一種電路保護(hù)器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電路保護(hù)器件，包括：依次層疊的基板與蓋板；所述基板下表面設(shè)有至少三個(gè)可導(dǎo)電的引腳，分別稱為第一引腳、第二引腳、第三引腳；置于所述基板上的片狀元件，所述片狀元件的下表面與所述第一引腳相連，所述片狀元件的上表面與所述第二引腳相連；置于所述片狀元件上方的雙金屬片，所述雙金屬片具有平面部分和凸起或者凹陷的弧面部分，當(dāng)所述弧面為凸起時(shí)，所述平面部分與所述第二引腳相連、所述弧面部分的最高點(diǎn)與所述第三引腳相連，當(dāng)所述弧面為凹陷時(shí)，所述平面部分與所述第三引腳相連、所述弧面部分的最低點(diǎn)與所述第二引腳相連。本發(fā)明實(shí)施例提供的電路保護(hù)器件，有利于電路的小型化集成化，而且使用更加便利。
【專利說明】
一種電路保護(hù)器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及過壓保護(hù)產(chǎn)品領(lǐng)域，特別是涉及一種電路保護(hù)器件。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，限壓型電路保護(hù)器件使用時(shí)一般都會(huì)外接一個(gè)開關(guān)器件，以使過流溫升到一定閾值時(shí)，開關(guān)器件開路，從而保護(hù)了后續(xù)電路中其他器件。其缺點(diǎn)是，使用時(shí)外接開關(guān)器件，使得電路元器件增多，不利于電路的小型化集成化，而且外接開關(guān)器件比較麻煩，給用戶造成不便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種電路保護(hù)器件，不需外接開關(guān)器件，在過流溫升時(shí)能夠及時(shí)的切斷電路。
[0004]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電路保護(hù)器件，包括:
[0005]依次層疊的基板與蓋板；
[0006]所述基板下表面設(shè)有至少三個(gè)可導(dǎo)電的引腳，分別稱為第一引腳、第二引腳、第三引腳；
[0007]置于所述基板上的片狀元件，所述片狀元件的下表面與所述第一引腳相連，所述片狀元件的上表面與所述第二引腳相連；
[0008]置于所述片狀元件上方的雙金屬片，所述雙金屬片具有平面部分和凸起或者凹陷的弧面部分，當(dāng)所述弧面為凸起時(shí)，所述平面部分與所述第二引腳相連、所述弧面部分的最高點(diǎn)與所述第三引腳相連，當(dāng)所述弧面為凹陷時(shí)，所述平面部分與所述第三引腳相連、所述弧面部分的最低點(diǎn)與所述第二引腳相連；
[0009]所述蓋板置于所述雙金屬片上方，與所述基板配合形成封裝結(jié)構(gòu)。
[0010]進(jìn)一步的，還包括用于固定所述雙金屬片的壓片，所述壓片設(shè)于所述雙金屬片與所述蓋板之間。
[0011]進(jìn)一步的，所述片狀元件的上表面通過導(dǎo)線與所述第二引腳相連。
[0012]進(jìn)一步的，所述基板為依次層疊的四層結(jié)構(gòu)，分別稱為第一基板、第二基板、第三基板及第四基板；
[0013]所述第一基板置于最底層，所述第一引腳、第二引腳、第三引腳均設(shè)于所述第一基板下表面，所述第一基板中設(shè)有至少三個(gè)通孔，分別為與所述第一引腳電導(dǎo)通的第一通孔、與所述第二引腳電導(dǎo)通的第二通孔、與所述第三引腳電導(dǎo)通的第三通孔，所述第一基板上表面設(shè)有與所述第一通孔相連通的第一導(dǎo)電層，所述片狀元件的下表面置于所述第一導(dǎo)電層上；
[0014]所述第二基板中設(shè)有中空區(qū)域和兩個(gè)通孔，所述兩個(gè)通孔分別與所述第二通孔和所述第三通孔電導(dǎo)通，所述片狀元件設(shè)于所述中空區(qū)域中，所述第二基板上表面設(shè)有與所述第二通孔相連通的第二導(dǎo)電層，所述片狀元件的上表面通過導(dǎo)線與所述第二導(dǎo)電層相連；
[0015]所述第三基板中設(shè)有中空區(qū)域和一個(gè)與所述第三通孔電導(dǎo)通的通孔，所述第三基板的中空區(qū)域比所述第二基板中的中空區(qū)域面積更大，以便在層疊時(shí)可露出所述第二導(dǎo)電層，所述第三基板上表面設(shè)有與所述第三通孔相連通的第三導(dǎo)電層，所述雙金屬片的平面部分與所述第三導(dǎo)電層相連，所述雙金屬片的凹陷部分的最低點(diǎn)與所述片狀元件的上表面電連接；
[0016]所述第四基板中設(shè)有比所述第三基板的中空區(qū)域面積更大的中空區(qū)域，以便在層疊時(shí)可露出所述第三導(dǎo)電層。
[0017]進(jìn)一步的，在所述第三基板和所述第四基板之間設(shè)有定位板，用于對所述雙金屬片進(jìn)行定位。
[0018]進(jìn)一步的，所述片狀元件的上表面設(shè)有金屬片，所述雙金屬片的凹陷部分的最低點(diǎn)通過所述金屬片與所述片狀元件的上表面電連接。
[0019]進(jìn)一步的，所述基板為依次層疊的四層結(jié)構(gòu)，分別稱為第一基板、第二基板、第三基板及第四基板；
[0020]所述第一基板置于最底層，所述第一引腳、第二引腳、第三引腳均設(shè)于所述第一基板下表面，所述第一基板中設(shè)有至少三個(gè)通孔，分別為與所述第一引腳電導(dǎo)通的第一通孔、與所述第二引腳電導(dǎo)通的第二通孔、與所述第三引腳電導(dǎo)通的第三通孔，所述第一基板上表面設(shè)有與所述第一通孔相連通的第一導(dǎo)電層，所述片狀元件的下表面置于所述第一導(dǎo)電層上；
[0021]所述第二基板中設(shè)有中空區(qū)域和兩個(gè)通孔，所述兩個(gè)通孔分別與所述第二通孔和所述第三通孔電導(dǎo)通，所述片狀元件設(shè)于所述中空區(qū)域中，所述第二基板上表面設(shè)有與所述第二通孔相連通的第二導(dǎo)電層，所述片狀元件的上表面通過導(dǎo)線與所述第二導(dǎo)電層相連；
[0022]所述第三基板中設(shè)有中空區(qū)域和兩個(gè)通孔，所述兩個(gè)通孔分別與所述第二通孔和所述第三通孔電導(dǎo)通，所述第三基板的中空區(qū)域比所述第二基板中的中空區(qū)域面積更大，以便在層疊時(shí)可露出所述第二導(dǎo)電層，所述第三基板上表面設(shè)有與所述第二通孔相連通的第三導(dǎo)電層，所述雙金屬片的平面部分與所述第三導(dǎo)電層相連；
[0023]所述第四基板中設(shè)有中空區(qū)域和一個(gè)通孔，所述第四基板的中空區(qū)域比所述第三基板的中空區(qū)域面積更大，以便在層疊時(shí)可露出所述第三導(dǎo)電層，所述第四基板的通孔與所述第三通孔電導(dǎo)通；
[0024]所述蓋板下表面為金屬材料，所述雙金屬片的凸起部分的最高點(diǎn)通過所述蓋板的下表面與所述第三通孔電連接。
[0025]進(jìn)一步的，所述基板與所述蓋板之間設(shè)有金屬焊料層。
[0026]進(jìn)一步的，所述基板下表面設(shè)有第四引腳，所述基板上設(shè)有第四通孔，所述第一導(dǎo)電層延伸到與所述第四通孔相連通，所述第四引腳與所述第四通孔電導(dǎo)通。
[0027]進(jìn)一步的，所述片狀元件為以下元件中的一種:電容、電阻、電感、壓敏、熱敏、半導(dǎo)體芯片。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供的電路保護(hù)器件，由于將用于開路保護(hù)的雙金屬片集成在電路保護(hù)器件內(nèi)部，既能夠?yàn)殡娐诽峁┻^流開路保護(hù)，又不增加電路元器件，有利于電路的小型化集成化，而且使用更加便利。
【附圖說明】
[0029]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0030]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電路保護(hù)器件的外觀示意圖；
[0031]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電路保護(hù)器件的組件爆炸圖；
[0032]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電路保護(hù)器件的爆炸圖，其顯示各部位的上表面；
[0033]圖4是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電路保護(hù)器件的爆炸圖，其顯示各部位的下表面；
[0034]圖5是本發(fā)明實(shí)施例二提供的電路保護(hù)器件的爆炸圖，其顯示各部位的上表面；
[0035]圖6是本發(fā)明實(shí)施例二提供的電路保護(hù)器件的爆炸圖，其顯示各部位的下表面。
【具體實(shí)施方式】
[0036]以下將結(jié)合附圖，使用以下實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步闡述。
[0037]請結(jié)合參閱圖1-圖4，圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電路保護(hù)器件的外觀示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電路保護(hù)器件的組件爆炸圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電路保護(hù)器件的爆炸圖，其顯示各部位的上表面;圖4是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電路保護(hù)器件的爆炸圖，其顯示各部位的下表面。如圖1-圖4所示，本實(shí)施例的電路保護(hù)器件I包括:
[0038]依次層疊的基板11與蓋板12;置于所述基板11上的片狀元件13;置于所述片狀元件13上方的雙金屬片14。其中，所述基板11下表面設(shè)有至少三個(gè)可導(dǎo)電的引腳，分別稱為第一引腳1111、第二引腳1112、第三引腳1113;所述片狀元件13的下表面與所述第一引腳1111相連，所述片狀元件13的上表面與所述第二引腳1112相連;所述雙金屬片14具有平面部分141和凹陷的弧面部分142，所述平面部分141與所述第三引腳1113相連、所述弧面部分142的最低點(diǎn)與所述第二引腳1112相連;所述蓋板12置于所述雙金屬片14上方，與所述基板11配合形成封裝結(jié)構(gòu)。
[0039]具體的，所述基板11為依次層疊的四層結(jié)構(gòu)，分別稱為第一基板111、第二基板112、第三基板113及第四基板114。
[0040]所述第一基板111置于最底層，所述第一引腳1111、第二引腳1112、第三引腳1113均設(shè)于所述第一基板111下表面，所述第一基板111中設(shè)有至少三個(gè)通孔，分別為與所述第一引腳1111電導(dǎo)通的第一通孔(因與第一導(dǎo)電層相連，故圖中不可見)、與所述第二引腳1112電導(dǎo)通的第二通孔1114、與所述第三引腳1113電導(dǎo)通的第三通孔1115，所述第一基板111上表面設(shè)有與所述第一通孔相連通的第一導(dǎo)電層1116，所述片狀元件13的下表面置于所述第一導(dǎo)電層1116上。
[0041 ] 所述第二基板112中設(shè)有中空區(qū)域1121和兩個(gè)通孔1124與1125，所述兩個(gè)通孔分別與所述第二通孔1114和所述第三通孔1115電導(dǎo)通，所述片狀元件13設(shè)于所述中空區(qū)域1121中，所述第二基板112上表面設(shè)有與所述第二通孔1114相連通的第二導(dǎo)電層1126，所述片狀元件13的上表面通過導(dǎo)線16與所述第二導(dǎo)電層1126相連。
[0042]所述第三基板113中設(shè)有中空區(qū)域1131和一個(gè)與所述第三通孔電導(dǎo)通的通孔1135，所述第三基板113的中空區(qū)域1131比所述第二基板112中的中空區(qū)域1121面積更大，以便在層疊時(shí)可露出所述第二導(dǎo)電層1126，所述第三基板113上表面設(shè)有與所述第三通孔1115相連通的第三導(dǎo)電層1136，所述雙金屬片14的平面部分141與所述第三導(dǎo)電層1136相連，所述雙金屬片14的凹陷部分142的最低點(diǎn)與所述片狀元件13的上表面電連接；
[0043]所述第四基板114中設(shè)有比所述第三基板113的中空區(qū)域面積更大的中空區(qū)域1141，以便在層疊時(shí)可露出所述第三導(dǎo)電層1136。
[0044]優(yōu)選的，還包括用于固定所述雙金屬片14的壓片15，所述壓片15設(shè)于所述雙金屬片14與所述蓋板12之間。
[0045]優(yōu)選的，所述片狀元件13的上表面通過導(dǎo)線16與所述第二引腳1112相連。
[0046]優(yōu)選的，在所述第三基板113和所述第四基板114之間設(shè)有定位板115，用于對所述雙金屬片14進(jìn)行定位。
[0047]優(yōu)選的，所述片狀元件13的上表面設(shè)有金屬片17，所述雙金屬片14的凹陷部分142的最低點(diǎn)通過所述金屬片17與所述片狀元件13的上表面電連接，防止因反復(fù)使用所述雙金屬片14的凹陷部分142的最低點(diǎn)直接打在片狀元件13的上表面造成磨損，導(dǎo)致導(dǎo)電接觸不良。
[0048]優(yōu)選的，所述基板11下表面設(shè)有第四引腳1117，所述基板111上設(shè)有第四通孔，所述第一導(dǎo)電層1116延伸到與所述第四通孔相連通(故圖中第四通孔不可見)，所述第四引腳1117與所述第四通孔電導(dǎo)通。所述第四引腳1117用于提供多一個(gè)結(jié)點(diǎn)，方便外接電路時(shí)用。
[0049]優(yōu)選的，所述片狀元件13為以下元件中的一種:電容、電阻、電感、壓敏、熱敏、半導(dǎo)體芯片。
[0050]本實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0051]本發(fā)明實(shí)施例提供的電路保護(hù)器件，將雙金屬片集成在電路保護(hù)器件內(nèi)部，利用雙金屬片受熱反彈形變的特性設(shè)計(jì)開路保護(hù)，既能夠?yàn)殡娐诽峁┻^壓與過流保護(hù)，又不增加電路元器件，有利于電路的小型化集成化，而且使用更加便利。
[0052]請結(jié)合參閱圖5-圖6，圖5是本發(fā)明實(shí)施例二提供的電路保護(hù)器件的爆炸圖，其顯示各部位的上表面;圖6是本發(fā)明實(shí)施例二提供的電路保護(hù)器件的爆炸圖，其顯示各部位的下表面。如圖5-圖6所示，本實(shí)施例的電路保護(hù)器件包括:
[0053]依次層疊的基板與蓋板22;置于所述基板上的片狀元件23;置于所述片狀元件23上方的雙金屬片24。其中，所述基板下表面設(shè)有至少三個(gè)可導(dǎo)電的引腳，分別稱為第一引腳2111、第二引腳2112、第三引腳2113;所述片狀元件23的下表面與所述第一引腳2111相連，所述片狀元件23的上表面與所述第二引腳2112相連;所述雙金屬片24具有平面部分241和凸起的弧面部分242，所述平面部分241與所述第二引腳2112相連、所述弧面部分242的最高點(diǎn)與所述第三引腳2113相連;所述蓋板22置于所述雙金屬片24上方，與所述基板配合形成封裝結(jié)構(gòu)。
[0054]具體的，所述基板為依次層疊的四層結(jié)構(gòu)，分別稱為第一基板211、第二基板212、第三基板213及第四基板214。
[0055]所述第一基板211置于最底層，所述第一引腳2111、第二引腳2112、第三引腳2113均設(shè)于所述第一基板211下表面，所述第一基板211中設(shè)有至少三個(gè)通孔，分別為與所述第一引腳2111電導(dǎo)通的第一通孔(因與第一導(dǎo)電層相連，故圖中不可見)、與所述第二引腳2112電導(dǎo)通的第二通孔2114、與所述第三引腳2113電導(dǎo)通的第三通孔2115，所述第一基板211上表面設(shè)有與所述第一通孔相連通的第一導(dǎo)電層2116，所述片狀元件23的下表面置于所述第一導(dǎo)電層2116上。
[0056]所述第二基板212中設(shè)有中空區(qū)域和兩個(gè)通孔2124與2125，所述兩個(gè)通孔分別與所述第二通孔2114和所述第三通孔2115電導(dǎo)通，所述片狀元件23設(shè)于所述中空區(qū)域中，所述第二基板212上表面設(shè)有與所述第二通孔2114相連通的第二導(dǎo)電層2126，所述片狀元件23的上表面通過導(dǎo)線26與所述第二導(dǎo)電層2126相連。
[0057]所述第三基板213中設(shè)有中空區(qū)域和兩個(gè)通孔2134與2135，所述兩個(gè)通孔分別與所述第二通孔2124和所述第三通孔2125電導(dǎo)通，所述第三基板213的中空區(qū)域比所述第二基板212中的中空區(qū)域面積更大，以便在層疊時(shí)可露出所述第二導(dǎo)電層2126，所述第三基板213上表面設(shè)有與所述第二通孔2124相連通的第三導(dǎo)電層2136，所述雙金屬片24的平面部分241與所述第三導(dǎo)電層2136相連。
[0058]所述第四基板214中設(shè)有中空區(qū)域和一個(gè)通孔2145，所述第四基板214的中空區(qū)域比所述第三基板213的中空區(qū)域面積更大，以便在層疊時(shí)可露出所述第三導(dǎo)電層2136，所述第四基板214的通孔2145與所述第三通孔2115電導(dǎo)通；
[0059]所述蓋板22下表面為金屬材料，所述雙金屬片24的凸起部分242的最高點(diǎn)通過所述蓋板22的下表面與所述第三通孔2115電連接。
[0060]優(yōu)選的，所述基板與所述蓋板22之間設(shè)有金屬焊料層28。
[0061]優(yōu)選的，所述基板下表面設(shè)有第四引腳2117，所述基板211上設(shè)有第四通孔，所述第一導(dǎo)電層2116延伸到與所述第四通孔相連通(故圖中第四通孔不可見)，所述第四引腳2117與所述第四通孔電導(dǎo)通。所述第四引腳2117用于提供多一個(gè)結(jié)點(diǎn)，方便外接電路時(shí)用。
[0062]優(yōu)選的，所述片狀元件23為以下元件中的一種:電容、電阻、電感、壓敏、熱敏、半導(dǎo)體芯片。
[0063]本實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0064]本發(fā)明實(shí)施例提供的電路保護(hù)器件，將雙金屬片集成在電路保護(hù)器件內(nèi)部，利用雙金屬片受熱反彈形變的特性設(shè)計(jì)開路保護(hù)，既能夠?yàn)殡娐诽峁┻^壓與過流保護(hù)，又不增加電路元器件，有利于電路的小型化集成化，而且使用更加便利。
[0065]顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電路保護(hù)器件，其特征在于，包括: 依次層疊的基板與蓋板； 所述基板下表面設(shè)有至少三個(gè)可導(dǎo)電的引腳，分別稱為第一引腳、第二引腳、第三引腳； 置于所述基板上的片狀元件，所述片狀元件的下表面與所述第一引腳相連，所述片狀元件的上表面與所述第二引腳相連； 置于所述片狀元件上方的雙金屬片，所述雙金屬片具有平面部分和凸起或者凹陷的弧面部分，當(dāng)所述弧面為凸起時(shí)，所述平面部分與所述第二引腳相連、所述弧面部分的最高點(diǎn)與所述第三引腳相連，當(dāng)所述弧面為凹陷時(shí)，所述平面部分與所述第三引腳相連、所述弧面部分的最低點(diǎn)與所述第二引腳相連； 所述蓋板置于所述雙金屬片上方，與所述基板配合形成封裝結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路保護(hù)器件，其特征在于: 還包括用于固定所述雙金屬片的壓片，所述壓片設(shè)于所述雙金屬片與所述蓋板之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路保護(hù)器件，其特征在于: 所述片狀元件的上表面通過導(dǎo)線與所述第二引腳相連。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路保護(hù)器件，其特征在于: 所述基板為依次層疊的四層結(jié)構(gòu)，分別稱為第一基板、第二基板、第三基板及第四基板； 所述第一基板置于最底層，所述第一引腳、第二引腳、第三引腳均設(shè)于所述第一基板下表面，所述第一基板中設(shè)有至少三個(gè)通孔，分別為與所述第一引腳電導(dǎo)通的第一通孔、與所述第二引腳電導(dǎo)通的第二通孔、與所述第三引腳電導(dǎo)通的第三通孔，所述第一基板上表面設(shè)有與所述第一通孔相連通的第一導(dǎo)電層，所述片狀元件的下表面置于所述第一導(dǎo)電層上； 所述第二基板中設(shè)有中空區(qū)域和兩個(gè)通孔，所述兩個(gè)通孔分別與所述第二通孔和所述第三通孔電導(dǎo)通，所述片狀元件設(shè)于所述中空區(qū)域中，所述第二基板上表面設(shè)有與所述第二通孔相連通的第二導(dǎo)電層，所述片狀元件的上表面通過導(dǎo)線與所述第二導(dǎo)電層相連；所述第三基板中設(shè)有中空區(qū)域和一個(gè)與所述第三通孔電導(dǎo)通的通孔，所述第三基板的中空區(qū)域比所述第二基板中的中空區(qū)域面積更大，以便在層疊時(shí)可露出所述第二導(dǎo)電層，所述第三基板上表面設(shè)有與所述第三通孔相連通的第三導(dǎo)電層，所述雙金屬片的平面部分與所述第三導(dǎo)電層相連，所述雙金屬片的凹陷部分的最低點(diǎn)與所述片狀元件的上表面電連接； 所述第四基板中設(shè)有比所述第三基板的中空區(qū)域面積更大的中空區(qū)域，以便在層疊時(shí)可露出所述第三導(dǎo)電層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路保護(hù)器件，其特征在于:在所述第三基板和所述第四基板之間設(shè)有定位板，用于對所述雙金屬片進(jìn)行定位。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路保護(hù)器件，其特征在于:所述片狀元件的上表面設(shè)有金屬片，所述雙金屬片的凹陷部分的最低點(diǎn)通過所述金屬片與所述片狀元件的上表面電連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路保護(hù)器件，其特征在于: 所述基板為依次層疊的四層結(jié)構(gòu)，分別稱為第一基板、第二基板、第三基板及第四基板； 所述第一基板置于最底層，所述第一引腳、第二引腳、第三引腳均設(shè)于所述第一基板下表面，所述第一基板中設(shè)有至少三個(gè)通孔，分別為與所述第一引腳電導(dǎo)通的第一通孔、與所述第二引腳電導(dǎo)通的第二通孔、與所述第三引腳電導(dǎo)通的第三通孔，所述第一基板上表面設(shè)有與所述第一通孔相連通的第一導(dǎo)電層，所述片狀元件的下表面置于所述第一導(dǎo)電層上； 所述第二基板中設(shè)有中空區(qū)域和兩個(gè)通孔，所述兩個(gè)通孔分別與所述第二通孔和所述第三通孔電導(dǎo)通，所述片狀元件設(shè)于所述中空區(qū)域中，所述第二基板上表面設(shè)有與所述第二通孔相連通的第二導(dǎo)電層，所述片狀元件的上表面通過導(dǎo)線與所述第二導(dǎo)電層相連； 所述第三基板中設(shè)有中空區(qū)域和兩個(gè)通孔，所述兩個(gè)通孔分別與所述第二通孔和所述第三通孔電導(dǎo)通，所述第三基板的中空區(qū)域比所述第二基板中的中空區(qū)域面積更大，以便在層疊時(shí)可露出所述第二導(dǎo)電層，所述第三基板上表面設(shè)有與所述第二通孔相連通的第三導(dǎo)電層，所述雙金屬片的平面部分與所述第三導(dǎo)電層相連； 所述第四基板中設(shè)有中空區(qū)域和一個(gè)通孔，所述第四基板的中空區(qū)域比所述第三基板的中空區(qū)域面積更大，以便在層疊時(shí)可露出所述第三導(dǎo)電層，所述第四基板的通孔與所述第三通孔電導(dǎo)通； 所述蓋板下表面為金屬材料，所述雙金屬片的凸起部分的最高點(diǎn)通過所述蓋板的下表面與所述第三通孔電連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路保護(hù)器件，其特征在于:所述基板與所述蓋板之間設(shè)有金屬焊料層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路保護(hù)器件，其特征在于: 所述基板下表面設(shè)有第四引腳，所述基板上設(shè)有第四通孔，所述第一導(dǎo)電層延伸到與所述第四通孔相連通，所述第四弓I腳與所述第四通孔電導(dǎo)通。10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的電路保護(hù)器件，其特征在于:所述片狀元件為以下元件中的一種:電容、電阻、電感、壓敏、熱敏、半導(dǎo)體芯片。
【文檔編號】H01L23/62GK105870108SQ201610254994
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月21日
【發(fā)明人】何濟(jì)
【申請人】深圳市檳城電子有限公司