一種過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜及其制備方法，將過(guò)渡金屬醇鹽用醇溶解稀釋后旋涂在石墨烯表面對(duì)其進(jìn)行摻雜，經(jīng)過(guò)熱處理，得到過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜，所述過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜包括石墨烯層和沉積于石墨烯層上的過(guò)渡金屬氧化物層。本發(fā)明成本低廉、操作簡(jiǎn)便。摻雜處理后，石墨烯表面電阻顯著下降，且可以在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定。摻雜處理之后石墨烯方阻能降低40～50%，并且表現(xiàn)出非常優(yōu)異的穩(wěn)定性和光透過(guò)率。本發(fā)明對(duì)拓展石墨烯透明導(dǎo)電薄膜應(yīng)用具有重要意義。本發(fā)明制備的石墨烯薄膜可望在太陽(yáng)能電池、觸摸屏、電加熱膜等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
【專利說(shuō)明】
一種過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種一種過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法，屬于薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]具有優(yōu)良導(dǎo)電性和透光性的透明導(dǎo)電薄膜被廣泛應(yīng)用到工業(yè)生產(chǎn)之中。至今為止，透明導(dǎo)電薄膜所使用的材料一直是ΙΤ0，但是ITO具有諸多缺點(diǎn)，例如ITO在酸堿環(huán)境之中并不穩(wěn)定、在近紅外光區(qū)域透過(guò)率不高、缺乏彈性和因?yàn)镮n資源缺乏而導(dǎo)致其日益上漲的價(jià)格。石墨烯具有極高的強(qiáng)度、化學(xué)穩(wěn)定性、良好的柔性和導(dǎo)電性，使得石墨烯成為代替ITO制備透明導(dǎo)電薄膜的優(yōu)良材料。
[0003]然而，現(xiàn)在基于CVD法制備的石墨烯依然存在大量的缺陷，導(dǎo)致了石墨烯的導(dǎo)電性依然不理想，即方阻較高(100-500 Ω/□)在85%的透過(guò)率下，是ITO透明導(dǎo)電薄膜的十幾倍，再加上由于石墨烯本身的性質(zhì)零帶隙，使其不能作為半導(dǎo)體應(yīng)用。另外，石墨烯功函數(shù)比較低(4.2?4.6eV)使得其作為電極的競(jìng)爭(zhēng)力較弱。這都是石墨烯在電子器件領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的阻礙。例如，石墨烯如果要作為太陽(yáng)能電池的陰極材料，電極的功函數(shù)最好在5.0eV左右，因此石墨烯為滿足作為太陽(yáng)能電池電極的需要就要調(diào)節(jié)導(dǎo)電性和功函數(shù)。
[0004]通過(guò)慘雜提尚石墨稀載流子濃度，是提尚其電導(dǎo)率的最有效方法之一。石墨稀的摻雜主要分為化學(xué)(替位)摻雜與表面物理?yè)诫s。與化學(xué)摻雜不同，表面物理?yè)诫s不會(huì)破壞石墨烯的六元環(huán)結(jié)構(gòu)，而僅是借助摻雜劑與石墨烯功函數(shù)的差異，實(shí)現(xiàn)對(duì)石墨烯的載流子注入。因而表面物理?yè)诫s可以在不降低載流子迀移率的條件下顯著提高其載流子數(shù)目，顯示出巨大的優(yōu)勢(shì)。目前已報(bào)道的石墨烯表面摻雜物質(zhì)主要包括，有機(jī)分子(tfsa，ddq，f4-TCNQ等)、無(wú)機(jī)鹽類/酸(圓03^11(:13，30(:12等)、金屬微粒以及氧化性氣體等(02，^)2)。然而，無(wú)機(jī)酸、有機(jī)分子及氣體摻雜劑等摻雜效果極不穩(wěn)定，如HN O 3摻雜的石墨稀電極在空氣中放置480小時(shí)后，電阻增加90%。而金屬微粒及AuCl3等則成本過(guò)高，很難大規(guī)模應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)已有的石墨烯摻雜方法成本高、摻雜后電阻不穩(wěn)定的不足，本發(fā)明旨在提供一種過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜和一種簡(jiǎn)單方便、低成本摻雜石墨烯的方法，可以明顯提高石墨烯導(dǎo)電性、并保證電阻在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定，從而解決石墨烯應(yīng)用的瓶頸問(wèn)題。
[0006]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜，將過(guò)渡金屬醇鹽用醇溶解稀釋后旋涂在石墨烯表面對(duì)其進(jìn)行摻雜，經(jīng)過(guò)熱處理，得到過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜，所述過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜包括石墨烯層和沉積于石墨烯層上的過(guò)渡金屬氧化物層。
[0007]本發(fā)明將過(guò)渡金屬醇鹽用醇溶解稀釋后，旋涂在石墨烯表面，最后經(jīng)過(guò)熱處理，得到過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜。本發(fā)明在薄膜制備過(guò)程中完成了過(guò)渡金屬氧化物對(duì)石墨烯的摻雜，屬于表面物理?yè)诫s。當(dāng)石墨烯表面旋涂過(guò)渡金屬氧化物后，由于氧化物比石墨烯功函數(shù)高，二者界面處將產(chǎn)生能帶彎曲，從而使電子由石墨烯注入到金屬氧化物中，即石墨烯發(fā)生P型摻雜。與替位摻雜不同，過(guò)渡金屬氧化物對(duì)石墨烯的摻雜不會(huì)破壞石墨烯的六元環(huán)結(jié)構(gòu)，因而可以在不降低載流子迀移率的條件下顯著提高石墨烯載流子數(shù)目，進(jìn)而顯著降低石墨烯的方阻，在提高石墨烯的導(dǎo)電性方面顯示出巨大的優(yōu)勢(shì)。過(guò)渡金屬氧化物的摻雜在保證一定光透過(guò)率的情況下顯著提高石墨烯的功函數(shù)，降低石墨烯方阻，摻雜石墨烯功函數(shù)最大能夠提高0.3eV以上，方阻最多可下降50%以上。
[0008]較佳地，所述過(guò)渡金屬氧化物層的組成為金屬M(fèi)o、V、W和Ni的氧化物中的至少一種，優(yōu)選為金屬V的氧化物。
[0009]較佳地，所述過(guò)渡金屬氧化物層厚度為Inm?20nm，優(yōu)選為1nm0
[0010]本發(fā)明還提供了一種過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法，包括:
(1)將過(guò)渡金屬醇鹽溶液旋涂到石墨烯表面；
(2)將(I)所得旋涂后石墨烯置于在空氣氣氛中在25°C?800°C下，優(yōu)選100?500°C，煅燒0.5?24小時(shí)，優(yōu)選I?5小時(shí)，得到過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜。
[0011]較佳地，所述過(guò)渡金屬醇鹽為異丙醇鹽，優(yōu)選為異丙醇鉬、異丙醇鎢、異丙醇釩、異丙醇鎳中的至少一種。
[0012]較佳地，所述過(guò)渡金屬醇鹽溶液的溶劑為乙醇、正丙醇、異丙醇、丙三醇、正丁醇、乙二醇中的至少一種。
[0013]較佳地，所述醇鹽溶液的濃度為大于0.0Olmol/L且在0.lmol/L以下，優(yōu)選為0.001mol/L 到 0.016mol/L 之間。
[0014]較佳地，所述旋涂的旋涂速度為O到5000rpm之間，優(yōu)選為1000到5000rpm之間。
[0015]較佳地，所述煅燒的氣氛為空氣氣氛。
[0016]本發(fā)明采用金屬醇鹽為原料，用旋涂法成膜，在空氣中熱處理，成本低廉、操作簡(jiǎn)便。摻雜處理后，石墨烯表面電阻顯著下降，且可以在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定。摻雜處理之后石墨烯方阻能降低40?50%，并且表現(xiàn)出非常優(yōu)異的穩(wěn)定性和光透過(guò)率。本發(fā)明對(duì)拓展石墨烯透明導(dǎo)電薄膜應(yīng)用具有重要意義。本發(fā)明制備的石墨烯薄膜可望在太陽(yáng)能電池、觸摸屏、電加熱膜等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為實(shí)施例1中過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜的XRD衍射圖譜；
圖2為實(shí)施例1中過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜的SEM照片；
圖3為實(shí)施例1中過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜的拉曼圖譜；
圖4為實(shí)施例1中過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜的方阻隨時(shí)間變化圖；
圖5為實(shí)施例1中過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜在不同煅燒溫度下的光透過(guò)率-波長(zhǎng)曲線；
圖6為不同氣氛下熱處理獲得的過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜的方阻變化趨勢(shì)圖；圖7為對(duì)比例I中不同物質(zhì)摻雜所得復(fù)合薄膜的方阻下降百分比隨熱處理溫度變化曲線(縱坐標(biāo)負(fù)號(hào)表示方阻升高)；
圖8為對(duì)比例2中所得復(fù)合薄膜的方阻下降百分比隨異丙醇釩溶液濃度的變化曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，應(yīng)理解，下述實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。
[0019]本發(fā)明以過(guò)渡金屬醇鹽的醇溶液為原料，在石墨烯表面沉積成膜，在空氣中熱處理，得到過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜。本發(fā)明在薄膜制備過(guò)程中完成了過(guò)渡金屬的摻雜，其中過(guò)渡金屬氧化物層的組成為金屬M(fèi)o、V、W和Ni的氧化物中的至少一種，優(yōu)選為金屬V的氧化物。金屬V的氧化物降低石墨烯電阻的效果最好，能夠降低石墨烯方阻達(dá)50%以上，并且能夠提尚石墨稀功函數(shù)0.3eV以上。
[0020]以下示例的說(shuō)明本發(fā)明提供的過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法。
[0021]將過(guò)渡金屬醇鹽溶液旋涂到石墨烯表面。本發(fā)明所述醇鹽在石墨烯表面的沉積方法為旋涂法。因?yàn)樵摲椒ㄒ子诓僮髑夷芎妮^低。
[0022]上述過(guò)渡金屬醇鹽醇鹽可為但不僅限于異丙醇鹽，優(yōu)選可為異丙醇鉬、異丙醇鎢、異丙醇釩、異丙醇鎳中的至少一種。本發(fā)明選擇過(guò)渡金屬異丙醇鹽因成本較低且易得。
[0023]上述用于溶解異丙醇鹽的溶劑一般可為醇，其中醇包括但不限于乙醇、丙醇、異丙醇、丙三醇、正丁醇中的至少一種，優(yōu)選為異丙醇。因?yàn)楫惐純r(jià)格低廉、且與石墨烯浸潤(rùn)性良好，成膜效果較好。
[0024]上述過(guò)渡金屬醇鹽溶液的濃度大于0.0Olmol/L且為0.lmol/L以下，優(yōu)選為介于0.0Olmol/L到0.016mol/L之間。濃度較高，成膜較厚，影響透過(guò)率;濃度較低，則摻雜效果不明顯。
[°°25] 上述旋涂的旋涂速度介于O到5000rpm之間，優(yōu)選介于1000到5000rpm之間。旋涂速度過(guò)高或過(guò)低，薄膜厚度都不理想。
[0026]在石墨烯表面旋涂成膜后進(jìn)行熱處理得到過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜。
[0027]上述熱處理的溫度介于25°C到800°C之間，優(yōu)選為介于100°C到500°C之間。由于在熱處理過(guò)程中，氧化物薄膜會(huì)繼續(xù)發(fā)生化學(xué)或者物理變化。過(guò)低的溫度，反應(yīng)尚未進(jìn)行，摻雜效果提升不明顯，甚至?xí)陆怠囟冗^(guò)高，可能會(huì)破壞石墨烯薄膜導(dǎo)致?lián)诫s石墨烯導(dǎo)電性變差?？傊词乖?5-100°C溫度下熱處理，與未摻雜石墨烯相比，摻雜石墨烯薄膜的電阻仍能明顯降低，因而本方法的成本更加低廉。
[0028]上述所述熱處理的氣氛可為空氣。因?yàn)榭諝庵械难鯕鈺?huì)提高金屬氧化物功函數(shù)，注入更多載流子到石墨烯之中，鞏固摻雜效果。
[0029]上述所述熱處理的時(shí)間介于0.5小時(shí)到24小時(shí)之間，優(yōu)選為介于I小時(shí)到5小時(shí)之間。煅燒時(shí)間過(guò)短會(huì)影響石墨烯的摻雜程度，煅燒時(shí)間過(guò)長(zhǎng)會(huì)浪費(fèi)能源。
[0030]本發(fā)明制備的過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜中過(guò)渡金屬氧化物層的厚度在1nm左右(見(jiàn)圖2)。復(fù)合薄膜的光透過(guò)率在85?92% (550nm)左右(見(jiàn)圖5)，方阻為100?300Ω/sq左右(見(jiàn)圖4)。
[0031]本發(fā)明制備的摻雜石墨烯薄膜，與未摻雜石墨烯薄膜相比，石墨烯功函數(shù)提高
0.01-2.0eV左右，方阻降低40 %?50 %。放置于空氣中700h后，方阻僅上升20 %?60 %。
[0032]下面進(jìn)一步例舉實(shí)施例以詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。同樣應(yīng)理解，以下實(shí)施例只用于對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明，不能理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的上述內(nèi)容作出的一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。下述示例具體的工藝參數(shù)等也僅是合適范圍中的一個(gè)示例，即本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過(guò)本文的說(shuō)明做合適的范圍內(nèi)選擇，而并非要限定于下文示例的具體數(shù)值。
[0033]實(shí)施例1
將0.0lml異丙醇銀(純度99%，Sigma-Aldrich)用Iml異丙醇稀釋，滴在轉(zhuǎn)移至石英基底的未摻雜石墨烯表面，5000rpm轉(zhuǎn)速下旋涂I分鐘。上述石墨烯片置于管式爐中，以20°C/分鐘的速率升溫至300°C，并保溫30min，得到VOx摻雜的石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。附圖1為其XRD衍射圖譜。可以看出在該溫度下，VOx呈一定晶化態(tài)，其在20.26°和41.26°的衍射峰對(duì)應(yīng)于結(jié)晶態(tài)的￥205(凡？0?#41-1426)，而在24.45°出現(xiàn)的小衍射峰則對(duì)應(yīng)于結(jié)晶態(tài)V3O7(JCPDF#27-0940)。薄膜表面SEM照片如附圖2a所示，可以看出VOx晶粒呈短棒狀，長(zhǎng)度小于lOOnm。截面SEM照片(附圖2b)表明，VOx層的厚度為1nm左右。摻雜前后石墨烯薄膜的拉曼光譜如附圖3所示，可以看出與未摻雜石墨烯相比，摻雜后石墨烯G峰出現(xiàn)了較大幅度的紅移，這表明石墨烯發(fā)生了 P型摻雜。摻雜前后石墨烯方阻變化及其穩(wěn)定性測(cè)試結(jié)果如附圖4所示，摻雜前石墨烯薄膜的方阻為400/sq，摻雜后石墨烯薄膜方阻為176/sq，下降幅度達(dá)到56%。從圖中還可以看出，樣品的穩(wěn)定性十分優(yōu)異，在空氣中放置700h之后，方阻僅上升59 %。附圖5為未摻雜和摻雜石墨烯的光透過(guò)率曲線，可見(jiàn)摻雜石墨烯在近紅外和可見(jiàn)光區(qū)具有優(yōu)異的光透過(guò)率，550nm處光透過(guò)率約為86%。
[0034]實(shí)施例2
將0.0lml異丙醇媽(純度99%，Sigma-Aldrich)用Iml異丙醇稀釋，滴到預(yù)先轉(zhuǎn)移至石英基底的石墨稀表面，5000rpm轉(zhuǎn)速下旋涂I分鐘，形成表面覆蓋薄層WOx的石墨稀薄膜。上述薄膜以200C/分鐘速率升至3000C，并保溫30min，獲得WOx摻雜的石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。經(jīng)測(cè)定，摻雜后石墨烯薄膜的表面電阻為250/sq，與未摻雜石墨烯薄膜(400/sq)相比，電阻下降幅度達(dá)到37.5%。其在550nm處光透過(guò)率為92%。
[0035]對(duì)比例I
將0.0lml異丙醇釩和異丙醇鎢分別用Iml異丙醇稀釋，滴到預(yù)先轉(zhuǎn)移至石英基底的石墨稀表面，5000rpm轉(zhuǎn)速下旋涂I分鐘，形成表面分別覆蓋薄層VOx和WOx的石墨稀薄膜。上述薄膜置于管式爐中，在空氣氣氛下，以20°C/分鐘速率升溫至150°C、300°C、40(rC，并保溫30min，獲得摻雜石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。摻雜后石墨烯薄膜方阻下降百分比如附圖7所示?？梢钥闯觯惐尖C的摻雜效果要優(yōu)于異丙醇鎢。
[0036]對(duì)比例2
分別量取0.0035ml,0.005ml和0.015ml異丙醇釩用Iml異丙醇稀釋，滴到預(yù)先轉(zhuǎn)移至石英基底的石墨稀表面，5000rpm轉(zhuǎn)速下旋涂I分鐘，形成表面覆蓋VOx薄層的石墨稀薄膜。將上述石墨烯薄膜放置于管式爐中，在空氣中以20°C/分鐘速率升溫至一定溫度之后保溫30min，得到摻雜石墨烯透明導(dǎo)電薄膜。摻雜后石墨烯薄膜方阻下降百分比如附圖8所示?？梢钥闯?，空氣中煅燒后，異丙醇釩的濃度越高摻雜效果越好。
[0037]對(duì)比例3
分別量取0.0lml異丙醇鹽溶液(釩和鎢)用Iml異丙醇稀釋，滴到預(yù)先轉(zhuǎn)移至石英基底的石墨稀表面，5000rpm轉(zhuǎn)速下旋涂I分鐘，形成表面分別覆蓋薄層VOx和WOx的石墨稀薄膜。將上述石墨烯薄膜放置于管式爐中，在空氣中以20°C/分鐘速率升溫至300°C之后，保溫30min、l小時(shí)和3小時(shí)。得到熱處理溫度不同的摻雜石墨烯。測(cè)試結(jié)果表明，摻雜薄膜的電阻和光透過(guò)率基本相同，表明熱處理時(shí)間對(duì)摻雜效果影響不大。
[0038]測(cè)試方法:利用四探針?lè)y(cè)試摻雜石墨烯薄膜表面方阻，利用拉曼光譜儀測(cè)試石墨烯摻雜程度，利用紫外-可見(jiàn)-近紅外分光光度計(jì)，測(cè)試薄膜光透過(guò)率。
[0039]圖6為不同氣氛下熱處理獲得的摻雜石墨烯方阻變化趨勢(shì)圖。從圖6中可知，摻雜石墨烯薄膜在空氣中退火比在氬氣中退火效果更為顯著，摻雜石墨烯透明導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電性提升更為明顯。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜，其特征在于，將過(guò)渡金屬醇鹽用醇溶解稀釋后旋涂在石墨烯表面對(duì)其進(jìn)行摻雜，經(jīng)過(guò)熱處理，得到過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜，所述過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜包括石墨烯層和沉積于石墨烯層上的過(guò)渡金屬氧化物層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜，其特征在于，所述過(guò)渡金屬氧化物層的組成為金屬M(fèi)o、V、W和Ni的氧化物中的至少一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜，其特征在于，所述過(guò)渡金屬氧化物層厚度為I nm?20 nm。4.一種如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述過(guò)渡金屬氧化物/石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，包括: (1)將過(guò)渡金屬醇鹽溶液旋涂到石墨烯表面； (2)將(I)所得旋涂后石墨烯在250C?8000C下，優(yōu)選100?500°C，煅燒0.5?24小時(shí)，優(yōu)選I?5小時(shí)，得到過(guò)渡金屬氧化物/石墨稀復(fù)合薄膜。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述過(guò)渡金屬醇鹽為異丙醇鹽，優(yōu)選為異丙醇鉬、異丙醇鎢、異丙醇釩、異丙醇鎳中的至少一種。6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，所述過(guò)渡金屬醇鹽溶液的溶劑為乙醇、正丙醇、異丙醇、丙三醇、正丁醇、乙二醇中的至少一種。7.根據(jù)權(quán)利要求4-6中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述醇鹽溶液的濃度為大于0.001 mol/L 目在0.1 mol/L以下，優(yōu)選為0.001 mol/L 到0.016 mol/L之間。8.根據(jù)權(quán)利要求4-7中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述旋涂的旋涂速度為O到5000 rpm之間，優(yōu)選為1000到5000 rpm之間。9.根據(jù)權(quán)利要求4-8中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述煅燒的氣氛為空氣氣氛。
【文檔編號(hào)】H05B3/14GK105845195SQ201610182599
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年3月28日
【發(fā)明人】劉陽(yáng)橋, 紀(jì)慶華, 孫靜, 施良晶, 王焱
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所