩個運(yùn)行模式之間切換，使得第二光電子器件在第一運(yùn)行模式中有助于光電子器件設(shè) 備的發(fā)光面并且在第二運(yùn)行模式中能夠測量至少一個第一光電子器件的光密度。
[0036] 在一個設(shè)計方案中，第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和測量結(jié)構(gòu)能夠分別具有至少一個光學(xué)有 源側(cè)。
[0037] 在一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)能夠具有相同的或不同的第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)。
[0038] 在一個設(shè)計方案中，第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)具有光電導(dǎo)體、發(fā)光二極管，例如有機(jī)發(fā)光 二極管、光電二極管，例如有機(jī)光電二極管或太陽能電池，例如有機(jī)太陽能電池或構(gòu)成為上 述。
[0039] 在一個設(shè)計方案中，光電導(dǎo)體能夠構(gòu)建為第二光電子器件或用于電連接第一光電 子器件的光電子器件，即構(gòu)建第一光電子器件的電流路徑。
[0040] 在一個設(shè)計方案中，至少一個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)具有與第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)基本上 相同的層橫截面。
[0041] 在一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)能夠至少部分地在電磁福射的光路中具有鏡結(jié)構(gòu)， 使得電磁福射轉(zhuǎn)向，所述電磁福射直接射入測量結(jié)構(gòu)中。
[0042] 在一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)除了與波導(dǎo)體的光學(xué)連接之外是光學(xué)絕緣的，例如 由鏡結(jié)構(gòu)包圍。
[0043] 在一個設(shè)計方案中，波導(dǎo)體能夠透明地或半透明地構(gòu)成。
[0044] 在一個設(shè)計方案中，光電子器件設(shè)備還能夠具有在波導(dǎo)體和第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)之 間的和/或在波導(dǎo)體和測量結(jié)構(gòu)之間的光學(xué)禪合結(jié)構(gòu)。禪合結(jié)構(gòu)例如能夠具有處于借助于 禪合結(jié)構(gòu)光學(xué)連接的層的折射率之間的折射率，或具有大約與借助于禪合結(jié)構(gòu)光學(xué)連接的 層的折射率相同的折射率，所述禪合結(jié)構(gòu)例如作為根據(jù)不同的設(shè)計方案的粘結(jié)劑。在一個 設(shè)計方案中，第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和測量結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成在共同的襯底上，其中光學(xué)禪合結(jié)構(gòu) 例如能夠構(gòu)成為粘結(jié)劑層、阻擋薄層、散射層或其他的在波導(dǎo)體和第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和/或 測量結(jié)構(gòu)之間的層。
[0045] 在一個設(shè)計方案中，光電子器件設(shè)備還能夠具有載體，其中第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和 測量結(jié)構(gòu)構(gòu)成在載體上。
[0046] 在一個設(shè)計方案中，載體能夠透明地或半透明地構(gòu)成。
[0047] 在一個設(shè)計方案中，載體能夠構(gòu)建波導(dǎo)體。
[0048] 在一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)能夠至少部分地，例如橫向地、同屯、地和/或W不對 稱的配置的方式包圍第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)，例如在第一光電子器件的光學(xué)有源側(cè)中構(gòu)成。在 一個設(shè)計方案中，多個第二光電子器件例如能夠至少部分地由第一光電子器件的發(fā)光面面 狀地包圍。
[0049] 在一個設(shè)計方案中，至少一個第一光電子器件能夠具有至少一個光學(xué)無源區(qū)域， 其中測量結(jié)構(gòu)至少部分地在光學(xué)無源區(qū)域中構(gòu)成，例如在至少一個第一光電子器件的幾何 邊緣區(qū)域中構(gòu)成。
[0050] 在一個設(shè)計方案中，第二測量結(jié)構(gòu)能夠具有比第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的幾何對稱數(shù)更 多數(shù)量的第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)。
[0051] 在一個設(shè)計方案中，多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的配置能夠具有與第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu) 的幾何對稱數(shù)不同的幾何對稱數(shù)，例如更大的幾何對稱數(shù)。
[0052] 在一個設(shè)計方案中，光電子器件設(shè)備還能夠具有驅(qū)動器電路，其中驅(qū)動器電路與 第一電有源區(qū)域和第二電有源區(qū)域電連接。
[0053] 在一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路構(gòu)建用于控制第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和測量結(jié)構(gòu)，例 如用于在多個第二光電子器件的運(yùn)行模式之間切換和/或用于為至少一個第一光電子器件 通電。
[0054] 在一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠構(gòu)建，使得能單獨(dú)地和/或成組地控制光學(xué)有 源結(jié)構(gòu)。
[0055] 在一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠與能讀取和/或能寫入的存儲器電連接。
[0056] 在一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠構(gòu)建用于為第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)通電。
[0057] 在一個設(shè)計方案中，第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)能夠與測量結(jié)構(gòu)電絕緣。
[0058] 在一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠構(gòu)成為，使得第一光學(xué)有源區(qū)域的運(yùn)行參數(shù) 借助于測量結(jié)構(gòu)的至少一個測量參數(shù)設(shè)定。
[0059] 在不同的實施方式中，提供一種用于制造光電子器件設(shè)備的方法，所述方法具有： 構(gòu)成用于提供電磁福射的第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu);構(gòu)成用于確定電磁福射的光密度分布的測量 結(jié)構(gòu)，其中測量結(jié)構(gòu)構(gòu)成為，使得確定在第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)中的光密度分布，并且其中測量 結(jié)構(gòu)構(gòu)成為具有多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)，其中多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)構(gòu)成為接收所提供的 電磁福射的光電器件和/或光電子器件。
[0060] 在方法的一個設(shè)計方案中，第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成為一個第一光電子器件或 構(gòu)成為多個第一光電子器件或具有一個第一光電子器件或多個第一光電子器件。
[0061] 在方法的一個設(shè)計方案中，第一光電子器件能夠構(gòu)成為有機(jī)光電子器件。
[0062] 在方法的一個設(shè)計方案中，第一光電子器件能夠構(gòu)成為面照明元件。
[0063] 在方法的一個設(shè)計方案中，方法還能夠包括提供波導(dǎo)體，所述波導(dǎo)體構(gòu)建用于引 導(dǎo)所提供的電磁福射。波導(dǎo)體例如能夠是用于第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和測量結(jié)構(gòu)的共同的襯 底，其中襯底構(gòu)建為波導(dǎo)體。
[0064] 在方法的一個設(shè)計方案中，第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)能夠與波導(dǎo)體光學(xué)禪合，使得所提 供的電磁福射至少部分地提供到波導(dǎo)體中。
[0065] 在方法的一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)與波導(dǎo)體光學(xué)禪合，使得將所提供的電磁福 射由測量結(jié)構(gòu)至少部分地從波導(dǎo)體中接收。
[0066] 在方法的一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)構(gòu)成為，使得測量結(jié)構(gòu)具有第一運(yùn)行模式和 第二運(yùn)行模式，其中測量結(jié)構(gòu)在第一運(yùn)行模式中從施加到測量結(jié)構(gòu)上的電壓或電流中提供 另外的電磁福射;并且在第二運(yùn)行模式中從由第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)提供的并且由第二光學(xué)有 源結(jié)構(gòu)接收的電磁福射中產(chǎn)生電流或電壓。
[0067] 在方法的一個設(shè)計方案中，第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和測量結(jié)構(gòu)構(gòu)成為，使得其分別具 有至少一個光學(xué)有源側(cè)。
[0068] 在方法的一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)的構(gòu)成能夠具有相同的或不同的第二光學(xué)有 源結(jié)構(gòu)的構(gòu)成。
[0069] 在方法的一個設(shè)計方案中，至少一個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成為光電導(dǎo)體、發(fā) 光二極管，例如有機(jī)發(fā)光二極管，光電二極管，例如有機(jī)光電二極管或太陽能電池，例如有 機(jī)太陽能電池。
[0070] 在方法的一個設(shè)計方案中，至少一個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成為具有與第一光 學(xué)有源結(jié)構(gòu)基本上相同的層橫截面。
[0071] 在方法的一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)的構(gòu)成能夠具有將鏡結(jié)構(gòu)構(gòu)成在電磁福射的 光路中，使得電磁福射轉(zhuǎn)向，所述電磁福射直接射入到測量結(jié)構(gòu)上。
[0072] 在方法的一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成為，使得測量結(jié)構(gòu)除了到波導(dǎo)體的 光學(xué)連接之外是光學(xué)絕緣的，例如由鏡結(jié)構(gòu)包圍。
[0073] 在方法的一個設(shè)計方案中，波導(dǎo)體能夠透明地或半透明地構(gòu)成。
[0074] 在方法的一個設(shè)計方案中，方法還能夠包括在波導(dǎo)體和第一光學(xué)有源區(qū)域之間 和/或在波導(dǎo)體和測量結(jié)構(gòu)之間構(gòu)成光學(xué)禪合結(jié)構(gòu)。光學(xué)禪合結(jié)構(gòu)例如能夠具有透明的或 半透明的材料或由其形成。禪合結(jié)構(gòu)能夠具有處于光電子器件的折射率和波導(dǎo)體的折射率 之間的折射率。禪合結(jié)構(gòu)例如能夠作為粘結(jié)劑具有浸沒液體或浸沒凝膠。
[0075] 在方法的一個設(shè)計方案中，方法還能夠包括提供載體，其中第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和 測量結(jié)構(gòu)構(gòu)成在載體上。
[0076] 在方法的一個設(shè)計方案中，載體能夠透明地或半透明地構(gòu)成。
[0077] 在方法的一個設(shè)計方案中，載體能夠構(gòu)建波導(dǎo)體。
[0078] 在方法的一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成為，使得測量結(jié)構(gòu)至少部分地，例如 橫向地、同屯、地和/或W不對稱的配置的方式包圍第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)。
[0079] 在方法的一個設(shè)計方案中，至少一個第一光電子器件的構(gòu)成能夠具有至少一個光 學(xué)無源區(qū)域的構(gòu)成，其中測量結(jié)構(gòu)至少部分地在光學(xué)無源區(qū)域中構(gòu)成。
[0080] 在方法的一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成為，使得測量結(jié)構(gòu)具有比第一光學(xué) 有源結(jié)構(gòu)的幾何對稱數(shù)更多數(shù)量的第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)。
[0081] 在方法的一個設(shè)計方案中，測量結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成為，使得多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的 配置具有不同于第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的幾何對稱數(shù)的幾何對稱數(shù)，例如更大的幾何對稱數(shù)。
[0082] 在方法的一個設(shè)計方案中，方法還能夠包括第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和測量結(jié)構(gòu)與驅(qū)動 器電路的連接。
[0083] 在方法的一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠構(gòu)建用于控制第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)和測 量結(jié)構(gòu)。
[0084] 在方法的一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠構(gòu)建為，使得能單獨(dú)地和/或成組地控 制多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)。
[0085] 在方法的一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠與能讀取和/或能寫入的存儲器電連 接。
[0086] 在方法的一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠構(gòu)建用于為第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)通電。
[0087] 在方法的一個設(shè)計方案中，第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成為與測量結(jié)構(gòu)電絕緣。
[0088] 在方法的一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠構(gòu)成為，使得借助于測量結(jié)構(gòu)的至少 一個測量參數(shù)設(shè)定第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的運(yùn)行參數(shù)。
[0089] 在不同的實施方式中，提供用于運(yùn)行上文所描述的光電子器件設(shè)備的方法，所述 方法包括:在第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)為光學(xué)無源的期間，測量測量結(jié)構(gòu)的測量參數(shù);在第一光學(xué) 有源結(jié)構(gòu)為光學(xué)有源的期間，測量測量結(jié)構(gòu)的測量參數(shù);確定測量結(jié)構(gòu)的多個第二光學(xué)有 源結(jié)構(gòu)在光學(xué)有源的第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)中的測量參數(shù)與在光學(xué)無源的第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu) 中的測量參數(shù)的相應(yīng)的差;根據(jù)多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)相互間的測量參數(shù)的差設(shè)定光學(xué)有 源結(jié)構(gòu)的至少一個運(yùn)行參數(shù)。
[0090] 在測量多個第二光電子器件的信號期間，運(yùn)行所述第二光電子器件W接收至少一 個第一光電子器件的電磁福射。
[0091] 在方法的一個設(shè)計方案中，當(dāng)多個第二光電子器件在信號差中具有大于第一觸發(fā) 數(shù)值的差時，至少一個運(yùn)行參數(shù)的設(shè)定能夠?qū)⒃撝辽僖粋€運(yùn)行參數(shù)從第一運(yùn)行參數(shù)組改變 到第二運(yùn)行參數(shù)組。
[0092] 在方法的一個設(shè)計方案中，當(dāng)多個第二光電子器件平均具有小于第二觸發(fā)數(shù)值的 信號差時，至少一個運(yùn)行參數(shù)的設(shè)定能夠包括將該至少一個運(yùn)行參數(shù)從第一運(yùn)行參數(shù)組改 變到第=運(yùn)行參數(shù)組。
[0093] 在方法的一個設(shè)計方案中，運(yùn)行參數(shù)組能夠具有第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的運(yùn)行電流、 運(yùn)行電壓和/或光密度。
[0094] 在方法的一個設(shè)計方案中，第二運(yùn)行參數(shù)組能夠?qū)⒌谝还鈱W(xué)有源結(jié)構(gòu)過調(diào)，使得 提高運(yùn)行電流、運(yùn)行電壓和/或光密度。
[00%]在方法的一個設(shè)計方案中，過調(diào)能夠具有一個或多個電流和/或電壓脈沖。
[0096] 在方法的一個設(shè)計方案中，第=運(yùn)行參數(shù)組能夠光學(xué)無源地接通至少一個光電子 器件。
[0097] 在方法的一個設(shè)計方案中，測量參數(shù)的測量能夠構(gòu)建為測量結(jié)構(gòu)的測量參數(shù)的連 續(xù)的測量、不連續(xù)的測量和/或構(gòu)建為直通(durchschaltend)的測量(復(fù)用Multiplexer!)。
[0098] 在連續(xù)的測量中，測量結(jié)構(gòu)能夠無時間間斷地測量測量參數(shù)。在不連續(xù)的測量中， 能夠周期性地或根據(jù)外部的控制信號進(jìn)行測量參數(shù)的測量。例如能夠脈沖地或時鐘控制地 進(jìn)行周期性的不連續(xù)的測量。在直通的測量中，在具有多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的測量結(jié)構(gòu) 中能夠部分同時地和/或相繼地測量第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的測量參數(shù)。
[0099] 在一個設(shè)計方案中，在具有直通的測量的運(yùn)行模式中，不測量測量參數(shù)的第二光 學(xué)有源結(jié)構(gòu)是光學(xué)無源的或者為了提供電磁福射而運(yùn)行。換言之:能夠關(guān)斷不運(yùn)行用于測 量的第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)或者如第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)那樣運(yùn)行。
[0100] 在一個設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路能夠構(gòu)成為，使得借助于第二電有源區(qū)域的運(yùn)行 參數(shù)設(shè)定第一電有源區(qū)域的運(yùn)行參數(shù)。
[0101] 在方法的一個設(shè)計方案中，能夠可變地設(shè)定第一觸發(fā)數(shù)值和/或第二觸發(fā)數(shù)值。由 此例如能夠借助于第一觸發(fā)數(shù)值和/或第二觸發(fā)數(shù)值的調(diào)整來設(shè)定第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的光 電子特性的老化補(bǔ)償。
[0102] 在方法的一個設(shè)計方案中，在時間參數(shù)的不連續(xù)的測量和/或直通的測量中，即在 第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的測量參數(shù)的各個測量之間的時間間隔構(gòu)建為，使得例如在第一光學(xué)有 源結(jié)構(gòu)的面不同的老化中，能夠防止第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)的光電子特性的錯誤檢測。
【附圖說明】
[0103] 在附圖中示出并且在下文中詳細(xì)闡述本發(fā)明的實施例。
[0104] 附圖示出：
[0105] 圖1示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意圖；
[0106] 圖2a-c示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意圖；
[0107] 圖3a-c示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意圖；
[0108] 圖4a-d示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意圖；
[0109] 圖5a、b示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意橫截面視圖；
[0110] 圖6示出根據(jù)不同的實施例的、用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的方法的示意圖；
[0111] 圖7a-c示出根據(jù)不同的實施例的、用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的方法的示意圖；
[0112] 圖8a、b示出在過調(diào)期間和在過調(diào)之后的光電子器件設(shè)備的實施例；
[0113] 圖9a-d示出根據(jù)不同的實施例的、用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的不同的示圖；W及
[0114] 圖10a、b示出常規(guī)的OL邸的老化的示圖。
【具體實施方式】
[0115] 在下面詳細(xì)的描述中參考附圖，所述附圖形成所述描述的一部分，并且在所述附 圖中示出能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的具體的實施方式W用于說明。在此方面，相關(guān)于所描述的一個 (多個)附圖的定向而使用方向術(shù)語例如"上"、"下"、"前"、"后"、"前部"、"后部"等等。因為 實施方式的組成部分能夠W多個不同的定向來定位，所W方向術(shù)語僅用于說明并且不W任 何方式受到限制。要理解的是，能夠使用其他的實施方式并且能夠進(jìn)行結(jié)構(gòu)上的或邏輯上 的改變，而不偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍。要理解的是，只要沒有特殊地另外說明，就能夠?qū)⒃?此描述的不同的示例性的實施方式的特征互相組合。因此，下面詳細(xì)的描述不能夠理解為 受限制的意義，并且本發(fā)明的保護(hù)范圍通過附上的權(quán)利要求來限定。
[0116] 在本說明書的范圍內(nèi)，術(shù)語"連接"、"聯(lián)接"W及"禪聯(lián)"用于描述直接的和間接的 連接、直接的或間接的聯(lián)接W及直接的或間接的禪聯(lián)。在附圖中，只要是適當(dāng)?shù)?，相同的?相似的元件就設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。
[0117] 圖1示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意圖。
[0118] 示意示出的是具有第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)106、測量結(jié)構(gòu)116和驅(qū)動器電路104的光電 子器件設(shè)備100。
[0119] 測量結(jié)構(gòu)116能夠具有多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)116i，其中i是顯示光學(xué)有源結(jié)構(gòu)并 且具有連續(xù)的字母的索引，例如116曰、116b、116c、……、116z、116aa、……、116zz、116aaa 等。
[0120] 在圖1-10中，在實施例中根據(jù)第一光電子器件106的實例、例如有機(jī)發(fā)光二極管 106說明第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)106進(jìn)而對于常規(guī)的實施方式而言理解為與第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu) 106同義。
[0121] 在圖1-10中，在實施例中根據(jù)具有多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)116i的實例、例如第二 光電子器件116i、例如光電檢測器116i說明測量結(jié)構(gòu)116進(jìn)而對于常規(guī)的實施方式而言理 解為與具有多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)116i的測量結(jié)構(gòu)116同義。第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)116i例如 能夠構(gòu)成為光電導(dǎo)體116i、光電二極管116i、光電晶體管116i和/或光電晶閩管116i。光電 導(dǎo)體例如能夠具有借助于吸收的電磁福射改變至少一種電特性的材料或由其形成。
[0122] 在圖1中示出的示意的實施例中，光電子器件設(shè)備100具有正方形的第一光電子器 件106,例如有機(jī)發(fā)光二極管106和定位在有機(jī)發(fā)光二極管106的角部中的光電檢測器形式 的測量結(jié)構(gòu)116。
[0123] 此外，示出的是將化抓106與驅(qū)動器電路104電連接的電端子108、110和電連接 112、114"0LED 106能夠借助于驅(qū)動器電路104通電并且提供電磁福射。電磁福射，例如光發(fā) 射到光導(dǎo)體中。光導(dǎo)體例如能夠構(gòu)成為玻璃襯底，在玻璃襯底上構(gòu)成OLED 106。
[0124] 測量結(jié)構(gòu)116的光電檢測器116i能夠具有至少一個光學(xué)有源側(cè)并且能夠構(gòu)建用于 從吸收的電磁福射中產(chǎn)生電流。在下文中，由光電檢測器116i產(chǎn)生的電流也能夠稱作光電 流、測量參數(shù)或信號。
[0125] 此外示出的是，測量結(jié)構(gòu)116的光電檢測器116i如何借助于電信號線路118與驅(qū)動 器電路104電連接。光電檢測器116i由此能夠?qū)⑿盘柣峁┑津?qū)動器電路104的輸入端上。 [0 1%] 光電檢測器116i能夠關(guān)于化抓106定位為，使得測量結(jié)構(gòu)116的光電檢測器116i 能夠從由化抓106發(fā)射的光中產(chǎn)生電流。在此，光電檢測器能夠由于在玻璃襯底中引導(dǎo)的 光模式也還檢測W光電檢測器與OLED 106區(qū)域的若干厘米的間距發(fā)射的光。
[0127] 在未老化的化抓106中，光電檢測器116i提供相同的信號(01 = 01、02、03、04)。未 老化的化邸106例如是在制造之后短暫沒有在先運(yùn)行的化抓106(運(yùn)行時長10040 %-- 參見圖10a)。
[012引在OLED 106的區(qū)域中的短路能夠造成在化抓106的光學(xué)有源面中的較深色的區(qū) 域，因為OLED 106在短路周圍的區(qū)域不能夠再發(fā)射光(參見在圖IOb中的1020)。因此，短路 能夠造成光電檢測器116i的信號化的降低，其中短路處于所述光電檢測器的檢測區(qū)域中。 短路能夠緩慢地增大，直至由驅(qū)動器電路104提供給化邸106的電流的大部分流經(jīng)短路。運(yùn) 能夠造成OLED 106的烙化和突然的失效(參見在圖1 Oa、b中的1030)。
[0129] 因此，光電檢測器116i的信號Di的降低提供放大的短路的清晰的指示。對于允許 的測量(短路識別)而言，光電檢測器116i關(guān)于0LED106橫向地分布或配置為，使得所述光電 檢測器在化抓106的發(fā)光面的幾何邊緣上構(gòu)成，例如在光學(xué)無源區(qū)域中構(gòu)成，W至于化抓 106的發(fā)光面積的數(shù)值不被降低。此外，光電檢測器116i能夠關(guān)于化抓106橫向地分布，使 得光電檢測器116i設(shè)置在幾何的點(diǎn)上，在所述點(diǎn)上由于橫向的電流和熱量分布存在類似的 光密度關(guān)系。光電檢測器116i應(yīng)構(gòu)成且設(shè)置為，使得所述光電檢測器不會不利地影響到 OLED 106的電流饋送。
[0130] 有機(jī)發(fā)光二極管106能夠稱作第一光電子器件106,其中在有機(jī)發(fā)光二極管106的 光學(xué)有源側(cè)中/上能夠構(gòu)成用于有機(jī)發(fā)光二極管106的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(參見圖5)的面通電 的電連接。由此，有機(jī)發(fā)光二極管106也能夠理解為多個或大量第一光電子器件106。
[0131] 在本文的范圍中，至少一個第一光電子器件106的光學(xué)有源側(cè)能夠稱作至少一個 第一光電子器件106的發(fā)光面。
[0132] 測量結(jié)構(gòu)116能夠具有多個第二光電子器件116i或多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)116i。 光電檢測器116i及其配置的可行的設(shè)計方案的選擇在圖3至圖5的實施例中示出。
[0133] 圖2a-c示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意圖。
[0134] 示出的是根據(jù)圖1的光電檢測器116i的設(shè)置的設(shè)計方案，例如用于避免在化抓 106的發(fā)光面中的顆粒引起的深色的斑點(diǎn)(短路)的錯誤推斷。
[01巧]圖2a示出化抓106的顆粒引起的深色的斑點(diǎn)202。光電檢測器116曰、116b、116c、 116d中的一些與另一些相比更靠近深色的斑點(diǎn)202。由此，（四個示出的）光電檢測器116a、 1166、116。、116(1示出不同的信號值化化1、02、03、04)。信號化的顯示例如能夠理解為光電流 化的構(gòu)成，其中光電流化施加在、即表現(xiàn)在驅(qū)動器電路104上。
[0136] 從光電子檢測器116曰、1166、116(：、116(1的信號01、02、03、04中能夠得到存在短路 的結(jié)論，例如能夠確定短路的位置。短路例如能夠在其他的方法步驟中借助于激光和/或過 調(diào)來修復(fù)。
[0137] 在短路例如借助于=角測量定位之后，能夠燒去短路。為此，借助于能量輸送來提 高溫度，使得有機(jī)物質(zhì)降解并且變?yōu)殡娊^緣。能量輸送能夠電學(xué)地借助于過調(diào)或光學(xué)地借 助于激光進(jìn)行。
[013引在OLED 106(在圖化中示出）的對稱中屯、中構(gòu)成的深色的斑點(diǎn)202能夠造成，光電 檢測器116a、116b、116c、116d顯不相同的信號Di。然而信號的數(shù)值比在運(yùn)行時長1004為0 % 時更小(參見圖10a)。
[0139] 在不同的設(shè)計方案中，光電檢測器116曰、1166、116。、116(1應(yīng)關(guān)于化抓106定位或 構(gòu)成為，使得在化抓106的發(fā)光面的每個部位上，可能的顆粒202不能夠用作對稱中屯、，例 如不同時用于所有的光電檢測器116a、116b、116c、116d。對此，光電子器件設(shè)備例如能夠具 有更大數(shù)量的第二光電子器件和/或多個第二光電子器件具有與OLED 106的幾何對稱不同 的幾何對稱。在光電子器件設(shè)備的一個設(shè)計方案中，其他的光電檢測器116e例如能夠設(shè)置 為在OL邸的對稱中屯、中的深色區(qū)域202方面的控制檢測器，運(yùn)在圖2c中示出。在所述設(shè)計方 案中，光電子器件設(shè)備具有五個第二光電子器件116并且OLED 106具有四重幾何對稱性。
[0140] 在光電子器件設(shè)備的一個設(shè)計方案中，光電檢測器116i中的一個或多個，例如其 他的光電檢測器116e能夠具有兩個運(yùn)行模式。在一個運(yùn)行模式中（發(fā)射功能)其他的光電檢 測器116e能夠用作發(fā)光二極管116e(參見圖5)。換言之:其他的光電檢測器116e能夠有助于 提高發(fā)光面積。在另一運(yùn)行模式中（檢測器功能)其他的光電檢測器116e提供信號D5。由此， 能夠確定在化邸106的對稱中屯、中的深色的區(qū)域202。在一個設(shè)計方案中，能夠在其他的光 電檢測器116e的第一運(yùn)行模式和第二運(yùn)行模式之間切換，例如動態(tài)地、例如自動化地、例如 借助于驅(qū)動器電路104切換。
[0141] 圖3a-c示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意圖。
[0142] 示出的是根據(jù)圖1至2的描述中的光電子器件設(shè)備的示意圖。
[0143] 在一個設(shè)計方案中，光電子器件設(shè)備能夠與圖l、2a、b的設(shè)計方案相似地具有四個 光電檢測器116曰、1166、116。、116(1，其中光電檢測器116曰、11613、116。、116(1具有第一運(yùn)行模 式和第二運(yùn)行模式，與圖2c的描述中的設(shè)計方案的其他的光電檢測器116e相似。在一個設(shè) 計方案中，能夠借助于在光電檢測器116曰、1166、116〇、116(1的運(yùn)行模式之間的切換可行性 (參見圖2c的描述)實現(xiàn)不同的切換情景。
[0144] 在一個設(shè)計方案中（在圖3a中示出）光電檢測器116曰、1166、116。、116(1能夠切換到 檢測器功能中。
[0145] 在一個設(shè)計方案中（在圖3b中示出），光電檢測器116c能夠切換到檢測器功能中， 而其他的光電檢測器116a、116b、116d切換到發(fā)射器功能中或者是光學(xué)無源的。光學(xué)無源狀 態(tài)能夠理解為檢測器功能的特殊情況，其中不讀取或處理信號。
[0146] 借助于光電檢測器116曰、1166、116〇、116(1的不同的切換可行性能夠提高發(fā)光面積 的數(shù)值并且光電檢測器116曰、1166、116〇、116(1相互用作控制檢測器。
[0147] 控制檢測例如能夠通過如下方式切換到檢測器功能中，即將不是光電檢測器116c 的其他光電檢測器(示出：在圖3c中的光電檢測器116d)，而其他的光電檢測器116a、116b、 116c切換到發(fā)射體功能中。
[0148] 此外，能夠借助于多個光電檢測器116i的運(yùn)行模式的直通防止光電子器件設(shè)備的 發(fā)光面的閃爍。
[0149] 圖4a-d示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意圖。
[0150] 在圖4a-d中示出的是，根據(jù)圖1至3的描述中的光電子器件設(shè)備的不同的幾何實施 例。
[0151] 在一個設(shè)計方案中，OLED 106能夠具有圓形的光學(xué)有源側(cè)(發(fā)光面）（在圖4a中示 出）。光電檢測器116i和電端子108、110能夠包圍OLm)的光學(xué)有源側(cè)。在不同的設(shè)計方案中， 電端子108、110能夠是光學(xué)無源的。在不同的設(shè)計方案中，光電檢測器116能夠在兩個電端 子108、110之間構(gòu)成。
[0152] 在不同的設(shè)計方案中，OLED 106能夠具有正方形的形狀(在圖4b中示出）、矩形的 形狀(在圖4c中示出）、圓的形狀、四邊形的形狀或幾何的混合形狀，例如可縮放的形狀。
[0153] 在不同的設(shè)計方案中，光電檢測器116i的至少一部分能夠在OLED 106的光學(xué)無源 區(qū)域中構(gòu)成，例如在電端子108、110的區(qū)域中構(gòu)成或構(gòu)成為電端子108、110的部分。在不同 的設(shè)計方案中，光電檢測器116i的一部分能夠具有作為用于發(fā)射的Lm)的運(yùn)行模式和用于 檢測化抓106的光密度的運(yùn)行模式。在不同的設(shè)計方案中，光電檢測器116i的至少一部分 能夠構(gòu)成為電端子108、110的區(qū)域，例如構(gòu)成為光電導(dǎo)體116或由各2個電端子108、110包 圍，其中兩個電端子108、110能夠具有相同的或不同的極性(在圖4d中示出）。
[0154] 換言之:集成在光電子器件設(shè)備中的光電檢測器116i能夠設(shè)置、構(gòu)成在選擇的測 量點(diǎn)上和/或校準(zhǔn)到一定值上，使得所述光電檢測器在OLED 106不老化時測量類似的信號， 即產(chǎn)生相似的光電流化，并且在發(fā)光面的盡可能大的區(qū)域中檢測OLED 106的光密度。
[0155] 圖5a、b示出根據(jù)不同的實施例的光電子器件設(shè)備的示意橫截面視圖。
[0156] 示出的是根據(jù)圖1至4的描述中的光電子器件設(shè)備的示意橫截面視圖。
[0157] 在不同的實施例中，光電子器件設(shè)備能夠具有第一光電子器件106和第二光電子 器件116。第一光電子器件106能夠構(gòu)建用于提供電磁福射并且第二光電子器件116能夠構(gòu) 建用于接收和/或提供電磁福射。
[0158] 在一個實施例中，第一光電子器件106能夠構(gòu)成為例如呈有機(jī)發(fā)光二極管106形式 的發(fā)光器件106。在一個實施例中，第二光電子器件116能夠構(gòu)成為吸收光的器件116,例如 呈光電檢測器116、光電二極管116、太陽能電池116、光電導(dǎo)體或不通電的發(fā)光二極管116的 形式。
[0159] 在第二光電子器件116構(gòu)成為不通電的發(fā)光二極管的一個實施例中，光電檢測器 116能夠具有與第一光電子器件106基本上相同的層橫截面，然而與所述第一光電子電絕緣 的并且附加地除了與載體502的光學(xué)連接W外與載體502光學(xué)絕緣。
[0160] 在不同的實施例中，第一光電子器件106和第二光電子器件116在共同的載體502 上或上方構(gòu)成。
[0161 ]在一個實施例中，載體502能夠構(gòu)成為第一光電子器件106的和第二光電子器件 116的電磁福射的波導(dǎo)體，例如關(guān)于第一光電子器件106的和第二光電子器件116的所提供 的電磁福射是透明的或半透明的。
[0162] 在不同的實施例中，第一光電子器件106和第二光電子器件116能夠具有光學(xué)有源 區(qū)域506。
[0163] 在不同的實施例中，有機(jī)發(fā)光二極管106(或根據(jù)在上文或在下文中描述的實施例 的發(fā)光器件)能夠構(gòu)建為所謂的頂部和底部發(fā)射體。頂部和/或底部發(fā)射體也能夠稱作光學(xué) 透明的或半透明的器件，例如透明的或半透明的有機(jī)發(fā)光二極管106。
[0164] 在OLED 106的范圍中還示出：構(gòu)成在載體502上或上方的第一電極510。在第一電 極510上或上方示出有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512。在有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512上或上方示出第二電極 514。第二電極514借助于電絕緣部504與第一電極510電絕緣。第二電極514能夠與電端子 108、110實體連接并且電連接。在不同的設(shè)計方案中，電端子108、110也能夠稱作接觸路徑 108、110。
[0165] 第一電極510能夠與電連接層522實體連接并且電連接。電連接層522能夠在化抓 106的光學(xué)有源區(qū)域506的幾何的邊緣區(qū)域中構(gòu)成在載體50 2的上或上方，例如側(cè)向地構(gòu)成 在第一電極510旁。電連接層522借助于其他的電絕緣部504與第二電極514電絕緣。電連接 層522能夠?qū)⒌谝浑姌O510的電連接移動到光電子器件設(shè)備的幾何的邊緣區(qū)域中（未示出）。
[0166] 在第二電極514上或上方能夠設(shè)置有阻擋薄層508,使得第二電極514、電絕緣部 504和有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512由阻擋薄層508包圍，封入在阻擋薄層508與載體502的連接中。
[0167] "阻擋薄層"108或"阻擋薄膜"108能夠在本文的范圍中例如理解為層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，所 述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)適合于形成相對于化學(xué)污染或大氣材料，尤其相對于水(濕氣）和氧氣的阻 擋。換言之，阻擋薄層108構(gòu)成為，使得其不能由損害化抓的材料，如水、氧氣或溶劑穿過或 最多僅非常少量的上述物質(zhì)穿過。
[0168] 在阻擋薄層508上或上方能夠設(shè)置有粘結(jié)劑層524,使得粘結(jié)劑層524將阻擋薄層 508面狀地并且關(guān)于有害的環(huán)境影響氣密地密封。在粘結(jié)劑層524上或上方設(shè)置有覆蓋部 526。覆蓋部526例如能夠借助于粘結(jié)劑524粘結(jié)到、例如層壓到阻擋薄層508上。覆蓋部526 例如能夠構(gòu)成為玻璃覆蓋部、金屬覆蓋部和/或塑料覆蓋部。覆蓋部526例如能夠被結(jié)構(gòu)化， 例如結(jié)構(gòu)化為腔玻璃。
[0169] 阻擋薄層508和/或覆蓋部526能夠構(gòu)成為，使得封住的層是關(guān)于有害的環(huán)境影響， 例如關(guān)于水和/或氧氣氣密地密封的。
[0170] 大約在載體502上或上方的具有有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512的光電子器件500的區(qū)域能夠 稱作光學(xué)有源區(qū)域506。大約在載體502上或上方的不具有有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)506的光電子器 件500的區(qū)域能夠稱作光學(xué)無源區(qū)域。光學(xué)無源區(qū)域例如能夠面狀地設(shè)置在光學(xué)有源區(qū)域 512旁邊。光學(xué)無源區(qū)域例如能夠具有接觸墊108、110或絕緣器層W電接觸有機(jī)功能層結(jié)構(gòu) 512。換言之:在幾何的邊緣區(qū)域中，光電子器件106能夠構(gòu)成為，使得接觸墊108、110構(gòu)成為 用于電接觸光電子器件106,例如通過將導(dǎo)電層，例如電連接層522、電極510、514等在接觸 墊108、110的區(qū)域中至少部分地露出的方式構(gòu)成。
[0171 ]在不同的實施例中，在載體502上或上方可選地能夠設(shè)置有阻擋層530，例如設(shè)置 在有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512的側(cè)上和/或設(shè)置在背離有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512的側(cè)上(示出）。
[0172] 在不同的實施例中，能夠在阻擋層530上或上方設(shè)有其他的覆蓋部(未示出）和/或 阻擋層530構(gòu)成為其他的覆蓋部，例如構(gòu)成為腔玻璃封裝部。
[0173] 在載體502上或上方能夠設(shè)置有發(fā)光器件106的電有源區(qū)域的一部分。電有源區(qū)域 能夠理解為發(fā)光器件106的如下區(qū)域，在所述區(qū)域中用于運(yùn)行發(fā)光器件106的電流流過。在 不同的實施例中，電有源區(qū)域能夠具有第一電極510、第二電極514和有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512， 如其在下文中再詳細(xì)闡述。
[0174] 載體502例如能夠用作用于電子元件或?qū)拥模绨l(fā)光元件的載體元件。例如，載 體502能夠具有玻璃、石英，和/或半導(dǎo)體材料或任意其他適合的材料或由其形成。此外，載 體502能夠具有塑料薄膜或具有一個或具有多個塑料薄膜的疊層或由其形成。塑料能夠具 有一種或多種聚締控(例如具有高密度或低密度的聚乙締(PE)或聚丙締(PP))或由其形成。 此外，塑料能夠具有聚氯乙締(PVC)、聚苯乙締(PS)、聚醋和/或聚碳酸醋(PC)、聚對苯二甲 酸乙二醇醋(PET)、聚酸諷(PES)和/或聚糞二甲酸乙二醇醋(PEN)或由其形成。載體502能夠 具有一種或多種上文所述的材料。
[0175] 載體502能夠具有金屬或者由金屬形成，例如銅、銀、金、銷、鐵，例如金屬化合物， 例如鋼。
[0176] 具有金屬或金屬化合物的載體502也能夠構(gòu)成為金屬薄膜或金屬覆層的薄膜。
[0177] 載體502能夠半透明地或甚至透明地構(gòu)成。在具有金屬的載體502中，金屬例如能 夠構(gòu)成為薄層，透明的或半透明的層和/或金屬是鏡結(jié)構(gòu)的一部分。
[0178] 載體502能夠具有機(jī)械剛性的區(qū)域和/或機(jī)械柔性的區(qū)域或者運(yùn)樣構(gòu)成為運(yùn)種區(qū) 域。具有機(jī)械剛性的區(qū)域和機(jī)械柔性的區(qū)域的載體502例如能夠被結(jié)構(gòu)化，例如通過使剛性 的區(qū)域和柔性的區(qū)域具有不同厚度的方式來結(jié)構(gòu)化。
[0179] 機(jī)械柔性的載體502或機(jī)械柔性的區(qū)域例如能夠構(gòu)成為薄膜，例如塑料薄膜、金屬 薄膜或薄的玻璃。
[0180] 阻擋層530能夠具有下述材料中的一種或多種或由其構(gòu)成:氧化侶、氧化鋒、氧化 錯、氧化鐵、氧化給、氧化粗、氧化銅、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銅錫氧化物、銅鋒氧化物、 侶滲雜的氧化鋒、聚對苯二甲酯對苯二胺、尼龍66及其混合物和合金。在不同的設(shè)計方案 中，阻擋層能夠借助于原子層沉積方法(atomic layer deposition--ALD)和/或分子層 沉積方法(molecular layer d邱osition--MLD)來構(gòu)成。在不同的設(shè)計方案中，阻擋層能 夠具有兩個或更多個相同的和/或不同的覆層或?qū)?，例如彼此并排的?或彼此疊加的層或 覆層，例如結(jié)構(gòu)化為例如阻擋層結(jié)構(gòu)或阻擋層堆。此外，在不同的實施例中，阻擋層能夠具 有在大約0.1 nm(-個原子層）至大約SOOOnm的范圍中的層厚度，例如在大約IOnm至大約 200nm的范圍中的層厚度、例如大約40nm的層厚度。
[0181] 在不同的實施例中，能夠在阻擋層530上或上方(或者，當(dāng)不存在阻擋層時(示出）， 在載體502上或上方)施加第一電極510(例如呈第一電極層510的形式）。第一電極510(在下 文中也稱作下部電極510)能夠由導(dǎo)電材料形成或是導(dǎo)電材料，例如由金屬或透明導(dǎo)電氧化 物（transparent conductive oxide,TC0)或者相同的金屬或不同的金屬和/或相同的TCO 或不同的TCO的多個層的層堆形成。透明導(dǎo)電氧化物是透明的導(dǎo)電的材料，例如金屬氧化 物，例如氧化鋒、氧化錫、氧化儒、氧化鐵、氧化銅或銅錫氧化物(IT0)。除了二元的金屬氧化 物、例如ZnO、Sn〇2或 Iri2〇3 W 外，S元的金屬氧化物、例如Al ZnO、ZmSnCk、CdSn〇3、ZnSn〇3、 MgIn2〇4、GaIn〇3、Zn2ln2〇日或IruSmOu或不同的透明的導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO族并 且能夠使用在不同的實施例中。此外，TCO不強(qiáng)制性對應(yīng)于化學(xué)計量的成分并且還能夠是P 型滲雜的或n型滲雜的。
[0182] 在不同的實施例中，第一電極510能夠具有金屬;例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Cr、 Mo、化、Sm或Li W及運(yùn)些材料的化合物、組合物或合金。
[0183] 在不同的實施例中，第一電極510能夠由金屬的層在TCO的層上的，或者顛倒的組 合的層堆形成。一個實例是，在銅錫氧化物層（ITO)上施加的銀層(在口 0上的Ag)或口 O-Ag-ITO多層。
[0184] 在不同的實施例中，第一電極510能夠?qū)τ谏鲜龅牟牧咸孢x或附加地具有一種或 多種下述材料：由例如由Ag構(gòu)成的金屬的納米線和納米微粒構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；由碳納米管構(gòu)成 的網(wǎng)絡(luò);石墨締微粒和層；由半導(dǎo)體納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。
[0185] 此外，第一電極510能夠具有導(dǎo)電聚合物或過渡金屬氧化物或透明導(dǎo)電氧化物。
[0186] 在不同的實施例中，第一電極510和載體502能夠半透明地或透明地構(gòu)成。在第一 電極510具有金屬或由金屬形成的情況下，第一電極510例如能夠具有小于或等于大約25nm 的層厚度，例如小于或等于大約20nm的層厚度，例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外， 第一電極510例如能夠具有大于或等于大約IOnm的層厚度，例如大于或等于大約15nm的層 厚度。在不同的實施例中，第一電極510能夠具有在大約IOnm至大約25nm的范圍中的層厚 度，例如在大約IOnm至大約1加 m的范圍中的層厚度，例如在大約15nm至1 Snm的范圍中的層 厚度。
[0187]此外，對于第一電極510具有透明導(dǎo)電氧化物(TCO)或由其形成的情況，第一電極 510例如能夠具有在大約50nm至大約500nm的范圍中的層厚度，例如在大約75nm至大約 250nm的范圍中的層厚度，例如在大約IOOnm至大約150nm的范圍中的層厚度。
[018引此外，對于第一電極510由能夠與導(dǎo)電聚合物組合的、例如由Ag構(gòu)成的金屬的納米 線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò);能夠與導(dǎo)電聚合物組合的、由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò);或者由石墨締層和組合 物形成的情況，第一電極510例如能夠具有在大約Inm至大約500nm的范圍中的層厚度，例如 在大約IOnm至大約400nm的范圍中的層厚度，例如在大約40nm至大約250nm的范圍中的層厚 度。
[0189] 第一電極510能夠構(gòu)成為陽極，即構(gòu)成為空穴注入的電極或構(gòu)成為陰極，即構(gòu)成為 電子注入的電極。
[0190] 第一電極510能夠具有第一電接觸墊108、110,在所述電接觸墊上能夠施加第一電 勢（由能量源(未示出），例如電流源或電壓源提供）。替選地，第一電勢能夠施加到載體502 上或者是施加在載體502刪的，并且在其上然后間接地施加到第一電極510上或是施加到第 一電極510上的。第一電勢例如能夠是接地電勢或其他預(yù)設(shè)的參考電勢。
[0191] 有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512能夠具有一個或多個發(fā)射體層(未示出），例如具有發(fā)巧光的 和/或發(fā)憐光的發(fā)射體，W及一個或多個空穴傳導(dǎo)層(也稱作空穴傳輸層）（未示出）。替選地 或附加地，在不同的實施例中，能夠設(shè)有一個或多個電子傳導(dǎo)層(也稱作電子傳輸層）。
[0192] 在根據(jù)不同的實施例的發(fā)光器件106中能夠用于發(fā)射體層的發(fā)射體材料的實例包 括:有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，如聚巧、聚嚷吩和聚亞苯基的衍生物（例如2-或2,5-取代 的聚-對-亞苯基乙締撐）；W及金屬絡(luò)合物，例如銀絡(luò)合物，如發(fā)藍(lán)色憐光的FbPic(雙(3， 5-二氣-2-(2-化晚基）苯基-(2-簇基化晚基)-銀III)、發(fā)綠色憐光的Ir(ppy)3(S(2-苯基 化晚)銀III)、發(fā)紅色憐光的Ru(化6-697)3*2。。6))(立[4,4'-二-叔-下基-(2,2'）-聯(lián)化晚] 釘（III)絡(luò)合物）、W及發(fā)藍(lán)色巧光的DPAVBi(4,4-雙[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙締基]聯(lián) 苯）、發(fā)綠色巧光的TTPA(9，10-雙陽，N-二-(對-甲苯基)-氨基]蔥）和發(fā)紅色巧光的DCM2(4-二氯基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-締基-4H-化喃）作為非聚合物發(fā)射體。運(yùn)種非聚 合物發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍛來沉積。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體，所述聚合物發(fā)射 體尤其能夠借助于濕法化學(xué)法、例如旋涂法(也稱作Spin Coating)來沉積。
[0193] 發(fā)射體材料能夠W適當(dāng)?shù)姆绞角度牖w材料。
[0194] 要指出的是，在其他的實施例中同樣設(shè)有其他適合的發(fā)射體材料。
[01%]發(fā)光器件106的發(fā)射體層的發(fā)射體材料例如能夠選擇為，使得發(fā)光器件106發(fā)射白 光。發(fā)射體層能夠具有多種發(fā)射不同顏色(例如藍(lán)色和黃色或藍(lán)色、綠色和紅色）的發(fā)射體 材料，替選地發(fā)射體層也能夠由多個子層構(gòu)成，如發(fā)藍(lán)色巧光的發(fā)射體層或發(fā)藍(lán)色憐光的 發(fā)射體層，發(fā)綠色憐光的發(fā)射體層和發(fā)紅色憐光的發(fā)射體層。通過混合不同顏色，能夠得出 具有白色的色覺的光發(fā)射。替選地也能夠提出，在通過所述層產(chǎn)生的初級福射的光路中設(shè) 置有轉(zhuǎn)換材料，使得至少部分地吸收初級福射并且發(fā)射不同波長的次級福射，使得由（還不 是白色的)初級福射通過初級福射與次級福射的組合得出白色的色覺。
[0196] 有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512通常能夠具有一個或多個電致發(fā)光層。一個或多個電致發(fā)光 層能夠具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的非聚合物的小的分子（"small molecules")或運(yùn)些材料的組合。例如，有機(jī)功能層512能夠具有一個或多個電致發(fā)光層，所 述電致發(fā)光層構(gòu)成為空穴傳輸層，使得例如在化抓的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)到電致發(fā)光的層或 電致發(fā)光的區(qū)域中的有效的空穴注入。替選地，在不同的實施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512能 夠具有構(gòu)成為電子傳輸層的一個或多個功能層，使得例如在OLED中實現(xiàn)到電致發(fā)光的層或 電致發(fā)光的區(qū)域中的有效的電子注入。作為用于空穴傳輸層的材料例如能夠使用=元的胺 類，巧挫衍生物、傳導(dǎo)的聚苯胺或聚乙締基二氧嚷吩。在不同的實施例中，一個或多個電致 發(fā)光層能夠構(gòu)成為電致發(fā)光的層。
[0197] 在不同的實施例中，空穴傳輸層能夠施加，例如沉積在第一電極510上或上方，并 且發(fā)射體層能夠施加，例如沉積在空穴傳輸層上或上方。在不同的實施例中，電子傳輸層能 夠施加，例如沉積在發(fā)射體層上或上方。
[0198] 在不同的實施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512(即例如空穴傳輸層和發(fā)射體層和電子傳 輸層的總和)能夠具有最大大約1.5WI1的層厚度，例如最大大約1.2WI1的層厚度，例如最大大 約Iym的層厚度，例如最大大約80化m的層厚度，例如最大大約500nm的層厚度，例如最大大 約400nm的層厚度，例如最大大約300nm的層厚度。
[0199] 在不同的實施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)504例如能夠具有多個直接彼此疊加設(shè)置的 有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的堆，其中每個OLED例如能夠具有最大大約1.5皿的層厚度，例如最 大大約1.2WI1的層厚度，例如最大大約Iiim的層厚度，例如最大大約8(K)nm的層厚度，例如最 大大約500nm的層厚度，例如最大大約40化m的層厚度，例如最大大約30化m的層厚度。在不 同的實施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512例如能夠具有兩個、=個或四個直接彼此疊加設(shè)置的 OL邸的堆，在此情況下有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512例如能夠具有最大大約3WI1的層厚度。
[0200] 發(fā)光器件106通?？蛇x地能夠具有例如設(shè)置在一個或多個發(fā)射體層上或上方的或 設(shè)置在一個或多個電子傳輸層上或上方的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，所述有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)用于進(jìn)一 步改進(jìn)發(fā)光器件106的功能進(jìn)而改進(jìn)效率。其他的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)例如能夠借助于載流子 對產(chǎn)生層結(jié)構(gòu)（cha;rge generating layer CGL)彼此分離。
[0201] 在有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512上或上方或必要時在一個或多個其他的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)上 或上方能夠施加(例如呈第二電子層514的形式的)第二電極514。
[0202] 在不同的實施例中，第二電極514能夠具有與第一電極510相同的材料或由其形 成，其中在不同的實施例中金屬是特別適合的。
[0203] 在不同的實施例中，第二電極514(例如對于金屬的第二電極514的情況)例如能夠 具有小于或等于大約200nm的層厚度，例如小于或等于大約150nm的層厚度，例如小于或等 于大約IOOnm的層厚度，例如小于或等于大約50nm的層厚度，例如小于或等于大約45nm的層 厚度，例如小于或等于大約40nm的層厚度，例如小于或等于大約35nm的層厚度，例如小于或 等于大約30皿的層厚度，例如小于或等于大約25皿的層厚度，例如小于或等于大約20nm的 層厚度，例如小于或等于大約15nm的層厚度，例如小于或等于大約IOnm的層厚度。
[0204] 第二電極514通常能夠W與第一電極510類似方式或W與其不同的方式構(gòu)成或是 運(yùn)樣構(gòu)成的。在不同的實施例中，第二電極514能夠由一種或多種材料并且W相應(yīng)的層厚度 構(gòu)成或是運(yùn)樣構(gòu)成的，如上文結(jié)合第一電極510所描述。在不同的實施例中，第一電極510和 第二電極514都半透明地或透明地構(gòu)成。
[0205] 第二電極514能夠構(gòu)成為陽極，即構(gòu)成為空穴注入的電極或構(gòu)成為陰極，即構(gòu)成為 電子注入的電極。
[0206] 第二電極514能夠具有第二電端子，在所述第二電端子上施加由能量源提供的第 二電勢（與第一電勢不同）。第二電勢例如能夠具有下述值，所述值使得與第一電勢的差具 有在大約1.5V至大約20V的范圍中的值，例如在大約2.5V至大約15V的范圍中的值，例如在 大約3V至大約12V的范圍中的值。
[0207] 接觸墊108、110能夠與電極510、514電連接和/或?qū)嶓w連接。然而，接觸墊108、110 也能夠構(gòu)建電極510、514的或連接層504的區(qū)域。
[0208] 接觸墊108、110能夠具有與第一電極510和/或第二電極514類似的材料或材料混 合物作為材料或材料混合物或由其形成，例如作為具有至少一個銘層和至少一個侶層，例 如銘侶銘(化-A^Cr)的金屬層結(jié)構(gòu);或者鋼侶鋼(Mo-Al-Mo)的金屬層結(jié)構(gòu)、銀儀(Ag-Mg)的 金屬層結(jié)構(gòu)、侶的金屬層結(jié)構(gòu)。
[0209] 接觸墊108、110例如能夠具有接觸面、引腳、柔性的印刷電路板、夾具、夾子或其他 電連接機(jī)構(gòu)或構(gòu)成為上述。
[0210] 在一個實施例中，電絕緣部504能夠是可選的，例如在W適合的掩模工藝中構(gòu)成有 機(jī)電子器件106時。
[0211] 在一個實施例中，電連接層510、522和/或接觸墊516、518能夠光學(xué)透明地、半透明 地或不透明地構(gòu)成。
[0212] 電連接層522能夠作為材料或材料混合物具有類似于電極510、514的材料或材料 混合物或由其形成。
[0213] 電絕緣部504能夠構(gòu)建使得防止在兩個導(dǎo)電區(qū)域之間的、例如在第一電極510和第 二電極514之間的電流。電絕緣部的材料或材料混合物例如能夠是覆蓋部或覆層劑，例如聚 合物和/或漆。漆例如能夠具有能W液態(tài)或粉末狀形式施加的覆層物質(zhì)，例如具有聚酷亞胺 或由其形成。電絕緣部504例如能夠W光刻的方式或借助于印刷法施加或構(gòu)成，例如結(jié)構(gòu) 化。印刷法例如能夠包括噴墨印刷（Inkjet-Printing)、絲網(wǎng)印刷和/或移印法（Pad-Printing)O
[0214] 根據(jù)一個設(shè)計方案，阻擋薄層508能夠構(gòu)成為單個層(換言之，構(gòu)成為單層）。根據(jù) 一個替選的設(shè)計方案，阻擋薄層508能夠具有多個彼此疊加構(gòu)成的子層。換言之，根據(jù)一個 設(shè)計方案，阻擋薄層508能夠構(gòu)成為層堆(Stack)。阻擋薄層508或阻擋薄層508的一個或多 個子層例如能夠借助于適合的沉積法形成，例如借助于分子層沉積方法(MLD)，根據(jù)一個設(shè) 計方案的原子層沉積方法(ALD)，例如等離子增強(qiáng)的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer D邱osition(PEALD))或無等離子的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic Layer Deposition(PLALD))來形成，或根據(jù)另一設(shè)計方案借助于化學(xué)氣相沉積方法 (Qiemical化por Deposition(CVD)),例如等離子增強(qiáng)的氣相沉積方法(Plasma Enhanced 化emical Vapor Deposition(PECVD))或無等離子的氣相沉積方法（Plasma-less 化emical Vapor D邱osition(PLCVD))來形成，或者替選地借助于其他適合的沉積方法來 形成。
[0215] 通過使用原子層沉積方法(ALD)和/或分子層沉積方法(MLD)能夠沉積非常薄的 層。尤其，能夠沉積層厚度處于原子層范圍中的層。
[0216] 根據(jù)一個設(shè)計方案，在具有多個子層的阻擋薄層508中，所有子層能夠借助于原子 層沉積方法和/或分子層沉積方法(MLD)形成。僅具有ALD層和/或MLD層的層序列也能夠稱 作"納米疊層結(jié)構(gòu)"。
[0217] 根據(jù)一個替選的設(shè)計方案，在具有多個子層的阻擋薄層508中，阻擋薄層508的一 個或多個子層能夠借助于不同于原子層沉積方法的沉積方法沉積，例如借助于氣相沉積方 法沉積。
[0218] 根據(jù)一個設(shè)計方案，阻擋薄層508能夠具有大約0.1 nm(-個原子層)至大約1000 nm 的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計方案具有大約IOnm至大約IOOnm的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計 方案具有大約40nm的層厚度。
[0219] 此外要指出的是，在不同的實施例中，也能夠完全棄用阻擋薄層508。在運(yùn)種設(shè)計 方案中，光電子器件設(shè)備例如能夠具有其他的封裝結(jié)構(gòu)，由此阻擋薄層508能夠變?yōu)槭强蛇x 的，例如具有覆蓋部，例如腔玻璃封裝部或金屬封裝部。
[0220] 根據(jù)阻擋薄層508具有多個子層的設(shè)計方案，所有子層能夠具有相同的層厚度。根 據(jù)另一設(shè)計方案，阻擋薄層508的各個子層能夠具有不同的層厚度。換言之，子層中的至少 一個子層能夠具有不同于一個或多個其他子層的層厚度。
[0221] 根據(jù)一個設(shè)計方案，阻擋薄層508或阻擋薄層508的各個子層能夠構(gòu)成為半透明的 或透明的層。換言之，阻擋薄層508(或阻擋薄層508的單個的子層)能夠由半透明的或透明 的材料(或半透明的或透明的材料混合物)構(gòu)成。
[0222] 根據(jù)一個設(shè)計方案，阻擋薄層508或(在具有多個子層的層堆的情況下）阻擋薄層 508的子層中的一個或多個能夠具有下述材料中的一種或由其形成:氧化侶、氧化鋒、氧化 錯、氧化鐵、氧化給、氧化粗、氧化銅、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銅錫氧化物、銅鋒氧化物、 侶滲雜的氧化鋒及其混合物和合金。在不同的實施例中，阻擋薄層508或(在具有多個子層 的層堆的情況下)阻擋薄層508的一個或多個子層具有一種或多種高折射率的材料，換言之 具有高折射率的、例如具有至少為2的折射率的一種或多種材料。
[0223] 在電有源區(qū)域上或上方，例如在阻擋薄層508上或上方設(shè)置有粘結(jié)劑層524或附著 層524,使得附著層524將電有源區(qū)域面狀地且關(guān)于有害的環(huán)境影響氣密地密封，例如降低 水和/或氧氣的朝向阻擋薄層508的擴(kuò)散速率。
[0224] 在附著層524上或上方至少部分地設(shè)置有覆蓋部526,例如玻璃覆蓋部526、金屬膜 覆蓋部526、密封的塑料薄膜覆蓋部526。覆蓋部526例如能夠借助于附著層124粘結(jié)、例如層 壓到阻擋薄層508上或上方。
[0225] 在一個設(shè)計方案中，能夠?qū)⒗缬刹Ａ?gòu)成的覆蓋部526借助于玻璃焊料連接(英 文為glass frit bonding玻璃焊料接合/glass soldering玻璃焊接/seal glass bonding 密封玻璃接合)借助于常規(guī)的玻璃焊劑施加在具有阻擋薄層108的有機(jī)電子器件500的幾何 邊緣區(qū)域中。
[0226] 在不同的實施例中，附著層能夠半透明地和/或透明地構(gòu)成并且能夠具有大于大 約Iwn的層厚度，例如若干WIi的層厚度。在不同的實施例中，附著層能夠具有層壓粘結(jié)劑或 是運(yùn)種層壓粘結(jié)劑。
[0227] 在不同的實施例中，還能夠?qū)⑸⑸涔獾念w粒嵌入附著層524中，所述顆粒還能夠引 起進(jìn)一步改進(jìn)色角崎變和禪合輸出效率。在不同的實施例中，作為散射光的顆粒例如能夠 設(shè)有介電的散射顆粒，例如金屬氧化物，例如氧化娃間〇2)、氧化鋒向0)、氧化錯怔〇2)、銅 錫氧化物（ITO)或銅鋒氧化物（IZO)、氧化嫁(Ga20x)、氧化侶或氧化鐵。其他顆粒也能夠是 適合的，只要其具有與半透明的層結(jié)構(gòu)的基體的有效的折射率不同的折射率，例如氣泡、丙 締酸鹽或玻璃空屯、球。此外，例如金屬納米顆粒，金屬如金、銀、鐵納米顆粒等能夠設(shè)為散射 光的顆粒。
[0228] 在不同的實施例中，在第二電極514和附著層524之間還能夠施加有電絕緣層或是 施加有電絕緣層的（未示出），例如SiN、Si0x、SiN0x，所述電絕緣層例如具有在大約300nm至 大約1.5皿的范圍中的層厚度，例如具有在大約500nm至大約1皿的范圍中的層厚度，W便例 如在濕法化學(xué)工藝期間保護(hù)電學(xué)上不穩(wěn)定的材料。
[0229] 在不同的實施例中，附著層524能夠構(gòu)建使得附著層524具有小于覆蓋部526的折 射率的折射率。運(yùn)種附著層524例如能夠具有低折射率的粘結(jié)劑，例如具有大約1.3折射率 的丙締酸鹽。在一個設(shè)計方案中，附著層524例如能夠具有高折射率的粘結(jié)劑，所述粘結(jié)劑 例如具有高折射率的、不散射的顆粒并且具有大約對應(yīng)于有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)的平均折射率 的、例如在大約1.7至大約2.0范圍中的或更大的平均折射率。此外，在附著層524中能夠設(shè) 有多個不同的粘結(jié)劑，所述粘結(jié)劑形成粘結(jié)劑層序列，例如構(gòu)成第二附著層110。
[0230] 在電有源區(qū)域上或上方，例如至少部分地在光學(xué)有源區(qū)域506上或上方和/或至少 部分地在光學(xué)無源區(qū)域上或上方能夠設(shè)置有吸氣劑層，使得吸氣劑層將電有源區(qū)域關(guān)于有 害的環(huán)境影響氣密地密封，例如降低水和/或氧氣朝向阻擋薄層508和/或電有源區(qū)域的擴(kuò) 散速率。在吸氣劑層上或上方至少部分地設(shè)置有覆蓋部526。
[0231] 在不同的實施例中，吸氣劑能夠至少部分地由至少一個附著層524、110包圍，例如 使得吸氣劑層不具有與空氣的表面。
[0232] 在不同的實施例中，吸氣劑層能夠具有基體和其中分布地具有吸氣劑。
[0233] 在不同的實施例中，吸氣劑層能夠半透明地、透明地或不透明地構(gòu)成并且能夠具 有大于大約Iwn的層厚度，例如具有幾 WIi的層厚度。在不同的實施例中，吸氣劑層的基體能 夠具有層壓粘接劑。
[0234] 在不同的實施例中，散射光的顆粒還能夠嵌入吸氣劑層中，所述散射光的顆粒能 夠引起進(jìn)一步改進(jìn)色角崎變和禪合輸出效率。在不同的實施例中，作為散射光的顆粒例如 能夠設(shè)有介電的散射顆粒，例如金屬氧化物，例如氧化娃（Si〇2)、氧化鋒（ZnO)、氧化錯 (Zr化）、銅錫氧化物（ITO)或銅鋒氧化物（IZO)、氧化嫁(GasOx)、氧化侶或氧化鐵。其他的顆 粒也能夠是適合的，只要其具有與吸氣劑層的半透明的層結(jié)構(gòu)的基體的有效折射率不同的 折射率，例如氣泡、丙締酸鹽或玻璃空屯、球。此外，例如金屬納米顆粒，金屬如金、銀、鐵納米 顆粒等能夠設(shè)為散射光的顆粒。
[0235] 在不同的實施例中，在第二電極514和吸氣劑層之間還能夠施加有電絕緣層(未示 出）或是施加有電絕緣層的，例如SiN,所述電絕緣層例如具有在大約300nm至大約1.5WI1的 范圍中的層厚度，例如具有在大約SOOnm至大約1皿的范圍中的層厚度，W便例如在濕法化 學(xué)工藝期間保護(hù)電學(xué)上不穩(wěn)定的材料。
[0236] 在不同的實施例中，吸氣劑層能夠構(gòu)建使得吸氣劑層具有小于覆蓋部526的折射 率的折射率。運(yùn)種吸氣劑層例如能夠具有低折射率的粘結(jié)劑，例如具有大約1.3折射率的丙 締酸鹽。在一個設(shè)計方案中，吸氣劑層例如能夠具有高折射率的粘結(jié)劑，所述粘結(jié)劑例如具 有高折射率的、不散射的顆粒并且具有大約對應(yīng)于有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)的平均折射率的、例如 在大約1.7至大約2.0范圍中的或更大的平均折射率。此外，在吸氣劑層中能夠設(shè)有多種不 同的粘結(jié)劑，所述粘結(jié)劑形成粘結(jié)劑層序列，例如構(gòu)成第二附著層110。
[0237] 在不同的實施例中，例如當(dāng)吸氣劑層不透明地構(gòu)成并且光學(xué)有源區(qū)域506透明地 和/或半透明地構(gòu)成時，光學(xué)有源區(qū)域506能夠至少部分地不具有吸氣劑層。此外，光學(xué)有源 區(qū)域506能夠至少部分地不具有吸氣劑層W便節(jié)省吸氣劑層。
[0238] 在不同的實施例中，覆蓋部526和/或粘結(jié)劑124能夠具有為1.55的折射率(例如在 633nm的波長的情況下）。
[0239] 此外，在不同的實施例中，附加地在有機(jī)光電子器件500中還構(gòu)成有一個或多個禪 合輸入/禪合輸出層，例如在載體502(未示出）上或上方的外部的禪合輸出薄膜或在有機(jī)光 電子器件106的層橫截面中的內(nèi)部的禪合輸出層(未示出）。禪合輸入/禪合輸出層能夠具有 基體和其中分布地具有散射中屯、，其中禪合輸入/禪合輸出層的平均折射率比提供電磁福 射的層的平均折射率更大。
[0240] 對于應(yīng)提供例如單色發(fā)光的或在發(fā)射光譜中受限的光電子器件的情況，足夠的 是，光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)至少在期望的單色的波長范圍的子范圍中對于光或受限的發(fā)射光 譜是半透明的。
[0241] 至少部分透射、例如透明或半透明地構(gòu)成的光電子器件106,例如透射的載體502， 透射的電極510、514,透射的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512,透射的阻擋薄層508,透射的粘結(jié)劑層524 和透射的覆蓋部526能夠具有兩個面狀的光學(xué)有源側(cè)一一在示意的橫截面視圖中為光電子 器件106的上側(cè)和下側(cè)。
[0242] 然而，光電子器件106的光學(xué)有源區(qū)域512也能夠具有僅一個光學(xué)有源側(cè)和光學(xué)無 源側(cè)，例如在構(gòu)建為頂部發(fā)射體或底部發(fā)射體的光電子器件106中，例如通過將第二電極 500或阻擋薄層508構(gòu)成為對于所提供的電磁福射反射的方式實現(xiàn)。
[0243] 在不同的實施例中，除了化抓106W外能夠構(gòu)成光電檢測器116(在圖5a、b中示 出）。光電檢測器116能夠具有光學(xué)有源區(qū)域506和例如構(gòu)成為光電二極管116或光電導(dǎo)體 116。
[0244] 在不同的實施例中，光電檢測器116i為了抑制直接的環(huán)境光用不透光的層覆蓋， 例如用不透明的層，例如絕緣體層、金屬層、阻擋薄層和/或玻璃覆蓋部來覆蓋。在不同的實 施例中，OLED 106的光經(jīng)由載體502禪合輸入到光電檢測器116的光學(xué)有源區(qū)域506中。在 此，載體502用作波導(dǎo)體并且應(yīng)至少部分地透射地構(gòu)成。
[0245] 在不同的實施例中，OLED 116能夠與光電檢測器116電絕緣。
[0246] 在不同的實施例中，光電檢測器116能夠具有大約0.5mm2至大約250mm 2的范圍中的 面積，例如大于大約Imm2的面積。
[0247] 在不同的實施例中，OLED 106和光電檢測器116能夠與波導(dǎo)體光學(xué)連接，即OLED 106和光電檢測器116能夠提供到波導(dǎo)體中的電磁福射和/或接收來自波導(dǎo)體中的電磁福 射。在不同的設(shè)計方案中，波導(dǎo)體能夠構(gòu)成為覆蓋部526和/或載體502。在不同的設(shè)計方案 中，0LED106和/或光電檢測器116能夠借助于光學(xué)禪合結(jié)構(gòu)與波導(dǎo)體，例如阻擋層、阻擋薄 層508或粘結(jié)劑層524光學(xué)連接。
[0248] 圖5a示出具有OL邸單元和光電二極管單元的光電子器件。
[0249] 在一個實施例中，光電檢測器116能夠構(gòu)成為有機(jī)光電二極管116,例如與有機(jī)發(fā) 光二極管106類似。根據(jù)化抓106的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)512的描述(參見上文），有機(jī)光電二極 管116例如能夠具有至少一個空穴傳輸層、電子傳輸層、載流子對產(chǎn)生層結(jié)構(gòu)（charge generating layer)、空穴注入層、電子注入層。
[0250] 在一個實施例中，光電檢測器116能夠具有：構(gòu)成在載體502上或上方的第=電極 516。在第=電極516上或上方構(gòu)成有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)518。在第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)518上或上 方構(gòu)成第四電極520。第四電極520借助于電絕緣部504與第=電極516電絕緣。第=電極516 能夠與電端子528實體連接并且電連接。在不同的設(shè)計方案中，電端子528也能夠稱作接觸 墊528。第四電極518能夠與電連接層522實體連接并且電連接。電連接層522能夠在光電檢 測器116的光學(xué)有源區(qū)域506的幾何邊緣區(qū)域中構(gòu)成在載體502上或上方，例如側(cè)向地構(gòu)成 在第=電極516旁邊。電連接層522能夠借助于其他的電絕緣部504與第=電極516電絕緣。 在不同的實施例中，OLED 116能夠與光電檢測器116電絕緣。
[0251 ]在一個實施例中，在第四電極520上或上方能夠設(shè)置有阻擋薄層508，使得第四電 極520、電絕緣部504和有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)518由阻擋薄層508包圍，即接合阻擋薄層508與載體 502而圍住。發(fā)射體層508能夠?qū)〉膶雨P(guān)于有害的環(huán)境影響氣密地密封。
[0252] 在該實施例中，第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)518能夠通過如下方式被保護(hù)防止環(huán)境光影 響，即使第四電極520、阻擋薄層508、粘結(jié)劑層524和/或覆蓋部526具有小的透射性，例如不 透明地或乳白色地構(gòu)成和/或鏡結(jié)構(gòu)至少部分地包圍第二有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)518。
[0253] 在有機(jī)光電二極管116與有機(jī)發(fā)光二極管106類似地構(gòu)成的實施例中，由有機(jī)光電 二極管116接收的電磁福射能夠在電極516、520上產(chǎn)生電壓。所述電壓能夠作為信號Di傳 送、例如放大到驅(qū)動器電路上作為信號。有機(jī)發(fā)光二極管能夠通過如下方式作為有機(jī)光電 二極管116運(yùn)行，即將空穴傳導(dǎo)的電極或電子傳導(dǎo)的電極與驅(qū)動器電路連接。
[0254] 圖化示出具有OL邸單元和光電導(dǎo)體單元的光電子器件。
[0255] 在一個實施例中，光電檢測器116能夠作為光電導(dǎo)體116構(gòu)成在有機(jī)發(fā)光二極管 106旁邊。
[0256] 在一個設(shè)計方案中，光電結(jié)構(gòu)116、例如光電導(dǎo)體116能夠具有下述材料或由其形 成，所述材料的電阻或電導(dǎo)率隨著射入的電磁福射的光密度變化。
[0257] 在一個設(shè)計方案中，光電導(dǎo)體116能夠與有機(jī)發(fā)光二極管106電絕緣，例如通過光 電導(dǎo)體116具有與有機(jī)發(fā)光二極管106例如借助于電絕緣部504電絕緣的電連接528、522的 方式實現(xiàn)。
[0258] 在一個設(shè)計方案中，光電導(dǎo)體116能夠構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二極管并且與有機(jī)發(fā)光二 極管106電絕緣。
[0259] 圖6示出根據(jù)不同的實施例的、用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的方法的示意圖。
[0260] 示出的是用于運(yùn)行根據(jù)圖1至5的描述中的一個的設(shè)計方案的光電子器件設(shè)備的 方法的示意概覽圖。
[0261] 在光電子器件設(shè)備的靜止?fàn)顟B(tài)602中，OLED 106是光學(xué)無源的，即是關(guān)斷的。光電 檢測器116i能夠在此狀態(tài)中測量暗電流"Di關(guān)斷"，所述暗電流能夠在方法的進(jìn)一步過程中 考慮作為背景信號。
[0262] 在光電子器件設(shè)備的接通的狀態(tài)604中，OLED 106是光學(xué)有源的，即是接通的，并 且提供電磁福射，例如發(fā)射光。光電檢測器116i能夠借助于波導(dǎo)體測量化抓106的光密度 "D浪通"。
[0263] 在不同的實施例中，隨在化邸106接通的狀態(tài)中測量光密度之后能夠評估光密度 606。為此，能夠?qū)y量出的光密度"Di接通"清除暗電流和/或環(huán)境光份額"Di關(guān)斷"。運(yùn)也能 夠稱作在背景信號修正D'l之后產(chǎn)牛信號。然后，對于在背景信號修巿D'l之后的各個信號能 夠確定平均信號強(qiáng)度的偏差
其中V'說明在光電 子器件設(shè)備中的光電檢測器116i的數(shù)量并且"i"說明光電檢測器116i中的一個的整數(shù)。
[0264]
[0265] 在一個實施例中，如果光電檢測器的信號在背景信號修正D'l之后小于第一闊值 D'min，那么OLED 106能夠經(jīng)由到驅(qū)動器電路104上的反饋608強(qiáng)制性切斷610。當(dāng)OLED 106的 發(fā)光面的大的區(qū)域例如借助于對稱的短路或因為OLED 106退化而變?yōu)楣鈱W(xué)無源時，例如能 夠出現(xiàn)運(yùn)種偏差。偏差能夠是必需的，因為在OLED 106上的壓降能夠隨著老化而增加(參見 圖 10)。
[0266] 在不同的實施例中，OLED 106在所提供的光密度方面(參見圖10)的逐漸的老化能 夠例如借助于提高運(yùn)行電流來補(bǔ)償。
[0267] 在一個實施例中，在信號D'i與平均信號
9偏差A(yù)化小于第二闊值D'max 時，OLED 106能夠經(jīng)由到驅(qū)動器電路104上的反饋614強(qiáng)制巧切斷612。當(dāng)光電檢測器116i中 的一個比其他光電檢測器更靠近深色的斑點(diǎn)時，例如能夠借助于顆粒引起的短路引起運(yùn)種 偏差。運(yùn)種偏差A(yù)化例如能夠具有在平均信號的大約20%至大約100%的范圍中的數(shù)值。在 另一實施例中，在運(yùn)種偏差的情況下，能夠改變OLED 106的運(yùn)行參數(shù)組(參見圖7)。
[0268] 在不同的實施例中，能夠各個相繼地、同時地或成組地測量或確定光電檢測器 116i的信號化。
[0269] 在不同的實施例中，所描述的方法600能夠在接通OLED 106時，在OLED 106運(yùn)行期 間，例如周期性地;手動地或根據(jù)預(yù)設(shè)的運(yùn)行時長來執(zhí)行。
[0270] 在逐漸的老化和顆粒引起的短路之間的差別是可能的，因為在老化時光密度基本 上均勻地在發(fā)光面上減少并且光密度的短路產(chǎn)生的降低引起檢測器信號的不均勻的改變。
[0271] 圖7a、b示出根據(jù)不同的實施例的、用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的方法的示意圖。
[0272] 圖7a示出根據(jù)圖1至6的描述的設(shè)計方案的光電子器件設(shè)備，所述光電子器件設(shè)備 在OLED 106的發(fā)光面中具有顆粒引起的短路202。在圖7b和7c中描述，如何能夠在完全失效 之前電學(xué)上修理在發(fā)光面中具有短路的OLED 106。
[0273] 在確定在化抓106的發(fā)光面中的顆粒之后（參見圖6的描述），在不同的實施例中 能夠?qū)LED 106短暫地借助于驅(qū)動器電路104過調(diào)。借助于驅(qū)動器電路104例如能夠?qū)㈦妷?脈沖和/或電流脈沖的程序借助于電連接112、114施加到化邸106上，例如W標(biāo)準(zhǔn)的運(yùn)行電 流的雙倍至十倍的數(shù)值施加。由此能夠去除短路，例如燒除短路，由此OLED 106還保持是功 能有效的并且能夠繼續(xù)正常運(yùn)行。通過短暫的過調(diào)，在發(fā)光面中根據(jù)取決于短路的顆粒的 特性構(gòu)成深色的斑點(diǎn)。在移除顆粒引起的短路之后的信號化能夠?qū)τ诰哂猩钌陌唿c(diǎn)的發(fā) 光面顯示關(guān)于OLED 106的老化的新的初始值或參照值。新的檢測其初始值(在移除最后的 顆粒引起的短路之后的光密度方面，運(yùn)行時長= 〇%，）和新的運(yùn)行參數(shù)(OLED 106的電壓和 電流）能夠在不同的實施例中在驅(qū)動器電路104中W能調(diào)用的方式存儲。在不同的實施例 中，驅(qū)動器電路對此能夠具有能讀取的電子存儲器或者與運(yùn)種電子存儲器連接。在不同的 實施例中，驅(qū)動器電路能夠構(gòu)建為，使得驅(qū)動器電路能夠自動地設(shè)定OL邸的運(yùn)行參數(shù)。
[0274] 圖7b示出化抓106的光密度704作為由光電檢測器116曰、116b、116c、116d測量的 時間函數(shù)712。
[0275] 圖7c相對于在圖7b中示出的光密度變化示出OLED 106的運(yùn)行電流強(qiáng)度716和運(yùn)行 電壓714。
[0276] 示出的是，具有光密度的緩慢的退化的OLED 106的正常運(yùn)行718(參見圖10)。在出 現(xiàn)顆粒引起的短路720時，能夠造成電壓714的下降和電流強(qiáng)度716的增加。然而，也能夠造 成在電流強(qiáng)度恒定時的電壓的下降或在電路具有恒定的電壓時的電流強(qiáng)度增加。在光電檢 測器116曰、1166、116〇、116(1上能夠測量不同強(qiáng)度的信號降低(參見圖化）。
[0277] 在低于電壓闊值、超過電流闊值和/或超過檢測器信號的差值（A D'i)(參見圖7b) 時，驅(qū)動器電路104能夠提高運(yùn)行電流。由此能夠"燒除'缺陷，例如顆粒引起的短路202。在 此期間能夠造成光電檢測器116曰、1166、116〇、116(1的測量出的光密度704的和電壓714的過 度升高722。過度升高722能夠在時間上受限，能夠是脈沖式的或能夠脈沖式地具有多個脈 沖的序列，能夠穩(wěn)定電壓。驅(qū)動器電路104應(yīng)限制流過OL抓106的最大電流716，使得OL抓在 過度升高722期間不在熱學(xué)上被損壞。于是，在OLED 106上的壓降能夠略微提高或大約保持 恒定，運(yùn)在724中示出。由此能夠"燒除"顆粒引起的缺陷202。檢測器信號116曰、116b、116c、 116d的光密度704能夠在此期間保持大致恒定或略微升高。在不同的設(shè)計方案中，在"燒除" 顆粒引起的缺陷202或短路202期間的光密度的變化能夠考慮作為在驅(qū)動器電路104的運(yùn)行 中的"燒除條件"。
[0的引在"燒除"顆粒引起的缺陷202之后，驅(qū)動器電路能夠?qū)㈦娏鲝?qiáng)度716向下調(diào)節(jié)到在 燒除之前的運(yùn)行電流，即向下調(diào)節(jié)到初始的運(yùn)行電流，運(yùn)在726中示出。接著，驅(qū)動器電路 104能夠使OLED 106再次在正常運(yùn)行中繼續(xù)運(yùn)行。由于借助于燒除降低的發(fā)光面積，在具有 恒定的電流的電路中，在OL邸上的略微改變的電壓能夠降低。光電檢測器116a、116b、116c、 116d能夠在燒除之后由于在發(fā)光面中的深色的斑點(diǎn)測量出不同的光密度704。因此，在不同 的設(shè)計方案中，驅(qū)動器電路104能夠執(zhí)行用于確定光密度偏差A(yù)D'i的新的補(bǔ)償606,即在運(yùn) 行時長為0%(參見圖10)時重新確定光電檢測器116曰、1166、116。、116(1的光密度分布。
[0279] 在不同的實施例中，驅(qū)動器電路104能夠構(gòu)建用于W恒定的運(yùn)行電流或恒定的運(yùn) 行電壓來運(yùn)行OLED 106。
[0280] 在不同的實施例中，驅(qū)動器電路104能夠構(gòu)建用于在光學(xué)有源面中的短路方面檢 查化抓106，例如通過在光電檢測器116a、116b、116c、116d測量不同的光密度704之后，例 如通過在化抓106上短暫地施加相對于化抓106的導(dǎo)通方向在截至方向上的電流的方式 實現(xiàn)。在光電檢測器116曰、1166、116〇、116(1的不同的信號下能測量的沿介質(zhì)方向的電流能 夠給出存在短路的結(jié)論。
[0281] 在不同的實施例中，驅(qū)動器電路104能夠具有用于修理或修復(fù)顆粒引起的短路202 的不同的運(yùn)行模式，例如沿關(guān)于OLED 106的導(dǎo)通方向在正向方向或截至方向上"燒除"，例 如具有沿正向方向和截至方向的電流強(qiáng)度的不同的變化輪廓。電流強(qiáng)度的變化輪廓例如能 夠在恒定電流的數(shù)值，電流方向，脈沖的存在，脈沖的數(shù)量、種類和順序(相同的脈沖或不同 的脈沖），脈沖高度，脈沖形狀，脈沖寬度和/或脈沖跨度，即在兩個相繼的脈沖之間的間距 方面區(qū)分。
[0282] 在不同的實施例中，代替補(bǔ)償化抓106的老化或?qū)τ谘a(bǔ)償化抓106的老化可選 地，能夠構(gòu)建驅(qū)動器電路1〇4(參見圖10)。
[0283] 在不同的實施例中，驅(qū)動器電路104能夠構(gòu)建為，使得光電檢測器116a、116b、 116c、116d的信號在修復(fù)短路之后重新對于光密度偏差A(yù)D'I歸一化，例如通過在修復(fù)之后 將光電檢測器116a、116b、116c、116d的信號用作運(yùn)行時長0%的參照信號。
[0284] 在不同的實施例中，光電子器件設(shè)備能夠構(gòu)建為，使得在短路202的修復(fù)中考慮光 電檢測器116曰、1166、116〇、116(1的數(shù)量、位置和/或關(guān)于短路202的分布，例如通過在^一定 模式進(jìn)行修復(fù)期間讀取光電檢測器116a、116b、116c、116d(參見圖3)和/或用于OLED 106的 通電（參見圖1-5的說明）的方式實現(xiàn)。換言之:在不同的實施例中，光電檢測器116a、116b、 116c、116d能夠在懷疑電短路時用作檢測器和/或用于OLED 106的通電。
[0285] 圖8a、b示出光電子器件設(shè)備在過調(diào)期間和過調(diào)之后的實施例。
[0286] 示出的是，根據(jù)圖1至5的描述中的一個的光電子器件設(shè)備的一個實施例，其中手 動地用過壓控制OLED 106,運(yùn)在圖8a中在過調(diào)期間示出。
[0287] OLED 106能夠在過調(diào)之后W標(biāo)準(zhǔn)電壓繼續(xù)運(yùn)行，運(yùn)在圖8b中示出。
[0288] 在過調(diào)時，OLm)能夠短暫地W具有高于OLED 106在正常運(yùn)行中的運(yùn)行電流的數(shù)值 的、例如在大約100 %至大約1000 %的范圍中的電流運(yùn)行。OLED 106的一些區(qū)域、例如具有 顆粒引起的短路的區(qū)域能夠在過調(diào)時降解。在過調(diào)之后，降解的區(qū)域能夠在正常運(yùn)行中，即 W標(biāo)準(zhǔn)的運(yùn)行電流來運(yùn)行中是光學(xué)無源的，例如被識別為在本身光學(xué)有源的面上的深色的 斑點(diǎn)802。在過調(diào)期間，有機(jī)材料能夠變?yōu)殡娊^緣的和/或電消散的。不降解的區(qū)域能夠如在 過調(diào)之前是光學(xué)有源的并且發(fā)射光。由此，還能夠使用光電子器件。
[0289] 在用電子裝置、例如驅(qū)動器電路104自動地過調(diào)化邸106時，與在手動過調(diào)時相比 電子裝置明顯更快地做出反應(yīng)是可行的進(jìn)而得出比在圖8b中示出的、顯得小非常多的深色 的斑點(diǎn)802。
[0290] 此外，能夠?qū)⒔柚隍?qū)動器電路104限定的電流變化和/或電壓變化，例如具有限 定的寬度、幅值和重復(fù)速率的電壓脈沖在過調(diào)時施加到OLED 106上。
[0291] 圖9a-c示出根據(jù)不同的實施例的、用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的不同的示圖。
[0292] 圖9a示出在25mm棱邊長度的測試忍片上的具有發(fā)射體/檢測器器件的不同組合的 光電子器件設(shè)備的示意圖，發(fā)射體/檢測器器件能夠作為光電檢測器904a、904b、904c、904d 運(yùn)行或者作為發(fā)光二極管9023、9026、902(3、902(1(二極管)運(yùn)行。發(fā)射體/檢測器器件發(fā)射或 吸收來自共同的波導(dǎo)體的光。
[0293] 圖9b示出根據(jù)圖9a的光電子器件設(shè)備的光電子特性的表格。
[0294] 在示圖中，有機(jī)發(fā)光二極管902曰、9026、902(3、902(1在光學(xué)有源的狀態(tài)中^大約8￥ 的運(yùn)行電壓運(yùn)行。光學(xué)有源的發(fā)光二極管用"r表示(發(fā)光二極管是接通的并且發(fā)射光)并 且光學(xué)無源的發(fā)光二極管用"0"表示(發(fā)光二極管是關(guān)斷的或不發(fā)射光）。此外示出對于光 學(xué)有源的發(fā)光二極管902曰、9026、902(3、902(1的相應(yīng)的組合在各個光電檢測器904曰、90仙、 904c、904d上測量的W伏特(V)為單位的檢測器電壓。
[0295] 示出的是，檢測器信號不僅與二極管的距離而且與二極管的數(shù)量和/或發(fā)光面的 大小相關(guān)。
[0296] 圖9c示出類似于圖9A的具有發(fā)射體/檢測器器件的另一組合的光電子器件設(shè)備的 示意圖。
[0297] 圖9d示出類似于圖9b的用于圖9c中的光電子器件設(shè)備的實施例的表格。
[0298] 示出的是，檢測器信號隨著二極管904a、904b、904c與發(fā)光二極管902a的距離減 少。
[0299] 圖10a、b示出用于常規(guī)的OL邸的老化的示圖。
[0300] 在圖IOa中示出測量出的壓降1002和測量出的、歸一化的光密度1006作為常規(guī)的 OL抓的歸一化的運(yùn)行時長1004的函數(shù)。將光密度1006 W未被使用的OLED、即在0 %的運(yùn)行時 長1004下的光密度來歸一化。運(yùn)行時長1004W光密度1006降低到70%的初始的光密度(在 0%的運(yùn)行時長的情況下）的時間來歸一化。
[0301] 在圖IOb中示出常規(guī)的OL抓的發(fā)光場1010、1020、1030。常規(guī)的化抓的（W在圖IOa 和IOb中的1010示出）開始時均勻的發(fā)光圖像在逐漸老化期間由于在運(yùn)行中的略微的電流 和溫度不均勻度而僅是略微不均勻的。
[0302] 在制造 OLm)時能夠?qū)㈩w粒1008封入OLm)的層中。由于所述顆粒封入1008能夠?qū)崿F(xiàn) 化抓在運(yùn)行中的表現(xiàn)為短路（shod)的失效。經(jīng)由封入的顆粒1008幾乎能夠使所有的電流 流出運(yùn)在圖IOb中在1020中示出。
[0303] OLm)能夠由此局部地強(qiáng)烈地變熱，由此能夠造成組件的折斷(破裂）、烙化和/或進(jìn) 一步退化。由此能夠造成OLm)的突然的失效，由此運(yùn)行電壓降至零，運(yùn)在圖IOa和b中在1030 中示出。如在圖IOa中在1020中示出，在壓降1002和光密度1006中不能識別出對產(chǎn)生的短路 的明確指示。相反，在發(fā)光圖像中，清楚地圍繞顆粒1008構(gòu)成深色的斑點(diǎn)，所述斑點(diǎn)最后能 夠造成OL邸的突然的失效1030。
[0304] 在不同的實施方式中，提供光電子器件設(shè)備、用于制造光電子器件設(shè)備的方法和 用于運(yùn)行光電子器件設(shè)備的方法，借助其可行的是，將光電子器件在光電子器件的顆粒引 起的失效之前關(guān)斷和/或定位顆粒引起的短路的位置并且將其去除。借助于將光電檢測器、 例如有機(jī)光電檢測器集成在有機(jī)發(fā)光二極管的載體上，能夠有規(guī)則地控制光密度或光通量 和/或其均勻性。由此，有機(jī)發(fā)光二極管的運(yùn)行參數(shù)，例如運(yùn)行電壓和/或運(yùn)行電流能夠根據(jù) 有機(jī)發(fā)光二極管的老化來W器件個體的方式再調(diào)整。借助于光電檢測器的信號還能夠確 定，由有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射的光的光密度和/或均勻性是否偏離所存儲的標(biāo)準(zhǔn)值、闊值或初 始值的組，由此必要時能夠切斷或修復(fù)有機(jī)發(fā)光二極管。標(biāo)準(zhǔn)值、闊值或初始值的組例如能 夠存儲在光電子器件設(shè)備的驅(qū)動器電路中或在與驅(qū)動器電路連接的能讀取的存儲器中。此 夕h能夠借助于光電檢測器確定有機(jī)發(fā)光二極管的失效。此外，能夠借助于光電檢測器及早 地識別短路并且經(jīng)由例如集成在驅(qū)動器電路中的安全防護(hù)電路在烙化或折斷之前關(guān)斷有 機(jī)發(fā)光二極管。由此能夠降低光電子器件設(shè)備的火災(zāi)危險進(jìn)而提高在運(yùn)行光電子器件設(shè)備 時的安全性。此外借助于光電檢測器能夠確定在有機(jī)發(fā)光二極管的光學(xué)有源面中的顆粒引 起的短路和/或計算顆粒引起的短路的位置。然后，能夠借助于過壓或借助于激光器燒除顆 粒引起的短路。由此，例如能夠在安全性重要的器件中提高有機(jī)發(fā)光二極管的運(yùn)行時長。
【主權(quán)項】
1. 一種光電子器件設(shè)備（100)，所述光電子器件設(shè)備具有： -第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)，所述光學(xué)有源結(jié)構(gòu)構(gòu)建用于提供電磁福射，其中所述第一 光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)構(gòu)成為一個第一有機(jī)光電子器件（106)或構(gòu)成為多個第一有機(jī)光電子 器件(106)或者具有一個第一有機(jī)光電子器件或多個第一有機(jī)光電子器件； -測量結(jié)構(gòu)，所述測量結(jié)構(gòu)構(gòu)建用于確定所述電磁輻射的光密度分布;和 -波導(dǎo)體，所述波導(dǎo)體構(gòu)建用于引導(dǎo)所提供的所述電磁輻射； -其中所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)與所述波導(dǎo)體光學(xué)耦合，使得將所提供的所述電磁 輻射至少部分地提供到所述波導(dǎo)體中，并且其中所述測量結(jié)構(gòu)（116)與所述波導(dǎo)體光學(xué)耦 合，使得所提供的所述電磁輻射由所述測量結(jié)構(gòu)（116)至少部分地從所述波導(dǎo)體中接收； -其中所述測量結(jié)構(gòu)構(gòu)建用于確定在所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)中的光密度分布，并 且 -其中所述測量結(jié)構(gòu)（116)具有多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（116i)，其中多個所述第二光學(xué) 有源結(jié)構(gòu)（116i)構(gòu)建為接收所提供的所述電磁福射的光電器件（116 i)和/或光電子器件 (116i)〇2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件設(shè)備（100)， 其中所述第一光電子器件（106)構(gòu)成為面照明器件（106)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子器件設(shè)備（100)， 其中所述測量結(jié)構(gòu)（116)構(gòu)成為，使得所述測量結(jié)構(gòu)（116)具有第一運(yùn)行模式和第二運(yùn) 行模式，其中所述測量結(jié)構(gòu)（116)在所述第一運(yùn)行模式中從施加到所述測量結(jié)構(gòu)（116)上的 電壓或電流中提供另外的電磁輻射;并且在所述第二運(yùn)行模式中從由所述第一光學(xué)有源結(jié) 構(gòu)（106)中提供的并且由所述第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（116)接收的所述電磁輻射中產(chǎn)生電流或 電壓。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的光電子器件設(shè)備（100)， 其中至少一個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（116i)具有光電導(dǎo)體、發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管、 光電二極管、有機(jī)光電二極管、太陽能電池和/或有機(jī)太陽能電池或構(gòu)成為上述結(jié)構(gòu)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的光電子器件設(shè)備（100)， 其中所述波導(dǎo)體透明地或半透明地構(gòu)成。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的光電子器件設(shè)備（100)， 所述光電子器件設(shè)備在所述波導(dǎo)體和所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)之間和/或在所述 波導(dǎo)體和所述測量結(jié)構(gòu)（116)之間還具有光學(xué)耦合結(jié)構(gòu)。7. -種用于制造光電子器件設(shè)備的方法，所述方法包括： -構(gòu)成用于提供電磁福射的第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)，其中所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（1 〇 6)構(gòu)成 為一個第一有機(jī)光電子器件（106)或構(gòu)成為多個第一有機(jī)光電子器件（106)或者具有一個 第一有機(jī)光電子器件或多個第一有機(jī)光電子器件； -構(gòu)成用于確定所述電磁輻射的光密度分布的測量結(jié)構(gòu)； -提供波導(dǎo)體，所述波導(dǎo)體構(gòu)建用于引導(dǎo)所提供的所述電磁輻射； -其中所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)與所述波導(dǎo)體光學(xué)耦合，使得將所提供的所述電磁 輻射至少部分地提供到所述波導(dǎo)體中，并且其中所述測量結(jié)構(gòu)（116)與所述波導(dǎo)體光學(xué)耦 合，使得所提供的所述電磁輻射由所述測量結(jié)構(gòu)（116)至少部分地從所述波導(dǎo)體中接收； -其中所述測量結(jié)構(gòu)構(gòu)成為，使得能確定在所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)中的光密度分 布，并且 -其中所述測量結(jié)構(gòu)（116)構(gòu)成有多個第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（116i)，其中多個所述第二光 學(xué)有源結(jié)構(gòu)（116i)構(gòu)成為接收所提供的所述電磁福射的光電器件（116i)和/或光電子器件 (116i)〇8. -種用于運(yùn)行根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的光電子器件設(shè)備的方法，所述方法 具有： -當(dāng)所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)是光學(xué)無源的時，測量所述測量結(jié)構(gòu)（116)的測量參 數(shù)； -當(dāng)所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)是光學(xué)有源的時，測量所述測量結(jié)構(gòu)（116)的測量參 數(shù)； -確定所述測量結(jié)構(gòu)的多個所述第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（116 i)在第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（10 6) 為光學(xué)有源時的測量參數(shù)與在第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)為光學(xué)無源時的測量參數(shù)的相應(yīng)的 差;和 -根據(jù)多個所述第二光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（116i)彼此間的測量參數(shù)差來設(shè)定所述光學(xué)有源結(jié) 構(gòu)（106)的至少一個運(yùn)行參數(shù)。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法， 其中當(dāng)多個所述第二光電子器件在信號差中具有大于第一觸發(fā)數(shù)值的差時，設(shè)定至少 一個所述運(yùn)行參數(shù)包括將至少一個所述運(yùn)行參數(shù)從第一運(yùn)行參數(shù)組改變到第二運(yùn)行參數(shù) 組。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法， 其中當(dāng)多個所述第二光電子器件平均具有小于第二觸發(fā)數(shù)值的信號差時，設(shè)定至少一 個所述運(yùn)行參數(shù)包括將至少一個所述運(yùn)行參數(shù)從第一運(yùn)行參數(shù)組改變到第三運(yùn)行參數(shù)組。11. 根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項所述的方法， 其中運(yùn)行參數(shù)組具有所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)的運(yùn)行電流(716)、運(yùn)行電壓(714) 和/或光密度(704)。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法， 其中所述第二運(yùn)行參數(shù)組將所述第一光學(xué)有源結(jié)構(gòu)（106)過調(diào)，使得提高所述運(yùn)行電 流(716)、所述運(yùn)行電壓(714)和/或所述光密度(704)。
【文檔編號】H01L51/52GK105830244SQ201480042122
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2014年6月26日
【發(fā)明人】阿恩特·耶格, 邁克爾·波普
【申請人】歐司朗Oled股份有限公司