一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴注入層的材質(zhì)為負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭。本發(fā)明還公開了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明將負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭作為空穴注入層的材質(zhì)，醋酸鋅和醋酸鈣中的鋅離子和鈣離子可使活性炭的比表面積增大，有利于空穴的傳輸，并且鋅離子和鈣離子的存在可使活性炭堆疊得更緊密，形成致密的薄膜，避免薄膜缺陷的存在，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率和發(fā)光效率。
【專利說明】
一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organiclight-emitting Devices，簡稱OLEDs)是一種使用有機(jī)發(fā)光材料的多層發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)，電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下迀移，將能量傳遞給發(fā)光材料，激發(fā)電子從基態(tài)躍迀到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。OLED因其具有發(fā)光效率高、制作工藝簡單，以及易實(shí)現(xiàn)全色和柔性顯示等特點(diǎn)，在照明和平板顯示領(lǐng)域引起了越來越多的關(guān)注。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部發(fā)光材料發(fā)出的光大約只有18%是可以發(fā)射到外部去的，大部分發(fā)出的光會以其他形式消耗在器件外部。研究發(fā)現(xiàn)，OLED光損耗大，有很大一部分原因在于空穴注入層的不完善。由于現(xiàn)有空穴注入層的材質(zhì)通常為金屬氧化物，它在可見光范圍內(nèi)的吸光率較高，造成了光損失；另外，金屬氧化物為無機(jī)物，與空穴傳輸層的有機(jī)材料性質(zhì)差別較大，兩者界面之間存在折射率差，容易引起全反射，導(dǎo)致OLED整體出光性能較低。因此非常有必要對空穴注入層的材質(zhì)進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件以負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭作為空穴注入層的材質(zhì)，有利于空穴的注入，提高了器件的導(dǎo)電性，同時器件薄膜致密，提高了 OLED的發(fā)光效率和出光效率。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭。
[0006]優(yōu)選地，所述活性炭粒徑為5?10目。
[0007]空穴注入層的材質(zhì)為負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭;活性炭是多孔碳，堆積密度低，比表面積大，具有豐富的細(xì)孔結(jié)構(gòu)，因此具有良好的導(dǎo)電性，同時活性炭結(jié)構(gòu)緊密，可以形成致密的薄膜;醋酸鈣溶液和醋酸鋅溶液處理活性炭后發(fā)生水解反應(yīng)釋放鋅離子和鈣離子，鋅離子可以增大活性炭顆粒粒徑，增大活性炭的比表面積，鈣離子可以填補(bǔ)活性炭中的細(xì)孔，使活性炭材質(zhì)更緊密，提高了薄膜的致密性，避免薄膜缺陷的存在。鋅離子和鈣離子使活性炭比表面積增大，對光有明顯的散射作用，使得發(fā)光材料所發(fā)出的往各個方向的光被散射回中路，進(jìn)一步集中了光線，提高了OLED的發(fā)光效率。
[0008]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極基底為銦錫氧化物玻璃(ITO)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZO)，更優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極基底為ITO。
[0009]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為I，1-二二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，V，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，Y - (1-萘基)-N，Y -二苯基-4，V -聯(lián)苯二胺(NPB)，所述空穴傳輸層的厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為40nmo
[0010]優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，I，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，V -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，V-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3),所述發(fā)光層的厚度為5?40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3，厚度為30nm。
[0011 ]優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(1^)11611)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-( 4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，所述電子傳輸層厚度為40?200nm，更優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為TAZ，厚度為150nmo
[0012]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為碳酸銫(Cs2CO3)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF)，所述電子注入層厚度為0.5?10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為CsF，厚度為Inm0
[0013]優(yōu)選地，所述陰極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)或金(Au)，所述陰極厚度為60?300nm，更優(yōu)選地，所述陰極為Ag，厚度為I OOnm。
[0014]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0015]提供所需尺寸的導(dǎo)電陽極，清洗后干燥；
[0016]在導(dǎo)電陽極上旋涂空穴注入層，所述空穴注入層的材質(zhì)為負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭，所述空穴注入層的具體制備方法為:首先將醋酸鈣溶液和醋酸鋅溶液進(jìn)行混合形成混合溶液，然后加入活性炭，所述醋酸鋅、醋酸鈣和活性炭的質(zhì)量比為(I?8): (I?32):(0.1?2.25)，充分?jǐn)嚢杌靹蛐纬苫旌喜牧?，將混合材料旋涂在陽極基板上，烘干，得到空穴注入層；
[0017]在空穴注入層上通過真空鍍膜系統(tǒng)依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0018]優(yōu)選地，所述空穴注入層的厚度為20?200nm。
[0019]優(yōu)選地，所述旋涂轉(zhuǎn)速為500?8000rpm，旋涂時間為10?60s。
[0020]優(yōu)選地，所述醋酸鈣溶液的質(zhì)量百分比濃度為30%?80%。
[0021]優(yōu)選地，所述醋酸鋅溶液的質(zhì)量百分比濃度為10%?60%。
[0022]優(yōu)選地，，所述活性炭在混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%?20%。
[0023]優(yōu)選地，醋酸鈣溶液和醋酸鋅溶液按體積比為4:1?1:4進(jìn)行混合形成混合溶液。
[0024]優(yōu)選地，所述烘干溫度為100?200°C。
[0025]優(yōu)選地，所述負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭比表面積為1000?2000m2/g，孔徑為I?1nm。
[0026]優(yōu)選地，所述提供所需尺寸的導(dǎo)電陽極，具體操作為:將導(dǎo)電陽極基板進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成所需要的大小。
[0027]優(yōu)選地，所述清洗后干燥為將導(dǎo)電陽極依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干。
[0028]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強(qiáng)為2 X 10—4Pa?5 X 10—3Pa，蒸鍍速率為0.I?lnm/s。
[0029]優(yōu)選地，所述蒸鍍陰極時的壓強(qiáng)為2X 10—4?5 X 10—3Pa，蒸鍍速率為I?lOnm/s。
[0030]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極基底為ITO、AZO或IZO，更優(yōu)選地，所述導(dǎo)電陽極基底為ITO。
[0031]優(yōu)選地，所述空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC、TCTA或NPB，所述空穴傳輸層的厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為40nmo
[0032]優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3,所述發(fā)光層的厚度為5?40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層材質(zhì)為Alq3，厚度為30nm。
[0033]優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen、TAZ或TPBI，所述電子傳輸層厚度為40?200nm，更優(yōu)選地，所述電子傳輸層材質(zhì)為TAZ，厚度為150nm。
[0034]優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為CS2C03、CSF、CSN3或LiF，所述電子注入層厚度為
0.5?1nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為CsF，厚度為lnm。
[0035]優(yōu)選地，所述陰極為Ag、Al、Pt或Au，所述陰極厚度為60?300nm，更優(yōu)選地，所述陰極為Ag，厚度為I OOnm ο
[0036]在本發(fā)明實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭;活性炭是多孔碳，具有豐富的細(xì)孔結(jié)構(gòu)，因此具有良好的導(dǎo)電性，同時活性炭結(jié)構(gòu)緊密，可以形成致密的薄膜;醋酸鋅溶液和醋酸鈣溶液處理活性炭后發(fā)生水解反應(yīng)釋放鋅離子和鈣離子，Zn離子和Ca離子可使活性炭的比表面積增大，粒徑增大，可使活性炭堆疊得更緊密，形成致密的薄膜，避免薄膜缺陷的存在?；钚蕴勘缺砻娣e較大，粒徑也較大，對光有明顯的散射作用，使得發(fā)光材料所發(fā)出的往各個方向的光被散射回中路，進(jìn)一步集中了光線，提高了OLED的發(fā)光效率。
[0037]本發(fā)明制備的空穴注入層同時具有空穴注入能力和空穴傳輸能力，在以后的應(yīng)用中可以替代空穴注入層和空穴傳輸層，減少了材料成本并簡化了膜形成工藝。同時，空穴注入層的制備方法簡單，原料價格低，操作容易，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
[0038]實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有以下有益效果:
[0039](I)本發(fā)明在空穴注入層采用負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭，提高了空穴注入層的空穴注入能力和空穴傳輸能力，同時，使器件的薄膜更加致密，避免了薄膜缺陷的存在，活性炭比表面積大，具有光散射作用，集中了光強(qiáng)，提高了OLED的發(fā)光效率；
[0040](2)本發(fā)明制備的空穴注入層同時具有空穴注入能力和空穴傳輸能力，在以后的應(yīng)用中可以替代空穴注入層和空穴傳輸層，減少了材料成本并簡化了膜形成工藝。同時，空穴注入層的制備方法簡單，原料價格低，操作容易，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0041]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0042]圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖2是本發(fā)明實(shí)施例1與對比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0045]實(shí)施例1
[0046]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0047](I)導(dǎo)電陽極I選用銦錫氧化物玻璃(ITO)，先將導(dǎo)電陽極I進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形導(dǎo)電陽極，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干；
[0048](2)將質(zhì)量百分比濃度分別為20%和60%的醋酸鋅溶液和醋酸鈣溶液按照體積比為3:1進(jìn)行混合形成10ml混合溶液，然后在混合溶液中加入粒徑為6目的活性炭形成混合材料，活性炭占混合材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%，充分?jǐn)嚢杌旌希缓髮⒒旌喜牧闲吭趯?dǎo)電陽極基板I上，旋涂轉(zhuǎn)速為6000rpm，時間為30s，旋涂厚度為60nm，100°C烘干，得到空穴注入層2。
[0049](3)在空穴注入層2上依次蒸鍍制備空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6和陰極7，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，
[0050]空穴傳輸層3材質(zhì)為NPB，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5X 10—3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為40nmo
[0051 ]發(fā)光層4材質(zhì)為Alq3，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5 X 10—3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為30nm;
[0052]電子傳輸層5的材質(zhì)為TAZ，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5X 10—3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為150nm;
[0053]電子注入層6的材質(zhì)為CsF，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5X 10—3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s，蒸鍍厚度為lnm;
[0054]陰極7的材質(zhì)為Ag，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5X10—3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為10nm0
[0055]其中，制備得到空穴注入層后，利用美國Quantachrome Corporat1n N0VA2200eSurface Area&Pore Size Analyzer型儀器在氮?dú)夥諊袦y量該層的孔徑分布和比表面積，測試得到負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭比表面積為1000?1500m2/g，孔徑為I?8nm。
[0056]圖1為本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層
5、電子注入層6和陰極7。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0057 ] ITO/ (Ca (CH3COO) 2_ 活性炭-Zn (CH3COO) 2) /NPB/A1 q3/TAZ/CsF/Ag。
[0058]實(shí)施例2
[0059]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0060](I)導(dǎo)電陽極選用鋁鋅氧化物玻璃(AZO)，先將導(dǎo)電陽極進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形導(dǎo)電陽極，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干；
[0061](2)將質(zhì)量百分比濃度分別為10%和80%的醋酸鋅溶液和醋酸鈣溶液按照體積比為1:4進(jìn)行混合形成200ml的混合溶液，然后在混合溶液中加入粒徑為5目的活性炭形成混合材料，活性炭占混合材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為I %，充分?jǐn)嚢杌旌?，然后將混合材料旋涂在陽極基板上，旋涂轉(zhuǎn)速為8000rpm，時間為60s，旋涂厚度為20nm，200 °C烘干，得到空穴注入層；
[0062](3)在空穴注入層上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，
[0063]空穴傳輸層材質(zhì)為TCTA，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為2X10—4Pa,蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為60nm;
[0064]發(fā)光層材質(zhì)為ADN，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為2X 10—4Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為5nm；
[0065]電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為2X 10—4Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為75nm;
[0066]電子注入層的材質(zhì)為Cs2CO3,蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為2X10—4Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍厚度為0.5nm;
[0067]陰極的材質(zhì)為Al，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為2X 10—4Pa，蒸鍍速率為10nm/S，蒸鍍厚度為300nmo
[0068]其中，制備得到空穴注入層后，利用美國Quantachrome Corporat1n N0VA2200eSurface Area&Pore Size Analyzer型儀器在氮?dú)夥諊袦y量該層的孔徑分布和比表面積，測試得到負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭比表面積為1200?ISOOmVg，孔徑為5?1nm0
[0069]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0070 ] AZO/(Ca (CH3COO) 2_ 活性炭-Zn (CH3COO) 2)/TCTA/ADN/Bphen/Cs2C03/Al。
[0071]實(shí)施例3
[0072]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0073](I)導(dǎo)電陽極選用摻銦的氧化鋅玻璃(IZO)，先將導(dǎo)電陽極進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形導(dǎo)電陽極，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干；
[0074](2)將質(zhì)量百分比濃度分別為60%和30%的醋酸鋅溶液和醋酸鈣溶液按照體積比為4:1進(jìn)行混合形成50ml混合溶液，然后在混合溶液中加入粒徑為10目的活性炭形成混合材料，活性炭占混合材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20 %，充分?jǐn)嚢杌旌希缓髮⒒旌喜牧闲吭陉枠O基板上，旋涂轉(zhuǎn)速為500rpm，時間為1s，旋涂厚度為200nm，150°C烘干，得到空穴注入層；
[0075](3)在空穴注入層上依次蒸鍍制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，
[0076]空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5X 10—4Pa，蒸鍍速率為0.6nm/s，蒸鍍厚度為20nm;
[0077]發(fā)光層材質(zhì)為BCzVBi，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5X10—4Pa，蒸鍍速率為0.6nm/s蒸鍍厚度為40nm;
[0078]電子傳輸層的材質(zhì)為TPBI，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5X 10—4Pa，蒸鍍速率為0.6nm/s，蒸鍍厚度為60nm;
[0079]電子注入層的材質(zhì)為CsN3，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5X 10—4Pa，蒸鍍速率為0.6nm/s，蒸鍍厚度為I Onm;
[0080]陰極的材質(zhì)為Au，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為5X 10—4Pa，蒸鍍速率為5nm/s，蒸鍍厚度為60nmo
[0081 ] 其中，制備得到空穴注入層后，利用美國Quantachrome Corporat1n N0VA2200eSurface Area&Pore Size Analyzer型儀器在氮?dú)夥諊袦y量該層的孔徑分布和比表面積，測試得到負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭比表面積為1400?2000m2/g，孔徑為2?8nm。
[0082]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0083 ] IZO/ (Ca (CH3COO) 2_ 活性炭-Zn (CH3COO) 2) /TAPC/BCz VBi /TPBI /CsN3/Au。
[0084]實(shí)施例4
[0085]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0086](I)導(dǎo)電陽極選用摻銦的氧化鋅玻璃(IZO)，先將導(dǎo)電陽極進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形導(dǎo)電陽極，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，清洗干凈后風(fēng)干；
[0087](2)將質(zhì)量百分比濃度分別為35%和35%的醋酸鋅溶液和醋酸鈣溶液按照體積比為I: I進(jìn)行混合形成10ml混合溶液，然后在混合溶液中加入粒徑為8目的活性炭形成混合材料，活性炭占混合材料的質(zhì)量比為10%，充分?jǐn)嚢杌旌?，然后將混合材料旋涂在陽極基板上，旋涂轉(zhuǎn)速為5000rpm，時間為15s，旋涂厚度為100nm，120°C烘干，得到空穴注入層；
[0088](3)在空穴注入層上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，
[0089]空穴傳輸層材質(zhì)為TAPC，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為IX 10—3Pa，蒸鍍速率為0.9nm/s，蒸鍍厚度為45nm;
[0090]發(fā)光層材質(zhì)為DCJTB，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為IX 10—3Pa，蒸鍍速率為0.7nm/s，蒸鍍厚度為8nm;
[0091 ]電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為I X 10—3Pa,蒸鍍速率為0.6nm/s，蒸鍍厚度為35nm;
[0092]電子注入層的材質(zhì)為LiF，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為IX 10—3Pa,蒸鍍速率為0.5nm/s，蒸鍍厚度為0.5nm;
[0093]陰極的材質(zhì)為Pt，蒸鍍時采用的壓強(qiáng)為IX 10—3Pa，蒸鍍速率為9nm/s，蒸鍍厚度為120nmo
[0094]其中，制備得到空穴注入層后，利用美國Quantachrome Corporat1n N0VA2200eSurface Area&Pore Size Analyzer型儀器在氮?dú)夥諊袦y量該層的孔徑分布和比表面積，測試得到負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭比表面積為1300?2000m2/g，孔徑為2?1nm0
[0095]本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。具體結(jié)構(gòu)表示為:
[0096]IZO/(Ca (CH3COO) 2_ 活性炭-Zn (CH3COO) 2)/TAPC/DCJTB/TAZ/LiF/Pt。
[0097]對比實(shí)施例
[0098]為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對比實(shí)施例，對比實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于對比實(shí)施例中的空穴注入層材質(zhì)為氧化鉬(MoO3),對比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為:ITO/MoOs/NPB/Alqs/TAZ/CsF/Ag，依次導(dǎo)電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極對應(yīng)。
[0099]效果實(shí)施例
[0100]采用電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2400)、色度計(日本柯尼卡美能達(dá)公司，型號:CS-100A)測試有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率隨亮度變化曲線，以考察器件的發(fā)光效率，測試對象為實(shí)施例1與對比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件。測試結(jié)果如圖2所示。圖2是本發(fā)明實(shí)施例1與對比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。
[0101]從圖2可以看出，本發(fā)明實(shí)施例1有機(jī)電致發(fā)光器件在所測試亮度范圍內(nèi)的流明效率都要比對比實(shí)施例大，其中最大的流明效率為12.81m/W(對比例的僅為7.311m/W)，而且對比例的流明效率隨著亮度的增大而快速下降。說明采用負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭作為空穴注入材料，有助于提高有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率和性能穩(wěn)定性，有效提高發(fā)光效率。
[0102]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟: 提供所需尺寸的導(dǎo)電陽極，清洗后干燥； 在導(dǎo)電陽極上旋涂空穴注入層，所述空穴注入層的材質(zhì)為負(fù)載有醋酸鋅和醋酸鈣的活性炭，所述空穴注入層的具體制備方法為:首先將醋酸鈣溶液和醋酸鋅溶液進(jìn)行混合形成混合溶液，然后加入活性炭，所述醋酸鋅、醋酸鈣和活性炭的質(zhì)量比為(I?8): (I?32):(0.1?2.25)，充分?jǐn)嚢杌靹蛐纬苫旌喜牧?，將混合材料旋涂在陽極基板上，烘干，得到空穴注入層； 在空穴注入層上依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為20nm?200nmo3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述制備空穴注入層時旋涂轉(zhuǎn)速為500rpm?8000rpm，旋涂時間為1s?60s。4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述醋酸鈣溶液的質(zhì)量百分比濃度為30%?80%，所述醋酸鋅溶液的質(zhì)量百分比濃度為10%?60%。5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述活性炭在混合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為I %?20 %。6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，醋酸鈣溶液和醋酸鋅溶液按體積比為4:1?1:4進(jìn)行混合形成混合溶液。7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強(qiáng)為2 X 10—4Pa?5 X 10—3Pa，蒸鏈速率為0.lnm/s?lnm/s。8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，蒸鍍陰極時的壓強(qiáng)為 2X 10—4 ?5X 10—3Pa,蒸鏈速率為 lnm/s ?10nm/s。
【文檔編號】H01L51/50GK105895812SQ201610095907
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2013年1月16日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】柯云