用于紋理化腔室部件的方法和具有紋理化表面的腔室部件的制作方法
【專利摘要】提供一種用于腔室部件上的紋理化表面的方法，并且所述方法包括：提供腔室部件；將光刻膠層施加至所述腔室部件的表面；使用掩模來將所述光刻膠的一部分暴露于光能，以便固化所述光刻膠的一部分；將未固化的光刻膠從所述表面上移除；和對(duì)所述腔室部件進(jìn)行電化學(xué)蝕刻，以在所述腔室部件上形成紋理化表面。
【專利說明】
用于紋理化腔室部件的方法和具有紋理化表面的腔室部件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本文所披露的實(shí)施方式大體涉及用于改變材料的表面的方法。更具體地，本文所披露的實(shí)施方式涉及用于改變用于工藝腔室中的部件的表面的方法并且提供腔室部件上的紋理化表面。
【背景技術(shù)】
[0002]由于集成電路裝置的制造尺寸持續(xù)減小，因此這些裝置的制造更易因污染而降低產(chǎn)出率。因此，制造集成電路裝置、尤其是具有更小物理尺寸的那些裝置需要比以前認(rèn)為必需的程度更大程度地控制污染。
[0003]集成電路裝置的污染可能由在薄膜沉積、蝕刻或其他半導(dǎo)體制造工藝期間撞擊基板上的來源(諸如不希望有的雜散顆粒)造成。一般來說，集成電路裝置的制造包括使用工藝腔室，諸如物理氣相沉積(PVD)腔室和濺射腔室、化學(xué)氣相沉積(CVD)腔室、等離子體蝕刻腔室，在此僅僅列舉幾個(gè)。在沉積和蝕刻工藝過程期間，材料常從氣相冷凝并沉積到腔室中的各個(gè)內(nèi)表面上，以在腔室的這些表面上形成固體物質(zhì)。這種沉積物質(zhì)在腔室的內(nèi)表面上累積，并易于在基板工藝工序之間或在基板工藝工序期間從內(nèi)表面上脫離或剝落。隨后，所脫離的物質(zhì)可撞擊并污染基板和基板上的裝置。受污染的裝置通常必須被棄用，由此降低工藝的制造產(chǎn)出率。
[0004]為避免與所脫離的物質(zhì)相關(guān)聯(lián)的問題，腔室表面需要頻繁且有時(shí)耗時(shí)的清潔步驟以將沉積物質(zhì)從腔室表面移除。另外，不管執(zhí)行多少次的清潔，在某些情況下，來自所脫離的物質(zhì)的污染仍可能發(fā)生。
[0005]因此，需要減少來自已沉積于工藝腔室的內(nèi)表面上的物質(zhì)的污染。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在一個(gè)實(shí)施方式中，提供用于腔室部件上的紋理化表面的方法。所述方法包括:提供腔室部件;將光刻膠層施加至所述腔室部件的表面;使用掩模來將所述光刻膠的一部分暴露于光能，以便固化所述光刻膠的一部分;將未固化的光刻膠從所述表面上移除;和對(duì)所述腔室部件進(jìn)行電化學(xué)蝕刻，以在所述腔室部件上形成紋理化表面。
[0007]在另一實(shí)施方式中，提供用于處理腔室的腔室部件。所述部件包括紋理化表面，所述紋理化表面包括通過電化學(xué)蝕刻工藝形成的多個(gè)紋理化特征結(jié)構(gòu)。所述紋理化特征結(jié)構(gòu)每個(gè)包括多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)環(huán)繞和/或外接多個(gè)溝槽，并且所述溝槽的至少一部分相交。
【附圖說明】
[0008]因此，為了詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征、優(yōu)點(diǎn)和目的，可以參照本發(fā)明的圖示在附圖中的實(shí)施方式對(duì)上文簡要概述的本發(fā)明進(jìn)行更具體的描述。
[0009]圖1是具有腔室部件的工藝腔室的簡化的示意性截面圖，所述腔室部件具有如本文所述的紋理化表面。
[0010]圖2A至圖2H是示出用于在腔室部件上形成紋理化表面的工藝的示意圖。
[0011]圖3A和圖3B分別是可用作紋理化表面的紋理化特征結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式的等距視圖和側(cè)視截面圖。
[0012]圖4A和圖4B分別是可用作圖1中所示的腔室部件上的紋理化表面的紋理化表面的俯視平面圖和側(cè)視截面圖。
[0013]圖5A和圖5B分別是可用作圖1中所示的腔室部件上的紋理化表面的紋理化表面的俯視平面圖和側(cè)視截面圖。
[0014]圖6A和圖6B分別是可用作圖1中所示的腔室部件上的紋理化表面的紋理化表面的俯視平面圖和側(cè)視截面圖。
[0015]為了便于理解，已盡可能使用相同的參考標(biāo)記指定各圖所共有的相同元件。應(yīng)預(yù)見到，一個(gè)實(shí)施方式的要素和/或工藝步驟可有利地并入其他實(shí)施方式，而無需進(jìn)一步敘述。
【具體實(shí)施方式】
[0016]圖1是工藝腔室的簡化的示意性截面圖，所述工藝腔室被示例性地示為其中污染可使用本文所述的實(shí)施方式減少的濺射腔室100?？墒芤嬗谌绫疚乃龅谋砻嫣幚淼钠渲谢灞槐┞队谝环N或更多種氣相材料的其他工藝腔室包括物理氣相沉積(PVD)腔室和離子金屬等離子體(IMP)腔室、化學(xué)氣相沉積(CVD)腔室、蝕刻腔室、分子束外延(molecularbeam epitaxy，MBE)腔室、原子層沉積(ALD)腔室等等。腔室例如還可以是蝕刻腔室，諸如等離子體蝕刻腔室。合適的工藝腔室的其他實(shí)例包括離子注入腔室、退火腔室以及其他爐腔(furnace chamber)。本文所披露的表面處理工藝以及工藝腔室可從California(加利福尼亞)州Santa Clara(圣克拉拉)市的Applied Materials, Inc.(應(yīng)用材料公司)商購獲得。可從其他制造商處商購到的工藝腔室以及腔室部件也可以受益于如本文所述的表面處理工
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[0017]濺射腔室100包括真空腔室102和具有支撐表面106的基板支撐件104?；逯渭?04例如可為靜電夾具(electrostatic chuck)。派射腔室100還進(jìn)一步包括屏蔽組件108和升降系統(tǒng)110。基板112(例如，半導(dǎo)體晶片)可在處理期間定位在基板支撐件104的支撐表面106上。為了清楚起見，某些硬件諸如進(jìn)氣歧管和/或真空栗被省去。
[0018]示例性的真空腔室102包括圓柱形腔室壁114和支撐環(huán)116，支撐環(huán)116被安裝至腔室壁114的頂部。腔室頂部由靶板118封閉，所述靶板118具有內(nèi)表面120。靶板118通過位于靶板118與支撐環(huán)116之間的環(huán)形絕緣體122而與腔室壁114電絕緣。一般來說，為了確保真空腔室102中的真空壓力的完整性，在絕緣體122上方和下方使用O形環(huán)(未示出)提供真空密封。靶板118可由將變?yōu)槌练e物質(zhì)的材料制成，或者靶板118可以包含沉積物質(zhì)的涂層。為有利于濺射工藝，高壓電源124連接至靶板118。
[0019]基板支撐件104將基板112保持和支撐在真空腔室102內(nèi)。基板支撐件104可以包含嵌入支撐主體128內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)電極126。電極126由來自電極電源130的電壓驅(qū)動(dòng)，且響應(yīng)于電壓施加，基板112可由靜電力被夾持到至基板支撐件104的支撐表面106。支撐主體128可以包含例如陶瓷材料。
[0020]壁狀圓柱形的屏蔽構(gòu)件132被安裝至支撐環(huán)116。屏蔽構(gòu)件132的圓柱形形狀是與真空腔室102和/或基板112的形狀相符的屏蔽構(gòu)件的示例。當(dāng)然，屏蔽構(gòu)件132可為任何形狀。除了屏蔽構(gòu)件132之外，屏蔽組件108還包括環(huán)形沉積環(huán)134，所述環(huán)形沉積環(huán)134具有經(jīng)選擇以使得該環(huán)在不接觸基板112的情況下裝配在基板112的周邊邊緣之上的內(nèi)徑以用作陰影環(huán)。沉積環(huán)134位于對(duì)準(zhǔn)環(huán)136上，并且對(duì)準(zhǔn)環(huán)136由從基板支撐件104延伸的凸緣支撐。
[0021]在濺射沉積工藝期間，將工藝氣體供應(yīng)至真空腔室102并且將功率供應(yīng)至靶板118。工藝氣體被點(diǎn)燃(ignited)成等離子體并且朝著革E板118加速。工藝氣體使顆粒從革巴板118離開，并且顆粒沉積到基板112上，從而在基板上形成沉積材料的涂層。
[0022]雖然屏蔽組件108通常將等離子體和濺射顆粒限制在反應(yīng)區(qū)138內(nèi)，但是不可避免的是，初始呈等離子體或氣態(tài)的濺射顆粒冷凝于各個(gè)內(nèi)部腔室表面上。例如，濺射顆?？衫淠谄帘谓M件108的內(nèi)表面140上、靶板118的內(nèi)表面120上、支撐環(huán)116的內(nèi)表面142上、沉積環(huán)134的表面144上以及其他內(nèi)部腔室表面。此外，其他表面(諸如基板支撐件104的支撐表面106)可在沉積工序期間或在沉積工序之間受到污染。
[0023]一般來說，術(shù)語“內(nèi)表面”是指具有與真空腔室102的界面的任何表面?！扒皇也考笔侵竿耆虿糠秩菁{在真空腔室102內(nèi)的任何可拆卸的元件。腔室部件可為真空腔室部件，即，放置在真空腔室(例如像真空腔室102)內(nèi)的腔室部件。腔室部件的內(nèi)表面上形成的冷凝物質(zhì)通常僅僅具有有限的粘附性，并且可從部件分離而且污染基板112，這減少了在基板112上形成的裝置的產(chǎn)出率。
[0024]為了減少冷凝物質(zhì)從工藝腔室部件脫離的趨勢(shì)，例如像屏蔽組件108、靶板118、支撐環(huán)116、沉積環(huán)134、支撐主體128、對(duì)準(zhǔn)環(huán)136或基板支撐件104這些腔室部件設(shè)置有紋理化表面146。其他腔室部件(未示出)也可包括如本文所述的紋理化表面146。例如，諸如線圈、線圈支撐件、準(zhǔn)直器、閘門盤(shutter disk)這些部件可設(shè)置有紋理化表面146。
[0025]用于形成紋理化表面的方法
[0026]圖2A至圖2H是示出用于在腔室部件(諸如屏蔽組件108、靶板118、支撐環(huán)116、沉積環(huán)134、支撐主體128、對(duì)準(zhǔn)環(huán)136或基板支撐件104，這些全都在圖1中示出)上形成紋理化表面(諸如紋理化表面146)的工藝的示意圖。在這些附圖中，腔室部件被稱為工件200。工件200可為鋁、不銹鋼、鈦或具有將承受在圖1的真空腔室102中或真空腔室102上的處理的特性的其他材料。
[0027]圖2A是具有形成在其上的光刻膠材料205的工件200的示意性側(cè)視圖。光刻膠材料205可為具有光致聚合樹脂的聚醋酸乙烯酯乳液。光刻膠材料205可包括在工件200的整個(gè)表面212上大體均勻的厚度210。在一些實(shí)施方式中，厚度210可為約10微米(μπι)至約500μπι，例如像約0.1毫米(mm)至約ΙΟμ??ο
[0028]圖2Β是具有設(shè)置在光刻膠材料205之上的圖案化掩模214的工件200的示意性側(cè)視圖，圖2C是圖案化掩模214的一部分的放大俯視圖，并且圖2D是工件200的示意性側(cè)視圖。光能(諸如紫外光216)撞擊光刻膠材料205和圖案化掩模214。圖案化掩模214包括區(qū)域220Α，在這個(gè)區(qū)域中，紫外光216可以穿過圖案化掩模214并且固化光刻膠材料205。圖案化掩模214還包括區(qū)域220Β，在這個(gè)區(qū)域中，紫外光216不會(huì)穿過，并且下層的光刻膠材料205未被固化?？梢瞥魏挝垂袒墓饪棠z材料205，并且圖案221由固化光刻膠材料222構(gòu)成，如圖2D所示。具有圖案220的工件200可被放置在罐(tank)中(未示出)以供進(jìn)一步的處理。
[0029]圖2E是具有放置在工件的表面212之上的電極224的工件200的示意性側(cè)視圖。電極224可與電源228電氣連通，電源還與工件200電氣連通。電解質(zhì)226可在表面212與電極224之間流動(dòng)。在一些實(shí)施方式中，工件200是陽極，并且電極224是陰極。電極224可為銅板或銅網(wǎng)。在一些實(shí)施方式中，表面212與電極224之間的距離230可在約0.1mm至約20mm之間，并且在處理過程中，電極224可平行于表面212。在一個(gè)實(shí)施方式中，電極224可被直接放置在固化光刻膠材料222的上表面232上。例如，固化光刻膠材料222的厚度234可以等于圖2A中所示的光刻膠材料205的厚度210(例如，約0.1mm至約20mm)。以此方式，固化光刻膠材料222可起間隔件的作用。在一些實(shí)施方式中，間隔件236可被放置在固化光刻膠材料222的上表面232與電極224之間，以便在兩者之間維持恒定間距。間隔件236可由介電材料(諸如聚合物材料或陶瓷材料)制成。
[0030]電解質(zhì)226可為混合物或溶液，所述混合物或溶液可為堿性或酸性的。堿性電解質(zhì)可包含NaCl (2-40%)、NaBr(2-40%)、NaN03(2-40%)'NaClO3(2-40%)、(CH2OH)2(10-50% )、Na0H(3-20% )。酸性電解質(zhì)可包含NaCl (2-40% ) ^NaBr(2-40%) ^NaNO3(2-40% )、NaClO3(2-40%)、(CH2OH)2( 10-50% )、HC1 (3-20% )。電解質(zhì)226可以在壓力下流過噴嘴(未示出)，或可使用磁攪拌器來維持電解質(zhì)226的流動(dòng)。電源228可被設(shè)定為處于約3伏特直流(DC)至約100伏特DC的功率，例如像約10伏特DC至約20伏特DC、直到并包括約35伏特DC。
[0031]圖2F是在關(guān)于圖2A至2E所描述的蝕刻工藝之后具有形成在其上的圖案化表面240的工件200的示意性側(cè)視圖。圖案化表面240包括多個(gè)突起242和多個(gè)凹陷或溝槽244。所述圖案化表面還包括留在突起242上的固化光刻膠材料222。固化光刻膠材料222可由合適的溶劑清潔，以便在工件200上提供紋理化表面146，如圖2G和圖2H所示。
[0032]圖2G是具有形成在其上的紋理化表面146的一個(gè)實(shí)施方式的工件200的示意性側(cè)視圖。圖2H是紋理化表面146和工件200的一部分的放大俯視圖。紋理化表面146包括多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)246A，所述多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)環(huán)繞和/或外接多個(gè)凹陷或溝槽246B。在一些實(shí)施方式中，凸起特征結(jié)構(gòu)246A的至少一部分在公共區(qū)域248處相交。在其他實(shí)施方式中，凸起特征結(jié)構(gòu)246A的至少一部分包括圓形結(jié)構(gòu)250。在一些實(shí)施方式中，溝槽246B的至少一部分包括弓形結(jié)構(gòu)255。
[0033]圖3A和圖3B分別是可用作腔室部件(諸如圖1中所示的腔室部件)上的紋理化表面146的紋理化特征結(jié)構(gòu)300的等距視圖和側(cè)視截面圖。雖然示出單個(gè)紋理化特征結(jié)構(gòu)300，但應(yīng)理解，類似于紋理化特征結(jié)構(gòu)300的其他紋理化特征結(jié)構(gòu)將會(huì)環(huán)繞紋理化特征結(jié)構(gòu)300和/或與其相交。紋理化特征結(jié)構(gòu)300可以形成在如圖2A、圖2B和圖2D至圖2G所述的工件200上。
[0034]根據(jù)本實(shí)施方式的紋理化特征結(jié)構(gòu)300包括多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)246A，所述多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)環(huán)繞和/或外接多個(gè)凹陷或溝槽246B。溝槽246B的至少一部分可為弓形結(jié)構(gòu)255，如平面圖所示。在一些實(shí)施方式中，弓形結(jié)構(gòu)255可為半圓形的，如圖所示。然而，在其他實(shí)施方式中，弓形結(jié)構(gòu)255可以交叉，使得溝槽246B形成完整圓形。凸起特征結(jié)構(gòu)246A的至少一部分可以包括類似于圖2H所示的實(shí)施方式的圓形結(jié)構(gòu)250。
[0035]如圖3B所示，每個(gè)溝槽246B可包括彎曲表面305。每個(gè)溝槽246B可形成至深度310。溝槽246B的深度310可為約0.1mm或更大，諸如約Imm至約2mm，直到并包括約3mm。紋理化特征結(jié)構(gòu)300還可包括銳邊或尖點(diǎn)315，在此位置，溝槽246B與凸起特征結(jié)構(gòu)246A相交。如本文所述的點(diǎn)315包括溝槽246B與凸起特征結(jié)構(gòu)246A之間的尖銳過渡部分，并且點(diǎn)315可能沒有任何倒角、斜角或半徑。點(diǎn)315可以增加沉積在其上的任何膜的表面張力，由此增加膜對(duì)紋理化特征結(jié)構(gòu)3 O O的粘附力。溝槽2 46B還可包括約1 μπι至約1 O μπι的平均表面粗糙度(R a)。凸起特征結(jié)構(gòu)246A還可包括可具有約Ιμπι至約ΙΟμπι的表面粗糙度的表面320。
[0036]圖4Α和圖4Β分別是可用作腔室部件(諸如圖1中所示的腔室部件)上的紋理化表面146的紋理化表面400的俯視平面圖和側(cè)視截面圖。紋理化表面400包括多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)246Α，所述多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)由多個(gè)凹陷或溝槽246Β環(huán)繞。根據(jù)本實(shí)施方式的多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)246Α包括多個(gè)突起多邊形特征結(jié)構(gòu)405。在圖4Α和圖4Β所示的視圖中，多個(gè)突起多邊形特征結(jié)構(gòu)405每個(gè)的形狀為六邊形，但也可以形成其他多邊形的形狀。例如，突起多邊形特征結(jié)構(gòu)405可形成為矩形形狀、三角形形狀、八邊形形狀、菱形形狀和它們的組合。在一些實(shí)施方式中，溝槽246Β的深度可為約700μπι至約750μπι。在一些實(shí)施方式中，突起多邊形特征結(jié)構(gòu)405的寬度或主要尺寸(平邊至平邊)可為約4mm至約4.25_。
[0037]圖5A和圖5B分別是可用作腔室部件(諸如圖1中所示的腔室部件)上的紋理化表面146的紋理化表面500的俯視平面圖和側(cè)視截面圖。紋理化表面500包括多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)246A，所述多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)由多個(gè)凹陷或溝槽246B環(huán)繞。根據(jù)本實(shí)施方式的多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)246A包括多個(gè)突起圓形特征結(jié)構(gòu)505。在一些實(shí)施方式中，溝槽246B的深度可為約500μπι至約650μπι。在一些實(shí)施方式中，突起圓形特征結(jié)構(gòu)505的寬度或主要尺寸(外徑)可為約800μηι至約 I，400μηι。
[0038]圖6Α和圖6Β分別是可用作腔室部件(諸如圖1中所示的腔室部件)上的紋理化表面146的紋理化表面600的俯視平面圖和側(cè)視截面圖。紋理化表面600包括多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)246Α，所述多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)由多個(gè)凹陷或溝槽246Β環(huán)繞。根據(jù)本實(shí)施方式的多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)246Α包括多個(gè)凹坑結(jié)構(gòu)(dimple structure)605。每個(gè)凹坑結(jié)構(gòu)605可包括凸起特征結(jié)構(gòu)246A和形成在凸起特征結(jié)構(gòu)246A中心的溝槽246B。在所示的實(shí)施方式中，凹坑結(jié)構(gòu)605是圓形的。然而，在其他實(shí)施方式中，凹坑結(jié)構(gòu)605可為多邊形形狀的(如在圖4A和圖4B中示出并描述的)，其中凹槽610形成在凸起特征結(jié)構(gòu)246A內(nèi)。在一些實(shí)施方式中，溝槽246B和/或凹槽610的深度可為約400μπι至約650μπι。在一些實(shí)施方式中，突起圓形特征結(jié)構(gòu)505的寬度或主要尺寸(外徑)可為約500μηι至約2，600μηι。
[0039]如本文所述的腔室部件上的紋理化表面146、400、500或600的實(shí)施方式增加了可沉積在其上的任何膜的粘附力。增加的粘附力防止或最小化沉積物質(zhì)脫離并形成可能損壞基板上形成的裝置的顆粒。繼而，這可增加產(chǎn)出率。增加的粘附力還可延長腔室維護(hù)間隔，這可以提高生產(chǎn)率。用于形成紋理化表面146的方法還可節(jié)省時(shí)間并且要比其他方法(諸如化學(xué)蝕亥Ij)更為環(huán)保。例如，與蝕刻速率為每小時(shí)幾微米的酸(HNO3)蝕刻相比，根據(jù)本文所述的方法來使鈦制工件紋理化，蝕刻速率為約lmm/20分鐘。
[0040]盡管上述內(nèi)容是針對(duì)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式，但也可在不脫離本公開內(nèi)容的基本范圍的情況下設(shè)計(jì)出本公開內(nèi)容的其他和進(jìn)一步的實(shí)施方式，并且本公開內(nèi)容的范圍由隨附的權(quán)利要求書來確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于腔室部件上的紋理化表面的方法，所述方法包括: 提供腔室部件； 將光刻膠層施加至所述腔室部件的表面； 使用掩模來將所述光刻膠的一部分暴露于光能，以便固化所述光刻膠的一部分； 將未固化的光刻膠從所述表面上移除;和 對(duì)所述腔室部件進(jìn)行電化學(xué)蝕刻，以在所述腔室部件上形成紋理化表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述蝕刻期間，所述腔室部件包括陽極。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述腔室部件包括屏蔽組件、靶板、支撐環(huán)、沉積環(huán)、支撐主體、對(duì)準(zhǔn)環(huán)或基板支撐件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述腔室部件包含鋁、不銹鋼或鈦。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述紋理化表面包括多個(gè)圓形結(jié)構(gòu)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述圓形結(jié)構(gòu)的至少一部分相交。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述圓形結(jié)構(gòu)包括形成在其中的凹槽。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述紋理化表面包括多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)環(huán)繞和/或外接多個(gè)溝槽。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述溝槽的至少一部分相交。10.—種用于處理腔室的腔室部件，所述部件包括: 紋理化表面，所述紋理化表面包括通過電化學(xué)蝕刻工藝形成的多個(gè)紋理化特征結(jié)構(gòu)，所述紋理化特征結(jié)構(gòu)的每一個(gè)包括: 多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)凸起特征結(jié)構(gòu)環(huán)繞和/或外接多個(gè)溝槽，并且所述溝槽的至少一部分相交。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中所述紋理化表面形成在屏蔽組件、靶板、支撐環(huán)、沉積環(huán)、支撐主體、對(duì)準(zhǔn)環(huán)或基板支撐件上。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中所述紋理化表面形成在鋁材料、不銹鋼材料或鈦材料上。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中所述紋理化表面包括多個(gè)圓形結(jié)構(gòu)。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中所述溝槽包括彎曲表面。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的部件，其中所述彎曲表面與所述凸起特征結(jié)構(gòu)在尖點(diǎn)處相交。16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中所述溝槽以約0.1毫米至約2毫米的深度形成。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK105900210SQ201480034625
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2014年12月15日
【發(fā)明人】黃曦, 徐文龍
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司