半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體制造工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括第一電介質(zhì)層、裸片墊、有源組件、至少一個(gè)第一金屬條、至少一個(gè)第二金屬條及通孔。所述第一電介質(zhì)層具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面。所述裸片墊定位在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)。所述有源組件定位在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)且安置在所述裸片墊上。所述第一金屬條安置在所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面上，且電連接到所述有源組件。所述第二金屬條安置在所述第一電介質(zhì)層的所述第二表面上。所述通孔穿透所述第一電介質(zhì)層且將所述至少一個(gè)第一金屬條連接到所述至少一個(gè)第二金屬條。
【專利說(shuō)明】
半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體制造工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和一種半導(dǎo)體制造工藝，且更確切地說(shuō)，涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和其半導(dǎo)體工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體裝置至少部分受對(duì)更小大小及增強(qiáng)的處理速度的需求驅(qū)使而已變得越來(lái)越復(fù)雜。同時(shí)，存在進(jìn)一步小型化含有這些半導(dǎo)體裝置的許多電子產(chǎn)品的需求。半導(dǎo)體裝置通常被封裝且隨后可安裝在包含電路的襯底(例如電路板)上。此導(dǎo)致空間被半導(dǎo)體裝置封裝及襯底兩者占據(jù)，其中襯底上的表面積被半導(dǎo)體裝置封裝占據(jù)。另外，由于將封裝、板制造及裝配執(zhí)行為單獨(dú)的過(guò)程可引發(fā)成本。需要減少襯底上的半導(dǎo)體裝置占據(jù)的空間，且簡(jiǎn)化及組合適用于半導(dǎo)體裝置及襯底的封裝、板制造及裝配過(guò)程。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括第一電介質(zhì)層、裸片墊、有源組件、至少一個(gè)第一金屬條、至少一個(gè)第二金屬條及通孔。所述第一電介質(zhì)層具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面。所述裸片墊定位在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)。所述有源組件定位在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)且安置在所述裸片墊上。所述第一金屬條安置在所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面上，且電連接到所述有源組件。所述第二金屬條安置在所述第一電介質(zhì)層的所述第二表面上。所述通孔穿透所述第一電介質(zhì)層且將所述至少一個(gè)第一金屬條連接到所述至少一個(gè)第二金屬條。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括第一電介質(zhì)層、裸片及第一螺旋電感器。所述第一電介質(zhì)層具有頂表面。所述裸片定位在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)。所述第一螺旋電感器定位在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)。所述第一螺旋電感器的至少一個(gè)端子電連接到所述裸片。所述第一螺旋電感器的中心軸大體上平行于所述第一電介質(zhì)層的所述頂表面。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法包括(a)提供裸片墊；(b)將有源組件放置在所述裸片墊上；(C)形成第一電介質(zhì)層以囊封所述裸片墊及所述有源組件，所述第一電介質(zhì)層具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；(d)在所述第一電介質(zhì)材料中形成多個(gè)通孔，所述多個(gè)通孔從所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面及所述第二表面暴露；(e)在所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面上形成第一組金屬條以連接到所述多個(gè)通孔;及(f)在所述第一電介質(zhì)層的所述第二表面上形成第二組金屬條以連接到所述多個(gè)通孔。
【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0007]圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的橫截面圖；
[0008]圖3說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0009]圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0010]圖5A、圖5B、圖5C、圖、圖5E及圖5F說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造方法;及
[0011]圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、圖6E及圖6F說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造方法。
[0012]貫穿圖式及詳細(xì)描述使用共同參考數(shù)字以指示相同或類似元件。從以下結(jié)合附圖作出的【具體實(shí)施方式】，本發(fā)明將會(huì)更顯而易見(jiàn)。
【具體實(shí)施方式】
[0013]圖1說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I。半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I包含絕緣層(例如，第一電介質(zhì)層10)、裸片墊12、有源組件13(例如，裸片或集成電路(IC))、多個(gè)第一金屬條14a、多個(gè)第二金屬條14b、多個(gè)通孔15及多個(gè)第一金屬觸點(diǎn)16a(例如，導(dǎo)電墊)。
[0014]第一電介質(zhì)層10可包含(但不限于)模制化合物或預(yù)浸復(fù)合纖維(例如，預(yù)浸體)。模制化合物的實(shí)例可包含(但不限于)具有分散在其中的填充劑的環(huán)氧樹(shù)脂。預(yù)浸體的實(shí)例可包含(但不限于)通過(guò)堆疊或?qū)訅阂欢〝?shù)目的預(yù)浸材料/薄片而形成的多層結(jié)構(gòu)。
[0015]裸片墊12在第一電介質(zhì)層10內(nèi)。有源組件13在第一電介質(zhì)層10內(nèi)且放置在裸片墊12上。有源組件13可例如為電力IC或射頻IC(RFIC)。
[0016]第一金屬條14a放置在第一電介質(zhì)層10的頂表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，第一金屬條14a布置在第一方向上，使得它們沿著裸片墊12的一側(cè)大體上彼此平行。然而，此定向不具限制性。第一金屬條14a的材料可包含(但不限于)銅(Cu)或另一金屬或合金。
[0017]第二金屬條14b放置在第一電介質(zhì)層10的底表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，第二金屬條14b布置在第二方向上，使得它們沿著裸片墊12的一側(cè)大體上彼此平行。然而，此定向不具限制性。第二金屬條14b的材料可包含(但不限于)銅(Cu)或另一金屬或合金。
[0018]在其中沿著裸片墊12的一側(cè)的第一金屬條14a在第一方向上大體上彼此平行地定向且沿著裸片墊12的相同側(cè)的第二金屬條14b在第二方向上大體上彼此平行地定向的實(shí)施例中，如針對(duì)圖1的實(shí)施例所說(shuō)明，所述第二方向不同于所述第一方向。在任何情況下，每一第二金屬條14b相對(duì)于沿著裸片墊12的一側(cè)的第一金屬條14a中的對(duì)應(yīng)一者或多者以一角度(或若干角度)布置。
[0019]通孔15穿透第一電介質(zhì)層10。每一通孔15將第一金屬條14a中的一者電連接到對(duì)應(yīng)的第二金屬條14b。在其中第一金屬條14a在一個(gè)方向上定向(8卩，沿著裸片墊12的一側(cè)相對(duì)于彼此并行)且第二金屬條14b在另一方向上定向(S卩，沿著裸片墊12的相同側(cè)相對(duì)于彼此并行)的實(shí)施例中，通孔15可連接第一金屬條14a及第二金屬條14b以沿著裸片墊12的所述側(cè)形成三維(3D)螺線管結(jié)構(gòu)。此3D螺線管結(jié)構(gòu)在圖1中通過(guò)實(shí)例被說(shuō)明為3D螺旋電感器
14。螺旋電感器14的至少一個(gè)端子電連接到有源組件13。螺旋電感器14的中心軸大體上平行于第一電介質(zhì)層10的頂表面或底表面。在一個(gè)實(shí)施例中，螺旋電感器14沿著有源組件13的一個(gè)邊緣布置，使得螺旋電感器14的中心軸大體上平行于有源組件13的邊緣。然而，此定向不具限制性。
[0020]第一金屬觸點(diǎn)16a將有源組件13電連接到第一金屬條14a、第二金屬條14b、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)或上的其它組件、外部電路或包含電力供應(yīng)器或接地接口的外部接口中的一或多者。
[0021]圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2的橫截面視圖。圖2的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2類似于圖1的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I，不同之處在于圖2的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2進(jìn)一步包括第二電介質(zhì)層11、多個(gè)第二金屬觸點(diǎn)18、第一保護(hù)層19a、第二保護(hù)層19b及無(wú)源元件21。
[0022]第一電介質(zhì)層10具有第一表面(或頂表面)101及與第一表面101相對(duì)的第二表面(或底表面)102。裸片墊12嵌入或埋入第一電介質(zhì)層10內(nèi)。有源組件13放置在裸片墊12上且嵌入或埋入第一電介質(zhì)層10內(nèi)。第一金屬觸點(diǎn)16a在第一電介質(zhì)層10的第一表面101上且通過(guò)通孔16v電連接到有源組件13。
[0023]多個(gè)導(dǎo)線17嵌入或埋入第一電介質(zhì)層10內(nèi)。導(dǎo)線17通過(guò)通孔17v連接到第一金屬觸點(diǎn)16a。導(dǎo)線17通過(guò)通孔17v’連接到安置在第一電介質(zhì)層10的第二表面102上的金屬觸點(diǎn)17b。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)線17及裸片墊12經(jīng)組合以形成引線框結(jié)構(gòu)。
[0024]裸片墊12通過(guò)通孔16v’與金屬層16b連接，以便防止裸片墊12彎曲(例如翹曲)。
[0025]通孔15在第一金屬條14a與第二金屬條14b之間延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，每一通孔15包括向下漸細(xì)上部部分15a及向上漸細(xì)底部部分15b。換句話說(shuō)，上部部分15a及底部部分15b兩者包含在相對(duì)方向上面對(duì)的漏斗形狀部分，如圖2中所說(shuō)明。向下漸細(xì)上部部分15a的深度Dl不同于向上漸細(xì)底部部分15b的深度D2。在一個(gè)實(shí)施例中，Dl大于D2。在圖2中所展示的實(shí)施例中，D2大于D1。在其它實(shí)施例中，Dl可大體上等于D2。每一通孔15的上部部分15a埋入第一電介質(zhì)層10中且電連接到第一金屬條14a。每一通孔15的底部部分15b埋入第一電介質(zhì)層10中且電連接到第二金屬條14b。
[0026]第二電介質(zhì)層11具有第一表面(或頂表面)111及與第一表面111相對(duì)的第二表面(或底表面)112。第二電介質(zhì)層11安置在第一電介質(zhì)層10上，且第二電介質(zhì)層11的第二表面112附接到第一電介質(zhì)層10的第一表面101。第二電介質(zhì)層11覆蓋第一金屬觸點(diǎn)16a及多個(gè)第一金屬條14a。
[0027]第二電介質(zhì)層11可包含(但不限于)模制化合物或預(yù)浸復(fù)合纖維(例如，預(yù)浸體)。模制化合物的實(shí)例可包含(但不限于)具有分散在其中的填充劑的環(huán)氧樹(shù)脂。預(yù)浸體的實(shí)例可包含(但不限于)通過(guò)堆疊或?qū)訅阂欢〝?shù)目的預(yù)浸材料/薄片而形成的多層結(jié)構(gòu)。
[0028]多個(gè)第二金屬觸點(diǎn)18安置在第二電介質(zhì)層11的第一表面111上，且可通過(guò)多個(gè)第二通孔18v電連接到第一金屬觸點(diǎn)16a。
[0029]第一保護(hù)層(例如，阻焊劑)19a安置在第二電介質(zhì)層11的第一表面111上。第一保護(hù)層19a覆蓋第二金屬觸點(diǎn)18及第二電介質(zhì)層11的第一表面111。
[0030]第二保護(hù)層(例如，阻焊劑)19b安置在第一電介質(zhì)層10的第二表面102上。第二保護(hù)層19b覆蓋第二金屬條14b、金屬層16b的一部分，及金屬觸點(diǎn)17b中的一或多者或一或多者的部分。
[0031]在一個(gè)實(shí)施例中，無(wú)源元件21放置在第二電介質(zhì)層11的第一表面111上，且電連接到第二金屬觸點(diǎn)18中的一或多者。無(wú)源元件21可例如為電容器或電阻器。
[0032]如圖2中所展示，將電感器14嵌入第一電介質(zhì)層10中可減小半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2的厚度H。與其中電感器放置在電介質(zhì)層的頂表面上的其它實(shí)施例相比，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2的厚度H可減小大約0.4mm到0.6mm。厚度H中的此減小可表示大約25 %到40 %的減小。因此，將電感器嵌入電介質(zhì)層中可允許半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)2的大小的減小，其可降低制造成本。
[0033]此外，將電感器14嵌入第一電介質(zhì)層10中可減小或大體上消除渦電流損耗。因此，嵌入電介質(zhì)層中的電感器14與放置在電介質(zhì)層的頂表面上的電感器相比可具有較高的Q因子。根據(jù)本發(fā)明而實(shí)施的嵌入式電感器的Q因子大約在50到60的范圍內(nèi)。
[0034]另外，如圖1中所示，如果螺旋電感器14的中心軸大體上平行于有源組件13的邊緣，那么由螺旋電感器14包圍的芯內(nèi)的磁場(chǎng)的方向也將大體上平行于有源組件13的邊緣。換句話說(shuō)，大多數(shù)磁場(chǎng)將被引導(dǎo)遠(yuǎn)離有源組件13;因此，有源組件13對(duì)電感器14的影響將減小，且電感器14將具有較高的Q因子。另外，有源組件13內(nèi)的電路(例如，RF電路)可歸因于電感器14的較高的Q因子而具有提高的性能，以及歸因于磁場(chǎng)被引導(dǎo)遠(yuǎn)離有源組件13而具有提高的性能(即，有源組件13內(nèi)的電磁干擾的減小)。
[0035]圖3說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3。圖3的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3類似于圖1的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I，不同之處在于在圖1的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I中，圍繞有源組件13的周邊的四個(gè)螺旋電感器14被說(shuō)明為互連，但在圖3的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)3中，多個(gè)螺旋電感器24a、24b、24c及24d不互連，且被說(shuō)明為各自電連接到有源組件13。
[0036]螺旋電感器24a、24b、24c及24d彼此電絕緣。每一螺旋電感器可與鄰近的電感器磁耦合以形成變壓器。例如，螺旋電感器24a可與螺旋電感器24b及24d磁耦合以形成變壓器。在一個(gè)實(shí)施例中，圖3的有源組件13是RFIC。
[0037]圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)4。圖4的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)4類似于圖1的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)I，不同之處在于圖4的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括磁性材料20。
[0038]磁性材料20埋入由螺旋電感器14形成或包圍的中央空間(芯)內(nèi)的第一電介質(zhì)層1中。磁性材料20通過(guò)第一電介質(zhì)層1與螺旋電感器14分離。磁性材料的使用可增加電感器14的磁化強(qiáng)度、磁導(dǎo)率及磁通量密度。因此，與不具有磁性材料的電感器相比，有源組件13具有來(lái)自電感器14的較少影響且電感器14將具有較高的Q因子。
[0039 ]圖5A、5B、5C、5D、5E及5F說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造方法。
[0040]參看圖5A，提供包括裸片墊12及多個(gè)導(dǎo)線17的引線框。引線框優(yōu)選由銅或其合金制成。在一些實(shí)施例中，引線框可由鐵或鐵合金、鎳或鎳合金或其它金屬或金屬合金中的一者或組合制成。在一些實(shí)施例中，引線框包覆有銅層。
[0041]參看圖5B，有源組件13放置在裸片墊12上。有源組件13附接到裸片墊12的頂表面。至少一個(gè)接合線(未圖示)從有源組件13接合到導(dǎo)線17。
[0042]參看圖5C，第一電介質(zhì)層10形成為掩埋或囊封裸片墊12、導(dǎo)線17及有源組件13。第一電介質(zhì)層10具有第一表面101及與第一表面1I相對(duì)的第二表面102?？赏ㄟ^(guò)例如將電介質(zhì)粘合材料層壓到引線框而形成第一電介質(zhì)層10。
[0043]參看圖多個(gè)通孔16v、17v形成為電連接到有源組件13及導(dǎo)線17。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)以下步驟形成通孔16v、17v: (i)在第一電介質(zhì)層10的第一表面101上鉆出多個(gè)通孔;及(i i)使用導(dǎo)電材料及環(huán)氧樹(shù)脂填充所述通孔。
[0044]另外，多個(gè)通孔16v’、17v’形成為連接到裸片墊12及導(dǎo)線17。形成通孔16v’、17v’的步驟類似于形成通孔16v、17v的步驟，不同之處在于通孔16v’、17v’的通孔形成于第一電介質(zhì)層10的第二表面102上。
[0045]參看圖多個(gè)通孔15形成為穿透第一電介質(zhì)層10。在一個(gè)實(shí)施例中，通孔15通過(guò)以下步驟而形成:(i)從第一電介質(zhì)層10的第一表面101鉆出多個(gè)向下漸細(xì)的第一開(kāi)口而不穿透第一電介質(zhì)層10到達(dá)第一電介質(zhì)層10的底表面102; (ii)在第一開(kāi)口中鍍敷導(dǎo)電材料以形成通孔15的上部部分15a; (iii)從第一電介質(zhì)層10的第二表面102形成多個(gè)向上漸細(xì)的第二開(kāi)口以暴露通孔15的上部部分15a; (iv)在第二開(kāi)口中鍍敷導(dǎo)電材料以形成通孔15的底部部分15b，底部部分15b電連接到第一電介質(zhì)層10中的上部部分15a以形成通孔15。在其它實(shí)施例中，所述向下漸細(xì)的第一開(kāi)口及所述向上漸細(xì)的第二開(kāi)口兩者在鍍敷導(dǎo)電材料之前形成，使得通孔15的上部部分15a及底部部分15b同時(shí)形成。
[0046]參看圖多個(gè)第一金屬條14a形成于第一電介質(zhì)層10的第一表面101上以電連接到從第一電介質(zhì)層10的第一表面101暴露的通孔15的上部部分15a。多個(gè)第二金屬條14b形成于第一電介質(zhì)層10的第二表面102上以電連接到從第一電介質(zhì)層10的第二表面102暴露的通孔15的底部部分15b。通孔15將第一金屬條14a中的每一者電連接到對(duì)應(yīng)的第二金屬條14b以形成3D螺線管結(jié)構(gòu)，例如3D螺旋電感器14。
[0047]在一個(gè)實(shí)施例中，3D螺線管結(jié)構(gòu)沿著裸片墊12的一側(cè)形成，且形成在3D螺線管結(jié)構(gòu)中，第一金屬條14a中的每一者布置在第一方向上以使得第一金屬條14a大體上彼此平行，第二金屬條14b中的每一者布置在第二方向上以使得第二金屬條14b大體上彼此平行，且第二方向不同于第一方向。
[0048]多個(gè)第一金屬觸點(diǎn)16a形成于第一電介質(zhì)層10的第一表面101上以電連接到通孔16v、17v。第二金屬層16b及多個(gè)金屬觸點(diǎn)17b形成于第一電介質(zhì)層10的第二表面102上以電連接到通孔16v’、17v’。
[0049]參看圖5E，第二電介質(zhì)層11形成于第一電介質(zhì)層10的第一表面101上以囊封第一金屬觸點(diǎn)16a及多個(gè)第一金屬條14a。例如，可使用模制技術(shù)(其借助于模套(未圖示)使用模制化合物)形成第二電介質(zhì)層11，以囊封第一金屬觸點(diǎn)16a及多個(gè)第一金屬條14a。對(duì)于另一實(shí)例，可通過(guò)在第一電介質(zhì)層10、第一金屬觸點(diǎn)16a及多個(gè)第一金屬條14a上堆疊或?qū)訅阂欢〝?shù)目的薄片(例如，由預(yù)浸復(fù)合纖維制成的薄片)以形成第二電介質(zhì)層11，而形成第二電介質(zhì)層11。
[0050]多個(gè)第二通孔18v形成于第二電介質(zhì)層11內(nèi)以電連接到第一金屬觸點(diǎn)16a中的一或多者。形成第二通孔ISv的步驟類似于形成通孔16v的步驟。多個(gè)第二金屬觸點(diǎn)18形成于第二電介質(zhì)層11的第一表面111上以電連接到所述第二通孔18v。
[0051]參看圖5F，第一保護(hù)層(阻焊劑)19a可形成于第二電介質(zhì)層11的第一表面111上。第一保護(hù)層19a覆蓋第二金屬觸點(diǎn)18及第二電介質(zhì)層11的第一表面111中的一或多者，且暴露第二金屬觸點(diǎn)18中的一或多者。無(wú)源元件21放置在第二電介質(zhì)層11的第一表面111上，且電連接到一或多個(gè)暴露的第二金屬觸點(diǎn)18。
[0052]第二保護(hù)層19b形成于第一電介質(zhì)層10的第二表面102上。第二保護(hù)層19b覆蓋第二金屬條14b、金屬層16b的一部分及金屬觸點(diǎn)17b中的一或多者。
[0053]隨后，執(zhí)行分離過(guò)程以將半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)帶劃分為多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。使用適當(dāng)?shù)募す饣蚱渌懈罟ぞ邎?zhí)行所述分離過(guò)程。
[0054]圖6A、6B、6C、6D、6E及6F說(shuō)明類似于參看圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E及圖5F所說(shuō)明及所描述的方法的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造方法，不同之處在于磁性材料20放置在裸片墊12及導(dǎo)線17之間的空間中，如圖6B中所展示。
[0055]如圖6D中所展示，通孔15經(jīng)布置以使得它們不電連接到磁性材料。因此，磁性材料20埋入第一電介質(zhì)層10中且定位在3D螺線管結(jié)構(gòu)(例如螺旋電感器14)的中央空間(芯)內(nèi)。磁性材料20可包括例如Co、Fe、CoFeB、NiFe或類似者。
[0056]如本文中所用，術(shù)語(yǔ)“大體上”、“基本上”、“大約”及“約”用于描述及考慮小的變化。在結(jié)合事件或情況而使用時(shí)，所述術(shù)語(yǔ)可涉及其中事件或情況精確發(fā)生的實(shí)例以及其中事件或情況緊密近似發(fā)生的實(shí)例。
[0057]在一些實(shí)施例中，如果兩個(gè)表面之間的位移較小，例如不大于lpm、不大于5pm或不大于10pm，那么可認(rèn)為這兩個(gè)表面是共面的或大體上共面的。
[0058]在一些實(shí)施例中，如果兩個(gè)組件定位的方向之間的角度較小，例如不大于10度、不大于5度或不大于I度，那么可認(rèn)為所述兩個(gè)組件是平行或大體上平行的。
[0059]另外，本文中有時(shí)以范圍格式呈現(xiàn)量、比率及其它數(shù)值。應(yīng)理解，此范圍格式是出于便利及簡(jiǎn)潔而使用且應(yīng)靈活地理解成包含明確指定為范圍界限的數(shù)值，并且包含所述范圍內(nèi)涵蓋的所有個(gè)別數(shù)值或子范圍，如同每一數(shù)值及子范圍被明確指定一般。
[0060]雖然已參考本發(fā)明的特定實(shí)施例描述并說(shuō)明本發(fā)明，但這些描述和說(shuō)明并不限制本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在不脫離如通過(guò)所附權(quán)利要求書(shū)界定的本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍的情況下，可作出各種改變且可取代等效物。所述說(shuō)明可能不一定按比例繪制。歸因于制造工藝及公差，本發(fā)明中的藝術(shù)再現(xiàn)與實(shí)際設(shè)備之間可存在區(qū)別?？纱嬖诓⑽刺囟ㄕf(shuō)明的本發(fā)明的其它實(shí)施例。應(yīng)將本說(shuō)明書(shū)及圖式視為說(shuō)明性的而非限制性的?？勺鞒鲂薷模允固囟ㄇ闆r、材料、物質(zhì)組成、方法或工藝適應(yīng)于本發(fā)明的目標(biāo)、精神和范圍。所有所述修改都既定在所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。雖然本文揭示的方法已參考按特定次序執(zhí)行的特定操作加以描述，但應(yīng)理解，可在不脫離本發(fā)明的教示的情況下組合、細(xì)分或重新排序這些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特別指示，否則操作的次序及分組不是對(duì)本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括: 第一電介質(zhì)層，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面； 裸片墊，其在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)； 有源組件，其在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)且安置在所述裸片墊上； 至少一個(gè)第一金屬條，其安置在所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面上，所述至少一個(gè)第一金屬條電連接到所述有源組件； 至少一個(gè)第二金屬條，其安置在所述第一電介質(zhì)層的所述第二表面上;及 通孔，其穿透所述第一電介質(zhì)層且將所述至少一個(gè)第一金屬條連接到所述至少一個(gè)第二金屬條。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中: 所述至少一個(gè)第一金屬條包括多個(gè)第一金屬條，所述多個(gè)第一金屬條大體上彼此平行； 所述至少一個(gè)第二金屬條包括多個(gè)第二金屬條，所述多個(gè)第二金屬條大體上彼此平行； 多個(gè)通孔穿透所述第一電介質(zhì)層且將所述多個(gè)第一金屬條中的每一者連接到對(duì)應(yīng)第二金屬條。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)第一金屬條不平行于所述多個(gè)第二金屬條。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中 所述多個(gè)第一金屬條中的每一者布置在第一方向上； 所述多個(gè)第二金屬條中的每一者布置在第二方向上;且 所述第一方向不同于所述第二方向。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括: 第一組金屬觸點(diǎn)，其安置在所述第一電介質(zhì)層的所述第一表面上且電連接到所述多個(gè)導(dǎo)線； 第一組通孔，其在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)且將所述第一組金屬觸點(diǎn)電連接到所述有源組件。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中每一通孔具有向下漸細(xì)上部部分及向上漸細(xì)底部部分，且其中所述向下漸細(xì)上部部分的深度不同于所述向上漸細(xì)底部部分的深度。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括由所述多個(gè)通孔包圍的芯，其中所述芯包括磁性材料。8.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括: 第一電介質(zhì)層，其具有頂表面； 裸片，其在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)；及 第一螺旋電感器，其在所述第一電介質(zhì)層內(nèi)，所述第一螺旋電感器的至少一個(gè)端子電連接到所述裸片， 其中所述第一螺旋電感器的中心軸大體上平行于所述第一電介質(zhì)層的所述頂表面。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一螺旋電感器布置在所述裸片的周邊處。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一螺旋電感器具有第一部分及第二部分，所述第一部分從所述第一電介質(zhì)層的所述頂表面暴露，且所述第二部分從所述第一電介質(zhì)層的所述底表面暴露。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層安置在所述第一電介質(zhì)層的所述頂表面上且覆蓋所述第一組金屬觸點(diǎn)及所述第一螺旋電感器的所述第一部分。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括: 第二組金屬觸點(diǎn)，其安置在所述第二電介質(zhì)層的頂表面上;及 第二組通孔，其在所述第二電介質(zhì)層內(nèi)且將所述第二組金屬觸點(diǎn)電連接到所述第一組金屬觸點(diǎn)中的一或多者。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括電連接到所述裸片的第二螺旋電感器。
【文檔編號(hào)】H01L21/56GK105870076SQ201610058577
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年1月28日
【發(fā)明人】陳紀(jì)翰
【申請(qǐng)人】日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司