附有樹脂引線框及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】提供一種附有樹脂引線框和半導(dǎo)體裝置，附有樹脂引線框具備：芯片襯墊，其載置LED元件；和引線部，其相對于所述芯片襯墊分離地設(shè)置；所述芯片襯墊與所述引線部分別具有相對面，所述芯片襯墊的所述相對面與所述引線部的所述相對面經(jīng)由所述芯片襯墊與所述引線部之間的空間而彼此相對，所述芯片襯墊的所述相對面具有位于所述芯片襯墊的厚度方向中間的突起，所述突起朝向所述空間突出，所述芯片襯墊與所述引線部之間的所述空間填充有反射樹脂，所述芯片襯墊的底面、所述引線部的底面、以及所述反射樹脂的底面位于同一平面上。
【專利說明】附有樹脂引線框及半導(dǎo)體裝置
[0001 ] 本申請是于2011年10月31日提交的申請?zhí)枮?01180049957.X、名稱為“LED元件搭載用引線框、附有樹脂引線框、半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體元件搭載用引線框”的專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及LED元件搭載用引線框、附有樹脂引線框、半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體元件搭載用引線框。
【背景技術(shù)】
[0003]傳統(tǒng)，作為樹脂密封型半導(dǎo)體裝置用的引線框(leadframe)，例如有特開2001-326316號(hào)公報(bào)記載的引線框。這樣的引線框中，在各芯片襯墊周圍配置多個(gè)端子部，連接這些多個(gè)端子部和懸置引線的系桿(tie bar)縱橫地格子狀配置。
[0004]另一方面，近年，以LED(發(fā)光二極管)元件為光源的照明裝置應(yīng)用于各種家電、OA設(shè)備、車輛設(shè)備的顯示燈、一般照明、車載照明及顯示器等。這樣的照明裝置中，也包含通過在引線框搭載LED元件而制作的半導(dǎo)體裝置。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2001-326316號(hào)公報(bào)。
[0006]LED元件用的半導(dǎo)體裝置或離散的半導(dǎo)體元件用的半導(dǎo)體裝置中，在芯片襯墊的周圍，有芯片襯墊和引線直線狀配置為一列的情況。這樣的半導(dǎo)體裝置中采用的引線框的場合，不同于上述傳統(tǒng)的引線框，不設(shè)置縱橫的格子狀的系桿，將相互相鄰的芯片襯墊彼此及引線部彼此連結(jié)，可以增加一個(gè)引線框中的元件的安裝數(shù)，高效制造引線框。
[0007]該場合，芯片襯墊和引線部為了不發(fā)生短路，必須間隔配置。因而，各芯片襯墊和各引線部之間的間隙連通到一起，產(chǎn)生形成了與引線框的一邊平行的多個(gè)細(xì)長空間的問題。因而，引線框形成錯(cuò)位狀，處理時(shí)可能在引線框發(fā)生變形。
[0008]本發(fā)明考慮這樣的問題而提出，目的是提供LED元件搭載用引線框、附有樹脂引線框、半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體元件搭載用引線框，可以防止在芯片襯墊和引線部之間的間隙發(fā)生連通后在引線框形成細(xì)長空間而導(dǎo)致引線框形成錯(cuò)位狀，并防止在處理時(shí)發(fā)生變形。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明提供一種附有樹脂引線框，其特征在于，具備:芯片襯墊，其載置LED元件；和引線部，其相對于所述芯片襯墊分離地設(shè)置;所述芯片襯墊與所述引線部分別具有相對面，所述芯片襯墊的所述相對面與所述引線部的所述相對面經(jīng)由所述芯片襯墊與所述引線部之間的空間而彼此相對，所述芯片襯墊的所述相對面具有位于所述芯片襯墊的厚度方向中間的突起，所述突起朝向所述空間突出，所述芯片襯墊與所述引線部之間的所述空間填充有反射樹脂，所述芯片襯墊的底面、所述引線部的底面、以及所述反射樹脂的底面位于同一平面上。
[0010]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備:芯片襯墊；引線部，其相對于所述芯片襯墊分離地設(shè)置;LED元件，其搭載于所述芯片襯墊上；導(dǎo)電部，其將所述引線部與所述LED元件電連接；以及密封樹脂部，其將所述LED元件與所述導(dǎo)電部密封;所述芯片襯墊與所述引線部分別具有相對面，所述芯片襯墊的所述相對面與所述引線部的所述相對面經(jīng)由所述芯片襯墊與所述引線部之間的空間而彼此相對，所述芯片襯墊的所述相對面具有位于所述芯片襯墊的厚度方向中間的突起，所述突起朝向所述空間突出，所述芯片襯墊與所述引線部之間的所述空間填充有反射樹脂，所述芯片襯墊的底面、所述引線部的底面、以及所述反射樹脂的底面位于同一平面上。
[0011]本發(fā)明是一種LED元件搭載用引線框，其特征在于，具備:框體區(qū)域;和在框體區(qū)域內(nèi)多列及多行配置的多個(gè)封裝區(qū)域，各個(gè)封裝區(qū)域包含搭載LED元件的芯片襯墊和與芯片襯墊相鄰的引線部，且相互經(jīng)由切割區(qū)域連接;其中，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的傾斜增強(qiáng)片連結(jié)。
[0012]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部和上述相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過引線連結(jié)部連結(jié)。
[0013]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和上述相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊通過芯片襯墊連結(jié)部連結(jié)。
[0014]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰的第I封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的第I傾斜增強(qiáng)片連結(jié)，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰且對于上述一個(gè)封裝區(qū)域位于與第I封裝區(qū)域相反的一側(cè)的第2封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的第2傾斜增強(qiáng)片連結(jié)。
[0015]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和上述相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的第I傾斜增強(qiáng)片連結(jié)，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部和上述相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊通過位于切割區(qū)域的第2傾斜增強(qiáng)片連結(jié)。
[0016]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊通過位于切割區(qū)域的一對追加傾斜增強(qiáng)片連結(jié)到與芯片襯墊側(cè)相鄰的斜上方及斜下方的封裝區(qū)域內(nèi)的引線部。
[0017]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的一對追加傾斜增強(qiáng)片連結(jié)到與引線部側(cè)相鄰的斜上方及斜下方的封裝區(qū)域內(nèi)的引線部。
[0018]本發(fā)明是一種LED元件搭載用引線框，其特征在于，具備:框體區(qū)域;和在框體區(qū)域內(nèi)多列及多行配置的多個(gè)封裝區(qū)域，各個(gè)封裝區(qū)域包含搭載LED元件的芯片襯墊和與芯片襯墊相鄰的引線部，且相互經(jīng)由切割區(qū)域連接;其中，至少一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過引線連結(jié)部連結(jié)，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊通過位于切割區(qū)域的傾斜增強(qiáng)片連結(jié)。
[0019]本發(fā)明的引線框，其特征在于，傾斜增強(qiáng)片包括主體和在主體上形成的鍍層。
[0020]本發(fā)明是一種附有樹脂引線框，其特征在于，具備:引線框;和在引線框的各封裝區(qū)域周緣上配置的反射樹脂。
[0021]本發(fā)明是一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備:準(zhǔn)備附有樹脂引線框的步驟;在附有樹脂引線框的各反射樹脂內(nèi)且在各芯片襯墊上搭載LED元件的步驟;通過導(dǎo)電部連接LED元件和各引線部的步驟；向附有樹脂引線框的各反射樹脂內(nèi)填充密封(封裝)樹脂的步驟;和通過切斷反射樹脂及引線框，將反射樹脂及引線框按每個(gè)LED元件分離的步驟。
[0022]本發(fā)明是一種半導(dǎo)體元件搭載用引線框，其特征在于，具備:框體區(qū)域;和在框體區(qū)域內(nèi)多列及多行配置的多個(gè)封裝區(qū)域，各個(gè)封裝區(qū)域包含搭載LED元件的芯片襯墊和與芯片襯墊相鄰的引線部，且相互經(jīng)由切割區(qū)域連接;其中，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的傾斜增強(qiáng)片連結(jié)。
[0023]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部和上述相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過引線連結(jié)部連結(jié)。
[0024]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和上述相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊通過芯片襯墊連結(jié)部連結(jié)。
[0025]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰的第I封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的第I傾斜增強(qiáng)片連結(jié)，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰且對于上述一個(gè)封裝區(qū)域位于與第I封裝區(qū)域相反的一側(cè)的第2封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的第2傾斜增強(qiáng)片連結(jié)。
[0026]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和上述相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的第I傾斜增強(qiáng)片連結(jié)，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部和上述相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊通過位于切割區(qū)域的第2傾斜增強(qiáng)片連結(jié)。
[0027]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊通過位于切割區(qū)域的一對追加傾斜增強(qiáng)片連結(jié)到與芯片襯墊側(cè)相鄰的斜上方及斜下方的封裝區(qū)域內(nèi)的引線部。
[0028]本發(fā)明的引線框，其特征在于，上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的一對追加傾斜增強(qiáng)片連結(jié)到與引線部側(cè)相鄰的斜上方及斜下方的封裝區(qū)域內(nèi)的引線部。
[0029]本發(fā)明是一種半導(dǎo)體元件搭載用引線框，其特征在于，具備:框體區(qū)域;和在框體區(qū)域內(nèi)多列及多行配置的多個(gè)封裝區(qū)域，各個(gè)封裝區(qū)域包含搭載半導(dǎo)體元件的芯片襯墊和與芯片襯墊相鄰的引線部，且相互經(jīng)由切割區(qū)域連接;其中，至少一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過引線連結(jié)部連結(jié)，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的引線部和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊通過位于切割區(qū)域的傾斜增強(qiáng)片連結(jié)。
[0030]根據(jù)本發(fā)明，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的引線部通過位于切割區(qū)域的傾斜增強(qiáng)片連結(jié)，因此，不會(huì)產(chǎn)生各芯片襯墊和各引線部之間的間隙連通，形成與引線框的一邊平行的多個(gè)細(xì)長空間的情況。從而，在處理時(shí)可以防止引線框產(chǎn)生變形。
[0031]本發(fā)明是一種LED元件搭載用引線框，其特征在于，具備:框體區(qū)域;和在框體區(qū)域內(nèi)多列及多行配置的多個(gè)封裝區(qū)域，各個(gè)封裝區(qū)域包含搭載LED元件的芯片襯墊和與芯片襯墊相鄰的引線部，且相互經(jīng)由切割區(qū)域連接;其中，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部分別通過芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部連結(jié)，芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部通過位于切割區(qū)域的增強(qiáng)片連結(jié)。
[0032]本發(fā)明的引線框，其特征在于，增強(qiáng)片延伸至框體區(qū)域內(nèi)側(cè)的全長，連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部。
[0033]本發(fā)明的引線框，其特征在于，分別連結(jié)上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰的第I封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部的芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部，通過位于切割區(qū)域的增強(qiáng)片連結(jié)，分別連結(jié)上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰且對于上述一個(gè)封裝區(qū)域位于與第I封裝區(qū)域相反的一側(cè)的第2封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部的芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部，不通過增強(qiáng)片連結(jié)。
[0034]本發(fā)明的引線框，其特征在于，增強(qiáng)片僅僅在分別連結(jié)到上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部的芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部間延伸，連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部。
[0035]本發(fā)明的引線框，其特征在于，各封裝區(qū)域包含一個(gè)芯片襯墊，和位于該芯片襯墊的兩側(cè)的第I引線部及第2引線部，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊、第I引線部及第2引線部和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊、第I引線部及第2引線部分別通過芯片襯墊連結(jié)部、第I引線連結(jié)部及第2引線連結(jié)部連結(jié)，在上述一個(gè)封裝區(qū)域和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰的第I封裝區(qū)域之間，增強(qiáng)片僅僅在芯片襯墊連結(jié)部及第I引線連結(jié)部間延伸，連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部及第I引線連結(jié)部，在上述一個(gè)封裝區(qū)域和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰且對于上述一個(gè)封裝區(qū)域位于與第I封裝區(qū)域相反的一側(cè)的第2封裝區(qū)域之間，增強(qiáng)片僅僅在芯片襯墊連結(jié)部及第2引線連結(jié)部間延伸，連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部及第2引線連結(jié)部。
[0036]本發(fā)明是一種LED元件搭載用引線框，其特征在于，框體區(qū)域;和在框體區(qū)域內(nèi)多列及多行配置的多個(gè)封裝區(qū)域，各個(gè)封裝區(qū)域包含搭載LED元件的芯片襯墊和與芯片襯墊相鄰的引線部，且相互經(jīng)由切割區(qū)域連接;其中，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部和縱方向相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部分別通過芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部連結(jié)，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域中，位于部分切割區(qū)域的芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部通過位于該切割區(qū)域的增強(qiáng)片連結(jié)。
[0037]本發(fā)明的引線框，其特征在于，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域中，設(shè)有增強(qiáng)片的切割區(qū)域每隔預(yù)定數(shù)(行數(shù))周期地設(shè)置。
[0038]本發(fā)明的引線框，其特征在于，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域中，設(shè)有增強(qiáng)片的切割區(qū)域不規(guī)則地設(shè)置。
[0039]本發(fā)明的引線框，其特征在于，增強(qiáng)片包括主體和在主體上形成的鍍層。
[0040]本發(fā)明是一種附有樹脂引線框，其特征在于，具備:引線框;和在引線框的各封裝區(qū)域周緣上配置的反射樹脂。
[0041]本發(fā)明是一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備:準(zhǔn)備附有樹脂引線框的步驟;在附有樹脂引線框的各反射樹脂內(nèi)且在各芯片襯墊上搭載LED元件的步驟;通過導(dǎo)電部連接LED元件和各引線部的步驟；向附有樹脂引線框的各反射樹脂內(nèi)填充密封樹脂的步驟;通過切斷反射樹脂及引線框，將反射樹脂及引線框按每個(gè)LED元件分離的步驟。
[0042]本發(fā)明是一種半導(dǎo)體元件搭載用引線框，其特征在于，具備:框體區(qū)域;和在框體區(qū)域內(nèi)多列及多行配置的多個(gè)封裝區(qū)域，各個(gè)封裝區(qū)域包含搭載半導(dǎo)體元件的芯片襯墊和與芯片襯墊相鄰的引線部，且相互經(jīng)由切割區(qū)域連接;其中，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部分別通過芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部連結(jié)，芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部通過位于切割區(qū)域的增強(qiáng)片連結(jié)。
[0043]本發(fā)明的引線框，其特征在于，增強(qiáng)片延伸至框體區(qū)域內(nèi)側(cè)的全長，連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部。
[0044]本發(fā)明的引線框，其特征在于，分別連結(jié)上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰的第I封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部的芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部，通過位于切割區(qū)域的增強(qiáng)片連結(jié)，分別連結(jié)上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰且對于上述一個(gè)封裝區(qū)域位于與第I封裝區(qū)域相反的一側(cè)的第2封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部的芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部，不通過增強(qiáng)片連結(jié)。
[0045]本發(fā)明的引線框，其特征在于，增強(qiáng)片僅僅在分別連結(jié)到上述一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊及引線部的芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部間延伸，連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部。
[0046]本發(fā)明的引線框，其特征在于，各封裝區(qū)域包含一個(gè)芯片襯墊，和位于該芯片襯墊的兩側(cè)的第I引線部及第2引線部，一個(gè)封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊、第I引線部及第2引線部和相鄰的其他封裝區(qū)域內(nèi)的芯片襯墊、第I引線部及第2引線部分別通過芯片襯墊連結(jié)部、第I引線連結(jié)部及第2引線連結(jié)部連結(jié)，在上述一個(gè)封裝區(qū)域和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰的第I封裝區(qū)域之間，增強(qiáng)片僅僅在芯片襯墊連結(jié)部及第I引線連結(jié)部間延伸，連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部及第I引線連結(jié)部，在上述一個(gè)封裝區(qū)域和與上述一個(gè)封裝區(qū)域相鄰且對于上述一個(gè)封裝區(qū)域位于與第I封裝區(qū)域相反的一側(cè)的第2封裝區(qū)域之間，增強(qiáng)片僅僅在芯片襯墊連結(jié)部及第2引線連結(jié)部間延伸，連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部及第2引線連結(jié)部。
[0047]本發(fā)明的引線框，其特征在于，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域中，設(shè)有增強(qiáng)片的切割區(qū)域每隔預(yù)定數(shù)(行數(shù))周期地設(shè)置。
[0048]本發(fā)明的引線框，其特征在于，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域中，設(shè)有增強(qiáng)片的切割區(qū)域不規(guī)則地設(shè)置。
[0049]根據(jù)本發(fā)明，芯片襯墊連結(jié)部及引線連結(jié)部通過位于切割區(qū)域的增強(qiáng)片連結(jié)，因此，不會(huì)產(chǎn)生各芯片襯墊和各引線部之間的間隙連通，形成與引線框的一邊平行的多個(gè)細(xì)長空間的情況。從而，在處理時(shí)可以防止在引線框產(chǎn)生變形。
【附圖說明】
[0050]圖1是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的全體俯視圖。
[0051]圖2是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的部分放大俯視圖(圖1的A部放大圖)。
[0052]圖3是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的截面圖(圖2的B-B線截面圖)。
[0053]圖4是由本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框制作的半導(dǎo)體裝置的截面圖(圖5的C-C線截面圖)。
[0054]圖5是由本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框制作的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0055]圖6是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的制造方法的示圖。
[0056]圖7是用本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框制造半導(dǎo)體裝置的方法的示圖。
[0057]圖8是用本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框制造半導(dǎo)體裝置的方法的示圖。
[0058]圖9是制造半導(dǎo)體裝置的方法中，切割工序的示圖。
[0059]圖10是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例1-1)的部分放大俯視圖。
[0060]圖11是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例1-2)的部分放大俯視圖。
[0061]圖12是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例1-3)的部分放大俯視圖。
[0062]圖13是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例1-4)的部分放大俯視圖。
[0063]圖14是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例1-5)的部分放大俯視圖。
[0064]圖15是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例1-6)的部分放大俯視圖。
[0065]圖16是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例1-7)的部分放大俯視圖。
[0066]圖17是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例1-8)的部分放大俯視圖。
[0067]圖18是半導(dǎo)體裝置的變形例(變形例A)的截面圖。
[0068]圖19是半導(dǎo)體裝置的變形例(變形例B)的截面圖。
[0069]圖20是半導(dǎo)體裝置的變形例(變形例C)的截面圖。
[0070]圖21是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的全體俯視圖。
[0071]圖22是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的部分放大俯視圖(圖21的D部放大圖)。
[0072]圖23是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的截面圖(圖22的E-E線截面圖)。
[0073]圖24是由本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框制作的半導(dǎo)體裝置的截面圖(圖25的F-F線截面圖)。
[0074]圖25是由本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框制作的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0075]圖26是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的制造方法的示圖。
[0076]圖27是用本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框制造半導(dǎo)體裝置的方法的示圖。
[0077]圖28是用本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框制造半導(dǎo)體裝置的方法的示圖。
[0078]圖29是制造半導(dǎo)體裝置的方法中，切割工序的示圖。
[0079]圖30是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-1)的部分放大俯視圖。
[0080]圖31是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-2)的部分放大俯視圖。
[0081]圖32是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-3)的部分放大俯視圖。
[0082]圖33是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-4)的部分放大俯視圖。
[0083]圖34是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-5)的部分放大俯視圖。
[0084]圖35是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-6)的部分放大俯視圖。
[0085]圖36是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-7)的部分放大俯視圖。
[0086]圖37是用變形例2_7(圖36)的引線框制作的半導(dǎo)體裝置的概略俯視圖。
[0087]圖38是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-8)的部分放大俯視圖。
[0088]圖39是用變形例2_8(圖38)的引線框制作的半導(dǎo)體裝置的概略俯視圖。
[0089]圖40是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-9)的部分放大俯視圖。
[0090]圖41是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的變形例(變形例2-10)的部分放大俯視圖。
[0091]圖42是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的引線框的截面圖。
[0092]圖43是由本發(fā)明的第3實(shí)施方式的引線框制作的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
[0093]圖44是用本發(fā)明的第3實(shí)施方式的引線框制造半導(dǎo)體裝置的方法的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0094](第丨實(shí)施方式)
[0095]以下，參照【附圖說明】本發(fā)明的第I實(shí)施方式。圖1至圖6是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的示圖。
[0096]以下，參照圖1至圖20說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式。
[0097]引線框的構(gòu)成
[0098]首先，通過圖1至圖3，說明本實(shí)施方式的LED元件搭載用引線框的概略。圖1是本實(shí)施方式的引線框的全體俯視圖，圖2是圖1的A部放大圖，圖3是圖2的B-B線截面圖。
[0099]圖1所示引線框10在制作搭載了LED元件21的半導(dǎo)體裝置20(圖4及圖5)時(shí)采用。這樣的引線框10具備:具有矩形狀的外形的框體區(qū)域13和在框體區(qū)域13內(nèi)多列及多行(矩陣狀)配置的多個(gè)封裝區(qū)域14。
[0100]如圖2所示，多個(gè)封裝區(qū)域14的各個(gè)包含:搭載LED元件21的芯片襯墊(diepad)25和與芯片襯墊25相鄰的引線部26。另外，多個(gè)封裝區(qū)域14相互經(jīng)由切割(dicing)區(qū)域15連接。
[0101]在一個(gè)封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和引線部26之間，形成間隙，切割后，芯片襯墊25和引線部26形成相互電氣絕緣。另外，各封裝區(qū)域14是分別與各個(gè)半導(dǎo)體裝置20對應(yīng)的區(qū)域。另外，圖2中，各封裝區(qū)域14用兩點(diǎn)劃線表示。
[0102]另一方面，切割區(qū)域15在各封裝區(qū)域14間縱橫延伸。該切割區(qū)域15如后述，在制造半導(dǎo)體裝置20的工序中，成為將引線框10按每個(gè)封裝區(qū)域14分離時(shí)刀片38通過的區(qū)域。另夕卜，圖2中，切割區(qū)域15用陰影表示。
[0103]另外，本說明書中，如圖2所示，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和芯片襯墊25左右并排配置時(shí)的橫方向與X方向?qū)?yīng)，縱方向與Y方向?qū)?yīng)。該場合，將Y方向正側(cè)、Y方向負(fù)側(cè)分別稱為上方、下方，將X方向正側(cè)、X方向負(fù)側(cè)分別稱為右方、左方。
[0104]如圖2所示，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和其上方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過傾斜增強(qiáng)片51相互連結(jié)。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和其下方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過傾斜增強(qiáng)片51相互連結(jié)。各傾斜增強(qiáng)片51位于切割區(qū)域15，且相對于圖2的X方向及Y方向都傾斜配置。
[0105]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和其上方及下方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26分別通過引線連結(jié)部52連結(jié)。而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和其上方及下方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25分別通過芯片襯墊連結(jié)部53連結(jié)。這些各引線連結(jié)部52及各芯片襯墊連結(jié)部53都位于切割區(qū)域15，且與Y方向平行配置。
[0106]而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和其右方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。而且，另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和其左方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。各封裝區(qū)域連結(jié)部54位于切割區(qū)域15，且與X方向平行配置。
[0107]另外，位于最外周的封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26及芯片襯墊25通過傾斜增強(qiáng)片51、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54中的一個(gè)或多個(gè)，與框體區(qū)域13連結(jié)。
[0108]另一方面，如圖3的截面圖所示，引線框10包括引線框主體11和在引線框主體11上形成的鍍層12。
[0109]其中，引線框主體11包括金屬板。構(gòu)成引線框主體11的金屬板的材料可以是例如銅、銅合金、42合金(Ni42%的Fe合金)等。該引線框主體11的厚度取決于半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成，但是優(yōu)選為0.05mm?0.5mm。
[0110]另外，鍍層12設(shè)置在引線框主體11的表面及背面的全體。表面?zhèn)鹊腻儗?2起到反射來自LED元件21的光的反射層的功能。另一方面，背面?zhèn)鹊腻儗?2起到提高與焊料的粘合性的作用。該鍍層12包括例如銀(Ag)的電解鍍層。鍍層12的厚度極薄地形成，具體地說，優(yōu)選為0.005μπι?0.2μπι。另外，鍍層12不必必需設(shè)置在引線框主體11的表面及背面的全體，也可以僅僅設(shè)置在引線框主體11的表面及背面中的部分區(qū)域。
[0111]另外，在芯片襯墊25的背面形成第I外引線部27，在引線部26的底面形成第2外引線部28。第I外引線部27及第2外引線部28分別在半導(dǎo)體裝置20和外部的布線基板連接時(shí)使用。
[0112]而且，在引線框10的表面，形成用于提高引線框10和反射樹脂23(后述)的粘合性的溝18。另外，圖2中，溝18的顯示省略。
[0113]半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成
[0114]接著，通過圖4及圖5，說明用圖1至圖3所示引線框制作的半導(dǎo)體裝置的一實(shí)施方式。圖4及圖5分別是半導(dǎo)體裝置(SON類型)的截面圖及俯視圖。
[0115]如圖4及圖5所示，半導(dǎo)體裝置20具備:(單片化)引線框10;在引線框10的芯片襯墊25載置的LED元件21;電氣連接LED元件21和引線框10的引線部26的接合線(導(dǎo)電部)22。
[0116]另外，為了包圍LED元件21，設(shè)置具有凹部23a的反射樹脂23。該反射樹脂23與引線框10—體化。而且，LED元件21和接合線22通過透光性的密封樹脂24密封。該密封樹脂24在反射樹脂23的凹部23a內(nèi)填充。
[0117]以下，依次說明構(gòu)成這樣的半導(dǎo)體裝置20的各構(gòu)成部件。
[0118]LED元件21中，作為發(fā)光層，通過適當(dāng)選擇包括例如GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP或InGaN等的化合物半導(dǎo)體單晶的材料，可以選擇從紫外光到紅外光的發(fā)光波長。這樣的LED元件21可以使用傳統(tǒng)一般采用的元件。
[0119]LED元件21通過焊料或芯片接合膏，固定安裝到反射樹脂23的凹部23a內(nèi)的芯片襯墊25上。另外，采用芯片接合膏的場合，可選擇包括耐光性的環(huán)氧樹脂和/或硅樹脂的芯片接合膏。
[0120]接合線22包括例如金等的導(dǎo)電性良的材料，其一端與LED元件21的端子部21a連接，另一端連接到引線部26上。
[0121]反射樹脂23例如是在引線框10上使熱可塑性樹脂通過例如射出成形或轉(zhuǎn)移成形而形成的。通過射出成形或轉(zhuǎn)移成形所使用的模具的設(shè)計(jì)，反射樹脂23的形狀可以實(shí)現(xiàn)為各種各樣的形狀。例如，反射樹脂23的全體形狀可以是圖4及圖5所示立方體，或圓筒形或錐形等的形狀。凹部23a的底面可以采用矩形、圓形、橢圓形或多角形等。凹部23a的側(cè)壁的截面形狀可以如圖4那樣由直線構(gòu)成，或由曲線構(gòu)成。
[0122]對于用于反射樹脂23的熱可塑性樹脂，優(yōu)選耐熱性、耐氣候性及機(jī)械強(qiáng)度特優(yōu)的樹脂。作為熱可塑性樹脂的種類，可以使用聚酰胺、聚鄰苯二甲酰胺、聚苯硫醚、液晶聚合物、聚醚砜、硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚醚酰亞胺、聚氨酯及聚對苯二甲酸丁二醇酯等。而且，另外，在這些樹脂中，通過添加二氧化鈦、二氧化鋯、鈦酸鉀、氮化鋁及氮化硼之一作為光反射劑，可以在凹部23a的底面及側(cè)面中，增大來自發(fā)光元件的光的反射率，增大半導(dǎo)體裝置20全體的光取出效率。
[0123]為了提高光的取出效率，作為密封樹脂24，優(yōu)選選擇對于半導(dǎo)體裝置20的發(fā)光波長，光透過率高、折射率高的材料。從而，作為滿足耐熱性、耐氣候性及機(jī)械強(qiáng)度高的特性的樹脂，可以選擇環(huán)氧樹脂和/或硅樹脂。特別地，采用高輝度LED作為LED元件21的場合，由于密封樹脂24暴露在強(qiáng)光下，所以密封樹脂24優(yōu)選包括具有高耐氣候性的硅樹脂。
[0124]另外，引線框10的構(gòu)成已經(jīng)用圖1至圖3說明，因此這里省略詳細(xì)說明。
[0125]LED元件搭載用引線框的制造方法
[0126]接著，用圖6(a)_(f)說明圖1至圖3所示引線框10的制造方法。
[0127]首先如圖6(a)所示，準(zhǔn)備平板狀的金屬基板31。該金屬基板31可以如上述，使用包括銅、銅合金、42合金(Ni42%的Fe合金)等的金屬基板。優(yōu)選對金屬基板31的兩面實(shí)施脫脂等并進(jìn)行清洗處理。
[0128]接著，在金屬基板31的表面背面全體分別涂敷感光性抗蝕劑32a、33a并使其干燥(圖6(b))。感光性抗蝕劑32a、33a可以使用傳統(tǒng)公知的抗蝕劑。
[0129]接著，通過經(jīng)由光掩模對該金屬基板31進(jìn)行曝光、顯影，形成具有期望的開口部32b、33b的蝕刻用抗蝕劑層32、33(圖6(c))。
[0130]接著，以蝕刻用抗蝕劑層32、33作為耐腐蝕膜，用腐蝕液對金屬基板31進(jìn)行蝕刻(圖6(d))。腐蝕液可以根據(jù)使用的金屬基板31的材質(zhì)而適宜選擇，例如，金屬基板31采用銅時(shí)，通?？梢允褂寐然F水溶液，從金屬基板31的兩面進(jìn)行噴射蝕刻。
[0131]然后，通過剝離除去蝕刻用抗蝕劑層32、33，獲得引線框主體11(圖6(e))。此時(shí)，圖2所示傾斜增強(qiáng)片51、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54通過蝕刻形成。
[0132]接著，通過對引線框主體11的表面及背面實(shí)施電解電鍍，在引線框主體11上使金屬(銀)析出，在引線框主體11的表面及背面形成鍍層12(圖6(f))。該場合，傾斜增強(qiáng)片51、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54都包括主體(引線框主體11)和在主體上形成的鍍層12，因此，可以提高這些傾斜增強(qiáng)片51、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54的強(qiáng)度。
[0133]該期間，具體地說，依次經(jīng)例如電解脫脂工序、酸洗工序、化學(xué)研磨工序、預(yù)鍍銅(strike copper)工序、水洗工序、中性脫脂工序、氰洗工序及銀電鍍工序，在引線框主體11形成鍍層12。該場合，銀電鍍工序中采用的電解電鍍用的電鍍液可以采用例如以氰化銀為主成分的銀電鍍液。實(shí)際的工序中，各工序間根據(jù)需要，可以適宜添加水洗工序。另外，也可以通過在上述工序的中途介入圖形化工序，在引線框主體11的一部分形成鍍層12。
[0134]這樣，獲得圖1至圖3所示引線框10(圖6(f))。
[0135]另外，圖6(a)_(f)中說明了通過蝕刻制造引線框10的方法，但是也可以采用基于沖壓(pr e s s)的制造方法。
[0136]半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0137]接著，用圖7(a)_(d)、圖8(a)_(e)及圖9(a)_(b)說明圖4及圖5所示半導(dǎo)體裝置20的制造方法。
[0138]首先，通過上述工序(圖6(a)_(f))，制作引線框10(圖7(a))。
[0139]接著，在射出成形機(jī)或轉(zhuǎn)移成形機(jī)(未圖示)的模具35內(nèi)安裝該引線框10(圖7(b))。在模具35內(nèi)，形成與反射樹脂23的形狀對應(yīng)的空間35a。
[0140]接著，從射出成形機(jī)或轉(zhuǎn)移成形機(jī)的樹脂供給部(未圖示)向模具35內(nèi)流入熱可塑性樹脂，然后固化，從而在引線框10的鍍層12上形成反射樹脂23(圖7(c))。
[0141]然后，從模具35內(nèi)取出形成了反射樹脂23的引線框10。這樣，獲得反射樹脂23和引線框10—體形成的附有樹脂引線框30(圖7(d))。本實(shí)施方式中，也提供這樣的具備引線框10和在引線框10的各封裝區(qū)域14的周緣上配置的反射樹脂23的附有樹脂引線框30。
[0142]接著，在附有樹脂引線框30的各反射樹脂23內(nèi)且在引線框10的芯片襯墊25上搭載LED元件21。該場合，用焊料或芯片接合膏，在芯片襯墊25上載置并固定LED元件21 (芯片附加工序)(圖8(a))。
[0143]接著，通過接合線22，相互電氣連接LED元件21的端子部21a和引線部26表面(線接合工序)(圖8(b))。
[0144]然后，在反射樹脂23的凹部23a內(nèi)填充密封樹脂24，由密封樹脂24密封LED元件21和接合線22(圖8(c))。
[0145]接著，通過切斷反射樹脂23及引線框10中與切割區(qū)域15對應(yīng)的部分，按每個(gè)LED元件21分離反射樹脂23及引線框10(切割工序)(圖8(d))。此時(shí)，首先，在切割膠帶37上載置并固定引線框10，然后，例如通過包括鉆石砂輪等的刀片38，切斷各LED元件21間的反射樹脂23以及引線框10的傾斜增強(qiáng)片51、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54。
[0146]此時(shí)，如圖9(a)所示，也可以由與切割區(qū)域15的寬度對應(yīng)的相對厚的刀片38切斷引線框10。該場合，通過I次的切斷操作可以高效分離相鄰的封裝區(qū)域14?；颍鐖D9(b)所示，也可以采用比切割區(qū)域15的寬度窄的相對薄的刀片38，通過2次的切斷操作切斷引線框10。該場合，可以加快I次的切斷操作的刀片38的進(jìn)給速度，并可以延長刀片38的壽命。
[0147]這樣，獲得圖4及圖5所示半導(dǎo)體裝置20(圖8(e))。
[0148]根據(jù)以上說明的本實(shí)施方式，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過位于切割區(qū)域15的傾斜增強(qiáng)片51連結(jié)。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。從而，不會(huì)沿引線框10的上下方向形成細(xì)長空間，引線框10不會(huì)在上下方向形成錯(cuò)位狀。從而，可以防止處理時(shí)在引線框10產(chǎn)生變形。
[0149]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過引線連結(jié)部52連結(jié)，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過芯片襯墊連結(jié)部53連結(jié)。從而，不會(huì)沿引線框10的左右方向形成細(xì)長空間，引線框10不會(huì)在左右方向形成錯(cuò)位狀。從而，可以防止處理時(shí)在引線框10產(chǎn)生變形。
[0150]這樣，通過防止引線框10的變形，在引線框10形成反射樹脂23時(shí)(圖7(b)(c))，相對于引線框10的反射樹脂23的形成位置不會(huì)錯(cuò)位。從而，相對于小的封裝區(qū)域14，容易搭載大面積的LED元件21，或者搭載多個(gè)LED元件21，或除了LED元件21外，搭載破壞靜電元件。
[0151]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，不必在各封裝區(qū)域14的周圍設(shè)置縱橫的系桿，因此各封裝區(qū)域14彼此可以接近配置，可以增加每個(gè)引線框10的封裝區(qū)域14的安裝個(gè)數(shù)(可高密度安裝)。
[0152]而且，根據(jù)本實(shí)施方式，在各封裝區(qū)域14的角部不存在懸置引線等的連桿(connecting bar)，因此在半導(dǎo)體裝置20的角部中，反射樹脂23不會(huì)從引線框10剝離，可以進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置20的可靠性。
[0153]引線框的變形例
[0154]以下，參照圖10至圖17說明本實(shí)施方式的引線框的各種變形例(變形例1-1?變形例1-8)。圖10至圖17分別是引線框的變形例的部分放大俯視圖(與圖2對應(yīng)的圖)。圖10至圖17中，與圖1至圖9所示實(shí)施方式相同的部分附上相同符號(hào)，詳細(xì)的說明省略。
[0155]變形例1-1
[0156]圖10表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例1-1)的引線框10A。圖10所示引線框1A中，不同于圖1至圖9所示實(shí)施方式，不設(shè)置連結(jié)芯片襯墊25彼此的芯片襯墊連結(jié)部53。
[0157]S卩，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和上方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過傾斜增強(qiáng)片51連結(jié)，和右方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)，而和上方及下方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25不直接連結(jié)。
[0158]這樣，通過不設(shè)置芯片襯墊連結(jié)部53，可以減輕切割時(shí)對刀片38施加的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖1至圖9所示實(shí)施方式近似相同。
[0159]變形例1-2
[0160]圖11表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例1-2)的引線框10B。圖11所示引線框1B中，不同于圖1至圖9所示實(shí)施方式，不設(shè)置連結(jié)引線部26彼此的引線連結(jié)部52。
[0161]S卩，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和下方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過傾斜增強(qiáng)片51連結(jié)，和左方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)，而和上方及下方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26不直接連結(jié)。
[0162]這樣，通過不設(shè)置引線連結(jié)部52，可以減輕切割時(shí)對刀片38施加的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖1至圖9所示實(shí)施方式近似相同。
[0163]變形例1-3
[0164]圖12表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例1-3)的引線框10C。圖12所示引線框1C中，不同于圖1至圖9所示實(shí)施方式，各封裝區(qū)域14具有一個(gè)芯片襯墊25和位于芯片襯墊25的兩側(cè)的一對引線部26a、26b(以下，也稱為第I引線部26a、第2引線部26b)(3管腳類型)。
[0165]該場合，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和各封裝區(qū)域14的上方相鄰的封裝區(qū)域14(第I封裝區(qū)域)內(nèi)的第I引線部26a通過第I傾斜增強(qiáng)片51a連結(jié)。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和各封裝區(qū)域14的下方相鄰的封裝區(qū)域14(相對于各封裝區(qū)域14，位于第I封裝區(qū)域的相反側(cè)的第2封裝區(qū)域)內(nèi)的第2引線部26b通過第2傾斜增強(qiáng)片51b連結(jié)。另外，第I傾斜增強(qiáng)片51a及第2傾斜增強(qiáng)片51b都位于切割區(qū)域15。
[0166]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和其上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14(第I封裝區(qū)域及第2封裝區(qū)域)內(nèi)的芯片襯墊25分別通過芯片襯墊連結(jié)部53連結(jié)。而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a和其上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14(第I封裝區(qū)域及第2封裝區(qū)域)內(nèi)的第I引線部26a分別通過第I引線連結(jié)部52a連結(jié)。而且，另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b和其上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14(第I封裝區(qū)域及第2封裝區(qū)域)內(nèi)的第2引線部26b分別通過第2引線連結(jié)部52b連結(jié)。
[0167]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b和其右方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a和其左方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。
[0168]這樣，各封裝區(qū)域14具有芯片襯墊25和一對引線部26a、26b的場合，也可以防止引線框1C形成錯(cuò)位狀，防止處理時(shí)產(chǎn)生變形。
[0169]變形例1-4
[0170]圖13表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例1-4)的引線框10D。圖13所示引線框1D中，不同于圖12所示變形例1-3，不設(shè)置連結(jié)芯片襯墊25彼此的芯片襯墊連結(jié)部53。
[0171]S卩，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和上方相鄰的其他封裝區(qū)域14(第I封裝區(qū)域)內(nèi)的第I引線部26a通過第I傾斜增強(qiáng)片51a連結(jié)，和下方相鄰的其他封裝區(qū)域14(第2封裝區(qū)域)內(nèi)的第2引線部26b通過第2傾斜增強(qiáng)片51b連結(jié)。另一方面，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和上方及下方相鄰的其他封裝區(qū)域14(第I封裝區(qū)域及第2封裝區(qū)域)內(nèi)的芯片襯墊25不直接連結(jié)。
[0172]這樣，通過不設(shè)置芯片襯墊連結(jié)部53，可以減輕切割時(shí)對刀片38施加的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖12所示變形例1-3近似相同。
[0173]變形例1-5
[0174]圖14表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例1-5)的引線框10E。圖14所示引線框1E中，不同于圖12所示變形例1-3，連結(jié)了第I傾斜增強(qiáng)片51a及第2傾斜增強(qiáng)片51b的芯片襯墊25和沒有連結(jié)第I傾斜增強(qiáng)片51a及第2傾斜增強(qiáng)片51b的芯片襯墊25在上下方向隔行設(shè)置。
[0175]例如，圖14中，第I傾斜增強(qiáng)片51a及第2傾斜增強(qiáng)片51b都沒有連結(jié)到封裝區(qū)域14(14b)的芯片襯墊25。相對地，封裝區(qū)域14( 14b)的上方相鄰的封裝區(qū)域14( 14a)和封裝區(qū)域14(14b)的下方相鄰的封裝區(qū)域14(14c)分別與第I傾斜增強(qiáng)片51a及第2傾斜增強(qiáng)片51b連結(jié)。
[0176]這樣，通過減少第I傾斜增強(qiáng)片51a及第2傾斜增強(qiáng)片51b的數(shù)，可以減輕切割時(shí)刀片38的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖12所示變形例1-3近似相同。
[0177]變形例1-6
[0178]圖15表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例1-6)的引線框10F。圖15所示引線框1F中，不同于圖1至圖9所示實(shí)施方式，沒有設(shè)置芯片襯墊連結(jié)部53及引線連結(jié)部52。
[0179]該場合，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和與各封裝區(qū)域14的上方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過第I傾斜增強(qiáng)片51a連結(jié)。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和與各封裝區(qū)域14的上方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過第2傾斜增強(qiáng)片51b連結(jié)。另外，第I傾斜增強(qiáng)片51a及第2傾斜增強(qiáng)片51b都位于切割區(qū)域15。另外，第I傾斜增強(qiáng)片51a及第2傾斜增強(qiáng)片51b通過相互交叉形成X字形狀。
[0180]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和與各封裝區(qū)域14的下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過第2傾斜增強(qiáng)片51b連結(jié)。而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和與各封裝區(qū)域14的下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過第I傾斜增強(qiáng)片51a連結(jié)。
[0181]這樣，通過不設(shè)置芯片襯墊連結(jié)部53及引線連結(jié)部52，可以減輕切割時(shí)刀片38的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖1至圖9所示實(shí)施方式近似相同。
[0182]變形例1-7
[0183]圖16表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例1-7)的引線框10G。圖16所示引線框1G中，不同于圖15所示變形例1-6，不設(shè)置封裝區(qū)域連結(jié)部54。
[0184]該場合，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過位于切割區(qū)域15的一對追加傾斜增強(qiáng)片55a、55b連結(jié)到芯片襯墊25側(cè)(右側(cè))相鄰的斜上方及斜下方的封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26。即，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過追加傾斜增強(qiáng)片55a連結(jié)到右斜上方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26，通過追加傾斜增強(qiáng)片55b連結(jié)到右斜下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26。
[0185]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過位于切割區(qū)域15的一對追加傾斜增強(qiáng)片55b、55a連結(jié)到與引線部26側(cè)(左側(cè))相鄰的斜上方及斜下方的封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25。即，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過追加傾斜增強(qiáng)片55b連結(jié)到左斜上方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25，通過追加傾斜增強(qiáng)片55a連結(jié)到左斜下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26。其他構(gòu)成與圖15所示變形例1-6近似相同。
[0186]變形例卜8
[0187]圖17表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例1-8)的引線框10H。圖17所示引線框1H中，不同于圖16所示變形例1-7，各封裝區(qū)域14具備一個(gè)芯片襯墊25和位于芯片襯墊25的兩偵_ 一對引線部26a、26b(第I引線部26a、第2引線部26b)。
[0188]該場合，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和與各封裝區(qū)域14的上方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a通過位于切割區(qū)域15的第I傾斜增強(qiáng)片51a連結(jié)。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和與各封裝區(qū)域14的下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a通過位于切割區(qū)域15的第2傾斜增強(qiáng)片51b連結(jié)。
[0189]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和與各封裝區(qū)域14的上方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b通過位于切割區(qū)域15的第3傾斜增強(qiáng)片51c連結(jié)。而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和與各封裝區(qū)域14的下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b通過位于切割區(qū)域15的第4傾斜增強(qiáng)片51d連結(jié)。
[0190]各封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a分別通過位于切割區(qū)域15的一對追加傾斜增強(qiáng)片55b、55a連結(jié)到第I引線部26a側(cè)(左側(cè))相鄰的斜上方及斜下方的封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a分別通過第2傾斜增強(qiáng)片51b及第I傾斜增強(qiáng)片51a連結(jié)到上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25。
[0191]各封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b分別通過位于切割區(qū)域15的一對追加傾斜增強(qiáng)片55a、55b連結(jié)到第2引線部26b側(cè)(右側(cè))相鄰的斜上方及斜下方的封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b分別通過第4傾斜增強(qiáng)片51d及第3傾斜增強(qiáng)片51c連結(jié)到上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25。
[0192]以上，圖10至圖17所示引線框(變形例1-1?變形例1-8)也可以獲得與上述圖1至圖9所示實(shí)施方式的效果近似同樣的效果。
[0193]半導(dǎo)體裝置的變形例
[0194]接著，參照圖18至圖20說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的變形例(變形例A?變形例C)。圖18至圖20分別是半導(dǎo)體裝置的變形例的截面圖(與圖4對應(yīng)圖)。圖18至圖20中，與圖4及圖5所示實(shí)施方式相同的部分附上相同符號(hào)，詳細(xì)的說明省略。
[0195]變形例A
[0196]圖18表示本實(shí)施方式的一變形例(3管腳類型)的半導(dǎo)體裝置20A。圖18所示半導(dǎo)體裝置20A中，引線框10具有一個(gè)芯片襯墊25和位于芯片襯墊25的兩側(cè)的一對引線部26a、26b(第I引線部26a、第2引線部26b)。
[0197]另外，LED元件21具有一對端子部21a，該一對端子部21a分別經(jīng)由接合線22與第I弓丨線部26a及第2引線部26b連接。該場合，引線框10可以采用例如圖12、圖13、圖14或圖17所示的引線框(引線框10C、10D、10E、10H)。其他構(gòu)成與上述圖4及圖5所示半導(dǎo)體裝置20近似相同。
[0198]變形例B
[0199]圖19表示本實(shí)施方式的一變形例(附透鏡的一次成型類型)的半導(dǎo)體裝置20B。圖19所示半導(dǎo)體裝置20B中，反射樹脂23在芯片襯墊25和引線部26之間填充。另一方面，不同于圖4及圖5所示半導(dǎo)體裝置20，在引線框10上沒有設(shè)置反射樹脂23。
[0200]圖19中，取代接合線22，LED元件21通過焊料球(導(dǎo)電部)41a、41b與引線框10連接。SP，焊料球41a、41b中，一個(gè)焊料球41a與芯片襯墊25連接，另一個(gè)焊料球41b與引線部26連接。而且，圖19中，在密封樹脂24的表面，形成控制來自LED元件21的光的照射方向的穹頂(dome)狀透鏡61。
[0201 ] 變形例C
[0202]圖20表示本實(shí)施方式的一變形例(一次成型類型)的半導(dǎo)體裝置20C。圖20所示半導(dǎo)體裝置20C中，不采用反射樹脂23，僅僅由密封樹脂24—次密封LED元件21和接合線22。另夕卜，在芯片襯墊25和引線部26之間，填充密封樹脂24。
[0203](第2實(shí)施方式)
[0204]接著，參照圖21至圖41說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。圖21至圖41是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的示圖。圖21至圖41中，與第I實(shí)施方式相同的部分附上相同符號(hào)，詳細(xì)的說明省略。
[0205]引線框的構(gòu)成
[0206]首先，通過圖21至圖23，說明本實(shí)施方式的LED元件搭載用引線框的概略。圖21是本實(shí)施方式的引線框的全體俯視圖，圖22是圖21的D部放大圖，圖23是圖22的E-E線截面圖。
[0207]圖21至圖23所示引線框70在制作搭載LED元件21的半導(dǎo)體裝置80(圖24及圖25)時(shí)采用。這樣的引線框70具備:具有矩形狀的外形的框體區(qū)域13和在框體區(qū)域13內(nèi)多列及多行(矩陣狀)配置的多個(gè)封裝區(qū)域14。
[0208]如圖22所示，多個(gè)封裝區(qū)域14的各個(gè)包含搭載LED元件21的芯片襯墊25和與芯片襯墊25相鄰的引線部26。另外，多個(gè)封裝區(qū)域14相互經(jīng)由切割區(qū)域15連接。
[0209]在一個(gè)封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和引線部26之間，形成間隙，切割后，芯片襯墊25和引線部26相互形成電氣絕緣。另外，各封裝區(qū)域14是分別與各個(gè)半導(dǎo)體裝置80對應(yīng)的區(qū)域。另外，圖22中，各封裝區(qū)域14用兩點(diǎn)劃線表示。
[0210]另一方面，切割區(qū)域15在各封裝區(qū)域14間縱橫延伸。該切割區(qū)域15如后述，在制造半導(dǎo)體裝置80的工序中，將引線框70按每個(gè)封裝區(qū)域14分離時(shí)，成為刀片38通過的區(qū)域。另夕卜，圖22中，切割區(qū)域15用陰影表示。
[0211]如圖22所示，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和其上方及下方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26分別通過引線連結(jié)部52越過切割區(qū)域15而連結(jié)。而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和其上方及下方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25分別通過芯片襯墊連結(jié)部53越過切割區(qū)域15而連結(jié)。這些各引線連結(jié)部52及各芯片襯墊連結(jié)部53與Y方向平行配置。
[0212]另外，各芯片襯墊連結(jié)部53及各引線連結(jié)部52通過位于切割區(qū)域15的增強(qiáng)片57連結(jié)。該場合，增強(qiáng)片57與X方向平行配置，在框體區(qū)域13內(nèi)側(cè)的全長范圍直線狀延伸，連結(jié)多個(gè)芯片襯墊連結(jié)部53及多個(gè)引線連結(jié)部52。
[0213]而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和其右方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。而且，另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和其左方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。各封裝區(qū)域連結(jié)部54與X方向平行配置。
[0214]另外，位于最外周的封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26及芯片襯墊25通過引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54中的一個(gè)或多個(gè)，與框體區(qū)域13連結(jié)。
[0215]另外，圖21至圖23中，引線框主體11及鍍層12的構(gòu)成與第I實(shí)施方式同樣，因此這里省略說明。
[0216]半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成
[0217]接著，通過圖24及圖25，說明用圖21至圖23所示引線框制作的半導(dǎo)體裝置的第2實(shí)施方式。圖24及圖25分別是表示半導(dǎo)體裝置(SON類型)的截面圖及俯視圖。
[0218]如圖24及圖25所示，半導(dǎo)體裝置80具備:(單片化)引線框70;在引線框70的芯片襯墊25載置的LED元件21;電氣連接LED元件21和引線框70的引線部26的接合線(導(dǎo)電部)22。
[0219]另外，為了包圍LED元件21，設(shè)置具有凹部23a的反射樹脂23。該反射樹脂23與引線框70—體化。而且，LED元件21和接合線22通過透光性的密封樹脂24密封。該密封樹脂24在反射樹脂23的凹部23a內(nèi)填充。
[0220]構(gòu)成這樣的半導(dǎo)體裝置80的LED元件21、接合線22、反射樹脂23及密封樹脂24的構(gòu)成與第I實(shí)施方式同樣，因此這里省略說明。
[0221]LED元件搭載用引線框及半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0222]接著，用圖26至圖29說明圖21至圖23所示引線框70及圖24及圖25所示半導(dǎo)體裝置80的制造方法。另外，圖26至圖28所示制造方法與圖6至圖8所示制造方法近似同樣，因此以下省略部分說明。
[0223]首先，準(zhǔn)備平板狀的金屬基板31(圖26(a))。接著，在該金屬基板31的表面背面全體分別涂敷感光性抗蝕劑32a、33a并使其干燥(圖26 (b))。
[0224]接著，通過經(jīng)由光掩模對該金屬基板31進(jìn)行曝光、顯影，形成具有期望的開口部32b、33b的蝕刻用抗蝕劑層32、33 (圖26 (c))。接著，以蝕刻用抗蝕劑層32、33為耐腐蝕膜，用腐蝕液蝕刻金屬基板31 (圖26 (d))。
[0225]然后，通過剝離除去蝕刻用抗蝕劑層32、33，獲得引線框主體11(圖26(e))。此時(shí)，圖22所示增強(qiáng)片57、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54通過蝕刻形成。
[0226]接著，通過對引線框主體11的表面及背面實(shí)施電解電鍍，在引線框主體11上析出金屬(銀)，在引線框主體11的表面及背面形成鍍層12(圖26(f))。該場合，增強(qiáng)片57、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54都包括主體(引線框主體11)和在主體上形成的鍍層12，因此，可以提高這些增強(qiáng)片57、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54的強(qiáng)度。
[0227]這樣，獲得圖21至圖23所示引線框70(圖26(f))。
[0228]接著，這樣獲得的引線框70(圖27(a))在射出成形機(jī)或轉(zhuǎn)移成形機(jī)(未圖示)的模具35內(nèi)安裝(圖27(b))。然后，向模具35內(nèi)流入熱可塑性樹脂并固化，從而在引線框70的鍍層12上形成反射樹脂23(圖27(c))。
[0229]然后，通過從模具35內(nèi)取出形成了反射樹脂23的引線框70，獲得附有樹脂引線框(圖27(d))。本實(shí)施方式中，也提供具備引線框10和在引線框10的各封裝區(qū)域14的周緣上配置的反射樹脂23的附有樹脂引線框90。
[0230]接著，在附有樹脂引線框90的各反射樹脂23內(nèi)且在引線框70的芯片襯墊25上，搭載 LED 元件 21 (圖 28(a))。
[0231]接著，通過接合線22相互電氣地連接LED元件21的端子部21a和引線部26表面(圖28(b))。
[0232]然后，在反射樹脂23的凹部23a內(nèi)填充密封樹脂24，通過密封樹脂24密封LED元件21和接合線22(圖28(c))。
[0233]接著，通過切斷反射樹脂23及引線框70中的切割區(qū)域15，將反射樹脂23及引線框70按每個(gè)LED元件21分離(圖28(d))。此時(shí)，首先在切割膠帶37上載置固定引線框70。然后，通過包括例如鉆石砂輪等的刀片38，分別切斷位于各LED元件21間的反射樹脂23以及引線框70的增強(qiáng)片57、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54。
[0234]此時(shí)，如圖29(a)所示，也可以通過與切割區(qū)域15的寬度對應(yīng)的相對厚的刀片38切斷引線框70。即，沿引線框70的增強(qiáng)片57移動(dòng)刀片38，一起切斷增強(qiáng)片57和位于增強(qiáng)片57周圍的各引線連結(jié)部52及各芯片襯墊連結(jié)部53。該場合，通過I次的切斷操作，可以高效分離相鄰的封裝區(qū)域14。
[0235]或，如圖29(b)所示，也可以采用比切割區(qū)域15的寬度窄的相對薄的刀片38，通過2次的切斷操作切斷引線框70。即，使刀片38相對于引線框70的增強(qiáng)片57平行移動(dòng)，不直接切斷增強(qiáng)片57，而切斷位于增強(qiáng)片57周圍的各引線連結(jié)部52及各芯片襯墊連結(jié)部53。該場合，可以加快I次的切斷操作的刀片38的進(jìn)給速度，并可以延長刀片38的壽命。
[0236]這樣，可以獲得圖24及圖25所示半導(dǎo)體裝置80(圖28(e))。
[0237]根據(jù)以上說明的本實(shí)施方式，芯片襯墊連結(jié)部53及引線連結(jié)部52通過位于切割區(qū)域15的增強(qiáng)片57連結(jié)。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。從而，沿引線框70的上下方向不會(huì)形成細(xì)長空間，弓丨線框70不會(huì)在上下方向形成錯(cuò)位狀。從而，可以防止處理時(shí)在引線框70產(chǎn)生變形。
[0238]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26和相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過引線連結(jié)部52連結(jié)，且各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25通過芯片襯墊連結(jié)部53連結(jié)。從而，沿引線框70的左右方向不會(huì)形成細(xì)長空間，引線框70不會(huì)在左右方向形成錯(cuò)位狀。從而，可以防止處理時(shí)在引線框70產(chǎn)生變形。
[0239]這樣，通過防止引線框70的變形，在引線框70形成反射樹脂23時(shí)(圖27(b)(c))，相對于引線框70的反射樹脂23的形成位置不會(huì)錯(cuò)位。從而，相對于小的封裝區(qū)域14，容易搭載大面積的LED元件21，或者搭載多個(gè)LED元件21，或除了LED元件21外，搭載破壞靜電元件。
[0240]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，不必在各封裝區(qū)域14的周圍設(shè)置縱橫的系桿，因此各封裝區(qū)域14彼此可以接近配置，可以增加每個(gè)引線框70的封裝區(qū)域14的安裝個(gè)數(shù)(可高密度安裝)。
[0241]而且，根據(jù)本實(shí)施方式，在各封裝區(qū)域14的角部不存在懸置引線等的連桿，因此在半導(dǎo)體裝置80的角部中，反射樹脂23不會(huì)從引線框70剝離，可以進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置80
的可靠性。
[0242]引線框的變形例
[0243]以下，參照圖30至圖35說明本實(shí)施方式的引線框的各種變形例(變形例2-1?變形例2-6)。圖30至圖35分別是引線框的變形例的部分放大俯視圖(圖2對應(yīng)的圖)。圖30至圖35中，與圖21至圖29所示實(shí)施方式相同的部分附上相同符號(hào)，詳細(xì)的說明省略。
[0244]變形例2-1
[0245]圖30表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例2-1)的引線框70A。圖30所示引線框70A中，不同于圖21至圖29所示實(shí)施方式，各封裝區(qū)域14具備一個(gè)芯片襯墊25和位于芯片襯墊25的兩側(cè)的一對引線部26a、26b(以下，也稱為第I引線部26a、第2引線部26b)(3管腳類型)。
[0246]該場合，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a和與各封裝區(qū)域14的上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a分別通過第I引線連結(jié)部52a，越過切割區(qū)域15而連結(jié)。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b和與各封裝區(qū)域14的上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b分別通過第2引線連結(jié)部52b，越過切割區(qū)域15而連結(jié)。
[0247]而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和其上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25分別通過芯片襯墊連結(jié)部53，越過切割區(qū)域15而連結(jié)。而且，芯片襯墊連結(jié)部53、第I引線連結(jié)部52a及第2引線連結(jié)部52b通過位于切割區(qū)域15的增強(qiáng)片57連結(jié)。該場合，增強(qiáng)片57在框體區(qū)域13內(nèi)側(cè)的全長范圍直線狀延伸，連結(jié)多個(gè)芯片襯墊連結(jié)部53、多個(gè)第I引線連結(jié)部52a及多個(gè)第2引線連結(jié)部52b。
[0248]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b和其右方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a和其左方相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b通過封裝區(qū)域連結(jié)部54連結(jié)。
[0249]這樣，各封裝區(qū)域14具有芯片襯墊25和一對引線部26a、26b的場合，也通過設(shè)置增強(qiáng)片57，沿引線框70A的上下方向不會(huì)產(chǎn)生細(xì)長空間，可以防止引線框70A形成錯(cuò)位狀，防止處理時(shí)在引線框70A產(chǎn)生變形。
[0250]變形例2-2
[0251]圖31表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例2-2)的引線框70B。圖31所示引線框70B中，不同于圖21至圖29所示實(shí)施方式，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域15中，設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15和不設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15在上下方向交替配置。
[0252]S卩，圖31中，從封裝區(qū)域14(14b)看，上方相鄰的封裝區(qū)域14(14a)設(shè)為第I封裝區(qū)域14a，從封裝區(qū)域14(14b)看，下方相鄰的封裝區(qū)域14(14c)設(shè)為第2封裝區(qū)域14c。
[0253]該場合，分別連結(jié)封裝區(qū)域14b內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26和第I封裝區(qū)域14a內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26的芯片襯墊連結(jié)部53及引線連結(jié)部52，通過位于切割區(qū)域15的增強(qiáng)片57連結(jié)。另一方面，分別連結(jié)封裝區(qū)域14b內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26和第2封裝區(qū)域14c內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26的芯片襯墊連結(jié)部53及引線連結(jié)部52，不通過增強(qiáng)片57連結(jié)。
[0254]這樣，通過減少增強(qiáng)片57的數(shù)，可以在切割時(shí)減輕刀片38的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖21至圖29所示實(shí)施方式近似相同。
[0255]另外，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域15中，不設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15的寬度(Wa)優(yōu)選比設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15的寬度(Wb)窄(Wa〈Wb)。該場合，可以增加一個(gè)引線框70的封裝區(qū)域14的安裝個(gè)數(shù)。另外，用相對薄的刀片38切斷切割區(qū)域15的場合(圖29(b))，不設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15可以通過I次的切斷操作切斷，因此可以減少切斷操作的次數(shù)。
[0256]變形例2-3
[0257]圖32表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例2-3)的引線框70C。圖32所示引線框70C是圖30所示變形例2-1和圖31所示變形例2-2的組合。
[0258]圖32中，各封裝區(qū)域14具有一個(gè)芯片襯墊25和位于芯片襯墊25的兩側(cè)的一對引線部26a、26b(以下，也稱為第I引線部26a、第2引線部26b)(3管腳類型)。
[0259]另外，圖32中，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域15中，設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15和不設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15在上下方向交替存在。
[0260]S卩，圖32中，分別連結(jié)一個(gè)封裝區(qū)域14(14b)內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26a、26b和與該封裝區(qū)域14(14b)的上方相鄰的第I封裝區(qū)域14(14a)內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26a、26b的芯片襯墊連結(jié)部53、第I引線連結(jié)部52a及第2引線連結(jié)部52b，通過位于切割區(qū)域15的增強(qiáng)片57連結(jié)。
[0261]另一方面，分別連結(jié)一個(gè)封裝區(qū)域14(14b)內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26a、26b和與該封裝區(qū)域14(14b)的下方相鄰的第2封裝區(qū)域14(14c)內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26a、26b的芯片襯墊連結(jié)部53、第I引線連結(jié)部52a及第2引線連結(jié)部52b，不通過增強(qiáng)片57連結(jié)。
[0262]其他構(gòu)成與圖30所示變形例2-1及圖31所示變形例2-2近似相同。
[0263]變形例2-4
[0264]圖33表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例2-4)的引線框70D。圖33所示引線框70D中，不同于圖21至圖29所示實(shí)施方式，增強(qiáng)片57僅僅在分別連結(jié)到各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26的芯片襯墊連結(jié)部53及引線連結(jié)部52間延伸，連結(jié)這些芯片襯墊連結(jié)部53及引線連結(jié)部52。
[0265]S卩，一個(gè)封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26和與該封裝區(qū)域14的上方(或下方)相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26分別通過引線連結(jié)部52及芯片襯墊連結(jié)部53連結(jié)。該場合，增強(qiáng)片57僅僅在這些引線連結(jié)部52和芯片襯墊連結(jié)部53之間延伸，連結(jié)引線連結(jié)部52和芯片襯墊連結(jié)部53。另一方面，增強(qiáng)片57沒有分別延伸出引線連結(jié)部52的左方和芯片襯墊連結(jié)部53的右方。
[0266]這樣，通過減少切割區(qū)域15中的增強(qiáng)片57的全體長度，可以在切割時(shí)減輕刀片38的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖21至圖29所示實(shí)施方式近似相同。
[0267]變形例2-5
[0268]圖34表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例2-5)的引線框70E。圖34所示引線框70E是圖30所示變形例2-1和圖33所示變形例2-4的組合。
[0269]圖34中，各封裝區(qū)域14具備一個(gè)芯片襯墊25和位于芯片襯墊25的兩側(cè)的一對引線部26a、26b(以下，也稱為第I引線部26a、第2引線部26b)(3管腳類型)。
[0270]另外，圖34中，增強(qiáng)片57僅僅在分別連結(jié)到各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25及引線部26a、26b的第I引線連結(jié)部52a、芯片襯墊連結(jié)部53及第2引線連結(jié)部52b間延伸，連結(jié)這些第I引線連結(jié)部52a、芯片襯墊連結(jié)部53及第2引線連結(jié)部52b。
[0271]這樣，通過減少切割區(qū)域15中的增強(qiáng)片57的全體長度，可以在切割時(shí)減輕刀片38的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖30所示變形例2-1及圖33所示變形例2-4近似相同。
[0272]變形例2-6
[0273]圖35表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例2-6)的引線框70F。圖35所示引線框70F中，各封裝區(qū)域14具備一個(gè)芯片襯墊25和位于芯片襯墊25的兩側(cè)的一對引線部26a、26b(第I引線部26a、第2引線部26b)(3管腳類型)。
[0274]另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25、第I引線部26a及第2引線部26b和上下相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25、第I引線部26a及第2引線部26b分別通過芯片襯墊連結(jié)部53、第I引線連結(jié)部52a及第2引線連結(jié)部52b連結(jié)。
[0275]如圖35所示，僅僅連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部53及第I引線連結(jié)部52a的增強(qiáng)片57和僅僅連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部53及第2引線連結(jié)部52b的增強(qiáng)片57在上下方向隔行設(shè)置。
[0276]S卩，圖35中，從封裝區(qū)域14(14b)看，上方相鄰的封裝區(qū)域14(14a)設(shè)為第I封裝區(qū)域14a，從封裝區(qū)域14(14b)看，下方相鄰的封裝區(qū)域14(14c)設(shè)為第2封裝區(qū)域14c。
[0277]該場合，封裝區(qū)域14b和第I封裝區(qū)域14a之間的切割區(qū)域15中，增強(qiáng)片57僅僅在芯片襯墊連結(jié)部53及第I引線連結(jié)部52a間延伸，僅僅連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部53及第I引線連結(jié)部 52a。
[0278]另一方面，封裝區(qū)域14b和第2封裝區(qū)域14c之間的切割區(qū)域15中，增強(qiáng)片57僅僅在芯片襯墊連結(jié)部53及第2引線連結(jié)部52b間延伸，僅僅連結(jié)芯片襯墊連結(jié)部53及第2引線連結(jié)部52b。
[0279]這樣，通過減少增強(qiáng)片57的數(shù)，可以在切割時(shí)減輕刀片38的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖34所示變形例2-5近似相同。
[0280]作為可適用本實(shí)施方式的增強(qiáng)片的引線框的其他例，如圖36所示引線框70G(變形例2-7)所示，可以例示在各封裝區(qū)域14內(nèi)具備2個(gè)芯片襯墊25a、25b(以下，也稱為第I芯片襯墊部25a、第2芯片襯墊部25b)和與芯片襯墊25a、25b的兩側(cè)相鄰的一對引線部26a、26b(以下，也稱為第I引線部26a、第2引線部26b)的4管腳類型的方式，或，如圖38所示引線框70H(變形例2-8)所示，可以例示在各封裝區(qū)域14內(nèi)具備一個(gè)芯片襯墊25和與芯片襯墊25的一側(cè)相鄰的一對引線部26c、26d(以下，也稱為第I引線部26c、第2引線部26d)以及與芯片襯墊25的另一側(cè)相鄰的一個(gè)引線部26a的4管腳類型的方式。
[0281]這些例共同的課題是，由于各封裝區(qū)域14的芯片襯墊25(25a、25b)和引線部26(26a、26b、26c、26d)直線狀配置為一列，因此為了不使芯片襯墊25和引線部26短路而配置連結(jié)各封裝區(qū)域14間的引線連結(jié)部52及芯片襯墊連結(jié)部53時(shí)，各芯片襯墊25和各引線部26之間的間隙連通，產(chǎn)生與引線框70的一邊平行的多個(gè)細(xì)長空間，存在構(gòu)造容易變形的問題。這些問題如上所述，可以通過本實(shí)施方式的增強(qiáng)片57有效解決。另外，以下所示變形例2-7?2-10(圖36至圖41)中，與圖21至圖29所示實(shí)施方式相同的部分附上相同符號(hào)，詳細(xì)的說明省略。
[0282]變形例2-7
[0283]圖36表示本實(shí)施方式的一變形例2-7的引線框70G。圖36所示引線框70G中，不同于圖21至圖29所示實(shí)施方式，各封裝區(qū)域14具備2個(gè)芯片襯墊25a、25b(以下，也稱為第I芯片襯墊部25a、第2芯片襯墊部25b)和與芯片襯墊25a、25b的兩側(cè)相鄰的一對引線部26a、26b(以下，也稱為第I引線部26a、第2引線部26b) (4管腳類型)。若采用這樣的引線框70G，則可以實(shí)現(xiàn)在I個(gè)封裝設(shè)置2個(gè)LED元件21的半導(dǎo)體裝置80(圖37)。
[0284]該變形例2-7中，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a和與各封裝區(qū)域14的上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a分別通過第I引線連結(jié)部52a，越過切割區(qū)域15而連結(jié)。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b和與各封裝區(qū)域14的上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26b分別通過第2引線連結(jié)部52b，越過切割區(qū)域15而連結(jié)。
[0285]而且，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第I芯片襯墊25a和第2芯片襯墊25b和其上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的對應(yīng)的芯片襯墊25a、25b分別通過第I芯片襯墊連結(jié)部53a、第2芯片襯墊連結(jié)部53b，越過切割區(qū)域15而連結(jié)。而且，第I芯片襯墊連結(jié)部53a、第2芯片襯墊連結(jié)部53b、第I引線連結(jié)部52a及第2引線連結(jié)部52b通過位于切割區(qū)域15的增強(qiáng)片57連結(jié)。該場合，增強(qiáng)片57在框體區(qū)域13內(nèi)側(cè)的全長范圍直線狀延伸，連結(jié)多個(gè)第I芯片襯墊連結(jié)部53a、多個(gè)第2芯片襯墊連結(jié)部53b、多個(gè)第I引線連結(jié)部52a及多個(gè)第2引線連結(jié)部52b。
[0286]另外，圖36所示引線框70G中，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域15中，設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15和不設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域在上下方向交替配置。
[0287]這樣，各封裝區(qū)域14具有2個(gè)芯片襯墊25a、25b和一對引線部26a、26b的場合，通過增強(qiáng)片57，也不會(huì)沿引線框70G的上下方向產(chǎn)生細(xì)長空間，可以防止引線框70G形成錯(cuò)位狀，防止處理時(shí)在引線框70G產(chǎn)生變形。另外，多個(gè)切割區(qū)域15中，僅僅在部分切割區(qū)域15具有增強(qiáng)片57，因此，可以減輕切割機(jī)的刀刃的磨耗。
[0288]變形例2-8
[0289]圖38表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例2-8)的引線框70H。圖38所示引線框70H中，各封裝區(qū)域14具備芯片襯墊25和位于芯片襯墊25的兩側(cè)的一對引線配置區(qū)域16L、引線配置區(qū)域16R。在引線配置區(qū)域16L配置引線部26a，在引線配置區(qū)域16R，2個(gè)引線部26c和26d沿芯片襯墊25配置為I列(以下，引線部26a、26c、26d也分別稱為第I引線部26a、第2引線部26c、第3引線部26d)。若采用這樣的引線框70H，則可以實(shí)現(xiàn)在I個(gè)封裝設(shè)置3個(gè)LED元件21的半導(dǎo)體裝置80(圖39)。
[0290]與變形例2-1(圖30)或者變形例2-3(圖32)，在具有第2引線部26c、第3引線部26d的方面不同，但是，在圖38所示引線框70H中，設(shè)置連結(jié)第2引線部26c和第3引線部26d的局部引線連結(jié)部55，經(jīng)由位于切割區(qū)域15的第2引線連結(jié)部52c，連結(jié)第2引線部26c和第3引線部26d。另外，第2引線連結(jié)部52c在切割區(qū)域15內(nèi)，在框體區(qū)域13的內(nèi)側(cè)的全長范圍縱向延伸。
[0291]引線框1H的各封裝區(qū)域14間，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a和與各封裝區(qū)域14的上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第I引線部26a分別通過第I引線連結(jié)部52a，越過切割區(qū)域15而連結(jié)。另外，各封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26c及第3引線部26d和與各封裝區(qū)域14的上方及下方相鄰的封裝區(qū)域14內(nèi)的第2引線部26c及第3引線部26d分別經(jīng)由局部引線連結(jié)部55，通過第2引線連結(jié)部52c，越過切割區(qū)域15而連結(jié)。如該變形例所示，在可以通過局部引線連結(jié)部55將第2引線部26c及第3引線部26d處理為一體的引線的場合，一體處理的第2引線部26c及第3引線部26d(即引線配置區(qū)域16R)和芯片襯墊25、第I引線部26a若在一直線上配置為一列，則用本發(fā)明的增強(qiáng)片57可以防止在引線框產(chǎn)生變形。
[0292]另外，圖38所示引線框70H中，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域15中，設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15和不設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域在上下方向交替配置。
[0293]變形例2-9
[0294]圖40表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例2-9)的引線框701。圖40所示引線框701中，不同于圖31所示變形例2-2，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域15中，設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15在上下方向每隔預(yù)定數(shù)(行數(shù))周期地設(shè)置。圖40中，設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15每隔2行而設(shè)置，但是不限于此，例如也可以每隔3行或4行等的間隔而設(shè)置。
[0295]這樣，通過減少增強(qiáng)片57的數(shù)，可以在切割時(shí)減輕刀片38的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖31所示變形例2近似相同。
[0296]變形例2-10
[0297]圖41表示本實(shí)施方式的一變形例(變形例2-10)的引線框70J。圖41所示引線框70J中，不同于圖40所示變形例2-9，橫方向延伸的多個(gè)切割區(qū)域15中，設(shè)有增強(qiáng)片57的切割區(qū)域15不是周期地配置，而是在上下方向不規(guī)則地配置。
[0298]該場合中，通過減少增強(qiáng)片57的數(shù)，也可以在切割時(shí)減輕刀片38的負(fù)載。其他構(gòu)成與圖31所示變形例2-2近似相同。
[0299]以上，圖30至圖41所示引線框(變形例2-1?變形例2-10)也可以獲得與上述圖21至圖29所示實(shí)施方式的效果近似同樣的效果。
[0300]另外，用圖21至圖23、圖31、圖33、圖40、圖41所示引線框70、7(?、700、701、7(^制作的半導(dǎo)體裝置不限于圖24及圖25所示，也可以是圖19(變形例B)或圖20(變形例C)所示半導(dǎo)體裝置。另外，用圖30、圖32、圖34、圖35所示引線框70A、70C、70E、70F制作的半導(dǎo)體裝置也可以是圖18(變形例A)所示半導(dǎo)體裝置。
[0301](第3實(shí)施方式)
[0302]接著，參照圖42至圖44說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。圖42至圖44是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的示圖。圖42至圖44所示第3實(shí)施方式的主要不同點(diǎn)在于用二極管等的半導(dǎo)體元件45取代LED元件21，其他構(gòu)成與上述第I實(shí)施方式及第2實(shí)施方式近似相同。圖42至圖44中，與第I實(shí)施方式及第2實(shí)施方式相同的部分附上相同符號(hào)，詳細(xì)的說明省略。
[0303]引線框的構(gòu)成
[0304]圖42是本實(shí)施方式的引線框60的截面圖。本實(shí)施方式的引線框60是取代LED元件21而用于搭載二極管等的半導(dǎo)體元件45的引線框(參照圖42)，鍍層12僅僅在引線部26的一部分(連接接合線22的部分)形成。其他構(gòu)成與圖1至3所示引線框10或圖21至圖23所示引線框70相同。
[0305]另外，本實(shí)施方式中，引線框60的平面形狀不限于圖1至圖3所示引線框10的形狀或圖21至圖23所示引線框70的形狀，也可以是圖10至圖17所示各引線框的形狀或圖30至圖41所示各引線框的形狀。
[0306]半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成
[0307]圖43表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置65。半導(dǎo)體裝置65采用圖42所示引線框60制作，具備(單片化)引線框60和在引線框60的芯片襯墊25載置的半導(dǎo)體元件45。半導(dǎo)體元件45也可以包括例如二極管等的離散的半導(dǎo)體元件。另外，半導(dǎo)體元件45的端子部45a和在引線部26上設(shè)置的鍍層12通過接合線22電氣連接。而且，半導(dǎo)體元件45和接合線22通過密封樹脂24密封。
[0308]另外，密封樹脂24可以選擇包括環(huán)氧樹脂樹脂和/或硅樹脂的樹脂，但是不同于第I實(shí)施方式及第2實(shí)施方式，不一定必須是透明的，也可以包括黑色等的不透明樹脂。
[0309]半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0310]接著，用圖44(a)_(f)說明圖43所示半導(dǎo)體裝置65的制造方法。圖44(a)_(f)是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示圖。
[0311]首先，與上述工序(圖6(a)_(f)及圖26(a)_(f))近似同樣，制作引線框60(圖44(a))。另外，該場合，形成鍍層12的工序(圖6(f)及圖26(f))中，鍍層12不是在引線框主體11的整個(gè)面，而是僅僅在引線部26的一部分形成。
[0312]接著，在引線框60的芯片襯墊25上搭載半導(dǎo)體元件45。該場合，用焊料或芯片接合膏，在芯片襯墊25上載置并固定半導(dǎo)體元件45(圖44(b))。
[0313]接著，通過接合線22相互電氣連接半導(dǎo)體元件45的端子部45a和引線部26上的鍍層12(圖44(c))。
[0314]然后，通過密封樹脂24，一次密封半導(dǎo)體元件45和接合線22(圖44(d))。另外，此時(shí)，也可以通過在引線框60的背面貼附未圖示的背膠帶，防止密封樹脂24回流到第I外引線部27及/或第2外引線部28的背面。
[0315]接著，通過切斷密封樹脂24及引線框60中與切割區(qū)域15對應(yīng)的部分，將密封樹脂24及引線框60按每個(gè)半導(dǎo)體元件45分離(圖44(e))。此時(shí)，首先在切割膠帶37上載置固定引線框60，然后，通過例如包括鉆石砂輪等的刀片38，切斷各半導(dǎo)體元件45間的密封樹脂24以及引線框60的傾斜增強(qiáng)片51 (或增強(qiáng)片57)、引線連結(jié)部52、芯片襯墊連結(jié)部53及封裝區(qū)域連結(jié)部54。另外，通過刀片38切斷引線框60時(shí)，也可以采用上述圖9(a)、(b)或圖29(a)、(b)所示方法。
[0316]這樣，可以獲得圖43所示半導(dǎo)體裝置65(圖44(e))。
[0317]這樣，本實(shí)施方式中，取代LED元件21而載置二極管等的半導(dǎo)體元件45，在引線框60上不設(shè)置反射樹脂23。該場合，制造半導(dǎo)體裝置65的工序中(圖44(a)-(f))，在其中途不通過反射樹脂23增強(qiáng)引線框60，因此到由密封樹脂24密封為止的期間，必須防止引線框60(圖44(e))的變形。具體地說，搭載半導(dǎo)體元件45時(shí)，有引線框60經(jīng)由其端面通過軌道傳送的情況，此時(shí)，必須使引線框60不變形。另外，通過共晶鍵合接合半導(dǎo)體元件45時(shí)，對引線框60加熱(例如以400°C加熱10分鐘等)，因此必須防止該熱導(dǎo)致引線框60的強(qiáng)度降低。而且，線接合時(shí)也施加熱及沖擊，因此也必須防止該熱導(dǎo)致引線框60的強(qiáng)度降低。從而，與設(shè)有反射樹脂23的場合比，要求進(jìn)一步提高引線框60的強(qiáng)度。
[0318]相對地，根據(jù)本實(shí)施方式，各封裝區(qū)域14內(nèi)的芯片襯墊25和相鄰的其他封裝區(qū)域14內(nèi)的引線部26通過位于切割區(qū)域15的傾斜增強(qiáng)片51連結(jié)?；?，芯片襯墊連結(jié)部53及引線連結(jié)部52通過位于切割區(qū)域15的增強(qiáng)片57連結(jié)。從而，不會(huì)沿引線框60的上下方向產(chǎn)生細(xì)長空間，引線框60不會(huì)在上下方向形成錯(cuò)位狀。從而，可以防止處理時(shí)在引線框60產(chǎn)生變形。
[0319]另外，本實(shí)施方式中，也可以獲得與上述第I實(shí)施方式及第2實(shí)施方式同樣的作用效果。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種附有樹脂引線框，其特征在于，具備: 芯片襯墊，其載置LED元件;和 引線部，其相對于所述芯片襯墊分離地設(shè)置； 所述芯片襯墊與所述引線部分別具有相對面，所述芯片襯墊的所述相對面與所述引線部的所述相對面經(jīng)由所述芯片襯墊與所述引線部之間的空間而彼此相對， 所述芯片襯墊的所述相對面具有位于所述芯片襯墊的厚度方向中間的突起，所述突起朝向所述空間突出， 所述芯片襯墊與所述引線部之間的所述空間填充有反射樹脂， 所述芯片襯墊的底面、所述引線部的底面、以及所述反射樹脂的底面位于同一平面上。2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備: 芯片襯墊； 引線部，其相對于所述芯片襯墊分離地設(shè)置； LED元件，其搭載于所述芯片襯墊上； 導(dǎo)電部，其將所述引線部與所述LED元件電連接；以及 密封樹脂部，其將所述LED元件與所述導(dǎo)電部密封； 所述芯片襯墊與所述引線部分別具有相對面，所述芯片襯墊的所述相對面與所述引線部的所述相對面經(jīng)由所述芯片襯墊與所述引線部之間的空間而彼此相對， 所述芯片襯墊的所述相對面具有位于所述芯片襯墊的厚度方向中間的突起，所述突起朝向所述空間突出， 所述芯片襯墊與所述引線部之間的所述空間填充有反射樹脂， 所述芯片襯墊的底面、所述引線部的底面、以及所述反射樹脂的底面位于同一平面上。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK105845816SQ201610341168
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2011年10月31日
【發(fā)明人】小田和范, 矢崎雅樹
【申請人】大日本印刷株式會(huì)社