集成電子三極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種集成電子三極管，所述的集成電子三極管包括最外層半導(dǎo)體材料層，中間層合金材料層和最內(nèi)層的硅材料層，所述半導(dǎo)體材料層為無機化合物半導(dǎo)體、有機化合物半導(dǎo)體或非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體，所述的半導(dǎo)體材料層占集成電子三極管總體分量的42?48%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的25%?30%，所述的硅材料層占集成電子三極管總體分量的25%?30%，本發(fā)明提供一種集成電子三極管，具有工作效率高、使用壽命長、節(jié)約資源的優(yōu)點。
【專利說明】
集成電子三極管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種集成電子三極管。
【背景技術(shù)】
[0002]三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。1947年12月23日，美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里，3位科學(xué)家一一巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做著實驗。他們在導(dǎo)體電路中正在進行用半導(dǎo)體晶體把聲音信號放大的實驗。3位科學(xué)家驚奇地發(fā)現(xiàn)，在他們發(fā)明的器件中通過的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流，因而產(chǎn)生了放大效應(yīng)。這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果一一晶體管。因它是在圣誕節(jié)前夕發(fā)明的，而且對人們未來的生活發(fā)生如此巨大的影響，所以被稱為“獻給世界的圣誕節(jié)禮物”。另外這3位科學(xué)家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學(xué)獎。
[0003]晶體管促進并帶來了“固態(tài)革命”，進而推動了全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體電子工業(yè)。作為主要部件，它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到應(yīng)用，并產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟效益。由于晶體管徹底改變了電子線路的結(jié)構(gòu)，集成電路以及大規(guī)模集成電路應(yīng)運而生，這樣制造像高速電子計算機之類的高精密裝置就變成了現(xiàn)實。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種具有工作效率高、使用壽命長、節(jié)約資源優(yōu)點的集成電子三極管。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種集成電子三極管，所述的集成電子三極管包括最外層半導(dǎo)體材料層，中間層合金材料層和最內(nèi)層的娃材料層，所述半導(dǎo)體材料層為無機化合物半導(dǎo)體、有機化合物半導(dǎo)體或非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體，所述的半導(dǎo)體材料層占集成電子三極管總體分量的42-48%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%。
[0006]在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述硅材料層為硅多晶、硅單晶或硅片。
[0007]在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述的半導(dǎo)體材料層占集成電子三極管總體分量的46%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的26%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的28%。
[0008]本發(fā)明的一種集成電子三極管，具有工作效率高、使用壽命長、節(jié)約資源的優(yōu)點。
【具體實施方式】
[0009]下面對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0010]其中，所述的集成電子三極管包括最外層半導(dǎo)體材料層，中間層合金材料層和最內(nèi)層的硅材料層，所述半導(dǎo)體材料層為無機化合物半導(dǎo)體、有機化合物半導(dǎo)體或非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體，所述的半導(dǎo)體材料層占集成電子三極管總體分量的42-48%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%。
[0011]進一步說明，所述硅材料層為硅多晶、硅單晶或硅片，所述的半導(dǎo)體材料層占集成電子三極管總體分量的46%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的26%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的28%。
[0012]在進一步說明，無機化合物半導(dǎo)體分二元系、三元系、四元系等。二元系包括:①IV-1V族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結(jié)構(gòu)。②m-V族:由周期表中m族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成，典型的代表為GaAs。它們都具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，它們在應(yīng)用方面僅次于66、51，有很大的發(fā)展前途。?11-￥1族:11族元素211工(1、取和￥1族元素5、56、1'6形成的化合物，是一些重要的光電材料。ZnS、CdTe、HgTe具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。④I 一 W族:1族元素Cu、Ag、Au和W族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。⑤V-VI族:V族元素As、Sb、Bi和VI族元素3、36 36形成的化合物具有的形式，如化2163、812363、81233、As2Te3等是重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、Zn、Sc、T1、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物，為主要的熱敏電阻材料。⑦某些稀土族元素Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm與V族元素N、As或VI族元素S、Se、Te形成的化合物。除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導(dǎo)體，例如S1-AlP、Ge_GaAs、InAs-1nSb、Al Sb-GaSb、InAs-1nP、GaAs_GaP等。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開辟新的應(yīng)用范圍方面起很大作用。三元系包括:族:這是由一個π族和一個IV族原子去替代m—V族中兩個m族原子所構(gòu)成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族:這是由一個I族和一個ΙΠ族原子去替代Π-VI族中兩個Π族原子所構(gòu)成的，如CuGaSe2、AgInTe2、AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。:這是由一個I族和一個V族原子去替代族中兩個ΙΠ族原子所組成，如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，還有它的結(jié)構(gòu)基本為閃鋅礦的四元系(例如Cu2Fe SnS4 )和更復(fù)雜的無機化合物。
[0013]有機化合物半導(dǎo)體已知的有機半導(dǎo)體有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它們作為半導(dǎo)體尚未得到應(yīng)用。非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體這類半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的最大區(qū)別是不具有嚴格周期性排列的晶體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供一種集成電子三極管，具有工作效率高、使用壽命長、節(jié)約資源的優(yōu)點。
[0014]本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種集成電子三極管，其特征在于:所述的集成電子三極管包括最外層半導(dǎo)體材料層，中間層合金材料層和最內(nèi)層的娃材料層，所述半導(dǎo)體材料層為無機化合物半導(dǎo)體、有機化合物半導(dǎo)體或非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體，所述的半導(dǎo)體材料層占集成電子三極管總體分量的42-48%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的25%-30%，所述的硅材料層占集成電子二極管總體分量的25%_30%。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電子三極管，其特征在于:所述硅材料層為硅多晶、硅單晶或硅片。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電子三極管，其特征在于:所述的半導(dǎo)體材料層占集成電子三極管總體分量的46%，所述的合金材料層占集成電子三極管總體分量的26%，所述的娃材料層占集成電子三極管總體分量的28%。
【文檔編號】H01L51/05GK105870175SQ201610214728
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月8日
【發(fā)明人】錢偉國
【申請人】太倉凱豐電子科技有限公司