Rf封裝的制作方法
【專利摘要】一種示例性封裝，包括：RF電路，其具有第一部分和第二部分；腔結構，其僅被置于所述RF電路的第一部分上方；以及包封劑材料，接合該包封劑材料以在所述RF電路的至少一側覆蓋所述RF電路和所述腔結構。封裝制造的示例方法，包括：識別RF電路；在所述RF電路上形成腔結構，其中該腔結構的至少一部分具有基于RF電路中的磁場水平的高度；以及用包封劑材料在所述RF電路的至少一側覆蓋RF電路和腔結構。
【專利說明】
RF封裝
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝，該封裝包括RF電路和用于覆蓋所述RF電路的包封。
[0002]本發(fā)明還涉及用于生產(chǎn)所述RF電路的方法。
【背景技術】
[0003]隨著電路和設備的尺寸縮小，電阻和電容耦合增大，從而導致信號延遲(S卩，RC延遲)及其他電損耗的增加。隨著電路工作頻率的提高(例如，對于RF電路和設備)，這成為一個日益嚴重的問題，進一步限制了電路的性能。
[0004]對RF性能損耗尤其敏感的RF電路是RF功率放大器。通常，這些RF功率放大器包含帶有源元件(例如晶體管)的半導體裸片(semiconductor die)。所述功率放大器可進一步包含阻抗匹配部件，例如電容器和/或感應元件，用于匹配晶體管輸出處的阻抗。雖然放大器通常包含數(shù)個零件，其也可以功能性地是單一元件。進一步可行地，放大器包括數(shù)個階段。
[0005]RF功率放大器的晶體管設計針對在高頻使用而最優(yōu)化，例如IGHz以上，并可適于在高達3GHz及更高范圍內(nèi)且在相對高的功率水平上擴展。這樣的功率晶體管可以是場效應晶體管或雙極型晶體管，以例如Si LDM0S、GaN或GaAs等技術制造。通常，第一和第二電極，例如漏極和柵極，實現(xiàn)為并行布置的多個長形條。第三電極，例如源極，接合至襯底和下方襯底觸點。長形條的數(shù)量可以是許多，例如在10到300范圍內(nèi)，如30到250，通常為50個或更多、或100個或更多。長形條通常通過內(nèi)部布線接合至焊盤，這些焊盤設在半導體裸片的頂側、位于其外環(huán)上。這些焊盤通過鈍化層中的開口而暴露在外。盡管許多集成電路包含存在于數(shù)個互連層中的許多內(nèi)部配線，然而，RF功率放大器中的互連層的數(shù)量通常被限制為I個或2個;這是因為，僅有有限的互連，且RF晶體管的有效特征尺寸相對較大，以能夠進行足夠的散熱。
[0006]傳統(tǒng)地，RF功率放大器存在于圖1所示的氣腔封裝100中。該封裝100包括帶開放式空腔102的蓋、引線框架104、介電環(huán)106和散熱器108。氣腔封裝100是通過疊加這些元件建立起來的，該氣腔封裝因而將半導體裸片、內(nèi)部布線和氣腔裝入其內(nèi)。使用環(huán)氧樹脂膠將這些元件固接在一起。更具體地，半導體裸片在其底側附接至散熱器。在半導體裸片的頂側處有焊盤。鍵合線延伸于焊盤與引線框架104的各個引線之間。
[0007]氣腔的功能是在RF裸片頂上提供牢固封裝。由于沒有任何包封劑，在功率放大器操作期間，沒有包封劑的熱穩(wěn)定性的問題。進一步地，空氣是低介電常數(shù)的電介電(例如，k接近1.0)。因此，能夠使鍵合線的線環(huán)之間的作用最小化。于是，能夠設計線環(huán)，將其用作輸入分流阻抗的一部分，和/或作為用于阻抗匹配的輸出電路的一部分。因此，所有的一切減少了電損耗，改善了 RF產(chǎn)品和系統(tǒng)的性能。介電常數(shù)(k)是物質(zhì)在外部電場被極化的容易程度的量度。
[0008]已知氣腔的缺點是使用了介電環(huán)和蓋。介電環(huán)(106)應當在設置線焊之前便固定至散熱器(108)。所述蓋應當在設置線焊之后再固定至封裝。在該階段進行替換和連接是麻煩的，會導致成本高。進一步地，所述蓋可以易于由客戶或使用者移除。該移除可導致RF電路產(chǎn)生故障，而這是不想要的。
[0009]作為對使用帶有蓋的氣腔封裝的替代，已知的有通過模塑應用包封劑。RF電路變得被完全封在模塑包封劑(mouldedencapsulant)(也稱為模塑料)中。在封裝的外部僅有引線和散熱器。這一類型的封裝在半導體封裝領域是非常普遍的，其還提供了針對濕度、塵埃和環(huán)境條件的非常好的保護性。然而，模塑料通常包括填料，例如玻璃纖維，其影響封裝材料的介電常數(shù)，這對RF電路的性能是不理想的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[00? O]根據(jù)一個不例實施例，封裝包括:RF電路，其具有第一部分和第二部分;腔結構，其僅位于RF電路的第一部分上；以及包封劑材料，將其接合以在RF電路的至少一側覆蓋所述RF電路和腔結構。
[0011]在另一個示例實施例中，電路的第一部分包括有源元件，例如RF功率放大器的一個或多個功率晶體管；電路的第二部分包括無源元件。所述無源元件可以與有源元件嵌入同一半導體裸片中。替代性地或額外性地，無源元件嵌入在單獨的裸片和/或作為分離元件而嵌入，包括鍵合線。如果半導體裸片不包含無源元件，則第二部分尤其是限定了焊盤的外環(huán)。這樣，腔結構布置為令焊盤留空。對于RF功率放大器而言這是尤其理想的，因為鍵合線通常設為預定長度，以獲得正確的阻抗。
[0012]在另一示例實施例中，RF電路包括一驅(qū)動，其以至少IGHz頻率操作，尤其是至少1.8-2.8 GHz的范圍。此外，對于這樣的頻率，發(fā)現(xiàn)由于磁場與傳統(tǒng)模塑料的介電材料的相互作用而導致的性能損耗如此明顯，以至于其對RF性能有沖擊;在RF電路主要由RF功率放大器構成的情形中尤其如此。
[0013]在另一示例實施例中，腔結構包括基于RF電路中的磁場水平的高度。優(yōu)選地，該高度為至少20μπι。這一高度理想地包含源自電路的磁場的至少80%。
[0014]在另一示例實施例中，腔結構包括蓋件和粘性側壁。該蓋件優(yōu)選地體現(xiàn)為半導體裸片。更優(yōu)選地，該半導體裸片沒有任何電路或設備。結果是，無需在所述第二半導體裸片與引線框架或RF電路之間應用任何電連接。半導體裸片作為蓋件使用，這被認為是適當?shù)?，以便確保包封劑能夠完全覆蓋腔結構和鄰近腔結構的任何鍵合線。在進一步的實施方式中，第二半導體裸片的頂側設有附著力促進劑(adhes1n promotor)。這樣的附著力促進劑例如是氮化硅或氧化硅。
[0015]在進一步的實施例中，第二半導體裸片包含功能。優(yōu)選地，這樣的功能是RF功能和/或部分RF電路。一個例子是護罩的設置，用于限制延伸進入封裝的磁場豎直延伸。
[0016]另一個例子是第二半導體裸片用作中間散熱器，其是(在封裝外部的)外部源或可通過熱傳導路徑接合至外部源。這種情形中，在第一裸片與第二裸片之間、和/或通向引線框架的一個或多個引線，將存在一個或多個適當連接。
[0017]適當?shù)?，在將半導體裸片從半導體襯底中切出之前，將粘性側壁應用至第一半導體裸片或第二半導體裸片中任一個，或應用至前述二者。在一個實施例中，在組裝領域所知曉的晶圓背面涂層(wafer back coating)或晶圓背面減薄(wafer back laminate)工藝中，將粘性層應用至第二半導體裸片的后側。該粘性層可根據(jù)預定圖案應用至第二半導體裸片的后側。更優(yōu)選地，進一步的粘性層應用在第一半導體裸片的頂側。通過組合兩個粘性層，可以增加粘性側壁的總高度，以便創(chuàng)建腔。
[0018]在另一示例實施例中，所述封裝進一步包括引線框架和一組鍵合線；第一鍵合線將RF電路接合至引線框架;所述腔結構完全覆蓋第二鍵合線;且所述包封劑進一步覆蓋第一鍵合線、第二鍵合線和一部分引線框架。
[0019]在另一示例實施例中，所述封裝進一步包括完全由腔結構覆蓋的第二電路;且所述第二鍵合線將RF電路接合至第二電路。
[0020]在另一示例實施例中，RF電路是單個半導體裸片。
[0021 ]在另一示例實施例中，接合包封劑材料，以包封RF電路和腔結構。
[0022]用于封裝制造的一個示例性方法實施例包括:識別RF電路;在RF電路上形成腔結構，其中至少一部分腔結構包括基于RF電路中的磁場水平的高度；以及利用包封劑材料在RF電路的至少一側上覆蓋所述RF電路和腔結構。
[0023]在本方法的一個實施例中，所述腔結構是在RF電路被切出并附接至襯底上之后、形成在RF電路上的。在另一示例性方法實施例中，腔結構是在鍵合線已將RF電路接合至引線框架之后、形成在RF電路上的。替代性地，所述腔結構可以先于切出而形成在RF電路上。然而，被認為優(yōu)選的是在將鍵合線接合至引線框架之后再應用腔結構。以這種方式，鍵合線與腔結構側壁之間的距離能夠保持最小。這是有益的，因為裸片尺寸的增大會導致成本價格的增加。在替代例中，腔結構可以減小尺寸，然而這限制了它的用途。
[0024]在另一示例實施例中，電路包括有源元件和無源元件;所述腔結構不覆蓋全部的無源元件;且所述包封劑材料不覆蓋全部的有源和無源元件。
[0025]在另一示例實施例中，腔結構的側壁作為液體而涂覆。
[0026]在另一示例實施例中，腔結構的高度大于20μπι。
[0027]結合附圖以及以下詳細說明，可以更充分地理解各種示例實施例。
【附圖說明】
[0028]圖1為空氣腔封裝；
圖2展示了第一示例性RF封裝；
圖3展示了第一示例性RF封裝的包封版本；
圖4展示了第二示例性RF封裝；
圖5展示了第三示例性RF封裝；
圖6Α和6Β展示了第四示例性RF封裝；
圖7為用于制造RF封裝的示例性方法。
[0029]本公開可修改為各種修正例和替代形式，其詳細說明是通過附圖中的例子展示的，并將進行詳細描述。然而，應當理解，超出所述特定實施例的其他實施例也是可能的。本發(fā)明覆蓋了落在隨附權利要求的精神和范圍內(nèi)的全部修正例、等同例和替代性實施例。
【具體實施方式】
[0030]在RF系統(tǒng)中，用于RF放大器或RFIC的半導體封裝能夠通過包覆成型(over-molding) 制成 ，以便裸片和線路被模塑料所覆蓋。這一技術的例子有 QFN、HS0P 和 BGA 封裝類型。
[0031]圖2展示了第一示例性RF封裝200。圖3展示了第一示例性RF封裝200的包封版本300。以下將一起討論圖2和圖3。
[0032]RF射頻電路封裝200包括襯底202(例如，散熱器)，襯底202上附接(例如，粘合)有電路204(例如，芯片)。在一個例子中，電路204包括一個或多個有源元件206和無源元件207。在有源元件206中至少一個上方形成(例如，局部化)有腔結構208。該腔結構208包括蓋件214(例如，蓋)以及一組側壁216(例如，粘性壁或膠水珠粒)，這些一起為腔結構208提供了側向高度218。該高度218是基于RF電路204中的磁場水平以及基于對相關的電損耗進行控制而形成的。
[0033]在示例實施例中，高度218在從20μπι到ΙΟΟμπι的范圍內(nèi)。然而，在其他實施例中，腔結構208的高度可以小于20μπι或高于lOOym。更高的腔結構208進一步減小了因RF電路所創(chuàng)建的電場和相關聯(lián)的電路引線和/或鍵合線212而導致的電損耗。在RF電路204的操作頻率范圍內(nèi)，對側向高度的選擇取決于包封劑302所導致的最大可接受磁場擾動。因此，腔結構208的側向尺寸取決于被覆蓋的有源元件206、無源元件207和電路204的尺寸維度。
[0034]電路204通過一個或多個鍵合線212連接至引線框架210。在一個例子中，包封劑材料302(例如，模塑料)覆蓋整個電路204、腔結構208、鍵合線212和至少部分引線框架210。在其他例子中，包封劑材料302可僅覆蓋下述的一部分或一側:電路204、腔結構208和/或鍵合線 212。
[0035]在各個例子中:電路204包括有源元件206和無源元件207 ；或者，腔結構208不覆蓋全部無源元件207，但可覆蓋一些或全部有源元件206。
[0036]腔結構208的功能是，在電路204的一個或多個有源元件206上提供低的介電常數(shù)(盡可能地接近1.0)。在一個示例實施例中，腔結構208的介電常數(shù)低于包封劑材料302的介電常數(shù)(3.5-4.0)。
[0037]腔結構208可以在電路204附接(例如，粘合)至襯底202之前或之后形成在一個或多個元件206/207或電路204上。
[0038]術語“有源元件”206可以具有不同含義，但在此至少是指放大元件，包括晶體管/場效應晶體管和任何其他放大設備。
[0039]“無源元件”207在此定義為不是有源元件206的任何其他電子元件(例如電容器、電阻器、電感器、封裝接線212焊點、線路等)。
[0040]在此重申，介電材料208可以僅置于有源元件206的上方，置于有源元件206和無源元件207兩者的上方，或也置于封裝接線212上，以進一步降低電損失，并由此進一步提高RF裝置的性能。
[0041]其他實施例進一步包括引線框架210和一組鍵合線212。此時:第一鍵合線212將電路204連接至引線框架210;腔結構208完全或部分覆蓋第二鍵合線212;且包封劑材料302進一步覆蓋第一鍵合線212、第二鍵合線212和一部分引線框架210。
[0042]在具有第二電路204的示例實施例中，一個例子中的第二鍵合線212將RF電路204連接至第二電路204。在具有多個電路204的所述實施例中，所述電路204可以通過鍵合線212互連并置于單一引線框架210內(nèi)。在所述實施例中，并不是所有的封裝200的鍵合線212均可連接至引線框架210，因為部分鍵合線212在封裝200內(nèi)互連不同電路204。
[0043]RF電路204可以是以至少IGHz頻率工作的裝置，但在一些實例中，可以低至10MHz。電路204還可以完全實現(xiàn)為半導體裸片。
[0044]可以接合包封劑材料302以包封RF電路204和腔結構208。圖3所示的實施例中，襯底202可以是散熱器，其一側敞開以有效進行電路204散熱，其他側面則被包封劑材料302覆至
ΠΠ ο
[0045]封裝200的替代示例實施例可以包括:具有第一部分220和第二部分222的RF電路204;僅置于RF電路204的第一部分220上方的腔結構208;和包封劑材料302，其接合以覆蓋所述RF電路204和位于RF電路204至少一側上的腔結構。
[0046]圖4所示為第二示例RF封裝400。本例中，腔結構408幾乎覆蓋電路204的整個表面，包括有源元件406和無源元件407。在其他示例實施例中，電路404的無源元件可包括電路404的剩余部分，該剩余部分可包括沒有電子或機械元件的空置區(qū)域。
[0047]在圖4的示例實施例中，盡管蓋件410延伸了電路404的寬度，然而，側壁412擱置在電路404的外周或邊緣上。在其他示例實施例中，使用線上膜(Film over Wire, F0W)技術，側壁412能夠被置于鍵合線416上方，從而腔結構208可以延伸在電路404的整個寬度上方。
[0048]Encapsulant would then be applied to cover all or part of the cavitystructure402， the circuit 404， the substrate 402， the bond-wires 416 and thelead-frame 414.隨后可以將包封劑應用至腔結構402、電路404、襯底402、鍵合線416和引線框架414的全部或部分。
[0049]圖5展示了第三示例性RF封裝500。該封裝500包括第一有源元件506、其由第一腔結構508所覆蓋，以及第二有源元件514，由第二腔結構516覆蓋。第一腔結構508包括第一蓋件510和第一組側壁512。第二腔結構516包括第二蓋件518和第二組側壁520。
[0050]電路504的剩余部分可以包括或不包括額外的有源或無源元件。隨后包封劑可以被應用至全部或部分的腔結構508、516，電路504，襯底502，鍵合線和引線框架。
[0051 ]圖6A和6B展示了第四示例性RF封裝600。該封裝600包括其上貼附有電路604的散熱器602。在一個例子中，電路604包括一個或多個有源元件606和無源元件。腔結構608(包括蓋件610和一組側壁612)，被置于至少一個有源元件606上方。
[0052]散熱器602和一個或多個端子614(例如，引腳，經(jīng)由觸點或即觸點)嵌入在疊層襯底603中。
[0053]電路604通過一個或多個鍵合線616連接至端子610。在一個例子中，包封劑材料618覆蓋了整個電路604、腔結構608、鍵合線616和至少一個端子614。在其他例子中，包封劑材料618可以僅覆蓋電路604、腔結構608和鍵合線616。疊層體603可以是基于襯底的有機材料。
[0054]圖8是制作RF封裝的示例方法。對指令說明的討論順序并不限制其他示例實施例實施所述指令的順序。此外，在一些實施例中，所述指令同時實施。
[0055]第一示例指令始于702，鑒別RF電路。下一步，在704中，將在所述RF電路上形成腔結構，其中至少一部分所述腔結構的高度是基于所述RF電路的磁場水平的。然后，在706中，在所述RF電路的至少一側，以包封劑材料覆蓋所述RF電路和所述腔結構。
[0056]所述指令可以以一個或多個以下額外指令進行加強，其列舉并無特定順序。額外指令包括:708-其中在所述RF電路被切出并貼附在襯底上之后，在所述RF電路上形成腔結構。710-其中在用鍵合線將所述RF電路接合到引線框架上之后，在所述RF電路上形成腔結構。712-其中所述電路包括有源元件和無源元件;其中所述腔結構不覆蓋全部無源元件，且其中包封劑材料覆蓋全部有源元件和無源元件。714-其中在RF電路被切出并貼附到襯底上之前，在RF電路上形成腔結構。716-其中腔結構的側壁以液體涂覆。注意到，在圖案化的WBC(晶片背側涂層)工藝中，在膠水將被涂至RF電路204的時刻，膠水無需一定是液體。相反，在涂覆至晶圓背側上之后，環(huán)氧膠粘劑能夠預固化，這將被蓋214所使用。在WBC預固化之后，其在表面已經(jīng)是干燥的，718-其中腔結構的介電常數(shù)小于包封劑材料的介電常數(shù)，720-其中腔結構的側向高度大于20μπι。
[0057]以下將給出制作RF封裝的一個替代性示例方法。在應用蓋件214之前，首先完成前端裸片205的加工，以避免過高溫度。接下來，將裸片204貼附至散熱器202(在中間加熱300-400°C用焊接劑粘合)。隨后，鍵合線212將裸片204鍵合至引線框架210。如果需要，引線鍵合方向可調(diào)節(jié)，以降低在RF裸片204上的引線高度，從而使得在引線區(qū)域上方較大的薄膜成為可能，以下將對此進行討論。
[0058]有至少兩種用于涂覆膠水216的選擇。在第一中選擇中，膠水216先涂覆在裸片204上。在第二種選擇中，膠水216先涂覆在蓋件214上。
[0059]在第一種選擇中，膠水216圍繞裸片204的有源RF區(qū)域206進行圖案化。膠水216在裸片204上圖案化，使用高粘度膠水形成一些較厚部位。在一個示例實施例中，使用非傳導性膠水216避免了裸片204元件之間的不想要的電連接，且非傳導性膠水216可以涂覆在鍵合線212和其他金屬結構上。傳導性膠水216將需要更小心地置于裸片204上，以避免不想要的電連接。膠水/粘合劑216可以使用線上膜(Film over Wire, F0W)技術，置于絲線上方。當絲線焊盤非常靠近有源區(qū)域206時，這可以是有利的。對商用FOW材料進行優(yōu)化，以限制模塑料的TCE差別。
[0060]家下來創(chuàng)建蓋件214。蓋件214的側向厚度是基于數(shù)個因素的，包括但不限于RF裸片204的有源區(qū)域206的尺寸，和在模塑過程中所施加的壓力。典型的蓋件214厚度在50-300μπι范圍內(nèi)，優(yōu)選地在100-200μπι級。蓋件214的材料在一個實施例中是硅，然而在替代性實施例中也可以是陶瓷、有機或金屬材料。
[0061]在一個例子中，當蓋件214是硅制成的時，晶圓被圖案化成蓋件結構。如上所述，如果選擇第二選項，則膠水216先涂覆到蓋件214上，而不是裸片204上?？梢允褂镁A背側涂覆(WBC)技術，將膠水側壁216涂覆到蓋件214上。使用WBC結合絲網(wǎng)印刷結果將粘合劑涂覆至晶圓上定義好的粘合劑圖案。粘性壁的寬度和高度將受絲網(wǎng)印刷工藝(即，最低絲網(wǎng)孔徑寬高比)的限制。
[0062]接下來，蓋件214從晶圓上切出。隨后，對于選項I，使用標準裸片貼附工藝(S卩，與常規(guī)裸片鍵合類似的工藝)，將蓋件214置于RF裸片204上圍繞有源電路206的膠水216的頂上。對于選項2，使用標準裸片貼附工藝，將膠水216和蓋件216的組合置于RF裸片204上的有源電路206上方。
[0063]隨后，蓋件214和膠水216在中間熱固化步驟中鍵合至裸片204。將蓋件鍵合至RF裸片204將導致粘性壁的輕度皺縮。在蓋件214和膠水216鍵合后，RF電路封裝200被包覆成型/包封。
[0064]上述附圖中的指令和/或流程步驟除非明確說明了具體順序，否則可以以任何順序執(zhí)行。而且，本領域技術人員可以理解，雖然所述為一組示例的指令說明/方法，本說明書的內(nèi)容還可以通過各種方式進行組合，以生成其他實施例，且應當在該【具體實施方式】描述的上下文中進行理解。
【主權項】
1.一種封裝，包括: RF電路，其包括以至少IGHz頻率工作的放大器設備，并具有第一部分和第二部分； 腔結構，其僅被置于所述RF電路的第一部分上方；以及 包封劑材料，接合該包封劑材料以在所述RF電路的至少一側覆蓋所述RF電路和所述腔結構。2.根據(jù)權利要求1所述的封裝，其特征在于，所述電路的第一部分包括有源元件，并且其中所述電路的第二部分包括無源元件。3.根據(jù)權利要求1或2所述的封裝，其特征在于，所述腔結構包括基于所述RF電路中的磁場水平的高度。4.根據(jù)權利要求1到3中任一項所述的封裝，其特征在于，所述腔結構包括蓋件和粘性側壁。5.根據(jù)權利要求4所述的封裝，其特征在于，所述蓋件是半導體裸片。6.根據(jù)權利要求1到5中任一項所述的封裝，其特征在于，該封裝進一步包括引線框架和一組鍵合線； 其中第一鍵合線將所述RF電路接合至所述引線框架； 其中所述腔結構完全覆蓋第二鍵合線;并且 其中所述包封劑進一步覆蓋所述第一鍵合線、所述第二鍵合線和一部分所述引線框架。7.根據(jù)權利要求6所述的封裝，其特征在于，該封裝進一步包括由所述腔結構完全覆蓋的第二電路;且其中所述第二鍵合線將RF電路接合至所述第二電路。8.根據(jù)權利要求1所述的封裝，其特征在于，所述RF電路為單一半導體裸片。9.根據(jù)權利要求1所述的封裝，其特征在于，接合所述包封劑材料，以包封所述RF電路和腔結構。10.包封制造方法，包括: 識別RF電路； 在所述RF電路上形成腔結構，其中至少一部分腔結構具有基于RF電路中磁場水平的高度，該高度優(yōu)選地至少為20μπι;以及 利用包封劑材料在所述RF電路的至少一側上覆蓋所述RF電路和所述腔結構。11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，所述腔結構包括粘性壁和帶后側的蓋件，其中所述粘性壁是通過下述形成:將涂覆的第一粘性層連接至蓋件的后側、將涂覆的第二粘性層連接至體現(xiàn)為RF電路或部分的RF電路的半導體裸片的頂側。12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于，在所述RF電路被切出并貼附至襯底之后，所述腔結構形成在所述RF電路上，且在用鍵合線將RF電路接合至引線框架之后，所述腔結構形成在所述RF電路上。13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述腔結構包括下述步驟:根據(jù)預定圖案將第二粘性層涂覆至第一半導體裸片，并連接所述第一和第二粘性層。14.根據(jù)權利要求10到13中任一項所述的方法，其特征在于，所述電路包括有源元件和無源元件； 其中所述腔結構不覆蓋全部的無源元件;并且 其中所述包封劑材料不覆蓋全部的有源和無源元件。15.根據(jù)權利要求10到14中任一項所述的方法，其特征在于，所述腔結構的側壁作為液體而涂覆。
【文檔編號】H01L23/552GK105895620SQ201610085787
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年2月15日
【發(fā)明人】魏因申克·克里斯蒂安
【申請人】安普林荷蘭有限公司