鑄模材料中的三維結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種方法，包括通過堆積工藝在基板上形成至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)；在基板上引入一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片；以及在至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片上引入鑄模材料。一種方法，包括通過三維印刷工藝在基板上形成至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)；在基板上引入一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片；以及在鑄模材料中內(nèi)嵌所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片。一種裝置，包括封裝基板，包括內(nèi)嵌于鑄模材料中的至少一個(gè)三維印刷無源結(jié)構(gòu)和一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片。
【專利說明】鑄模材料中的三維結(jié)構(gòu)
[0001 ] 背景
[0002]題堡
[0003]集成電路封裝。
[0004]相關(guān)技術(shù)說明
[0005]更高水平集成度和更低的成本要求驅(qū)使著元件的集成，諸如系統(tǒng)級(jí)封裝“SiP”解決方案。在這方面，尺寸的減小和成本的降低以及功能的增加是主要的推動(dòng)力。
【附圖說明】
[0006]圖1示出了包括粘合層及粘合層上接觸點(diǎn)的犧牲載體的側(cè)面剖視圖。
[0007]圖2示出了在粘合層上形成無源結(jié)構(gòu)并被連接至接觸點(diǎn)之后圖1的結(jié)構(gòu)。
[0008]圖3示出了在粘合層上引入兩個(gè)集成電路芯片之后圖2的結(jié)構(gòu)。
[0009]圖4示出了為嵌入無源結(jié)構(gòu)和集成電路芯片在粘合層上引入鑄模材料之后圖3的結(jié)構(gòu)。
[0010]圖5示出了從載體移除內(nèi)嵌于鑄模材料中的結(jié)構(gòu)之后圖4的結(jié)構(gòu)。
[0011]圖6示出了為包括金屬化層和接觸點(diǎn)以及在接觸點(diǎn)上放置焊料連接的其他晶片級(jí)處理之后圖5的結(jié)構(gòu)。
[0012]圖7示出了以倒裝芯片配置被連接至基板上的接觸點(diǎn)的集成電路芯片。
[0013]圖8示出了在基板上引入粉末材料以及形成無源結(jié)構(gòu)的堆積或附加工藝之后圖7的結(jié)構(gòu)。
[0014]圖9示出了通過附加或堆積工藝完成無源結(jié)構(gòu)之后圖8的結(jié)構(gòu)。
[0015]圖10示出了在移除未被電磁輻射熔化的用于形成無源結(jié)構(gòu)的粉末之后圖9的結(jié)構(gòu)。
[0016]圖11示出了在基板表面上引入鑄模材料以將集成電路芯片和無源結(jié)構(gòu)嵌入在鑄模材料中之后圖10的結(jié)構(gòu)。
[0017]圖12示出了在引入焊料連接至基板第二側(cè)邊上的接觸點(diǎn)之后圖11的結(jié)構(gòu)。
[0018]圖13示出了集成有集成電路芯片和縱向線圈的無源結(jié)構(gòu)的封裝。
[0019]圖14示出了集成有集成電路芯片和在并排多線圈中以多線圈配置的多個(gè)線圈的封裝結(jié)構(gòu)。
[0020]圖15示出了具有集成電路芯片和以多纏繞線圈水平配置的線圈的封裝基板。
[0021]圖16示出了具有多纏繞線圈縱向配置的封裝結(jié)構(gòu)。
[0022]圖17示出了一種封裝結(jié)構(gòu)，其集成有集成電路芯片和以并排多線圈配置并具有置于線圈之間的例如磁性材料的芯的多個(gè)無源線圈。
[0023]圖18示出了一種封裝結(jié)構(gòu)，其集成有集成電路芯片、以縱向多纏繞線圈配置并具有磁性材料串通其中的多個(gè)無源線圈、以及以水平多纏繞線圈配置并具有磁性芯串通其中的多個(gè)線圈。
[0024]圖19示出了一種封裝基板，其集成有集成電路芯片和多個(gè)無源結(jié)構(gòu)，每個(gè)無源結(jié)構(gòu)都帶有互連，特別是例如銅材料的穿模導(dǎo)電過孔。
[0025]圖20示出了集成有集成電路芯片和接地屏蔽的無源結(jié)構(gòu)的封裝基板。
[0026]圖21示出了集成有集成電路芯片和天線的無源結(jié)構(gòu)的封裝基板。
[0027]圖22示出了一種計(jì)算設(shè)備的實(shí)施例。
[0028]詳細(xì)說明
[0029]本文描述了一種集成無源元件和有源電路元件，諸如封裝中的集成電路芯片或多顆芯片的方法。有源電路元件是具有電氣控制電子流動(dòng)的能力的任何類型電路元件。本文中的無源元件或結(jié)構(gòu)是不具有通過電氣信號(hào)的方式控制電流的能力的元件或結(jié)構(gòu)。無源元件或結(jié)構(gòu)的示例包括電阻器、電容器、電感器、濾波器、平衡-不平衡變換器、收發(fā)器、接收器和/或互連、天線以及屏蔽。在一個(gè)實(shí)施例中，一種方法包括在基板上形成無源元件或結(jié)構(gòu)，以及在基板上引入一個(gè)或多個(gè)有源電路元件(例如，一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片)，隨后在至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和一個(gè)或多個(gè)有源元件上引入鑄模材料。在一個(gè)實(shí)施例中，在基板上形成無源結(jié)構(gòu)是通過堆積工藝或加成工藝完成的。代表性地，三維加成工藝(例如，三維印刷工藝)被用以產(chǎn)生無源結(jié)構(gòu)。三維加成工藝的典型代表是選擇性熔化或燒結(jié)工藝，諸如選擇性激光熔化系統(tǒng)或立體光刻工藝，其中例如，液體光聚合物被暴露至電磁能量以選擇性地固化液體。簡(jiǎn)單或復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)，例如線圈、天線、電阻器、或屏蔽可在封裝過程之前或期間通過堆積或加成工藝(例如，逐層)被建造。另外，整個(gè)封裝容積可被用以放置和創(chuàng)建額外的元件，這些元件增加了封裝模組的功能和/或性能。通過采用使得整個(gè)封裝容積可供有源和無源結(jié)構(gòu)利用的方法，還能以二維無源結(jié)構(gòu)無法實(shí)現(xiàn)的方式改善無源結(jié)構(gòu)的電特性。最終，通過在完整的封裝容積內(nèi)實(shí)現(xiàn)無源元件或結(jié)構(gòu)，封裝的覆蓋面積相比具有無源結(jié)構(gòu)被并排貼裝在印刷電路板上的封裝可被制作得相對(duì)更小。
[0030]圖1-6示出了一種產(chǎn)生封裝的工藝流程的實(shí)施例，該封裝包括至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和內(nèi)嵌于封裝容積中的一個(gè)或多個(gè)有源電路元件(例如，一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片)的集成。在該實(shí)施例中，工藝流程采用了扇出晶片級(jí)鍵合技術(shù)，而內(nèi)嵌于最終封裝中的無源結(jié)構(gòu)是線圈。圖1示出了犧牲載體的側(cè)面剖視圖。舉例而言，載體110是金屬、聚合物或陶瓷材料，其具有足夠?yàn)橄乱还に嚥僮魈峁┕δ艿木哂写硇缘暮穸?例如，毫米級(jí)厚度)。粘合劑層115被置于結(jié)構(gòu)100的載體110表面上(如所見，為上表面)。在一個(gè)實(shí)施例中，粘合劑層115是層疊于載體110的雙面粘合箔。在一個(gè)實(shí)施例中，可選接觸點(diǎn)(諸如金屬焊盤/表面，用于器件在結(jié)構(gòu)上形成)被置于粘合層115上。
[0031]圖2示出了在粘合層115上形成無源結(jié)構(gòu)之后圖1的結(jié)構(gòu)，在該實(shí)施例中，該無源結(jié)構(gòu)被連接至接觸點(diǎn)120 ο在一個(gè)實(shí)施例中，無源結(jié)構(gòu)130A、無源結(jié)構(gòu)130B和無源結(jié)構(gòu)130C分別都是通過堆積或加成工藝(例如，三維印刷工藝)形成的三維無源結(jié)構(gòu)。圖2將無源結(jié)構(gòu)130A和無源結(jié)構(gòu)130B示為水平放置線圈，而無源結(jié)構(gòu)130C是縱向放置線圈?？梢岳斫獾氖?，線圈是結(jié)構(gòu)的一種示例，其可通過堆疊或加成工藝(諸如3D印刷工藝)來構(gòu)建。其他結(jié)構(gòu)包括可構(gòu)想的其他無源結(jié)構(gòu)。
[0032]圖3示出了在結(jié)構(gòu)中引入兩個(gè)集成電路芯片之后圖2的結(jié)構(gòu)。圖3示出了附著于粘合層115的集成電路芯片140A和集成電路芯片140B。集成電路140A和集成電路芯片140B被置于粘合層115上未被無源結(jié)構(gòu)130A-130C占據(jù)(例如，它們之間)的區(qū)域。圖3特別示出了被置于無源結(jié)構(gòu)130A和無源結(jié)構(gòu)130C之間的集成電路芯片140A以及被置于集成電路芯片130B和集成電路芯片130C之間的集成電路芯片140B。在一個(gè)實(shí)施例中，集成電路芯片140A和集成電路芯片140B分別有一個(gè)器件側(cè)邊朝向粘合層115放置(如所見，器件側(cè)朝下)。在另一實(shí)施例中，多芯片或管芯可被置于無源結(jié)構(gòu)130A與130B和/或130B與130C之間。
[0033]圖4示出了在粘合層上引入鑄模材料以用于在其上嵌入無源結(jié)構(gòu)和集成電路芯片之后圖3的結(jié)構(gòu)。圖4示出了被置于粘合層115上并被引入用于嵌入無源結(jié)構(gòu)130A-130C和集成電路芯片140A-140B的厚度的鑄模材料150。在一個(gè)實(shí)施例中，適于鑄模材料150的材料是諸如KE-Gl 250FC-20⑶或填充有環(huán)氧樹脂基鑄模材料的鑄模材料。
[0034]圖5示出了從載體移除內(nèi)嵌于鑄模材料150中的結(jié)構(gòu)之后圖4的結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，通過增加熱、化學(xué)或任意其他形式的能量來釋放(分離)載體。圖5示出了在釋放基板110和粘合層115之后，包括內(nèi)嵌于鑄模材料150中的無源結(jié)構(gòu)130A-130C和集成電路芯片140A-140B 的結(jié)構(gòu) 100。
[0035]圖6示出了在附加的晶片級(jí)處理之后的圖5的結(jié)構(gòu)。該工藝典型地包括清潔外露表面(由釋放載體110而露出的表面)；引入例如聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、聚苯并惡唑、共混物或類似材料的介電層160;形成開口或過孔至芯片或無源結(jié)構(gòu)的接觸點(diǎn)；引入籽晶和電鍍及圖案化再分布層170并引入阻焊材料180。圖6還示出了作為預(yù)制球被印刷或放置的連接至再分布層190的接觸點(diǎn)的焊料連接(焊球)。
[0036]圖7-12示出了倒裝封裝中將三維無源結(jié)構(gòu)結(jié)合一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片的工藝流程的實(shí)施例。圖7示出了以倒裝芯片配置被連接至接觸點(diǎn)或基板(封裝或板)的集成電路芯片，諸如微處理器。結(jié)構(gòu)200包括基板210，舉例而言，該基板是無芯的或具有芯結(jié)構(gòu)的基板，但也可以是模制的互連基板(MIS)或陶瓷基板?；?10包括在第一側(cè)邊上的接觸點(diǎn)220和相對(duì)的第二側(cè)邊上的接觸點(diǎn)225。集成電路芯片230被置于基板210上，并與接觸點(diǎn)220相連。在一個(gè)實(shí)施例中，芯片230通過焊料連接(焊塊)或銅柱被連接至基板210上的接觸點(diǎn)220?？赏ㄟ^大規(guī)?；亓骰驂航佣竭B這樣的芯片。在倒裝芯片配置中，芯片230以器件側(cè)向下或朝向基板210的方式被附連至基板210。集成電路芯片230到基板210的連接可以是底部填充的。圖7示出了例如聚合物材料的底部填充材料235。
[0037]圖8示出了在基板210上與集成電路芯片203相鄰的區(qū)域內(nèi)引入粉末材料以及形成無源結(jié)構(gòu)的堆積或加成工藝之后圖7的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D8，在一個(gè)實(shí)施例中，通過依次引入粉末材料(材料顆粒)以及采用選擇性電磁輻射熔化原理以在所期望的地方加熱粉末并熔化(燒結(jié))粉末，來形成無源結(jié)構(gòu)。圖8示出了一次一層被引入至基板210上的粉末240。具有代表性的，可通過從具有與基板210表面對(duì)齊的滾軸的粉末源中分散粉末(例如，導(dǎo)電顆粒)來完成這樣的引入。一旦引入了一層粉末，電磁源被激活，而電磁輻射被施加在所期望的地方的粉末上。圖8示出了電磁源250，其包括將電磁輻射260施加至所期望的粉末材料240顆粒上的掃描儀255。在一個(gè)實(shí)施例中，掃描儀255受控制器控制，該控制器包括非瞬態(tài)機(jī)器可讀指令，該指令在執(zhí)行時(shí)會(huì)在包含粉末的基板210區(qū)域中至少一個(gè)二維平面內(nèi)(X和y方向)引起掃描儀255的移動(dòng)，并在預(yù)設(shè)位置影響電磁輻射。
[0038]圖9示出了完成引入和熔化粉末240以用于形成無源結(jié)構(gòu)之后圖8的結(jié)構(gòu)。圖9示出了水平線圈的無源結(jié)構(gòu)245。如圖9中所示，水平線圈和集成電路芯片230被粉末240內(nèi)嵌或圍繞。
[0039]圖10示出了移除未被電磁輻射熔化的粉末240以用于形成無源結(jié)構(gòu)之后圖9的結(jié)構(gòu)。圖10示出了水平線圈的無源結(jié)構(gòu)245，該水平線圈的無源結(jié)構(gòu)245被置于基板210上并被連接至其表面上的接觸點(diǎn)220(電氣連接至基板210)。圖11示出了在基板210表面上引入鑄?；驁F(tuán)狀頂部材料以用于在鑄模材料中嵌入集成電路芯片230和無源結(jié)構(gòu)245之后圖10的結(jié)構(gòu)。
[0040]圖12示出了在引入連接至基板210的第二側(cè)邊上的接觸點(diǎn)225的焊料連接之后圖11的結(jié)構(gòu)。圖12示出了連接至接觸點(diǎn)225的焊料連接(焊塊)260。
[0041 ]在上述實(shí)施例中，在基板上引入或放置芯片之后，無源結(jié)構(gòu)被形成于封裝基板上。在另一實(shí)施例中，可在將芯片放置或引入至封裝基板上之前形成無源結(jié)構(gòu)。
[0042]圖13-21示出了與一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片一起集成于封裝中的無源結(jié)構(gòu)的不同實(shí)施例。倒裝芯片封裝被用作示例實(shí)施例來闡釋不同的無源結(jié)構(gòu)。圖13示出了集成有集成電路芯片330和縱向線圈的無源結(jié)構(gòu)345的封裝300。圖14示出了集成有集成電路芯片430和在并排多線圈配置中以多線圈配置的線圈445A和445B的封裝結(jié)構(gòu)400。圖15示出了集成有集成電路芯片530和以多纏繞線圈水平配置的線圈545A和線圈545B的封裝基板500。圖16示出了集成有集成電路芯片630和以多纏繞線圈縱向配置的線圈645A和線圈645B的封裝結(jié)構(gòu)600。
[0043]圖17示出了封裝結(jié)構(gòu)700，其集成有集成電路芯片730和以并排多線圈配置并具有置于線圈之間的例如磁性材料的芯750的無源線圈745A和無源線圈7458。圖18示出了封裝結(jié)構(gòu)800，其集成有集成電路芯片830、以縱向多纏繞線圈配置并具有磁性材料的芯850A串通其中的無源線圈845A和無源線圈845B、以及以水平多纏繞線圈配置并具有磁性芯850B串通其中的線圈845C和線圈84?。
[0044]圖19示出了封裝基板900，其集成有集成電路芯片930和無源結(jié)構(gòu)945A、無源結(jié)構(gòu)945B及無源結(jié)構(gòu)945C，其中每個(gè)無源結(jié)構(gòu)都帶有互連，特別是例如銅材料的穿模導(dǎo)電過孔。這樣的穿模過孔可分別被連接至基板910上的接觸點(diǎn)。
[0045]圖20示出了集成有集成電路芯片1030和接地屏蔽的無源結(jié)構(gòu)1045的封裝基板1000
[0046]圖21示出了集成有集成電路芯片1130和天線的無源結(jié)構(gòu)1145的封裝基板1100。
[0047]圖22示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算設(shè)備1200。計(jì)算設(shè)備1200容納有板1202。板1202可包括數(shù)個(gè)元件，包括但不限于處理器1204和至少一個(gè)通信芯片1206。處理器1204被物理及電氣地耦接至板1202。在一些實(shí)現(xiàn)中，至少一個(gè)通信芯片1206也被物理及電氣地耦接至板1202。在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)中，通信芯片1206是處理器1204的一部分。
[0048]根據(jù)其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備1200可包括其他元件，所述其他元件可以或可以不物理及電氣地連接至板1202。這些其他元件包括，但不限于，易失性存儲(chǔ)器(例如DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(例如R0M)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、攝像機(jī)以及大容量存儲(chǔ)設(shè)備(諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器、光盤(⑶)、數(shù)字多功能盤(DVD)等)。
[0049]通信芯片1206實(shí)現(xiàn)對(duì)于去往和來自計(jì)算設(shè)備1200的數(shù)據(jù)傳輸?shù)臒o線通信。術(shù)語(yǔ)“無線”及其衍生項(xiàng)可被用于描述可通過使用調(diào)制的電磁輻射經(jīng)由非實(shí)體介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信通道等。該術(shù)語(yǔ)并不表示相關(guān)設(shè)備不含有任何導(dǎo)線，盡管在一些實(shí)施例中，它們可能沒有。通信芯片1206可實(shí)現(xiàn)多種無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任一種，包括但不限于W1-Fi(IEEE 802.ll系列)、WiMAX(IEEE 802.16系列)、IEEE 802.20、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙、其衍生，以及被指定為3G、4G、5G等的任何其他無線協(xié)議。計(jì)算設(shè)備1200可包括多個(gè)通信芯片1206。例如，第一通信芯片1206可專用于短距離無線通信，例如W1-Fi和藍(lán)牙，而第二通信芯片1206可專用于長(zhǎng)距離無線通信，例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等。
[0050]計(jì)算設(shè)備1200的處理器1204包括封裝在處理器1204中的集成電路管芯。術(shù)語(yǔ)“處理器”可指任何設(shè)備或設(shè)備的一部分，其處理來自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成其他可被儲(chǔ)存在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的電子數(shù)據(jù)。根據(jù)上述教導(dǎo)，在一些實(shí)現(xiàn)中，集成電路管芯可在封裝中與無源結(jié)構(gòu)一起被集成。
[0051]通信芯片1206還包括封裝在通信芯片1206中的集成電路管芯。根據(jù)上述教導(dǎo)，在一些實(shí)現(xiàn)中，集成電路管芯可在封裝中與無源結(jié)構(gòu)一起被集成。
[0052]在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)中，容納于計(jì)算設(shè)備1200中的另一元件可包含集成電路管芯，其包括一個(gè)或多個(gè)器件，諸如晶體管或金屬互連。根據(jù)上述教導(dǎo)，在一些實(shí)現(xiàn)中，集成電路管芯可在封裝中與無源結(jié)構(gòu)一起被集成。
[0053]在不同的實(shí)現(xiàn)中，計(jì)算設(shè)備1200可以是手提電腦、上網(wǎng)本、筆記本、超級(jí)本、智能手機(jī)、平板、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超級(jí)移動(dòng)PC、移動(dòng)電話、臺(tái)式電腦、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂播放器、或數(shù)字錄像機(jī)。在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)中，計(jì)算設(shè)備1200可以是任何其他處理數(shù)據(jù)的電子設(shè)備。
[0054]實(shí)例
[0055]示例I是一種方法，包括通過堆積工藝在基板上形成至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu);在基板上引入一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片；以及在至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片上引入鑄模材料。
[0056]在示例2中，示例I方法中的基板包括犧牲基板，而在引入所述鑄模材料之后，方法包括移除犧牲基板。
[0057]在示例3中，示例2方法中的每個(gè)所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片包括接觸點(diǎn)，并且移除所述犧牲基板露出所述接觸點(diǎn)，所述方法還包括將再分布層親接至所述接觸點(diǎn)。
[0058]在示例4中，引入示例I方法中的一個(gè)或多個(gè)芯片包括將一個(gè)或多個(gè)芯片的接觸點(diǎn)耦接至基板的接觸點(diǎn)。
[0059]在示例5中，示例4方法中的一個(gè)或多個(gè)芯片通過焊料連接被耦接至基板。
[0060]在示例6中，在示例4方法中的基板上形成所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括將所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)耦接至所述基板相應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)接觸點(diǎn)。
[0061]在示例7中，示例I方法中的堆積工藝包括在所述基板上反復(fù)地沉積導(dǎo)電粉末層，并選擇性地熔化所述沉積層中的所述導(dǎo)電粉末。
[0062]在示例8中，示例I方法中的堆積工藝包括立體光刻。
[0063]在示例9中，示例I方法中的至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括線圈。
[0064]在示例10中，示例I方法中的至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括天線、電阻器或屏蔽中的至少一個(gè)。
[0065]在示例11中，封裝基板通過示例1-10方法中的任一項(xiàng)制成。
[0066]示例12是一種方法，包括通過三維印刷工藝在基板上形成至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)；在基板上引入一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片；以及在鑄模材料中內(nèi)嵌所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片。
[0067]在示例13中，示例12方法中的基板包括犧牲基板，而在所述鑄模材料中內(nèi)嵌所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路之后，所述方法包括移除所述犧牲基板。
[0068]在示例14中，示例13方法中的每個(gè)所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片包括接觸點(diǎn)，并且移除所述犧牲基板露出所述接觸點(diǎn)，所述方法還包括:將金屬化層耦接至所述接觸點(diǎn)。
[0069]在示例15中，引入示例12方法中的一個(gè)或多個(gè)芯片包括將一個(gè)或多個(gè)芯片的接觸點(diǎn)耦接至基板的接觸點(diǎn)。
[0070]在示例16中，示例15方法中的一個(gè)或多個(gè)芯片通過焊料連接被耦接至基板。
[0071]在示例17中，在示例15方法中的基板上形成所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括將所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)耦接至所述基板相應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)接觸點(diǎn)。
[0072]在示例18中，示例12方法中的三維印刷工藝包括在所述基板上反復(fù)地沉積導(dǎo)電粉末層，并選擇性地熔化所述沉積層中的所述導(dǎo)電粉末。
[0073]在示例19中，示例12方法中的堆積工藝包括立體光刻。
[0074]在示例20中，封裝基板通過示例12-19方法中的任一項(xiàng)制成。
[0075]示例21是一種裝置，包括封裝基板，該封裝基板包括內(nèi)嵌于鑄模材料中的至少一個(gè)三維印刷無源結(jié)構(gòu)和一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片。
[0076]在示例22中，示例21裝置中的至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括天線、電阻器、線圈或屏蔽中的至少一個(gè)。
[0077]在示例23中，示例21裝置中的封裝還包括基板，該基板上具有接觸點(diǎn)，并且所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片被耦接至所述基板相應(yīng)的所述接觸點(diǎn)。
[0078]在示例24中，示例23裝置中的一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片通過焊料連接被耦接至基板相應(yīng)的接觸點(diǎn)。
[0079]以上示意性實(shí)現(xiàn)的描述，包括摘要中的描述，并非旨在窮舉或是要將本發(fā)明限制于所公開的確切形式。由于具體的實(shí)現(xiàn)方式和實(shí)例在此以示意性的目的被描述，相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)意識(shí)到，在本公開范圍內(nèi)的各種不同的等效修改都是可能的。
[0080]根據(jù)以上的詳細(xì)說明可對(duì)本發(fā)明作出這些修改。在隨附的權(quán)利要求中的術(shù)語(yǔ)不應(yīng)被解讀為將本發(fā)明限制于說明書和權(quán)利要求中所公開的特定的實(shí)現(xiàn)方式。相反，應(yīng)由隨附的權(quán)利要求來確定范圍，權(quán)利要求應(yīng)根據(jù)權(quán)利要求解釋的既成規(guī)則來解讀。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種方法包括: 通過堆積工藝在基板上形成至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)； 在所述基板上引入一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片；以及 在所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片上引入鑄模材料。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板包括犧牲基板，而在引入所述鑄模材料之后，所述方法包括移除所述犧牲基板。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片中的每一個(gè)包括接觸點(diǎn)，并且移除所述犧牲基板露出所述接觸點(diǎn)，所述方法還包括: 將再分布層耦接至所述接觸點(diǎn)。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，引入所述一個(gè)或多個(gè)芯片包括將所述一個(gè)或多個(gè)芯片的接觸點(diǎn)耦接至所述基板的接觸點(diǎn)。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述一個(gè)或多個(gè)芯片通過焊料連接耦接至所述基板。6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述基板上形成所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括將所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)耦接至所述基板相應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)接觸點(diǎn)。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆積工藝包括在所述基板上反復(fù)地沉積導(dǎo)電粉末層，并選擇性地熔化所沉積的層中的所述導(dǎo)電粉末。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆積工藝包括立體光刻。9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括線圈。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括天線、電阻器或屏蔽中的至少一個(gè)。11.一種封裝基板，所述封裝基板通過權(quán)利要求1-10所述的任一方法制成。12.一種方法包括: 通過三維印刷工藝在基板上形成至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)； 在所述基板上引入一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片；以及 在鑄模材料中內(nèi)嵌所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述基板包括犧牲基板，而在所述鑄模材料中內(nèi)嵌所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路之后，所述方法包括移除所述犧牲基板。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片中的每一個(gè)包括接觸點(diǎn)，并且移除所述犧牲基板露出所述接觸點(diǎn)，所述方法還包括: 將金屬化層耦接至所述接觸點(diǎn)。15.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，引入所述一個(gè)或多個(gè)芯片包括將所述一個(gè)或多個(gè)芯片的接觸點(diǎn)耦接至所述基板的接觸點(diǎn)。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述一個(gè)或多個(gè)芯片通過焊料連接耦接至所述基板。17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，在所述基板上形成所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括將所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)耦接至所述基板相應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)接觸點(diǎn)。18.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述三維印刷工藝包括在所述基板上反復(fù)地沉積導(dǎo)電粉末層，并選擇性地熔化所沉積的層中的所述導(dǎo)電粉末。19.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述堆積工藝包括立體光刻。20.—種封裝基板，所述封裝基板通過權(quán)利要求12-19所述的任一方法制成。21.—種裝置，包括: 封裝基板，包括內(nèi)嵌于鑄模材料中的至少一個(gè)三維印刷無源結(jié)構(gòu)和一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片。22.如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)包括天線、電阻器、線圈或屏蔽中的至少一個(gè)。23.如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述封裝還包括基板，所述基板上具有接觸點(diǎn)，并且所述至少一個(gè)無源結(jié)構(gòu)和所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片被耦接至所述基板相應(yīng)的所述接觸點(diǎn)。24.如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片通過焊料連接耦接至所述基板相應(yīng)的所述接觸點(diǎn)。
【文檔編號(hào)】H01L25/07GK105874595SQ201480026247
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2014年12月9日
【發(fā)明人】S·埃爾伯, A·沃爾特, K·雷因谷拉博, T·梅耶
【申請(qǐng)人】英特爾公司