切片方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種切片方法，其使用線鋸，一邊對于卷繞在多個線導(dǎo)件上的線供給冷卻液，一邊使所述線移動，且使硅晶錠壓抵于該線并切斷該硅晶錠，從而得到多片切片晶圓，其中，將供給到所述線的冷卻液中的銅濃度設(shè)為80ppm以下。由此，能夠提供一種切片方法，其使用線鋸，并能穩(wěn)定地得到銅污染降低的高純度的硅晶圓。
【專利說明】
切片方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種切片方法，其利用線銀將娃晶錠切斷成晶圓狀。
【背景技術(shù)】
[0002] 在一般的娃晶圓的制造方法中，培育好的單晶娃晶錠首先在實行電阻率和結(jié)晶性 等的檢查后，通常會被切斷成電阻率在一定范圍的塊體。而且，培育完成的晶錠的原本狀態(tài) 并不會成為完美的圓筒狀，且直徑也不均勻，因此要進行外周磨削W使各個塊體的直徑均 勻。接下來，為了表示特定的結(jié)晶方位，對于經(jīng)外周磨削的塊體施加定向平面(or i entat ion flat)或切口（notch)。
[0003] 接著，各塊體被切斷成多片晶圓，且針對各個晶圓進行由下述工序所構(gòu)成的處理 來生產(chǎn)具有高精細的平坦度的晶圓：倒角加工、機械研光（1 a P P i n g )、蝕刻、吸雜 (gettering)處理、氧供體去除熱處理、鏡面研磨(polishing)及清洗。
[0004] 源自各個塊體的切片，在制作直徑200mmW下的晶圓時，主要是實行由內(nèi)周刃所進 行的切片處理。在此由內(nèi)周刃所進行的切片中，由于所使用的刀片需要具有塊體的直徑的4 ~5倍大的外徑，因此難W對應(yīng)直徑300mmW上的大直徑塊體的切片。因此，大多使用由線銀 所進行的切片，來取代先前由內(nèi)周刃所進行的切片。
[0005] 在由線銀所進行的切片中，是通過具有下述構(gòu)成的線銀來實行:將從線供給滾動 條(reel)延伸出來的線(wire), W具有規(guī)定張力的方式呈螺旋狀卷繞在2~討良W上的線導(dǎo) 件(wire guide)的周圍后，使線向線卷取滾動條延伸。
[0006] 在運樣的線銀中，例如在游離磨粒（loose abrasive)方式的線銀中，一邊供給含 有磨削磨粒的冷卻液，一邊經(jīng)由線導(dǎo)件使線從線供給滾動條向線卷取滾動條移動，并通過 使晶錠的塊體與線導(dǎo)件之間被拉緊的線接觸，來切斷晶錠的塊體。
[0007] 另外，在固定磨粒方式的線銀中，是使用固定有磨粒的線，一邊向線供應(yīng)不含有磨 粒的冷卻液，一邊切斷晶錠的塊體。
[000引在具有運種構(gòu)成的線銀中，由于將線呈螺旋狀卷繞在線導(dǎo)件的周圍，線在與塊體 接觸的位置上會變成W規(guī)定的間隔平行配置，因此能夠W-次的塊體切斷來得到多片晶 圓。
[0009] 使用于線銀的線，一般是將鋼線等的線材作為素線（element wires)來使用，且在 此素線的表面上形成有例如鍛銅層或鍛黃銅運類的銅合金鍛層。在線的素線的表面上施加 鍛銅層或銅合金鍛層的理由，是為了賦予防誘效果及為了得到潤滑效果，其中潤滑效果是 用于在階段性地抽線的拉線工序中，使線通過具有規(guī)定孔徑的模具等的時候;但是，若是使 用表面上施加有鍛銅的線，則會有切片而得的晶圓被高濃度的銅污染的問題。
[0010] 作為用于解決運樣的由線銀用線所引起的銅污染的對策，已知有下述線銀用線的 制造方法:在鐵或鐵合金制的線材的表面上形成銅或銅合金鍛層并實行最后完工的拉線之 后，剝離銅或銅合金鍛層(例如請參照專利文獻1)。
[0011] 在專利文獻1的方法中，記載了下述內(nèi)容:拉線時的潤滑將順楊地進行而在表面上 不易產(chǎn)生損傷等，因而不會損及作為線銀用線的質(zhì)量特性。而且，之后，由于將表面的銅或 銅合金鍛層剝離來作為線銀用線使用，因此切出來的晶圓等沒有被金屬雜質(zhì)等污染。
[0012] 另外，掲示一種具有下述工序的半導(dǎo)體晶圓的制造方法(例如請參照專利文獻2): 使用一種在鋼線的表面施加了鍛鋒或鍛儀的線銀用線，來將半導(dǎo)體晶錠切片成多片的半導(dǎo) 體晶圓的工序;及，將所得到的半導(dǎo)體晶圓的表面和背面兩面W單面20wiiW下的研光量進 行研光的研光工序。在專利文獻2的方法中記載了如下內(nèi)容:通過使用施加了鍛鋒或鍛儀的 線銀用線，能降低使用線銀切片而得的半導(dǎo)體晶圓的銅污染。
[0013] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0014] 專利文獻
[0015] 專利文獻1:日本專利公開平成09-254145號公報
[0016] 專利文獻2:日本專利公開2005-57054號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017](-)要解決的技術(shù)問題
[0018] 然而，即便是在使用了上述專利文獻1或?qū)＠墨I2所示的線銀用線的情況下，若 使用多個線銀將多個單晶娃塊切片，且調(diào)查從各娃塊得到的晶圓內(nèi)部的銅污染濃度，則會 發(fā)現(xiàn)銅污染濃度在各個晶圓都大不相同，其中也有發(fā)生超過1 X l〇i2atoms/cm3的銅污染的 晶圓，從而在先前方法中降低銅污染的效果不一定是充分的。由于銅污染會大幅地影響半 導(dǎo)體特性，因此一直在追求一種能切實地降低由于線銀切片所導(dǎo)致的單晶娃的銅污染的方 法。
[0019] 本發(fā)明的目的在于提供一種切片方法，其使用線銀，并能穩(wěn)定地得到銅污染降低 的高純度的娃晶圓。
[0020](二很術(shù)方案
[0021] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種切片方法，其使用線銀，一邊對卷繞在多個線 導(dǎo)件上的線供給冷卻液，一邊使所述線移動，同時使娃晶錠壓抵于該線并切斷該娃晶錠，來 得到多片切片晶圓，該切片方法的特征在于，將供給到所述線的冷卻液中的銅濃度設(shè)為 80卵mW下。
[0022] 運么一來，在利用切片而制造出來的娃晶圓中的銅污染，能充分地被降低，而且能 夠穩(wěn)定地制造該高純度的娃晶圓。雖然在先前的方法中，各個切片晶圓中的銅污染濃度有 偏差，但是，在本發(fā)明中，能將銅污染濃度抑制在很低的濃度并成為固定值，而能夠盡量地 抑制該偏差。
[0023] 此時，在向所述線供給冷卻液之前，可W預(yù)先測定冷卻液中的銅濃度，并使用銅濃 度是SOppm W下的冷卻液。
[0024] 運么一來，能夠更切實地使用銅濃度被抑制在SOppmW下的低濃度冷卻液并供給 到線，從而能夠更加穩(wěn)定地制造高純度的娃晶圓。
[0025] 另外，當將供給到所述線后的冷卻液回收到槽內(nèi)，并且將容置于該槽內(nèi)的冷卻液 供給到線來循環(huán)使用時，能夠?qū)⑺霾蹆?nèi)的冷卻液的銅濃度管理在SOppmW下。
[0026] 運么一來，能將使用后的冷卻液再利用于切斷中，不但能降低成本，也能將銅濃度 被更切實地抑制在低濃度的冷卻液供給到線。
[0027]另外，可將用于調(diào)整所述要切斷的娃晶錠的比電阻所添加的滲雜物設(shè)為棚。
[00%]棚有與銅相互作用而促進銅向娃侵入的作用，而容易產(chǎn)生銅污染。由于如上述般 本發(fā)明能夠降低銅污染，因此對于運樣將容易產(chǎn)生銅污染的棚作為滲雜物的情形下特別有 效。
[0029] 另外，可將所述要切斷的娃晶錠的比電阻設(shè)為0.03Q ? cmW下。
[0030] 在比電阻設(shè)為0.03Q ? cmW下的情況下，由于大量含有滲雜物，因此銅也容易大 量侵入。因此若是污染到達飽和等級的話，則切片晶圓內(nèi)的此銅污染濃度也會變得較高，因 此能降低銅污染的本發(fā)明對此情況是特別有效。
[0031] 另外，可將向所述線供給的冷卻液的pH值設(shè)在5~7的范圍內(nèi)。
[0032] 利用將抑值控制在運樣的范圍內(nèi)，能夠更加控制對于切片晶圓的銅污染的產(chǎn)生和 促進。
[0033 ] 另外，可將所述娃晶錠的直徑設(shè)為450mm W上。
[0034] 利用線銀進行切片時的娃晶錠的溫度會隨著晶錠的直徑變大而變得高溫，另外， 隨著溫度越高銅向娃的擴散會變得越容易。如直徑450mmW上時，當要切斷的娃晶錠的直徑 很大的情況下，能降低銅污染的本發(fā)明對此情況是特別有效。
[0035] 另外，可將所述冷卻液設(shè)為含有磨粒。
[0036] 運樣，即便是在將含有磨粒的冷卻液供給到線的線銀切片方式之中，例如游離磨 粒方式的線銀切片之中，也能夠利用本發(fā)明。
[0037] (立)有益效果
[0038] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的切片方法，能夠降低對于使用線銀切斷而得到的娃晶圓 的銅污染，且能夠穩(wěn)定地提供高純度的娃晶圓。
【附圖說明】
[0039] 圖1是表示在比電阻為0.03Q ? cm的情況下，冷卻液中銅濃度與從晶圓檢測出來 的銅污染濃度之間的關(guān)系的圖表。
[0040] 圖2是表示在比電阻為0.02Q ? cm的情況下，冷卻液中銅濃度與從晶圓檢測出來 的銅污染濃度之間的關(guān)系的圖表。
[0041] 圖3是表示在比電阻為0.01 Q ? cm的情況下，冷卻液中銅濃度與從晶圓檢測出來 的銅污染濃度之間的關(guān)系的圖表。
[0042] 圖4是表示能夠在本發(fā)明的切片方法中使用的線銀的一個例子的示意圖。
【具體實施方式】
[0043] 下面，針對本發(fā)明，作為實施方式的一個例子，一邊參照附圖一邊詳細說明，但本 發(fā)明并不限定于此實施方式。
[0044] 本發(fā)明人針對使用線銀的切片方法努力進行研究，其結(jié)果為，得知了冷卻液中的 銅濃度對于切片晶圓中所產(chǎn)生的銅污染有很大的關(guān)系。進而，發(fā)現(xiàn)若是冷卻液中的銅濃度 超過SOppm的話，則切片晶圓的銅污染濃度會變高并達到飽和狀態(tài)。另外發(fā)現(xiàn)，在另一方面， 若是冷卻液中的銅濃度在SOppm W下的話，則能夠?qū)⑶衅A的銅污染濃度抑制在低濃度， 而且，由此能夠抑制各個切片晶圓的銅污染濃度的偏差，而完成本發(fā)明。
[0045] 圖4是表示能在本發(fā)明的切片方法中使用的線銀的一個例子的示意圖。如圖4所 示，線銀1主要由W下構(gòu)件所構(gòu)成:用于切斷娃晶錠（W下簡稱為工件W)的線2、卷繞有該線2 的多個線導(dǎo)件3、用于賦予線2張力的線張力賦予機構(gòu)4和4'、保持要切斷的工件W并將工件W 進給的工件進給機構(gòu)5、冷卻液供給機構(gòu)6等。
[0046] 工件W是隔著接合構(gòu)件而接合于工件板(work palte)，且該工件板是通過工件進 給機構(gòu)5的工件保持部而被保持。像運樣W工件保持部保持的工件W，可使用工件進給機構(gòu)5 的LM導(dǎo)軌(直線運動導(dǎo)軌，Linear Motion Guide),而向配置于下方的線2送出。
[0047] 另外，線2從一邊的線滾動條7被釋出，經(jīng)由線張力賦予機構(gòu)4,并進入線導(dǎo)件3。線2 通過在此線導(dǎo)件3上卷繞300~400圈左右來形成線列。而且，線2經(jīng)由另一邊的線張力賦予 機構(gòu)4'而卷繞于線滾動條7'。
[0048] 由此變得能像運樣地對卷繞的線2賦予張力，且通過驅(qū)動馬達10向軸方向W預(yù)先 設(shè)定的反轉(zhuǎn)循環(huán)時間、移動速度使線2往復(fù)移動。
[0049] 此處，在固定磨粒方式中，線2是有磨粒固定在鋼線等的線的素線的表面上。例如， 可做成通過儀粘合劑將鉆石磨粒固定于線的素線而成的電沉積(electrod邱osition)鉆石 線。此電沉積鉆石線是通過儀電沉積(nickel electrodeposition)來牢固地將鉆石磨粒固 定在線的素線上。因此，具有線的壽命長運種優(yōu)點。此外，固定方法并沒有特別限定，只要能 將磨粒固定于在線即可。
[0050] 另外，在運樣的線2的上方配置有噴嘴8,從而形成為可W對線2供給冷卻液9。噴嘴 8的數(shù)量并沒有特別限定，可適當?shù)貨Q定。例如可W使用丙二醇(PG,propylene glycol)混 合液來作為冷卻液9。
[0051 ]另一方面，在游離磨粒方式中，磨粒沒有固定在線2上。取而代之地，會準備含有磨 粒的冷卻液9'，并可從噴嘴8供應(yīng)。例如可W使用由碳化娃(SiC)所形成的磨粒來作為此冷 卻液中的磨粒。
[0052] 另外，在冷卻液供應(yīng)機構(gòu)6中準備有槽11，槽11是用于回收已在切斷時供給到線2 的使用后的冷卻液9(或冷卻液9'）。從此槽11能將已經(jīng)利用溫度調(diào)整機構(gòu)12來調(diào)整溫度后 的冷卻液9,由噴嘴8循環(huán)供給。
[0053] 此外，此冷卻液供給機構(gòu)6并不限于運些槽11和溫度調(diào)整機構(gòu)12等。例如可W進一 步設(shè)置離屯、分離機，可W實行去除或回收使用后的冷卻液中的碎片、磨粒、其他雜質(zhì)的處 置。而且，實行運些必要的處置后的冷卻液9被儲存于槽11內(nèi)。除此之外，也可從槽11采取或 去除一部分的冷卻液，相反地，也可追加放入新的清凈的冷卻液或磨粒到槽11中。
[0054] 接下來，針對使用圖4的線銀的本發(fā)明的切片方法進行說明。
[0055] 首先，準備娃晶錠。此處所準備的娃晶錠并沒有特別限定，例如可W設(shè)為用柴氏法 (CZ法，Czochralski method)或浮區(qū)法(FZ法，floating zone method)所培育出來的娃單 晶錠。
[0056] 另外，針對娃晶錠的直徑、添加的滲雜物、比電阻等的各種條件也沒有特別限定， 可適當?shù)貨Q定。特別是，在被設(shè)為一般會變得容易產(chǎn)生銅污染運樣的條件的情況下，運種能 夠降低銅污染的本發(fā)明的有效性，能更加有效地發(fā)揮。
[0057] 舉例而言，可將直徑設(shè)為450mmW上運種較大的尺寸。運是因為，娃晶錠的直徑變 得越大的話W線銀切斷時會越容易變得高溫，銅向娃的擴散也會變得越容易產(chǎn)生。
[0058] 另外，可將滲雜物設(shè)為棚。運是因為，棚有與銅相互作用而促進銅向娃侵入的作 用，而容易產(chǎn)生銅污染。
[0059] 另外，可將比電阻設(shè)為0.03Q ? cmW下。在運樣低電阻率的切片晶圓中，銅會更容 易侵入，銅污染例如若是到達飽和等級的話，那時的濃度值較高，從而對半導(dǎo)體特性帶來不 良影響。
[0060] 接下來，使用線銀1將娃晶錠切斷成晶圓狀。
[0061] 首先，將所準備的娃晶錠切斷成塊體等并且加工成適當?shù)男螤?工件W)，然后通過 工件進給機構(gòu)5的工件保持部來保持工件W，并向下方送出(進給）。
[0062] 而且，將儲存于槽11內(nèi)的冷卻液9(或冷卻液9'），從噴嘴8向線2供給。
[0063] 另外，從線滾動條7釋出線2,經(jīng)過線張力賦予機構(gòu)4、4'并向線滾動條7'卷繞線2， 由此來使線2移動。
[0064] 運樣，通過一邊將冷卻液9供給到線2,一邊將工件W壓抵于作往復(fù)移動的線2上，W 將工件W切斷成晶圓狀，而得到切片晶圓。
[0065] 并且，使用后的冷卻液9在經(jīng)過適當且必要的處理（離屯、分離等）之后，回收到槽 11，并且再度供給到線2。通過像運樣地將使用后的冷卻液9再利用并循環(huán)供給，而能實現(xiàn)成 本的降低。
[0066] 此外，供給到線2的冷卻液，除了后述的特定銅濃度W外并沒有特別限定。pH值雖 然也沒有限定，但是可W設(shè)為是例如在5~7的范圍內(nèi)。舉例而言，在日本專利公開昭和63-272460號公報中，有大意是利用含銅的加工液(堿溶液)加工娃而發(fā)生污染的記載，但是通 過將抑值設(shè)為7W下，就能更有效地防止此現(xiàn)象。此時，為了切實地將pH值設(shè)為7W下，可在 冷卻液中添加 W巧樣酸為代表的有機酸。另外，通過將pH值設(shè)為5 W上，能夠抑制冷卻液中 的銅的離子化的促進，而能更加地降低娃晶圓的銅污染。
[0067] 另外，在含有磨粒的情況下，對此磨粒也沒有特別限制，例如能夠使用從先前就常 使用的由SiC所形成的磨粒。
[0068] 此處，針對冷卻液中的銅濃度詳細描述。此冷卻液中的銅濃度被設(shè)為SOppmW下。 更優(yōu)選設(shè)為40ppmW下。為了避免對于切片晶圓的銅污染，銅濃度當然是越低越好。
[0069] 此外，在利用如游離磨粒方式運樣含有磨粒的冷卻液的情況下（即，冷卻液是由磨 粒與分散劑所構(gòu)成的情況下），將所稱的SOppmW下運個值，設(shè)為由冷卻液中的分散劑的重 量所算出來的值。
[0070] 另一方面，在使用如固定磨粒方式運樣不含有磨粒的冷卻液的情況下，設(shè)為由此 冷卻液本身的重量所算出來的值。
[0071] 對于線2,為了供給更切實地把銅濃度抑制在SOppmW下的冷卻液，例如，可W在供 給前預(yù)先實際測定冷卻液中的銅濃度，并一邊確認銅濃度是SOppmW下，一邊對線2供給此 冷卻液。
[0072] 更具體而言，可舉出下述方式:預(yù)先將儲存于槽11內(nèi)的冷卻液的銅濃度管理(控 審IJ)在SOppmW下，其中該槽11連接到作為供給裝置的噴嘴8。管理方法沒有特別限定，可根 據(jù)成本或設(shè)為目標的銅濃度來適當決定。例如，定期采取槽11內(nèi)的冷卻液并測定其銅濃度， 若是測定值較高而快要超過80ppm，就將新的冷卻液追加放入槽11內(nèi)來稀釋，就能降低銅濃 度。另外也可將槽11內(nèi)的冷卻液的一部分換成是新的冷卻液，由此來降低銅濃度。
[0073] 另外，冷卻液中的銅濃度的測定方法也沒有特別限定?？蒞利用原子吸光法來測 定。
[0074] 作為一個例子，W下表示在含有SiC磨粒的冷卻液9'的測定方法。首先，從采取自 槽11內(nèi)的冷卻液中量取適當?shù)牧孔鳛樵嚵?，混合硝酸與氨氣酸的混合酸，W微波進行分解 處理后，W硝酸溶液稀釋來制作成檢測液。將此檢測液適當稀釋，并通過原子吸光法對含有 的銅的量進行定量。此外，在所述的測定前處理中，由于含在冷卻液中的SiC磨粒沒有被分 解，因此冷卻液中的銅濃度是由預(yù)先測定好的冷卻液中的SiC濃度(可從漿液中量取適當?shù)?量來作為試料，并測量將試料蒸發(fā)干燥后的殘渣的重量，由此來進行測定)來求得冷卻液中 的分散劑重量，再作為相對于分散劑重量的濃度來算出。
[0075] 在冷卻液中不含有磨粒的情況下(冷卻液9)也可W同樣地使用原子吸光法來算出 銅濃度，但在運種情況下，是由冷卻液全體的重量來算出。
[0076] 通過運樣將供給到線銀的在線的冷卻液中的銅濃度保持在低濃度，即便例如是使 用多個線銀來制造切片晶圓，也能降低切片晶圓中的銅污染濃度，且能夠使該銅污染濃度 變得比先前更均勻。因此，比起先前，針對雜質(zhì)也就是銅，能夠穩(wěn)定地制造高純度的切片晶 圓。
[0077] 實施例
[0078] 下面，表示本發(fā)明的實施例和比較例來更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于 運些例子。
[0079] (實施例1~9、比較例1~6)
[0080] 使用圖4的線銀，一邊供給冷卻液到在線一邊使線往復(fù)移動，而將單晶娃晶錠切片 成晶圓狀。此時，在實施例1~9中，如本發(fā)明運樣，將銅濃度調(diào)整成8化pmW下的冷卻液供給 到在線。另一方面，在比較例1~6中，與本發(fā)明相異，將銅濃度調(diào)整成高于SOppm的冷卻液供 給到在線。
[0081 ] 針對在實施例1~9、比較例1~6中的銅濃度不同的冷卻液的準備，進行詳述。
[0082] 首先，使碳化娃(SiC)磨粒分散于乙二醇類的分散劑中。運樣制作出來的冷卻液的 銅濃度是5ppm。因此，將此制作出來的冷卻液填充入與圖4同樣的線銀中，且使用在表面有 鍛黃銅而成的線，將娃塊切片，并通過使線表面的鍛覆部磨耗而使銅混入冷卻液中，來調(diào)整 冷卻液中的銅濃度。由于已知線表面的鍛黃銅量和鍛覆的組成，因此可利用調(diào)整線要被磨 耗的距離，將冷卻液中的銅濃度調(diào)整成目標濃度。
[0083] 而且，分別使用運樣制作出來的用于實施例1~9、比較例1~6的銅濃度不同的冷 卻液，將直徑300mm的單晶娃塊切片來作為本試驗。
[0084] 要進行切片的娃塊，是源自通過MCZ法（磁場CZ法，Ma即etic field Czochralski method)提拉而得的娃晶錠，且添加有作為滲雜物的棚。準備了比電阻是0.03 Q ? cm、0.02 Q ? cm、0.Ol Q - cm運樣不同的S種塊體。而且，針對各個塊體，對所使用的各冷卻液，算出 切片晶圓的銅污染濃度，并比較該濃度。
[0085] 此外，在本試驗中，線是使用表面沒有鍛覆的線，W防止在切片中銅從線混入冷卻 液中。
[0086] 冷卻液中的銅濃度是利用下述方法分析。
[0087] 從由線銀采取出來的冷卻液中，量取250mg的量作為試料，混合硝酸與氨氣酸的混 酸，W微波進行分解處理后，W硝酸溶液稀釋來制作成檢測液。將此檢測液適當稀釋，并通 過原子吸光法對所含有的銅的量進行定量。此外，在所述的測定前處理中，由于含在冷卻液 中的SiC磨粒沒有被分解，因此冷卻液中的銅濃度是由預(yù)先測定好的冷卻液中的SiC濃度來 求得冷卻液中的分散劑重量，再作為相對于分散劑重量的濃度來算出。
[0088] 此外，切片晶圓的銅污染濃度的測定通過W下方法分析。
[0089] 利用線銀切片而得的晶圓，在表面存在有破裂(crack)層或應(yīng)變層，已知在此部分 中高濃度地含有銅或其他金屬。因此，為了測定擴散到晶圓的內(nèi)部的銅的濃度，必須要去除 運個部分。因此，將切片晶圓的表面50微米的部分(雙面共100微米），用混合硝酸與氨氣酸 的液體蝕刻來除去，并將剩余的部分作為分析用樣本。
[0090] 進而，將分析用樣本W(wǎng)清洗液來清洗，并W表示于日本專利公開2002-368052號公 報中的方法，完全溶解而得到試料溶液，其中清洗液混合有氨氣酸、鹽酸、過氧化氨、純水。
[0091] 目P，通過將分析用樣本與氨氣酸、硝酸的混合酸溶液配置于同一個密閉容器內(nèi)并 加熱，將樣本暴露于含有氨氣酸和硝酸的蒸氣中而將樣本完全分解，進而，通過Wioo~150 °C加熱2~24小時，實行分解物的去娃處理，然后，將蒸發(fā)干燥而得到的殘渣W稀氨氣酸溶 解來制作試料溶液。
[0092] 而且，將所得到的試料溶液W硝酸溶液適當稀釋并WlCP-MS(感應(yīng)禪合電漿質(zhì)譜 儀，Inductively coupled plasma mass spectroscopy)進行分析。此外，運些操作是利用 將切片晶圓解理后的分析片(analysis chip)進行。
[0093] 將運樣實施的實驗結(jié)果，整理于表1~3、圖1~圖3中。將比電阻是0.03Q ? cm的塊 體的結(jié)果示于表1和圖1，將比電阻是0.02Q ? cm的塊體的結(jié)果示于表2和圖2,將比電阻是 0.01 Q ? cm的塊體的結(jié)果不于表3和圖3。
[0094] 表 1
[0095]
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[0097]
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[0100] 從表1~表3和圖I~圖3明顯可知，通過將冷卻液中的銅濃度設(shè)為SOppmW下(實施 例1~9)，相較于高于SOppm的情況(比較例1~6)，能將切片而得的晶圓中所含有的銅污染 濃度降低到1/5W下。并且，在晶錠中的比電阻相同的情況下，比較各實施例1~3可知，能使 銅污染濃度在此低數(shù)值的情況下變得平均。比較各實施例4~6或?qū)嵤├?~9也可得知，同 樣地，能穩(wěn)定地得到低銅污染濃度的切片晶圓。
[0101] 此外，針對比電阻高于0.03Q ? cm的情況(具體而言是0.04Q ? cm)也與上述實施 例和比較例同樣地制作切片晶圓，結(jié)果發(fā)現(xiàn)冷卻液中的銅濃度與切片晶圓的銅污染濃度之 間的關(guān)系，具有與表1~表3或圖1~圖3同樣的傾向。即，冷卻液中的銅濃度是SOppmW下時， 晶圓的銅污染濃度會保持成較低，而在高于此的銅濃度的情況下，銅污染濃度也變高了。
[0102] 擴散在單晶娃中的銅的量，會隨著娃中含有的棚的濃度變大而變成高濃度。如上 所述，運是因為銅由于會與棚成為結(jié)合體而會變得容易向娃擴散。因此，如實施例1~9運樣 切斷棚濃度較高且比電阻較小(0.03Q ? cmW下）的娃單晶時，相較于棚濃度小于此且比電 阻高的情況(例如0.04Q . cmW上），容易因冷卻液中的銅濃度而使切片晶圓的銅污染濃度 變高。因此，將冷卻液中的銅濃度抑制在8化pmW下的本發(fā)明，對于比電阻在0.03 Q ? cmW 下的情況下會特別有效。
[0103] 此外，本發(fā)明并不被限定于上述實施方式。上述實施方式為例示，具有與本發(fā)明的 權(quán)利要求書中記載的技術(shù)思想實質(zhì)性相同的結(jié)構(gòu)，并起到同樣作用效果的方式，任何方式 均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0104] 例如在實施例中，雖然是針對使用游離磨粒方式的線銀的本發(fā)明的切片方法進行 了表示，但如上所述，當然也可W將本發(fā)明應(yīng)用于使用固定磨粒方式的線銀的切片方法。
【主權(quán)項】
1. 一種切片方法，其使用線鋸，一邊對于卷繞在多個線導(dǎo)件上的線供給冷卻液，一邊使 所述線移動，且使硅晶錠壓抵于該線并切斷該硅晶錠，來得到多片切片晶圓，該切片方法的 特征在于，將供給到所述線的冷卻液中的銅濃度設(shè)為80ppm以下。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切片方法，其特征在于，在向所述線供給冷卻液之前，預(yù)先測 定冷卻液中的銅濃度，并使用銅濃度是80ppm以下的冷卻液。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切片方法，其特征在于，當將供給到所述線后的冷卻液回 收到槽內(nèi)，并且將容置于該槽內(nèi)的冷卻液供給到線來循環(huán)使用時，將所述槽內(nèi)的冷卻液的 銅濃度管理在80ppm以下。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的切片方法，其特征在于，將用于調(diào)整所述要切斷 的硅晶錠的比電阻所添加的摻雜物設(shè)為硼。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的切片方法，其特征在于，將所述要切斷的硅晶錠 的比電阻設(shè)為0.03Ω .cm以下。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的切片方法，其特征在于，將向所述線供給的冷卻 液的pH值設(shè)在5~7的范圍內(nèi)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的切片方法，其特征在于，將所述硅晶錠的直徑設(shè) 為450mm以上。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的切片方法，其特征在于，將所述冷卻液設(shè)為含有 磨粒。
【文檔編號】B24B57/02GK105849872SQ201480070306
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年12月1日
【發(fā)明人】北川幸司
【申請人】信越半導(dǎo)體株式會社