離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法及清洗方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及離子注入技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法及清洗方法，其包括如下步驟：引入步驟：引入緩慢上升至預(yù)設(shè)流量的工藝氣體；施加步驟：施加緩慢上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓；判斷步驟：判斷預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓是否達(dá)到目標(biāo)值，均是，則停止引入工藝氣體及停止施加引出電壓。上述離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法及清洗方法，使得離子源的引出電極系統(tǒng)受到較小的束流沖擊，輸出電壓波動(dòng)保持在可接受的范圍內(nèi)，同時(shí)使得離子源、電極板、工藝腔室等的溫度回升至接近注入時(shí)的溫度時(shí)，其所吸附的氣體得到釋放，重啟后氣壓幾乎不再有波動(dòng)，所引出的離子束相對(duì)均勻，從而可以較快啟動(dòng)并穩(wěn)定離子源。
【專利說明】
離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法及清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及離子注入技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法及清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在氣態(tài)離子源離子注入裝置中，如果長時(shí)間維持從離子源引出離子束的運(yùn)轉(zhuǎn)，則在離子源內(nèi)部和離子束引出電極上堆積附著物，如果置之不理，過多堆積的附著物容易在所述電極系統(tǒng)中引起電極之間的異常放電。異常放電會(huì)使得引出束流不穩(wěn)定，過多的異常放電會(huì)使注入無法達(dá)到預(yù)定效果，甚至無法維持離子源的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。
[0003]在離子注入裝置中，對(duì)多片基板進(jìn)行的離子注入是以分片多次注入的方式進(jìn)行的。在各片離子注入之間，為進(jìn)行已處理和未處理的基板的交換，需要暫停離子的注入，所以可以考慮利用這樣的基板交換時(shí)間對(duì)離子源內(nèi)部進(jìn)行清洗，但由于交換時(shí)間僅短短幾分鐘，因此要求清洗結(jié)束后盡快重啟并穩(wěn)定離子束。
[0004]傳統(tǒng)的方法是采用先加穩(wěn)定電壓后給適當(dāng)濃度離子源等離子體的方法以達(dá)成快速啟動(dòng)的目的，但大束流的初次引出常常難以穩(wěn)定，容易沖擊電極板產(chǎn)生瞬時(shí)電流，導(dǎo)致引出系統(tǒng)的電場(chǎng)波動(dòng)，而無法正常注入。
[0005]此外，在離子源清洗時(shí)，電弧電壓及電流較注入時(shí)相差較大，但不會(huì)將清洗的離子束引出至磁場(chǎng)區(qū)域;基板及磁場(chǎng)壁，甚至等離子體源內(nèi)都會(huì)有一定程度的氣體吸附現(xiàn)象，清洗后開始工作時(shí)隨著溫度升高此部分氣體會(huì)逐漸釋放，使注入束流的濃度曲線產(chǎn)生阻尼震動(dòng)曲線樣的抖動(dòng)，如圖2所示，因此需要一種啟動(dòng)方法可以改善這一波動(dòng)，使離子源清洗后可以真正快速啟動(dòng)至工作狀態(tài)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，有必要針對(duì)上述問題，提供一種可快速啟動(dòng)離子源的離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法及清洗方法。
[0007]—種離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，應(yīng)用于清洗離子注入裝置之后，包括如下步驟:
[0008]引入步驟:引入緩慢上升至預(yù)設(shè)流量的工藝氣體；
[0009]施加步驟:施加緩慢上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓；
[0010]判斷步驟:判斷預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓是否達(dá)到目標(biāo)值，均是，則停止引入工藝氣體及停止施加引出電壓。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述判斷步驟中，判斷預(yù)設(shè)流量未達(dá)到目標(biāo)值時(shí)，則繼續(xù)引入工藝氣體;或者，判斷預(yù)設(shè)電壓未達(dá)到目標(biāo)值時(shí)，則繼續(xù)施加引出電壓。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述緩慢上升包括階梯上升，根據(jù)所述引出電壓設(shè)置其階梯上升的步長。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述階梯上升的步長為1/3。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述施加步驟中，采用條狀電極施加所述引出電壓。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述施加步驟中，采用多塊條狀電極構(gòu)成的引出電極系統(tǒng)施加所述引出電壓。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述施加步驟中，采用多塊條狀電極構(gòu)成的引出電極系統(tǒng)施加所述引出電壓從離子源引出帶狀離子束。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述施加步驟中，采用多塊條狀電極構(gòu)成的引出電極系統(tǒng)施加所述引出電壓從離子源引出帶狀離子束并向處理室的基板照射離子束。
[0018]一種離子注入裝置的清洗方法，包括如下步驟:
[0019]供氣步驟:熄滅等離子體，停止引入工藝氣體，引入清洗氣體；
[0020]洗滌步驟:點(diǎn)燃等離子體，并于預(yù)設(shè)時(shí)間后熄滅等離子體；
[0021]引入步驟:引入緩慢上升至預(yù)設(shè)流量的工藝氣體；
[0022]施加步驟:施加緩慢上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓；
[0023]判斷步驟:判斷預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓是否達(dá)到目標(biāo)值，均是，則停止引入工藝氣體及停止施加引出電壓。
[0024]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述引入步驟前還包括:
[0025]檢測(cè)步驟:判斷清洗氣體的等離子體是否完全點(diǎn)燃，若否，則重復(fù)洗滌步驟，直到清洗氣體的等離子體完全點(diǎn)燃。
[0026]上述離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法及清洗方法，通過引入緩慢上升至預(yù)設(shè)流量的工藝氣體以及施加緩慢上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓，使得離子源的引出電極系統(tǒng)受到較小的束流沖擊，輸出電壓波動(dòng)保持在可接受的范圍內(nèi)，同時(shí)使得離子源、電極板、工藝腔室等的溫度回升至接近注入時(shí)的溫度時(shí)，其所吸附的氣體得到釋放，重啟后氣壓幾乎不再有波動(dòng)，所引出的離子束相對(duì)均勻，從而可以較快啟動(dòng)并穩(wěn)定離子源。
【附圖說明】
[0027]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法的步驟流程示意圖；
[0028]圖2為束流與時(shí)間的關(guān)系示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例離子注入裝置的清洗方法的步驟流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0031]需要說明的是，等離子體是指:外層電子擺脫原子核的束縛成為自由電子。物質(zhì)由帶正電的原子核和帶負(fù)電的電子組成，宏觀上近似電中性。氣態(tài)離子源是指:以氣體作為原料產(chǎn)生等離子體的離子源。離子注入是指:將離子加速后注入半導(dǎo)體表面附近以達(dá)到摻雜目的的技術(shù)。
[0032]請(qǐng)參閱圖1，其為本發(fā)明一實(shí)施例離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法10的步驟流程示意圖，離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，應(yīng)用于清洗離子注入裝置之后，以較短的時(shí)間重啟并穩(wěn)定離子源。
[0033]離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法10包括如下步驟:
[0034]引入步驟Sll:引入緩慢上升至預(yù)設(shè)流量的工藝氣體。
[0035]施加步驟S12:施加緩慢上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓。例如，施加階梯上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓。
[0036]判斷步驟S13:判斷預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓是否達(dá)到目標(biāo)值，均是，則停止引入工藝氣體及停止施加引出電壓。
[0037]通過引入緩慢上升至預(yù)設(shè)流量的工藝氣體以及施加緩慢上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓，使得離子源的引出電極系統(tǒng)受到較小的束流沖擊，輸出電壓波動(dòng)保持在可接受的范圍內(nèi)。
[0038]同時(shí)，離子源、電極板、工藝腔室等的溫度回升至接近注入時(shí)的溫度時(shí)，其所吸附的氣體得到釋放，重啟后氣壓幾乎不再有波動(dòng)，所引出的離子束相對(duì)均勻，從而可以較快啟動(dòng)并穩(wěn)定尚子源。
[0039]優(yōu)選的，同時(shí)執(zhí)行所述引入步驟Sll與所述施加步驟S12，以使工藝氣體的流量值和引出電壓的電壓值以較小的時(shí)間差達(dá)到目標(biāo)值，節(jié)省時(shí)間，提高效率。
[0040]在引入步驟Sll中，優(yōu)選的，引入采用對(duì)數(shù)函數(shù)的增長曲線緩慢上升的工藝氣體至預(yù)設(shè)流量，例如，對(duì)數(shù)函數(shù)為:y = n 1ga (x-b) +c，其中，η、a、b和c為變量，其值根據(jù)實(shí)際需求而定。
[0041]又如，引入采用冪函數(shù)的增長曲線緩慢上升的工藝氣體至預(yù)設(shè)流量。例如，所述冪函數(shù)為:y = axb+c，其中，a、b和c為變量，其值根據(jù)實(shí)際需求而定。
[0042]如此，通過對(duì)數(shù)函數(shù)或者冪函數(shù)以及類似函數(shù)的增長曲線，如圖2所示的擬合曲線，可使得向離子源引入的工藝氣體呈平緩上升狀態(tài)，避免瞬間大流量的離子束對(duì)引出電極系統(tǒng)的突然沖擊使引出電極系統(tǒng)中存在瞬間電流，形成堆積物，造成電極板間放電，使清洗效率下降。
[0043]在施加步驟S12中，優(yōu)選的，所述緩慢上升包括階梯上升，根據(jù)所述引出電壓設(shè)置其階梯上升的步長。例如，所述階梯上升的步長為1/3。具體的，例如，預(yù)設(shè)電壓的目標(biāo)值為Vo，則階梯上升的步長以O(shè)?Vq/3 ο優(yōu)選的，階梯上升的步長為Vo/3。
[0044]需要指出的是，在引出電極系統(tǒng)上加電壓目的在于形成目標(biāo)引出電場(chǎng)，但在該電場(chǎng)形成前存在穩(wěn)定過程。如果離子源內(nèi)等離子體濃度為離子注入處理時(shí)相同的等離子體濃度，則引出電極系統(tǒng)會(huì)從離子源引出接近注入時(shí)束流的離子束，該離子束對(duì)引出電極系統(tǒng)的突然沖擊使引出電極系統(tǒng)中存在一瞬間電流，該電流導(dǎo)致引出電極系統(tǒng)電源輸出電壓不穩(wěn)定。
[0045]因此，無法像預(yù)期的那樣快速啟動(dòng)并穩(wěn)定離子源，這種瞬間的大束流沖擊容易使電極板形成堆積物，造成電極板間放電，使清洗效率下降，這些堆積物也會(huì)因后續(xù)注入的離子轟擊飛濺，對(duì)注入造成不良影響。
[0046]此外，清洗時(shí)引出束流與注入時(shí)相差較大，此時(shí)離子源、電極板和工藝腔的腔壁等溫度均有所不同，氣體分子吸附變化，再次啟動(dòng)至工作狀態(tài)時(shí)，溫度改變，清洗時(shí)的氣體分子被吸收/釋放，引起束流值振動(dòng)，腔室壓強(qiáng)達(dá)標(biāo)后束流值回復(fù)而產(chǎn)生圖2所示振動(dòng)，不利于立即進(jìn)行注入。
[0047]優(yōu)選的，所述施加步驟中，采用條狀電極施加所述引出電壓。
[0048]優(yōu)選的，所述施加步驟中，采用多塊條狀電極構(gòu)成的引出電極系統(tǒng)施加所述引出電壓。
[0049]優(yōu)選的，所述施加步驟中，采用多塊條狀電極構(gòu)成的引出電極系統(tǒng)施加所述引出電壓從離子源引出帶狀離子束。
[0050]優(yōu)選的，所述施加步驟中，采用多塊條狀電極構(gòu)成的引出電極系統(tǒng)施加所述引出電壓從離子源引出帶狀離子束并向處理室的基板照射離子束。
[0051]在所述判斷步驟S13中，判斷預(yù)設(shè)流量未達(dá)到目標(biāo)值時(shí)，則繼續(xù)引入工藝氣體;或者，判斷預(yù)設(shè)電壓未達(dá)到目標(biāo)值時(shí)，則繼續(xù)施加引出電壓，直到預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓均達(dá)到目標(biāo)值。
[0052]也就是說，只有預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓兩者都達(dá)到目標(biāo)值時(shí)，才能使引出電極系統(tǒng)受到較小的束流沖擊，輸出電壓波動(dòng)保持在可接受的范圍內(nèi)。
[0053]需要說明的是，離子源參數(shù)和引出電極系統(tǒng)參數(shù)同時(shí)提高，形成逐漸上升的束流，但視實(shí)際工藝需要，通常氣體流量或引出電極系統(tǒng)的引出電壓(包括加速電壓、引出電壓、抑制電壓、接地等組成)中的一者會(huì)先達(dá)至目標(biāo)值，即預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓中的一者會(huì)先達(dá)至目標(biāo)值。
[0054]一實(shí)施例中，工藝氣體流量優(yōu)先上升至目標(biāo)值，此時(shí)，已存在逐漸上升的較小引出電壓，例如0.1KV，然后，逐步增大ARC電壓、Filament電流和ACC、EXT。需要指出的是，其他電極變化幅度較小，隨ARC和ACC趨勢(shì)微調(diào)即可，EXT根據(jù)實(shí)際束流引出效率調(diào)整，這里不提供優(yōu)選值。
[0055]需要指出的是，ARC電壓為離子源的起弧電壓，其大于離子源燈絲和離子源腔壁間的擊穿電壓，是維持穩(wěn)定的氣體電離和等離子態(tài)的電壓。Filament電流即離子源燈絲電流。ACC即加速電壓，該電壓起到給所引出的離子加速至所需能量的作用。EXT即引出電壓，該電壓起到引出離子源中所電離等離子體中的正離子的作用。
[0056]其中增大ACC電壓的優(yōu)選方法為保持磁場(chǎng)密度恒定，ACC先逐漸增大至超過目標(biāo)值而后回落至目標(biāo)值，例如目標(biāo)值為X，由X-A逐漸增大至X+A，再回落至X，A的值視需求選擇。
[0057]另一實(shí)施例中，為保持ACC恒定，磁場(chǎng)密度逐漸增大至超過目標(biāo)值而后回落至目標(biāo)值，例如目標(biāo)值為X，由X-A逐漸增大至X+A，再回落至X，A的值視需求選擇。
[0058]又如，電極系統(tǒng)優(yōu)先上升至目標(biāo)值，此時(shí)工藝氣體流量由較小值(例如0.5CCM)逐漸增大，但速率較電極系統(tǒng)慢，然后，逐步增大Gas流量和EXT，優(yōu)選的Gas流量變化及EXT以對(duì)數(shù)/冪函數(shù)(視情況優(yōu)選)的形式增加。
[0059]EXT實(shí)際案例中變化范圍較小，優(yōu)選方案為逐漸增大至超過目標(biāo)值而后回落至目標(biāo)值，例如目標(biāo)值為X，由X-A逐漸增大至X+A，再回落至X，A的值視需求選擇；以固定斜率上升至目標(biāo)值亦為較優(yōu)方案。
[0060]所述ACC、磁場(chǎng)密度，EXT優(yōu)選的增加方法為以目標(biāo)值為對(duì)稱軸的拋物線函數(shù)，如Y=BX2+A，其中B的取值依實(shí)際情況選擇。
[0061]Gas流量和引出電壓間的關(guān)系為類正比關(guān)系，正比關(guān)系Y = aX+b(a、b根據(jù)實(shí)際情況選擇最優(yōu)值)為一種次優(yōu)選方案。
[0062]請(qǐng)參閱圖3，其為本發(fā)明一實(shí)施例離子注入裝置的清洗方法20的步驟流程示意圖。離子注入裝置的清洗方法20包括如下步驟:
[0063]供氣步驟SOI:熄滅等離子體，停止引入工藝氣體，引入清洗氣體；
[0064]洗滌步驟S02:點(diǎn)燃等離子體，并于預(yù)設(shè)時(shí)間后熄滅等離子體；
[0065]引入步驟Sll:引入緩慢上升至預(yù)設(shè)流量的工藝氣體；
[0066]施加步驟S12:施加緩慢上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓；
[0067]判斷步驟S13:判斷預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓是否均達(dá)到目標(biāo)值，若是，則停止引入工藝氣體及停止施加引出電壓。
[0068]在所述引入步驟Sll前還包括:檢測(cè)步驟:判斷清洗氣體的等離子體是否完全點(diǎn)燃，若否，則重復(fù)洗滌步驟S02，直到清洗氣體的等離子體完全點(diǎn)燃。如此，可提高清洗效果，避免清洗氣體影響工藝氣體的離子注入。
[0069]本發(fā)明的目的在于:使得剛轉(zhuǎn)換為正常工藝菜單的引出束流從零逐漸增大至目標(biāo)值，利用該逐漸增大的束流:
[0070]1、使引出電極系統(tǒng)受到較少的突變的引出束流的沖擊，減少引出電極系統(tǒng)的電涌現(xiàn)象，穩(wěn)定束流并保護(hù)引出電極系統(tǒng)。
[0071]2、逐漸轟擊尤其是工藝腔室腔壁的正常工藝轟擊位置，使該位置的溫度逐漸接近正常工藝時(shí)的溫度，緩慢釋放清洗時(shí)所吸附的氣體分子/吸收清洗時(shí)所釋放的氣體分子，使腔室真空度在注入開始前逐漸穩(wěn)定至正常的工藝所需求的真空度，保證重新啟動(dòng)時(shí)離子束的重復(fù)性。
[0072]需要指出的是，所述電涌現(xiàn)象被稱為瞬態(tài)過電，是電路中出現(xiàn)的一種電壓波動(dòng)和短暫的電流;在電路中通常持續(xù)約百萬分之一秒。對(duì)于離子注入的電極系統(tǒng)而言是指在突然引出的束流沖擊下，引出電極系統(tǒng)對(duì)束流測(cè)約束未達(dá)到理想條件，束流散射較為嚴(yán)重，電極系統(tǒng)中產(chǎn)生瞬間的電流和電壓波動(dòng)。瞬間增大的束流可能引起的電極間ARC(電弧擊穿)現(xiàn)象也會(huì)造成電涌。
[0073]以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
[0074]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，應(yīng)用于清洗離子注入裝置之后，其特征在于，包括如下步驟: 引入步驟:引入緩慢上升至預(yù)設(shè)流量的工藝氣體； 施加步驟:施加緩慢上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓； 判斷步驟:判斷預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓是否達(dá)到目標(biāo)值，均是，則停止引入工藝氣體及停止施加引出電壓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，其特征在于，在所述判斷步驟中，判斷預(yù)設(shè)流量未達(dá)到目標(biāo)值時(shí)，則繼續(xù)引入工藝氣體;或者，判斷預(yù)設(shè)電壓未達(dá)到目標(biāo)值時(shí)，則繼續(xù)施加引出電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，其特征在于，所述緩慢上升包括階梯上升，根據(jù)所述引出電壓設(shè)置其緩慢上升的步長。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，其特征在于，所述階梯上升的步長為 1/3。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，其特征在于，所述施加步驟中，采用條狀電極施加所述引出電壓。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，其特征在于，所述施加步驟中，采用多塊條狀電極構(gòu)成的引出電極系統(tǒng)施加所述引出電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，其特征在于，所述施加步驟中，采用多塊條狀電極構(gòu)成的引出電極系統(tǒng)施加所述引出電壓從離子源引出帶狀離子束。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子注入裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，其特征在于，所述施加步驟中，采用多塊條狀電極構(gòu)成的引出電極系統(tǒng)施加所述引出電壓從離子源引出帶狀離子束并向處理室的基板照射離子束。9.一種離子注入裝置的清洗方法，其特征在于，包括如下步驟: 供氣步驟:熄滅等離子體，停止引入工藝氣體，引入清洗氣體； 洗滌步驟:點(diǎn)燃等離子體，并于預(yù)設(shè)時(shí)間后熄滅等離子體； 引入步驟:引入緩慢上升至預(yù)設(shè)流量的工藝氣體； 施加步驟:施加緩慢上升至預(yù)設(shè)電壓的引出電壓； 判斷步驟:判斷預(yù)設(shè)流量和預(yù)設(shè)電壓是否達(dá)到目標(biāo)值，均是，則停止引入工藝氣體及停止施加引出電壓。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的離子注入裝置的清洗方法，其特征在于，在所述引入步驟前還包括: 檢測(cè)步驟:判斷清洗氣體的等離子體是否完全點(diǎn)燃，若否，則重復(fù)洗滌步驟，直到清洗氣體的等離子體完全點(diǎn)燃。
【文檔編號(hào)】H01J37/08GK105869976SQ201610200538
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年3月31日
【發(fā)明人】張豪峰, 陳建榮, 任思雨, 蘇君海, 李建華
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