顯示裝置的制造方法
【專利摘要】一種顯示裝置包括：具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的基底；在基底上且在第一區(qū)域和第二區(qū)域中的晶體管；均連接到晶體管的第一電極；在第一電極上的有機發(fā)射層；以及在有機發(fā)射層上的第二電極，第一區(qū)域中的有機發(fā)射層的有機材料的分子量與第二區(qū)域中的有機發(fā)射層的有機材料的分子量彼此不同。
【專利說明】
曰f駐罷 業(yè)不表直
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開涉及一種顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置可被便攜式薄平板顯示裝置所取代。當(dāng)用戶想要彎曲或折疊顯示裝置時可被彎曲或折疊的柔性顯示裝置或者在制造工藝中包括彎曲或折疊操作的柔性顯示裝置的應(yīng)用和使用會增加，并且柔性顯示面板會變得突出。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]可通過提供一種顯示裝置來實現(xiàn)實施例，所述顯示裝置包括:基底，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域;晶體管，在基底上且在第一區(qū)域和第二區(qū)域中；第一電極，均連接到晶體管;有機發(fā)射層，在第一電極上;第二電極，在有機發(fā)射層上，第一區(qū)域中的有機發(fā)射層的有機材料的分子量和第二區(qū)域中的有機發(fā)射層的有機材料的分子量彼此不同。
[0004]第一區(qū)域可為彎曲區(qū)域，第二區(qū)域可為非彎曲區(qū)域。
[0005]彎曲區(qū)域可以是基于基準(zhǔn)線折疊或彎曲的區(qū)域。
[0006]非彎曲區(qū)域可包括第一非彎曲區(qū)域和第二非彎曲區(qū)域，第一非彎曲區(qū)域和第二非彎曲區(qū)域可位于彎曲區(qū)域的相對側(cè)處。
[0007]第一區(qū)域中的有機材料的分子量可高于第二區(qū)域中的有機材料的分子量。
[0008]第一區(qū)域的發(fā)射層可通過溶液法形成，第二區(qū)域的發(fā)射層可通過沉積工藝形成。
[0009]有機發(fā)射層可包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層。
[0010]空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層可以在基底的整體上方。
[0011]在第二電極之中，第一區(qū)域中的第二電極和第二區(qū)域中的第二電極可具有不同的厚度。
[0012]第一區(qū)域中的第二電極可具有比第二區(qū)域中的第二電極的厚度薄的厚度。
[0013]可通過提供一種顯示裝置來實現(xiàn)實施例，所述顯示裝置包括:基底，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域;晶體管，在基底上且在第一區(qū)域和第二區(qū)域中；第一電極，均連接到晶體管;有機發(fā)射層，在第一電極上;第二電極，在有機發(fā)射層上。在第二電極之中，第一區(qū)域中的第二電極可具有比第二區(qū)域中的第二電極的厚度薄的厚度。
[0014]第一區(qū)域可為彎曲區(qū)域，第二區(qū)域可為非彎曲區(qū)域。
[0015]彎曲區(qū)域可以是基于基準(zhǔn)線折疊或彎曲的區(qū)域。
[0016]非彎曲區(qū)域可包括第一非彎曲區(qū)域和第二非彎曲區(qū)域，第一非彎曲區(qū)域和第二非彎曲區(qū)域可位于彎曲區(qū)域的相對側(cè)處。
【附圖說明】
[0017]通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實施例，特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將變得明顯，在附圖中:
[0018]圖1示出根據(jù)本公開的示例性實施例的顯示裝置的示意性平面圖；
[0019]圖2示出圖1的顯示裝置折疊的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖；
[0020]圖3示出根據(jù)本公開的示例性實施例的用于描述沉積工藝的示意圖；
[0021]圖4示出在圖1中示出的顯示裝置中形成的一個像素的等效電路圖；
[0022]圖5示出在圖1中示出的顯示裝置中形成的一個像素的示意性剖視圖；
[0023]圖6示出根據(jù)本公開的示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。
【具體實施方式】
[0024]現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述示例實施例；然而，這些實施例可以以不同的形式實施，并且不應(yīng)解釋為局限于在此闡述的實施例。相反地，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并且將把示例性實施方式充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0025]為了明顯地描述本公開，將省略與描述不相關(guān)的部分，貫穿本說明書，類似的組件將由相同的附圖標(biāo)記表示。
[0026]另外，因為為了便于解釋，任意地示出了在附圖中示出的各個組件的尺寸和厚度，所以本公開不必局限于在附圖中示出的內(nèi)容。
[0027]在附圖中，為了清楚起見，可夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。另外，在附圖中，為了便于解釋，已夸大了一些層和區(qū)域的厚度。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱為“在”另一元件“上”時，它可直接在所述另一元件上或者可具有存在于它們之間的中間元件。此外，將理解的是，當(dāng)層被稱為“在”另一層“下方”時，它可直接在其下方，也可存在一個或更多個中間層。另外，還將理解的是，當(dāng)層被稱為“在”兩個層“之間”時，它可以是兩個層之間的唯一層，或者也可存在一個或更多個中間層。
[0028]另，貫穿本說明書，除非明確地作出相反描述，否則詞語“包含”或其變形諸如“包括”或“具有”將被理解為暗示包括陳述的元件，但并不排除任何其他元件。另外，貫穿本說明書，詞語“在......上”并不必意味著任何元件基于重力方向而定位為在上側(cè)處，而是意味著任何元件定位在目標(biāo)部分上方或下方。
[0029]圖1示出根據(jù)本公開的示例性實施例的顯示裝置的示意性平面圖，圖2示出圖1的顯示裝置折疊的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖，圖3示出根據(jù)本公開的示例性實施例的用于描述沉積工藝的不意圖O
[0030]參照圖1和圖2，顯示裝置1000可包括基底100，在基底100中限定了彎曲區(qū)域BA和非彎曲區(qū)域FAl和FA2。
[0031]彎曲區(qū)域BA(即可為包括基準(zhǔn)線LI的區(qū)域)可基于基準(zhǔn)線LI在兩個方向上折疊或彎曲。如圖2所示，彎曲區(qū)域BA可具有可基于基準(zhǔn)線LI對稱的彎曲(或彎折)區(qū)域。在圖1和圖2中僅示出了一個彎曲區(qū)域BA。在實施例中，可在非彎曲區(qū)域之間形成多個彎曲區(qū)域。
[0032]非彎曲區(qū)域FAl和FA2可包括第一非彎曲區(qū)域FAl和第二非彎曲區(qū)域FA2。第一非彎曲區(qū)域FAl和第二非彎曲區(qū)域FA2可基于彎曲區(qū)域BA位于兩側(cè)處，例如位于彎曲區(qū)域BA的相對側(cè)處。
[0033]非彎曲區(qū)域FAl和FA2可以是無彎曲的平坦區(qū)域，當(dāng)彎曲區(qū)域折疊或彎曲時，第一非彎曲區(qū)域FAl和第二非彎曲區(qū)域FA2可彼此面對。
[0034]彎曲區(qū)域BA以及非彎曲區(qū)域FAl和FA2可包括多個像素。
[0035]每個像素可包括有機發(fā)光二極管，有機發(fā)光二極管的發(fā)射層可包括根據(jù)位置而具有不同分子量的有機材料。
[0036]位于彎曲區(qū)域BA中的發(fā)射層的有機材料的分子量可以高于位于非彎曲區(qū)域FAl和FA2中的發(fā)射層的有機材料的分子量。
[0037]位于彎曲區(qū)域BA中的發(fā)射層可以是使用有機材料通過溶液法而形成的發(fā)射層，所述有機材料的分子量高于位于非彎曲區(qū)域FAl和FA2中的發(fā)射層的有機材料的分子量。溶液法可為例如旋涂法、狹縫涂覆法、滴鑄法(drop casting method)、浸鑄法(dip castingmethod)或噴墨法。當(dāng)發(fā)射層通過諸如以噴墨法為例的方法形成時，可在不使用單獨的掩模的情況下對于每個顏色形成發(fā)射層。
[0038]位于非彎曲區(qū)域FAl和FA2中的發(fā)射層可以是使用分子量小于位于彎曲區(qū)域BA中的發(fā)射層的有機材料的分子量的有機材料通過沉積法而形成的發(fā)射層。
[0039]可使用可對其執(zhí)行沉積工藝的材料作為具有低分子量的有機材料，發(fā)射層可包括例如憐光主體、9?光主體、憐光慘雜劑和9?光慘雜劑ο
[0040 ]可用作主體的材料的示例包括例如4，4 雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP )、9，I O-二 (萘-2-基)蒽(ADN)、I，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(?ΡΒΙ)、2-叔丁基-9，I O-二 (2-萘基)蒽(TBADN)、I，3-雙(咔唑-9-基)苯(MCP)和I，3，5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)。
[0041 ]可用作紅色摻雜劑的材料的示例包括例如八乙基卟吩鉑(II) (PtOEP)、三(1-苯基異喹啉)銥(III)(Ir(piq)3)和雙(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶(Ir(btp)2(acac))。可用作綠色摻雜劑的材料的示例包括例如三(2-苯基吡啶)銥(IHppy)3)和乙酰丙酮雙(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)2(acac))?？捎米魉{色摻雜劑的材料的示例包括例如雙[2-(4,6-二氟苯基)吡啶_N，C2’]吡啶甲酰銥(F2Irpic)、(F2ppy)2Ir(tmd)、三[1-(4,6-二氟苯基)吡唑-N，C2’]銥)(1^(1邙?2)3)、4，4’-雙(2，2’-二苯乙烯基)-1，1’-聯(lián)苯(0?￥81)、4，4’-雙[4-(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)和2，5，8，11-四叔丁基茈(TBPe)。
[0042]可使用具有狹縫S和阻擋部分B的掩模來執(zhí)行沉積工藝，如圖3所示。掩模M的狹縫S可設(shè)置為與任意一個像素的第一電極710對應(yīng)，其他像素可設(shè)置為與掩模M的阻擋部分B對應(yīng)。任意一個像素是指在其中沉積了具有相同發(fā)光顏色的有機材料的像素。
[0043]然后，可加熱沉積源300，以將沉積源300中的有機材料發(fā)射至第一電極710，并且可形成發(fā)射層720。
[0044]具有高分子量的有機材料(即可以是具有高溶解度的材料)可以是可對其執(zhí)行溶液法的材料，例如，聚芴衍生物、(聚)對苯乙烯撐衍生物、聚亞苯基衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩衍生物、聚(3，4_乙撐二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸鹽(酯)(PED0T:PSS)、聚苯胺(PANI)、聚吡咯或者通過用茈基顏料、香豆素基顏料、若丹明基顏料、紅熒烯、茈、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素或喹吖啶酮摻雜其聚合物材料所獲得的化合物。
[0045]接下來，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本公開的示例性實施例的顯示裝置的一個像素。
[0046]圖4示出在圖1中示出的顯示裝置中形成的一個像素的等效電路圖，圖5示出在圖1中示出的顯示裝置中形成的一個像素的示意性剖視圖。
[0047]如圖4所示，根據(jù)本公開的示例性實施例的顯示裝置1000可包括多條信號線121和171以及連接到多條信號線121和171并大致以矩陣形式布置的多個像素P。
[0048]信號線可包括傳輸柵極信號(或掃描信號)的多條第一信號線121、傳輸數(shù)據(jù)信號的多條第二信號線171和傳輸驅(qū)動電壓Vdd的多條第三信號線172。第一信號線121可大致沿行方向延伸并可基本上彼此平行，第二信號線171和第三信號線172可沿列方向延伸，可與第一信號線121相交，并且可基本上彼此平行。
[0049]每個像素P可包括驅(qū)動薄膜晶體管Qd、開關(guān)薄膜晶體管Qs、存儲電容器Cst和有機發(fā)光二級管(OLED) LD。
[0050]驅(qū)動薄膜晶體管Qd可具有控制端子、輸入端子和輸出端子?？刂贫俗涌蛇B接到開關(guān)薄膜晶體管Qs，輸入端子可連接到第三信號線172，輸出端子可連接到有機發(fā)光二級管LD。驅(qū)動薄膜晶體管Qd可允許輸出電流Ild流動，所述輸出電流Ild的幅值可根據(jù)在控制端子和輸出端子之間施加的電壓而改變。
[0051]開關(guān)薄膜晶體管Qs也可具有控制端子、輸入端子和輸出端子。控制端子可連接到第一信號線121，輸入端子可連接到第二信號線171，輸出端子可連接到驅(qū)動薄膜晶體管Qd。開關(guān)薄膜晶體管Qs可以響應(yīng)于施加到第一信號線121的掃描信號將施加到第二信號線171的數(shù)據(jù)信號傳遞至驅(qū)動薄膜晶體管Qd。
[0052]存儲電容器Cst可連接在驅(qū)動薄膜晶體管Qd的控制端子和輸入端子之間。存儲電容器Cst可利用施加到驅(qū)動薄膜晶體管Qd的控制端子的數(shù)據(jù)信號進行充電，并且即使在開關(guān)薄膜晶體管Qs截止之后仍可保持?jǐn)?shù)據(jù)信號。
[0053]有機發(fā)光二級管LD可具有可連接到驅(qū)動薄膜晶體管Qd的輸出端子的陽極和可連接到共電壓Vss的陰極。有機發(fā)光二極管LD可以以根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管Qd的輸出電流Ud而改變的強度發(fā)射光，以顯示圖像。
[0054]將參照圖5更詳細(xì)地描述上述組件的每層的構(gòu)造。將主要根據(jù)層疊順序詳細(xì)描述圖4的驅(qū)動薄膜晶體管Qd和有機發(fā)光二極管LD。在下文中，驅(qū)動薄膜晶體管Qd將被稱為薄膜晶體管。
[0055]如圖5所示，有機發(fā)光二極管顯示裝置1000可包括基底100和形成在基底100上的緩沖層120。
[0056]緩沖層120可由氮化硅(SiNx)的單層或者氮化硅(SiNx)和氧化硅(S1x)可堆疊的雙層結(jié)構(gòu)形成。緩沖層120可用于使表面平坦化，并可防止不期望的成分(例如雜質(zhì)或濕氣)滲透。
[0057]由多晶硅制成的半導(dǎo)體135可形成在緩沖層120上。
[0058]半導(dǎo)體135可分為溝道區(qū)1355、源區(qū)1356和漏區(qū)1357，源區(qū)1356和漏區(qū)1357中的每個可形成在溝道區(qū)1355的兩側(cè)處。半導(dǎo)體的溝道區(qū)1355可由未摻雜雜質(zhì)的多晶硅制成，例如，可以為本征半導(dǎo)體。源區(qū)1356和漏區(qū)1357可由摻雜導(dǎo)電雜質(zhì)的多晶硅制成，例如，可以為雜質(zhì)半導(dǎo)體。在源區(qū)1356和漏區(qū)1357中摻雜的雜質(zhì)可以為P型雜質(zhì)或η型雜質(zhì)。
[0059]柵極絕緣層140可形成在半導(dǎo)體135上。柵極絕緣層140可由包括正硅酸乙酯(TEOS)、氮化硅或氧化硅中的一種或更多種的單層或多層形成。
[0060]柵電極155可形成在半導(dǎo)體135上，并可與溝道區(qū)1355疊置。
[0061 ]柵電極155可由利用諸如Al、T1、Mo、Cu、Ni或其合金或耐腐蝕材料之類的低電阻材料制成的單層或多層形成。
[0062]第一層間絕緣層160可形成在柵電極155上。與柵極絕緣層140類似，第一層間絕緣層160可由例如由正硅酸乙酯(TEOS)、氮化硅或氧化硅制成的單層或多層形成。
[0063]第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140可具有分別暴露源區(qū)1356和漏區(qū)1357的源極接觸孔66和漏極接觸孔67。
[0064]源電極176和漏電極177可形成在第一層間絕緣層160上。源電極176可通過源極接觸孔66連接到源區(qū)1356，漏電極177可通過漏極接觸孔67連接到漏區(qū)1357。
[0065]源電極176和漏電極177可由利用諸如Al、T1、Mo、Cu、Ni或其合金或耐腐蝕材料之類的低電阻材料制成的單層或多層形成。
[0066]例如，源電極176和漏電極177可以為Ti/Cu/T1、Ti/Ag/Ti或Mo/Al/Mo的三層。
[0067]可以分別為圖3的控制電極、輸入電極和輸出電極的柵電極155、源電極176和漏電極177可以與半導(dǎo)體135—起構(gòu)成薄膜晶體管。薄膜晶體管的溝道可形成在源電極176和漏電極177之間的半導(dǎo)體135中。
[0068]第二層間絕緣層180可形成在源電極176和漏電極177上。第二層間絕緣層180可包括暴露漏電極177的接觸孔85。
[0069]與第一層間絕緣層類似，第二層間絕緣層180可由例如由正硅酸乙酯(TEOS)、氮化硅或氧化硅制成的單層或多層形成，并且可以由低k有機材料制成。
[0070]第一電極710可形成在第二層間絕緣層180上。第一電極710可通過接觸孔85電連接到漏電極177，并可以為圖4和圖5的有機發(fā)光二極管的陽極。
[0071]在本公開的示例性實施例中，層間絕緣層可形成在第一電極710和漏電極177之間。在實施例中，第一電極710可形成在與其上形成有漏電極177的層相同的層上，并可與漏電極177—體地形成。
[0072]像素限定層190可形成在第一電極710上。
[0073]像素限定層190可具有暴露第一電極710的開口95。像素限定層190可由例如樹脂(諸如以聚丙烯酸酯或聚酰亞胺為例)或硅石基無機材料形成。
[0074]有機發(fā)射層720可形成在像素限定層190的開口95中。
[0075]有機發(fā)射層720可由包括發(fā)射層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一個或更多個的多層形成。
[0076]有機發(fā)射層720可包括所有的這些層，空穴注入層可設(shè)置在可以為陽極的第一電極710上，空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層可順序地堆疊在空穴注入層上。
[0077]與發(fā)射層相似，空穴注入層和空穴傳輸層可通過溶液法形成在基底的整個表面上方，并且電子傳輸層和電子注入層可通過沉積工藝形成在基底的整個表面上方。
[0078]空穴注入層可由例如銅酞菁(CuPc)、N，N’_二苯基-N，N’_二-[4-(N，N_ 二甲苯基-氨基)苯基]聯(lián)苯胺(NTNPB)、聚3，4_乙撐二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)或N，N’_聯(lián)苯-N，N ’ -二- [ 4- (N，N-二苯基-氨基)苯基]聯(lián)苯胺(NPNPB)制成。
[0079]空穴傳輸層可由例如N，N-二萘基-N，N ’ -二苯基聯(lián)苯胺(NPD)、4，4 ’，4” -三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)、N，N ’ -二 (萘-1-基)-N，N ’ -二 (苯基)_聯(lián)苯胺(NPB)或N，N’_雙(3-甲基苯基)-N，N’_雙(苯基)(TPD)制成。
[0080]電子傳輸層和電子注入層可由例如Alq3(三(8_羥基喹啉)鋁)JBD、TAZ、螺-PBD、8八19、3厶19、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-鄰二氮雜菲(80卩)或4，7-二苯基-1，10-鄰二氮雜菲(Bphen)中的一種或更多種制成。
[0081]根據(jù)形成發(fā)射層的位置(例如彎曲區(qū)域BA(見圖1)或者非彎曲區(qū)域FAl和FA2(見圖1))，發(fā)射層可由具有低分子量的有機材料或具有高分子量的有機材料制成。
[0082]可使用可對其執(zhí)行沉積工藝的材料作為具有低分子量的有機材料，發(fā)射層可包括例如憐光主體、9?光主體、憐光慘雜劑和9?光慘雜劑ο
[0083 ]可用作主體的材料的示例包括例如4，4 雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP )、9，I O-二 (萘-2-基)蒽(ADN)、I，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(?ΡΒΙ)、2-叔丁基-9，I O-二 (2-萘基)蒽(TBADN)、I，3-雙(咔唑-9-基)苯(MCP)和I，3，5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)。
[0084]可用作紅色摻雜劑的材料的示例包括例如八乙基卟吩鉑(II)(PtOEP)、三(1-苯基異喹啉)銥(III)(Ir(piq)3)和雙(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶(Ir(btp)2(acac))?？捎米骶G色摻雜劑的材料的示例包括例如三(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy) 3)和(乙酰丙酮)雙(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)2(acac))?？捎米魉{色摻雜劑的材料的示例包括例如三[2-(4，6_ 二氟苯基)吡啶_N，C2’]吡啶甲酰銥(F2Irpic)、(F2ppy)2Ir(tmd)、三[1-(4,6-二氟苯基)吡唑-N，C2’]銥(1^(1辦？2)3)、4，4’-雙(2，2’-二苯基乙烯基)-1，1’-聯(lián)苯(0?￥81)、4，4’-雙[4-(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)和2，5，8，11-四叔丁基茈(TBPe)。
[0085]具有高分子量的有機材料(即可為具有高溶解度的材料)可以是可對其執(zhí)行溶液法的材料，例如，聚芴衍生物、(聚)對苯乙烯撐衍生物、聚亞苯基衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩衍生物或者通過用茈基顏料、香豆素基顏料、若丹明基顏料、紅熒烯、茈、9，10_ 二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素或喹吖啶酮摻雜其聚合物材料所獲得的化合物。
[0086]發(fā)射層可包括發(fā)射紅光的紅色發(fā)射層、發(fā)射綠光的綠色發(fā)射層和發(fā)射藍光的藍色發(fā)射層，紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍色發(fā)射層可分別形成在紅色像素、綠色像素和藍色像素中，以實現(xiàn)彩色圖像。
[0087]紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍色發(fā)射層可在所有的紅色像素、綠色像素和藍色像素中堆疊為發(fā)射層，紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器可形成在每個像素中，并可實現(xiàn)彩色圖案。作為另一示例，發(fā)射白光的白色發(fā)射層可形成在所有的紅色像素、綠色像素和藍色像素中，紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器可形成在每個像素中，并可實現(xiàn)彩色圖像。當(dāng)使用白色發(fā)射層和濾色器來實現(xiàn)彩色圖像時，可無需使用用于在相應(yīng)的各個像素(例如，紅色像素、綠色像素和藍色像素)上沉積紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍色發(fā)射層的沉積掩模。
[0088]白色發(fā)射層可由發(fā)射白光的一個發(fā)射層形成。在實施例中，發(fā)射具有多種不同顏色的光的發(fā)射層可以被堆疊以發(fā)射白光。例如，發(fā)射層可包括通過組合至少一個黃色發(fā)射層和至少一個藍色發(fā)射層而能夠發(fā)射白光的構(gòu)造、通過組合至少一個藍綠色發(fā)射層和至少一個紅色發(fā)射層而能夠發(fā)射白光的構(gòu)造、通過組合至少一個品紅色發(fā)射層和至少一個綠色發(fā)射層而能夠發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)。
[0089]第二電極730(即可以是圖4和圖5的陰極)可形成在像素限定層190和有機發(fā)射層720 上。
[0090]第一電極710、有機發(fā)射層720和第二電極730可構(gòu)成有機發(fā)光二極管LD。
[0091]根據(jù)有機發(fā)光二極管LD發(fā)射光的方向，有機發(fā)光二極管顯示裝置可具有頂顯示型結(jié)構(gòu)、底顯示型結(jié)構(gòu)或雙面顯示型結(jié)構(gòu)。
[0092]當(dāng)有機發(fā)光二極管具有頂顯示型結(jié)構(gòu)時，第一電極710可由反射層形成，第二電極730可由透反射層或透射層形成。在實施例中，當(dāng)有機發(fā)光二極管具有底顯示型結(jié)構(gòu)時，第一電極710可由透反射層形成，第二電極730可由反射層形成。當(dāng)有機發(fā)光二極管具有雙面顯示型結(jié)構(gòu)時，第一電極710和第二電極730可由透明層或者半透明層形成。
[0093]反射層或者半透明層可由鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)和鋁(Al)或它們的合金中的一種或更多種制成。反射層和透反射層可由它們的厚度決定，透反射層可形成為200nm或更小的厚度。透反射層的厚度越薄，透明度會越高。當(dāng)透反射層的厚度過薄時，電阻會增大。
[0094]透明層可由諸如以氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)為例的材料形成。
[0095]覆蓋層270可形成在第二電極上?？衫煤穸群驼凵渎蕘碓龃蟀l(fā)光效率的覆蓋層270可以由具有1.5或更大的高折射率的材料制成。
[0096]包封層260可形成在覆蓋層270上。
[0097]包封層260可包括交替形成的一個或更多個有機層和一個或更多個無機層。有機層和無機層的數(shù)目可分別為多個。
[0098]有機層可由聚合物形成，并且可以是由聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯或聚丙烯酸酯形成的單層或堆疊層。例如，有機層可由聚丙烯酸酯形成。有機層可包括聚合的單體合成物，所述聚合的單體合成物包括二丙烯酸酯類單體和三丙稀酸酯類單體。單丙稀酸酯類單體可進一步包含在單體合成物中。在實施例中，在單體合成物中還可包括諸如三甲基苯甲?；交趸?TPO)的光引發(fā)劑。
[0099]無機層可為包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。無機層可包括SiNx、Al203、Si02 或 Ti02。
[0100]包封層中的暴露到外部的最上層可以是防止?jié)駳鉂B透至有機發(fā)光二極管中的有機層。
[0101]包封層可包括至少一種夾層結(jié)構(gòu)，其中，至少一個有機層插在至少兩個無機層之間。包封層可包括一種夾層結(jié)構(gòu)，其中，至少一個無機層插在至少兩個有機層之間。
[0102]如上所述，與當(dāng)發(fā)射層由具有低分子量的有機材料制成時相比，如在本公開的不例性實施例中，當(dāng)在彎曲區(qū)域中形成由具有高分子量的有機材料制成的發(fā)射層時，可以使例如由于重復(fù)的彎曲操作所導(dǎo)致的對彎曲區(qū)域中的像素的損壞。
[0103]與具有低分子量的有機材料相比，具有尚分子量的有機材料可對例如由于彎曲操作導(dǎo)致的應(yīng)力更加耐受，并且即使重復(fù)彎曲操作，也不會產(chǎn)生例如裂紋?？梢詼p少例如由于重復(fù)彎曲操作而導(dǎo)致應(yīng)力會集中在彎曲區(qū)域中從而損壞彎曲區(qū)域的現(xiàn)象。
[0104]圖6示出根據(jù)本公開的示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。
[0105]由于圖6的有機發(fā)光二極管顯示裝置的大部分與圖5的有機發(fā)光二極管顯示裝置的大部分相同，所以將僅詳細(xì)描述與圖5的構(gòu)造不同的構(gòu)造。
[0106]如圖6所示，根據(jù)本公開的示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置可包括基底100、形成在基底100上的緩沖層120、形成在緩沖層120上的半導(dǎo)體135、形成在半導(dǎo)體135上的柵極絕緣層140、形成在柵極絕緣層140上的柵電極155、形成在柵電極155上的層間絕緣層160、形成在層間絕緣層160上的源電極176和漏電極177、形成在源電極176和漏電極177上的鈍化層180、形成在鈍化層180上的第一電極710，具有暴露第一電極710的開口 95的像素限定層190、形成在像素限定層190的開口 95中的發(fā)射層720以及形成在發(fā)射層720上的第二電極730。
[0107]第二電極730可形成在基底100的上表面上，并可以在彎曲區(qū)域BA和非彎曲區(qū)域FAl和FA2中具有不同的厚度。位于彎曲區(qū)域BA中的第二電極730可以以比位于非彎曲區(qū)域FAl和FA2中的第二電極730的厚度厚的厚度形成。
[0108]為了使彎曲區(qū)域BA與非彎曲區(qū)域FAl和FA2中的第二電極730的厚度彼此不同，在形成用于第二電極的金屬層之后，可蝕刻位于非彎曲區(qū)域FAl和FA2中的第二電極的金屬層的部分，并使用例如光刻工藝將其去除，可減小第二電極的厚度。在實施例中，在形成用于第二電極的金屬層之后，可使用掩模僅在彎曲區(qū)域BA中另外地形成金屬層，可以以不同的厚度形成位于彎曲區(qū)域BA中的第二電極730和位于非彎曲區(qū)域FAl和FA2中的第二電極730。
[0109]由于施加到彎曲區(qū)域的應(yīng)力會與厚度成比例地增加，如在本公開中，當(dāng)位于彎曲區(qū)域BA中的第二電極730以比位于非彎曲區(qū)域FAl和FA2中的第二電極730的厚度薄的厚度形成時，即使重復(fù)地彎曲有機發(fā)光二極管顯示裝置，也可減小對例如由于應(yīng)力對彎曲區(qū)域BA的像素造成的損壞。
[0110]通過總結(jié)和回顧，當(dāng)彎曲或折疊柔性顯示裝置時，在柔性顯示裝置的區(qū)域中彎曲或折疊的區(qū)域會易受應(yīng)力損壞，并且會發(fā)生例如柔性顯示裝置的變形、損壞或特性劣化。
[0111]當(dāng)彎曲或折疊柔性顯示裝置時，在折疊區(qū)域會發(fā)生劣化現(xiàn)象，并且柔性顯示裝置的耐久性會降低。
[0112]提供了一種顯示裝置，其中，盡管重復(fù)彎曲操作，所述顯示裝置仍可以通過使彎曲區(qū)域中的劣化現(xiàn)象最小化來改善耐久性。
[0113]利用根據(jù)本公開的柔性顯示裝置，可改善柔性顯示裝置的耐久性和用戶的便利性。
[0114]這里已經(jīng)公開了示例實施例，盡管采用了具體術(shù)語，但它們僅以一般的和描述性的含義來使用和解釋，而不是出于限制的目的。在一些情況下，如對于到提交本申請時為止的本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將明顯的是，結(jié)合具體實施例描述的特征、特性和/或元件可單獨使用，或者可與結(jié)合其他實施例描述的特征、特性和/或元件組合使用，除非另有明確說明。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
【主權(quán)項】
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括: 基底，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域； 晶體管，在所述基底上且在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中； 第一電極，均連接到所述晶體管； 有機發(fā)射層，在所述第一電極上；以及 第二電極，在所述有機發(fā)射層上， 所述第一區(qū)域中的所述有機發(fā)射層的有機材料的分子量與所述第二區(qū)域中的所述有機發(fā)射層的有機材料的分子量彼此不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于: 所述第一區(qū)域為彎曲區(qū)域，并且 所述第二區(qū)域為非彎曲區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述彎曲區(qū)域是基于基準(zhǔn)線折疊或彎曲的區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于: 所述非彎曲區(qū)域包括第一非彎曲區(qū)域和第二非彎曲區(qū)域，并且 所述第一非彎曲區(qū)域和所述第二非彎曲區(qū)域位于所述彎曲區(qū)域的相對側(cè)處。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一區(qū)域中的有機材料的分子量高于所述第二區(qū)域中的有機材料的分子量。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于: 所述第一區(qū)域的發(fā)射層通過溶液法形成，并且 所述第二區(qū)域的發(fā)射層通過沉積工藝形成。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述有機發(fā)射層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層和所述電子注入層在所述基底的整體上方。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，在所述第二電極之中，所述第一區(qū)域中的第二電極和所述第二區(qū)域中的第二電極具有不同的厚度。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一區(qū)域中的所述第二電極具有比所述第二區(qū)域中的所述第二電極的厚度薄的厚度。11.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括: 基底，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域； 晶體管，在所述基底上且在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中； 第一電極，均連接到所述晶體管； 有機發(fā)射層，在所述第一電極上；以及 第二電極，在所述有機發(fā)射層上， 其中，在所述第二電極之中，所述第一區(qū)域中的第二電極具有比所述第二區(qū)域中的第二電極的厚度薄的厚度。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于: 所述第一區(qū)域為彎曲區(qū)域，并且 所述第二區(qū)域為非彎曲區(qū)域。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，所述彎曲區(qū)域是基于基準(zhǔn)線折疊或彎曲的區(qū)域。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其特征在于: 所述非彎曲區(qū)域包括第一非彎曲區(qū)域和第二非彎曲區(qū)域，并且 所述第一非彎曲區(qū)域和所述第二非彎曲區(qū)域位于所述彎曲區(qū)域的相對側(cè)處。
【文檔編號】H01L51/50GK105895660SQ201610076611
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年2月3日
【發(fā)明人】蔣勝旭, 李榮熙
【申請人】三星顯示有限公司