金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，它包括以下工藝步驟：步驟一、取一片表面聲濾波芯片晶圓；步驟二、制備第一絕緣層；步驟三、全蝕刻貼合晶圓并進行貼合；步驟四、制備第二絕緣層；步驟五、電鍍第一金屬層；步驟六、制備第三絕緣層；步驟七、植球；步驟八、切割。本發(fā)明金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，它能提供一種更小面積和體積的表面聲濾波器件，并且具有更低的制造成本。
【專利說明】
金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，屬于半導體封裝技術領域。
【背景技術】
[0002]表面聲濾波設備廣泛用于RF和IF應用，其中包括便攜式電話機、無線電話機、以及各種無線電裝置。通過使用表面聲濾波，對這些電子設備進行電信號的濾波、延時等處理。因表面聲濾器產(chǎn)品性能和設計功能需求，需要保證濾波芯片功能區(qū)域不能接觸任何物質，即空腔結構設計。
[0003]現(xiàn)有的表面聲濾波器件封裝結構是將濾波芯片通過導電凸塊倒裝焊與陶瓷基板相連并完全嵌于基材腔體內，基板表面加金屬蓋保護。但是此種結構金屬蓋的成本較高，而且陶瓷基板與金屬蓋的平整度要求比較高，容易有封閉不良的情況。另外其他表面聲濾波器件的制作方法是使用頂部密封或包膜工藝對模塊加以密封，形成空腔結構。
[0004]現(xiàn)有的表面聲濾波器件的封裝方法，流程較長，成本較高，且結構尺寸還是比較大，在目前電子設備越做越小的潮流趨勢下，需要不斷減小電子裝置及其中所使用的表面聲濾波器件的重量和尺寸。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術問題是針對上述現(xiàn)有技術提供金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，它能提供一種更小面積和體積的表面聲濾波器件，并且具有更低的制造成本。
[0006]本發(fā)明解決上述問題所采用的技術方案為:金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，所述方法包括以下工藝步驟:
步驟一、取一片表面聲濾波芯片晶圓；
步驟二、制備第一絕緣層
用涂膠工藝在表面聲濾波芯片晶圓上涂一層一定厚度的絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域和芯片感應區(qū)域位置的絕緣膠去除；
步驟三、全蝕刻貼合晶圓并進行貼合
取一片貼合晶圓，先將貼合晶圓后續(xù)電極區(qū)域上方的位置進行全蝕刻，然后將已經(jīng)完成全蝕刻的貼合晶圓通過粘合膠與表面聲濾波芯片晶圓貼合在一起，從而在芯片感應區(qū)域上方形成空腔，在電極區(qū)域上方形成第一開孔；
步驟四、制備第二絕緣層
用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域位置的絕緣月父去除；
步驟五、電鍍第一金屬層
在表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域表面以及第二絕緣層表面選擇性電鍍第一金屬層； 步驟六、制備第三絕緣層
用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將后續(xù)植球位置的絕緣膠去除，形成第二開孔；
步驟七、植球在植球位置進行植球；
步驟八、切割切割分成單顆產(chǎn)品。
[0007]金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，所述方法包括以下工藝步驟:
步驟一、取一片表面聲濾波芯片晶圓；
步驟二、制備第一絕緣層
用涂膠工藝在表面聲濾波芯片晶圓上涂一層一定厚度的絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域和芯片感應區(qū)域位置的絕緣膠去除；
步驟三、半蝕刻貼合晶圓并進行貼合
取一片貼合晶圓，先將貼合晶圓后續(xù)電極區(qū)域上方的位置進行半蝕刻，然后將已經(jīng)完成半蝕刻的貼合晶圓通過粘合膠與表面聲濾波芯片晶圓貼合在一起，從而在芯片感應區(qū)域上方形成空腔；
步驟四、減薄
將貼合晶圓進行研磨、減薄至貼合晶圓半蝕刻的位置，把表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域位置暴露出來，形成第一開孔；
步驟五、制備第二絕緣層
用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域位置的絕緣月父去除；
步驟六、電鍍第一金屬層
在表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域表面以及第二絕緣層表面選擇性電鍍第一金屬層； 步驟七、制備第三絕緣層
用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將后續(xù)植球位置的絕緣膠去除，形成第二開孔；
步驟八、植球在植球位置進行植球；
步驟九、切割切割分成單顆產(chǎn)品。
[0008]所述第一絕緣層采用B-stage膠，此時不需要在貼合晶圓上涂粘合膠，直接進行貼入口 ο
[0009]所述貼合晶圓米用娃晶圓或金屬材料晶圓。
[0010]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于:
1、與傳統(tǒng)的工藝相比，整體生產(chǎn)流程是晶圓級的，能形成小尺寸的封裝結構，而且工藝簡單，能保證芯片感應區(qū)的空腔結構，能形成可靠性較高的金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片結構； 2、本發(fā)明的圓片級表面聲濾波芯片結構可以直接使用，也可以將整個結構和其他封裝結構在基板上形成二次封裝，形成系統(tǒng)級封裝。
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的示意圖。
[0012]圖2?圖9為本發(fā)明金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法實施例一的工藝流程圖。
[0013]圖10?圖18為本發(fā)明金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法實施例二的工藝流程圖。
[0014]其中:
表面聲濾波芯片晶圓I 電極區(qū)域1.1 感應區(qū)域1.2 第一絕緣層2 粘合膠3 貼合晶圓4 空腔5 第一開孔6 第二絕緣層7 第一金屬層8 第三絕緣層9 第二開孔10 金屬球11。
【具體實施方式】
[0015]以下結合附圖實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0016]如圖1所示，本實施例中的金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構，它包括表面聲濾波芯片晶圓I，所述表面聲濾波芯片晶圓I表面包括電極區(qū)域1.1和感應區(qū)域1.2，所述表面聲濾波芯片晶圓I除電極區(qū)域1.1和感應區(qū)域1.2外的區(qū)域設置有第一絕緣層2，所述第一絕緣層2上通過粘合膠3設置有貼合晶圓4，所述貼合晶圓4與感應區(qū)域1.2之間形成空腔5，所述貼合晶圓4在電極區(qū)域1.1位置處設置有第一開孔6，所述貼合晶圓4表面設置有第二絕緣層7，所述第二絕緣層7表面和電極區(qū)域1.1表面設置有第一金屬層8，所述第一金屬層8表面設置有第三絕緣層9，所述第三絕緣層9表面設置有第二開孔10，所述第二開孔10內設置有金屬球11，所述金屬球11與第一金屬層8相接觸。
[0017]實施例一:
金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，它包括以下工藝步驟: 步驟一、參見圖2，取一片表面聲濾波芯片晶圓；
步驟二、制備第一絕緣層
參見圖3，用涂膠工藝在表面聲濾波芯片晶圓上涂一層一定厚度的絕緣膠，如PI(聚酰亞胺)、PA(尼龍，聚酰胺)，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域和芯片感應區(qū)域位置的絕緣膠去除；
步驟三、全蝕刻貼合晶圓并進行貼合
參見圖4，取一片貼合晶圓，先將貼合晶圓后續(xù)電極區(qū)域上方的位置進行全蝕刻，然后將已經(jīng)完成全蝕刻的貼合晶圓通過粘合膠與表面聲濾波芯片晶圓貼合在一起，從而在芯片感應區(qū)域上方形成空腔，在電極區(qū)域上方形成第一開孔；
步驟四、制備第二絕緣層
參見圖5，用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域位置的絕緣膠去除；
步驟五、電鍍第一金屬層
參見圖6，在表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域表面以及第二絕緣層表面選擇性電鍍第一金屬層；
步驟六、制備第三絕緣層
參見圖7，用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將后續(xù)植球位置的絕緣膠去除，形成第二開孔；
步驟七、植球
參見圖8，在植球位置進行植球；
步驟八、切割
參見圖9，切割分成單顆產(chǎn)品。
[0018]所述第一絕緣層可以是B-stage膠，膠體加熱后熔融，此時可以不需要在貼合晶圓上涂粘合膠，直接進行貼合；
所述貼合晶圓為硅晶圓或金屬材料；
實施例二:
金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，它包括以下工藝步驟: 步驟一、參見圖10，取一片表面聲濾波芯片晶圓；
步驟二、制備第一絕緣層
參見圖11，用涂膠工藝在表面聲濾波芯片晶圓上涂一層一定厚度的絕緣膠，如PI(聚酰亞胺)、PA(尼龍，聚酰胺)，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域和芯片感應區(qū)域位置的絕緣膠去除；
步驟三、半蝕刻貼合晶圓并進行貼合
參見圖12，取一片貼合晶圓，先將貼合晶圓后續(xù)電極區(qū)域上方的位置進行半蝕刻，然后將已經(jīng)完成半蝕刻的貼合晶圓通過粘合膠與表面聲濾波芯片晶圓貼合在一起，從而在芯片感應區(qū)域上方形成空腔；
步驟四、減薄
參見圖13，將貼合晶圓進行研磨、減薄至貼合晶圓半蝕刻的位置，把表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域位置暴露出來，形成第一開孔；
步驟五、制備第二絕緣層
參見圖14，用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域位置的絕緣膠去除； 步驟六、電鍍第一金屬層
參見圖15，在表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域表面以及第二絕緣層表面選擇性電鍍第一金屬層；
步驟七、制備第三絕緣層
參見圖16，用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將后續(xù)植球位置的絕緣膠去除，形成第二開孔；
步驟八、植球
參見圖17，在植球位置進行植球；
步驟九、切割
參見圖18，切割分成單顆產(chǎn)品。
[0019]除上述實施例外，本發(fā)明還包括有其他實施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術方案，均應落入本發(fā)明權利要求的保護范圍之內。
【主權項】
1.金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟: 步驟一、取一片表面聲濾波芯片晶圓； 步驟二、制備第一絕緣層 用涂膠工藝在表面聲濾波芯片晶圓上涂一層一定厚度的絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域和芯片感應區(qū)域位置的絕緣膠去除； 步驟三、全蝕刻貼合晶圓并進行貼合 取一片貼合晶圓，先將貼合晶圓后續(xù)電極區(qū)域上方位的置進行全蝕刻，然后將已經(jīng)完成全蝕刻的貼合晶圓通過粘合膠與表面聲濾波芯片晶圓貼合在一起，從而在芯片感應區(qū)域上方形成空腔，在電極區(qū)域上方形成第一開孔； 步驟四、制備第二絕緣層 用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域位置的絕緣月父去除； 步驟五、電鍍第一金屬層 在表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域表面以及第二絕緣層表面選擇性電鍍第一金屬層； 步驟六、制備第三絕緣層 用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將后續(xù)植球位置的絕緣膠去除，形成第二開孔； 步驟七、植球 在植球位置進行植球； 步驟八、切割 切割分成單顆產(chǎn)品。2.金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟: 步驟一、取一片表面聲濾波芯片晶圓； 步驟二、制備第一絕緣層 用涂膠工藝在表面聲濾波芯片晶圓上涂一層一定厚度的絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域和芯片感應區(qū)域位置的絕緣膠去除； 步驟三、半蝕刻貼合晶圓并進行貼合 取一片貼合晶圓，先將貼合晶圓后續(xù)電極區(qū)域上方的位置進行半蝕刻，然后將已經(jīng)完成半蝕刻的貼合晶圓通過粘合膠與表面聲濾波芯片晶圓貼合在一起，從而在芯片感應區(qū)域上方形成空腔； 步驟四、減薄 將貼合晶圓進行研磨、減薄至貼合晶圓半蝕刻的位置，把表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域位置暴露出來，形成第一開孔； 步驟五、制備第二絕緣層 用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域位置的絕緣月父去除； 步驟六、電鍍第一金屬層 在表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域表面以及第二絕緣層表面選擇性電鍍第一金屬層； 步驟七、制備第三絕緣層 用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將后續(xù)植球位置的絕緣膠去除，形成第二開孔； 步驟八、植球 在植球位置進行植球； 步驟九、切割 切割分成單顆產(chǎn)品。3.根據(jù)權利要求1或2所述的金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，其特征在于:所述第一絕緣層采用B-stage膠，可不需要在貼合晶圓上涂粘合膠，直接進行貼合。4.根據(jù)權利要求1或2所述的金屬圓片級蝕刻型表面聲濾波芯片封裝結構的制造方法，其特征在于:所述貼合晶圓采用硅晶圓或金屬材料晶圓。
【文檔編號】H01P11/00GK105846038SQ201610204754
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年4月1日
【發(fā)明人】張江華
【申請人】江蘇長電科技股份有限公司