有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：基底；在基底上的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件；在基底上的至少一個(gè)阻擋構(gòu)件；覆蓋多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的鈍化層，鈍化層包括暴露阻擋構(gòu)件的保護(hù)開(kāi)口；在鈍化層上的多個(gè)像素電極，像素電極被連接到開(kāi)關(guān)元件；與多個(gè)像素電極分離并與所述多個(gè)像素電極形成在同一層的多個(gè)輔助電極；包括依次形成在多個(gè)像素電極上的像素發(fā)射層和公共發(fā)射層的有機(jī)發(fā)射層；以及包括依次形成在公共發(fā)射層上的輔助公共電極和主公共電極的公共電極，其中公共發(fā)射層和輔助公共電極具有在與阻擋構(gòu)件的位置對(duì)應(yīng)的位置的公共接觸孔，主公共電極可以通過(guò)公共接觸孔與多個(gè)輔助電極中的一個(gè)輔助電極連接。
【專利說(shuō)明】
有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括陽(yáng)極和陰極兩個(gè)電極、以及被插入在兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā)光層。陽(yáng)極將空穴注入到發(fā)光層并且陰極將電子注入到發(fā)光層。注入的電子和空穴相結(jié)合，以形成激子，激子隨著釋放能量而發(fā)射光。
[0003]這樣的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多個(gè)像素，多個(gè)像素包括作為自發(fā)射器件的有機(jī)發(fā)光二極管，在每個(gè)像素中，形成有用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)晶體管和存儲(chǔ)電容器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括:基底；在基底上的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件；在基底上的至少一個(gè)阻擋構(gòu)件;覆蓋多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的鈍化層，鈍化層包括暴露阻擋構(gòu)件的保護(hù)開(kāi)口；在鈍化層上的多個(gè)像素電極，像素電極被連接到開(kāi)關(guān)元件;與多個(gè)像素電極分離并與多個(gè)像素電極形成在同一層的多個(gè)輔助電極;包括依次形成在多個(gè)像素電極上的像素發(fā)射層和公共發(fā)射層的有機(jī)發(fā)射層；以及包括依次形成在公共發(fā)射層上的輔助公共電極和主公共電極的公共電極。公共發(fā)射層和輔助公共電極具有在與阻擋構(gòu)件的位置對(duì)應(yīng)的位置的公共接觸孔。主公共電極可以通過(guò)公共接觸孔與多個(gè)輔助電極中的一個(gè)輔助電極連接。
[0005]基底可以包括多個(gè)像素區(qū)域和在多個(gè)像素區(qū)域之間的多個(gè)像素邊緣區(qū)域。阻擋構(gòu)件、保護(hù)開(kāi)口和輔助電極可以位于多個(gè)像素邊緣區(qū)域中的一個(gè)像素邊緣區(qū)域。
[0006]輔助電極可以包括彼此分離的第一輔助電極和第二輔助電極，第一輔助電極和第二輔助電極包括彼此面對(duì)的端部。
[0007]輔助電極可以與阻擋構(gòu)件重疊。
[0008]阻擋構(gòu)件可以位于第一輔助電極與第二輔助電極之間。
[0009]阻擋構(gòu)件可以通過(guò)保護(hù)開(kāi)口和公共接觸孔被暴露。主公共電極與阻擋構(gòu)件連接。
[0010]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括覆蓋多個(gè)像素電極中的一個(gè)像素電極和輔助電極的像素限定層，像素限定層包括暴露輔助電極的一部分的輔助開(kāi)口。阻擋構(gòu)件可以位于輔助開(kāi)口。
[0011]主公共電極可以與通過(guò)輔助開(kāi)口和公共接觸孔暴露的輔助電極連接。
[0012]通過(guò)輔助開(kāi)口暴露的輔助電極可以與公共發(fā)射層連接。
[0013]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括被形成在基底上并將掃描信號(hào)傳送到多個(gè)開(kāi)關(guān)元件中的一個(gè)開(kāi)關(guān)元件的掃描線、以及與掃描線交叉并將數(shù)據(jù)信號(hào)傳送到開(kāi)關(guān)元件的數(shù)據(jù)線。阻擋構(gòu)件可以包括與掃描線形成在同一層的第一阻擋構(gòu)件和與第一阻擋構(gòu)件重疊并與數(shù)據(jù)線形成在同一層的第二阻擋構(gòu)件。
[0014]開(kāi)關(guān)元件可以包括被連接到掃描線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)晶體管和被連接到開(kāi)關(guān)晶體管的驅(qū)動(dòng)晶體管。
[0015]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括在第一阻擋構(gòu)件與第二阻擋構(gòu)件之間的第三阻擋構(gòu)件，第三阻擋構(gòu)件與第一阻擋構(gòu)件和第二阻擋構(gòu)件重疊。
[0016]實(shí)施例還涉及一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，該方法包括:在基底上形成多個(gè)開(kāi)關(guān)元件和至少一個(gè)阻擋構(gòu)件;形成覆蓋多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的鈍化層，鈍化層包括暴露阻擋構(gòu)件的保護(hù)開(kāi)口；在鈍化層上形成多個(gè)像素電極，多個(gè)像素電極中的一個(gè)像素電極被連接到多個(gè)開(kāi)關(guān)元件中的一個(gè)開(kāi)關(guān)元件;在鈍化層上形成與多個(gè)像素電極分離的多個(gè)輔助電極，多個(gè)輔助電極中的一個(gè)輔助電極包括第一輔助電極和第二輔助電極;在多個(gè)像素電極上形成依次包括像素發(fā)射層和公共發(fā)射層的有機(jī)發(fā)射層;在公共發(fā)射層上形成輔助公共電極;形成穿過(guò)公共發(fā)射層和輔助公共電極的公共接觸孔，公共接觸孔暴露輔助電極的一部分；以及在輔助公共電極上形成主公共電極，主公共電極通過(guò)公共接觸孔與輔助電極連接。
[0017]第一輔助電極可以被形成為與第二輔助電極電隔離。形成公共接觸孔可以包括在第一輔助電極與第二輔助電極之間施加擊穿電壓，以能夠去除在阻擋構(gòu)件上的公共發(fā)射層和輔助公共電極。
[0018]第一輔助電極和第二輔助電極可以被形成為等電位連接。形成公共接觸孔可以包括在輔助電極與輔助公共電極之間施加擊穿電壓，以能夠去除在阻擋構(gòu)件上的公共發(fā)射層和輔助公共電極。
[0019]基底可以包括多個(gè)像素區(qū)域和被形成在多個(gè)像素區(qū)域之間的像素邊緣區(qū)域。阻擋構(gòu)件、保護(hù)開(kāi)口和輔助電極可以被形成在像素邊緣區(qū)域。
[0020]阻擋構(gòu)件和輔助電極可以被形成為重疊關(guān)系。
[0021]阻擋構(gòu)件可以被形成在第一輔助電極與第二輔助電極之間。
[0022]該方法可以進(jìn)一步包括形成覆蓋像素電極和輔助電極并具有暴露輔助電極的一部分的輔助開(kāi)口的像素限定層。阻擋構(gòu)件可位于輔助開(kāi)口。
[0023]主公共電極可以與通過(guò)輔助開(kāi)口和公共接觸孔暴露的輔助電極連接。
[0024]通過(guò)輔助開(kāi)口暴露的輔助電極可與公共發(fā)射層連接。
【附圖說(shuō)明】
[0025]通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)特征將變得顯而易見(jiàn)，附圖中:
[0026]圖1示出了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的整體電路圖。
[0027]圖2示出了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路圖。
[0028]圖3示出了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)晶體管和電容器的示意性布局圖。
[0029]圖4示出了圖3的詳細(xì)布局圖。
[0030]圖5示出了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)像素電極和輔助電極的示意性布局圖。
[0031]圖6示出了圖5的A部分的詳細(xì)布局圖。
[0032]圖7示出了沿線VI1-VII截取的圖4的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
[0033]圖8示出了沿線VII1-VIII截取的圖4的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖。
[0034]圖9示出了沿圖6的線IX-1X截取的剖視圖。
[0035]圖10和圖12示出了依次示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的布局圖。
[0036]圖11示出了沿圖10的線X1-XI截取的剖視圖。
[0037]圖13示出了沿圖12的線XII1-XIII截取的剖視圖。
[0038]圖14示出了沿圖12的線XII1-XIII截取的根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的剖視圖。
[0039]圖15示出了與圖5的A部分對(duì)應(yīng)的根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的詳細(xì)布局圖。
[0040]圖16示出了沿圖15的線XV1-XVI截取的剖視圖。
[0041]圖17示出了示出根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的一個(gè)步驟的布局圖。
[0042]圖18示出了沿圖17的線XVII1-XVIII截取的剖視圖。
[0043]圖19示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)晶體管和電容器的圖。
[0044]圖20示出了圖19的詳細(xì)布局圖。
[0045]圖21示出了該示例性實(shí)施例的與圖5的A部分對(duì)應(yīng)的詳細(xì)布局圖。
[0046]圖22示出了沿圖20的線XXI1-XXII截取的剖視圖。
[0047]圖23示出了沿圖20的線XXII1-XXIII截取的剖視圖。
[0048 ] 圖24示出了沿圖21的線XXIV-XXIV截取的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]在下文中將參考附圖更充分地描述示例實(shí)施例；然而，示例實(shí)施例可以以不同的形式體現(xiàn)，不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為限于本文所提出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得此公開(kāi)將會(huì)是充分和完整的，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)示例性實(shí)施方式。
[0050]在圖中，為了例示清楚，層和區(qū)域的尺寸可能被夸大。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一層或基底“上”時(shí)，它可以直接在另一層或基底上，或者也可以存在中間層。此夕卜，將理解的是，當(dāng)層被稱為在兩層“之間”時(shí)，它可以是兩層之間的唯一層，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。貫穿全文，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。
[0051 ]此外，在說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)“在平面圖中”表示從上面觀察對(duì)象部分，術(shù)語(yǔ)“在剖視圖中”表示從一側(cè)觀察通過(guò)垂直切割對(duì)象部分得到的橫截面。
[0052]另外，許多晶體管和電容器被示于附圖中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以在一個(gè)像素中包括多個(gè)晶體管和至少一個(gè)電容器，并且可以被形成為具有其中進(jìn)一步形成單獨(dú)的導(dǎo)線或省略已有的導(dǎo)線的各種結(jié)構(gòu)。這里，像素是用于顯示圖像的最小單位，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器通過(guò)多個(gè)像素顯示圖像。
[0053]圖1示出了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的整體電路圖。
[0054]如圖1所示，根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以包括顯示圖像的顯示單元100、位于顯示單元100附近的掃描驅(qū)動(dòng)器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500。掃描驅(qū)動(dòng)器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500的位置可以變化。例如，在圖1中，掃描驅(qū)動(dòng)器400被示為位于顯示單元100的左側(cè)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500被示為位于顯示單元100的上側(cè)。在一些實(shí)施方式中，掃描驅(qū)動(dòng)器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500可以位于顯示單元100的一側(cè)。
[0055]顯示單元100可以包括大致布置成矩陣的多個(gè)像素PX。多個(gè)像素PX可以被連接到多條信號(hào)線 31^1]-51111]』]^[1]4]^[11]、0111]-011111]31^001^41^551^和￥爪11，多條信號(hào)線包括多條掃描線SL[l]-SL[n]、多條發(fā)光控制線EML[l]-EML[n]、多條數(shù)據(jù)線DL[1]-DL[m]、傳送驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線ELVDDL、傳送公共電壓ELVSS的公共電壓線ELVSSL、以及傳送初始化電壓Vint的初始化電壓線VINTL。
[0056]掃描驅(qū)動(dòng)器400可以被連接到多條掃描線SL[l]-SL[n]和多條發(fā)光控制線EML[1]_EML[n]。掃描驅(qū)動(dòng)器400可以根據(jù)第一驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)CONTl生成多個(gè)掃描信號(hào)S[l]-S[n]和多個(gè)發(fā)光控制信號(hào)EM[l]-EM[n]。掃描驅(qū)動(dòng)器400可以將多個(gè)掃描信號(hào)S[l]-S[n]分別傳送到對(duì)應(yīng)的掃描線SL [ I ] -SL [ η ]，并可以將多個(gè)發(fā)光控制信號(hào)EM [ I ] -EM [ η ]分別傳送到對(duì)應(yīng)的發(fā)光控制線EML[ I ]-EML[n]。
[0057]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500可以根據(jù)第二驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT2采樣和鎖存圖像數(shù)據(jù)R、G和B，以生成多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)D[l]_D[m]。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500可以將數(shù)據(jù)信號(hào)D[l]-D[m]分別傳送到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL[l]-DL[m]。
[0058]圖2示出了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路圖。
[0059]如圖2所示，根據(jù)當(dāng)前示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素PX可以包括被連接到多條信號(hào)線151、152、153、154、171和172的多個(gè)晶體管1'1、了2、了3、了4、了5和丁6、電容器Cst和Cb、以及有機(jī)發(fā)光二極管OLD。應(yīng)該理解的是，在其它實(shí)施方式中，晶體管和電容器的數(shù)量及其布置可以與圖2所示不同。
[0000] 信號(hào)線151、152、153、154可以包括分別施加掃描信號(hào)Sn、前一掃描信號(hào)Sn-1、發(fā)光控制信號(hào)EM和初始化電壓Vint并沿行方向形成的掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153和初始化電壓線154。信號(hào)線171和172可以包括與掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153和初始化電壓線154相交并向像素PX分別施加數(shù)據(jù)信號(hào)Dm和驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172。
[0061 ]多個(gè)晶體管1'132、了334、了5和了6包括驅(qū)動(dòng)晶體管1'1、開(kāi)關(guān)晶體管了2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體管T5和發(fā)光控制晶體管T6。電容器Cst和Cb包括存儲(chǔ)電容器Cst和升壓電容器Cb。
[0062]驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極Gl可被連接到存儲(chǔ)電容器Cst的一端Cstl。驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源電極SI可以經(jīng)由操作控制晶體管T5與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏電極Dl可經(jīng)由發(fā)光控制晶體管T6與有機(jī)發(fā)光二極管OLD的陽(yáng)極電連接。驅(qū)動(dòng)晶體管Tl可以根據(jù)開(kāi)關(guān)晶體管T2的開(kāi)關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號(hào)Dm，以向有機(jī)發(fā)光二極管OLD供給驅(qū)動(dòng)電流Id。
[0063]開(kāi)關(guān)晶體管T2的柵電極G2可與掃描線151連接。開(kāi)關(guān)晶體管T2的源電極S2可以與數(shù)據(jù)線171連接，開(kāi)關(guān)晶體管T2的漏電極D2可以與驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源電極SI連接并且經(jīng)由操作控制晶體管T5與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接。開(kāi)關(guān)晶體管T2可以根據(jù)通過(guò)掃描線151接收的掃描信號(hào)Sn被導(dǎo)通，以執(zhí)行用于將被傳送到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號(hào)Dm傳送到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源電極SI的開(kāi)關(guān)操作。
[0064]補(bǔ)償晶體管T3的柵電極G3可以與掃描線151直接連接。補(bǔ)償晶體管T3的源電極S3可以被連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏電極Dl并且經(jīng)由發(fā)光控制晶體管T6與有機(jī)發(fā)光二極管OLD的陽(yáng)極連接，補(bǔ)償晶體管T3的漏電極D3可以與初始化晶體管T4的漏電極D4、驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極Gl、存儲(chǔ)電容器Cst的一端Cstl、以及升壓電容器Cb的一端Cbl連接在一起。補(bǔ)償晶體管T3可以根據(jù)通過(guò)掃描線151接收的掃描信號(hào)Sn被導(dǎo)通，以將驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極Gl與漏電極Dl連接從而將驅(qū)動(dòng)晶體管Tl以二極管接法連接(d1de-connect)。
[0065]初始化晶體管T4的柵電極G4可以與前一掃描線152連接。初始化晶體管T4的源電極S4可以與初始化電壓線154連接，初始化晶體管T4的漏電極D4可以通過(guò)補(bǔ)償晶體管T3的漏電極D3與存儲(chǔ)電容器Cst的一端Cstl、驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極Gl、升壓電容器Cb的一端Cbl連接在一起。初始化晶體管T4可根據(jù)通過(guò)前一掃描線152接收的前一掃描信號(hào)Sn-1被導(dǎo)通，以將初始化電壓Vint傳送到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極Gl，然后執(zhí)行初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極GI的電壓的初始化操作。
[0066]操作控制晶體管T5的柵電極G5可與發(fā)光控制線153連接。操作控制晶體管T5的源電極S5可以與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接，操作控制晶體管T5的漏電極D5可以與驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源電極SI和開(kāi)關(guān)晶體管T2的漏電極D2連接。
[0067]發(fā)光控制晶體管T6的柵電極G6可被連接到發(fā)光控制線153。發(fā)光控制晶體管T6的源電極S6可以被連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏電極Dl和補(bǔ)償晶體管T3的源電極S3，發(fā)光控制晶體管T6的漏電極D6可以被電連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLD的陽(yáng)極。操作控制晶體管T5和發(fā)光控制晶體管T6可以根據(jù)被傳送到發(fā)光控制線153的發(fā)光控制信號(hào)EM被同時(shí)導(dǎo)通，使得驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD可以通過(guò)以二極管接法連接的驅(qū)動(dòng)晶體管Tl被補(bǔ)償并可以被傳送到有機(jī)發(fā)光二極管0LD，從而驅(qū)動(dòng)電流Id可流至用于發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管0LD，從而顯示圖像。
[0068]被連接到開(kāi)關(guān)晶體管T2的柵電極G2的掃描線151可被連接到升壓電容器Cb的另一端Cb2。升壓電容器Cb的一端Cb I可被連接到驅(qū)動(dòng)晶體管TI的柵電極GI。
[0069]存儲(chǔ)電容器Cst的另一端Cst2可以與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接。有機(jī)發(fā)光二極管OLD的陰極可以與傳送公共電壓ELVSS的公共電壓線741連接。
[0070]在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的具體操作過(guò)程。
[0071]在初始化期間，具有低電平的前一掃描信號(hào)Sn-1可以通過(guò)前一掃描線152被供給。初始化晶體管T4可以響應(yīng)于具有低電平的前一掃描信號(hào)Sn-1被導(dǎo)通，使得初始化電壓Vint通過(guò)初始化晶體管T4從初始化電壓線154被連接到驅(qū)動(dòng)晶體管TI的柵電極GI，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl由初始化電壓Vint初始化。
[0072]在數(shù)據(jù)編程期間，具有低電平的掃描信號(hào)Sn可以通過(guò)掃描線151被供給。開(kāi)關(guān)晶體管T2和補(bǔ)償晶體管T3可以響應(yīng)于具有低電平的掃描信號(hào)Sn被導(dǎo)通。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl可以通過(guò)導(dǎo)通的補(bǔ)償晶體管T3而以二極管接法連接，并且可以正向偏置。
[0073]從數(shù)據(jù)線171供給的數(shù)據(jù)信號(hào)Dm減去驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓Vth而得到的補(bǔ)償電壓Dm+Vth(Vth為負(fù)(-)值)可以被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極G1。被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極Gl的柵極電壓Vg可以成為補(bǔ)償電壓(Dm+Vth)。驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD和補(bǔ)償電壓(Dm+Vth)可以被施加到存儲(chǔ)電容器Cst的兩個(gè)端子，與兩個(gè)端子之間的電壓差對(duì)應(yīng)的電荷可被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器Cst中。
[0074]在掃描信號(hào)Sn的供給停止的同時(shí)掃描信號(hào)Sn的電壓電平被改變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，通過(guò)聯(lián)接升壓電容器Cb，被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極Gl的電壓可以響應(yīng)于掃描信號(hào)Sn的電壓變化寬度而被改變。在這種情況下，可以由存儲(chǔ)電容器Cst與升壓電容器Cb之間的電荷共享(charge sharing)來(lái)改變被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管TI的柵電極GI的電壓。因此，除了掃描信號(hào)Sn的電壓變化寬度之外，被施加到柵電極Gl的電壓變化量可以與存儲(chǔ)電容器Cst和升壓電容器Cb之間的電荷共享值成比例地改變。
[0075]在發(fā)射期間，從發(fā)光控制線153供給的發(fā)光控制信號(hào)EM可以從高電平被改變到低電平。在發(fā)射期間，操作控制晶體管T5和發(fā)光控制晶體管T6可以由低電平的發(fā)光控制信號(hào)EM導(dǎo)通。
[0076]驅(qū)動(dòng)電流Id可根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極Gl的柵極電壓與驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD之間的電壓差來(lái)生成。驅(qū)動(dòng)電流Id可通過(guò)發(fā)光控制晶體管T6被供給到有機(jī)發(fā)光二極管OLD。在發(fā)射期間，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵極-源極電壓Vgs可以由存儲(chǔ)電容器Cst保持為“(Dm+Vth)-ELVDD”，根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的電流-電壓關(guān)系，驅(qū)動(dòng)電流Id可以與從柵極-源極電壓減去閾值電壓而獲得的值的平方“(Dm-ELVDD)2”成比例。因此，不管驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的閾值電壓Vth為多少，驅(qū)動(dòng)電流Id被確定。
[0077]接下來(lái)，將參考圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8和圖9連同圖1描述圖1和圖2中所示的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
[0078]圖3示出了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)晶體管和電容器的示意性布局圖，圖4示出了圖3的詳細(xì)布局圖，圖5示出了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)像素電極和輔助電極的示意性布局圖，圖6示出了圖5的A部分的詳細(xì)布局圖，圖7示出了沿線VI1-VII截取的圖4的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖，圖8示出了沿線VII1-VIII截取的圖4的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖視圖，圖9示出了沿圖6的線IX-1X截取的剖視圖。
[0079]在下文中，首先將參考圖3、圖4、圖5和圖6詳細(xì)描述根據(jù)該示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的具體平面結(jié)構(gòu)，并將參考圖7、圖8和圖9詳細(xì)描述具體的剖面結(jié)構(gòu)。
[0080]如圖3所示，根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以包括被連接到像素PX、被形成在行方向上并分別施加掃描信號(hào)Sn、前一掃描信號(hào)Sn-1、發(fā)光控制信號(hào)EM和初始化電壓Vint的掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153和初始化電壓線154，并且可包括與掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153和初始化電壓線154交叉并向像素PX分別施加數(shù)據(jù)信號(hào)Dm和驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172。
[0081]在一個(gè)像素PX中，可以形成驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、開(kāi)關(guān)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體管T5、發(fā)光控制晶體管T6、存儲(chǔ)電容器Cs t、升壓電容器Cb和有機(jī)發(fā)光二極管OLD。有機(jī)發(fā)光二極管OLD可以包括像素電極191、有機(jī)發(fā)射層370和公共電極270。補(bǔ)償晶體管T3和初始化晶體管T4可以被配置為雙柵極結(jié)構(gòu)晶體管，以阻止泄漏電流。
[0082]驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、開(kāi)關(guān)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體管T5和發(fā)光控制晶體管T6的每個(gè)溝道可以被形成在與其連接的一個(gè)半導(dǎo)體130中。半導(dǎo)體130可以以各種形狀被形成為彎曲的。半導(dǎo)體130可以由多晶半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料制成。氧化物半導(dǎo)體材料可包括基于鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的氧化物、以及作為它們的復(fù)合氧化物的氧化銦鎵鋅(InGaZn04)、氧化銦鋅(Zn-1n-O)、氧化鋅錫(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦錯(cuò)(In-Zr-O)、氧化銦錯(cuò)鋅(In-Zr-Zn-O)、氧化銦錯(cuò)錫(In-Zr-Sn-O)、氧化銦鋯鎵(In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁(In-Al-O)、氧化銦鋅鋁(In-Zr-Al-O)、氧化銦錫鋁(In-Sn-Al-O)、氧化銦鋁鎵(In-Al-Ga-O)、氧化銦鉭(In-Ta-O)、氧化銦鉭鋅(In-Ta-Zn-O)、氧化銦鉭錫(In-Ta-Sn-O)、氧化銦鉭鎵(In-Ta-Ga-O)、氧化銦鍺(In-Ge-O)、氧化銦鍺鋅(In-Ge-Zn-O)、氧化銅錯(cuò)錫(In-Ge-Sn-O)、氧化銅錯(cuò)嫁(In-Ge-Ga-O)、氧化欽銅梓(T1-1n-Zn-O)或氧化鉿銦鋅(Hf-1n-Zn-O)。在半導(dǎo)體130由氧化物半導(dǎo)體材料制成的情況下，可以添加用于保護(hù)可容易受諸如高溫的外部環(huán)境影響的氧化物半導(dǎo)體材料的單獨(dú)的鈍化層。
[0083]半導(dǎo)體130可包括用N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)來(lái)?yè)诫s的溝道131、以及被形成在溝道的相應(yīng)側(cè)并且用與被摻雜在溝道上的摻雜雜質(zhì)相反類型的摻雜雜質(zhì)來(lái)?yè)诫s的源極摻雜部和漏極摻雜部。在示例性實(shí)施例中，源極摻雜部和漏極摻雜部可以分別對(duì)應(yīng)于源電極和漏電極。被形成在半導(dǎo)體130中的源極摻雜部和漏極摻雜部可以通過(guò)僅摻雜相應(yīng)區(qū)域來(lái)形成。此外，在半導(dǎo)體130中，不同晶體管的源電極與漏電極之間的區(qū)域可被摻雜。因此，源極摻雜部和漏極摻雜部可以被彼此電連接。
[0084]如圖4所示，被形成在半導(dǎo)體130中的溝道131可包括被形成在驅(qū)動(dòng)晶體管Tl中的驅(qū)動(dòng)溝道131a、被形成在開(kāi)關(guān)晶體管T2中的開(kāi)關(guān)溝道131b、被形成在補(bǔ)償晶體管T3中的補(bǔ)償溝道131c、被形成在初始化晶體管T4中的初始化溝道131d、被形成在操作控制晶體管T5中的操作控制溝道131e、被形成在發(fā)光控制晶體管T6中的發(fā)光控制溝道131f。另外，第一存儲(chǔ)電極132和第一升壓電極133可以被形成在半導(dǎo)體130中。
[0085]驅(qū)動(dòng)晶體管Tl可以包括驅(qū)動(dòng)溝道131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a可以與驅(qū)動(dòng)溝道131a重疊。驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a可以被形成為接近于驅(qū)動(dòng)溝道131a的相應(yīng)側(cè)。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a可通過(guò)接觸孔61被連接到驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174。
[0086]開(kāi)關(guān)晶體管T2可以包括開(kāi)關(guān)溝道131b、開(kāi)關(guān)柵電極155b、開(kāi)關(guān)源電極136b和開(kāi)關(guān)漏電極137b。作為掃描線151的一部分的開(kāi)關(guān)柵電極155b可以與開(kāi)關(guān)溝道13 Ib重疊。開(kāi)關(guān)源電極136b和開(kāi)關(guān)漏電極137b可以被形成為接近于開(kāi)關(guān)溝道131b的相應(yīng)側(cè)。開(kāi)關(guān)源電極136b可通過(guò)接觸孔62與數(shù)據(jù)線171連接。
[0087]補(bǔ)償晶體管T3可以包括補(bǔ)償溝道131c、補(bǔ)償柵電極155c、補(bǔ)償源電極136c和補(bǔ)償漏電極137c。為了幫助防止泄漏電流，可以形成兩個(gè)補(bǔ)償晶體管T3，兩個(gè)補(bǔ)償柵電極155c可以是從掃描線151向下延伸的突起。補(bǔ)償柵電極155c可以與補(bǔ)償溝道131c重疊。補(bǔ)償源電極136c和補(bǔ)償漏電極137c可被形成為分別鄰近于補(bǔ)償溝道131c的相應(yīng)側(cè)。補(bǔ)償漏電極137c可通過(guò)接觸孔63被連接到驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174。
[0088]初始化晶體管T4可以包括初始化溝道131d、初始化柵電極155d、初始化源電極136d和初始化漏電極137d。為了幫助防止泄漏電流，可以形成兩個(gè)初始化晶體管T4，兩個(gè)初始化柵電極155d可以是從前一掃描線152向下延伸的突起。初始化柵電極155d可以與初始化溝道131d重疊。初始化源電極136d和初始化漏電極137d可被形成為分別鄰近于初始化溝道131 d的相應(yīng)側(cè)。初始化源電極136d可通過(guò)接觸孔64被連接到初始化連接構(gòu)件17 5，初始化漏電極137d可通過(guò)接觸孔63被連接到驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174。
[0089]操作控制晶體管T5可以包括操作控制溝道131e、操作控制柵電極155e、操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e。操作控制柵電極155e可以是從發(fā)光控制線153向上延伸的突起。操作控制柵電極155e可以與操作控制溝道131e重疊。操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e可以被形成為靠近于操作控制溝道131e的相應(yīng)側(cè)。操作控制源電極136e可以通過(guò)接觸孔65與驅(qū)動(dòng)電壓線172的一部分連接。
[0090]發(fā)光控制晶體管T6可以包括發(fā)光控制溝道131f、發(fā)光控制柵電極155f、發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f。發(fā)光控制柵電極155f可以是從發(fā)光控制線153向上延伸的突起，并與發(fā)光控制溝道131f重疊。發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f可被形成為靠近于發(fā)光控制溝道131f的相應(yīng)側(cè)。發(fā)光控制漏電極137f可通過(guò)接觸孔66與發(fā)光控制連接構(gòu)件179連接。
[0091]驅(qū)動(dòng)源電極136a可被連接到開(kāi)關(guān)漏電極137b和操作控制漏電極137e，驅(qū)動(dòng)漏電極137a可被連接到補(bǔ)償源電極136c和發(fā)光控制源電極136f。
[0092]存儲(chǔ)電容器Cst可包括被設(shè)置為柵極絕緣層140夾在其間的第一存儲(chǔ)電極132和第二存儲(chǔ)電極156。柵極絕緣層140可以用作介電材料，存儲(chǔ)電容可通過(guò)充入存儲(chǔ)電容器Cst的電荷和兩電極132與156之間的電壓來(lái)確定。
[0093]第一存儲(chǔ)電極132可以與溝道131形成在同一層，第二存儲(chǔ)電極156可以與掃描線151、前一掃描線152和發(fā)光控制線153形成在同一層。第一存儲(chǔ)電極132可包括摻雜雜質(zhì)。
[0094]第一存儲(chǔ)電極132可以被形成在補(bǔ)償漏電極177c與初始化漏電極177d之間，并且可以通過(guò)第一升壓電極133和驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174被連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a。第二存儲(chǔ)電極156可以通過(guò)接觸孔69被連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172。
[0095]存儲(chǔ)電容器Cst可以存儲(chǔ)與通過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓線172被傳送到第二存儲(chǔ)電極156的驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的柵極電壓Vg之間的差對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容。
[0096]升壓電容器Cb的第一升壓電極133可以是從第一存儲(chǔ)電極132延伸的突起。第二升壓電極157可以是從掃描線151向上延伸的突起。升壓電容器Cb可以執(zhí)行根據(jù)掃描線151的掃描信號(hào)Sn的變化升高驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的柵極電壓Vg的升壓操作來(lái)提高驅(qū)動(dòng)范圍，從而提供準(zhǔn)確的灰度。
[0097]驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174可與數(shù)據(jù)線171形成在同一層。驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174的一端可以通過(guò)接觸孔61被連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a。驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174的另一端可以通過(guò)接觸孔63被連接到補(bǔ)償晶體管T3的補(bǔ)償漏電極137c。因此，驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174可將驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a與補(bǔ)償晶體管T3的補(bǔ)償漏電極137c彼此連接。
[0098]初始化連接構(gòu)件175可以具有四邊形形狀，并且可以通過(guò)接觸孔67被連接到初始化電壓線154 ο具有四邊形形狀的發(fā)光控制連接構(gòu)件179可通過(guò)接觸孔81被連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLD的像素電極191。在圖3和圖4所示的示例性實(shí)施例中，初始化電壓線可以具有平行于掃描線的直線形狀，像素電極可以具有覆蓋大部分像素的近似四邊形形狀。在其它實(shí)施方式中，像素電極、初始化電壓線、初始化連接構(gòu)件和發(fā)光控制連接構(gòu)件的形狀可以進(jìn)行各種改變。
[0099]有機(jī)發(fā)射層370可以被形成在像素電極191上。有機(jī)發(fā)射層370可以包括像素發(fā)射層371和公共發(fā)射層372。像素發(fā)射層371可以僅被形成在對(duì)應(yīng)顏色的像素中。然而，公共發(fā)射層372可以被共同地形成在所有像素中。例如，作為藍(lán)色的發(fā)射層的公共發(fā)射層372可以被形成在紅色像素和綠色像素以及藍(lán)色像素上。公共電極270可以被形成在有機(jī)發(fā)射層370上。公共電極270可以包括依次沉積的輔助公共電極272和主公共電極271。
[0100]如圖5所示，多個(gè)像素電極191可以大致以矩陣被設(shè)置在像素區(qū)域Pl中，輔助電極192可以以網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)被形成在像素電極191之間的像素邊緣區(qū)域P2中。輔助電極192可與公共電極270連接，以降低公共電極270的電阻，從而有助于防止公共電極270的電壓降。
[0101]下面將參考圖6詳細(xì)描述位于像素邊緣區(qū)域P2并將輔助電極192與公共電極270彼此連接的公共接觸部分A的結(jié)構(gòu)。
[0102]如圖6所示，輔助電極192可以被劃分成第一輔助電極192a和第二輔助電極192b。阻擋構(gòu)件9可被形成在與輔助電極192的一端對(duì)應(yīng)的位置。阻擋構(gòu)件9可包括第一阻擋構(gòu)件59和第二阻擋構(gòu)件79。通過(guò)被形成在阻擋構(gòu)件9上，輔助電極192的端部可以被定位成比輔助電極192的其它部分更高。
[0103]輔助公共電極272和公共發(fā)射層372—起具有暴露輔助電極192的公共接觸孔72。主公共電極271可以通過(guò)公共接觸孔72和輔助開(kāi)口 352與輔助電極192連接。
[0104]在下文中，將參考圖7、圖8和圖9根據(jù)堆疊順序詳細(xì)描述根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的剖面結(jié)構(gòu)。
[0105]在這種情況下，操作控制晶體管T5的堆疊結(jié)構(gòu)可以與發(fā)光控制晶體管T6的堆疊結(jié)構(gòu)大部分相同。因此，相同特征的詳細(xì)描述將不再重復(fù)。
[0106]緩沖層120可以被形成在基底110上。基底110可以是由諸如玻璃、水晶、陶瓷或塑料的絕緣材料形成的絕緣基底。緩沖層120可在用于形成多晶半導(dǎo)體的結(jié)晶化過(guò)程期間阻擋來(lái)自基底110的雜質(zhì)，并可用于提尚多晶半導(dǎo)體的特性并減少被施加到基底110的應(yīng)力。緩沖層120可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)形成。
[0107]包括驅(qū)動(dòng)溝道131a、開(kāi)關(guān)溝道131b、補(bǔ)償溝道131c、初始化溝道131d、操作控制溝道131e、發(fā)光控制溝道131f、第一存儲(chǔ)電極132以及第一升壓電極133的半導(dǎo)體130可以被形成在像素區(qū)域Pl的緩沖層120上。驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a可以被形成在半導(dǎo)體130中的驅(qū)動(dòng)溝道131a的相應(yīng)側(cè)，開(kāi)關(guān)源電極136b和開(kāi)關(guān)漏電極137b可以被形成在開(kāi)關(guān)溝道131b的相應(yīng)側(cè)。補(bǔ)償源電極136c和補(bǔ)償漏電極137c可以被形成在補(bǔ)償溝道131c的相應(yīng)側(cè)，初始化源電極136d和初始化漏電極137d可以被形成在初始化溝道131 d的相應(yīng)側(cè)。操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e可以被形成在操作控制溝道131e的相應(yīng)側(cè)，發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f可以被形成在發(fā)光控制溝道131f的相應(yīng)側(cè)。第一存儲(chǔ)電極132和第一升壓電極133可以被形成在補(bǔ)償漏電極137c與初始化漏電極137d之間。
[0108]覆蓋半導(dǎo)體130的柵極絕緣層140可以被形成在其上。柵極絕緣層140可以由氮化娃(SiNx)或氧化娃(S1x)形成。
[0109]包括開(kāi)關(guān)柵電極155b和補(bǔ)償柵電極155c的掃描線151、前一掃描線152、初始化柵電極155d、包括操作控制柵電極155e和發(fā)光控制柵電極155f的發(fā)光控制線153、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、第二存儲(chǔ)電極156和第二升壓電極157可以被形成在柵極絕緣層140上。一對(duì)第一阻擋構(gòu)件59可以被形成在位于像素邊緣區(qū)域P2中的柵極絕緣層140上。
[0110]掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、第二存儲(chǔ)電極156、第二升壓電極157和第一阻擋構(gòu)件59可以被形成為多層，包括銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)、鋁合金、鉬(Mo)和鉬合金中的一種的金屬層被沉積在該多層中。
[0111]覆蓋柵極絕緣層140和掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、第二存儲(chǔ)電極156、第二升壓電極157和第一阻擋構(gòu)件59的層間絕緣層160可以被形成在其上。層間絕緣層160可以由氮化娃(SiNx)或氧化娃(S1x)形成。
[0112]數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174、初始化連接構(gòu)件175以及發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以被形成在層間絕緣層160上。
[0113]—對(duì)第二隔擋構(gòu)件79可以被形成在位于像素邊緣區(qū)域P2中的層間絕緣層160上。第二阻擋構(gòu)件79可以與第一阻擋構(gòu)件59重疊。第二阻擋構(gòu)件79可以覆蓋所有的第一阻擋構(gòu)件59。第一阻擋構(gòu)件59和第二阻擋構(gòu)件79可一起形成阻擋構(gòu)件9。
[0114]數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174、初始化電壓線178、發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以由多層形成，包括銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)、鋁合金、鉬(Mo)和鉬合金中的一種的金屬層被沉積在該多層中，例如，可以由鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)、鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)或鉬/銅/鉬(Mo/Cu/Mo)的三層形成。
[0115]數(shù)據(jù)線171可以通過(guò)被形成為在柵極絕緣層140和層間絕緣層160中同時(shí)具有同一邊界線的接觸孔62而被連接到開(kāi)關(guān)源電極136b。驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174的一端可通過(guò)被形成在層間絕緣層160中的接觸孔61而被連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a，驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174的另一端可以通過(guò)被形成為在柵極絕緣層140和層間絕緣層160中同時(shí)具有同一邊界線的接觸孔63而被連接到補(bǔ)償漏電極137c。
[0116]初始化連接構(gòu)件175的一端可以通過(guò)被形成在柵極絕緣層140和層間絕緣層160中的接觸孔64而被連接到初始化源電極136d。初始化連接構(gòu)件175的另一端可以通過(guò)被形成在層間絕緣層160中的接觸孔67被連接到初始化電壓線154。發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以通過(guò)被形成在柵極絕緣層140和層間絕緣層160中的接觸孔66被連接到發(fā)光控制漏電極137f。
[0117]覆蓋數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174、初始化連接構(gòu)件175和發(fā)光控制連接構(gòu)件179以及第二阻擋構(gòu)件79和層間絕緣層160的鈍化層180可以被形成在其上。鈍化層180可以覆蓋數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174、初始化連接構(gòu)件175和發(fā)光控制連接構(gòu)件179來(lái)進(jìn)行平坦化，使得像素電極191可以在沒(méi)有臺(tái)階的情況下被形成在鈍化層180上。
[0118]位于像素邊緣區(qū)域P2的鈍化層180可以包括暴露阻擋構(gòu)件9的保護(hù)開(kāi)口82。
[0119]鈍化層180可以由諸如聚丙烯酸系樹(shù)脂或聚酰亞胺系樹(shù)脂的有機(jī)材料形成，或者可以是有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的沉積層。
[0120]像素電極191和輔助電極192被形成在鈍化層180上。發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以通過(guò)被形成在鈍化層180上的接觸孔81而被連接到像素電極191。輔助電極192可以被劃分成第一輔助電極192a和第二輔助電極192b。第一輔助電極192a與第二輔助電極192b的端部可以被定位為分別與一對(duì)阻擋構(gòu)件9對(duì)應(yīng)。第一輔助電極192a與第二輔助電極192b的端部可與通過(guò)保護(hù)開(kāi)口 82暴露的一對(duì)阻擋構(gòu)件9直接連接。
[0121]像素限定層TOL350可以被形成在鈍化層180、輔助電極192和像素電極191的邊緣上，像素限定層350可以包括暴露像素電極191的像素開(kāi)口 351和暴露輔助電極192的端部的輔助開(kāi)口 352。阻擋構(gòu)件9可以位于像素限定層350的輔助開(kāi)口 352處。通過(guò)最大限度地?cái)U(kuò)大輔助開(kāi)口 352，被形成在像素限定層350上的公共發(fā)射層372、輔助公共電極272和主公共電極271的臺(tái)階可以被最小化，使得主公共電極271和輔助電極192之間的接觸可以變得容易。
[0122]像素限定層350可以由諸如聚丙烯酸酯樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂的有機(jī)材料或二氧化娃系無(wú)機(jī)材料制成。
[0123]有機(jī)發(fā)射層370可以被形成在被暴露在像素開(kāi)口351上的像素電極191上，有機(jī)發(fā)射層370可以包括被形成在像素區(qū)域Pl中的像素發(fā)射層371和被形成至像素邊緣區(qū)域P2的公共發(fā)射層372。公共電極270可以被形成在有機(jī)發(fā)射層370上。公共電極270可包括:被形成在像素區(qū)域Pl和像素邊緣區(qū)域P2的一部分中的輔助公共電極272、以及被形成在包括像素區(qū)域Pl和像素邊緣區(qū)域P2的整個(gè)表面上的主公共電極271。
[0124]公共發(fā)射層372和輔助公共電極272—起可以具有暴露輔助電極192的端部的公共接觸孔72。主公共電極271可以與通過(guò)公共接觸孔72和輔助開(kāi)口 352暴露的輔助電極192直接連接。因此，公共電極270的電阻可減小，從而有助于防止公共電極270的電壓降。
[0125]有機(jī)發(fā)光二極管OLD被形成為包括像素電極191、有機(jī)發(fā)射層370和公共電極270。像素電極191可以是作為空穴注入電極的陽(yáng)極，公共電極270可以是作為電子注入電極的陰極。在其它實(shí)施方式中，根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，像素電極191可以是陰極，公共電極270可以是陽(yáng)極。當(dāng)空穴和電子分別從像素電極191和公共電極270注入到有機(jī)發(fā)射層370內(nèi)時(shí)，通過(guò)結(jié)合注入的空穴和電子得到的激子從激發(fā)態(tài)落入基態(tài)，發(fā)射光。
[0126]像素發(fā)射層371和公共發(fā)射層372可以由低分子有機(jī)材料或諸如聚(3，4_乙撐二氧噻吩)(PED0T)的高分子有機(jī)材料制成。有機(jī)發(fā)射層370可以被形成為多層，該多層包括發(fā)射層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的至少一種。當(dāng)有機(jī)發(fā)射層370包括所有的層時(shí)，空穴注入層可以被設(shè)置在作為正電極的像素電極191上，空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層可以依次層疊在空穴注入層上。
[0127]像素發(fā)射層371可以包括發(fā)射紅光的紅色有機(jī)發(fā)射層和發(fā)射綠光的綠色有機(jī)發(fā)射層。公共發(fā)射層372可以包括發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層。紅色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層可以一起形成在紅色像素中，綠色有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層可以一起形成在綠色像素中，藍(lán)色有機(jī)發(fā)射層可以被形成在藍(lán)色像素中，從而實(shí)現(xiàn)彩色圖像。
[0128]保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管OLD的封裝構(gòu)件可被形成在公共電極270上。封裝構(gòu)件可以通過(guò)密封劑密封于基底110，并且可以由諸如玻璃、石英、陶瓷、塑料或金屬的各種材料形成。在一些實(shí)施方式中，通過(guò)使用密封劑沉積無(wú)機(jī)層和有機(jī)層，薄膜封裝層可以被形成在公共電極270上。
[0129]下面將參考附圖描述根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法。
[0130]圖10和圖12示出了依次示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的布局圖，圖11示出了沿圖10的線X1-XI截取的剖視圖，圖13示出了沿圖12的線XII1-XIII截取的剖視圖。
[0131]如圖7、圖8、圖10和圖11所示，緩沖層120可以被形成在基底110上。緩沖層120可以由氮化硅的單層或氮化硅和氧化硅的疊層形成，并且可以通過(guò)諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方法沉積在基底110的整個(gè)表面上。半導(dǎo)體層可以被形成在緩沖層120上。半導(dǎo)體層可以由多晶硅或氧化物半導(dǎo)體形成。多晶硅可以通過(guò)形成非晶硅層然后結(jié)晶化該層的方法來(lái)形成。各種合適的方法可以被用作結(jié)晶化方法。例如，非晶硅層可通過(guò)利用熱、激光、焦耳熱、電場(chǎng)、催化劑金屬等來(lái)結(jié)晶化。半導(dǎo)體層可以是未摻雜雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體。在多晶半導(dǎo)體層上，可以通過(guò)使用第一掩模來(lái)執(zhí)行光刻工藝，多晶半導(dǎo)體層可以被圖案化為半導(dǎo)體130。半導(dǎo)體130在此時(shí)沒(méi)有被摻雜，結(jié)果是，半導(dǎo)體130還沒(méi)有被劃分為配置每個(gè)晶體管的半導(dǎo)體、源電極和漏電極?？梢栽诎雽?dǎo)體130上執(zhí)行具有低摻雜濃度的溝道摻雜，使半導(dǎo)體130變成雜質(zhì)半導(dǎo)體。
[0132]此外，覆蓋緩沖層120和半導(dǎo)體130的柵極絕緣層140可以被形成在其上。柵極絕緣層140可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(S1x)等形成，并且可通過(guò)諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方法沉積在整個(gè)表面上。柵極金屬層可以被沉積在柵極絕緣層140上。柵極金屬層可以通過(guò)使用第二掩模的光刻工藝來(lái)圖案化。結(jié)果是，在像素區(qū)域Pl中，可以形成掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、第二存儲(chǔ)電極156和第二升壓電極157。在像素邊緣區(qū)域P2中，可以形成一對(duì)第一阻擋構(gòu)件59。柵極金屬層可以由多層形成，包括銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)和鋁合金中的任意一種的金屬層和包括鉬(Mo)和鉬合金中的任意一種的金屬層被層疊在該多層中。
[0133]接下來(lái)，對(duì)半導(dǎo)體130進(jìn)行具有比溝道摻雜更高的摻雜濃度的源極和漏極摻雜。半導(dǎo)體130可以是在暴露區(qū)域(例如沒(méi)有被開(kāi)關(guān)柵電極155b、補(bǔ)償柵電極155c、初始化柵電極155d、操作控制柵電極155e、發(fā)光控制柵電極155f和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a覆蓋的部分)中摻雜的源極和漏極。結(jié)果是，可以形成每個(gè)晶體管的源電極和漏電極，可以形成第一存儲(chǔ)電極132和第一升壓電極133。每個(gè)晶體管的溝道131可以被形成在半導(dǎo)體130中的未摻雜或僅輕微摻雜的區(qū)域中。也就是說(shuō)，可以同時(shí)形成驅(qū)動(dòng)溝道131a、開(kāi)關(guān)溝道131b、補(bǔ)償溝道131c、初始化溝道131d、操作控制溝道131e和發(fā)光控制溝道131f。如上所述，當(dāng)源極和漏極摻雜半導(dǎo)體130時(shí)，單獨(dú)的掩?？梢员皇÷?。
[0134]接下來(lái)，可以形成覆蓋柵極絕緣層140、掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、第二存儲(chǔ)電極156、第二升壓電極157以及一對(duì)第一阻擋構(gòu)件59的層間絕緣層160。層間絕緣層160可以由氮化娃(SiNx)、氧化娃(S1x)等形成，并且可通過(guò)諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方法沉積在整個(gè)表面上?？梢詧?zhí)行摻雜劑激活處理，以放置在半導(dǎo)體130中摻雜的雜質(zhì)，并去除在半導(dǎo)體130與柵極絕緣層140之間的邊界處的任何損壞。
[0135]柵極絕緣層140和層間絕緣層160可通過(guò)使用第三掩模的光刻工藝來(lái)圖案化，以形成多個(gè)接觸孔 61、62、63、64、65、66、67 和 69。
[0136]接下來(lái)，可以在層間絕緣層160上形成數(shù)據(jù)金屬層。數(shù)據(jù)金屬層可以被形成為包括銅、銅合金、鋁和鋁合金中的任意一種的金屬層和包括鉬和鉬合金中的任意一種的金屬層被層疊的多層。例如，數(shù)據(jù)金屬層可以由鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)的三層或者鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)或鉬/銅/鉬(Mo/Cu/Mo)的三層形成。數(shù)據(jù)金屬層可以通過(guò)使用第四掩模的光刻工藝來(lái)圖案化。因此，數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174、初始化連接構(gòu)件175以及發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以被形成在像素區(qū)域Pl的層間絕緣層160上，一對(duì)第二阻擋構(gòu)件79可以被形成在像素邊緣區(qū)域P2的層間絕緣層160上。
[0137]鈍化層180可以被形成在層間絕緣層160上，并通過(guò)使用第五掩模的光刻工藝來(lái)圖案化，以在位于像素區(qū)域Pl中的鈍化層180中形成接觸孔81，并在位于像素邊緣區(qū)域P2中的鈍化層180中形成暴露阻擋構(gòu)件9的保護(hù)開(kāi)口 82。
[0138]像素電極層可以被形成在鈍化層180上，并且可以通過(guò)使用第六掩模的光刻工藝來(lái)圖案化。因此，通過(guò)接觸孔81被連接到發(fā)光控制連接構(gòu)件179的像素電極191可以被形成在像素區(qū)域Pl的鈍化層180上?？梢孕纬赏ㄟ^(guò)像素邊緣區(qū)域P2的保護(hù)開(kāi)口 82接觸阻擋構(gòu)件9的輔助電極192。
[0139]覆蓋像素電極191和輔助電極192的像素限定層350可被形成在鈍化層180上。暴露像素電極191的一部分的像素開(kāi)口 351可以通過(guò)使用第七掩模被形成在位于像素區(qū)域Pl的像素限定層350中。暴露輔助電極192的端部的輔助開(kāi)口 352可以被形成在位于像素邊緣區(qū)域P2的像素限定層350中。
[0140]像素發(fā)射層371可以被形成在通過(guò)像素限定層350的像素開(kāi)口351暴露的像素電極191上，公共發(fā)射層372可以被形成在像素發(fā)射層371和像素限定層350上。輔助公共電極272可以被形成在公共發(fā)射層372上。位于阻擋構(gòu)件9上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以被形成為比公共發(fā)射層372和輔助公共電極272的其它部分更高，位于阻擋構(gòu)件9上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272的厚度t2可以被形成為比其它部分的厚度tl更薄。
[0141 ] 如圖12和圖13所不，擊穿電壓線BVL可以被連接在電隔尚的第一輔助電極192a與第二輔助電極192b之間，以施加擊穿電壓。擊穿電壓可以被保持在第一輔助電極192a與輔助公共電極272之間，擊穿電壓也可以被保持在第二輔助電極192b與輔助公共電極272之間。當(dāng)位于一對(duì)阻擋構(gòu)件9上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272的厚度t2比其它部分的厚度tl更薄時(shí)，公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以通過(guò)由于擊穿電壓而導(dǎo)致的放電被容易地去除，從而形成公共接觸孔72。輔助電極192的端部可以通過(guò)公共接觸孔72被暴露。通過(guò)在與阻擋構(gòu)件9重疊的位置形成輔助電極192、公共發(fā)射層372和輔助公共電極272，以薄厚度形成的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以通過(guò)由于擊穿電壓而導(dǎo)致的放電被容易地去除。
[0142]如圖6和圖9所示，主公共電極271可以被形成在輔助公共電極272上。主公共電極271可以與通過(guò)公共接觸孔72和輔助開(kāi)口 352暴露的輔助電極192直接連接，使得公共電極270的電阻可減小，從而有助于防止公共電極270的電壓降。主公共電極271可以被形成為遍及包括與像素限定層350對(duì)應(yīng)的位置的整個(gè)區(qū)域，使得對(duì)單獨(dú)掩模的使用可以被省略。
[0143]在根據(jù)示例性實(shí)施例的制造方法中，第一輔助電極192a和第二輔助電極192b可以彼此電隔離，使得擊穿電壓被施加在其間。在制造方法的其它實(shí)施方式中，從外部將第一輔助電極192a與第二輔助電極192b以等電位狀態(tài)彼此連接，擊穿電壓可以被施加在輔助公共電極272與輔助電極192之間。
[0144]圖14示出了沿圖12的線XII1-XIII截取的根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的剖視圖。
[0145]除了從外部將第一輔助電極192a與第二輔助電極192b以等電位狀態(tài)彼此連接之外，在圖14中所示的制造方法可以與根據(jù)圖13所示的示例性實(shí)施例的制造方法基本相同。
[0146]如圖8和圖14所示，在根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的當(dāng)前制造方法中，像素發(fā)射層371可以被形成在通過(guò)像素限定層350的像素開(kāi)口351暴露的像素電極191上，公共發(fā)射層372可以被形成在像素發(fā)射層371和像素限定層350上。輔助公共電極272可以被形成在公共發(fā)射層372上。如圖14所示，第一輔助電極192a與第二輔助電極192b可以通過(guò)使用等電位線SVL以等電位狀態(tài)被彼此連接?？梢酝ㄟ^(guò)在輔助電極192與輔助公共電極272之間連接擊穿電壓線BVL來(lái)施加擊穿電壓。在這種情況下，當(dāng)位于一對(duì)阻擋構(gòu)件9上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272的厚度t2比公共發(fā)射層372和輔助公共電極272的其它部分的厚度tl更薄時(shí)，位于一對(duì)阻擋構(gòu)件9上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以通過(guò)由于擊穿電壓而導(dǎo)致的放電被容易地去除，從而形成公共接觸孔72。因此，輔助電極192的端部可以通過(guò)公共接觸孔72被暴露。如上所述，通過(guò)在與輔助電極192重疊的位置形成阻擋構(gòu)件9，被形成在輔助電極192上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以被形成為具有薄的厚度，使得公共發(fā)射層372和輔助公共電極272通過(guò)由于擊穿電壓而導(dǎo)致的放電被容易地去除。
[0147]如圖6和圖9所示，主公共電極271可以被形成在輔助公共電極272上。主公共電極271可以與通過(guò)公共接觸孔72和輔助開(kāi)口 352暴露的輔助電極192直接連接，使得公共電極270的電阻可減小，從而有助于防止公共電極270的電壓降。
[0148]在一個(gè)示例性實(shí)施例中，阻擋構(gòu)件可與輔助電極重疊。在其它實(shí)施方式中，阻擋構(gòu)件可以位于第一輔助電極與第二輔助電極之間。
[0149]圖15示出了與圖5的A部分對(duì)應(yīng)的根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的詳細(xì)布局圖，圖16示出了沿圖15的線XV1-XVI截取的剖視圖。
[0150]除了阻擋構(gòu)件位于第一輔助電極與第二輔助電極之間以外，圖15和圖16中所示的示例性實(shí)施例與圖1至圖11中所示的示例性實(shí)施例基本相同O
[0151]如圖15和圖16所示，在根據(jù)當(dāng)前示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，緩沖層120可以被形成在位于像素邊緣區(qū)域P2的基底110上，柵極絕緣層140被形成在緩沖層120上。第一阻擋構(gòu)件59可以被形成在柵極絕緣層140上，層間絕緣層160可以被形成在第一阻擋構(gòu)件59和柵極絕緣層140上。第二阻擋構(gòu)件79可以被形成在層間絕緣層160上的與第一阻擋構(gòu)件59重疊的位置。第一阻擋構(gòu)件59和第二阻擋構(gòu)件79—起形成阻擋構(gòu)件9。鈍化層180可以被形成在層間絕緣層160上。位于像素邊緣區(qū)域P2的鈍化層180可以具有暴露阻擋構(gòu)件9的保護(hù)開(kāi)口 82。輔助電極192可以被形成在鈍化層180上。輔助電極192可以被分離成第一輔助電極192a和第二輔助電極192b。阻擋構(gòu)件9可以位于第一輔助電極192a與第二輔助電極192b之間。覆蓋位于像素邊緣區(qū)域P2上的輔助電極192的像素限定層350被形成在其上。像素限定層350可以包括暴露輔助電極192的端部和阻擋構(gòu)件9的輔助開(kāi)口 352。
[0152]公共電極270可以被形成在被形成至像素邊緣區(qū)域P2的公共發(fā)射層372上。公共電極270可包括被形成在像素區(qū)域Pl和像素邊緣區(qū)域P2的一部分中的輔助公共電極272、以及被形成在包括像素區(qū)域Pl和像素邊緣區(qū)域P2的整個(gè)表面上的主公共電極271。
[0153]公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以一起具有暴露輔助電極192的端部的公共接觸孔72。當(dāng)主公共電極271與由公共接觸孔72和輔助開(kāi)口 352暴露的輔助電極192直接連接時(shí)，公共電極270的電阻可減小，從而有助于防止公共電極270的電壓降。
[0154]現(xiàn)在將參考附圖描述根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法。
[0155]圖17示出了示出根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法的一個(gè)步驟的布局圖，圖18示出了沿圖17的線XVII1-XVIII截取的剖視圖。
[0156]除了阻擋構(gòu)件被形成在第一輔助電極與第二輔助電極之間之外，根據(jù)圖17和圖18所示的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法與根據(jù)圖7、圖8、圖9、圖10、圖
11、圖12和圖13所示的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法基本相同。
[0157]首先，如圖7、圖8、圖10和圖11所示，緩沖層120可以被形成在基底110上，半導(dǎo)體層可以被形成在緩沖層120上。半導(dǎo)體層可以進(jìn)行使用第一掩模的光刻工藝，使得半導(dǎo)體層可以被圖案化成半導(dǎo)體130。覆蓋緩沖層120和半導(dǎo)體130的柵極絕緣層140可以被形成在其上。柵極金屬層可被沉積在柵極絕緣層140上。柵極金屬層可以通過(guò)使用第二掩模的光刻工藝來(lái)圖案化。結(jié)果是，第一阻擋構(gòu)件59可以被形成在像素邊緣區(qū)域P2中。可以對(duì)半導(dǎo)體130執(zhí)行具有比溝道摻雜更高的摻雜濃度的源極和漏極摻雜。覆蓋柵極絕緣層140和第一阻擋構(gòu)件59的層間絕緣層160可以被形成在其上。柵極絕緣層140和層間絕緣層160可以通過(guò)使用第三掩模的光刻工藝來(lái)圖案化，以在像素區(qū)域Pl中形成多個(gè)接觸孔61、62、63、64、65、66、67和69。數(shù)據(jù)金屬層可以被形成在層間絕緣層160上。數(shù)據(jù)金屬層可以通過(guò)使用第四掩模的光刻工藝來(lái)圖案化。因此，第二阻擋構(gòu)件79可被形成在層間絕緣層160的像素邊緣區(qū)域P2上。鈍化層180可被形成在層間絕緣層160上，暴露阻擋構(gòu)件9的保護(hù)開(kāi)口 82可以通過(guò)使用第五掩模的光刻工藝被形成在位于像素邊緣區(qū)域P2的鈍化層180中。像素電極層可被形成在鈍化層180上，并通過(guò)使用第六掩模的光刻工藝來(lái)圖案化。經(jīng)由阻擋構(gòu)件9位于相應(yīng)側(cè)的第一輔助電極192a和第二輔助電極192b可以被形成在像素邊緣區(qū)域P2中。
[0158]覆蓋輔助電極192的像素限定層350可以被形成在鈍化層180上。暴露輔助電極192的端部的輔助開(kāi)口 352可以通過(guò)使用第七掩模被形成在位于像素邊緣區(qū)域P2的像素限定層350中。像素發(fā)射層371可以被形成在通過(guò)像素限定層350的像素開(kāi)口 351暴露的像素電極191上，公共發(fā)射層372可以被形成在像素發(fā)射層371和像素限定層350上。輔助公共電極272可以被形成在公共發(fā)射層372上。位于阻擋構(gòu)件9上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以定位在比其它部分更高的高度。因此，位于阻擋構(gòu)件9上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272的厚度t2可以被形成為比其它部分更薄的厚度tl。
[0159]接下來(lái)，如圖17和圖18所示，擊穿電壓線BVL可以被連接在彼此電隔離的第一輔助電極192a與第二輔助電極192b之間，以施加擊穿電壓。因而，擊穿電壓可以被保持在第一輔助電極192a與輔助公共電極272之間，擊穿電壓也可以被保持在第二輔助電極192b與輔助公共電極272之間。在這種情況下，位于阻擋構(gòu)件9上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272的厚度t2可以比其它部分的厚度tl更薄，使得位于阻擋構(gòu)件9上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以通過(guò)由于擊穿電壓而導(dǎo)致的放電被容易地去除，從而形成公共接觸孔72。輔助電極192的端部可以通過(guò)公共接觸孔72被暴露。如上所述，通過(guò)在與輔助電極192重疊的位置形成阻擋構(gòu)件9，公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以在輔助電極192上被形成為具有薄的厚度。因此，公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以通過(guò)由于擊穿電壓而導(dǎo)致的放電被容易地去除。
[0160]在其它實(shí)施方式中，第三阻擋構(gòu)件可以被形成在第一阻擋構(gòu)件與第二阻擋構(gòu)件之間。
[0161]圖19示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)晶體管和電容器的圖，圖20示出了圖19的詳細(xì)布局圖，圖21示出了該示例性實(shí)施例的與圖5的A部分對(duì)應(yīng)的詳細(xì)布局圖，圖22示出了沿圖20的線XXI1-XXII截取的剖視圖，圖23示出了沿圖20的線XXII1-XXIII截取的剖視圖，圖24示出了沿圖21的線XXIV-XXIV截取的剖視圖。
[0162]除了包括第三阻擋構(gòu)件之外，在圖19、圖20、圖21、圖22、圖23和圖24中所示的示例性實(shí)施例與圖1至圖9中所示的示例性實(shí)施例基本相同。因此，將不再重復(fù)對(duì)基本上類似的特征的描述。
[0163]如圖19所示，根據(jù)當(dāng)前示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以包括分別施加掃描信號(hào)Sn、前一掃描信號(hào)Sn-Ι、發(fā)光控制信號(hào)EM和旁路信號(hào)BP并被形成在行方向上的掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153和旁路控制線158。在這種情況下，用于修復(fù)的修復(fù)線159可被設(shè)置為平行于掃描線151。
[0164]另外，可以進(jìn)一步包括與掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153和旁路控制線158交叉并向像素PX分別施加數(shù)據(jù)信號(hào)Dm、驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD和初始化電壓Vint的數(shù)據(jù)線
171、驅(qū)動(dòng)電壓線172和初始化電壓線178。在這種情況下，初始化電壓Vint可從初始化電壓線178經(jīng)由初始化晶體管T4傳送到補(bǔ)償晶體管T3。
[0165]此外，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、開(kāi)關(guān)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體管T5、發(fā)光控制晶體管T6、旁路晶體管T7、存儲(chǔ)電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管OLD可以被形成在像素PX中。有機(jī)發(fā)光二極管OLD可以包括像素電極191、有機(jī)發(fā)射層370和公共電極270。為了阻止泄漏電流，補(bǔ)償晶體管T3和初始化晶體管T4可以被配置為雙柵極結(jié)構(gòu)晶體管。
[0166]驅(qū)動(dòng)晶體管Tl、開(kāi)關(guān)晶體管T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體管T5、發(fā)光控制晶體管T6和旁路晶體管T7的溝道可以被形成為與其連接的一個(gè)半導(dǎo)體130，半導(dǎo)體130可以以各種形狀彎曲而形成。半導(dǎo)體130可以由多晶半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料制成。
[0167]如圖20所示，被形成在半導(dǎo)體130中的溝道131可包括被形成在驅(qū)動(dòng)晶體管Tl中的驅(qū)動(dòng)溝道131a、被形成在開(kāi)關(guān)晶體管T2的開(kāi)關(guān)溝道131b、被形成在補(bǔ)償晶體管T3中的補(bǔ)償溝道131c、被形成在初始化晶體管T4中的初始化溝道131d、被形成在操作控制晶體管T5中的操作控制溝道131e、被形成在發(fā)光控制晶體管T6中的發(fā)光控制溝道131f、以及被形成在旁路晶體管T7中的旁路溝道131 g。
[0168]驅(qū)動(dòng)晶體管Tl可以包括驅(qū)動(dòng)溝道131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a。驅(qū)動(dòng)溝道131a可以是彎曲的，并且可以具有曲折形狀或Z字形形狀。這樣，通過(guò)形成彎曲的驅(qū)動(dòng)溝道131a，驅(qū)動(dòng)溝道131a可以被形成為在狹窄空間中被拉長(zhǎng)。因此，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a與驅(qū)動(dòng)源電極136a之間的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O-源極電壓Vgs的驅(qū)動(dòng)范圍可以由細(xì)長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)溝道131a而增加。當(dāng)柵極電壓的驅(qū)動(dòng)范圍增大時(shí)，從有機(jī)發(fā)光二極管OLD發(fā)射的光的灰度可以通過(guò)改變柵極電壓的大小來(lái)精確地控制。結(jié)果是，有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的分辨率可以提高，顯示質(zhì)量可以得到改進(jìn)。通過(guò)不同地修改驅(qū)動(dòng)溝道131a的形狀，可以實(shí)現(xiàn)諸如“倒5”、“5”、1”和“胃”的各種示例。
[0169]驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a可以與驅(qū)動(dòng)溝道131a重疊。驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a可以被形成為靠近于驅(qū)動(dòng)溝道131a的相應(yīng)側(cè)。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a可通過(guò)接觸孔61被連接到驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174。
[0170]開(kāi)關(guān)晶體管T2可以包括開(kāi)關(guān)溝道131b、開(kāi)關(guān)柵電極155b、開(kāi)關(guān)源電極136b和開(kāi)關(guān)漏電極137b。作為從掃描線151向下延伸的一部分的開(kāi)關(guān)柵電極155b可以與開(kāi)關(guān)溝道13 Ib重疊。開(kāi)關(guān)源電極136b和開(kāi)關(guān)漏電極137b可以被形成為接近于開(kāi)關(guān)溝道131b的相應(yīng)側(cè)。開(kāi)關(guān)源電極136b可通過(guò)接觸孔62與數(shù)據(jù)線171連接。
[0171]補(bǔ)償晶體管T3可以包括補(bǔ)償溝道131c、補(bǔ)償柵電極155c、補(bǔ)償源電極136c和補(bǔ)償漏電極137c。
[0172]為了防止泄漏電流，可以形成兩個(gè)補(bǔ)償晶體管T3。兩個(gè)補(bǔ)償柵電極155c可以分別是掃描線151的一部分和從掃描線151向上延伸的突起。補(bǔ)償柵電極155c可以與補(bǔ)償溝道131c重疊。補(bǔ)償源電極136c和補(bǔ)償漏電極137c可分別被形成為鄰近于補(bǔ)償溝道131c的相應(yīng)側(cè)。補(bǔ)償漏電極137c可通過(guò)接觸孔63被連接到驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174。
[0173]初始化晶體管T4可以包括初始化溝道131d、初始化柵電極155d、初始化源電極136d和初始化漏電極137d。為了防止泄漏電流，可以形成兩個(gè)初始化晶體管T4。兩個(gè)初始化柵電極155d可以分別是前一掃描線152的一部分和從前一掃描線152向下延伸的突起。初始化柵電極155d可以與初始化溝道131 d重疊。初始化源電極136d和初始化漏電極137d可分別被形成為鄰近于初始化溝道131 d的相應(yīng)側(cè)。初始化源電極136d可通過(guò)接觸孔64被連接到初始化連接構(gòu)件175，初始化漏電極137d可通過(guò)接觸孔63被連接到驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174。
[0174]操作控制晶體管T5可以包括操作控制溝道131e、操作控制柵電極155e、操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e。作為發(fā)光控制線153的一部分的操作控制柵電極155e可以與操作控制溝道131e重疊。操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e可以被形成為靠近于操作控制溝道131e的相應(yīng)側(cè)。操作控制源電極136e可以通過(guò)接觸孔65與驅(qū)動(dòng)電壓線172的一部分連接。
[0175]發(fā)光控制晶體管T6可以包括發(fā)光控制溝道131f、發(fā)光控制柵電極155f、發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f。作為發(fā)光控制線153的一部分的發(fā)光控制柵電極155f可以與發(fā)光控制溝道131f重疊。發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f可被形成為靠近于發(fā)光控制溝道131f的相應(yīng)側(cè)。發(fā)光控制漏電極137f可通過(guò)接觸孔66與發(fā)光控制連接構(gòu)件179連接。
[0176]旁路晶體管T7可以包括旁路溝道131g、旁路柵電極155g、旁路源電極136g和旁路漏電極137g。作為旁路控制線158的一部分的旁路柵電極155g可以與旁路溝道131g重疊。旁路源電極136g和旁路漏電極137g可以被形成為靠近于旁路溝道131g的相應(yīng)側(cè)。旁路源電極136g可以通過(guò)接觸孔66被連接到發(fā)光控制連接構(gòu)件179，旁路漏電極137g可以被直接連接到初始化源電極136d。
[0177]驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的驅(qū)動(dòng)溝道131a的一端可以被連接到開(kāi)關(guān)漏電極137b和操作控制漏電極137e，驅(qū)動(dòng)溝道131a的另一端可以被連接到補(bǔ)償源電極136c和發(fā)光控制源電極136f0
[0178]存儲(chǔ)電容器Cst可包括被設(shè)置為第二絕緣層142夾在其間的第一存儲(chǔ)電極155a和第二存儲(chǔ)電極156。第一存儲(chǔ)電極155a可對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a，第二存儲(chǔ)電極156可以是從存儲(chǔ)線1540延伸的一部分，并占據(jù)比驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a更大的面積，并完全覆蓋驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a。在本文中，第二絕緣層142可以是介電材料，存儲(chǔ)電容可以通過(guò)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器Cst中的電荷和兩個(gè)電極155a與156之間的電壓來(lái)確定。這樣，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a可被用作第一存儲(chǔ)電極155a?？梢源_保在像素中的因具有大面積的驅(qū)動(dòng)溝道131a而變窄的空間以內(nèi)能夠形成存儲(chǔ)電容器的空間。
[0179]也作為驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的第一存儲(chǔ)電極155a可以通過(guò)接觸孔61和存儲(chǔ)開(kāi)口 51與驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174的一端連接。存儲(chǔ)開(kāi)口 51可以被形成在第二存儲(chǔ)電極156中。
[0180]驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174可以與數(shù)據(jù)線171形成在同一層并基本上平行于數(shù)據(jù)線171。驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174的另一端可以通過(guò)接觸孔63與補(bǔ)償晶體管T3的補(bǔ)償漏電極137c以及初始化晶體管T4的初始化漏電極137d連接。因此，驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174可以將驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a和補(bǔ)償晶體管T3的補(bǔ)償漏電極137c以及初始化晶體管T4的初始化漏電極137d彼此連接。
[0181]第二存儲(chǔ)電極156可以通過(guò)接觸孔69與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接。
[0182]存儲(chǔ)電容器Cst可以存儲(chǔ)與通過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓線172傳送到第二存儲(chǔ)電極156的驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的柵極電壓Vg之間的差對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容。
[0183]平行于數(shù)據(jù)線171而延伸的初始化電壓線178可以通過(guò)接觸孔64被連接到初始化源電極136d。
[0184]發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以具有四邊形形狀，并且可以通過(guò)接觸孔81被連接到像素電極191。
[0185]有機(jī)發(fā)射層370可以被形成在像素電極191上。有機(jī)發(fā)射層370可以包括像素發(fā)射層371和公共發(fā)射層372。像素發(fā)射層371可以僅被形成在對(duì)應(yīng)顏色的像素中。公共發(fā)射層372可以被共同形成在所有的像素中。公共電極270可以被形成在有機(jī)發(fā)射層370上。公共電極270可以包括依次沉積的輔助公共電極272和主公共電極271。
[0186]如圖5所示，多個(gè)像素電極191可以大致以矩陣被設(shè)置在像素區(qū)域Pl中。輔助電極192可以以網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)被形成在像素電極191之間的像素邊緣區(qū)域P2中。輔助電極192可與公共電極270連接，以減小公共電極270的電阻，從而防止公共電極270的電壓降。接下來(lái)，將參考圖21詳細(xì)描述位于像素邊緣區(qū)域P2并將輔助電極192與公共電極270彼此連接的公共接觸部分A的結(jié)構(gòu)。
[0187]如圖21所示，輔助電極192可以被劃分成第一輔助電極192a和第二輔助電極192b。阻擋構(gòu)件9可被形成在與輔助電極192的端部對(duì)應(yīng)的位置。阻擋構(gòu)件9包括第一阻擋構(gòu)件59、第二阻擋構(gòu)件79和第三阻擋構(gòu)件58。第三阻擋構(gòu)件58可以被形成在第一阻擋構(gòu)件59與第二阻擋構(gòu)件79之間，并且可以與第一阻擋構(gòu)件59和第二阻擋構(gòu)件79重疊。在阻擋構(gòu)件9上的輔助電極192的端部可以被形成為相比輔助電極192的其它部分更高。例如，阻擋構(gòu)件9可以具有比圖6和圖9中所示的阻擋構(gòu)件9更高的高度。因此，被形成在輔助電極192上的公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以被形成為具有更薄的厚度，使得共同發(fā)射層372和輔助公共電極272可以被更容易地去除。
[0188]輔助公共電極272和公共發(fā)射層372可一起具有暴露輔助電極192的公共接觸孔72。主公共電極271可以通過(guò)公共接觸孔72和輔助開(kāi)口 352與輔助電極192連接。
[0189]在下文中，將參考圖22、圖23和圖24根據(jù)堆疊順序詳細(xì)描述根據(jù)另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的剖面結(jié)構(gòu)。
[0190]緩沖層120可以被形成在基底110上。包括驅(qū)動(dòng)溝道131a、開(kāi)關(guān)溝道131b、補(bǔ)償溝道131c、初始化溝道131 d、操作控制溝道131 e、發(fā)光控制溝道131 f、第一存儲(chǔ)電極155a和第一升壓電極133的半導(dǎo)體130可以被形成在像素區(qū)域Pl的緩沖層120上。驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a可以被形成在半導(dǎo)體130中的驅(qū)動(dòng)溝道131a的相應(yīng)側(cè)，開(kāi)關(guān)源電極136b和開(kāi)關(guān)漏電極137b可以被形成在開(kāi)關(guān)溝道131b的相應(yīng)側(cè)。補(bǔ)償源電極136c和補(bǔ)償漏電極137c可被形成在補(bǔ)償溝道131c的相應(yīng)側(cè)，初始化源電極136d和初始化漏電極137d可被形成在初始化溝道131d的相應(yīng)側(cè)。操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e可以被形成在操作控制溝道131 e的相應(yīng)側(cè)，發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137可以被形成在發(fā)光控制溝道131f的相應(yīng)側(cè)。旁路源電極136g和旁路漏電極137g可被形成在旁路溝道131g的相應(yīng)側(cè)。
[0191]覆蓋半導(dǎo)體130的第一柵極絕緣層141可以被形成在其上。包括開(kāi)關(guān)柵電極155b和補(bǔ)償柵電極155c的掃描線151、包括初始化柵電極155d的前一掃描線152、包括操作控制柵電極155e和發(fā)光控制柵電極155f的發(fā)光控制線153、包括旁路柵電極155g的旁路控制線158、以及驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O(第一存儲(chǔ)電極)155a可以被形成在第一柵極絕緣層141上。一對(duì)第一阻擋構(gòu)件59可被形成在位于像素邊緣區(qū)域P2的第一柵極絕緣層141上。
[0192]覆蓋掃描線151、前一掃描線152、發(fā)光控制線153、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a和第一阻擋構(gòu)件59以及第一柵極絕緣層141的第二柵極絕緣層142可以被形成在其上。第一柵極絕緣層141和第二柵絕緣層142可以由氮化娃(SiNx)或氧化娃(S1x)形成。
[0193]被設(shè)置為平行于掃描線151的存儲(chǔ)線1540、作為從存儲(chǔ)線1540延伸的部分的第二存儲(chǔ)電極156、以及被設(shè)置為平行于掃描線151的修復(fù)線159可被形成在第二柵極絕緣層142上。一對(duì)第三阻擋構(gòu)件58可以被形成在位于像素邊緣區(qū)域P2的第二柵極絕緣層142上。
[0194]層間絕緣層160可以被形成在存儲(chǔ)線1540、第二存儲(chǔ)電極156、修復(fù)線159、第三阻擋構(gòu)件58和第二柵極絕緣層142上。層間絕緣層160可以由氮化娃(SiNx)或氧化娃(S1x)形成。
[0195]層間絕緣層160可以包括接觸孔61、62、63、64、65、66和69。數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線
172、驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174、初始化電壓線178和發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以被形成在層間絕緣層160上。一對(duì)第二阻擋構(gòu)件79可以被形成在位于像素邊緣區(qū)域P2中的層間絕緣層160上。第二阻擋構(gòu)件79可以與第一阻擋構(gòu)件59和第三阻擋構(gòu)件58重疊。第二阻擋構(gòu)件79可以覆蓋第一阻擋構(gòu)件59和第三阻擋構(gòu)件58 二者。第一阻擋構(gòu)件59、第二阻擋構(gòu)件79和第三阻擋構(gòu)件58可以一起形成阻擋構(gòu)件9。
[0196]數(shù)據(jù)線171可以通過(guò)被形成在第一柵極絕緣層141、第二柵極絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔62被連接到開(kāi)關(guān)源電極136b ο驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174的一端可以通過(guò)被形成在第二柵極絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔61被連接到第一存儲(chǔ)電極155a。驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174的另一端可以通過(guò)被形成在第一柵極絕緣層141、第二柵絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔63被連接到補(bǔ)償漏電極137c和初始化漏電極137d。
[0197]初始化電壓線178可通過(guò)被形成在第一柵極絕緣層141、第二柵極絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔64被連接到初始化源電極136d。
[0198]發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以通過(guò)被形成在第一柵極絕緣層141、第二柵極絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔66被連接到發(fā)光控制漏電極137f。
[0199]數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174、初始化電壓線178和發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以被形成為鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)、鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)或鉬/銅/鉬(Mo/Cu/Mo)
的三層。
[0200]覆蓋數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)連接構(gòu)件174、初始化電壓線178和發(fā)光控制連接構(gòu)件179以及層間絕緣層160的鈍化層180可以被形成在其上。鈍化層180可被形成為有機(jī)層。位于像素邊緣區(qū)域P2的鈍化層180可以包括暴露阻擋構(gòu)件9的保護(hù)開(kāi)口 82。
[0201]像素電極191和輔助電極192可以被形成在鈍化層180上。發(fā)光控制連接構(gòu)件179可以通過(guò)被形成在鈍化層180中的接觸孔81被連接到像素電極191。輔助電極192可以被分離成第一輔助電極192a和第二輔助電極192b。第一輔助電極192a與第二輔助電極192b的端部可被形成在與一對(duì)阻擋構(gòu)件9對(duì)應(yīng)的位置。第一輔助電極192a和第二輔助電極192b的端部可以與通過(guò)保護(hù)開(kāi)口 82暴露的一對(duì)阻擋構(gòu)件9直接連接。
[0202]覆蓋鈍化層180、輔助電極192和像素電極191的邊緣的像素限定層(PDL)350可以被形成在其上。像素限定層350可以包括暴露像素電極191的像素開(kāi)口 351和暴露輔助電極192的端部的輔助開(kāi)口 352。阻擋構(gòu)件9可位于像素限定層350的輔助開(kāi)口 352。通過(guò)最大限度地?cái)U(kuò)大輔助開(kāi)口 352，被形成在像素限定層350上的公共發(fā)射層372、輔助公共電極272和主公共電極271的臺(tái)階可以被最小化，使得主公共電極271和輔助電極192之間的接觸可以變得容易。
[0203]有機(jī)發(fā)射層370可以被形成在由像素開(kāi)口351暴露的像素電極191上。有機(jī)發(fā)射層370可以包括被形成在像素區(qū)域Pl中的像素發(fā)射層371和被形成至像素邊緣區(qū)域P2的公共發(fā)射層372。公共電極270可以被形成在有機(jī)發(fā)射層370上。公共電極270可以包括被形成在像素區(qū)域Pl和像素邊緣區(qū)域P2的一部分中的輔助公共電極272、以及被形成在包括像素區(qū)域Pl和像素邊緣區(qū)域P2的整個(gè)表面中的主公共電極271。
[0204]公共發(fā)射層372和輔助公共電極272可以一起具有暴露輔助電極192的端部的公共接觸孔72。當(dāng)主公共電極271與通過(guò)公共接觸孔72和輔助開(kāi)口 352暴露的輔助電極192直接連接時(shí)，公共電極270的電阻可減小，從而有助于防止公共電極270的電壓降。
[0205]作為總結(jié)和回顧，在大尺寸有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，希望最小化陰極的電阻。在像素邊緣區(qū)域中可以形成與陰極連接的輔助電極。為了簡(jiǎn)化制造工藝并減少掩模的數(shù)量，發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光的有機(jī)發(fā)射層中的一部分可以被共同地形成在所有的像素中。如上所述，在公共發(fā)射層被共同地形成于所有像素中的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)公共發(fā)射層被形成在像素邊緣區(qū)域中時(shí)，公共發(fā)射層必須被去除，以將陰極和輔助電極彼此連接。
[0206]高電阻材料可以被插入在輔助電極中，以去除公共發(fā)射層，然而需要插入高電阻材料的額外工藝，當(dāng)高電阻材料與低電阻材料之間的電阻差沒(méi)有足夠大時(shí)，通常公共發(fā)射層是不可去除的。
[0207]實(shí)施例提供了一種避免或防止了被施加到大尺寸頂發(fā)射型發(fā)光結(jié)構(gòu)的公共電極的電阻增加的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。
[0208]根據(jù)實(shí)施例，通過(guò)在與輔助電極重疊的位置形成阻擋構(gòu)件，被形成在輔助電極上的公共發(fā)射層和輔助公共電極可被形成為具有足夠薄的厚度，使得被形成在輔助電極上的公共發(fā)射層和輔助公共電極可通過(guò)施加擊穿電壓所致的放電被去除。
[0209]因此，通過(guò)在公共電極處形成具有低電阻的輔助電極，公共電極的電阻可被最小化，以被施加到大尺寸的頂發(fā)射型發(fā)光結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)了功耗降低、壽命延長(zhǎng)和光效率提尚O
[0210]在本文中已經(jīng)公開(kāi)了示例性實(shí)施例，盡管采用了特定的術(shù)語(yǔ)，但它們僅以一般的和描述性的意思被使用和解釋，而不是為了限制的目的。在某些情況下，如對(duì)遞交本申請(qǐng)的領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的那樣，結(jié)合特定實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)使用，也可以與結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合使用，除非另有明確說(shuō)明。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不脫離如所附權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括: 基底； 在所述基底上的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件； 在所述基底上的至少一個(gè)阻擋構(gòu)件； 覆蓋所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的鈍化層，所述鈍化層包括暴露所述阻擋構(gòu)件的保護(hù)開(kāi)口； 在所述鈍化層上的多個(gè)像素電極，所述多個(gè)像素電極中的一個(gè)像素電極被連接到所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件中的一個(gè)開(kāi)關(guān)元件； 與所述多個(gè)像素電極分離并與所述多個(gè)像素電極形成在同一層的多個(gè)輔助電極； 包括依次形成在所述多個(gè)像素電極上的像素發(fā)射層和公共發(fā)射層的有機(jī)發(fā)射層;和 包括依次形成在所述公共發(fā)射層上的輔助公共電極和主公共電極的公共電極， 其中所述公共發(fā)射層和所述輔助公共電極具有在與所述阻擋構(gòu)件的位置對(duì)應(yīng)的位置處的公共接觸孔，并且 所述主公共電極通過(guò)所述公共接觸孔與所述多個(gè)輔助電極中的一個(gè)輔助電極連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中: 所述基底包括多個(gè)像素區(qū)域和在所述多個(gè)像素區(qū)域之間的多個(gè)像素邊緣區(qū)域，并且所述阻擋構(gòu)件、所述保護(hù)開(kāi)口和所述輔助電極位于所述多個(gè)像素邊緣區(qū)域中的一個(gè)像素邊緣區(qū)域處。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中: 所述輔助電極包括彼此分離的第一輔助電極和第二輔助電極，所述第一輔助電極和所述第二輔助電極包括彼此面對(duì)的端部。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中: 所述輔助電極與所述阻擋構(gòu)件重疊。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中: 所述阻擋構(gòu)件位于所述第一輔助電極與所述第二輔助電極之間。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中: 所述阻擋構(gòu)件通過(guò)所述保護(hù)開(kāi)口和所述公共接觸孔被暴露，并且 所述主公共電極與所述阻擋構(gòu)件連接。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，進(jìn)一步包括: 覆蓋所述多個(gè)像素電極中的一個(gè)像素電極和所述輔助電極的像素限定層，所述像素限定層包括暴露所述輔助電極的一部分的輔助開(kāi)口，并且所述阻擋構(gòu)件位于所述輔助開(kāi)口處。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中: 所述主公共電極與通過(guò)所述輔助開(kāi)口和所述公共接觸孔暴露的所述輔助電極連接，和 通過(guò)所述輔助開(kāi)口暴露的所述輔助電極與所述公共發(fā)射層連接。9.一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，所述方法包括: 在基底上形成多個(gè)開(kāi)關(guān)元件和至少一個(gè)阻擋構(gòu)件；形成覆蓋所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的鈍化層，所述鈍化層包括暴露所述阻擋構(gòu)件的保護(hù)開(kāi)P;在所述鈍化層上形成多個(gè)像素電極，所述多個(gè)像素電極中的一個(gè)像素電極被連接到所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件中的一個(gè)開(kāi)關(guān)元件； 在所述鈍化層上形成與所述多個(gè)像素電極分離的多個(gè)輔助電極，所述多個(gè)輔助電極中的一個(gè)輔助電極包括第一輔助電極和第二輔助電極； 在所述多個(gè)像素電極上形成依次包括像素發(fā)射層和公共發(fā)射層的有機(jī)發(fā)射層； 在所述公共發(fā)射層上形成輔助公共電極； 形成穿過(guò)所述公共發(fā)射層和所述輔助公共電極的公共接觸孔，所述公共接觸孔暴露所述輔助電極的一部分;和 在所述輔助公共電極上形成主公共電極，所述主公共電極通過(guò)所述公共接觸孔與所述輔助電極連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中: 所述第一輔助電極被形成為與所述第二輔助電極電隔離，和 形成所述公共接觸孔包括在所述第一輔助電極與所述第二輔助電極之間施加擊穿電壓，以能夠去除在所述阻擋構(gòu)件上的所述公共發(fā)射層和所述輔助公共電極。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105870151SQ201610082063
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年2月5日
【發(fā)明人】李源規(guī)
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司