一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1:提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上形成有圖案化的掩膜層;步驟S2:以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述半導(dǎo)體襯底,以在所述半導(dǎo)體襯底中形成若干鰭片;其中,選用濕法蝕刻所述半導(dǎo)體襯底,所述濕法蝕刻的蝕刻液中含有保護(hù)試劑,在所述濕法蝕刻過(guò)程中所述保護(hù)試劑在所述鰭片的側(cè)壁上形成保護(hù)層。本發(fā)明所述方法能夠更加簡(jiǎn)單、易行,不會(huì)增加工藝步驟,而且可以降低干法蝕刻對(duì)所述鰭片側(cè)壁的損壞,不僅提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率,而且進(jìn)一步降低了工藝成本。
【專利說(shuō)明】
一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,具體地,本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路性能的提高主要是通過(guò)不斷縮小集成電路器件的尺寸以提高它的速度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。目前,由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)進(jìn)步到納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn),來(lái)自制造和設(shè)計(jì)方面的挑戰(zhàn)已經(jīng)促使三維設(shè)計(jì)如鰭片場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的發(fā)展。
[0003]相對(duì)于現(xiàn)有的平面晶體管,所述FinFET器件在溝道控制以及降低淺溝道效應(yīng)等方面具有更加優(yōu)越的性能;平面柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述溝道上方,而在FinFET中所述柵極環(huán)繞所述鰭片設(shè)置,因此能從三個(gè)面來(lái)控制靜電,在靜電控制方面的性能也更突出。在FinFET中柵極的長(zhǎng)度通過(guò)測(cè)量鰭片的平行長(zhǎng)度得到,所述柵極的寬度是所述鰭片高度的兩倍與鰭片寬之和,鰭片的高度限制了器件的電流以及柵極的電容,鰭片的寬度會(huì)影響器件的閾值電壓以及短溝道控制。
[0004]所述FinFET具有上述眾多優(yōu)點(diǎn),但只有在制備中克服工藝上的各種挑戰(zhàn)才能實(shí)現(xiàn)所述FinFET的全部潛能。其中溝道寬度的量化就是其中一個(gè)挑戰(zhàn),其中所述溝道寬度的量化限制了基于FinFET的SRAMs的設(shè)計(jì)空間。因此,對(duì)于基于FinFET的SRAMs來(lái)說(shuō)探索技術(shù)-電路協(xié)同的設(shè)計(jì)方案(technology-circuit co-design)是非常必要的。
[0005]進(jìn)一步,由光刻引起的專門的硅鰭片版圖限制制約了電路設(shè)計(jì)的靈活性,此外,在以模板為掩膜蝕刻形成鰭片的過(guò)程中,通常選用干法蝕刻,所述干法蝕刻不可避免的對(duì)所述鰭片造成損壞,從而影響制備得到的器件的良率和性能。
[0006]因此,需要對(duì)目前制備鰭片的方法作進(jìn)一步的改進(jìn),以便消除上述問(wèn)題,進(jìn)一步提高器件的良率和性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念,這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征,更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0008]本發(fā)明為了克服目前存在問(wèn)題,提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法,包括:
[0009]步驟S1:提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上形成有圖案化的掩膜層;
[0010]步驟S2:以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述半導(dǎo)體襯底,以在所述半導(dǎo)體襯底中形成若干鰭片;
[0011]其中,選用濕法蝕刻所述半導(dǎo)體襯底,所述濕法蝕刻的蝕刻液中含有保護(hù)試劑,在所述濕法蝕刻過(guò)程中所述保護(hù)試劑在所述鰭片的側(cè)壁上形成保護(hù)層。
[0012]可選地,在所述步驟S2中,所述蝕刻液選用TMAH。
[0013]可選地,所述TMAH的質(zhì)量百分濃度為0.5% -50%。
[0014]可選地,在所述步驟S2中,所述保護(hù)試劑選用乙二醇辛基苯基醚、聚乙二醇和十二烷基磺酸鈉聚乙二醇中的一種或多種。
[0015]可選地,在所述步驟S2中,所述蝕刻液中的所述保護(hù)試劑的質(zhì)量百分濃度為
0.01% -5%o
[0016]可選地,在所述步驟S2中,所述濕法蝕刻的溫度為5 0C -90 0C。
[0017]可選地,在所述步驟S2中,在所述濕法蝕刻過(guò)程中所述保護(hù)試劑貼敷在所述鰭片的側(cè)壁上,以形成所述保護(hù)層。
[0018]可選地,所述方法還進(jìn)一步包括步驟S3:
[0019]去除所述鰭片表面的所述保護(hù)層。
[0020]可選地,選用濕法清洗的方法去除所述保護(hù)層。
[0021]可選地,在所述步驟S2之后,所述方法還進(jìn)一步包括去除所述掩膜層的步驟。
[0022]可選地,在所述步驟SI中選用雙圖案方法或者極紫外光刻的方法形成所述圖案化的掩膜層。
[0023]本發(fā)明還提供了一種基于上述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。
[0024]本發(fā)明還提供了一種電子裝置,包括上述的半導(dǎo)體器件。
[0025]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法,所述方法中首先通過(guò)雙圖案方法在半導(dǎo)體襯底上形成掩膜層,然后選用濕法蝕刻來(lái)代替現(xiàn)有技術(shù)中的干法蝕刻來(lái)形成鰭片,所述濕法蝕刻中選用包含Triton、PEG或ASPEG以及類似的保護(hù)試劑,在所述濕法蝕刻中從頂部表面(110)開始往下蝕刻,所述保護(hù)試劑在所述鰭片的側(cè)壁上形成保護(hù)層,保護(hù)所述鰭片的側(cè)壁(110),避免所述鰭片的側(cè)壁受到損壞,然后去除所述掩膜層和所述保護(hù)層,以得到鰭片,最后執(zhí)行FinFET的其他工藝步驟。
[0026]本發(fā)明所述方法能夠更加簡(jiǎn)單、易行,不會(huì)增加工藝步驟,而且可以降低干法蝕刻對(duì)所述鰭片側(cè)壁的損壞,不僅提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率,而且進(jìn)一步降低了工藝成本。
【附圖說(shuō)明】
[0027]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述,用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中,
[0028]圖1a-1e為本發(fā)明一實(shí)施例中制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程示意圖;
[0029]圖2為本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]在下文的描述中,給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而,對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是,本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中,為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆,對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0031]應(yīng)當(dāng)理解的是,本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施,而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地,提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全,并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中,為了清楚,層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0032]應(yīng)當(dāng)明白,當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接至IJ”或“耦合至IJ”其它元件或?qū)訒r(shí),其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?,或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反,?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí),則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白,盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分,這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此,在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下,下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0033]空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等,在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白,除了圖中所示的取向以外,空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn),然后,描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此,示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。
[0034]在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí),單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式,除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”,當(dāng)在該說(shuō)明書中使用時(shí),確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí),術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0035]為了徹底理解本發(fā)明,將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu),以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下,然而除了這些詳細(xì)描述外,本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0036]實(shí)施例1
[0037]下面結(jié)合附圖1a-1e對(duì)本發(fā)明所述方法作進(jìn)一步的說(shuō)明,。
[0038]首先執(zhí)行步驟101,提供半導(dǎo)體襯底101,在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖案化的掩膜層 102。
[0039]具體地,如圖1a所示,所述半導(dǎo)體襯底101可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0040]可選地,還可以在所述半導(dǎo)體襯底中形成隔離結(jié)構(gòu),所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中形成淺溝槽隔離,所述半導(dǎo)體襯底中還形成有各種阱(well)結(jié)構(gòu)及襯底表面的溝道層。
[0041]—般來(lái)說(shuō),形成阱(well)結(jié)構(gòu)的離子摻雜導(dǎo)電類型與溝道層離子摻雜導(dǎo)電類型相同,但是濃度較柵極溝道層低,離子注入的深度泛圍較廣,同時(shí)需達(dá)到大于隔離結(jié)構(gòu)的深度。
[0042]此外,半導(dǎo)體襯底上可以被定義有源區(qū)。在該有源區(qū)上還可以包含有其他的有源器件,為了方便,在所示圖形中并沒有標(biāo)示。
[0043]可選地,在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖案化的掩膜層102,形成方法可以為雙圖案方法,例如所述方法可以包括:在所述半導(dǎo)體襯底上形成掩膜層以及光刻膠層(圖中未示出),然后進(jìn)行曝光顯影,以在光刻膠層中形成開口,接著以所述光刻膠層為掩膜蝕刻所述掩膜層,將所述圖案轉(zhuǎn)移至所述掩膜層中。
[0044]進(jìn)一步,所述掩膜層102可以選用硬掩膜,例如SiN等材料,并不局限于某一種。
[0045]在該步驟中所述蝕刻選用各向異性的反應(yīng)離子蝕刻,所述回蝕刻選用CxFy的蝕刻氣氛。例如CF4、CHF3, C4F8或C5F8,在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中,所述蝕刻可以選用CF4, CHF3,另外加上N2、0)2中的一種作為蝕刻氣氛,其中氣體流量為CF4 10-200sccm, CHF310-200sccm,N2SC02S02 10_400sccm,所述蝕刻壓力為 30_150mTorr,蝕刻時(shí)間為 5_120s,可選為5-60s。
[0046]其中所述圖案為后續(xù)步驟中所要形成的鰭片圖案。
[0047]可選地,在該步驟中還可以選用極紫外光刻的方法形成所述圖案化的掩膜層。需要說(shuō)明的是,所述方法僅僅為示例性的,并不局限于該示例。
[0048]執(zhí)行步驟102,以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述半導(dǎo)體襯底101,以在所述半導(dǎo)體襯底中形成若干鰭片;其中,選用濕法蝕刻所述半導(dǎo)體襯底,所述濕法蝕刻的蝕刻液中包含保護(hù)試劑,在所述濕法蝕刻過(guò)程中所述保護(hù)試劑在所述鰭片的側(cè)壁上形成保護(hù)層103。
[0049]具體地,如圖1b-1d所示,如圖1b所示,在所述掩膜層之間的開口中滴入蝕刻液,從頂部表面(110)開始往下蝕刻,在蝕刻過(guò)程中,所述保護(hù)試劑在所述鰭片的側(cè)壁上形成保護(hù)層以保護(hù)所述鰭片的側(cè)壁(110),如圖1c-1d所示,避免所述鰭片的側(cè)壁受到損壞。
[0050]可選地,在蝕刻過(guò)程中所述保護(hù)試劑貼敷在所述鰭片的側(cè)壁上,以形成所述保護(hù)層。
[0051 ] 可選地,所述蝕刻液選用TMAH,所述TMAH的質(zhì)量百分濃度為0.5 % -50 %。
[0052]進(jìn)一步,所述濕法蝕刻的溫度為5 0C -90 0C。
[0053]進(jìn)一步,所述保護(hù)試劑選用乙二醇辛基苯基醚(Triton)、聚乙二醇(PEG)和十二烷基磺酸鈉聚乙二醇(ASPEG)中的一種或多種,以及類似的保護(hù)試劑。
[0054]進(jìn)一步,所述蝕刻液中的所述保護(hù)試劑的質(zhì)量百分濃度為0.01% -5%。
[0055]在本發(fā)明中在所述濕法蝕刻中從頂部表面(110)開始往下蝕刻,所述保護(hù)試劑保護(hù)所述鰭片的側(cè)壁(110),降低干法蝕刻對(duì)所述鰭片側(cè)壁的損壞。
[0056]執(zhí)行步驟103,去除所述鰭片表面的所述保護(hù)層103。
[0057]具體地,如圖1e所示,在該步驟中選用濕法清洗的方法去除所述保護(hù)層。,以避免對(duì)所述鰭片的側(cè)壁造成損壞。
[0058]可選地,在去除所述鰭片表面的所述保護(hù)層103之前或者之后或同時(shí),還可以進(jìn)一步去除所述掩膜層。
[0059]可選地,選用濕法清洗去除所述掩膜層,以避免對(duì)所述鰭片的側(cè)壁造成損壞。
[0060]可選地,在得到鰭片之后執(zhí)行FinFET的其他常規(guī)工藝,在此不再做進(jìn)一步描述。
[0061]至此,完成了本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟的介紹。在步驟103之后,還可以包括其他相關(guān)步驟,此處不再贅述。并且,除了上述步驟之外,本實(shí)施例的制造方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟,這些步驟均可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來(lái)實(shí)現(xiàn),此處不再贅述。
[0062]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法,所述方法中首先通過(guò)雙圖案方法在半導(dǎo)體襯底上形成掩膜層,然后選用濕法蝕刻來(lái)代替現(xiàn)有技術(shù)中的干法蝕刻來(lái)形成鰭片,所述濕法蝕刻中選用包含Triton、PEG或ASPEG以及類似的保護(hù)試劑,在所述濕法蝕刻中從頂部表面(110)開始往下蝕刻,所述保護(hù)試劑在所述鰭片的側(cè)壁上形成保護(hù)層,保護(hù)所述鰭片的側(cè)壁(110),避免所述鰭片的側(cè)壁受到損壞,然后去除所述掩膜層和所述保護(hù)層,以得到鰭片,最后執(zhí)行FinFET的其他工藝步驟。
[0063]本發(fā)明所述方法能夠更加簡(jiǎn)單、易行,不會(huì)增加工藝步驟,而且可以降低干法蝕刻對(duì)所述鰭片側(cè)壁的損壞,不僅提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率,而且進(jìn)一步降低了工藝成本。
[0064]圖2為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述半導(dǎo)體器件的制備工藝流程圖,具體包括以下步驟:
[0065]步驟S1:提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上形成有圖案化的掩膜層;
[0066]步驟S2:以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述半導(dǎo)體襯底,以在所述半導(dǎo)體襯底中形成若干鰭片;
[0067]其中,選用濕法蝕刻所述半導(dǎo)體襯底,所述濕法蝕刻的蝕刻液中含有保護(hù)試劑,在所述濕法蝕刻過(guò)程中所述保護(hù)試劑在所述鰭片的側(cè)壁上形成保護(hù)層。
[0068]實(shí)施例2
[0069]本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件選用實(shí)施例1所述的方法制備。通過(guò)本發(fā)明方法制備得到的半導(dǎo)體器件中鰭片的側(cè)壁具有更好的輪廓,所述鰭片的側(cè)壁沒有受到損壞,進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率。
[0070]實(shí)施例3
[0071]本發(fā)明還提供了一種電子裝置,包括實(shí)施例2所述的半導(dǎo)體器件。其中,半導(dǎo)體器件為實(shí)施例1所述的半導(dǎo)體器件,或根據(jù)實(shí)施例1所述的制備方法得到的半導(dǎo)體器件。
[0072]本實(shí)施例的電子裝置,可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、V⑶、DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備,也可為任何包括所述半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置,由于使用了上述的半導(dǎo)體器件,因而具有更好的性能。
[0073]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明,但應(yīng)當(dāng)理解的是,上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的,而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是,本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例,根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改,這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法,包括: 步驟S1:提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上形成有圖案化的掩膜層; 步驟S2:以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述半導(dǎo)體襯底,以在所述半導(dǎo)體襯底中形成若干鰭片; 其中,選用濕法蝕刻所述半導(dǎo)體襯底,所述濕法蝕刻的蝕刻液中含有保護(hù)試劑,在所述濕法蝕刻過(guò)程中所述保護(hù)試劑在所述鰭片的側(cè)壁上形成保護(hù)層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步驟S2中,所述蝕刻液選用TMAH。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述TMAH的質(zhì)量百分濃度為0.5% -50%。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,在所述步驟S2中,所述保護(hù)試劑選用乙二醇辛基苯基醚、聚乙二醇和十二烷基磺酸鈉聚乙二醇中的一種或多種。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,在所述步驟S2中,所述蝕刻液中的所述保護(hù)試劑的質(zhì)量百分濃度為0.01% -5%。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步驟S2中,所述濕法蝕刻的溫度為5 0C -90。。。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步驟S2中,在所述濕法蝕刻過(guò)程中所述保護(hù)試劑貼敷在所述鰭片的側(cè)壁上,以形成所述保護(hù)層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還進(jìn)一步包括步驟S3: 去除所述鰭片表面的所述保護(hù)層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,選用濕法清洗的方法去除所述保護(hù)層。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步驟S2之后,所述方法還進(jìn)一步包括去除所述掩膜層的步驟。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步驟Si中選用雙圖案方法或者極紫外光刻的方法形成所述圖案化的掩膜層。12.—種基于權(quán)利要求1至11之一所述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。13.一種電子裝置,包括權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK105845572SQ201510019287
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年1月14日
【發(fā)明人】林靜
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司