基于鰭狀物的半導(dǎo)體器件和方法
【專利摘要】公開了半導(dǎo)體器件、集成電路器件以及方法的實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件可以包括設(shè)置在襯底上的第一鰭狀物和第二鰭狀物。第一鰭狀物可以具有包括設(shè)置在第二材料與襯底之間的第一材料、設(shè)置在第三材料與第一材料之間的第二材料、設(shè)置在第四材料與第二材料之間的第三材料的部分。第一材料和第三材料可以由第一類型的非本征半導(dǎo)體形成，并且第二材料和第四材料可以由不同的第二類型的非本征半導(dǎo)體形成。第二鰭狀物可以與第一鰭狀物橫向分隔開，并且與第一材料、第二材料、第三材料或第四材料中的至少一種材料實(shí)質(zhì)上相接?？梢怨_和/或要求保護(hù)其它實(shí)施例。
【專利說明】
基于鰭狀物的半導(dǎo)體器件和方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開內(nèi)容的實(shí)施例總體上涉及半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域，并且更具體而言涉及基于鰭狀物的半導(dǎo)體器件和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]—些現(xiàn)有的集成電路(IC)器件包括處于器件的結(jié)層級(jí)的一個(gè)或多個(gè)硅可控整流器(SCR)。通常使用離子注入來制作這些SCR以形成沿著硅襯底的表面大體上橫向布置的N-型和P-型材料。這樣的SCR具有不容易縮放的大的占用空間(footprint)，因?yàn)榻Y(jié)間隙受到常規(guī)光刻所強(qiáng)加的最小距離、以及利用離子注入可實(shí)現(xiàn)的有限精度的約束。因此，由于IC特征尺寸繼續(xù)縮小，現(xiàn)有的SCR和其它平面半導(dǎo)體器件可能是不夠的
【附圖說明】
[0003]結(jié)合附圖通過以下【具體實(shí)施方式】將容易地理解實(shí)施例。為了便于理解本說明書，相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示相同的結(jié)構(gòu)元件。在附圖的圖中，通過示例的方式并且不是通過限制性的方式示出了實(shí)施例。
[0004]圖1-4是根據(jù)一些實(shí)施例的各種半導(dǎo)體器件的截面視圖。
[0005]圖5-17示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件的制作中的各個(gè)階段。
[0006]圖18-21示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件的制作中的圖案化操作中的各個(gè)階段。
[0007]圖22是根據(jù)一些實(shí)施例的布置在襯底上的多個(gè)半導(dǎo)體器件的陣列的透視視圖。
[0008]圖23是根據(jù)一些實(shí)施例的制作半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。
[0009]圖24是被配置為半導(dǎo)體閘流管的半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的物理圖。
[0010]圖25是根據(jù)一些實(shí)施例的在器件層包括半導(dǎo)體器件的集成電路器件的部分的截面視圖。
[0011]圖26是根據(jù)一些實(shí)施例的可以包括半導(dǎo)體器件的計(jì)算設(shè)備的方框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]本公開內(nèi)容的實(shí)施例描述了基于鰭狀物的半導(dǎo)體器件和用于它們的制作的方法以及在集成電路(IC)器件中的使用。在以下描述中，將使用本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的術(shù)語對(duì)說明性實(shí)施方式的各個(gè)方面進(jìn)行描述以將他們工作的本質(zhì)傳達(dá)給本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，可以僅利用所描述的方面中的一些方面來實(shí)踐本公開內(nèi)容。出于解釋的目的，闡述了具體的數(shù)字、材料和構(gòu)造以便于提供對(duì)說明性實(shí)施方式的全面理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見的是，可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本公開內(nèi)容的實(shí)施例。在其它實(shí)例中，省略或簡(jiǎn)化了公知的特征以免使說明性實(shí)施方式難以理解。
[0013]在以下【具體實(shí)施方式】中，參考形成了本說明書的一部分的附圖，其中，相同的附圖標(biāo)記始終標(biāo)示相同的部分，并且附圖是通過可以實(shí)踐本公開內(nèi)容的主題的說明性實(shí)施例的方式示出的。要理解的是，可以利用其它實(shí)施例，并且可以做出結(jié)構(gòu)或邏輯改變而不脫離本公開內(nèi)容的范圍。因此，不應(yīng)以限制性意義考慮以下【具體實(shí)施方式】，并且實(shí)施例的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
[0014]出于本公開內(nèi)容的目的，短語“A和/或B”表示(A)、(B)、或(A和B)。出于本公開內(nèi)容的目的，短語“A、B、和/或C"表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。
[0015]本說明書可以使用基于視角的描述，例如頂/底、中/外、之上/之下、垂直/水平、上方/下方等。這種描述僅用于方便討論并且不旨在將本文中所描述的實(shí)施例的應(yīng)用限制于任何特定取向。本說明書可以使用短語“在實(shí)施例中”，該短語可以指代相同或不同實(shí)施例中一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。此外，關(guān)于本公開內(nèi)容的實(shí)施例所使用的術(shù)語“包括”、“包含” “具有”等是同義的。
[0016]圖1-4是半導(dǎo)體器件100的實(shí)施例的截面視圖。半導(dǎo)體器件100可以形成在例如IC器件的器件層(例如，結(jié)層級(jí))。每個(gè)半導(dǎo)體器件100可以包括第一鰭狀物102和第二鰭狀物104。第一鰭狀物102和第二鰭狀物104可以設(shè)置在襯底106上。襯底106可以是本領(lǐng)域中已知的適于形成半導(dǎo)體器件的任何襯底，例如但不限于:半導(dǎo)體襯底、絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底、絕緣體襯底(例如，藍(lán)寶石)和/或它們的任何組合。在一些實(shí)施例中，襯底106包括大體上單晶的半導(dǎo)體，例如但不限于硅。在圖1中，襯底106可以包括材料130(其可以為非本征半導(dǎo)體，例如如下所述的摻雜的硅)和材料138(其可以是硅或另一種襯底材料)。
[0017]第一鰭狀物102和/或第二鰭狀物104可以采用各種各樣的結(jié)構(gòu)形式和尺寸。在一些實(shí)施例中，第一鰭狀物102和第二鰭狀物104可以分別包括側(cè)表面142和144，側(cè)表面142和144分別不平行于襯底106的頂表面148以及頂表面152和154的平面，頂表面152和154可以是圓形的或者與襯底106的頂表面148大體上是平的。
[0018]第一鰭狀物102可以包括第一材料108、第二材料110、第三材料112以及第四材料114。第一材料108可以設(shè)置在第二材料110與襯底106之間。第二材料110可以設(shè)置在第三材料112與第一材料108之間。第三材料112可以設(shè)置在第四材料114與第二材料110之間。
[0019]在一些實(shí)施例中，第一材料108和第三材料112可以由非本征半導(dǎo)體類型形成。如本文中所使用的，“非本征半導(dǎo)體”可以指代其中已經(jīng)引入了摻雜劑以改變半導(dǎo)體的電子和空穴濃度的半導(dǎo)體。如本文中所使用的，非本征半導(dǎo)體的“類型”可以指代非本征半導(dǎo)體是具有比空穴濃度更大的電子濃度(被稱為“N-型半導(dǎo)體”或“N-型”)還是具有比電子濃度更大的空穴濃度(被稱為“P-型半導(dǎo)體”或“P-型”)。在一些實(shí)施例中，第一材料108和第三材料112可以由N型半導(dǎo)體形成;在其它實(shí)施例中，第一材料108和第三材料112可以由P型半導(dǎo)體形成。類似地，摻雜劑可以被稱為“針對(duì)”特定類型的非本征半導(dǎo)體的摻雜劑，取決于摻雜劑是提供電子(用作N型非本征半導(dǎo)體的摻雜劑)還是空穴(用作P型非本征半導(dǎo)體的摻雜劑)。
[0020]在本文中可以使用任何期望的摻雜劑。例如，在一些實(shí)施例中，第一鰭狀物102和第二鰭狀物104可以由IV族半導(dǎo)體成分(例如，硅或鍺)形成;在這樣的實(shí)施例中，示例性P型摻雜劑可以包括m族受主(例如，硼或鎵)，并且示例性N型摻雜劑可以包括V族施主(例如，磷或砷)。在一些實(shí)施例中，摻雜劑可以是摻雜的玻璃，例如硼硅酸鹽玻璃、磷硅酸鹽玻璃、或其它摻雜的玻璃。
[0021]在一些實(shí)施例中，第二材料110和第四材料114可以由與用于形成第一材料108和第三材料112的類型不同類型的非本征半導(dǎo)體形成。例如，如果第一材料108和第三材料122由P型半導(dǎo)體形成，那么第二半導(dǎo)體材料110和第四半導(dǎo)體材料114可以由N型半導(dǎo)體材料形成，反之亦然。具有不同類型的相鄰材料可以提供NP結(jié)，可以以任何期望的方式布置NP結(jié)以形成半導(dǎo)體器件100。例如，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件100可以包括沿第一鰭狀物102的第一部分102a垂直布置的NPNP或PNPN結(jié)疊置體(由第一材料108、第二材料110、第三材料112以及第四材料112的“疊置體”提供)。
[0022]第二鰭狀物104可以在襯底106上與第一鰭狀物102橫向分隔開，并且可以具有材料134，材料134與第一材料108、第二材料110、第三材料112以及第四材料114的至少其中之一實(shí)質(zhì)上(materially)相接。如本文中所使用的，如果在兩種材料之間存在通過共同類型的半導(dǎo)體的電連續(xù)的路徑，則這兩種材料可以“實(shí)質(zhì)上相接”。
[0023]在一些實(shí)施例中，如果兩種材料是由同一材料形成的并且是相鄰的或者在他們之間具有相同材料的另一個(gè)部分，那么這兩種材料可以實(shí)質(zhì)上相接。在一些實(shí)施例中，鰭狀物可以僅包括單種材料，該單種材料可以大體上包含鰭狀物的全部。例如，在圖1、圖3和圖4的實(shí)施例中，第二鰭狀物104的材料134可以大體上包含第二鰭狀物104的全部。在圖2的實(shí)施例中，第二鰭狀物在材料134與襯底106之間可以包括材料136(其可以由與襯底106相同的材料或任何其它材料形成)。在圖1、圖3和圖4中，材料134可以與第一鰭狀物102的第一材料108實(shí)質(zhì)上相接(經(jīng)由橋接部分130，橋接部分130可以由與第一材料108和材料134相同類型的非本征半導(dǎo)體形成，并且可以通過例如如下所述的固態(tài)源擴(kuò)散而形成)。在圖2中，材料134可以與第一鰭狀物102的第二材料110實(shí)質(zhì)上相接(經(jīng)由橋接部分130，橋接部分130可以由與第二材料110和材料134相同類型的非本征半導(dǎo)體形成，并且可以由絕緣體材料132支撐)。
[0024]在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件100可以包括一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接觸部。例如，在圖3和圖4的實(shí)施例中，導(dǎo)電接觸部212可以設(shè)置在第二鰭狀物104的材料134上，導(dǎo)電接觸部214可以設(shè)置在第一鰭狀物102的第四材料114上，并且導(dǎo)電接觸部216可以設(shè)置在第一鰭狀物102的第二材料110上。
[0025]在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件100的第一鰭狀物102可以包括第一部分和第二部分。在圖3和圖4中描繪了這樣的實(shí)施例的示例，其中，第一鰭狀物102的第一部分102a和第二部分102b橫向設(shè)置。在一些實(shí)施例中，第一材料108、第二材料110、第三材料112以及第四材料114可以包括在第一部分102a中，并且其它材料可以包括在第二部分102b中。例如，在圖3的實(shí)施例中，第二部分102b可以包括第一材料220和第二材料222。在圖4的實(shí)施例中，第二部分102b可以包括第一材料220、第二材料222、以及第三材料224。
[0026]在一些實(shí)施例中，第二部分102b中的一種或多種材料可以與第一部分102a中的一種或多種材料實(shí)質(zhì)上相接。例如，如圖3中所示，第一部分102a的第一材料108和第二材料110可以分別與第二部分102b的第一材料220和第二材料222實(shí)質(zhì)上相接。如圖4中所示，第一部分102a的第一材料108、第二材料110、以及第三材料112可以分別與第二部分102b的第一材料220、第二材料222、以及第三材料224實(shí)質(zhì)上相接。包括在第二部分102b中的材料可以被布置為與第一部分102a中的材料相似或不同。例如，如圖4中所示，第一部分102a的第一材料108和第二部分102b的第一材料220可以是大體上平面的。第一部分102a中的第二材料110可以是大體上平面的，但是第二部分102b的第二材料222可以具有不同的幾何形狀(也就是，在第二部分102b內(nèi)的不同的厚度)。第一部分102a中的第三材料112可以是大體上線性布置的，但第二部分102b的第三材料224可以具有不同的幾何形狀(也就是，在第二部分102b中比在第一部分102a中更厚，并且設(shè)置在第二部分102b中的第二材料222中的一些材料上方且相對(duì)于第二部分102b中的第二材料222中的一些材料橫向設(shè)置)。
[0027]在一些實(shí)施例中，第一部分102a的第四材料114和第二部分102b的第二材料222可以由與第一部分102a的第三材料112實(shí)質(zhì)上相接的材料橫向分隔開。在圖4中不出了這種實(shí)施例，其中，第二部分102b的第三材料224將第一部分102的第四材料114與第二部分102b的第二材料222橫向分隔開，并且與第一部分102a的第三材料112實(shí)質(zhì)上相接。
[0028]如上所述，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件100可以包括沿第一鰭狀物102的第一部分102a垂直布置的NPNP或PNPN結(jié)疊置體(由第一材料108、第二材料110、第三材料112以及第四材料114的“疊置體”提供)。第一鰭狀物102的第二部分102b和第二鰭狀物104均可以包括與NPNP或PNPN材料的至少其中之一實(shí)質(zhì)上相接的材料，并且可以提供在其上設(shè)置導(dǎo)電接觸部以用于與NPNP或PNPN結(jié)疊置體中的期望材料的電接觸的表面。例如，導(dǎo)電接觸部212可以設(shè)置在第二鰭狀物104的材料134上以提供到第一材料108的電接入，并且導(dǎo)電接觸部216可以設(shè)置在第一鰭狀物102的第二部分102b的第二材料222上以提供到第二材料110的電接入。因此，第一鰭狀物102的第二部分102b和第二鰭狀物104可以用作電連接到第一部分102a中的各種材料的導(dǎo)管。
[0029]在一些實(shí)施例中，第一部分102a的表面152a可以與第二部分102b的表面152b處于相同或不同的平面中。例如，圖3描繪了半導(dǎo)體器件100的實(shí)施例，其中，表面152a和表面152b不處于相同的平面(并且相反分隔開距離206)。圖4描繪了半導(dǎo)體器件100的實(shí)施例，其中，表面152a和表面152b大體上處于相同的平面。
[0030]在一些實(shí)施例中，第二鰭狀物104可以通過絕緣體與第一鰭狀物102橫向分隔開。例如，在圖3和圖4中，第一鰭狀物102可以通過絕緣體210與第二鰭狀物104橫向分隔開。在一些實(shí)施例中，絕緣體210可以包括隔離電介質(zhì)，例如但不限于:由二氧化硅、氮氧化硅、或氮化硅中的一種或多種構(gòu)成的一層或多層。
[0031]盡管圖1-4描繪了具有帶有四種交替類型的半導(dǎo)體的第一鰭狀物的部分的半導(dǎo)體器件100，但半導(dǎo)體器件100的各種實(shí)施例可以包括具有各種類型和布置的更多更少的材料。例如，半導(dǎo)體器件100的一些實(shí)施例可以包括三種交替的材料。三種交替的材料(例如“NPN”或“PNP”)可以用于形成雙極結(jié)型晶體管(BJT)。在一些實(shí)施例中，可以在P型/絕緣體/N型(“PIN”)構(gòu)造中插入低摻雜或本征摻雜的區(qū)域以用于高壓或光學(xué)應(yīng)用。半導(dǎo)體器件100的一些實(shí)施例可以包括五種交替的材料。例如，PNPNP或NPNPN構(gòu)造可以在靜電放電保護(hù)器件中有用。
[0032]在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件100可以具有材料的“NPNP”或“PNPN”布置，并且可以用作半導(dǎo)體閘流管(有時(shí)還被稱為“硅可控整流器”或“SCR”)。在圖24的物理圖中示出了半導(dǎo)體閘流管的物理圖，其中，半導(dǎo)體閘流管2400可以被建模為一對(duì)晶體管:NPN晶體管2402和PNP晶體管2404。半導(dǎo)體閘流管2400可以具有陰極2406(并且對(duì)應(yīng)于接觸部2412)、柵極2408(并且對(duì)應(yīng)于接觸部2414)、N型材料2418、以及陽極2410(并且對(duì)應(yīng)于接觸部2416)。當(dāng)將小電壓施加在柵極2408與陰極2406之間時(shí)，可以通過所產(chǎn)生的電流接通NPN晶體管2402，這可以接通PNP晶體管2404。通過PNP晶體管2404的電流可以向NPN晶體管240 2供應(yīng)電流，以使得NPN晶體管2402在不在柵極2408施加電壓的情況下保持接通。在一些實(shí)施例中，第一材料108可以用作陰極2406，第二材料110可以用作柵極2408，第三材料112可以用作N型材料2418，并且第四材料114可以用作陽極2410。在一些實(shí)施例中，圖3-4的導(dǎo)電接觸部212可以用作接觸部2414，導(dǎo)電接觸部212可以用作接觸部2414，并且導(dǎo)電接觸部216可以用作接觸部2416。
[0033]在一些實(shí)施例中，可以在IC器件中的靜電放電保護(hù)電路(例如，高電壓鉗位機(jī)構(gòu))中使用被形成為半導(dǎo)體閘流管的半導(dǎo)體器件100。半導(dǎo)體閘流管可能特別有助于片上系統(tǒng)(SoC)架構(gòu)以使高電流尖峰下落，否則所述高電流尖峰可能會(huì)損壞小的IC器件，但是半導(dǎo)體閘流管可以用在其它保護(hù)性應(yīng)用中(例如，每當(dāng)接觸部引腳暴露于外部環(huán)境并且因此需要靜電放電保護(hù)時(shí))。半導(dǎo)體閘流管和其它整流器還可以在各種電壓控制應(yīng)用中使用。
[0034]半導(dǎo)體閘流管和其它整流器以及根據(jù)本文中所公開的技術(shù)而形成的其它半導(dǎo)體器件相對(duì)于IC器件中使用的現(xiàn)有的SCR可以具有多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。如上所述，在一些現(xiàn)有的平面互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝中，通常利用沿著硅襯底的表面大體上橫向布置的N型和P型材料構(gòu)造SCR ο這樣的SCR具有大的占用空間因?yàn)镹型和P型材料必須橫向分布。該占用空間不容易被縮小，因?yàn)闄M向分隔開的N型和P型材料必須在硅內(nèi)間隔開以形成期望的NP結(jié)，并且該間隔受到由常規(guī)光刻法所強(qiáng)加的最小距離的限制。另外，常常通過使用離子注入技術(shù)將摻雜劑注入到硅襯底中來制作現(xiàn)有的SCR。將摻雜劑驅(qū)使到硅中通常需要呈現(xiàn)大體上橫向和垂直“蔓延”并且從而不能被精確地放置在硅內(nèi)的高能量微粒。結(jié)果，經(jīng)由離子注入形成的結(jié)構(gòu)的精確度(并且從而，最小可實(shí)現(xiàn)特征尺寸)可能是有限的。光刻偏差和穿透與蔓延相結(jié)合還可能影響所注入的離子的摻雜劑分布并且從而影響預(yù)期的結(jié)的位置，這可以向所注入的離子(和結(jié))位置添加附加的變化。
[0035]使用本文中所公開的基于鰭狀物的布置和技術(shù)而形成的半導(dǎo)體閘流管和其它半導(dǎo)體器件可以提供緊湊的可縮放的器件，該器件可以被容易地并入鰭狀物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)和其它制作工藝流程中。在一些實(shí)施例中，固態(tài)源擴(kuò)散技術(shù)可以有利地用于本文中所描述的基于鰭狀物的半導(dǎo)體器件的制作中。如下所述，與使用離子注入技術(shù)可能實(shí)現(xiàn)的控制相比，固態(tài)源擴(kuò)散技術(shù)可以允許在半導(dǎo)體器件100的每種材料中進(jìn)行摻雜的尺度得到更精確的控制。具體而言，固態(tài)源擴(kuò)散可以實(shí)現(xiàn)對(duì)NP結(jié)深度和摻雜的量的更精確的控制，由此使半導(dǎo)體器件(例如，半導(dǎo)體閘流管)之間的變化最小化并且實(shí)現(xiàn)對(duì)它們的操作特性的精細(xì)調(diào)諧。通過將材料沿著鰭狀物分層(例如，在NPNP結(jié)疊置體中)，半導(dǎo)體閘流管和其它半導(dǎo)體器件可以比常規(guī)的平面器件構(gòu)造得更緊湊。傳統(tǒng)的離子注入技術(shù)可能不容易實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件100的結(jié)疊置構(gòu)造所需的精確度和尺度。另外，由于不需要在襯底中橫向布置結(jié)間隙，所以半導(dǎo)體器件100的各個(gè)部分和鰭狀物中的材料的尺度可能僅受到要被放置在選定位置處的導(dǎo)電接觸部的最小尺度的約束。這可以實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件100的積極的縮放。
[0036]圖5-17示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件的制作中的各個(gè)階段。圖5-17中的每個(gè)圖包括在半導(dǎo)體器件的制作中的相關(guān)聯(lián)的階段的沿虛線截取的兩個(gè)截面繪圖(A和B)。盡管圖5-17描繪了單個(gè)半導(dǎo)體器件的制作，但下述操作可以并行應(yīng)用于襯底上的半導(dǎo)體器件的陣列以實(shí)現(xiàn)期望的密度。
[0037]參考圖5，示出了組件500。組件500可以包括硅晶圓或其它襯底材料，例如以上參考襯底106所討論的襯底中的任何襯底。
[0038]參考圖6，示出了在組件500中形成第一鰭狀物102和第二鰭狀物104之后的組件600。在一些實(shí)施例中，可以使用常規(guī)的鰭狀物形成技術(shù)來形成第一鰭狀物102和第二鰭狀物104。第一鰭狀物102和第二鰭狀物104可以形成在襯底106上，并且可以橫向分隔開距離616。在一些實(shí)施例中，可以通過將材料從組件500中去除以留下第一鰭狀物102和第二鰭狀物104來形成組件600。在一些實(shí)施例中，第一鰭狀物102和第二鰭狀物104可以是大體上單晶的，并且可以具有與襯底106相同的晶體曲向。多晶的鑛狀物實(shí)施例也是可能的。鑛狀物102可以具有側(cè)表面808和頂表面606，并且第二鰭狀物104可以具有側(cè)表面608和頂表面610。
[0039]參考圖7，示出了在組件600上沉積摻雜劑源膜702之后的組件700。摻雜劑源膜702可以共形地沉積在第一鰭狀物102的側(cè)表面808和頂表面606之上、在第二鰭狀物104的側(cè)表面608和頂表面610之上、以及襯底106的介于中間的表面之上。用于沉積摻雜劑源膜702(以及本文中所述的摻雜劑源膜中的任何摻雜劑源膜)的沉積技術(shù)可以取決于其成分;示例性技術(shù)可以包括化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)以及物理氣相沉積(PVD)。摻雜劑源膜702的成分和厚度可以根據(jù)應(yīng)用而變化。例如，在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜702可以具有大約2納米的厚度。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜702可以是共形的且均勻摻雜的。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜702可以是N型摻雜劑，例如磷硅酸鹽玻璃。在一些實(shí)施例中，可以將氮化物的薄層(例如，3-5納米的厚度)或另一種保護(hù)性層(例如，硅或氧化物)施加到摻雜劑源膜702(或本文中所述的摻雜劑源膜中的任何摻雜劑源膜)以用作蝕刻阻擋層。蝕刻阻擋層可以便于對(duì)摻雜的玻璃氧化物的圖案化/去除。一些圖案化技術(shù)可能不會(huì)受益于蝕刻阻擋層，并且一些圖案化技術(shù)可能需要蝕刻停止部來保護(hù)先前形成的圖案化材料的下層。
[0040]參考圖8，示出了在將組件700的摻雜劑源膜702圖案化以去除摻雜劑源膜702中的一些摻雜劑源膜從而形成摻雜劑源膜802之后的組件800。如圖8中所示，摻雜劑源膜802可以與第一鰭狀物102的側(cè)表面808的區(qū)域804和第二鰭狀物104接觸，并且可以不與側(cè)表面808的區(qū)域806接觸。任何適合的圖案化操作可以用于將摻雜劑源膜702圖案化以形成摻雜劑源膜802(例如，三層抗蝕劑/凹進(jìn)方案)。以下參考圖18-21討論了可以用于將摻雜劑源膜702(以及本文中所述的摻雜劑源膜中的任何摻雜劑源膜)圖案化的示例性圖案化操作。[0041 ] 參考圖9，示出了在組件800上沉積摻雜劑源膜902之后的組件900。摻雜劑源膜902可以共形地沉積在第一鰭狀物102的側(cè)表面808和頂表面606之上、在第二鰭狀物104的側(cè)表面608和頂表面610之上、以及在襯底106的介于中間的摻雜劑源膜和表面之上。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜902的類型可以與摻雜劑源膜802的類型不同。例如，摻雜劑源膜902可以是P型摻雜劑，并且摻雜劑源膜802可以是N型摻雜劑(反之亦然)。摻雜劑源膜902的成分和厚度可以根據(jù)應(yīng)用而變化。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜902可以是共形的且均勻摻雜的。
[0042]參考圖10，示出了在將組件900的摻雜劑源膜902圖案化以去除摻雜劑源膜902中的一些摻雜劑源膜從而形成摻雜劑源膜1002之后的組件1000。如圖10中所示，摻雜劑源膜1002可以與第一鰭狀物102的側(cè)表面808的區(qū)域1004接觸，并且可以不與側(cè)表面808的區(qū)域1006接觸。另外，摻雜劑源膜1002可以與第一鰭狀物102的頂表面606的區(qū)域1008接觸，并且可以不與頂表面606的區(qū)域1010接觸。摻雜劑源膜802可以設(shè)置在摻雜劑源膜1002與襯底106之間。
[0043]參考圖11，示出了在組件1000上沉積摻雜劑源膜1102之后的組件1100。摻雜劑源膜1102可以共形地沉積在第一鰭狀物102的側(cè)表面808和頂表面606之上、在第二鰭狀物104的側(cè)表面608和頂表面610之上、以及在襯底106的介于中間的摻雜劑源膜和表面之上。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜1102的類型可以與摻雜劑源膜1002的類型不同。例如，摻雜劑源膜1102可以是N型摻雜劑，并且摻雜劑源膜1002可以是P型摻雜劑(反之亦然)。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜802、1002和1102的類型可以是交替的。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜702可以是N型摻雜劑，例如磷硅酸鹽玻璃。摻雜劑源膜1102的成分和厚度可以根據(jù)應(yīng)用而變化。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜1102可以是共形的和均勻摻雜的。
[0044]參考圖12，示出了在將組件1100的摻雜劑源膜1102圖案化以去除摻雜劑源膜1102中的一些摻雜劑源膜從而形成摻雜劑源膜1202之后的組件1200。如圖12中所示，摻雜劑源膜1202可以與第一鰭狀物102的側(cè)表面808的區(qū)域1204接觸，并且可以不與側(cè)表面808的區(qū)域1206接觸。另外，摻雜劑源膜1202可以與第一鰭狀物102的頂表面606的區(qū)域1208接觸，并且可以不與頂表面606的區(qū)域1210接觸。摻雜劑源膜1002可以設(shè)置在摻雜劑源膜1202與摻雜劑源膜802之間。
[0045]參考圖13，示出了在組件1200上沉積摻雜劑源膜1302之后的組件1300。摻雜劑源膜1302可以共形地沉積在第一鰭狀物102的側(cè)表面808和頂表面606之上、在第二鰭狀物104的側(cè)表面608和頂表面610之上、以及在襯底106的介于中間的摻雜劑源膜和表面之上。摻雜劑源膜1202可以設(shè)置在摻雜劑源膜1302與摻雜劑源膜1002之間。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜1302的類型可以與摻雜劑源膜1202的類型不同。例如，摻雜劑源膜1302可以是P型摻雜劑，并且摻雜劑源膜1202可以是N型摻雜劑(反之亦然)。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜802、1002、1202和1302的類型可以是交替的(例如，NPNP或PNPN)。摻雜劑源膜1302的成分和厚度可以根據(jù)應(yīng)用而變化。在一些實(shí)施例中，摻雜劑源膜1302可以是共形的且均勻摻雜的。如圖13B中所示，摻雜劑源膜802、1002、1202和1302可以在第一鰭狀物102和第二鰭狀物104周圍以及第一鰭狀物102和第二鰭狀物104上同心地分層。
[0046]參考圖14，示出了在執(zhí)行固態(tài)源擴(kuò)散技術(shù)以將摻雜劑從摻雜劑源膜802、1002、1202和1302驅(qū)使到組件的第一鰭狀物102和第二鰭狀物104中之后的組件1400?？梢詧?zhí)行任何適合的熱工藝(例如，熔爐驅(qū)動(dòng)或快速熱退火)以實(shí)現(xiàn)對(duì)摻雜劑源膜802、1002、1202和1302中存在的摻雜劑的足夠的擴(kuò)散，從而在大體上不沿垂直方向(例如，圖22中的高度2208的方向)擴(kuò)散的情況下透過第一鰭狀物102和第二鰭狀物104的整個(gè)橫向厚度(例如，圖22的寬度2206以及長(zhǎng)度2210和2212的方向)。在各種應(yīng)用中對(duì)垂直擴(kuò)散的容限可以取決于半導(dǎo)體器件100的設(shè)計(jì)和目的。在一些實(shí)施例中，可以優(yōu)選的是具有尖銳的明確限定的結(jié)。其它實(shí)施例可能支持更多的擴(kuò)散以向結(jié)外漸變(例如，使用高電壓)?？梢约s束垂直擴(kuò)散以使得任何中間層不會(huì)被“反摻雜”，例如被分流到上方的層。
[0047]可以基于各種因素，例如鰭狀物寬度(例如，圖22的寬度2206)、期望的鰭狀物摻雜濃度、和/或摻雜劑源膜802、1002、1202和1302和/或鰭狀物102和104內(nèi)的摻雜劑流動(dòng)性來選擇溫度和時(shí)間參數(shù)。在各種實(shí)施例中，可以采用快速熱退火(“RTA”)或標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)散熔爐、或任何其它受控的高溫退火工具來執(zhí)行擴(kuò)散。對(duì)于鰭狀物102和104具有小于約30納米的寬度(例如，圖22的寬度2206)的實(shí)施例，示例性溫度范圍可以是800-1100攝氏度，并且示例性時(shí)間范圍可以是幾秒鐘到幾分鐘。
[0048]在已經(jīng)應(yīng)用固態(tài)源擴(kuò)散技術(shù)之后，第一鰭狀物102可以包括:具有第一材料108、第二材料110、第三材料112以及第四材料114的第一部分102a;以及具有第一材料220、第二材料222、以及第三材料224的第二部分102b。第二鰭狀物104可以包括材料134。材料134可以與第一材料108實(shí)質(zhì)上相接。第一部分102a的第一材料108可以與第二部分102b的第一材料220實(shí)質(zhì)上相接。第一部分102a的第二材料110可以與第二部分102b的第二材料222實(shí)質(zhì)上相接。第一部分102a的第三材料112可以與第二部分102b的第三材料224實(shí)質(zhì)上相接。
[0049]如上所述，在一些實(shí)施例中，組件1400可以被配置為形成半導(dǎo)體閘流管。在一些這樣的實(shí)施例中，第一材料108可以用作N型陰極，第二材料110可以用作P型柵極，并且第四材料114可以用作P型陽極。
[0050]參考圖15，示出了在利用絕緣體210填充經(jīng)退火的第一鰭狀物102與經(jīng)退火的第二鰭狀物104之間的橫向間隔1406(以及設(shè)置在襯底106上的部件之間的其它橫向間隔)之后，并且還在將組件1400平面化以形成大體上平面的表面1502之后的組件1500。在一些實(shí)施例中，絕緣體210可以是常規(guī)的隔離氧化物。將組件1400平面化可以去除平面表面1502上方的摻雜劑源膜(例如，摻雜的玻璃)，這可以提供大體上平面的表面以幫助進(jìn)一步的圖案化。
[0051]參考圖16，示出了在鰭狀物凹進(jìn)過程之后的組件1600。例如，可以通過例如濕法化學(xué)蝕刻(例如基于氫氟酸的化學(xué)成分)或通過常規(guī)的干法蝕刻來實(shí)現(xiàn)用于暴露有源鰭狀物的氧化物凹進(jìn)。鰭狀物凹進(jìn)過程一般包括在晶體管鰭狀物架構(gòu)制作中，并且不會(huì)在本文中對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0052]參考圖17，示出了在組件1600上形成第一導(dǎo)電接觸部212、第二導(dǎo)電接觸部214和第三導(dǎo)電接觸部216之后的組件1700。具體而言，第一導(dǎo)電接觸部212可以形成在第二鰭狀物104的材料134上。材料134可以與第一鰭狀物102的第一材料108實(shí)質(zhì)上相接。第二導(dǎo)電接觸部214可以形成在第一鰭狀物102的第一部分102a的第四材料114上。第三導(dǎo)電接觸部216可以形成在第一鰭狀物102的第二部分102b的第二材料222上。第二部分102b的第二材料222可以與第一部分102a的第二材料110實(shí)質(zhì)上相接。如圖17B的截面視圖中所示，從形成在組件1700的頂部上的附加層和器件的角度來看，組件1700采取從大體上平面的表面出現(xiàn)的若干導(dǎo)電接觸部的形式，并且因此具有常規(guī)晶體管或SCR的外觀。結(jié)果，可以將附加的IC制作工藝應(yīng)用于組件1700以制作更大的IC器件。
[0053]在各種實(shí)施例中，可以省略圖5-17中所示的制作操作中一個(gè)或多個(gè)操作或用一個(gè)或多個(gè)交替的操作來替代所述一個(gè)或多個(gè)操作。例如，替代通過從摻雜劑源膜802的固態(tài)源擴(kuò)散來形成第一材料108，可以使用深逆行注入技術(shù)來形成第一材料108。在一些這樣的實(shí)施例中，可以僅沉積摻雜劑源膜902、1102和1302(在注入之后)。在另一個(gè)示例中，替代通過從摻雜劑源膜1302的固態(tài)源擴(kuò)散來形成第四材料114，可以使用源應(yīng)變外延技術(shù)。
[0054]圖18-21示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件的制作中的圖案化操作中的各個(gè)階段。為了解釋方便，圖18-21描繪了圖案化操作，可以執(zhí)行該圖案化操作以由組件700(圖7)來制作組件800(圖8)，但以下參考圖18-21所討論的操作可以應(yīng)用于將任何期望的組件圖案化。具體而言，這些操作可以應(yīng)用于由組件900(圖9)來制作組件1000(圖10)、和/或由組件1100(圖11)來制作組件1200(圖12)。
[0055]參考圖18，示出了在組件700(圖7)的摻雜劑源膜702上沉積平面化抗蝕劑1802和光刻抗蝕劑1804之后的組件1800。平面化抗蝕劑1802被描繪為被施加以便分別被平面化到第一鰭狀物102和第二鰭狀物104的頂表面606和610上方的水平。在一些實(shí)施例中，光刻抗蝕劑1804可以包括由常規(guī)的技術(shù)施加的任何常規(guī)的光致抗蝕劑、碳硬掩模、或任何其它適合的材料。平面化抗蝕劑1802可以用于使拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)平面化并且實(shí)現(xiàn)更好的光刻清晰度。在一些實(shí)施例中，可以不使用平面化抗蝕劑1802。如下所討論的，光刻抗蝕劑1804可以用于掩模/圖案轉(zhuǎn)移。
[0056]參考圖19，示出了在將光刻抗蝕劑1804圖案化以從組件1800中選擇性地去除光刻抗蝕劑1804中的一些光刻抗蝕劑從而形成經(jīng)圖案化的光刻抗蝕劑1902之后的組件1900。在接下來的蝕刻操作中，經(jīng)圖案化的光刻抗蝕劑1902可以只保護(hù)平面化抗蝕劑1802的下層部分。
[0057]參考圖20，示出了在對(duì)平面化抗蝕劑1802進(jìn)行蝕刻以選擇性地去除平面化抗蝕劑1802的未被經(jīng)圖案化的光刻抗蝕劑1902涂覆的部分之后的組件2000，由此形成了經(jīng)圖案化的平面化抗蝕劑2002。在接下來的蝕刻操作中，經(jīng)圖案化的平面化抗蝕劑2002可以只保護(hù)摻雜劑源膜702的下層和相鄰的部分。圖20描繪了平面化抗蝕劑1802被蝕刻到深度2004從而留下與摻雜劑源膜702的部分2006相鄰的經(jīng)圖案化的平面化抗蝕劑2002的實(shí)施例。
[0058]參考圖21，示出了在對(duì)摻雜劑源膜702進(jìn)行蝕刻以選擇性地去除摻雜劑源膜702的未被經(jīng)圖案化的平面化抗蝕劑2002涂覆的部分之后的組件2100，由此形成了摻雜劑源膜802。經(jīng)圖案化的平面化抗蝕劑2002保護(hù)摻雜劑源膜702的部分2006，同時(shí)去除摻雜劑源膜702的暴露的部分。諸如濕法氧化物蝕刻等任何適合的蝕刻工藝可以用于對(duì)摻雜劑源膜702進(jìn)行蝕刻。還描繪了在去除經(jīng)圖案化的光刻抗蝕劑1902之后的組件2100，可以采用與用于選擇性地去除摻雜劑源膜702的部分的蝕刻工藝相同的蝕刻工藝來去除經(jīng)圖案化的光刻抗蝕劑1902?；仡檲D8，示出了在從組件2100中去除經(jīng)圖案化的平面化抗蝕劑2002之后的組件800。可以使用任何適合的技術(shù)(例如，灰化工藝)來去除經(jīng)圖案化的平面化抗蝕劑2002。
[0059]可以采用任何常規(guī)的蝕刻來對(duì)摻雜劑源膜702進(jìn)行蝕刻，并且對(duì)技術(shù)的選擇可以取決于摻雜劑源膜702的成分。常規(guī)的蝕刻技術(shù)的示例包括濕法或干法電介質(zhì)蝕刻?？梢?例如，從第一鰭狀物102的側(cè)表面808)去除經(jīng)圖案化的平面化抗蝕劑2002使摻雜劑源膜702暴露的任何區(qū)域。
[0060]圖22是根據(jù)一些實(shí)施例的布置在襯底106上的多個(gè)半導(dǎo)體器件100的陣列2200的透視視圖。如圖22中所示，半導(dǎo)體器件100中的每個(gè)半導(dǎo)體器件可以包括第一鰭狀物102和第二鰭狀物104，并且可以根據(jù)本文中所描述的半導(dǎo)體器件100的實(shí)施例中的任何實(shí)施例而形成。多個(gè)半導(dǎo)體器件100可以有規(guī)律地布置在陣列2200內(nèi)，其中，每個(gè)半導(dǎo)體器件100的縱軸2202的取向大體上平行。可以使用其它取向和布置;例如，半導(dǎo)體器件100可以被布置為使第一鰭狀物102中的并非所有鰭狀物是統(tǒng)一對(duì)齊的，而是沿縱軸2202的方向偏移任何期望的量。另外，半導(dǎo)體器件100不需要沿著由箭頭2204指示的方向有規(guī)律地間隔開，但是可以無規(guī)律地間隔開或具有任何期望的間隔。
[0061]半導(dǎo)體器件100的尺度可以按照期望變化。在一些實(shí)施例中，第一鰭狀物102和第二鰭狀物104具有例如小于50納米、小于30納米、或小于20納米的寬度2206。在一些實(shí)施例中，寬度2206可以介于約5納米與約15納米之間。在一些實(shí)施例中，第一鰭狀物102和第二鰭狀物104在襯底106上方可以具有例如小于200納米、小于150納米、或介于20納米與150納米之間的高度2208。在一些實(shí)施例中，高度2208可以介于約50納米與約150納米之間。在一些實(shí)施例中，第一鰭狀物102的長(zhǎng)度2210、第二鰭狀物104的長(zhǎng)度2212、以及介于第一鰭狀物102與第二鰭狀物104之間的間隔2214可以隨著工藝能力和設(shè)計(jì)選擇而變化。例如，在一些實(shí)施例中，間隔2214可以約為40納米或者更大。
[0062]圖23是根據(jù)一些實(shí)施例的制作半導(dǎo)體器件的方法2300的流程圖。出于說明性目的，參考半導(dǎo)體器件100和以上參考圖5-21所討論的制作操作示出了方法2300的操作，但方法2300可以用于使用任何適合的制作操作來形成任何適合的半導(dǎo)體器件。為了方便說明，各種操作在本文中被描述為多個(gè)分立的操作。然而，描述的順序不應(yīng)當(dāng)被理解為暗示這些操作必須依賴該順序，或者必須被分成分立的操作。
[0063]在操作2302，可以在襯底上形成第一鰭狀物和第二鰭狀物。例如，可以在襯底106上形成第一鰭狀物102和第二鰭狀物104(圖6)。第一鰭狀物和第二鰭狀物可以遠(yuǎn)離鰭狀物延伸，并且可以被橫向分隔開。在一些實(shí)施例中，可以不執(zhí)行操作2302，并且相反地，可以接收具有第一鰭狀物和第二鰭狀物的襯底作為輸入起始材料。
[0064]在操作2304，可以形成與第一鰭狀物和/或第二鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸的摻雜劑源膜。例如，可以形成與第一鰭狀物102的側(cè)表面808的區(qū)域804接觸的摻雜劑源膜802(圖8)。在操作2304的摻雜劑源膜的形成可以包括沉積并圖案化摻雜劑源膜(例如，以上參考圖18-21所討論的)。摻雜劑源膜可以是N型摻雜劑或P型摻雜劑，例如本文中所描述的摻雜劑中的任何摻雜劑。在一些實(shí)施例中，在操作2304所形成的摻雜劑源膜可以是經(jīng)摻雜的玻璃，例如本文中所描述的經(jīng)摻雜的玻璃中的任何經(jīng)摻雜的玻璃。
[0065]在操作2306，可以做出關(guān)于是否已經(jīng)在第一鰭狀物和/或第二鰭狀物上形成了期望數(shù)量和布置的摻雜劑源膜的確定。如果期望附加的摻雜劑源膜，可以重復(fù)操作2304以形成與第一鰭狀物和/或第二鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸的附加的摻雜劑源膜。在各種實(shí)施例，可以執(zhí)行操作2304—次、兩次、三次、四次或更多次以在任何期望的布置中形成相對(duì)應(yīng)數(shù)量的摻雜劑源膜。例如，在一些實(shí)施例中，第一摻雜劑源膜可以被設(shè)置為與第一鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸、與第二鰭狀物接觸、并且位于第二摻雜劑源膜與襯底之間。在一些實(shí)施例中，第二摻雜劑源膜可以被設(shè)置為與第一鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸并且位于第三摻雜劑源膜與第一摻雜劑源膜之間。在一些實(shí)施例中，第三摻雜劑源膜可以被設(shè)置為與第一鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸并且位于第四摻雜劑源膜與第二摻雜劑源膜之間。
[0066]在一些實(shí)施例中，在操作2304所形成的摻雜劑源膜中所包括的摻雜劑在摻雜劑源膜之間可以發(fā)生變化。在一些實(shí)施例中，在互相接觸的摻雜劑源膜之間，摻雜劑的類型可以在P型與N型之間交替。在包括四個(gè)摻雜劑源膜的一些實(shí)施例中，第一摻雜劑源膜和第三摻雜劑源膜可以由第一類型的非本征半導(dǎo)體的摻雜劑形成，并且第二摻雜劑源膜和第四摻雜劑源膜可以由第二類型的非本征半導(dǎo)體的摻雜劑形成，第二類型與第一類型不同。
[0067]在操作2304所形成的摻雜劑源膜的幾何形狀在摻雜劑源膜之間可以發(fā)生變化。例如，在包括四個(gè)摻雜劑源膜的一些實(shí)施例中，第四摻雜劑源膜可以與第一鰭狀物的部分的頂表面接觸。在一些實(shí)施例中，由操作2304的一次或多次重復(fù)所形成的摻雜劑源膜可以形成圖1-21中所示的摻雜劑源膜的幾何形狀中的任何幾何形狀。
[0068]如果在操作2306確定不期望附加的摻雜劑源膜，那么在操作2308可以將來自(多個(gè))摻雜劑源膜的摻雜劑驅(qū)使到第一鰭狀物和/或第二鰭狀物的部分中。在操作2308，可以應(yīng)用本文中所描述的固態(tài)源擴(kuò)散技術(shù)中的任何技術(shù)。操作2308的結(jié)果可以是在第一和/或第二鰭狀物內(nèi)形成各種材料。例如，在通過對(duì)操作2304(以上所討論的)的多次重復(fù)來形成第一、第二、第三和第四摻雜劑源膜的實(shí)施例中，可以將摻雜劑從這些摻雜劑源膜驅(qū)使到第一鰭狀物的部分中以形成第一、第二、第三和第四材料(例如，圖1-4的第一材料108、第二材料110、第三材料112以及第四材料114)，其中:第一材料設(shè)置在第二材料與襯底之間，第二材料設(shè)置在第三材料與第一材料之間，并且第三材料設(shè)置在第四材料與第二材料之間。參考圖1-21在本文中討論了這樣的實(shí)施例的示例。
[0069]在操作2310，可以形成導(dǎo)電接觸部。導(dǎo)電接觸部可以形成在第一鰭狀物或第二鰭狀物的已經(jīng)將摻雜劑驅(qū)使到其中的部分上。例如，在一些實(shí)施例中，如圖3、4和17中所示，導(dǎo)電接觸部214可以形成在第四材料112上。如圖3、4和17中所示，導(dǎo)電接觸部216可以形成在材料222上，材料222與第二材料110實(shí)質(zhì)上相接。
[0070]在操作2312，可以做出關(guān)于是否已經(jīng)在第一鰭狀物和/或第二鰭狀物上形成了期望數(shù)量和布置的導(dǎo)電接觸部的確定。如果期望附加的導(dǎo)電接觸部，可以重復(fù)操作2310以形成附加的導(dǎo)電接觸部。例如，導(dǎo)電接觸部可以形成在第二鰭狀物104的與第一鰭狀物1 2的第一材料108實(shí)質(zhì)上相接的材料134上。
[0071]圖25是根據(jù)一些實(shí)施例的在器件層2518中包括一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件100的IC器件2500的部分的截面視圖。IC器件2500可以形成在襯底2504上。襯底2504可以是由半導(dǎo)體材料系統(tǒng)構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體材料系統(tǒng)包括例如:N型或P型材料系統(tǒng)。襯底2504可以包括例如:使用體硅或絕緣體上硅子結(jié)構(gòu)而形成的晶體襯底，并且可以用作圖1-4的襯底106。盡管此處描述了可以形成襯底2504的材料的幾個(gè)示例，但是可以根據(jù)各種實(shí)施例來使用可以用作構(gòu)建IC器件2500的基礎(chǔ)的任何材料。
[0072]在一些實(shí)施例中，IC器件2500可以包括設(shè)置在襯底2504上的器件層2518。器件層2518可以包括形成在襯底2504上的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件2508的特征。半導(dǎo)體器件2508可以包括可以被布置成陣列(例如圖22的陣列2200)或任何其它布置的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件100。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件2508可以包括被配置為如上所討論的半導(dǎo)體閘流管的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件100。這些半導(dǎo)體閘流管可以包括在例如放電保護(hù)電路中。半導(dǎo)體器件2508還可以包括各種各樣的其它類型和構(gòu)造的半導(dǎo)體器件，例如諸如雙重或雙柵極晶體管、三柵極晶體管、平面SCR和全包圍柵極(AGG)或環(huán)繞式柵極晶體管(例如，F(xiàn)inFET)等平面或非平面晶體管。在一些實(shí)施例中，器件層2518可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管或者邏輯器件或存儲(chǔ)器器件的存儲(chǔ)器單元、或它們的組合。
[0073]可以通過設(shè)置在器件層2518上的一個(gè)或多個(gè)互連層2520和2522而將電信號(hào)(例如，功率和/或輸入/輸出(I/O)信號(hào))路由到器件層2518的半導(dǎo)體器件2508和/或路由來自器件層2518的半導(dǎo)體器件2508的電信號(hào)。例如，器件層2518的導(dǎo)電特征(例如，半導(dǎo)體器件100的導(dǎo)電接觸部212、214和216中的一個(gè)或多個(gè)(圖3-4))可以與互連層2520和2522的互連結(jié)構(gòu)2516電耦合。一個(gè)或多個(gè)互連層2520和2522可以形成IC器件2500的層間電介質(zhì)疊置體?；ミB結(jié)構(gòu)2516可以根據(jù)各種各樣的設(shè)計(jì)被配置在互連層2520和2522內(nèi)以路由電信號(hào)并且不限于圖25中所描繪的互連結(jié)構(gòu)2516的特定構(gòu)造。
[0074]例如，在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)2516可以包括用諸如金屬的導(dǎo)電材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)(有時(shí)被稱為“線”)和/或通孔結(jié)構(gòu)(有時(shí)被稱為“孔”)。在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)2516可以包括銅或另一種適合的導(dǎo)電材料。
[0075]可以看出，互連層2520和2522可以包括設(shè)置在互連結(jié)構(gòu)2516之間的電介質(zhì)層2524。電介質(zhì)層2524可以包括按照期望布置的任何常規(guī)的電介質(zhì)材料。
[0076]在一些實(shí)施例中，第一互連層2520(被稱為金屬I或“Ml”)可以直接形成在器件層2518上。在一些實(shí)施例中，第一互連層2520可以包括互連結(jié)構(gòu)2516中的可以與器件層2518的接觸部(例如，半導(dǎo)體器件100的導(dǎo)電接觸部212、214和216(圖3-4))耦合的一些互連結(jié)構(gòu)。
[0077]附加的互連層(為了方便說明并未示出)可以直接形成在第一互連層2520上，并且可以包括用于與第一互連層2520的互連結(jié)構(gòu)耦合的互連結(jié)構(gòu)2516。
[0078]IC器件2500可以包括形成在互連層2520和2522上的一個(gè)或多個(gè)接合焊盤2526。接合焊盤2526可以與互連結(jié)構(gòu)2516電耦合并且被配置為將半導(dǎo)體器件2508的電信號(hào)路由到其它外部設(shè)備。例如，焊接接合部可以形成在一個(gè)或多個(gè)接合焊盤2526上以將包括IC器件2500的芯片與諸如電路板的另一個(gè)部件機(jī)械和/或電耦合。與其它實(shí)施例中所描繪的相比，IC器件2500可以具有其它替代的構(gòu)造以路由來自互連層2520和2522的電信號(hào)。在其它實(shí)施例中，接合焊盤2526可以被替代為或者還可以包括將電信號(hào)路由到其它外部部件的其它類似的特征(例如，柱)。
[0079]可以使用任何適合的硬件和/或軟件將本公開內(nèi)容的實(shí)施例實(shí)施成系統(tǒng)以按照期望進(jìn)行配置。圖26示意性地示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的計(jì)算設(shè)備2600。在一些實(shí)施例中，可以在計(jì)算設(shè)備2600的一個(gè)或多個(gè)部件中使用本文中所公開的半導(dǎo)體器件中的一個(gè)或多個(gè)(例如，作為半導(dǎo)體閘流管)。
[0080]計(jì)算設(shè)備2600可以容納諸如主板2602之類的板。主板2602可以包括若干部件，包括但不限于處理器2604以及至少一個(gè)通信芯片2606。處理器2604可以物理和電耦合到主板2602。在一些實(shí)施方式中，至少一個(gè)通信芯片2606也可以物理和電耦合到主板2602。在其它實(shí)施方式中，通信芯片2606可以是處理器2604的一部分。術(shù)語“處理器”可以指的是處理來自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為可以存儲(chǔ)在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或者設(shè)備的部分。
[0081 ] 根據(jù)其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備2600可以包括:可以物理和電耦合到主板2602或可以不物理和電耦合到主板2602的其它部件。這些其它部件可以包括但不限于易失性存儲(chǔ)器(例如，DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(例如，R0M)、閃速存儲(chǔ)器、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤、蓋革計(jì)數(shù)器、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)、以及大容量存儲(chǔ)設(shè)備(例如硬盤驅(qū)動(dòng)器、光盤(CD)、數(shù)字多功能盤(DVD)等)。
[0082]通信芯片2606可以實(shí)現(xiàn)用于往返于計(jì)算設(shè)備2600的數(shù)據(jù)傳輸?shù)臒o線通信。術(shù)語“無線”及其派生詞可以用于描述可以通過使用經(jīng)由非固體介質(zhì)的經(jīng)調(diào)制的電磁輻射來傳遞數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。術(shù)語并不暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何線路，雖然在一些實(shí)施例中它們可以不包含線路。通信芯片2606可以實(shí)施多種無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任何一種，所述多種無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議包括但不限于:包括W1-Fi (IEEE802.1l族)、IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)(例如，IEEE 802.16-2005修正案)的電氣與電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)標(biāo)準(zhǔn)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)項(xiàng)目、連同任何修正、更新、和/或修訂(例如，高級(jí)LTE項(xiàng)目、超移動(dòng)寬帶(UMB)項(xiàng)目(還被稱作3GPP2)等)<JEEE 802.16可兼容的BWA網(wǎng)絡(luò)通常被稱為WiMAX網(wǎng)絡(luò)，即代表全球微波接入互操作性的首字母縮寫，所述WiMAX網(wǎng)絡(luò)是通過IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)的合格和互操作性測(cè)試的產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)志。通信芯片2606可以根據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、通用分組無線業(yè)務(wù)(GPRS)、通用移動(dòng)電信系統(tǒng)(UTMS)、高速分組接入(HSPA)、演進(jìn)的HSPA(E-HSPA)、或LTE網(wǎng)絡(luò)來進(jìn)行操作。通信芯片2606可以根據(jù)GSM演進(jìn)的增強(qiáng)數(shù)據(jù)(EDGE)、GSMEDGE無線接入網(wǎng)(GERAN)、通用地面無線接入網(wǎng)(UTRAN)、或演進(jìn)的UTRAN(E-UTRAN)來進(jìn)行操作。通信芯片2606可以根據(jù)碼分多址(CDMA)、時(shí)分多址(TDMA)、數(shù)字增強(qiáng)型無繩電信(DECT)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、其派生物以及被指定為3G、4G、5G和更高代的任何其它無線協(xié)議來進(jìn)行操作。在其它實(shí)施例中，通信芯片2606可以根據(jù)其它無線協(xié)議來進(jìn)行操作。
[0083]計(jì)算設(shè)備2600可以包括多個(gè)通信芯片2606。例如，第一通信芯片2606可以專用于較短距離無線通信，例如W1-Fi和藍(lán)牙，并且第二通信芯片2606可以專用于較長(zhǎng)距離無線通信，例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等。在一些實(shí)施例中，計(jì)算設(shè)備2600可以支持兩個(gè)或更多較長(zhǎng)距離無線通信協(xié)議以用于數(shù)據(jù)或語音通信。
[0084]通信芯片2606還可以包括如本文中所描述的半導(dǎo)體器件(例如，半導(dǎo)體器件100)的IC器件。在其它實(shí)施方式中，容納在計(jì)算設(shè)備2600內(nèi)的另一個(gè)部件(例如，存儲(chǔ)器器件或其它IC器件)可以包含如本文中所描述的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件。
[0085]在各種實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備2600可以是膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、超級(jí)本、智能電話、平板電腦、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超級(jí)移動(dòng)PC、移動(dòng)電話、桌上型計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字照相機(jī)、便攜式音樂播放器、或數(shù)字視頻記錄器。在其它實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備2600可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設(shè)備。在一些實(shí)施例中，在高性能的計(jì)算設(shè)備中實(shí)施本文中所描述的技術(shù)。在一些實(shí)施例中，在手持式計(jì)算設(shè)備中實(shí)施本文中所描述的技術(shù)。
[0086]以下段落確定了本文中所公開的實(shí)施例的各種示例。示例I是一種半導(dǎo)體器件，其包括設(shè)置在襯底上的第一鰭狀物和第二鰭狀物。第一鰭狀物包括第一材料、第二材料、第三材料以及第四材料，其中，第一材料設(shè)置在第二材料與襯底之間，第二材料設(shè)置在第三材料與第一材料之間，第三材料設(shè)置在第四材料與第二材料之間，第一材料和第三材料由第一類型的非本征半導(dǎo)體形成，并且第二材料和第四材料由第二類型的非本征半導(dǎo)體形成，第二類型與第一類型不同。第二鰭狀物與第一鰭狀物橫向分隔開，并且具有與第一材料、第二材料、第三材料或第四材料中的至少一種材料實(shí)質(zhì)上相接的材料。
[0087]示例2可以包括示例I的主題，并且還可以指定:第一類型的非本征半導(dǎo)體是N型和P型中的一種，并且如果第一類型的非本征半導(dǎo)體是P型，那么第二類型的非本征半導(dǎo)體是N型;或者如果第一類型的非本征半導(dǎo)體是N型，那么第二類型的非本征半導(dǎo)體是P型。
[0088]示例3可以包括示例1-2中的任一項(xiàng)的主題，還包括設(shè)置在第四材料上的第一導(dǎo)電接觸部。
[0089]示例4可以包括示例3的主題，并且還可以指定:第一鰭狀物具有第一部分和第二部分，第一鰭狀物的第一材料、第二材料、第三材料以及第四材料包括在第一部分中，第二部分包括第一材料和第二材料，第二部分的第一材料與第一部分的第一材料實(shí)質(zhì)上相接，第二部分的第二材料與第一部分的第二材料實(shí)質(zhì)上相接，并且半導(dǎo)體器件還包括設(shè)置在第二部分的第二材料上的第二導(dǎo)電接觸部。
[0090]示例5可以包括示例4的主題，并且還可以指定:第一導(dǎo)電接觸部設(shè)置在第一部分的第四材料的第一表面上，第二導(dǎo)電接觸部設(shè)置在第二部分的第二材料的第二表面上，并且第一表面和第二表面大體上處于相同的平面中。
[0091]示例6可以包括示例4-5中的任一項(xiàng)的主題，并且還可以指定:第一部分的第四材料和第二部分的第二材料被與第一部分的第三材料實(shí)質(zhì)上相接的材料橫向分隔開。
[0092]示例7可以包括示例4-6中的任一項(xiàng)的主題，并且還可以包括設(shè)置在第二鰭狀物上的第三導(dǎo)電接觸部。
[0093]示例8可以包括示例1-7中的任一項(xiàng)的主題，并且還可以指定:第二鰭狀物與第一鰭狀物被絕緣體橫向分隔開。
[0094]示例9可以包括示例1-8中的任一項(xiàng)的主題，并且還可以指定:半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體閘流管。
[0095]示例10可以包括示例1-9中的任一項(xiàng)的主題，并且還可以指定:第二鰭狀物的材料與第一材料實(shí)質(zhì)上相接。
[0096]示例11是一種制作半導(dǎo)體器件的方法，其包括:在襯底上形成第一鰭狀物和第二鰭狀物，第一鰭狀物和第二鰭狀物延伸離開襯底并且橫向分隔開；以及分別形成與第一鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸的具有第一摻雜劑、第二摻雜劑、第三摻雜劑以及第四摻雜劑的第一摻雜劑源膜、第二摻雜劑源膜、第三摻雜劑源膜以及第四摻雜劑源膜。第一摻雜劑源膜被設(shè)置為與第一鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸、與第二鰭狀物接觸并且位于第二摻雜劑源膜與襯底之間，第二摻雜劑源膜被設(shè)置為與第一鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸并且位于第三摻雜劑源膜與第一摻雜劑源膜之間，第三摻雜劑源膜被設(shè)置為與第一鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸并且位于第四摻雜劑源膜與第二摻雜劑源膜之間，第一摻雜劑源膜和第三摻雜劑源膜包括用于第一類型的非本征半導(dǎo)體的摻雜劑，并且第二摻雜劑源膜和第四摻雜劑源膜包括用于第二類型的非本征半導(dǎo)體的摻雜劑，第二類型與第一類型不同。
[0097]示例12可以包括示例11的主題，并且還可以指定:第四摻雜劑源膜與第一鰭狀物的部分的頂表面接觸。
[0098]示例13可以包括示例11-12中的任一項(xiàng)的主題，并且還可以包括將摻雜劑從第一摻雜劑源膜、第二摻雜劑源膜、第三摻雜劑源膜以及第四摻雜劑源膜驅(qū)使到第一鰭狀物的部分中以形成第一材料、第二材料、第三材料以及第四材料，其中，第一材料設(shè)置在第二材料與襯底之間，第二材料設(shè)置在第三材料與第一材料之間，第三材料設(shè)置在第四材料與第二材料之間，第一材料和第三材料由第一類型的非本征半導(dǎo)體形成，并且第二材料和第四材料由第二類型的非本征半導(dǎo)體形成。
[0099]示例14可以包括示例13的主題，并且還可以包括:在第四材料上形成第一導(dǎo)電接觸部；以及在與第二材料實(shí)質(zhì)上相接的材料上形成第二導(dǎo)電接觸部。
[0100]示例15可以包括示例14的主題，并且還可以包括在第二鰭狀物的與第一材料實(shí)質(zhì)上相接的材料上形成第三導(dǎo)電接觸部。
[0101]示例16可以包括示例14-15中的任一項(xiàng)的主題，并且還可以指定:第一材料、第二材料、第三材料以及第四材料包括在半導(dǎo)體閘流管中。
[0102]示例17可以包括示例11-16中的任一項(xiàng)的主題，并且還可以指定:第一摻雜劑、第二摻雜劑、第三摻雜劑或第四摻雜劑包括經(jīng)摻雜的玻璃。
[0103]示例18是一種集成電路器件，其包括:硅襯底；互連層，所述互連層包括互連結(jié)構(gòu)和層間電介質(zhì)；以及一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件，所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件設(shè)置在硅襯底與互連層之間。所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件中的每一個(gè)半導(dǎo)體器件包括:設(shè)置在硅襯底上的第一鰭狀物和第二鰭狀物。第一鰭狀物包括第一材料、第二材料、第三材料以及第四材料，其中:第一材料設(shè)置在第二材料與硅襯底之間，第二材料設(shè)置在第三材料與第一材料之間，第三材料設(shè)置在第四材料與第二材料之間，第一材料和第三材料由第一類型的非本征半導(dǎo)體形成，并且第二材料和第四材料由第二類型的非本征半導(dǎo)體形成，第二類型與第一類型不同。第二鰭狀物與第一鰭狀物橫向分隔開，并且具有與第一材料、第二材料、第三材料或第四材料中的至少一種材料實(shí)質(zhì)上相接的材料。
[0104]示例19可以包括示例18的主題，并且還可以指定:所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件包括在靜電放電保護(hù)電路中。
[0105]示例20可以包括示例19的主題，并且還可以指定:靜電放電保護(hù)電路包括高電壓鉗位器。
[0106]示例21可以包括示例18-20中的任一項(xiàng)的主題，并且還可以指定:所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件包括多個(gè)半導(dǎo)體器件;對(duì)單個(gè)半導(dǎo)體器件的第一鰭狀物和第二鰭狀物的布置限定了軸;并且與多個(gè)半導(dǎo)體器件相對(duì)應(yīng)的多個(gè)軸是大體上平行的。
[0107]示例22可以包括示例18-21的主題，并且還可以指定:所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件中的至少一個(gè)半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體閘流管。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 設(shè)置在襯底上的第一鰭狀物，所述第一鰭狀物包括第一材料、第二材料、第三材料以及第四材料，其中: 所述第一材料設(shè)置在所述第二材料與所述襯底之間， 所述第二材料設(shè)置在所述第三材料與所述第一材料之間， 所述第三材料設(shè)置在所述第四材料與所述第二材料之間， 所述第一材料和所述第三材料由第一類型的非本征半導(dǎo)體形成，并且所述第二材料和所述第四材料由第二類型的非本征半導(dǎo)體形成，所述第二類型與所述第一類型不同；以及 設(shè)置在所述襯底上的第二鰭狀物，所述第二鰭狀物與所述第一鰭狀物橫向分隔開，其中，所述第二鰭狀物具有與所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料或所述第四材料中的至少一種材料實(shí)質(zhì)上相接的材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一類型的非本征半導(dǎo)體是N型和P型中的一種，并且其中，如果所述第一類型的非本征半導(dǎo)體是P型，那么所述第二類型的非本征半導(dǎo)體是N型，或者如果所述第一類型的非本征半導(dǎo)體是N型，那么所述第二類型的非本征半導(dǎo)體是P型。3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，還包括設(shè)置在所述第四材料上的第一導(dǎo)電接觸部。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中: 所述第一鰭狀物具有第一部分和第二部分； 所述第一鰭狀物的所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料以及所述第四材料包括在所述第一部分中； 所述第二部分包括第一材料和第二材料； 所述第二部分的所述第一材料與所述第一部分的所述第一材料實(shí)質(zhì)上相接； 所述第二部分的所述第二材料與所述第一部分的所述第二材料實(shí)質(zhì)上相接;并且 所述半導(dǎo)體器件還包括設(shè)置在所述第二部分的所述第二材料上的第二導(dǎo)電接觸部。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電接觸部設(shè)置在所述第一部分的所述第四材料的第一表面上，所述第二導(dǎo)電接觸部設(shè)置在所述第二部分的所述第二材料的第二表面上，并且所述第一表面和所述第二表面大體上處于相同的平面中。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一部分的所述第四材料和所述第二部分的所述第二材料由與所述第一部分的所述第三材料實(shí)質(zhì)上相接的材料橫向分隔開。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括設(shè)置在所述第二鰭狀物上的第三導(dǎo)電接觸部。8.根據(jù)權(quán)利要求1-2中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二鰭狀物與所述第一鰭狀物由絕緣體橫向分隔開。9.根據(jù)權(quán)利要求1-2中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體閘流管。10.根據(jù)權(quán)利要求1-2中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二鰭狀物的所述材料與所述第一材料實(shí)質(zhì)上相接。11.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括: 在襯底上形成第一鰭狀物和第二鰭狀物，所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物延伸離開所述襯底并且橫向分隔開；以及 分別形成與第一鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸的具有第一摻雜劑的第一摻雜劑源膜、具有第二摻雜劑的第二摻雜劑源膜、具有第三摻雜劑的第三摻雜劑源膜、以及具有第四摻雜劑的第四摻雜劑源膜，其中: 所述第一摻雜劑源膜被設(shè)置為與所述第一鰭狀物的部分的側(cè)表面接觸、與所述第二鰭狀物接觸并且位于所述第二摻雜劑源膜與所述襯底之間， 所述第二摻雜劑源膜被設(shè)置為與所述第一鰭狀物的所述部分的所述側(cè)表面接觸并且位于所述第三摻雜劑源膜與所述第一摻雜劑源膜之間， 所述第三摻雜劑源膜被設(shè)置為與所述第一鰭狀物的所述部分的所述側(cè)表面接觸并且位于所述第四摻雜劑源膜與所述第二摻雜劑源膜之間， 所述第一摻雜劑源膜和所述第三摻雜劑源膜包括用于第一類型的非本征半導(dǎo)體的摻雜劑，并且 所述第二摻雜劑源膜和所述第四摻雜劑源膜包括用于第二類型的非本征半導(dǎo)體的摻雜劑，所述第二類型與所述第一類型不同。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第四摻雜劑源膜與所述第一鰭狀物的所述部分的頂表面接觸。13.根據(jù)權(quán)利要求11-12中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括: 將摻雜劑從所述第一摻雜劑源膜、所述第二摻雜劑源膜、所述第三摻雜劑源膜以及所述第四摻雜劑源膜驅(qū)使到所述第一鰭狀物的所述部分中，以形成第一材料、第二材料、第三材料以及第四材料，其中: 所述第一材料設(shè)置在所述第二材料與所述襯底之間， 所述第二材料設(shè)置在所述第三材料與所述第一材料之間， 所述第三材料設(shè)置在所述第四材料與所述第二材料之間， 所述第一材料和所述第三材料由所述第一類型的非本征半導(dǎo)體形成，并且 所述第二材料和所述第四材料由所述第二類型的非本征半導(dǎo)體形成。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括: 在所述第四材料上形成第一導(dǎo)電接觸部；以及 在與所述第二材料實(shí)質(zhì)上相接的材料上形成第二導(dǎo)電接觸部。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 在所述第二鰭狀物的與所述第一材料實(shí)質(zhì)上相接的材料上形成第三導(dǎo)電接觸部。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料以及所述第四材料包括在半導(dǎo)體閘流管中。17.根據(jù)權(quán)利要求11-12中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第一摻雜劑、所述第二摻雜劑、所述第三摻雜劑或所述第四摻雜劑包括經(jīng)摻雜的玻璃。18.—種集成電路器件，包括: 硅襯底； 互連層，所述互連層包括互連結(jié)構(gòu)和層間電介質(zhì)；以及 一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件，所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件設(shè)置在所述硅襯底與所述互連層之間，所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件中的每個(gè)半導(dǎo)體器件包括: 設(shè)置在所述硅襯底上的第一鰭狀物，所述第一鰭狀物包括第一材料、第二材料、第三材料以及第四材料，其中: 所述第一材料設(shè)置在所述第二材料與所述硅襯底之間， 所述第二材料設(shè)置在所述第三材料與所述第一材料之間， 所述第三材料設(shè)置在所述第四材料與所述第二材料之間， 所述第一材料和所述第三材料由第一類型的非本征半導(dǎo)體形成，并且所述第二材料和所述第四材料由第二類型的非本征半導(dǎo)體形成，所述第二類型與所述第一類型不同，以及 設(shè)置在所述襯底上的第二鰭狀物，所述第二鰭狀物與所述第一鰭狀物橫向分隔開，其中，所述第二鰭狀物具有與所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料或所述第四材料中的至少一種材料實(shí)質(zhì)上相接的材料。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件包括在靜電放電保護(hù)電路中。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路器件，其中，所述靜電放電保護(hù)電路包括高電壓鉗位器。21.根據(jù)權(quán)利要求18-20中的任一項(xiàng)所述的集成電路器件，其中: 所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件包括多個(gè)半導(dǎo)體器件； 對(duì)單個(gè)半導(dǎo)體器件的所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物的布置限定了軸;并且 與所述多個(gè)半導(dǎo)體器件相對(duì)應(yīng)的多個(gè)所述軸是大體上平行的。22.根據(jù)權(quán)利要求18-20中的任一項(xiàng)所述的集成電路器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件中的至少一個(gè)半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體閘流管。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK105849876SQ201480070851
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2014年1月24日
【發(fā)明人】W·M·哈菲茲, C-H·簡(jiǎn)
【申請(qǐng)人】英特爾公司