用于制造芯片模塊的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于制造芯片模塊(72，73，89，90)的方法，所述芯片模塊具有載體襯底(30，81)和至少一個設(shè)置在載體襯底上的芯片(33)以及用于連接芯片連接面(34)與設(shè)置在芯片模塊的接觸側(cè)(56)上的連接接觸部(69，70，71)的接觸導(dǎo)體裝置(45)，其中芯片以其設(shè)有芯片連接面的前側(cè)固定在載體襯底上并且后續(xù)地通過將載體襯底的接觸材料層(31，80)結(jié)構(gòu)化來構(gòu)成接觸導(dǎo)體裝置。
【專利說明】
用于制造巧片模塊的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種用于制造忍片模塊的方法，所述忍片模塊具有載體襯底和至少一 個設(shè)置在載體襯底上的忍片W及用于連接忍片連接面與設(shè)置在忍片模塊的接觸側(cè)上的連 接接觸部的接觸導(dǎo)體裝置，其中忍片W其設(shè)有忍片連接面的前側(cè)固定在載體襯底上并且后 續(xù)通過對載體襯底的接觸材料層結(jié)構(gòu)化實現(xiàn)接觸導(dǎo)體裝置的構(gòu)成。
【背景技術(shù)】
[0002] 專業(yè)術(shù)語經(jīng)常也稱作"忍片封裝(chip packages)"的忍片模塊原則上具有設(shè)有接 觸導(dǎo)體裝置的載體襯底和W受保護的方式容納在忍片殼體中的忍片，所述忍片經(jīng)由其忍片 連接面與接觸導(dǎo)體裝置接觸。接觸導(dǎo)體裝置在此基本上具有下述目的：構(gòu)成連接接觸部的 適合用于外部接觸忍片模塊的外部的裝置，其中連接接觸部相互間具有比忍片連接面更大 的間距W及更大的接觸面，W便簡化外部接觸忍片模塊。
[0003] 尤其，借助于接觸導(dǎo)體裝置能夠進行對其他忍片模塊或電路板的連接接觸部布置 的調(diào)整，使得忍片模塊無需重新布線就能夠與其他忍片模塊或電路板接觸。因此，接觸導(dǎo)體 裝置也能夠理解為忍片模塊的集成的"重新布線(Umver化ahtung)"，所述接觸導(dǎo)體裝置使 得不必在彼此待接觸的忍片模塊之間進行外部的重新布線。外部的連接接觸部的特殊布局 或特殊的、將忍片模塊個體化的分布也經(jīng)常稱作所謂的"足跡(foo化rint)"。
[0004] 用于制造忍片模塊的已知的方法例如提出，使用由介電材料構(gòu)成的襯底作為忍片 載體，所述襯底設(shè)有用于構(gòu)成"內(nèi)部的重新布線"的接觸導(dǎo)體裝置，其中在制造接觸導(dǎo)體裝 置之后忍片在忍片載體上的接觸和后續(xù)在忍片載體上構(gòu)成容納忍片的忍片殼體通過W下 方式進行，使得忍片被所謂的"模"包圍，所述模W液體狀態(tài)施加到忍片上并且在硬化之后 構(gòu)成用于忍片的意圖進行保護的忍片殼體。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明的目的在于，提出一種方法，所述方法可實現(xiàn)顯著簡化忍片模塊的制造并 且尤其能夠W低的成本耗費實現(xiàn)具有大批量的忍片模塊的工業(yè)制造。
[0006] 為了實現(xiàn)該目的，根據(jù)本發(fā)明的方法具有權(quán)利要求1所述的特征。
[0007] 在根據(jù)本發(fā)明的方法中，忍片W其設(shè)有忍片連接面的前側(cè)固定在載體襯底的接觸 材料層上。在完成用于將忍片定位在載體襯底上的固定之后，通過將載體襯底的接觸材料 結(jié)構(gòu)化而構(gòu)成接觸導(dǎo)體裝置。因此省棄提供已經(jīng)設(shè)有接觸導(dǎo)體裝置的忍片載體。更確切地 說，具有將忍片模塊個體化的足跡的接觸導(dǎo)體裝置的構(gòu)成能夠連同忍片模塊的制備一起進 行。
[000引因此，與先前探討的已知的方法不同，在根據(jù)本發(fā)明的用于制造忍片模塊的方法 中，一方面，在構(gòu)成接觸導(dǎo)體裝置之前將忍片設(shè)置在載體襯底上。另一方面，通過W下方式 構(gòu)成接觸導(dǎo)體裝置:將由接觸材料形成的載體襯底結(jié)構(gòu)化。
[0009]優(yōu)選地，將忍片固定在載體襯底上通過W下方式進行：忍片W其設(shè)有忍片連接面 的前側(cè)設(shè)置在載體襯底的接觸材料層的粘附的覆層上。由于載體襯底的粘附的覆層，例如 能夠放棄:在載體襯底中等設(shè)有用于限定忍片在載體襯底上的位置的凹部。因此，載體襯底 能夠尤其簡單地構(gòu)造成具有平坦的表面。
[0010] 特別有利的是，載體襯底由接觸材料薄膜形成，所述接觸材料薄膜可實現(xiàn)由接觸 材料形成的載體襯底的尤其薄的設(shè)計方案。此外，用于構(gòu)成載體襯底的接觸材料薄膜能夠 提供作為連續(xù)材料，由此簡化大批量自動化地流水線制造忍片模塊，因為接觸材料薄膜同 時能夠用作為用于在忍片模塊的制造工藝中W時鐘脈沖的方式向前運動的連續(xù)傳送帶。
[0011] 特別有利的是，將已經(jīng)設(shè)有粘附的覆層的接觸材料薄膜用于載體襯底，使得不需 要在單獨的方法步驟中在用忍片裝配載體襯底之前施加粘附的覆層。
[0012] 當通過結(jié)構(gòu)化載體襯底W與忍片連接面疊合的方式構(gòu)成接觸凹部時，能夠W尤其 簡單的類型和方式構(gòu)成連接接觸部，所述連接接觸部建立接觸導(dǎo)體裝置和忍片連接面之間 的導(dǎo)電的連接，所述接觸凹部為了將忍片連接面與接觸導(dǎo)體裝置接觸而用接觸材料填充。
[0013] 連接接觸部例如能夠通過W下方式構(gòu)成:使用焊料作為接觸材料，所述焊料施加 到接觸凹部中。焊料的運種施加例如能夠借助W下方法進行，其中烙融的焊料沉積被拋到 借助于接觸凹部接近的忍片連接面上。
[0014] 將接觸材料引入到接觸凹部中的另一可行性在于，將接觸材料通過沉積方法引入 到接觸凹部中，其中原則上既考慮電鍛沉積方法也考慮無電流沉積方法，其中接觸材料優(yōu) 選通過自動催化的沉積、即例如通過儀和/或金的沉積進行。為了改進在W自動催化的方式 沉積的金屬和忍片連接面之間的粘附，在此，能夠有利地用鋒酸鹽或者還有鈕W電解的方 式加載連接面，W便實施忍片連接面的"種晶(Bekeimung)"。
[0015] 替選于通過在接觸材料層中構(gòu)成接觸凹部和用接觸材料填充接觸凹部而將忍片 連接面與載體襯底進行接觸，其中通過將接觸材料層結(jié)構(gòu)化而構(gòu)成接觸凹部，在構(gòu)成接觸 導(dǎo)體裝置之前也能夠?qū)⑷唐B接面與接觸材料層與接觸材料層的結(jié)構(gòu)化無關(guān)地進行接觸。
[0016] 優(yōu)選地，為了將忍片連接面與接觸材料層進行接觸，將設(shè)有接觸凸起的忍片連接 面抵靠于接觸材料層，并且后續(xù)通過烙化所述接觸凸起而實現(xiàn)忍片連接面與接觸材料層的 連接。在此，將忍片固定在載體襯底上也能夠與構(gòu)成相對于接觸連接層的連接接觸部同時 進行。
[0017] 特別有利的是，借助于激光加載忍片或接觸材料層來烙融接觸凸起。
[0018] 在所述方法的尤其優(yōu)選的實施方式中，在構(gòu)成接觸導(dǎo)體裝置之前，為了構(gòu)成包封 忍片的包覆材料層而將包覆材料施加到載體襯底上。由此，不僅構(gòu)成用于忍片的殼體。更確 切地說，在構(gòu)成用于忍片的殼體同時實現(xiàn)載體襯底的機械穩(wěn)定，使得接觸導(dǎo)體裝置的后續(xù) 的構(gòu)成通過對載體襯底的接觸材料進行結(jié)構(gòu)化而能夠無需用于載體襯底單獨的機械的支 撐裝置實現(xiàn)。
[0019] 尤其，當包覆材料作為包覆材料層施加到忍片上使得忍片夾層狀地設(shè)置在包覆材 料層和載體襯底之間并且包覆材料層隨后在用于構(gòu)成包圍載體襯底的層壓結(jié)構(gòu)的層壓過 程中與載體襯底連接時，包覆材料層才形成加固載體襯底的支撐裝置，使得即使在載體襯 底構(gòu)成為薄膜材料的情況下也能夠加工載體襯底來結(jié)構(gòu)化接觸材料層，而載體襯底的柔性 不會使加工變得困難。
[0020] 當在所述方法的優(yōu)選的實施方式中包覆材料層從其上側(cè)開始設(shè)有至少一個接觸 凹部時，能夠產(chǎn)生包覆材料層與到載體襯底的接觸導(dǎo)體裝置的直接接觸的穿通接觸部，所 述接觸凹部為了在接觸材料層上構(gòu)成接觸面而露出載體襯底的接觸材料。
[0021] 接觸凹部能夠為了構(gòu)成作為接觸柱（KontaktsSule )構(gòu)成的穿通接觸部而用 接觸材料填充，或者使用通過沉積方法引入到接觸凹部中的接觸材料W構(gòu)成接觸柱。
[0022] 當包覆材料層從其上側(cè)開始為了露出忍片背側(cè)而W剝離的方式加工材料使得忍 片背側(cè)和接觸柱齊平地設(shè)置在通過加工構(gòu)成的包覆材料表面中時，忍片模塊的尤其薄的構(gòu) 成方案是可行的。
[0023] 優(yōu)選地，后續(xù)設(shè)有接觸材料層的基礎(chǔ)金屬化部能夠施加到忍片背側(cè)上和施加到包 覆材料表面和接觸柱上，W便忍片背側(cè)與設(shè)置在忍片前側(cè)上的接觸導(dǎo)體裝置導(dǎo)電地連接， 使得忍片背側(cè)可用作為用于電場的連接面。
[0024] 同時或替選地，能夠經(jīng)由接觸材料層從忍片背側(cè)至接觸導(dǎo)體裝置進行工藝熱的導(dǎo) 出，使得根據(jù)本發(fā)明的方法尤其適合用于制造功率模塊。
[0025] 接觸導(dǎo)體裝置能夠被結(jié)構(gòu)化W構(gòu)成忍片背側(cè)接觸導(dǎo)體裝置。
[0026] 與在包覆材料層的W預(yù)先剝離材料的方式加工的表面上構(gòu)成基礎(chǔ)金屬化部不同， 基礎(chǔ)金屬化部也能夠在構(gòu)成包覆材料層中的接觸凹部之前已經(jīng)施加到包覆材料層的表面 上，并且后續(xù)地將接觸材料施加到基礎(chǔ)金屬化部上并且將其結(jié)構(gòu)化W構(gòu)成忍片背側(cè)接觸導(dǎo) 體裝置。
[0027] 基于接觸材料層的運種結(jié)構(gòu)化，為了構(gòu)成包覆材料層中的穿通接觸部，包覆材料 層能夠從其表面開始設(shè)有至少一個接觸凹部，所述接觸凹部為了構(gòu)成載體襯底的接觸材料 層上的接觸面而露出接觸材料，并且后續(xù)地接觸凹部為了構(gòu)成與接觸柱的穿通接觸部而能 夠由接觸材料填充。
[0028] 為了接觸忍片背側(cè)特別有利的是，忍片背側(cè)首先通過用激光福射加載包覆材料而 露出，并且后續(xù)地將接觸材料沉積到忍片背側(cè)上W形成在忍片背側(cè)和忍片背側(cè)接觸層之間 的接觸。
【附圖說明】
[0029] 下面參考附圖闡述忍片模塊的制造的不同的變型形式。
[0030] 附圖示出：
[0031] 圖1至13示出在依次的方法步驟中根據(jù)所述方法的第一實施方式制造忍片模塊；
[0032] 圖14至21示出在不同的依次的方法步驟中根據(jù)所述方法的一個變型形式制造忍 片板塊；
[0033] 圖22和23示出經(jīng)由接觸凸起在忍片和載體襯底之間構(gòu)成連接接觸部；
[0034] 圖24示出在將接觸材料層結(jié)構(gòu)化之前的忍片模塊的層壓結(jié)構(gòu)；
[0035] 圖25示出將接觸材料層結(jié)構(gòu)化W構(gòu)成忍片模塊；
[0036] 圖26示出在將接觸材料層結(jié)構(gòu)化之前的忍片模塊的層壓結(jié)構(gòu)；
[0037] 圖27示出將接觸材料層結(jié)構(gòu)化W構(gòu)成忍片模塊。
【具體實施方式】
[0038] 圖1作為用于執(zhí)行所述方法的初始基礎(chǔ)示出提供具有由接觸材料31形成的、在當 前情況下構(gòu)成為銅薄膜的金屬薄膜的載體襯底30。載體襯底30設(shè)有粘附的覆層32,所述覆 層例如能夠構(gòu)成為熱活化的環(huán)氧樹脂。然而，也可想象的是:覆層構(gòu)成為也與活化無關(guān)的粘 附的層，所述層能夠為了處理或提供載體薄膜而設(shè)有剝離紙等，使得載體薄膜例如也能夠 已經(jīng)W滾筒形式、即卷起的方式被保持。
[0039] 如圖2示出的那樣，在開始所述方法時設(shè)置至少一個、在當前情況下為多個忍片 33,所述忍片W其向下指向的忍片連接面34設(shè)置在載體襯底30上，其中通過粘附的覆層32 將忍片33W定位的方式固定在載體襯底30上。
[0040] 隨后，將優(yōu)選由主要具有環(huán)氧樹脂的材料混合物構(gòu)成的包覆材料層35設(shè)置在忍片 33上，使得忍片33從現(xiàn)在起夾層狀地容納在載體襯底30和包覆材料層35之間。在現(xiàn)在接著 的層壓步驟中，包覆材料層35在壓力和溫度的同時作用下抵靠于載體襯底30,其中包覆材 料層35的材料由忍片33逼出，結(jié)果使得如圖3中示出的那樣，在結(jié)束所述層壓步驟之后忍片 33W嵌入的方式容納在包覆材料層35中，使得尤其忍片33的忍片背側(cè)36通過包覆材料層35 的材料覆蓋。包覆材料層35的材料在其成分方面選擇為，使得包覆材料的熱膨脹系數(shù)盡可 能地近似載體襯底30的接觸材料31的熱膨脹系數(shù)。運例如能夠通過W下方式實現(xiàn):包覆材 料的環(huán)氧基作為填充劑滲入足夠量的氧化娃，由此例如可達到在7IT1至SITi的范圍中的熱 膨脹系數(shù)，所述熱膨脹系數(shù)與銅的熱膨脹系數(shù)相差不遠，所述銅優(yōu)選是接觸材料31的主要 組成部分并且所述銅具有大約16IT1的熱膨脹系數(shù)，使得在包覆材料層35硬化之后必須預(yù)期 在包覆材料層35和載體襯底30之間的脫層。更確切地說，包覆材料35的也在硬化之后剩余 的柔性是足夠的，W便能夠補償膨脹系數(shù)方面的差異。
[0041] 通過在當前的情況下通過粘附的覆層32進行的層壓過程期間固定忍片33,防止了 在包覆材料35硬化期間發(fā)生忍片33在載體襯底30上的位置變化。
[0042] 如圖4示出的那樣，在包覆材料層的材料硬化之后從包覆材料層35的上側(cè)37開始， 構(gòu)成包覆材料層35中的接觸凹部38，所述接觸凹部為了構(gòu)成內(nèi)部的接觸面39而露出載體襯 底30的接觸材料31。優(yōu)選地，能夠通過用激光福射加載包覆材料層35的上側(cè)37來實現(xiàn)接觸 凹部38的構(gòu)成。
[0043] 隨后，如圖5中示出的那樣，實現(xiàn)用接觸材料40填充接觸凹部38,所述接觸材料例 如能夠W自動催化的方式沉積到接觸面39上，其中優(yōu)選在將接觸材料40沉積到接觸面39上 之前能夠用例如鋒酸鹽或鈕進行接觸面39的種晶，W便改進在沉積到接觸面39上的接觸材 料40和接觸面39之間的粘附。優(yōu)選地，選擇與接觸材料31相符的、至少主要具有銅的材料成 分作為接觸材料40。
[0044] 隨后，如圖6中示出的那樣，W剝離材料的方式加工包覆材料層35,結(jié)果使得在由 此產(chǎn)生的包覆材料表面41中通過接觸材料40在接觸凹部38中構(gòu)成的接觸材料柱42的表面 和忍片背側(cè)36齊平地設(shè)置在包覆材料表面41中。在此，能夠同時實現(xiàn)忍片33的打薄、即忍片 33的高度的減少。
[0045] 在后續(xù)的方法步驟中，優(yōu)選在圖7中示出的基礎(chǔ)金屬化部44預(yù)先構(gòu)成在包覆材料 表面41上之后，實現(xiàn)在圖8中示出的接觸材料層43在包覆材料層35上的構(gòu)成，其中優(yōu)選選擇 銅或銅合金作為接觸材料層43的接觸材料。中間金屬化部44的構(gòu)成例如能夠通過將基礎(chǔ)金 屬化部44的材料沉積到包覆材料表面41上來進行，例如通過噴鍛鐵/銅合金來進行。隨后， 接觸材料層43能夠通過沉積施加到基礎(chǔ)金屬化部44上，其中沉積能夠選擇性地W電鍛或者 還有自動催化的方式進行。
[0046] 為了構(gòu)成在圖9中示出的忍片背側(cè)接觸導(dǎo)體裝置51，優(yōu)選對施加到包覆材料層35 上的接觸材料層43進行光刻結(jié)構(gòu)化，使得忍片背側(cè)接觸導(dǎo)體裝置51在當前的情況下具有兩 個接觸導(dǎo)體52、53,所述接觸導(dǎo)體分別連接忍片背側(cè)36與接觸柱42。
[0047] 為了構(gòu)成通過將載體襯底30結(jié)構(gòu)化產(chǎn)生的并且在圖12中示出的接觸導(dǎo)體裝置45， 從現(xiàn)在起，如從圖10和11的順序明確的那樣，首先在第一光刻方法步驟中進行載體襯底30 的加工，使得一方面構(gòu)成接觸導(dǎo)體46、47、48，并且另一方面構(gòu)成在載體襯底30中的接觸凹 部49。優(yōu)選地，補充于緊接著移除載體襯底30的接觸材料31W構(gòu)成接觸凹部49的光刻方法， 還對忍片連接面34進行激光加載，W便表面地清潔所述忍片連接面、即尤其移除粘附的覆 層32的可能剩余的殘留物。然后，優(yōu)選通過W自動催化的方式沉積接觸材料50構(gòu)成將接觸 導(dǎo)體46、47、48與忍片連接面34連接的連接接觸部68,所述接觸材料優(yōu)選由銅或銅合金構(gòu)成 并且所述接觸材料此外優(yōu)選無電流地沉積到首先用鋒酸鹽或鈕種晶的忍片連接面34上。 [00 4引基于在圖11中示出的并且在第一光刻方法步驟中構(gòu)成的接觸導(dǎo)體46、47、48，完成 在圖12中示出的接觸導(dǎo)體裝置45進而在第二光刻方法步驟中構(gòu)成基于在圖1中示出的載體 襯底30制成的忍片模塊72,其中由接觸導(dǎo)體46和48形成連接接觸部69、70和71。在此，連接 接觸部69經(jīng)由接觸柱42和接觸導(dǎo)體52或53能夠?qū)崿F(xiàn)對忍片背側(cè)36進行接觸并且連接接觸 部70、71能夠?qū)崿F(xiàn)對忍片連接面34進行接觸。
[0049] 如圖12和13的概覽示出的那樣，隨后，忍片模塊72的背側(cè)57和連接接觸側(cè)56設(shè)有 優(yōu)選由環(huán)氧樹脂形成的純化部58、59，其中在外接觸側(cè)56的純化部58中構(gòu)成露出接觸面61 的接觸凹部60,使得焊料凸塊62能夠施加到接觸面61上，所述焊料凸塊能夠?qū)崿F(xiàn)用于可能 的外部接觸忍片模塊72的接觸部位。
[0050] W圖14至21的順序示出所述方法的變型形式，其中從在圖3中示出的方法狀態(tài)開 始、即緊隨將忍片33W其設(shè)有忍片連接面34的接觸側(cè)定位并且固定在載體襯底30上之后， 包覆材料層35的上側(cè)37設(shè)有接觸金屬層43,而不會預(yù)先如在圖6中示出的那樣W剝離材料 的方式加工包覆材料表面41。
[0051] 如在圖15中示出的那樣，隨后在第一步驟中為了構(gòu)成在圖19中示出的忍片背側(cè)接 觸導(dǎo)體裝置62，優(yōu)選通過使用光刻方法將接觸結(jié)構(gòu)63構(gòu)成在包覆材料層35上，并且隨后，如 在圖16中示出的那樣，將接觸凹部64構(gòu)成在包覆材料層35中，所述接觸凹部在接觸面39的 區(qū)域中露出載體襯底30的接觸材料31，使得如在圖17中示出并且如已經(jīng)參考圖4和5描述的 那樣，能夠在包覆材料層35中構(gòu)成接觸柱42。
[0052] 在圖18中示出的露出忍片背側(cè)36之后，例如通過借助于激光福射加載包覆材料層 35的表面37,在忍片背側(cè)36上在包覆材料層35中形成的接觸凹部64和接觸柱42的接觸表面 65優(yōu)選通過W無電流的方式沉積銅或銅合金而設(shè)有接觸材料66,所述接觸材料結(jié)合預(yù)先通 過將接觸材料層43結(jié)構(gòu)化構(gòu)成的接觸結(jié)構(gòu)63而構(gòu)成接觸導(dǎo)體67,所述接觸導(dǎo)體如在圖19中 示出的那樣分別連接忍片背側(cè)36與接觸柱42。
[0053] 為了由載體襯底30構(gòu)成接觸導(dǎo)體裝置45,從現(xiàn)在起，如已經(jīng)參考圖10至12描述的 那樣，進行載體襯底30的結(jié)構(gòu)化，使得構(gòu)成在圖20中示出的忍片模塊73。
[0054] 如圖20和21的概覽示出的那樣，隨后，忍片模塊73的后側(cè)57和連接接觸側(cè)56設(shè)有 優(yōu)選由環(huán)氧樹脂形成的純化部58、59，其中在外接觸側(cè)56的純化部58中構(gòu)成接觸凹部60，所 述接觸凹部露出接觸面61，使得焊料凸塊62能夠施加到接觸面61上，所述焊料凸塊能夠?qū)?現(xiàn)接用于可能的外部接觸忍片模塊73的接觸部位。
[0055] 在圖22和23中示出替選于在圖10和11中示出的忍片連接面34與載體襯底30的接 觸，所述接觸通過將接觸材料層31結(jié)構(gòu)化和后續(xù)地用接觸材料50填充接觸凹部49而在接觸 材料層31中構(gòu)成接觸凹部49來實現(xiàn)。為此，在構(gòu)成圖25和27中示出的接觸導(dǎo)體裝置45之前 已經(jīng)實現(xiàn)載體襯底81的接觸材料層80與忍片連接面34的接觸，所述載體襯底設(shè)有不導(dǎo)電的 膠粘劑涂層82。
[0056] 在圖22和23中示出的實施例中，為了準備忍片連接面34與接觸材料層80的接觸， 忍片連接面34設(shè)有接觸凸起83,所述接觸凸起抵靠于接觸材料層80并且后續(xù)地通過烙融而 與接觸材料層80連接。在示出的實施例中，在實施連接之前，借助于膠粘劑涂層82將忍片33 固定在載體襯底81上。
[0057] 為了烙融接觸凸起83,接觸材料層80或忍片33從其背側(cè)起用激光福射加載。
[005引在形成圖23中示出的忍片33與載體襯底81的連接之后，進行已經(jīng)參考圖3至9所設(shè) 及的忍片模塊72的制造和參考圖14至19所設(shè)及的忍片模塊73的制造而闡述的方法步驟，使 得基于載體襯底81制造在圖24或圖26中示出的層壓結(jié)構(gòu)84或85。
[0059] 基于到此為止仍具有載體襯底81的未結(jié)構(gòu)化的接觸材料層80的層壓結(jié)構(gòu)84或85， 現(xiàn)在進行在圖25和27中示出的接觸材料層80的結(jié)構(gòu)化，W構(gòu)成接觸導(dǎo)體裝置45,使得為了 限定連接接觸部69、70、71而優(yōu)選通過光刻方法或激光燒蝕在接觸材料層80中構(gòu)成接觸凹 部86、87、88。
[0060] 隨后，仍如在圖13和21中示出的忍片模塊72、73那樣，如此制成的忍片模塊89、90 能夠在連接接觸側(cè)56和其背側(cè)57上設(shè)有優(yōu)選由環(huán)氧樹脂形成的純化部58、59,其中在外接 觸側(cè)56的純化部58中構(gòu)成接觸凹部60，所述接觸凹部露出接觸面61，使得焊料凸塊62能夠 施加到接觸面61上，所述焊料凸塊可實現(xiàn)用于可能的外部接觸忍片模塊89、90的接觸部位。
【主權(quán)項】
1. 一種用于制造芯片模塊(72，73，89，90)的方法，所述芯片模塊具有載體襯底(30，81) 和至少一個設(shè)置在載體襯底上的芯片（33)以及用于連接芯片連接面(34)與設(shè)置在所述芯 片模塊的接觸側(cè)(56)上的連接接觸部(69，70，71)的接觸導(dǎo)體裝置(45 )，其中所述芯片以其 設(shè)有所述芯片連接面的前側(cè)固定在所述載體襯底上并且后續(xù)地通過將所述載體襯底的接 觸材料層(31，80)結(jié)構(gòu)化構(gòu)成接觸導(dǎo)體裝置。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其特征在于， 借助于所述載體襯底的所述接觸材料層(31)的粘附的覆層(32)實現(xiàn)將所述芯片（33) 固定在所述載體襯底(30)上。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法， 其特征在于， 所述載體襯底由設(shè)有所述粘附的覆層(32)的接觸材料薄膜形成。4. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法， 其特征在于， 通過將所述載體襯底(30)的所述接觸材料層(31)結(jié)構(gòu)化以與所述芯片連接面(34)疊 合的方式構(gòu)成接觸凹部(49)，所述接觸凹部為了將所述芯片連接面與所述接觸導(dǎo)體裝置 (45)接觸而用接觸材料(50)填充。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法， 其特征在于， 使用焊料作為接觸材料(50)。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法， 其特征在于， 將所述接觸材料(50)通過沉積方法引入到所述接觸凹部(49)中。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法， 其特征在于， 在構(gòu)成所述接觸導(dǎo)體裝置(45)之前實現(xiàn)所述芯片連接面(34)與所述接觸材料層(80) 的接觸。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法， 其特征在于， 為了所述芯片連接面(34)與所述接觸材料層(80)的接觸，設(shè)有接觸凸起(83)的所述芯 片連接面抵靠于所述接觸材料層(80)，并且后續(xù)地通過熔融所述接觸凸起來實現(xiàn)所述芯片 連接面與所述接觸材料層的連接。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法， 其特征在于， 借助于激光加載所述芯片(33)或所述接觸材料層(80)來熔融所述接觸凸起(83)。10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法， 其特征在于， 在構(gòu)成所述接觸導(dǎo)體裝置(45)之前為了構(gòu)成包封所述芯片（33)的包覆材料層(35)而 將包覆材料施加到所述載體襯底(30，81)上。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法， 其特征在于， 將所述包覆材料作為包覆材料層(35)施加到所述芯片(33)上，使得所述芯片夾層狀地 設(shè)置在所述包覆材料層和所述載體襯底之間，并且后續(xù)地在用于構(gòu)成包圍所述載體襯底 (30,81)的層壓結(jié)構(gòu)的層壓過程中將所述包覆材料層與所述載體襯底連接。12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法， 其特征在于， 所述包覆材料層(35)從其上側(cè)(37)開始設(shè)有至少一個接觸凹部(38 )，所述接觸凹部為 了在所述接觸材料層(31)上構(gòu)成接觸面(39)而露出所述載體襯底(30)的所述接觸材料。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法， 其特征在于， 將所述接觸凹部(38)用接觸材料(40)填充以構(gòu)成接觸柱(42)。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法， 其特征在于， 使用焊料作為接觸材料(40)。15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法， 其特征在于， 將所述接觸材料(40)通過沉積方法引入到所述接觸凹部(38)中。16. 根據(jù)權(quán)利要求11至15中任一項所述的方法， 其特征在于， 將所述包覆材料層(35)從其上側(cè)（37)開始為了露出芯片背側(cè)（36)以剝離材料的方式 加工，使得所述芯片背側(cè)和所述接觸柱(42)齊平地設(shè)置在通過加工構(gòu)成的包覆材料表面 (41)中。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法， 其特征在于， 將所述芯片(33)通過加工所述包覆材料層(35)打薄。18. 根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的方法， 其特征在于， 將基礎(chǔ)金屬化部(44)施加到所述芯片背側(cè)(36)上。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法， 其特征在于， 將所述基礎(chǔ)金屬化部（44)既施加到所述芯片背側(cè)（36)上也施加到所述包覆材料表面 (41)和所述接觸柱(42)上。20. 根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的方法， 其特征在于， 將接觸材料層(43)施加到所述基礎(chǔ)金屬化部(44)上。21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法， 其特征在于， 通過沉積施加所述接觸材料層(43)。22. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法， 其特征在于， 將所述接觸材料層(43)為了構(gòu)成芯片背側(cè)接觸導(dǎo)體裝置(51，62)而結(jié)構(gòu)化。23. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法， 其特征在于， 將基礎(chǔ)金屬化部(44)施加到所述包覆材料表面(41)上。24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法， 其特征在于， 將接觸材料層(43)施加到所述基礎(chǔ)金屬化部(44)上，所述接觸材料層后續(xù)被結(jié)構(gòu)化以 構(gòu)成芯片背側(cè)接觸導(dǎo)體裝置(62)。25. 根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的方法， 其特征在于， 所述包覆材料層(35)從其上側(cè)(37)開始設(shè)有至少一個接觸凹部(38 )，所述接觸凹部為 了在所述載體襯底(30)的所述接觸材料層(31)上構(gòu)成接觸面(39)而露出所述接觸材料，并 且后續(xù)地用接觸材料(40)填充所述接觸凹部以構(gòu)成接觸柱(42)。26. 根據(jù)權(quán)利要求23至25中任一項所述的方法， 其特征在于， 通過用激光輻射加載所述包覆材料來露出芯片背側(cè)(36)，并且后續(xù)地將接觸材料(66) 沉積到所述芯片背側(cè)上以形成在所述芯片背側(cè)和所述芯片背側(cè)接觸導(dǎo)體裝置(62)之間的 接觸。
【文檔編號】H01L23/495GK105849901SQ201480071312
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年11月25日
【發(fā)明人】加西姆·阿茲達什, 托爾斯滕·托伊奇, 里卡多·格爾哈爾
【申請人】派克泰克封裝技術(shù)有限公司