電子封裝件及其制法
【專(zhuān)利摘要】一種電子封裝件及其制法，該制法包括先提供一具有相對(duì)的第一表面及第二表面的承載體，且該第一表面上具有多個(gè)連通至該第二表面的凹部，再設(shè)置電子結(jié)構(gòu)于該承載體的第一表面上，該電子結(jié)構(gòu)設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電元件，且該些導(dǎo)電元件對(duì)應(yīng)容置于各該凹部中，之后自該第二表面移除該承載體的部分材質(zhì)，使該些導(dǎo)電元件外露于該承載體的第二表面，藉以保留該承載體，因而沒(méi)有暫時(shí)性材料，所以能降低制作成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
電子封裝件及其制法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種電子封裝件，尤指一種降低成本的電子封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢(shì)。目前應(yīng)用于晶片封裝領(lǐng)域的技術(shù)，例如晶片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale Package, CSP)、晶片直接貼附封裝(Direct Chip Attached, DCA)或多晶片模組封裝(Multi — Chip Module, MCM)等覆晶型態(tài)的封裝模組、或?qū)⒕Ⅲw堆迭化整合為三維積體電路(3D IC)晶片堆迭技術(shù)等。
[0003]圖1為現(xiàn)有3D晶片堆迭的半導(dǎo)體封裝件I的制法的剖面示意圖。如圖1所示，提供一娃中介板(Through Silicon interposer, TSI) 10，該娃中介板10具有相對(duì)的置晶側(cè)1a與轉(zhuǎn)接側(cè)10b、及連通該置晶側(cè)1a與轉(zhuǎn)接側(cè)1b的多個(gè)導(dǎo)電娃穿孔(Through-siliconvia, TSV) 100，且該轉(zhuǎn)接側(cè) 1b 上具有一線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)(Redistribut1n layer, RDL) 101。將間距較小的半導(dǎo)體晶片19的電極墊190藉由多個(gè)焊錫凸塊102電性結(jié)合至該置晶側(cè)1a上，再以底膠192包覆該些焊錫凸塊102，且形成封裝膠體18于該硅中介板10上，以覆蓋該半導(dǎo)體晶片19。于該線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)101上藉由多個(gè)如凸塊的導(dǎo)電元件103電性結(jié)合間距較大的封裝基板17的焊墊170，并以底膠172包覆該些導(dǎo)電元件103。
[0004]目前制作該半導(dǎo)體封裝件I時(shí)，會(huì)先將該硅中介板10設(shè)置于具有多個(gè)凹部(圖略)的第一承載件(如晶圓，圖略)上，該凹部藉由粘膠對(duì)應(yīng)容置該些導(dǎo)電元件103，以利于將該硅中介板10定位；接著，將該半導(dǎo)體晶片19置放至該硅中介板10上，以藉由該些焊錫凸塊102完成該半導(dǎo)體晶片19與該硅中介板10的電性連接；接著藉由粘膠結(jié)合一第二承載件(圖略)于該半導(dǎo)體晶片19上，再進(jìn)行翻轉(zhuǎn)步驟，之后移除該第一承載件及粘膠；接著，先進(jìn)行翻轉(zhuǎn)制程，再將該硅中介板10以該些導(dǎo)電元件103接置于該封裝基板17上，再移除該第二承載件及粘膠，之后形成該封裝膠體18。
[0005]惟，前述半導(dǎo)體封裝件I的制法中，需多次進(jìn)行結(jié)合/移除承載件及粘膠的步驟與翻轉(zhuǎn)的步驟，致使制程步驟繁多，不僅耗時(shí)，且需消耗承載件的料數(shù)，而增加產(chǎn)品的制作成本。
[0006]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問(wèn)題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明為提供一種電子封裝件及其制法，能降低制作成本。
[0008]本發(fā)明的電子封裝件，包括:承載體，其具有相對(duì)的第一表面及第二表面，且該第一表面上具有多個(gè)連通至該第二表面的凹部；電子結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該承載體的第一表面上；以及多個(gè)導(dǎo)電元件，其設(shè)于該電子結(jié)構(gòu)上并對(duì)應(yīng)容置于各該凹部中，且使該些導(dǎo)電元件外露于該承載體的第二表面。
[0009]本發(fā)明還提供一種電子封裝件的制法，其包括:提供一具有相對(duì)的第一表面及第二表面的承載體，且該第一表面上具有多個(gè)凹部；設(shè)置電子結(jié)構(gòu)于該承載體的第一表面上，其中，該電子結(jié)構(gòu)具有多個(gè)導(dǎo)電元件，使該電子結(jié)構(gòu)設(shè)置于該承載體上后，該些導(dǎo)電元件對(duì)應(yīng)容置于各該凹部中；以及自該第二表面移除部分該承載體，使該些導(dǎo)電元件外露于該承載體的第二表面。
[0010]前述的電子封裝件及其制法中，該承載體為半導(dǎo)體板體。
[0011]前述的電子封裝件及其制法中，該電子結(jié)構(gòu)包含至少一設(shè)有該些導(dǎo)電元件的中介板、設(shè)于該中介板上的電子元件、及包覆該中介板與該電子元件的絕緣層，且該些導(dǎo)電元件凸出該絕緣層。
[0012]前述的電子封裝件及其制法中，該些導(dǎo)電元件藉由結(jié)合材固定于各該凹部中。
[0013]前述的電子封裝件及其制法中，自該第二表面移除部分該承載體以整平方式為之，使該些導(dǎo)電元件的表面齊平于該承載體的第二表面。
[0014]前述的電子封裝件及其制法中，自該第二表面移除部分該承載體的方式為在該承載體中形成對(duì)應(yīng)各該凹部的多個(gè)開(kāi)孔，以令該些導(dǎo)電元件外露于該些開(kāi)孔。還包括形成導(dǎo)電體于各該開(kāi)孔中。
[0015]前述的電子封裝件及其制法中，該電子結(jié)構(gòu)為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其組合者。
[0016]前述的電子封裝件及其制法中，該承載體的第一表面上形成有供設(shè)置該電子結(jié)構(gòu)的開(kāi)口，且該些凹部形成于該開(kāi)口的底部上。還包括形成絕緣層于該開(kāi)口中，以令該絕緣層包覆該電子結(jié)構(gòu)。
[0017]前述的電子封裝件及其制法中，還包括形成多個(gè)導(dǎo)電通孔于該承載體中。
[0018]另外，前述的電子封裝件及其制法中，還包括形成線(xiàn)路結(jié)構(gòu)于該承載體的第一表面上。
[0019]由上可知，本發(fā)明的電子封裝件的制法，主要藉由將該電子結(jié)構(gòu)上的導(dǎo)電元件對(duì)應(yīng)容置于各該凹部中，且保留該承載體，因而不需移除該承載體，也就是沒(méi)有暫時(shí)性材料(如現(xiàn)有承載件及粘膠)，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明不僅能減少制程步驟以縮短制程時(shí)間，且無(wú)需消耗承載件的料數(shù)，而能降低的制作成本。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的剖面示意圖；
[0021]圖2A至圖2D為本發(fā)明的電子封裝件的制法的第一實(shí)施例的剖面示意圖；
[0022]圖2E為圖2D的后續(xù)制程的剖面示意圖；
[0023]圖3A至圖3B為圖2C至圖2D的另一方法；其中，圖3B’為圖3B的另一實(shí)施例；以及
[0024]圖4A至圖4E為本發(fā)明的電子封裝件的制法的第二實(shí)施例的剖面示意圖；其中，圖4E’為圖4E的另一實(shí)施例。
[0025]符號(hào)說(shuō)明
[0026]I半導(dǎo)體封裝件
[0027]10硅中介板
[0028]1a置晶側(cè)
[0029]1b轉(zhuǎn)接側(cè)
[0030]100導(dǎo)電硅穿孔
[0031]101線(xiàn)路重布結(jié)構(gòu)
[0032]102, 240焊錫凸塊
[0033]103, 22,42,48 導(dǎo)電元件
[0034]17封裝基板
[0035]170焊墊
[0036]172，192底膠
[0037]18封裝膠體
[0038]19半導(dǎo)體晶片
[0039]190,410電極墊
[0040]2，3，3’，4，4’電子封裝件
[0041]20承載體
[0042]20a第一表面
[0043]20b第二表面
[0044]200凹部
[0045]21,41電子結(jié)構(gòu)
[0046]22a表面
[0047]220凸塊底下金屬層
[0048]23中介板
[0049]230導(dǎo)電穿孔
[0050]231重布線(xiàn)路層
[0051]24電子元件
[0052]25，45絕緣層
[0053]26結(jié)合材
[0054]29，49電子裝置
[0055]290電性接觸墊
[0056]300開(kāi)孔
[0057]37，37’，47導(dǎo)電體
[0058]400開(kāi)口
[0059]41a作用面
[0060]41b非作用面
[0061]43導(dǎo)電通孔
[0062]44線(xiàn)路結(jié)構(gòu)
[0063]S切割路徑。
【具體實(shí)施方式】
[0064]以下藉由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0065]須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“上”及“一”等的用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0066]圖2A至圖2D為本發(fā)明的電子封裝件2的制法的第一實(shí)施例的剖面示意圖。
[0067]如圖2A所不，提供一設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電元件22的電子結(jié)構(gòu)21、及一具有相對(duì)的第一表面20a及第二表面20b的承載體20，且該承載體20的第一表面20a上具有多個(gè)凹部200。
[0068]于本實(shí)施例中，該承載體20為半導(dǎo)體板體，例如娃晶圓(Si wafer)型式，且該電子結(jié)構(gòu)21包含多個(gè)設(shè)有該些導(dǎo)電元件22的中介板23、設(shè)于各該中介板23上的多個(gè)電子元件24、及包覆該些中介板23與該些電子元件24的絕緣層25，而該些導(dǎo)電元件22凸出該絕緣層25 ο
[0069]此外，該中介板23具有多個(gè)導(dǎo)電穿孔230與電性連接該導(dǎo)電穿孔230的至少一重布線(xiàn)路層(redistribut1n layer，簡(jiǎn)稱(chēng)RDL) 231，且該電子元件24為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其組合者，其中，該主動(dòng)元件例如為半導(dǎo)體晶片，而該被動(dòng)元件例如為電阻、電容及電感。于此，該電子元件24為半導(dǎo)體晶片，其藉由焊錫凸塊240電性結(jié)合該重布線(xiàn)路層231。
[0070]又，形成該絕緣層25的材質(zhì)為聚酰亞胺(polyimide，簡(jiǎn)稱(chēng)PI)、干膜(dry film)、環(huán)氧樹(shù)脂(expoxy)或封裝材。
[0071]另外，可依需求形成凸塊底下金屬層(Under Bump Metallurgy，簡(jiǎn)稱(chēng)UBM) 220于該導(dǎo)電穿孔230與該導(dǎo)電元件22之間，即該些導(dǎo)電元件22對(duì)應(yīng)設(shè)于各該導(dǎo)電穿孔230的端面上，且該導(dǎo)電元件22如焊球或其它金屬塊體(如銅柱)，并無(wú)特別限制。
[0072]如圖2B所示，將該電子結(jié)構(gòu)21設(shè)于該承載體20的第一表面20a上，且該些導(dǎo)電元件22對(duì)應(yīng)容置于各該凹部200中。
[0073]于本實(shí)施例中，藉由如底膠的結(jié)合材26將該些導(dǎo)電元件22固定于各該凹部200中，以固定該電子結(jié)構(gòu)21于該承載體20的第一表面20a上。
[0074]如圖2C所示，自該第二表面20b移除該承載體20的部分材質(zhì)，使該些導(dǎo)電元件22外露于該承載體20的第二表面20b。
[0075]于本實(shí)施例中，自該第二表面20b移除該承載體20的部分材質(zhì)的方式為整平方式，例如研磨制程，使該些導(dǎo)電元件22的表面22a齊平該承載體20的第二表面20b。
[0076]或者，自該第二表面移除該承載體20的部分材質(zhì)的方式為鉆孔制程，如圖3A所示，即形成對(duì)應(yīng)各該凹部200的多個(gè)開(kāi)孔300，令該些導(dǎo)電元件22外露于各該開(kāi)孔300。其中，有關(guān)鉆孔制程的方式繁多，例如蝕刻、激光等，并無(wú)特別限制。
[0077]如圖2D所示，接續(xù)圖2C的制程，沿如圖2C所示的切割路徑S進(jìn)行切單制程，以獲得多個(gè)電子封裝件2。
[0078]此外，若接續(xù)圖3A的制程，將得到如圖3B及圖3B’所示的電子封裝件3，3’，且可形成多個(gè)導(dǎo)電體37，37’于各該開(kāi)孔300中，且各該導(dǎo)電體37，37’為線(xiàn)路(如圖3B所示)或如焊錫材料的導(dǎo)電凸塊(如圖3B’所示)。
[0079]另外，于后續(xù)制程中，如圖2E所示，該電子封裝件2可藉由該些導(dǎo)電元件22結(jié)合至一如封裝基板的電子裝置29，且該電子裝置29具有多個(gè)電性接觸墊290以結(jié)合該些導(dǎo)電元件22。
[0080]本發(fā)明的制法，通過(guò)將該電子結(jié)構(gòu)21上的導(dǎo)電元件22對(duì)應(yīng)容置于各該凹部200中，且保留該承載體20及結(jié)合材26，因而不需進(jìn)行移除該承載體20及結(jié)合材26的制程，亦即沒(méi)有暫時(shí)性材料(如現(xiàn)有承載件及粘膠)，所以不僅能減少制程步驟以縮短制程時(shí)間，且無(wú)需消耗承載件的料數(shù)，而能降低的制作成本。
[0081]此外，因需移除該承載體20及結(jié)合材26，所以不會(huì)產(chǎn)生殘膠的問(wèn)題。
[0082]圖4A至圖4E為本發(fā)明的電子封裝件4的制法的第二實(shí)施例的剖面示意圖。以下僅詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異處，兩者的相同處將省略或簡(jiǎn)述。
[0083]如圖4A所示，提供一設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電元件22的電子結(jié)構(gòu)41、及一具有相對(duì)的第一表面20a及第二表面20b的承載體20，且該承載體20的第一表面20a上具有多個(gè)凹部200。
[0084]于本實(shí)施例中，該承載體20的第一表面20a上形成有供設(shè)置該電子結(jié)構(gòu)41的開(kāi)口 400，且該些凹部200形成于該開(kāi)口 400的底部上。
[0085]此外，該電子結(jié)構(gòu)41為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其組合者，且該主動(dòng)元件例如為半導(dǎo)體晶片，而該被動(dòng)元件例如為電阻、電容及電感。于此，該電子結(jié)構(gòu)41為半導(dǎo)體晶片，其具有相對(duì)的作用面41a與非作用面41b，且該作用面41a具有多個(gè)電極墊410，而該些電極墊410電性結(jié)合該些導(dǎo)電元件22。
[0086]如圖4B所示，將該電子結(jié)構(gòu)41設(shè)于該開(kāi)口 400中，且該些導(dǎo)電元件22對(duì)應(yīng)容置于各該凹部200中。接著，形成一絕緣層45于該開(kāi)口 400中，以令該絕緣層45包覆該電子結(jié)構(gòu)41。
[0087]于本實(shí)施例中，藉由如底膠的結(jié)合材26將該些導(dǎo)電元件22固定于各該凹部200中，以固定該電子結(jié)構(gòu)41于該開(kāi)口 400中。
[0088]此外，該絕緣層45還形成于該開(kāi)口 400外的第一表面20a上，且形成該絕緣層45的材質(zhì)為聚酰亞胺(polyimide，簡(jiǎn)稱(chēng)PI)、干膜(dry film)、環(huán)氧樹(shù)脂(expoxy)或封裝材。
[0089]如圖4C所示，進(jìn)行鉆孔制程，以形成對(duì)應(yīng)各該凹部200的多個(gè)開(kāi)孔300，使該些導(dǎo)電元件22外露于各該開(kāi)孔300。
[0090]如圖4D所示，形成一導(dǎo)電體47于該承載體20的第二表面20b上與各該開(kāi)孔300中，以令該導(dǎo)電體47電性連接該些導(dǎo)電元件22。
[0091 ] 于本實(shí)施例中，該導(dǎo)電體47為線(xiàn)路重布層(RDL)。
[0092]如圖4E所示，形成多個(gè)如焊球的導(dǎo)電元件48于該導(dǎo)電體47上，并沿如圖4D所示的切割路徑S進(jìn)行切單制程，以獲得該電子封裝件4。
[0093]于本實(shí)施例中，于后續(xù)制程中，如圖4E’所示，該電子封裝件4可藉由該些導(dǎo)電元件48結(jié)合至該電子裝置29的電性接觸墊290上
[0094]此外，于其它實(shí)施例中，如圖4E’所示，可形成多個(gè)導(dǎo)電通孔43于該承載體20與該絕緣層45中，且形成一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)44于該承載體20的第一表面20a上，且該些導(dǎo)電通孔43連通該承載體20的第一與第二表面20a，20b，使該些導(dǎo)電通孔43能電性連接該線(xiàn)路結(jié)構(gòu)44與該導(dǎo)電體47。
[0095]又，該線(xiàn)路結(jié)構(gòu)44以線(xiàn)路重布層(RDL)制程制作的結(jié)構(gòu)，且該線(xiàn)路結(jié)構(gòu)44可藉由多個(gè)如焊球的導(dǎo)電元件42堆迭如封裝件或晶片的另一電子裝置49。
[0096]本發(fā)明的制法，通過(guò)將該電子結(jié)構(gòu)41上的導(dǎo)電元件22對(duì)應(yīng)容置于各該凹部200中，且保留該承載體20及結(jié)合材26，因而不需進(jìn)行移除該承載體20及結(jié)合材26的制程，亦即沒(méi)有暫時(shí)性材料(如現(xiàn)有承載件及粘膠)，所以不僅能減少制程步驟以縮短制程時(shí)間，且無(wú)需消耗承載件的料數(shù)，而能降低的制作成本。
[0097]此外，因需移除該承載體20及結(jié)合材26，所以不會(huì)產(chǎn)生殘膠的問(wèn)題。
[0098]本發(fā)明提供一種電子封裝件2，3，3’，4，4’，包括:一承載體20、一電子結(jié)構(gòu)21，41以及多個(gè)導(dǎo)電元件22。
[0099]所述的承載體20具有相對(duì)的第一表面20a及第二表面20b，且該第一表面20a上具有多個(gè)連通至該第二表面20b的凹部200。例如，該承載體20為半導(dǎo)體板體。
[0100]所述的電子結(jié)構(gòu)21，41設(shè)于該承載體20的第一表面20a上。
[0101]所述的導(dǎo)電元件22設(shè)于該電子結(jié)構(gòu)21，41上并對(duì)應(yīng)容置于各該凹部200中，且使該些導(dǎo)電元件22外露于該承載體20的第二表面20b。
[0102]于一實(shí)施例中，該電子結(jié)構(gòu)21包含至少一設(shè)有該些導(dǎo)電元件22的中介板23、設(shè)于該中介板23上的電子元件24、及包覆該中介板23與該電子元件24的絕緣層25。
[0103]于一實(shí)施例中，該些導(dǎo)電元件22藉由結(jié)合材26固定于各該凹部200中。
[0104]于一實(shí)施例中，該些導(dǎo)電元件22的表面22a齊平該承載體20的第二表面20b。
[0105]于一實(shí)施例中，該承載體20的第二表面20b上形成有對(duì)應(yīng)各該凹部200的多個(gè)開(kāi)孔300，令該些導(dǎo)電元件22外露于該些開(kāi)孔300，且導(dǎo)電體37，37’，47形成于各該開(kāi)孔300中。
[0106]于一實(shí)施例中，該電子結(jié)構(gòu)41為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其組合者。
[0107]于一實(shí)施例中，該承載體20的第一表面20a上形成有供設(shè)置該電子結(jié)構(gòu)41的開(kāi)口 400，且該些凹部200形成于該開(kāi)口 400的底部上。所述的電子封裝件4，4’還包括一絕緣層45，其形成于該開(kāi)口 400中，以令該絕緣層45包覆該電子結(jié)構(gòu)41。
[0108]于一實(shí)施例中，所述的電子封裝件4’還包括多個(gè)導(dǎo)電通孔43，其形成于該承載體20中。
[0109]于一實(shí)施例中，所述的電子封裝件4’還包括一線(xiàn)路結(jié)構(gòu)44，其形成于該承載體20的第一表面20a上。
[0110]綜上所述，本發(fā)明的電子封裝件及其制法，藉由將該電子結(jié)構(gòu)上的導(dǎo)電元件對(duì)應(yīng)容置于各該凹部中，且保留該承載體，因而不需進(jìn)行移除該承載體的制程，也就是沒(méi)有暫時(shí)性材料，所以不僅能減少制程步驟以縮短制程時(shí)間，且無(wú)需消耗承載件的料數(shù)，而能降低的制作成本。
[0111]上述實(shí)施例僅用于例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子封裝件，其特征在于，該電子封裝件包括: 承載體，其具有相對(duì)的第一表面及第二表面，且該第一表面上具有多個(gè)連通至該第二表面的凹部； 電子結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該承載體的第一表面上；以及 多個(gè)導(dǎo)電元件，其設(shè)于該電子結(jié)構(gòu)上并對(duì)應(yīng)容置于各該凹部中，且使該些導(dǎo)電元件外露于該承載體的第二表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該承載體為半導(dǎo)體板體。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該電子結(jié)構(gòu)包含至少一設(shè)有該些導(dǎo)電元件的中介板、及設(shè)于該中介板上的電子元件。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子封裝件，其特征在于，該電子結(jié)構(gòu)還包含包覆該中介板與該電子元件的絕緣層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該些導(dǎo)電元件藉由結(jié)合材固定于各該凹部中。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該些導(dǎo)電元件的表面齊平該承載體的第二表面。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該第二表面上形成有對(duì)應(yīng)各該凹部的多個(gè)開(kāi)孔，令該些導(dǎo)電元件外露于該些開(kāi)孔。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子封裝件，其特征在于，該電子封裝件還包括導(dǎo)電體，其形成于各該開(kāi)孔中。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該電子結(jié)構(gòu)為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其組合者。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該承載體的第一表面上形成有供設(shè)置該電子結(jié)構(gòu)的開(kāi)口，且該些凹部形成于該開(kāi)口的底部上。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子封裝件，其特征在于，該電子封裝件還包括絕緣層，其形成于該開(kāi)口中，以令該絕緣層包覆該電子結(jié)構(gòu)。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該電子封裝件還包括多個(gè)導(dǎo)電通孔，其形成于該承載體中。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該電子封裝件還包括線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其形成于該承載體的第一表面上。14.一種電子封裝件的制法，其特征在于，該制法包括: 提供一具有相對(duì)的第一表面及第二表面的承載體，其中，該第一表面上形成有多個(gè)凹部； 設(shè)置電子結(jié)構(gòu)于該承載體的第一表面上，其中，該電子結(jié)構(gòu)具有多個(gè)導(dǎo)電元件，使該電子結(jié)構(gòu)設(shè)置于該承載體上后，該些導(dǎo)電元件對(duì)應(yīng)容置于各該凹部中；以及 自該第二表面移除部分該承載體，使該些導(dǎo)電元件外露于該承載體的第二表面。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該承載體為半導(dǎo)體板體。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該電子結(jié)構(gòu)包含至少一設(shè)有該些導(dǎo)電元件的中介板、及設(shè)于該中介板上的電子元件。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該電子結(jié)構(gòu)還包含包覆該中介板與該電子元件的絕緣層，且該些導(dǎo)電元件凸出該絕緣層。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該些導(dǎo)電元件藉由結(jié)合材固定于各該凹部中。19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征在于，自該第二表面移除部分該承載體以整平方式為之，使該些導(dǎo)電元件的表面齊平于該承載體的第二表面。20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征在于，自該第二表面移除部分該承載體的方式為在該承載體中形成對(duì)應(yīng)各該凹部的多個(gè)開(kāi)孔，以令該些導(dǎo)電元件外露于該些開(kāi)孔。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成導(dǎo)電體于各該開(kāi)孔中。22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該電子結(jié)構(gòu)為主動(dòng)元件、被動(dòng)元件或其組合者。23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該承載體的第一表面上形成有供設(shè)置該電子結(jié)構(gòu)的開(kāi)口，且該些凹部形成于該開(kāi)口的底部上。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成絕緣層于該開(kāi)口中，以令該絕緣層包覆該電子結(jié)構(gòu)。25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成多個(gè)導(dǎo)電通孔于該承載體中。26.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成線(xiàn)路結(jié)構(gòu)于該承載體的第一表面上。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK105870074SQ201510026659
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年1月20日
【發(fā)明人】蔣靜雯, 陳光欣, 盧勝利, 鄭凱如, 陳賢文
【申請(qǐng)人】矽品精密工業(yè)股份有限公司