一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體，用于綠光激光器，包括激光晶體和非線性晶體，激光晶體和非線性晶體通過紫外膠層固化粘合；激光晶體為Nd:YVO4晶體，非線性晶體為YCOB晶體、GdCOB晶體或GdYCOB晶體；激光晶體的第一端面鍍有808nm增透膜、1064nm高反膜，第二端面鍍有808nm高反膜，1064nm增透膜；非線性晶體的第一端面鍍有1064nm增透膜、532nm高反膜，第二端面鍍有1064nm高反膜、532nm增透膜：紫外膠層設置在激光晶體的第二端面和非線性晶體的第一端面之間。本發(fā)明的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體具有溫度穩(wěn)定性高、光學性能好、品質(zhì)一致性優(yōu)和生產(chǎn)效率高的特點。
【專利說明】
一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體及其制作方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及晶體加工技術領域，具體是指一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體及其制作方法。
【背景技術】
[0002]使用綠光組合功能晶體是產(chǎn)生低功率綠光的低成本技術途徑。過去，組合晶體通常由激光晶體Nd: YV04和非線性光學晶體KTi0P04(KTP)組成。但由于KTP晶體具有較窄的溫度容限帶寬，利用Nd:YV04+KTP所制成的綠光激光器在一定時間使用后存在位相匹配角漂移現(xiàn)象，導致激光器出光光功率減弱。因此在低功率綠光激光器應用領域，人們期望使用溫度穩(wěn)定性更高的組合晶體。為此我們公開了一種新型的綠光組合功能晶體，該組合功能晶體由激光晶體Nd: YV04和非線性光學晶體YCOB或GdCOB或GdYCOB晶體組成，以取代當前的Nd: YV04+KTP組合功能晶體。與已有的Nd: YV04+KTP組合晶體相比新型的綠光組合功能晶體具有寬的溫度容限帶寬，長時間使用時，無相位匹配角漂移現(xiàn)象，出光功率可以保持穩(wěn)定。YCOB和GdCOB和GdYCOB晶體的熱光系數(shù)與KTP及其他通常硼酸鹽非線性晶體要小一個數(shù)量級，且生長及加工方法要優(yōu)于后者。
[0003]鑒于Nd:YV04+KTP組合功能晶體的較窄的工作溫度區(qū)間，尤其是在O度攝氏度及以下溫度，Nd: YV04+KTP組合功能晶體在無溫控情況下無法正常工作，專利CN 104051950 A提出了一種寬溫綠光激光器的設計，其核心內(nèi)容為Nd: YCOB或Nd: GdCOB作為自倍頻晶體輸出綠光激光，并初步達到了寬溫工作溫度，尤其是在O度攝氏度附近可保持基本正常工作。
[0004]但是，我們注意到，除了溫度穩(wěn)定性以外，綠光激光器輸出功率也是重要的指標，在相同的栗浦條件下(例如相同的半導體激光器工作電流)以及在相同的晶體尺寸下，相對于Nd: YV04+KTP組合功能晶體，自倍頻晶體輸出綠光功率較低。
[0005]本專利中所言YCOB或GdCOB或GdYCOB晶體作為倍頻晶體相對于倍頻晶體KTP具有更寬的溫度容限帶寬；與激光晶體Nd: YV04膠合或光膠成新的綠光組合功能晶體，相對于KTP激光光功率輸出更高，長時間使用時相位匹配角無因溫度變化漂移現(xiàn)象。
[0006]專利CN102856786A提出了一種基于硼酸氧鈣鹽晶體的綠光激光器的設計。其核心內(nèi)容為通過將摻釹硼酸氧鈣鹽晶體(Nd: YCOB; Nd: GdCOB; Nd: GdYCOB)加工成四分之一波片，用以抑制綠光激光器噪聲。同樣存在輸出激光功率較低的問題。
【背景技術】
[0007]附圖1為本發(fā)明所述一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體制做成的柱狀激光器的結構示意圖；
附圖2為本發(fā)明所述一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體制做成的板條狀激光器的結構示意圖。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明針對現(xiàn)有Nd:YV04+KTP組合晶體溫度穩(wěn)定性差的缺點，利用YCOB，GdC0B，或GdYCOB作為倍頻晶體所擁有的寬溫工作特性，本發(fā)明提供一種新型的綠光組合功能晶體，使用該組合功能晶體制作的綠光激光器具有溫度穩(wěn)定性高的特點，長時間使用時，出光功率可以保持穩(wěn)定。
[0009]本發(fā)明可以通過以下技術方案來實現(xiàn):
本發(fā)明公開了一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體，用于綠光激光器，包括激光晶體和非線性晶體，所述激光晶體和所述非線性晶體通過紫外膠層固化粘合;所述激光晶體為Nd:YVO^aB體，所述非線性晶體為YCa4O (BO3)3晶體、GdCa4O (BO3)3晶體或GdYCOB晶體;所述激光晶體的第一端面鍍有808nm增透膜、1064nm高反膜，第二端面鍍有808nm高反膜，1064nm增透膜，所述高反膜的反射率>99.8%，所述增透膜的透過率>95%;所述非線性晶體的第一端面鍍有1064nm增透膜、532nm高反膜，第二端面鍍有1064nm高反膜、532nm增透膜，所述高反膜的反射率>99.8%，所述增透膜的透過率>95%:所述紫外膠層設置在所述激光晶體的第二端面和非線性晶體的第一端面之間。
[0010]在具體技術術語上，Nd= YVO4為釹摻雜f凡酸乾的通用簡稱;YCOB為硼酸氧|丐|乙的通用簡稱，其具體化學式為YCa4O(BO3)35GdCOB為硼酸氧鈣釓的通用簡稱，其具體化學式為GdCa4O(BO3)3t3GdYCOB為硼酸氧鈣釔釓。其具體化學式為GdxY1-XCa4O(BO3)3，其中0〈χ〈1。
[0011]—種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，包括以下步驟:
第一步、研磨拋光，對激光晶體和非線性晶體分別進行研磨，然后進行拋光和超聲清洗，所述激光晶體為Nd: YV04晶體，所述非線性晶體為YCOB晶體、GdCOB晶體或GdYCOB晶體；第二步、二次清洗，對完成第一步所得的激光晶體和非線性晶體進行二次清洗，然后晾干；
第三步、激光晶體鍍膜，對Nd: YV04晶體的第一端面鍍808nm增透膜、1064nm高反膜，第二端面鍍808nm高反膜、1064nm增透膜；
第四步、非線性晶體鍍膜，對非線性晶體的第一端面鍍1064nm增透膜、532nm高反膜，第二端面鍍1064nm高反膜、532nm增透膜；
第五步、涂膠貼合，將紫外膠涂在激光晶體的第二端面上，并把激光晶體的第二端面與非線性晶體晶體的第一端面對齊、重合；
第六步、固化粘合，在光學比較儀上調(diào)整激光晶體和非線性晶體的相對位置，然后用紫外燈照射使紫外膠固化，實現(xiàn)兩種晶體的牢固粘合即可得到用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體。
[0012]進一步地，所述用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體在實際使用前還經(jīng)過切割成器步驟進行處理，將第六步所得的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體按設計尺寸切割，然后對標準尺寸膠合功能晶體進行清洗、晾干。
[0013]進一步地，第一步所述研磨拋光的步驟包括:
a).用內(nèi)圓切割機或單線金剛石切割機將激光晶體和非線性晶體切割成毛坯片，切割方向垂直于通光方向，其中激光晶體為(90°，0° )，厚度Imm;非線性晶體中YCa4O(BO3)3晶體為(113±1。，36.5±1。)，厚度3謹;6(^&40(803)3晶體為(113.2±1。，47.4± I。)，厚度3mm;晶體切割方向用X射線定向儀確定；
b).以10微米粒徑的金剛石為磨料，在雙面研磨機上，將切割后的毛坯片研磨平整； c).以0.5微米粒徑的氧化鈰為磨料，以軟布墊為拋光墊，在雙面拋光機上，將研磨后的晶體拋光。
[0014]進一步地，第一步所述超聲清洗的清洗液為含丙酮的水溶液，第二步所述二次清洗的清洗液為含酒精的水溶液。
[0015]進一步地，第三步所述激光晶體鍍膜和第四步所述非線性晶體鍍膜采用低溫冷鍍的離子濺射工藝進行真空鍍膜，鍍膜時真空度高于5,10—6Torr,溫度為20?80°C。
[0016]進一步地，第五步所述涂膠貼合膠合過程中，紫外膠的用量3-4yl/cm2,
進一步地，第六步固化粘合過程中紫外燈照射的時間為30s。
[0017]進一步地，所述切割成器處理中對用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體按設計尺寸切割包含以下工藝步驟:
A).將以丙酮為溶劑的醋酸纖維素溶液滴在用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的兩鍍膜端面上，待丙酮揮發(fā)后形成一層保護膜；
B).采用金剛石多線切割機進行切割，其中切割線為鑲有金剛石顆粒的鋼線。
[0018]進一步地，切割成器的過程中，采用醋酸纖維素作為保護膜對組合晶體基本的兩端面進行保護。
[0019]本發(fā)明一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體及其制作方法，具有如下的有益效果:第一、溫度穩(wěn)定性高，用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體采用激光晶體NchYVO4晶體在端面貼合非線性晶體YCOB晶體、GdCOB晶體或GdYCOB晶體的技術方案，使用該用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體制作的綠光激光器具有更高的溫度穩(wěn)定性；
第二、光學性能好，對激光晶體或非線性光學晶體加工的過程中采用雙面研磨和拋光技術，可以提高晶體的平整度和平行度，并提高加工效率；
第三、品質(zhì)一致性優(yōu)，由于分割成器件的切割過程中采用了保護鍍膜面的方案，拋棄了傳統(tǒng)的先切割，后拋光、鍍膜的方案，而是采用先拋光、鍍膜，再膠合、固化，最后分割成器件的方案，可以保證產(chǎn)品具有比較高的一致性。
[0020]第四、生產(chǎn)效率高，對激光晶體或非線性光學晶體加工的過程中采用雙面研磨和拋光技術提高晶體的平整度和平行度的提升有效提高加工效率。切割過程中采用金剛石多線切割機，一次切割面積可達4 一6英寸，也大大提高了工作效率。
【具體實施方式】
[0021]為了使本技術領域的人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合實施例及對本發(fā)明產(chǎn)品作進一步詳細的說明。
[0022]實施例1
本發(fā)明公開了一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體，用于綠光激光器，具體是采用以下制作方法制作的:
用內(nèi)圓切割機將Nd: YVO4OO0，0° )晶體切割成厚度為Imm的毛坯片，將YCOB晶體(113±1°，36.5± 1°)切割成厚度為3mm的毛還片。切割方向由X射線定向儀確定。毛還面積可根據(jù)可用的實際晶體大小確定，可以為I OmnT I Omm，2 OmnT 2 Omm，3 OmnT 3 Omm或其它尺寸，盡量提尚晶體的利用率。
[0023]然后分別將切割后的Nd: YV04和YCOB毛坯片在雙面研磨機上研磨，磨料采用粒度為10微米的金剛石粉。研磨完成后，在雙面拋光機上對晶體進一步拋光，拋光墊為軟布墊，拋光粉采用粒度為0.5微米的氧化鈰粉。拋光后晶體基片的平面度達到1/6，平行度達到5秒，粗糙度小于I微米。
[0024]采用二次清洗法對兩種激光晶體和非線性拋光片進行清洗。
[0025]將待鍍膜的激光晶體和非線性晶體置于鍍膜機的腔體內(nèi)，啟動鍍膜設備，對腔體進行抽空，當真空度達到510—6Torr時，啟動預先設定的鍍膜程序，進行自動化鍍膜。對Nd:YV04晶體第一端面鍍808nm增透膜，1064nm高反膜，第二端面鍍808nm高反膜，1064nm增透膜。對YCOB晶體第一端面鍍1064nm增透膜，532nm高反膜，第二端面鍍1064nm高反膜，532nm增透膜。
[0026]將Nd: YVO4晶體放置于點膠機上，第二端面朝上，按照3-4ml/cm2的紫外膠量進行點膠，之后將YCOB晶體的第一端面朝下，與Nd: YVO4晶體的第一端面接觸，兩晶體做輕度相對滑動，以使紫外膠均勻分布。
[0027]將上述晶體置于光學比較儀上，調(diào)整兩片晶體發(fā)射像重合，用紫外燈照射30秒以上進行固化處理。之后轉(zhuǎn)入UV固化箱中進行12小時以上的深度固化。
[0028]將以丙酮為溶劑的醋酸纖維素溶液分別滴在組合晶體的兩鍍膜端面上，待丙酮揮發(fā)后形成一層保護膜。之后采用金剛石多線切割機將組合晶體分割成ImnTlmm的方塊。
[0029]采用二次清洗技術對上述組合晶體方塊進行清洗，干燥。
[0030]對組合晶體方塊進行裝配，用導熱膠固定在銅制散熱支架上，之后進行功率和光斑形狀的測試，要求功率高于20mW，光斑形狀為圓形。檢測完成后可封裝入庫。
[0031]實施例2
本發(fā)明公開了一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體，用于綠光激光器，具體是采用以下制作方法制作的:
用內(nèi)圓切割機將Nd:YV04(90°，0° )晶體切割成厚度為Imm的毛坯片，將⑶COB晶體(113±1°，36.5± 1°)切割成厚度為3mm的毛還片。切割方向由X射線定向儀確定。毛還面積可根據(jù)可用的實際晶體大小確定，可以為I OmnT I Omm，2 OmnT 2 Omm，3 OmnT 3 Omm或其它尺寸，盡量提尚晶體的利用率。
[0032]然后分別將切割后的Nd: YV04和⑶⑶B毛坯片在雙面研磨機上研磨，磨料采用粒度為10微米的金剛石粉。研磨完成后，在雙面拋光機上對晶體進一步拋光，拋光墊為軟布墊，拋光粉采用粒度為0.5微米的氧化鈰粉。拋光后晶體基片的平面度達到1/6，平行度達到5秒，粗糙度小于I微米。
[0033]采用二次清洗法對兩種激光晶體和非線性拋光片進行清洗。
[0034]將待鍍膜的激光晶體和非線性晶體置于鍍膜機的腔體內(nèi)，啟動鍍膜設備，對腔體進行抽空，當真空度達到510—6Torr時，啟動預先設定的鍍膜程序，進行自動化鍍膜。對Nd:YV04晶體第一端面鍍808nm增透膜，1064nm高反膜，第二端面鍍808nm高反膜，1064nm增透膜。對⑶COB晶體第一端面鍍1064nm增透膜，532nm高反膜，第二端面鍍1064nm高反膜，532nm增透膜。
[0035]將NchYVO4晶體放置于點膠機上，第二端面朝上，按照3-4yl/cm2的紫外膠量進行點膠，之后將GdCOB晶體的第一端面朝下，與Nd: YVO4晶體的第一端面接觸，兩晶體做輕度相對滑動，以使紫外膠均勻分布。
[0036]將上述晶體置于光學比較儀上，調(diào)整兩片晶體發(fā)射像重合，用紫外燈照射30秒以上進行固化處理。之后轉(zhuǎn)入UV固化箱中進行12小時以上的深度固化。
[0037]將以丙酮為溶劑的醋酸纖維素溶液分別滴在組合晶體的兩鍍膜端面上，待丙酮揮發(fā)后形成一層保護膜。之后采用金剛石多線切割機將組合晶體分割成ImnTlmm的方塊。
[0038]采用二次清洗技術對上述組合晶體方塊進行清洗，干燥。
[0039]對組合晶體方塊進行裝配，用導熱膠固定在銅制散熱支架上，之后進行功率和光斑形狀的測試，要求功率高于20mW，光斑形狀為圓形。檢測完成后可封裝入庫。
[0040]實施例3
本發(fā)明公開了一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體，用于綠光激光器，具體是采用以下制作方法制作的:
用內(nèi)圓切割機將Nd:YV04(90°，0°)晶體切割成厚度為Imm的毛坯片，將GDYCOB晶體(113±1°，36.5±1°)切割成厚度為3mm的毛坯片。切割方向由X射線定向儀確定。毛坯面積可根據(jù)可用的實際晶體大小確定，可以為1mm 10mm,20mm 20mm,30mm 30mm或其它尺寸，盡量提尚晶體的利用率。
[0041 ] 然后分別將切割后的Nd: YV04和⑶YCOB毛坯片在雙面研磨機上研磨，磨料采用粒度為10微米的金剛石粉。研磨完成后，在雙面拋光機上對晶體進一步拋光，拋光墊為軟布墊，拋光粉采用粒度為0.5微米的氧化鈰粉。拋光后晶體基片的平面度達到1/6，平行度達到5秒以內(nèi)，粗糙度小于I微米。
[0042]采用二次清洗法對兩種激光晶體和非線性拋光片進行清洗。
[0043]將待鍍膜的激光晶體和非線性晶體置于鍍膜機的腔體內(nèi)，啟動鍍膜設備，對腔體進行抽空，當真空度達到510—6Torr時，啟動預先設定的鍍膜程序，進行自動化鍍膜。對Nd:YV04晶體第一端面鍍808nm增透膜，1064nm高反膜，第二端面鍍808nm高反膜，1064nm增透膜。對GDYCOB晶體第一端面鍍1064nm增透膜，532nm高反膜，第二端面鍍1064nm高反膜，532nm增透膜。
[0044]將Nd: YVO4晶體放置于點膠機上，第二端面朝上，按照3-4μ1/αιι2的紫外膠量進行點膠，之后將GDYCOB晶體的第一端面朝下，與Nd: YVO4晶體的第一端面接觸，兩晶體做輕度相對滑動，以使紫外膠均勻分布。
[0045]將上述晶體置于光學比較儀上，調(diào)整兩片晶體發(fā)射像重合，用紫外燈照射30秒以上進行固化處理。之后轉(zhuǎn)入UV固化箱中進行12小時以上的深度固化。
[0046]將以丙酮為溶劑的醋酸纖維素溶液分別滴在組合晶體的兩鍍膜端面上，待丙酮揮發(fā)后形成一層保護膜。之后采用金剛石多線切割機將組合晶體分割成ImnTlmm的方塊。
[0047]采用二次清洗技術對上述組合晶體方塊進行清洗，干燥。
[0048]對組合晶體方塊進行裝配，用導熱膠固定在銅制散熱支架上，之后進行功率和光斑形狀的測試，要求功率高于20mW，光斑形狀為圓形。檢測完成后可封裝入庫。
[0049]實施例4
如附圖1所示，把實施例1?3所得的組合晶體切割成柱狀，所述的柱狀的兩個端面為通光面，切割成器的過程中，采用醋酸纖維素作為保護膜對組合晶體基本的兩端面進行保護。
[0050]實施例5
如附圖2所示，把實施例1?3所得的組合晶體切割成板條狀，所述的板條狀的兩個端面為通光面，切割成器的過程中，采用醋酸纖維素作為保護膜對組合晶體基本的兩端面進行保護。
[0051]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制;凡本行業(yè)的普通技術人員均可按說明書所示和以上所述而順暢地實施本發(fā)明；但是，凡熟悉本專業(yè)的技術人員在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，可利用以上所揭示的技術內(nèi)容而作出的些許更動、修飾與演變的等同變化，均為本發(fā)明的等效實施例；同時，凡依據(jù)本發(fā)明的實質(zhì)技術對以上實施例所作的任何等同變化的更動、修飾與演變等，均仍屬于本發(fā)明的技術方案的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體，用于綠光激光器，其特征在于:包括激光晶體和非線性晶體，所述激光晶體和所述非線性晶體通過紫外膠層固化粘合； 所述激光晶體為Nd: YV04晶體，所述非線性晶體為YCa4O (BO3)3晶體、GdCa4O (BO3)3晶體或GdYCOB晶體; 所述激光晶體的第一端面鍍有808nm增透膜、1064nm高反膜，第二端面鍍有808nm高反膜，1064nm增透膜，所述高反膜的反射率>99.8%，所述增透膜的透過率>95%; 所述非線性晶體的第一端面鍍有1064nm增透膜、532nm高反膜，第二端面鍍有1064nm高反膜、532nm增透膜，所述高反膜的反射率>99.8%，所述增透膜的透過率>95%: 所述紫外膠層設置在所述激光晶體的第二端面和非線性晶體的第一端面之間。2.—種權利要求1所述的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，其特征在于包括以下步驟: 第一步、研磨拋光，對激光晶體和非線性晶體分別進行研磨，然后進行拋光和超聲清洗，所述激光晶體為Nd = YVO4晶體，所述非線性晶體為YCa4O(BO3)3晶體、GdCa4O(BO3)3晶體或GdYCOB晶體; 第二步、二次清洗，對完成第一步所得的激光晶體和非線性晶體進行二次清洗，然后晾干； 第三步、激光晶體鍍膜，對Nd: YV04晶體的第一端面鍍808nm增透膜、1064nm高反膜，第二端面鍍808nm高反膜、1064nm增透膜； 第四步、非線性晶體鍍膜，對非線性晶體的第一端面鍍1064nm增透膜、532nm高反膜，第二端面鍍1064nm高反膜、532nm增透膜； 第五步、涂膠貼合，將紫外膠涂在激光晶體的第二端面上，并把激光晶體的第二端面與非線性晶體晶體的第一端面對齊、重合； 第六步、固化粘合，在光學比較儀上調(diào)整激光晶體和非線性晶體的相對位置，然后用紫外燈照射使紫外膠固化，實現(xiàn)兩種晶體的牢固粘合即可得到用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體。3.根據(jù)權利要求2所述的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，其特征在于:所述用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體在實際使用前還經(jīng)過切割成器步驟進行處理，將第六步所得的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體按設計尺寸切割，然后對標準尺寸膠合功能晶體進行清洗、晾干。4.根據(jù)權利要求2或3所述的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，其特征在于:第一步所述研磨拋光的步驟包括: a).用內(nèi)圓切割機或單線金剛石切割機將激光晶體和非線性晶體切割成毛坯片，切割方向垂直于通光方向，其中激光晶體為(90°，0° )，厚度Imm;非線性晶體中YCa4O(BO3)3晶體為(113±1。，36.5±1。)，厚度3謹;6(^&40(803)3晶體為(113.2±1。，47.4± I。)，厚度3mm;晶體切割方向用X射線定向儀確定； b).以10微米粒徑的金剛石為磨料，在雙面研磨機上，將切割后的毛坯片研磨平整； c).以0.5微米粒徑的氧化鈰為磨料，以軟布墊為拋光墊，在雙面拋光機上，將研磨后的晶體拋光。5.根據(jù)權利要求4所述的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，其特征在于:第一步所述超聲清洗的清洗液為丙酮溶液，第二步所述二次清洗的清洗液為含酒精的水溶液。6.根據(jù)權利要求5所述的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，其特征在于:第三步所述激光晶體鍍膜和第四步所述非線性晶體鍍膜采用低溫冷鍍的離子濺射工藝進行真空鍍膜，鍍膜時真空度高于5,10—6Torr,溫度為20?80°C。7.根據(jù)權利要求6所述的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，其特征在于:第五步所述涂膠貼合膠合過程中，紫外膠的用量3-4yl/c m2o8.根據(jù)權利要求7所述的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，其特征在于:第六步固化粘合過程中紫外燈照射的時間為30s。9.根據(jù)權利要求8所述的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，其特征在于:所述切割成器處理中對用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體按設計尺寸切割包含以下工藝步驟: A).將以丙酮為溶劑的醋酸纖維素溶液滴在用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的兩鍍膜端面上，待丙酮揮發(fā)后形成一層保護膜； B).采用金剛石多線切割機進行切割，其中切割線為鑲有金剛石顆粒的鋼線。10.根據(jù)權利要求9所述的用于產(chǎn)生綠光的組合功能晶體的制作方法，其特征在于:切割成器的過程中，采用醋酸纖維素作為保護膜對組合晶體基本的兩端面進行保護。
【文檔編號】H01S3/109GK105870776SQ201610419987
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年6月13日
【發(fā)明人】馬玉珂
【申請人】馬玉珂