具有高孔徑比的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【專利摘要】具有高孔徑比的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。一種有機(jī)發(fā)光二極管OLED顯示器包括：基板，該基板中限定有發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；OLED，該OLED被布置在發(fā)射區(qū)域中。該OLED顯示器還包括：薄膜晶體管，該薄膜晶體管被布置在非發(fā)射區(qū)域中；第一絕緣層，該第一絕緣層與非發(fā)射區(qū)域中的薄膜晶體管交疊；第一存儲(chǔ)電容電極，該第一存儲(chǔ)電容電極被布置在第一絕緣層上在發(fā)射區(qū)域中；第二絕緣層，該第二絕緣層被布置為覆蓋第一存儲(chǔ)電容電極和除薄膜晶體管的一部分之外的薄膜晶體管，薄膜晶體管的所述部分通過第二絕緣層被暴露。該OLED顯示器還包括布置在第二絕緣層上的有機(jī)保護(hù)層以及OLED的布置在第二絕緣層上的陽電極，該陽電極電連接至薄膜晶體管。
【專利說明】
具有高孔徑比的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本公開涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法，其能夠通過利用透明導(dǎo)電材料 形成存儲(chǔ)電容來改進(jìn)孔徑比。
【背景技術(shù)】
[0002] 近來，已開發(fā)了能夠減小陰極射線管的不利的重量和體積的各種類型的平板顯示 器。平板顯示器包括液晶顯示器（LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器（FED)、等離子體顯示面板（PDP)、電 致發(fā)光（EL)裝置等。
[0003] EL裝置根據(jù)發(fā)射層的材料被分類為無機(jī)EL裝置和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。EL裝 置是自發(fā)光裝置并且具有響應(yīng)速度快、發(fā)射效率高、亮度高和視角寬的優(yōu)點(diǎn)。
[0004] 圖1例示了有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，有機(jī)發(fā)光二極管包括有機(jī)ELK 合物層以及彼此相對(duì)的陰電極Cathode和陽電極Anode，陰電極Cathode和陽電極Anode之 間插置了有機(jī)EL化合物層。有機(jī)EL化合物層包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)射 層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL。
[0005] 在該有機(jī)發(fā)光二極管中，在分別注入到陽電極Anode和陰電極Cathode中的空穴 和電子在發(fā)射層EML中復(fù)合的激發(fā)過程中形成激子，并且通過來自激子的能量發(fā)射光。有 機(jī)發(fā)光二極管顯示器（0LEDD)通過以電的方式控制如圖1所示的有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)射層 EML中產(chǎn)生的光的量來顯示圖像。
[0006] 利用作為電致發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光二極管的特性，0LEDD被分類為無源矩陣型有 機(jī)發(fā)光二極管顯示器（PM0LED)和有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器（AM0LED)。
[0007] AM0LED通過利用薄膜晶體管（在下文中，被稱為"TFT"）控制在有機(jī)發(fā)光二極管 中流動(dòng)的電流來顯示圖像。
[0008] 圖2是示出了 0LEDD中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的等效電路圖的示例。圖3是示出了 0LEDD中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4是示出了沿著圖3中的線1-1'截取的0LEDD的 結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0009] 參照?qǐng)D2和圖3, AM0LED包括開關(guān)TFT ST、連接至開關(guān)TFT ST的驅(qū)動(dòng)TFT DT以 及與驅(qū)動(dòng)TFT DT接觸的有機(jī)發(fā)光二極管0LED。
[0010] 開關(guān)TFT ST形成在掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL彼此交叉的一部分處。開關(guān)TFT ST具 有選擇像素的功能。開關(guān)TFT ST包括從掃描線SL分支的柵電極SG、半導(dǎo)體層SA、源電極 SS和漏電極SD。驅(qū)動(dòng)TFT DT具有驅(qū)動(dòng)由開關(guān)TFT ST選擇的像素的有機(jī)發(fā)光二極管0LED 的功能。驅(qū)動(dòng)TFT DT包括連接至開關(guān)TFT ST的漏電極SD的柵電極DG、半導(dǎo)體層DA、連接 至驅(qū)動(dòng)電流線VDD的源電極SD、以及漏電極DD。驅(qū)動(dòng)TFTDT的漏電極DD連接至有機(jī)發(fā)光 二極管0LED的陽電極ΑΝ0。
[0011] 更具體地，參照?qǐng)D4,開關(guān)TFT ST的柵電極SG和驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵電極DG形成在 AM0LED的基板SUB上。柵絕緣層GI覆蓋柵電極SG和DG。半導(dǎo)體層SA和DA分別形成在 柵絕緣層GI的各部分上，與柵電極SG和DG交疊。源電極SS和DS以及漏電極SD和DD分 別以預(yù)定距離彼此相對(duì)地形成在半導(dǎo)體層SA和DA上。開關(guān)TFT ST的漏電極SD通過形成 在柵絕緣層GI中的接觸孔與驅(qū)動(dòng)TFT DT的柵電極DG接觸。覆蓋如以上所述構(gòu)造的開關(guān) TFT ST和驅(qū)動(dòng)TFT DT的保護(hù)層PAS被涂布在基板SUB的整個(gè)表面上。
[0012] 具體地，當(dāng)半導(dǎo)體層SA和DA由氧化物半導(dǎo)體材料形成時(shí)，半導(dǎo)體層SA和DA在具 有大充電電容的大面積TFT基板中因?yàn)樗鼈兊母唠姾蛇w移率而有利于高分辨率和高速驅(qū) 動(dòng)。然而，為了確保元件的穩(wěn)定性，氧化物半導(dǎo)體層SA和DA分別優(yōu)選地還包括用于保護(hù)不 受其上表面上的蝕刻劑影響的蝕刻阻擋層SE和DE。
[0013] 濾色器CF形成在與要稍后形成的陽電極ΑΝ0的區(qū)域?qū)?yīng)的一部分處。濾色器CF 被優(yōu)選地形成為占據(jù)盡可能寬的區(qū)域。例如，濾色器CF被優(yōu)選地形成為與數(shù)據(jù)線DL、驅(qū)動(dòng) 電流線VDD和掃描線SL的許多區(qū)域交疊。因?yàn)槎鄠€(gè)組件形成在上面形成有濾色器CF的基 板上，所以基板的表面是不平坦的，并且許多階梯覆蓋形成在基板上。因此，覆蓋層0C被涂 布在基板的整個(gè)表面上，以便使基板的表面平整。
[0014] 有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陽電極ΑΝ0形成在覆蓋層0C上。這里，陽電極ΑΝ0通過 形成在覆蓋層0C和保護(hù)層PAS中的接觸孔連接至驅(qū)動(dòng)TFT DT的漏電極DD。
[0015] 堤BN形成在形成有陽電極ΑΝ0的基板上的形成有開關(guān)TFT ST、驅(qū)動(dòng)TFT DT以及 各種線DL、SL和VDD的區(qū)域上，以限定像素。
[0016] 由堤BN暴露的陽電極ΑΝ0成為發(fā)射區(qū)域。有機(jī)發(fā)光層OLE和陰電極層CAT被依 次層壓在由堤BN暴露的陽電極ΑΝ0上。當(dāng)有機(jī)發(fā)光層0LE由發(fā)射白光的有機(jī)材料制成時(shí)， 指派給各個(gè)像素的顏色由位于有機(jī)發(fā)光層0LE下方的濾色器CF來顯示。如圖4所示構(gòu)造 的0LEDD成為向下發(fā)射光的底部發(fā)射顯示器。
[0017] 在以上描述的底部發(fā)射0LEDD中，存儲(chǔ)電容STG形成在驅(qū)動(dòng)TFT DT和陽電極ΑΝ0 彼此交疊的空間中。0LEDD通過驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管來顯示圖像信息。在這種狀態(tài)下，需要 相當(dāng)大量的能量來驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管。因此，需要大容量存儲(chǔ)電容來準(zhǔn)確地顯示圖像信 息，諸如數(shù)據(jù)值被快速地改變的運(yùn)動(dòng)圖片。
[0018] 為了充分確保存儲(chǔ)電容的大小，存儲(chǔ)電容電極的面積應(yīng)該足夠大。在底部發(fā)射 0LEDD中，出現(xiàn)問題的原因在于，如果存儲(chǔ)電容的面積增加，則發(fā)射光的面積（即，孔徑比） 減小。在頂部發(fā)射0LEDD中，存儲(chǔ)電容能夠形成在發(fā)射區(qū)域下方。因此，盡管設(shè)計(jì)了大容量 存儲(chǔ)電容，但是孔徑比不減小。然而，在底部發(fā)射0LEDD中，存在問題的原因在于存儲(chǔ)電容 的面積與孔徑比的減小直接相關(guān)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0019] 本實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法，其中利用透明存儲(chǔ) 電容電極的存儲(chǔ)電容形成在發(fā)射區(qū)域中，使得能夠在不減小孔徑比的情況下確保足夠的存 儲(chǔ)電容。此外，本實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法，其能夠在存儲(chǔ) 電容形成在發(fā)射區(qū)域中時(shí)減少用于形成存儲(chǔ)電容的掩模工藝的數(shù)量。
[0020] 在一個(gè)方面中，一種有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯不器包括：基板，該基板中限定有 發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；0LED，該0LED被布置在所述發(fā)射區(qū)域中；薄膜晶體管，該薄膜晶體 管被布置在所述非發(fā)射區(qū)域中；第一絕緣層，該第一絕緣層與所述非發(fā)射區(qū)域中的所述薄 膜晶體管交疊；第一存儲(chǔ)電容電極，該第一存儲(chǔ)電容電極被布置在所述第一絕緣層上在所 述發(fā)射區(qū)域中。所述OLED裝置還包括第二絕緣層，該第二絕緣層被布置為覆蓋所述第一存 儲(chǔ)電容電極和除所述薄膜晶體管的一部分之外的所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的所述 部分通過所述第二絕緣層被暴露。所述裝置還包括：有機(jī)保護(hù)層，該有機(jī)保護(hù)層被布置在所 述第二絕緣層上并且在除所述薄膜晶體管的所述部分通過所述第二絕緣層被暴露的地方 之外與所述薄膜晶體管交疊；以及所述0LED的陽電極，該陽電極被布置在所述第二絕緣層 上，該陽電極電連接至所述薄膜晶體管，其中，所述陽電極和所述第一存儲(chǔ)電容電極彼此交 疊，并且所述第二絕緣層在所述發(fā)射區(qū)域中插置在所述陽電極與所述第一存儲(chǔ)電容電極之 間以形成存儲(chǔ)電容器。
[0021] 在另一方面中，存在一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，該方法包括以 下步驟：制備包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域的基板；在所述非發(fā)射區(qū)域中形成薄膜晶體管； 形成與所述非發(fā)射區(qū)域中的所述薄膜晶體管交疊的第一絕緣層；在所述第一絕緣層上在所 述發(fā)射區(qū)域中形成第一存儲(chǔ)電容電極。該方法還包括以下步驟：形成與所述第一存儲(chǔ)電容 電極和除所述薄膜晶體管的一部分之外的所述薄膜晶體管交疊的第二絕緣層；在所述第二 絕緣層上形成有機(jī)保護(hù)層以在除所述薄膜晶體管的所述部分通過所述第二絕緣層被暴露 的地方之外與所述薄膜晶體管交疊；以及在所述第二絕緣層上形成陽電極以電連接至所述 薄膜晶體管，其中，所述陽電極和所述第一存儲(chǔ)電容電極彼此交疊，并且所述第二絕緣層在 所述發(fā)射區(qū)域中插置在所述陽電極和所述第一存儲(chǔ)電容電極之間以形成存儲(chǔ)電容器。
[0022] 根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式，一種有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器包括：基板，該 基板包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；薄膜晶體管，該薄膜晶體管形成在所述非發(fā)射區(qū)域中； 0LED，該0LED形成在所述發(fā)射區(qū)域中；以及存儲(chǔ)電容器，該存儲(chǔ)電容器連接在所述薄膜晶 體管的柵電極與源電極和漏電極中的一個(gè)之間，該存儲(chǔ)電容器形成在所述發(fā)射區(qū)域的至少 一部分中，以在由所述0LED發(fā)射光的方向上與所述0LED的一部分交疊。
[0023] 在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式中，所述0LED顯示器還包括有機(jī)保護(hù)層，該有機(jī)保護(hù)層 基本上在所述整個(gè)發(fā)射區(qū)域中使所述存儲(chǔ)電容器與所述0LED分開，該有機(jī)保護(hù)層包括有 機(jī)絕緣材料。
[0024] 在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式中，一種制造有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的方法包 括以下步驟：形成包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域的基板；在所述基板的所述非發(fā)射區(qū)域中形 成薄膜晶體管；在所述發(fā)射區(qū)域中形成存儲(chǔ)電容器；以及在所述發(fā)射區(qū)域中形成0LED，以 在所述發(fā)射區(qū)域的至少一部分中在由所述0LED發(fā)射光的方向上與所述存儲(chǔ)電容器交疊。
【附圖說明】
[0025] 附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入本說明書并構(gòu)成本說明書 的一部分，附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與本說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。附 圖中：
[0026] 圖1是示出了通常的有機(jī)發(fā)光二極管的視圖；
[0027] 圖2是示出了通常的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0028] 圖3是示出了通常的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0029] 圖4是示出了沿著圖3中的線1-1'截取的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的截面 圖；
[0030] 圖5是示出了根據(jù)本公開的第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié) 構(gòu)的平面圖；
[0031] 圖6是示出了沿著圖5中的線11-11'截取的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平 面圖；
[0032] 圖7A至圖7J是示出了用于制造根據(jù)本公開的第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二 極管顯示器的方法的視圖；
[0033] 圖8是示出了根據(jù)本公開的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié) 構(gòu)的截面圖；
[0034] 圖9A至圖9H是示出了用于制造根據(jù)本公開的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二 極管顯示器的方法的視圖；
[0035] 圖10是示出了根據(jù)本公開的第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié) 構(gòu)的截面圖；以及
[0036] 圖11是示出了根據(jù)表1的結(jié)果的色坐標(biāo)的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037] 現(xiàn)在將詳細(xì)地參照本公開的實(shí)施方式，其示例被例示在附圖中。只要可能，相同的 附圖標(biāo)記將在所有附圖中用來指代相同或相似的部分。應(yīng)當(dāng)注意，如果確定了已知技術(shù)可 能誤導(dǎo)本公開的實(shí)施方式，則將省略對(duì)這些技術(shù)的詳細(xì)描述。
[0038] 〈第一示例性實(shí)施方式的特征〉
[0039] 在下文中，將參照?qǐng)D5和圖6描述本公開的第一示例性實(shí)施方式。圖5是示出了 根據(jù)本公開的第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖6是示出 了沿著圖5中的線11-11'截取的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0040] 參照?qǐng)D5和圖6,根據(jù)本公開的第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包 括限定有發(fā)射區(qū)域AA和非發(fā)射區(qū)域NA的基板SUB、開關(guān)TFT ST、連接至開關(guān)TFTST的驅(qū)動(dòng) TFT DT、與驅(qū)動(dòng)TFT DT接觸的第二存儲(chǔ)電容電極SG2、通過使第二存儲(chǔ)電容電極SG2和第一 存儲(chǔ)電容電極SG1彼此交疊而形成的存儲(chǔ)電容STG、以及通過第二存儲(chǔ)電容電極SG2連接至 驅(qū)動(dòng)TFT DT的有機(jī)發(fā)光二極管0LED。存儲(chǔ)電容STG和有機(jī)發(fā)光二極管0LED形成在發(fā)射區(qū) 域AA中，并且TFT ST和TFT DT以及線SL、DL和VDD。
[0041] 掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL按照矩陣形式形成在基板SUB上以限定像素。開關(guān)TFTST 形成在掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL彼此交叉的區(qū)域中，以具有選擇像素的功能。開關(guān)TFT ST包 括開關(guān)柵電極SG、溝道層SA、開關(guān)源電極SS和開關(guān)漏電極SD。開關(guān)柵電極SG從掃描線SL 分支，并且開關(guān)源電極SS從數(shù)據(jù)線DL分支。
[0042] 驅(qū)動(dòng)TFT DT包括驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌ODG、溝道層DA、驅(qū)動(dòng)源電極DS和驅(qū)動(dòng)漏電極DD。驅(qū) 動(dòng)?xùn)烹姌ODG連接至開關(guān)漏電極SD，并且驅(qū)動(dòng)源電極DS連接至驅(qū)動(dòng)電流線VDD。
[0043] 形成了第二絕緣層IN2,該第二絕緣層IN2覆蓋TFT ST的源電極SS和漏電極SD 以及TFT DT的源電極DS和漏電極DD并且暴露驅(qū)動(dòng)漏電極DD的一部分。第二存儲(chǔ)電容電 極SG2形成在第二絕緣層IN2上，以與驅(qū)動(dòng)漏電極DD的所述部分接觸。在這種狀態(tài)下，第 二存儲(chǔ)電容電極SG2與第一存儲(chǔ)電容電極SG1交疊，該第一存儲(chǔ)電容電極SG1在形成TFT ST的源電極SS和漏電極SD以及TFT DT的源電極DS和漏電極DD時(shí)一起形成，并且第二絕 緣層IN2被插置在第二存儲(chǔ)電容電極SG2與第一存儲(chǔ)電容電極SG1之間，以形成存儲(chǔ)電容 STG。
[0044] 存儲(chǔ)電容STG通過使由透明導(dǎo)電材料形成的第二存儲(chǔ)電容電極SG2和第一存儲(chǔ)電 容電極SG1彼此交疊而形成，進(jìn)而能夠形成在發(fā)射區(qū)域AA中，以在沒有孔徑比的任何減小 的情況下具有寬區(qū)域，從而確保足夠的存儲(chǔ)電容。
[0045] 暴露第二存儲(chǔ)電容電極SG2的一部分的有機(jī)保護(hù)層PAC形成在第二存儲(chǔ)電容電極 SG2上。陽電極ΑΝ0形成在有機(jī)保護(hù)層PAC上，以與第二存儲(chǔ)電容電極SG2接觸。陽電極 ΑΝ0通過第二存儲(chǔ)電容電極SG2電連接至驅(qū)動(dòng)TFT DT的漏電極DD。暴露陽電極ΑΝ0的一 部分的堤BN形成在陽電極ΑΝ0上。有機(jī)發(fā)光層0LE形成在堤BN的一部分和經(jīng)暴露的陽電 極ΑΝ0上，陰電極CAT形成在有機(jī)發(fā)光層0LE上，以覆蓋有機(jī)發(fā)光層OLE。因此，包括陽電極 ΑΝ0、有機(jī)發(fā)光層0LE和陰電極CAT的有機(jī)發(fā)光二極管0LED完成。
[0046] 在下文中，將參照?qǐng)D7A至圖7J詳細(xì)地描述制造根據(jù)本公開的第一示例性實(shí)施方 式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的工藝。通過該制造工藝，將按照更詳細(xì)的方式描述根據(jù)本公 開的第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的特性。圖7A至圖7J是示出用于制造 根據(jù)本公開的第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法的視圖。
[0047] 參照?qǐng)D7A，半導(dǎo)體材料被涂布在由透明玻璃或塑料制成的基板SUB的整個(gè)表面 上。半導(dǎo)體材料可以包括諸如銦鎵鋅氧化物（IGZ0)的氧化物半導(dǎo)體材料。通過第一掩模 工藝將半導(dǎo)體材料圖案化，以形成半導(dǎo)體層SE。
[0048] 參照?qǐng)D7B，絕緣材料和金屬材料被依次涂布在形成有半導(dǎo)體層SE的基板SUB的 整個(gè)表面上。通過第二掩模工藝將絕緣材料和金屬材料一起圖案化，以形成柵絕緣層GI以 及與其交疊的柵電極SG和DG。優(yōu)選地，柵電極SG和DG分別與半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域交 疊，并且暴露半導(dǎo)體層SE的兩側(cè)。半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域被分別限定為開關(guān)TFT ST的溝 道層SA和驅(qū)動(dòng)TFT DT的溝道層DA。經(jīng)暴露的半導(dǎo)體層SE成為分別與開關(guān)TFT的源電極 和漏電極以及驅(qū)動(dòng)TFT的源電極和漏電極接觸的源區(qū)域SSA和DSA以及漏區(qū)域SDA和DDA。 當(dāng)半導(dǎo)體材料是氧化物半導(dǎo)體材料時(shí)，源區(qū)域SSA和DSA以及漏區(qū)域SDA和DDA可以通過 等離子體處理工藝而具有導(dǎo)電性。
[0049] 參照?qǐng)D7C，絕緣材料被涂布在形成有柵電極SG和DG的基板SUB的整個(gè)表面上，從 而形成第一絕緣層IN1。通過第三掩模工藝將第一絕緣層IN1圖案化，以形成分別暴露半導(dǎo) 體層的源區(qū)域SSA和DSA的接觸孔SSH和DSH以及分別暴露半導(dǎo)體層的漏區(qū)域SDA和DDA 的接觸孔。在這種狀態(tài)下，還形成了暴露驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極DG的一部分的柵接觸孔GH。
[0050] 參照?qǐng)D7D，透明導(dǎo)電材料和金屬材料被依次涂布在形成有接觸孔的第一絕緣層 IN1上。透明導(dǎo)電材料可以是諸如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銦錫鋅氧化物的材料。通過第 四掩模工藝使透明導(dǎo)電材料和金屬材料圖案化，以形成開關(guān)TFT的源電極SS和漏電極SD 以及驅(qū)動(dòng)TFT的源電極DS和漏電極DD。此外，僅由透明導(dǎo)電材料制成的第一存儲(chǔ)電容電 極SG1形成在發(fā)射區(qū)域AA中。在這種狀態(tài)下，開關(guān)TFT的漏電極SD連接至驅(qū)動(dòng)TFT的柵 電極DG。
[0051] 利用半色調(diào)掩模來執(zhí)行第四掩模工藝。利用半色調(diào)掩模，開關(guān)TFT的源電極SS和 漏電極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT的源電極DS和漏電極DD中的每一個(gè)被形成為透明導(dǎo)電材料和金 屬材料的雙層，并且第一存儲(chǔ)電容電極SG1被形成為包括透明導(dǎo)電材料的單層。開關(guān)TFT 的源電極SS和漏電極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT的源電極DS和漏電極DD中的每一個(gè)可以被形成為 包括透明導(dǎo)電材料的單層。然而，考慮到透明導(dǎo)電材料的表面電阻較高，開關(guān)TFT的源電極 SS和漏電極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT的源電極DS和漏電極DD中的每一個(gè)被優(yōu)選地形成為通過層 疊透明導(dǎo)電材料和金屬材料而形成的雙層。
[0052] 參照?qǐng)D7E，絕緣材料被涂布在形成有TFT ST和TFT DT的基板SUB的整個(gè)表面上， 從而形成第二絕緣層IN2。通過第五掩模工藝使第二絕緣層IN2圖案化，以形成存儲(chǔ)電容接 觸孔SGH。
[0053] 參照?qǐng)D7F，透明導(dǎo)電材料被涂布在形成有存儲(chǔ)電容接觸孔SGH的基板SUB的整個(gè) 表面上。通過第六掩模工藝使透明導(dǎo)電材料圖案化，以形成第二存儲(chǔ)電容電極SG2。第二存 儲(chǔ)電容電極SG2被優(yōu)選地形成為與第一存儲(chǔ)電容電極SG1交疊。第二存儲(chǔ)電容電極SG2通 過存儲(chǔ)電容接觸孔SGH與驅(qū)動(dòng)TFT的漏電極DD接觸。
[0054] 在這種狀態(tài)下，第一存儲(chǔ)電容電極SG1和第二存儲(chǔ)電容電極SG2被形成為彼此交 疊，并且第二絕緣層IN2在發(fā)射區(qū)域AA中被插置在第一存儲(chǔ)電容電極SG1與第二存儲(chǔ)電容 電極SG2之間，并且存儲(chǔ)電容STG形成在第一存儲(chǔ)電容電極SG1和第二存儲(chǔ)電容電極SG2 彼此交疊的區(qū)域中。因此，在本公開的第一示例性實(shí)施方式中，存儲(chǔ)電容電極由透明導(dǎo)電材 料形成，使得能夠在沒有孔徑比的任何減小的情況下在整個(gè)發(fā)射區(qū)域AA中形成電極SG1和 SG2。此外，能夠形成具有寬區(qū)域的存儲(chǔ)電容，使得能夠確保足夠的存儲(chǔ)電容。
[0055] 參照?qǐng)D7G，絕緣材料被涂布在具有第二存儲(chǔ)電容電極SG2的基板SUB的整個(gè)表面 上，從而形成有機(jī)保護(hù)層PAC。通過第七掩模工藝使有機(jī)保護(hù)層PAC圖案化，以形成像素接 觸孔PH。
[0056] 參照?qǐng)D7H，透明導(dǎo)電材料被涂布在形成有像素接觸孔PH的基板SUB的整個(gè)表面 上。通過第八掩模工藝使透明導(dǎo)電材料圖案化，以形成陽電極ΑΝ0。陽電極ΑΝ0通過像素接 觸孔PH與第二存儲(chǔ)電容電極SG2接觸。陽電極ΑΝ0通過第二存儲(chǔ)電容電極SG2電連接至 驅(qū)動(dòng)TFT的漏電極DD。
[0057] 參照?qǐng)D71，絕緣材料被涂布在形成有陽電極ΑΝ0的基板SUB的整個(gè)表面上。通過 第九掩模工藝使絕緣材料圖案化，以形成堤BN。堤BN限定開口區(qū)域以成為實(shí)際的發(fā)射區(qū) 域。堤BN優(yōu)選地具有用于使區(qū)域開口以在陽電極ΑΝ0中發(fā)射光的形式。
[0058] 參照?qǐng)D7J，有機(jī)發(fā)光材料被涂布在形成有堤BN的基板SUB的整個(gè)表面上。通過第 十掩模工藝使有機(jī)發(fā)光材料圖案化，以形成紅色、綠色和藍(lán)色的有機(jī)發(fā)光層OLE或者紅色、 綠色、藍(lán)色和白色的有機(jī)發(fā)光層OLE。金屬材料被涂布在形成有有機(jī)發(fā)光層0LE的基板SUB 的整個(gè)表面上，從而形成陰電極CAT。因此，包括陽電極ΑΝ0、有機(jī)發(fā)光層OLE和陰電極CAT 的有機(jī)發(fā)光二極管0LED完成。
[0059] 在根據(jù)本發(fā)明的第一7K例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯7K器中，第一存儲(chǔ)電容 電極SG1和第二存儲(chǔ)電容電極SG2能夠形成在發(fā)射區(qū)域AA上，以在沒有孔徑比的任何減小 的情況下具有寬區(qū)域，從而確保足夠的存儲(chǔ)電容。結(jié)果，當(dāng)驅(qū)動(dòng)TFT處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，能夠 利用充分確保的存儲(chǔ)電容中填充的電荷來維持像素?cái)?shù)據(jù)，直到下一個(gè)周期為止。
[0060] 〈第二示例性實(shí)施方式的特征〉
[0061] 本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，當(dāng)利用 透明存儲(chǔ)電容電極形成存儲(chǔ)電容時(shí)，與第一示例性實(shí)施方式不同，在沒有用于形成第二存 儲(chǔ)電容電極SG2的掩模工藝（圖7F)的情況下形成存儲(chǔ)電容。然而，當(dāng)未形成第二存儲(chǔ)電 容電極時(shí)，存儲(chǔ)電容將形成在第一存儲(chǔ)電容電極與陽電極之間。在這種狀態(tài)下，形成在第一 存儲(chǔ)電容電極與陽電極之間的有機(jī)保護(hù)層具有較低的介電常數(shù)和較厚的厚度。因此，難以 形成存儲(chǔ)電容。因此，第二示例性實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，在該有機(jī)發(fā) 光二極管顯示器中，去除了形成在發(fā)射區(qū)域中的有機(jī)保護(hù)層，并且僅在形成有驅(qū)動(dòng)元件的 區(qū)域中形成有機(jī)保護(hù)層，從而利用透明存儲(chǔ)電容電極在發(fā)射區(qū)域中形成存儲(chǔ)電容。
[0062] 在下文中，參照?qǐng)D5和圖8,將描述本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式。圖8是示出根 據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0063] 參照?qǐng)D5和圖8,根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包 括限定有發(fā)射區(qū)域AA和非發(fā)射區(qū)域NA的基板SUB、開關(guān)TFT ST、連接至開關(guān)TFTST的驅(qū)動(dòng) TFT DT、與驅(qū)動(dòng)TFT DT接觸的陽電極ΑΝ0、以及通過使陽電極ΑΝ0和第一存儲(chǔ)電容電極SG1 彼此交疊而形成的存儲(chǔ)電容STG。存儲(chǔ)電容STG和有機(jī)發(fā)光二極管0LED形成在發(fā)射區(qū)域 AA中，并且TFT ST和TFT DT以及線SL、DL和VDD。
[0064] 掃描線和數(shù)據(jù)線按照矩陣形式形成在基板SUB上以限定像素。開關(guān)TFT ST形成 在掃描線SL和數(shù)據(jù)線彼此交叉的區(qū)域中，以具有選擇像素的功能。開關(guān)TFT ST包括開關(guān) 柵電極SG、溝道層SA、開關(guān)源電極SS和開關(guān)漏電極SD。開關(guān)柵電極SG從掃描線分支，開關(guān) 源電極SS從數(shù)據(jù)線分支。
[0065] 驅(qū)動(dòng)TFT DT包括驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌ODG、溝道層DA、驅(qū)動(dòng)源電極DS和驅(qū)動(dòng)漏電極DD。驅(qū) 動(dòng)?xùn)烹姌ODG連接至開關(guān)漏電極SD，并且驅(qū)動(dòng)源電極DS連接至驅(qū)動(dòng)電流線VDD。
[0066] 形成第二絕緣層IN2,該第二絕緣層IN2覆蓋TFT ST的源電極SS和漏電極SD以 及TFT DT的源電極DS和漏電極DD并且暴露驅(qū)動(dòng)漏電極DD的一部分。暴露驅(qū)動(dòng)漏電極DD 的一部分和發(fā)射區(qū)域AA的有機(jī)保護(hù)層PAC形成在第二絕緣層IN2上。
[0067] 陽電極ΑΝ0形成在有機(jī)保護(hù)層PAC上，以與驅(qū)動(dòng)漏電極DD接觸。在這種狀態(tài)下， 陽電極ΑΝ0與第一存儲(chǔ)電容電極SG1交疊，該第一存儲(chǔ)電容電極SG1在形成TFT ST的源電 極SS和漏電極SD以及TFT DT的源電極DS和漏電極DD時(shí)一起形成，并且第二絕緣層IN2 被插置在陽電極ΑΝ0與第一存儲(chǔ)電容電極SG1之間，以形成存儲(chǔ)電容STG。
[0068] 存儲(chǔ)電容STG通過使由透明導(dǎo)電材料形成的陽電極ΑΝ0和第一存儲(chǔ)電容電極SG1 彼此交疊而形成，進(jìn)而能夠形成在發(fā)射區(qū)域AA中，以在沒有孔徑比的任何減小的情況下具 有寬區(qū)域，從而確保足夠的存儲(chǔ)電容。在圖8的該實(shí)施方式中，陽電極ΑΝ0既充當(dāng)0LED的 陽極又充當(dāng)存儲(chǔ)電容SGT的這些電極中的一個(gè)電極的陽極。
[0069] 暴露陽電極ΑΝ0的一部分的堤BN形成在陽電極ΑΝ0上。有機(jī)發(fā)光層OLE形成在 堤BN的一部分和經(jīng)暴露的陽電極ΑΝ0上，陰電極CAT形成在有機(jī)發(fā)光層0LE上，以覆蓋有機(jī) 發(fā)光層OLE。因此，包括陽電極ΑΝ0、有機(jī)發(fā)光層0LE和陰電極CAT的有機(jī)發(fā)光二極管0LED 完成。
[0070] 在下文中，將參照?qǐng)D9A至9H詳細(xì)地描述制造根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式 的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的工藝。通過該制造工藝，將按照更詳細(xì)的方式描述根據(jù)本發(fā)明 的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的特性。圖9A至圖9H是示出用于制造根 據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法的視圖。
[0071] 參照?qǐng)D9A，半導(dǎo)體材料被涂布在由透明玻璃或塑料制成的基板SUB的整個(gè)表面 上。半導(dǎo)體材料可以包括諸如IGZO的氧化物半導(dǎo)體材料。通過第一掩模工藝使半導(dǎo)體材 料圖案化，以形成半導(dǎo)體層SE。
[0072] 參照?qǐng)D9B，絕緣材料和金屬材料被依次涂布在形成有半導(dǎo)體層SE的基板SUB的 整個(gè)表面上。通過第二掩模工藝使絕緣材料和金屬材料一起圖案化，以形成柵絕緣層GI以 及與其交疊的柵電極SG和DG。優(yōu)選地，柵電極SG和DG分別與半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域交 疊，并且暴露了半導(dǎo)體層SE的兩側(cè)。半導(dǎo)體層SE的中心區(qū)域被分別限定為開關(guān)TFT ST的 溝道層SA和驅(qū)動(dòng)TFT DT的溝道層DA。已暴露的半導(dǎo)體層SE成為分別與開關(guān)TFT的源電 極和漏電極和驅(qū)動(dòng)TFT的源電極和漏電極接觸的源區(qū)域SSA和DSA以及漏區(qū)域SDA和DDA。 當(dāng)半導(dǎo)體材料是氧化物半導(dǎo)體材料時(shí)，源區(qū)域SSA和DSA以及漏區(qū)域SDA和DDA可以通過 等離子體處理工藝而具有導(dǎo)電性。
[0073] 參照?qǐng)D9C，絕緣材料被涂布在形成有柵電極SG和DG的基板SUB的整個(gè)表面上，從 而形成第一絕緣層IN1。通過第三掩模工藝使第一絕緣層IN1圖案化，以形成分別暴露半導(dǎo) 體層的源區(qū)域SSA和DSA的接觸孔SSH和DSH以及分別暴露半導(dǎo)體層的漏區(qū)域SDA和DDA 的接觸孔。在這種狀態(tài)下，還形成了暴露驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極DG的一部分的柵接觸孔GH。
[0074] 參照?qǐng)D9D，透明導(dǎo)電材料和金屬材料被依次涂布在形成有接觸孔的第一絕緣層 IN1上。透明導(dǎo)電材料可以是諸如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或銦錫鋅氧化物的材料。通過第 四掩模工藝使透明導(dǎo)電材料和金屬材料圖案化，以形成開關(guān)TFT的源電極SS和漏電極SD 以及驅(qū)動(dòng)TFT的源電極DS和漏電極DD。此外，僅由透明導(dǎo)電材料制成的第一存儲(chǔ)電容電 極SG1形成在發(fā)射區(qū)域AA中。在這種狀態(tài)下，開關(guān)TFT的漏電極SD連接至驅(qū)動(dòng)TFT的柵 電極DG。
[0075] 利用半色調(diào)掩模來執(zhí)行第四掩模工藝。利用半色調(diào)掩模，開關(guān)TFT的源電極SS和 漏電極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT的源電極DS和漏電極DD中的每一個(gè)被形成為透明導(dǎo)電材料和金 屬材料的雙層，并且第一存儲(chǔ)電容電極SG1被形成為包括透明導(dǎo)電材料的單層。開關(guān)TFT 的源電極SS和漏電極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT的源電極DS和漏電極DD中的每一個(gè)可以被形成為 包括透明導(dǎo)電材料的單層。然而，考慮到透明導(dǎo)電材料的表面電阻較高，開關(guān)TFT的源電極 SS和漏電極SD以及驅(qū)動(dòng)TFT的源電極DS和漏電極DD中的每一個(gè)優(yōu)選地被形成為通過層 疊透明導(dǎo)電材料和金屬材料而形成的雙層。
[0076] 參照?qǐng)D9E，絕緣材料被涂布在形成有TFT ST和TFT DT的基板SUB的整個(gè)表面上， 從而形成第二絕緣層IN2。通過第五掩模工藝使第二絕緣層IN2圖案化，以形成像素接觸孔 PH〇
[0077] 參照?qǐng)D9F，絕緣材料被涂布在形成有像素接觸孔PH的基板SUB的整個(gè)表面上，從 而形成有機(jī)保護(hù)層PAC。通過第六掩模工藝使有機(jī)保護(hù)層PAC圖案化，以在發(fā)射區(qū)域AA中 暴露像素接觸孔PH和第二絕緣層IN2。
[0078] 參照?qǐng)D9G，透明導(dǎo)電材料被涂布在形成有有機(jī)保護(hù)層PAC的基板SUB上。通過第 七掩模工藝使透明導(dǎo)電材料圖案化，以形成陽電極ΑΝ0。陽電極ΑΝ0通過像素接觸孔PH與 驅(qū)動(dòng)TFT的漏電極DD接觸。
[0079] 在這種狀態(tài)下，第一存儲(chǔ)電容電極SG1和陽電極ΑΝ0被形成為彼此交疊，并且第二 絕緣層IN2在發(fā)射區(qū)域AA中被插置在第一存儲(chǔ)電容電極SG1和陽電極ΑΝ0之間，并且存儲(chǔ) 電容STG形成在第一存儲(chǔ)電容電極SG1和陽電極ΑΝ0彼此交疊的區(qū)域中。因此，在本公開 的第二示例性實(shí)施方式中，存儲(chǔ)電容電極由透明導(dǎo)電材料形成，使得能夠在沒有孔徑比的 任何減小的情況下在整個(gè)發(fā)射區(qū)域中形成電極。此外，能夠形成具有寬區(qū)域的存儲(chǔ)電容，使 得能夠確保足夠的存儲(chǔ)電容。
[0080] 參照?qǐng)D9H，絕緣材料被涂布在形成有陽電極ΑΝ0的基板SUB的整個(gè)表面上。通過 第八掩模工藝使絕緣材料圖案化，以形成堤BN。堤BN限定開口區(qū)域以成為實(shí)際的發(fā)射區(qū) 域。堤BN優(yōu)選地具有用于打開區(qū)域以在陽電極ΑΝ0中發(fā)射光的形式。
[0081] 此后，如同第一示例性實(shí)施方式中所提到的，0LED通過層疊有機(jī)發(fā)光層0LE和陰 電極CAT而形成，如圖8所示。在用于制造根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光 二極管顯示器的方法中，掩模工藝的數(shù)量與第一示例性實(shí)施方式中的掩模工藝的數(shù)量相比 減少了。在第二示例性實(shí)施方式中，省略了在第一示例性實(shí)施方式的制造工藝中描述的形 成第二存儲(chǔ)電容電極SG2的工藝。因此，在第二示例性實(shí)施方式中，能夠減少工藝的制造空 間和生產(chǎn)時(shí)間并且能夠降低工藝成本。
[0082] 在用于制造根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法 中，第一存儲(chǔ)電容電極SG1能夠形成在發(fā)射區(qū)域AA上，以在沒有孔徑比的任何減小的情況 下具有寬區(qū)域，從而確保足夠的存儲(chǔ)電容。結(jié)果，當(dāng)驅(qū)動(dòng)TFT處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，能夠利用充 分確保的存儲(chǔ)電容中填充的電荷來維持像素?cái)?shù)據(jù)，直到下一個(gè)周期為止。
[0083] 〈第三示例性實(shí)施方式的特征〉
[0084] 與第二示例性實(shí)施方式不同，本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式提供了一種有機(jī)發(fā)光 二極管顯示器，在該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，在發(fā)射區(qū)域中僅去除了有機(jī)保護(hù)層PAC的 一部分，使得能夠使數(shù)據(jù)線與陽電極之間的寄生電容最小化并且能夠在驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)TFT時(shí)確 保足夠的存儲(chǔ)電容。
[0085] 具體地，有機(jī)保護(hù)層PAC是被形成為減少數(shù)據(jù)線與陽電極之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)的信號(hào) 傳輸失真現(xiàn)象的有機(jī)絕緣層?？紤]到由有機(jī)保護(hù)層占據(jù)以便執(zhí)行有機(jī)保護(hù)層的功能的區(qū)域 以及為了在驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)TFT時(shí)確保存儲(chǔ)電容足夠的存儲(chǔ)電容的區(qū)域，有機(jī)保護(hù)層PAC可以形 成在發(fā)射區(qū)域的僅一部分中。
[0086] 在本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式中，直到形成有機(jī)保護(hù)層之前為止的工藝與第二 示例性實(shí)施方式中的工藝基本上相同。圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式 的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0087] 參照?qǐng)D10,絕緣材料被涂布在形成有像素接觸孔PH的第二絕緣層IN2的表面上， 從而形成有機(jī)保護(hù)層PAC。通過第六掩模工藝使有機(jī)保護(hù)層PAC圖案化，以在發(fā)射區(qū)域AA 的一部分B中暴露像素接觸孔PH和第二絕緣層IN2。透明導(dǎo)電材料被涂布在形成有有機(jī)保 護(hù)層PAC的基板SUB的整個(gè)表面上。通過第七掩模工藝使透明導(dǎo)電材料圖案化，以形成陽 電極ΑΝ0。陽電極ΑΝ0通過像素接觸孔PH與驅(qū)動(dòng)TFT的漏電極DD接觸。
[0088] 在這種狀態(tài)下，第一存儲(chǔ)電容電極SG1和陽電極ΑΝ0被形成為彼此交疊，并且第二 絕緣層IN2在有機(jī)保護(hù)層PAC未形成在發(fā)射區(qū)域AA中的區(qū)域B中被插置在第一存儲(chǔ)電容 電極SG1和陽電極ΑΝ0之間，并且存儲(chǔ)電容STG形成在第一存儲(chǔ)電容電極SG1和陽電極ΑΝ0 彼此交疊的區(qū)域中。因此，在本公開的第三示例性實(shí)施方式中，存儲(chǔ)電容電極由透明導(dǎo)電材 料形成，使得能夠在沒有孔徑比的任何減小的情況下在發(fā)射區(qū)域AA的一部分中形成這些 電極。此外，能夠形成具有寬區(qū)域的存儲(chǔ)電容，使得能夠確保足夠的存儲(chǔ)電容。
[0089] 絕緣材料被涂布在形成有陽電極ΑΝ0的基板SUB的整個(gè)表面上。通過第八掩模工 藝使絕緣材料圖案化，以形成堤BN。堤BN限定開口區(qū)域以成為實(shí)際的發(fā)射區(qū)域。堤BN優(yōu) 選地具有用于打開區(qū)域以在陽電極ΑΝ0中發(fā)射光的形式。
[0090] 有機(jī)發(fā)光層0LE形成在堤BN的一部分和經(jīng)暴露的陽電極ΑΝ0上，并且陰電極CAT 形成在有機(jī)發(fā)光層OLE上以覆蓋有機(jī)發(fā)光層OLE。因此，包括陽電極ΑΝ0、有機(jī)發(fā)光層OLE 和陰電極CAT的有機(jī)發(fā)光二極管0LED完成。
[0091] 在本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式中，孔徑比可以減小，因?yàn)楹谏珔^(qū)域通過有機(jī)保 護(hù)層的階梯覆蓋來產(chǎn)生。此外，在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，當(dāng)陽電極短路到陰電極時(shí)，不 能夠使用整個(gè)像素。作為解決該問題的方法，能夠應(yīng)用一個(gè)像素被劃分為兩個(gè)區(qū)域的修補(bǔ) 圖案結(jié)構(gòu)。修補(bǔ)圖案結(jié)構(gòu)包括被布置在兩個(gè)區(qū)域之間的堤，以將一個(gè)像素劃分為兩個(gè)區(qū)域。 但是布置有堤的區(qū)域成為黑色區(qū)域。因此，當(dāng)形成有有機(jī)保護(hù)層的階梯覆蓋的部分與另外 形成有堤的部分交疊時(shí)，能夠根據(jù)本公開的第三示例性實(shí)施方式在基本上不減小孔徑比的 情況下同時(shí)實(shí)現(xiàn)修補(bǔ)圖案結(jié)構(gòu)和本公開的第三示例性實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)。
[0092] 如同第二示例性實(shí)施方式，在用于制造根據(jù)本公開的第三示例性實(shí)施方式的有機(jī) 發(fā)光二極管顯示器的方法中，掩模工藝的數(shù)量與第一示例性實(shí)施方式中的掩模工藝的數(shù)量 相比減少了。也就是說，在第三示例性實(shí)施方式中，與第一示例性實(shí)施方式相比省略了形成 第二存儲(chǔ)電容電極SG2的工藝（圖7F)。因此，在第三示例性實(shí)施方式中，能夠減少工藝的 制造空間和生產(chǎn)時(shí)間并且能夠降低工藝成本。
[0093] 在用于制造根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法 中，第一存儲(chǔ)電容電極SG1能夠形成在發(fā)射區(qū)域AA的一部分上以具有寬區(qū)域，從而確保足 夠的存儲(chǔ)電容。結(jié)果，當(dāng)驅(qū)動(dòng)TFT處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，能夠利用充分確保的存儲(chǔ)電容中填充的 電荷來維持像素?cái)?shù)據(jù)，直到下一個(gè)周期為止。
[0094]〈第四示例性實(shí)施方式的特征〉
[0095] 必要時(shí)，有機(jī)保護(hù)層的不同結(jié)構(gòu)可以分別形成在子像素中。例如，可以在紅色子像 素中使用如第二示例性實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)，可以在綠色子像素中使用如第三示例性實(shí)施 方式所示的結(jié)構(gòu)等。因此，子像素的有機(jī)保護(hù)層可以根據(jù)設(shè)計(jì)者的意圖而形成為不同的結(jié) 構(gòu)。
[0096] 在本公開的示例性實(shí)施方式當(dāng)中，特別是在根據(jù)作為優(yōu)選示例性實(shí)施方式的第二 示例性實(shí)施方式和第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，發(fā)射效率由于陽電極 ΑΝ0與第一存儲(chǔ)電容SG1之間的光的相干/相消干涉而增加。也就是說，在第二示例性實(shí)施 方式和第三示例性實(shí)施方式中，第一絕緣層IN1 (低折射率層）、第一存儲(chǔ)電容電極SG1 (高 折射率層）、第二絕緣層IN2(低折射率層）和陽電極ΑΝ0(高折射率層）被依次層壓，使得 能夠通過由這些層之間的諧振而導(dǎo)致的光放大（微腔）來改進(jìn)發(fā)射效率和色純度。因此， 能夠提供一種具有增加的色域和增加的亮度的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
[0097] 在下文中，將參照表1和圖11描述根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式和第三示例 性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的色域的改變。
[0098] 表1示出了在第一存儲(chǔ)電容電極具有400 □的厚度并且第二絕緣層有2500 □的 厚度的測(cè)量條件下第二示例性實(shí)施方式和第三示例性實(shí)施方式的光學(xué)仿真結(jié)果。
[0099] 圖11是示出了根據(jù)表1的結(jié)果的色坐標(biāo)的曲線圖。
[0100] [表 1]
[0101]
[0102] 參照表1和圖11，可以看到，在發(fā)射區(qū)域中去除了有機(jī)保護(hù)層的第二示例性實(shí)施 方式中，與有機(jī)保護(hù)層形成在整個(gè)發(fā)射區(qū)域中的結(jié)構(gòu)相比，色域顯著地增加。另外，可以看 到，在發(fā)射區(qū)域的僅一部分中去除了有機(jī)保護(hù)層的第三示例性實(shí)施方式中，色域與第二示 例性實(shí)施方式相比減少，但是與第二有機(jī)保護(hù)層形成在整個(gè)發(fā)射區(qū)域中的結(jié)構(gòu)相比增加。
[0103] 也就是說，可以看到通過光放大的色域在第二示例性實(shí)施方式（例如，圖8)和第 三示例性實(shí)施方式（例如，圖10)中分別是89. 3%和79. 5%，其與有機(jī)保護(hù)層形成在整個(gè) 發(fā)射區(qū)域中的結(jié)構(gòu)相比顯著地增加。
[0104] 盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的許多例示性實(shí)施方式描述了這些實(shí)施方式，但是應(yīng)該理 解，將落在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)的許多其它修改和實(shí)施方式能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人 員設(shè)計(jì)出。更具體地，在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，本主題組合布置的組件部 分和/或布置方面的各種變化和修改是可能的。除了組件部分和/或布置方面的變化和修 改之外，另選的使用對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也將是顯而易見的。
[0105] 本申請(qǐng)要求于2014年9月5日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2014-0119390的優(yōu)先 權(quán)權(quán)益，通過引用將其并入本文以用于所有目的，如同在本文中充分闡述一樣。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)發(fā)光二極管OLED顯不器，該OLED顯不器包括： 基板，該基板中限定有發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域； 0LED，該OLED被布置在所述發(fā)射區(qū)域中； 薄膜晶體管，該薄膜晶體管被布置在所述非發(fā)射區(qū)域中； 第一絕緣層，該第一絕緣層與所述非發(fā)射區(qū)域中的所述薄膜晶體管交疊； 第一存儲(chǔ)電容電極，該第一存儲(chǔ)電容電極被布置在所述第一絕緣層上在所述發(fā)射區(qū)域 中； 第二絕緣層，該第二絕緣層被布置為覆蓋所述第一存儲(chǔ)電容電極和除所述薄膜晶體管 的一部分之外的所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的所述部分通過該第二絕緣層被暴露； 有機(jī)保護(hù)層，該有機(jī)保護(hù)層被布置在所述第二絕緣層上并且在除所述薄膜晶體管的所 述部分通過所述第二絕緣層被暴露的地方之外與所述薄膜晶體管交疊；以及 所述OLED的陽電極，該陽電極被布置在所述第二絕緣層上，該陽電極電連接至所述薄 膜晶體管， 其中，所述陽電極和所述第一存儲(chǔ)電容電極彼此交疊，并且所述第二絕緣層在所述發(fā) 射區(qū)域中被插置在所述陽電極與所述第一存儲(chǔ)電容電極之間，以形成存儲(chǔ)電容器。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述有機(jī)保護(hù)層不與所述第 二絕緣層的在所述發(fā)射區(qū)域中的一部分交疊，使得所述第二絕緣層的在所述發(fā)射區(qū)域中的 所述部分通過所述有機(jī)保護(hù)層被暴露。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一存儲(chǔ)電容電極由包 括銦錫氧化物ΙΤ0、銦鋅氧化物IZO和銦錫鋅氧化物ITZO中的至少一種的透明導(dǎo)電材料形 成。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述陽電極由包括ITO、IZO和 ITZO中的至少一種的透明導(dǎo)電材料形成。5. -種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，該方法包括以下步驟： 制備包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域的基板； 在所述非發(fā)射區(qū)域中形成薄膜晶體管； 形成與所述非發(fā)射區(qū)域中的所述薄膜晶體管交疊的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上在所述發(fā)射區(qū)域中形成第一存儲(chǔ)電容電極； 形成與所述第一存儲(chǔ)電容電極和除所述薄膜晶體管的一部分之外的所述薄膜晶體管 交疊的第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上形成有機(jī)保護(hù)層，以在除所述薄膜晶體管的所述部分通過所述第 二絕緣層被暴露的地方之外與所述薄膜晶體管交疊；以及 在所述第二絕緣層上形成陽電極，以電連接至所述薄膜晶體管， 其中，所述陽電極與所述第一存儲(chǔ)電容電極彼此交疊，并且所述第二絕緣層在所述發(fā) 射區(qū)域中被插置在所述陽電極與所述第一存儲(chǔ)電容電極之間，以形成存儲(chǔ)電容器。6. -種有機(jī)發(fā)光二極管OLED顯不器，該OLED顯不器包括： 基板，該基板包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域； 薄膜晶體管，該薄膜晶體管形成在所述非發(fā)射區(qū)域中； 0LED，該OLED形成在所述發(fā)射區(qū)域中；以及 存儲(chǔ)電容器，該存儲(chǔ)電容器連接在所述薄膜晶體管的柵電極與源電極和漏電極中的一 個(gè)之間，該存儲(chǔ)電容器形成在所述發(fā)射區(qū)域的至少一部分中，以在由所述OLED發(fā)射光的方 向上與所述OLED的一部分交疊。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED顯示器，其中， 所述存儲(chǔ)電容器包括第一存儲(chǔ)電極、第二存儲(chǔ)電極和形成在該第一存儲(chǔ)電極與該第二 存儲(chǔ)電極之間的絕緣層； 所述OLED包括陰極、陽極和形成在該陰極與該陽極之間的有機(jī)發(fā)光層，該陰極和該陽 極這二者是與所述第一存儲(chǔ)電極和所述第二存儲(chǔ)電極分開的不同層；并且 所述第一存儲(chǔ)電極和所述第二存儲(chǔ)電極是導(dǎo)電的，并且對(duì)于由所述OLED發(fā)射的光的 波長(zhǎng)而言是基本上透明的。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED顯示器，其中，所述第一存儲(chǔ)電極和所述第二存儲(chǔ)電極 由包括銦錫氧化物ΙΤ0、銦鋅氧化物IZO和銦錫鋅氧化物ITZO中的至少一種的透明導(dǎo)電材 料形成。9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED顯示器，該OLED顯示器還包括： 有機(jī)保護(hù)層，該有機(jī)保護(hù)層基本上在整個(gè)所述發(fā)射區(qū)域中使所述存儲(chǔ)電容器與所述 OLED分開，該有機(jī)保護(hù)層包括有機(jī)絕緣材料。10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED顯示器，其中， 所述OLED包括陰極、陽極和形成在該陰極與該陽極之間的有機(jī)發(fā)光層；并且 所述存儲(chǔ)電容器包括第一存儲(chǔ)電極、所述陽極和形成在所述第一存儲(chǔ)電極與所述陽極 之間的絕緣層，所述陽極充當(dāng)所述存儲(chǔ)電容器的第二電極。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的OLED顯示器，其中，在所述發(fā)射區(qū)域中在所述陽極與所述 絕緣層之間不存在堤層。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的OLED顯示器，其中，在所述發(fā)射區(qū)域的在所述薄膜晶體管 附近的至少一部分中在所述陽極與所述絕緣層之間形成堤層。13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的OLED顯示器，其中， 所述陽電極和所述第一存儲(chǔ)電極由包括銦錫氧化物ΙΤ0、銦鋅氧化物IZO和銦錫鋅氧 化物ITZO中的至少一種的透明導(dǎo)電材料形成。14. 一種制造有機(jī)發(fā)光二極管OLED顯示器的方法，該方法包括以下步驟： 形成包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域的基板； 在所述基板的所述非發(fā)射區(qū)域中形成薄膜晶體管； 在所述發(fā)射區(qū)域中形成存儲(chǔ)電容器；以及 在所述發(fā)射區(qū)域中形成0LED，以在由所述OLED發(fā)射光的方向上在所述發(fā)射區(qū)域的至 少一部分中與所述存儲(chǔ)電容器交疊。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中， 形成所述存儲(chǔ)電容器的步驟包括以下步驟：形成第一存儲(chǔ)電極、絕緣層和第二存儲(chǔ)電 極，該絕緣層形成在該第一存儲(chǔ)電極與該第二存儲(chǔ)電極之間；并且 形成所述OLED的步驟包括以下步驟：形成陰極、有機(jī)發(fā)光層和陽極，該有機(jī)發(fā)光層形 成在該陰極與該陽極之間，該陰極和該陽極這二者是與所述第一存儲(chǔ)電極和所述第二存儲(chǔ) 電極分開的不同層。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述第一存儲(chǔ)電極和所述第二存儲(chǔ)電極由包 括銦錫氧化物ITO、銦鋅氧化物IZO和銦錫鋅氧化物ITZO中的至少一種的透明導(dǎo)電材料形 成。17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，該方法還包括以下步驟： 基本上在整個(gè)所述發(fā)射區(qū)域中形成使所述存儲(chǔ)電容器與所述OLED分開的有機(jī)保護(hù) 層，該有機(jī)保護(hù)層包括有機(jī)絕緣材料。18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中， 形成所述存儲(chǔ)電容器的步驟包括以下步驟：形成第一存儲(chǔ)電極、絕緣層和陽極，該絕緣 層形成在該第一存儲(chǔ)電極與該陽極之間；并且 形成所述OLED的步驟包括以下步驟：形成所述陽極、有機(jī)發(fā)光層和陰極，該有機(jī)發(fā)光 層形成在所述陽極與所述陰極之間，所述陽極充當(dāng)所述存儲(chǔ)電容器的第二電極。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述非發(fā)射區(qū)域中而不 在所述發(fā)射區(qū)域中形成堤層。20. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述發(fā)射區(qū)域的在所述 薄膜晶體管附近的至少一部分以及所述非發(fā)射區(qū)域中形成堤層。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105895655SQ201410858153
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2014年12月31日
【發(fā)明人】金宰, 金宰一, 柳昊辰
【申請(qǐng)人】樂金顯示有限公司