半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝體以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法
【專利摘要】本公開的實(shí)施方式提供了一種半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝體以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體裸片；硬質(zhì)隔離層，形成于所述半導(dǎo)體裸片的表面上；襯底；以及非導(dǎo)電粘接層，位于所述硬質(zhì)隔離層與所述襯底之間，以用于將所述硬質(zhì)隔離層粘接至所述襯底。
【專利說明】
半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝體以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開的各個(gè)實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，并且更具體地涉及一種半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝體以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中的一些半導(dǎo)體器件中，需要將半導(dǎo)體裸片通過粘接材料安裝至襯底。圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的包括這種半導(dǎo)體器件1000的半導(dǎo)體封裝體100。如圖1所示，半導(dǎo)體封裝體100包括半導(dǎo)體器件1000和用于封裝半導(dǎo)體器件1000的模制化合物9。在半導(dǎo)體器件1000中，第一半導(dǎo)體裸片I通過裸片附接膜3 (DAF，全稱為Die Attach Film)和粘接膠4而粘接至襯底6，第二半導(dǎo)體裸片2通過導(dǎo)電粘接層5而粘接至襯底6。此外，第一半導(dǎo)體裸片I和第二半導(dǎo)體裸片2還均通過焊線7連接至引線8。
[0003]在圖1所示的實(shí)施方式中，DAF 3和粘接膠4用于將第一半導(dǎo)體裸片I粘接至襯底6以及提供在第一半導(dǎo)體裸片I與襯底6之間的隔離。然而，第一半導(dǎo)體裸片I和襯底6之間的這種粘接方式存在多個(gè)方面的問題。例如，由DAF 3和粘接膠4所提供的電氣隔離的可靠性差，因而在第一半導(dǎo)體裸片I與襯底6之間存在發(fā)生短路的風(fēng)險(xiǎn)。此外，由于DAF3和粘接膠4均為軟質(zhì)材料，在采用熱超聲來安裝焊線7時(shí)容易產(chǎn)生共振，從而導(dǎo)致焊線7與第一半導(dǎo)體裸片I和引線8 二者之間的連接穩(wěn)定性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本公開的目的包括提供一種半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝體以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法，以至少部分解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題。
[0005]根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括:半導(dǎo)體裸片；硬質(zhì)隔離層，形成于所述半導(dǎo)體裸片的表面上；襯底；以及非導(dǎo)電粘接層，位于所述硬質(zhì)隔離層與所述襯底之間，以用于將所述硬質(zhì)隔離層粘接至所述襯底。
[0006]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述半導(dǎo)體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導(dǎo)體裸片的與所述表面相對的另一表面處。
[0007]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述半導(dǎo)體器件還包括引線，所述引線通過焊線連接至所述接合焊盤。
[0008]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述半導(dǎo)體器件還包括:另一半導(dǎo)體裸片；以及導(dǎo)電粘接層，用于將所述另一半導(dǎo)體裸片粘接至所述襯底。
[0009]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述非導(dǎo)電粘接層包括裸片附接膜或粘接膠。
[0010]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述硬質(zhì)隔離層為模制的層或旋涂的層。
[0011]根據(jù)本公開的另一方面，提供一種半導(dǎo)體封裝體，包括:如上所述的任意一種半導(dǎo)體器件；以及模制化合物，被布置為封裝所述半導(dǎo)體器件。
[0012]根據(jù)本公開的又一方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括:提供半導(dǎo)體晶片；在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成硬質(zhì)隔離層；將裸片附接膜粘附至所述硬質(zhì)隔離層；切割所述半導(dǎo)體晶片、所述硬質(zhì)隔離層和所述裸片附接膜以形成單片化結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述單片化結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體裸片；以及將所述單片化結(jié)構(gòu)通過所述裸片附接膜粘接至襯底，其中所述裸片附接膜位于所述硬質(zhì)隔離層和所述襯底之間。
[0013]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層包括:通過模制或旋涂工藝在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層。
[0014]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述方法還包括:將另一半導(dǎo)體裸片通過導(dǎo)電粘接層粘接至所述襯底。
[0015]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述半導(dǎo)體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導(dǎo)體裸片的與所述表面相對的另一表面處，并且其中所述方法還包括:提供引線；以及通過焊線將所述引線連接至所述接合焊盤。
[0016]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述方法還包括:利用模制化合物進(jìn)行封裝以形成封裝體。
[0017]根據(jù)本公開的又一方面，提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括:提供半導(dǎo)體晶片；在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成硬質(zhì)隔離層；切割所述半導(dǎo)體晶片和所述硬質(zhì)隔離層以形成單片化結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述單片化結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體裸片；以及將所述單片化結(jié)構(gòu)通過粘接膠粘接至襯底，其中所述粘接膠位于所述硬質(zhì)隔離層和所述襯底之間。
[0018]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層包括:通過模制或旋涂工藝在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層。
[0019]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述方法還包括:將另一半導(dǎo)體裸片通過導(dǎo)電粘接層粘接至所述襯底。
[0020]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述半導(dǎo)體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導(dǎo)體裸片的與所述表面相對的另一表面處，并且其中所述方法還包括:提供引線；以及通過焊線將所述引線連接至所述接合焊盤。
[0021]根據(jù)本公開的一個(gè)示例性實(shí)施方式，所述方法還包括:利用模制化合物進(jìn)行封裝以形成封裝體。
[0022]在本公開的各個(gè)實(shí)施方式的技術(shù)方案中，由于采用硬質(zhì)隔離層來提供在半導(dǎo)體裸片和襯底之間的隔離，減小了半導(dǎo)體裸片與襯底之間發(fā)生短路的風(fēng)險(xiǎn)，從而提高了在半導(dǎo)體裸片與襯底之間的電氣隔離的可靠性。此外，由于硬質(zhì)隔離層較為穩(wěn)定，在采用熱超聲來安裝焊線時(shí)能夠避免產(chǎn)生共振，從而增強(qiáng)了半導(dǎo)體裸片和引線二者與焊線之間的連接穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0023]當(dāng)結(jié)合附圖閱讀下文對示范性實(shí)施方式的詳細(xì)描述時(shí)，這些以及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，在附圖中:
[0024]圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的包括半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體封裝體；
[0025]圖2示出了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式的包括半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體封裝體；
[0026]圖3A至圖3F示出了用于制造圖2所示的半導(dǎo)體封裝體的過程；
[0027]圖4示出了根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式的包括半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體封裝體；以及
[0028]圖5A至圖5E示出了用于制造圖4所示的半導(dǎo)體封裝體的過程。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面將參考附圖中示出的若干示例性實(shí)施方式來描述本公開的原理和精神。應(yīng)當(dāng)理解，描述這些實(shí)施方式僅僅是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更好地理解進(jìn)而實(shí)現(xiàn)本公開，而并非以任何方式限制本公開的范圍。
[0030]圖2示出了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式的包括半導(dǎo)體器件2000的半導(dǎo)體封裝體200。如圖2所示，半導(dǎo)體封裝體200可以包括半導(dǎo)體器件2000和用于封裝半導(dǎo)體器件2000的模制化合物9。模制化合物9能夠?yàn)榘雽?dǎo)體器件2000提供穩(wěn)定可靠的工作環(huán)境，并且模制化合物9可以包括各種類型的封裝材料，例如環(huán)氧樹脂。
[0031]如圖2所示，半導(dǎo)體器件2000可以包括通過粘接材料安裝至襯底6的相同表面601上的兩個(gè)半導(dǎo)體裸片，即第一半導(dǎo)體裸片I和第二半導(dǎo)體裸片2。襯底6可以用于提供對于安裝于其上的第一半導(dǎo)體裸片I和第二半導(dǎo)體裸片2的支撐。在半導(dǎo)體器件2000中，第一半導(dǎo)體裸片I可以與襯底6電氣隔離，而第二半導(dǎo)體裸片2可以與襯底6電連接。
[0032]如圖2所示，第一半導(dǎo)體裸片I可以包括第一表面101、與第一表面101相對的第二表面102、以及設(shè)置于第二表面102處的接合焊盤103，接合焊盤103用于提供與外部電路的連接。在圖2所示的實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件2000還可以包括形成于第一半導(dǎo)體裸片I的第一表面101上的硬質(zhì)隔離層21。硬質(zhì)隔離層21可以是通過模制工藝而形成于第一表面101上的模制的層，例如塑料層。硬質(zhì)隔離層21也可以是通過旋涂工藝而形成于第一表面101上的旋涂的層，例如聚合物材料層。當(dāng)然，硬質(zhì)隔離層21還可以是通過其它工藝(例如沉積)形成的硬質(zhì)材料層，而并不限于如上所述的硬質(zhì)材料層。
[0033]如圖2所示，半導(dǎo)體器件2000還可以包括位于硬質(zhì)隔離層21和襯底6之間的DAF3，以用于將硬質(zhì)隔離層21粘接至襯底6的表面601上。
[0034]如圖2所示，半導(dǎo)體器件2000還可以包括位于第二半導(dǎo)體裸片2和襯底6之間的導(dǎo)電粘接層5。導(dǎo)電粘接層5用于將第二半導(dǎo)體裸片2粘接至襯底6的表面601上，并且提供在第二半導(dǎo)體裸片2與襯底6之間的電連接。
[0035]此外，半導(dǎo)體器件2000還可以包括焊線7和引線8。焊線7用于將接合焊盤103連接至引線8，以便于提供與外部電路的電連接。類似地，第二半導(dǎo)體裸片2也可以設(shè)置有接合焊盤，并且該接合焊盤通過焊線連接至引線，以用于提供與外部電路的電連接。
[0036]雖然在上文中結(jié)合圖2描述了具體的半導(dǎo)體器件2000，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，半導(dǎo)體器件2000可以是其它形式，例如其可以僅包括圖2所示的半導(dǎo)體器件2000的一部分。例如，在一些實(shí)施方式中，根據(jù)需要可以構(gòu)思半導(dǎo)體器件2000僅包括第一半導(dǎo)體裸片1、硬質(zhì)隔離層21、DAF 3以及襯底6。
[0037]在圖2所示的實(shí)施方式中，由于采用硬質(zhì)隔離層21來提供在第一半導(dǎo)體裸片I和襯底6之間的隔離，減小了第一半導(dǎo)體裸片I與襯底6之間發(fā)生短路的風(fēng)險(xiǎn)，從而提高了在第一半導(dǎo)體裸片I與襯底6之間的電氣隔離的可靠性。此外，由于硬質(zhì)隔離層21較為穩(wěn)定，在采用熱超聲來安裝焊線7時(shí)能夠避免產(chǎn)生共振，從而增強(qiáng)了引線8和第一半導(dǎo)體裸片I的接合焊盤103 二者與焊線7之間的連接穩(wěn)定性。
[0038]圖3A至圖3F示出了用于制造圖2所示的半導(dǎo)體封裝體200的過程。下面結(jié)合圖3A至圖3F詳細(xì)描述圖2所示的半導(dǎo)體封裝體200的制造過程。
[0039]如圖3A所示，提供包括多個(gè)半導(dǎo)體裸片的半導(dǎo)體晶片10。半導(dǎo)體晶片10可以包括第一表面101、與第一表面101相對的第二表面102、以及設(shè)置于第二表面102處的接合焊盤103。
[0040]如圖3B所示，在半導(dǎo)體晶片10的第一表面101上形成硬質(zhì)隔離層21。在一些實(shí)施方式中，可以通過模制工藝將硬質(zhì)隔離層21(例如塑料層)形成于半導(dǎo)體晶片10的第一表面101上。在另一些實(shí)施方式中，可以通過旋涂工藝將硬質(zhì)隔離層21 (例如聚合物材料層)形成于半導(dǎo)體晶片10的第一表面101上。在其它實(shí)施方式中，還可以通過其它工藝(例如沉積)將硬質(zhì)隔離層21形成于半導(dǎo)體晶片10的第一表面101上。
[0041]如圖3C所示，將DAF 3粘接至硬質(zhì)隔離層21上。
[0042]如圖3D所示，切割半導(dǎo)體晶片10、硬質(zhì)隔離層21和DAF 3以形成單片化結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述單片化結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體裸片I。相應(yīng)地，半導(dǎo)體裸片I包括第一表面101、與第一表面101相對的第二表面102、以及設(shè)置于第二表面102處的接合焊盤103。
[0043]如圖3E所示，將圖3D中所示的單片化結(jié)構(gòu)通過DAF 3粘接至襯底6的表面601上，使得DAF 3位于硬質(zhì)隔離層21和襯底6之間。此外，在該步驟中，還可以將設(shè)置于半導(dǎo)體裸片I的第二表面102處的接合焊盤103通過焊線7連接至引線8。在該步驟中，除了安裝半導(dǎo)體裸片I之外，還可以安裝另一半導(dǎo)體裸片2。例如，另一半導(dǎo)體裸片2可以通過導(dǎo)電粘接層5粘接至襯底6的表面601上。類似地，還可以將另一半導(dǎo)體裸片2通過焊線連接至相應(yīng)的引線。
[0044]如圖3F所示，利用模制化合物9對半導(dǎo)體器件2000進(jìn)行封裝以形成封裝體200。模制化合物9能夠?yàn)榘雽?dǎo)體器件2000提供穩(wěn)定可靠的工作環(huán)境，并且模制化合物9可以包括各種類型的封裝材料，例如環(huán)氧樹脂。
[0045]通過上述步驟，得到了半導(dǎo)體器件2000，并且進(jìn)一步得到了半導(dǎo)體封裝體200。
[0046]圖4示出了根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式的包括半導(dǎo)體器件3000的半導(dǎo)體封裝體300。半導(dǎo)體封裝體300類似于圖2所示的半導(dǎo)體封裝體200，半導(dǎo)體封裝體300中包含的半導(dǎo)體器件3000類似于圖2所示的半導(dǎo)體封裝體200中包含的半導(dǎo)體器件2000。因此，在此對于相同的部分將不再詳述，而僅說明半導(dǎo)體器件3000與半導(dǎo)體器件2000之間的區(qū)別。
[0047]在半導(dǎo)體器件3000中，替代DAF 3，硬質(zhì)隔離層21通過粘接膠4粘接至襯底4。由于DAF 3的價(jià)格高，通過在本實(shí)施方式中使用粘接膠4替代DAF 3，進(jìn)一步降低了半導(dǎo)體器件3000的成本。
[0048]圖5A至圖5E示出了用于制造圖4所示的半導(dǎo)體封裝體300的過程。下面結(jié)合圖5A至圖5E詳細(xì)描述圖4所示的半導(dǎo)體封裝體300的制造過程。
[0049]如圖5A所示，提供包括多個(gè)半導(dǎo)體裸片的半導(dǎo)體晶片10。半導(dǎo)體晶片10可以包括第一表面101、與第一表面101相對的第二表面102、以及設(shè)置于第二表面102處的接合焊盤103。
[0050]如圖5B所示，在半導(dǎo)體晶片10的第一表面101上形成硬質(zhì)隔離層21。在一些實(shí)施方式中，可以通過模制工藝將硬質(zhì)隔離層21(例如塑料層)形成于半導(dǎo)體晶片10的第一表面101上。在另一些實(shí)施方式中，可以通過旋涂工藝將硬質(zhì)隔離層21 (例如聚合物材料層)形成于半導(dǎo)體晶片10的第一表面101上。在其它實(shí)施方式中，還可以通過其它工藝(例如沉積)將硬質(zhì)隔離層21形成于半導(dǎo)體晶片10的第一表面101上。
[0051]如圖5C所示，切割半導(dǎo)體晶片10和硬質(zhì)隔離層21以形成單片化結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述單片化結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體裸片I。相應(yīng)地，半導(dǎo)體裸片I包括第一表面101、與第一表面101相對的第二表面102、以及設(shè)置于第二表面102處的接合焊盤103。
[0052]如圖所示，將圖5C中所示的單片化結(jié)構(gòu)通過粘接膠4粘接至襯底6的表面601上，使得粘接膠4位于硬質(zhì)隔離層21和襯底6之間。此外，在該步驟中，還可以將設(shè)置于半導(dǎo)體裸片I的第二表面102處的接合焊盤103通過焊線7連接至引線8。在該步驟中，除了安裝半導(dǎo)體裸片I之外，還可以安裝另一半導(dǎo)體裸片2。例如，另一半導(dǎo)體裸片2可以通過導(dǎo)電粘接層5粘接至襯底6的表面601上。類似地，還可以將另一半導(dǎo)體裸片2通過焊線連接至相應(yīng)的引線。
[0053]如圖5E所示，利用模制化合物9對半導(dǎo)體器件3000進(jìn)行封裝以形成封裝體300。模制化合物9能夠?yàn)榘雽?dǎo)體器件3000提供穩(wěn)定可靠的工作環(huán)境，并且模制化合物9可以包括各種類型的封裝材料，例如環(huán)氧樹脂。
[0054]通過上述步驟，得到了半導(dǎo)體器件3000，并且進(jìn)一步得到了半導(dǎo)體封裝體300。
[0055]已經(jīng)出于示出和描述的目的給出了本公開的說明書，但是其并不意在是窮舉的或者限制于所公開形式的發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到很多修改和變體。因此，實(shí)施方式是為了更好地說明本公開的原理、實(shí)際應(yīng)用以及使本領(lǐng)域技術(shù)人員中的其他人員能夠理解以下內(nèi)容而選擇和描述的，即，在不脫離本公開精神的前提下，做出的所有修改和替換都將落入所附權(quán)利要求定義的本公開保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 半導(dǎo)體裸片； 硬質(zhì)隔離層，形成于所述半導(dǎo)體裸片的表面上； 襯底；以及 非導(dǎo)電粘接層，位于所述硬質(zhì)隔離層與所述襯底之間，以用于將所述硬質(zhì)隔離層粘接至所述襯底。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導(dǎo)體裸片的與所述表面相對的另一表面處。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括引線，所述引線通過焊線連接至所述接合焊盤。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 另一半導(dǎo)體裸片；以及 導(dǎo)電粘接層，用于將所述另一半導(dǎo)體裸片粘接至所述襯底。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述非導(dǎo)電粘接層包括裸片附接膜或粘接膠。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中所述硬質(zhì)隔離層為模制的層或旋涂的層。7.一種半導(dǎo)體封裝體，包括: 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件；以及 模制化合物，被布置為封裝所述半導(dǎo)體器件。8.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: 提供半導(dǎo)體晶片； 在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成硬質(zhì)隔離層； 將裸片附接膜粘附至所述硬質(zhì)隔離層； 切割所述半導(dǎo)體晶片、所述硬質(zhì)隔離層和所述裸片附接膜以形成單片化結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述單片化結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體裸片；以及 將所述單片化結(jié)構(gòu)通過所述裸片附接膜粘接至襯底，其中所述裸片附接膜位于所述硬質(zhì)隔離層和所述襯底之間。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層包括: 通過模制或旋涂工藝在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括: 將另一半導(dǎo)體裸片通過導(dǎo)電粘接層粘接至所述襯底。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述半導(dǎo)體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導(dǎo)體裸片的與所述表面相對的另一表面處，并且其中所述方法還包括: 提供引線；以及 通過焊線將所述引線連接至所述接合焊盤。12.根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的方法，還包括: 利用模制化合物進(jìn)行封裝以形成封裝體。13.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括: 提供半導(dǎo)體晶片； 在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成硬質(zhì)隔離層； 切割所述半導(dǎo)體晶片和所述硬質(zhì)隔離層以形成單片化結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述單片化結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體裸片；以及 將所述單片化結(jié)構(gòu)通過粘接膠粘接至襯底，其中所述粘接膠位于所述硬質(zhì)隔離層和所述襯底之間。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層包括: 通過模制或旋涂工藝在所述半導(dǎo)體晶片的所述表面上形成所述硬質(zhì)隔離層。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括: 將另一半導(dǎo)體裸片通過導(dǎo)電粘接層粘接至所述襯底。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述半導(dǎo)體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導(dǎo)體裸片的與所述表面相對的另一表面處，并且其中所述方法還包括: 提供引線；以及 通過焊線將所述引線連接至所述接合焊盤。17.根據(jù)權(quán)利要求13至16中任一項(xiàng)所述的方法，還包括: 利用模制化合物進(jìn)行封裝以形成封裝體。
【文檔編號】H01L21/77GK105895589SQ201410854553
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2014年12月31日
【發(fā)明人】欒竟恩
【申請人】意法半導(dǎo)體有限公司