一種貼片二極管的上膠工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種貼片二極管的上膠工藝，其依次包括劃片、酸洗、焊接、堿洗、上膠、膠固化和塑封工序。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：本發(fā)明貼片二極管的上膠工藝，針對貼片二極管的構(gòu)造形式無法采用O/J類芯片制程中的滾膠工藝進(jìn)行上膠，通過改變貼片二極管的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成一個環(huán)繞芯片外側(cè)的環(huán)形間隙，在環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封用膠，這樣，二極管芯片上膠工藝，采用灌膠形式集聚在凹坑或殼體內(nèi)，同時，又不會增加二極管芯片與引線裝配后的厚度，使得二極管芯片與引線之間的牢固性得到有效提高，同時，還減少了芯片護(hù)封用膠的用量，進(jìn)而能夠降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】
一種貼片二極管的上膠工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于微電子元器件的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種貼片二極管的上膠工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 二極管又稱晶體二極管，它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子元件，因其安全、高效 率、環(huán)保、壽命長、響應(yīng)快、體積小、結(jié)構(gòu)牢固等優(yōu)點(diǎn)，已逐步得到推廣，目前廣泛應(yīng)用于各種 電子產(chǎn)品的指示燈、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明。
[0003] 二極管制造工藝中，要對二極管的芯片PN結(jié)進(jìn)行保護(hù)，傳統(tǒng)的芯片PN結(jié)護(hù)封技術(shù) 有兩種： 第一種為0/J類芯片護(hù)封，晶圓切割在晶圓擴(kuò)散后切片成晶粒，晶粒的邊緣是粗糙的， 電性能不穩(wěn)定，需要用混合酸洗掉邊緣，然后包以硅膠并封裝成型； 第二種為GPP護(hù)封，在現(xiàn)有產(chǎn)品普通硅整流擴(kuò)散片的基礎(chǔ)上對擬分割的管芯P/N結(jié)面四 周燒制一層玻璃，玻璃與單晶硅有很好的結(jié)合特性，使P/N結(jié)獲得最佳的保護(hù)，免受外界環(huán) 境的侵?jǐn)_，提尚器件的穩(wěn)定性。
[0004] 上述兩種護(hù)封技術(shù)一般應(yīng)用在不同的封裝結(jié)構(gòu)中，如圖1所示，0/J類芯片適合引 出線封裝，其包括芯片1，芯片1的兩端通過焊料2焊接引線3,在芯片1和引線3端部外上膠4， 且芯片1和引線3外封裝環(huán)氧樹脂5,引線3外設(shè)電鍍層6;而GPP類芯片多采用貼片式封裝結(jié) 構(gòu)（參見圖2)，其包括芯片7，芯片7上設(shè)有一層鈍化玻璃層8，進(jìn)而形成GPP芯片；在GPP芯片 的兩端通過焊料9焊接上引線框架10的貼片基島和下引線框架11的貼片基島，將GPP芯片和 上、下引線框架的貼片基島封裝在塑封體12內(nèi)；采用引出線封裝的0/J類芯片和采用貼片式 封裝的GPP芯片整體制程分別如圖3、4所示， 而其中，貼片式封裝結(jié)構(gòu)由于其小型化、薄型化特點(diǎn)，其芯片面積與封裝面積之比接近 于1，能夠降低PCB板的面積，進(jìn)而降低成本，因此，在二極管封裝上逐漸取代引出線封裝結(jié) 構(gòu)，得到越來越廣泛的應(yīng)用。
[0005] 但貼片式封裝仍然存在一定的缺陷： (1) 由于貼片式封裝多采用GPP芯片，而GPP芯片制程較為繁復(fù)，需要三道光阻顯影之光 罩制程，而在成型切片時，常會有因切割而造成之微細(xì)裂縫，且邊緣呈現(xiàn)90度之銳角狀，加 工時容易受到碰撞所損傷； (2) 此外，GPP玻璃只包覆切割面的一部份，并無法包覆整個切割面，由于護(hù)封玻璃厚度 很薄，通常只能承受小于1600V之逆向電壓； (3) 且GPP芯片的鈍化玻璃中不可避免的含鉛等重金屬，對于環(huán)境影響無法估量。
[0006] 如果二極管能夠采用0/J類芯片來進(jìn)行貼片式封裝，則上述GPP芯片所存在的缺陷 則能夠順利解決，但在實(shí)現(xiàn)過程中存在以下難點(diǎn):貼片式封裝中，由于其引腳的結(jié)構(gòu)形式限 制，其無法采用傳統(tǒng)0/J類芯片制程中的滾膠工藝(參見圖5)進(jìn)行上膠，而硅膠材質(zhì)熟化溫 度低于焊接溫度的特性，又無法采用類似GPP芯片制程中的先上膠后焊接引腳的形式。
[0007] 因此，結(jié)合現(xiàn)狀，研發(fā)一種制程簡單、成本低且能順利上膠的貼片二極管的上膠工 藝是非常有必要的。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種制程簡單、成本低且能順利上膠的貼片二極 管的上膠工藝。
[0009] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種貼片二極管的上膠工藝，依次 包括劃片、焊接、芯片上膠和固化工序;其創(chuàng)新點(diǎn)在于:在貼片二極管下引線的芯片連接端 設(shè)置一可容納芯片的凹坑，將芯片置于凹坑內(nèi)，然后將芯片與上、下引線焊接固定，使凹坑 的內(nèi)側(cè)壁與芯片側(cè)壁之間形成一個環(huán)繞在芯片外圍的環(huán)形間隙；在芯片上膠工序中，向環(huán) 形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封用膠，使芯片護(hù)封用膠環(huán)繞在芯片外側(cè)壁表面，再對護(hù)封膠進(jìn)行固 化，且灌膠中芯片護(hù)封膠使用常溫固化膠或高溫固化膠，并通過灌注針頭將芯片護(hù)封用膠 灌注至所述的芯片環(huán)形間隙中，灌注時，灌注針頭通過他加壓進(jìn)行灌注，N 2壓力控制在0.5-2.0kgf/cm2,灌注時間為5-10S;芯片的外圍被灌注芯片護(hù)封用膠后，再通過超聲波振動，使 灌注均勻，無氣孔產(chǎn)生。
[0010] 進(jìn)一步地，在所述劃片工序后，焊接工序前，對芯片進(jìn)行酸洗工序。
[0011] 進(jìn)一步地，在所述焊接工序后，芯片上膠工序前，對芯片進(jìn)行堿洗工序。
[0012] 進(jìn)一步地，在護(hù)封固化后，進(jìn)行模壓塑封，在引線外形成一包裹芯片及引線的塑封 結(jié)構(gòu)。
[0013] -種貼片二極管的上膠工藝，依次包括劃片、焊接、芯片上膠和固化工序;其創(chuàng)新 點(diǎn)在于:在所述焊接工序中，將兩引線分別與芯片的P、N端焊接固定;焊接后，將芯片及引線 置于一上端開口的塑封殼體中，使塑封殼體的內(nèi)側(cè)壁與芯片側(cè)壁之間形成一個在芯片外圍 的環(huán)形間隙；在所述芯片上膠工序中，向環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封用膠，使芯片護(hù)封用膠環(huán) 繞在芯片外側(cè)壁表面，再對護(hù)封膠進(jìn)行固化，且灌膠中芯片護(hù)封膠使用常溫固化膠或高溫 固化膠，并通過灌注針頭將芯片護(hù)封用膠灌注至所述的芯片環(huán)形間隙中，灌注時，灌注針頭 通過N2加壓進(jìn)行灌注，N2壓力控制在0.5-2. Okgf/cm2，灌注時間為5-10S;芯片的外圍被灌注 芯片護(hù)封用膠后，再通過超聲波振動，使灌注均勻，無氣孔產(chǎn)生。
[0014] 進(jìn)一步地，在所述劃片工序后，焊接工序前，對芯片進(jìn)行酸洗工序。
[0015] 進(jìn)一步地，在所述焊接工序后，芯片上膠工序前，對芯片進(jìn)行堿洗工序。
[0016] 進(jìn)一步地，在護(hù)封固化后，進(jìn)行塑封，通過模壓工序在塑封殼體外形成一包裹芯片 及塑封殼體的塑封結(jié)構(gòu)。
[0017] -種貼片二極管的上膠工藝，依次包括劃片、焊接、芯片上膠和固化工序;其創(chuàng)新 點(diǎn)在于:預(yù)制一塑封外殼，該塑封外殼底部中心具有一個高度低于塑封外殼的芯片內(nèi)殼，且 芯片內(nèi)殼上端開口；在所述焊接工序中，將兩引線分別與芯片的P、N端焊接固定;焊接后，將 芯片及引線置于芯片內(nèi)殼中，使芯片內(nèi)殼的內(nèi)側(cè)壁與芯片側(cè)壁之間形成一個在芯片外圍側(cè) 的環(huán)形間隙；在所述芯片上膠工序中，向環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封用膠，使芯片護(hù)封用膠環(huán) 繞在芯片外側(cè)壁表面，再對護(hù)封膠進(jìn)行固化，且灌膠中芯片護(hù)封膠使用常溫固化膠或高溫 固化膠，并通過灌注針頭將芯片護(hù)封用膠灌注至所述的芯片環(huán)形間隙中，灌注時，灌注針頭 通過N2加壓進(jìn)行灌注，N2壓力控制在0.5-2. Okgf/cm2，灌注時間為5-10S;芯片的外圍被灌注 芯片護(hù)封用膠后，再通過超聲波振動，使灌注均勻，無氣孔產(chǎn)生。
[0018] 進(jìn)一步地，在所述劃片工序后，焊接工序前，對芯片進(jìn)行酸洗工序。
[0019] 進(jìn)一步地，在所述焊接工序后，芯片上膠工序前，對芯片進(jìn)行堿洗工序。
[0020] 進(jìn)一步地，在護(hù)封固化后，向塑封外殼中灌入環(huán)氧樹脂填料，使填料與塑封外殼形 成一個包裹芯片及引線的塑封結(jié)構(gòu)。
[0021] 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于： (1) 本發(fā)明貼片二極管的上膠工藝，針對貼片二極管的構(gòu)造形式無法采用0/J類芯片制 程中的滾膠工藝進(jìn)行上膠，進(jìn)而將貼片二極管設(shè)計(jì)成獨(dú)特的構(gòu)造形式，即貼片二極管的下 引線的芯片連接端設(shè)置一可容納芯片的凹坑，將芯片置于凹坑內(nèi)，然后將芯片與上、下引線 焊接固定，使凹坑的內(nèi)側(cè)壁與芯片側(cè)壁之間形成一個環(huán)繞在芯片外側(cè)的環(huán)形間隙；或?qū)⒑?接后芯片及引線置于一上端開口的塑封殼體中，使殼體的內(nèi)側(cè)壁與芯片側(cè)壁之間形成一個 在芯片外側(cè)的環(huán)形間隙；或預(yù)制一塑封外殼，該塑封外殼底部中心具有一個高度低于塑封 外殼的芯片內(nèi)殼，且芯片內(nèi)殼上端開口，將焊接后的芯片及引線置于芯片內(nèi)殼中，使芯片內(nèi) 殼的內(nèi)側(cè)壁與芯片側(cè)壁之間形成一個在芯片外側(cè)的環(huán)形間隙；然后在環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片 護(hù)封用膠，這樣，二極管芯片上膠工藝，采用灌膠形式集聚在凹坑或殼體內(nèi)，同時，又不會增 加二極管芯片與引線裝配后的厚度，使得二極管芯片與引線之間的牢固性得到有效提高， 同時，還減少了芯片護(hù)封用膠的用量，進(jìn)而能夠降低生產(chǎn)成本； (2) 本發(fā)明的貼片二極管的上膠工藝，其中，劃片后對芯片進(jìn)行酸洗，可化學(xué)腐蝕去除 掉芯片的切割損傷層;芯片酸腐蝕后，再進(jìn)行兩引線與芯片的焊接，從而避免了酸洗液對引 線框架的影響，保證了二極管的性能;焊接后再增添堿洗工序，能夠去除焊接中的二氧化硅 氧化層，同時粗化芯片表面，加強(qiáng)芯片與芯片護(hù)封用膠的緊密性，且堿液不會與引線框架反 應(yīng)，但能避免金屬與酸反應(yīng)生成的金屬離子以化學(xué)鍵的方式附著在芯片表面，省去大量清 洗的過程，既節(jié)約了資源，也保證了貼片二極管的性能。
【附圖說明】
[0022]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0023]圖1是傳統(tǒng)0/J類芯片二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖2是GPP芯片二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025] 圖3是傳統(tǒng)0/J類芯片二極管的整體制程的工藝流程圖。
[0026] 圖4是貼片式封裝的GPP芯片二極管的整體制程的工藝流程圖。
[0027] 圖5是0/J類芯片制程中的滾膠工藝的示意圖。
[0028] 圖6是本發(fā)明實(shí)施例1中貼片二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029] 圖7是本發(fā)明實(shí)施例2中貼片二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030] 圖8是本發(fā)明實(shí)施例3中貼片二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031] 下面的實(shí)施例可以使本專業(yè)的技術(shù)人員更全面地理解本發(fā)明，但并不因此將本發(fā) 明限制在所述的實(shí)施例范圍之中。
[0032] 實(shí)施例1 本實(shí)施例的貼片二極管，如圖6所示，其包括芯片15,芯片的兩端分別通過焊料16焊接 上引線13和下引線14,且下引線的芯片連接端設(shè)置一可容納芯片的凹坑19,使得凹坑19的 內(nèi)側(cè)壁與芯片15側(cè)壁之間形成一個環(huán)繞在芯片15外圍的環(huán)形間隙，在環(huán)形間隙內(nèi)灌有芯片 護(hù)封用膠17;通過塑封在引線外形成一包裹芯片15及引線的塑封體18。
[0033]本實(shí)施例上述結(jié)構(gòu)的貼片二極管的上膠工藝步驟具體如下： (1) 合金:取焊片和擴(kuò)散片，按焊片-擴(kuò)散片-焊片的順序，依次堆疊好，然后將堆疊好 的焊片、擴(kuò)散片置于高頻合金爐內(nèi)進(jìn)行合金加熱，使擴(kuò)散片與焊片相互結(jié)合后形成良好的 合金； (2) 劃片：將步驟（1)中形成的合金放入自動劃片機(jī)內(nèi)，并且按照二極管芯片圖形的尺 寸要求對合金進(jìn)行切割，形成單個芯片15; (3) 酸洗:將步驟(2)中的單個芯片15,放置在酸溶液內(nèi)進(jìn)行酸洗，去除劃片過程中對芯 片造成的損傷，且該酸洗過程分為三個階段，第一階段采用質(zhì)量比為2:7:5的HN03、HF、H 3P〇4 的混合酸，酸洗150-300S，酸溫控制在5-15°C;第二階段采用質(zhì)量濃度為10-20%的HNO 3溶 液，酸洗20-60S，酸溫控制在5-35°C ;第三階段采用質(zhì)量濃度為2-8%的HF溶液，酸洗20-60S， 酸溫控制在5-35 °C ; (4) 焊接:將酸洗后的芯片15,置于下引線14的凹坑19內(nèi)，然后將芯片15與上、下引線通 過焊料16焊接固定，使凹坑19的內(nèi)側(cè)壁與芯片15側(cè)壁之間形成一個環(huán)繞在芯片15外圍的環(huán) 形間隙； (5) 堿洗:將焊接固定的芯片15和引線取出，放置于堿溶液內(nèi)進(jìn)行堿洗，去除焊接中的 二氧化硅氧化層，同時粗化芯片表面，加強(qiáng)芯片與芯片護(hù)封用膠的緊密性，該堿洗采用質(zhì)量 濃度為2-15%的KOH溶液，堿洗60-180S，堿液溫度控制在60-100 °C ; (6) 灌膠:在環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封用膠17,使芯片護(hù)封用膠17環(huán)繞在芯片15外側(cè)壁 表面，該灌膠中芯片護(hù)封用膠使用常溫固化膠，并通過直徑為0.5mm的灌注針頭將芯片護(hù)封 用膠灌注至所述的芯片環(huán)形間隙中，灌注時，灌注針頭通過犯加壓進(jìn)行灌注，N 2壓力控制在 0.5-2. Okgf/cm2，灌注時間為5-10S;芯片的外圍被灌注芯片護(hù)封用膠后，再通過超聲波振 動，使灌注均勻，無氣孔產(chǎn)生； (7) 膠固化:將灌膠后的芯片15和引線進(jìn)行護(hù)封膠固化，固化溫度為5-35Γ，固化5-30min； (8) 塑封:膠固化后，對芯片15和引線進(jìn)行塑封，在引線外形成一包裹芯片15及引線的 塑封結(jié)構(gòu)18。
[0034] 實(shí)施例2 本實(shí)施例與實(shí)施例1相比，為了更好地在芯片外形成一個環(huán)繞在芯片外圍的環(huán)形間隙， 通過改變實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)，將焊接后的引線和芯片置于一上端開口的塑封殼體中，具體結(jié) 構(gòu)，如圖7所示，其包括芯片15,芯片的兩端分別通過焊料16焊接上引線13和下引線14,將焊 接后的芯片15及引線置于一上端開口的塑封殼體20中，使塑封殼體20的內(nèi)側(cè)壁與芯片15側(cè) 壁之間形成一個在芯片15外圍的環(huán)形間隙，且環(huán)形間隙內(nèi)灌有芯片護(hù)封用膠17;且通過塑 封在塑封殼體20外形成一包裹芯片15及塑封殼體20的塑封結(jié)構(gòu)18。
[0035]本實(shí)施例上述結(jié)構(gòu)的貼片二極管的上膠工藝步驟具體如下： (1)合金:取焊片和擴(kuò)散片，按焊片-擴(kuò)散片-焊片的順序，依次堆疊好，然后將堆疊好 的焊片、擴(kuò)散片置于高頻合金爐內(nèi)進(jìn)行合金加熱，使擴(kuò)散片與焊片相互結(jié)合后形成良好的 合金； (2) 劃片：將步驟（1)中形成的合金放入自動劃片機(jī)內(nèi)，并且按照二極管芯片圖形的尺 寸要求對合金進(jìn)行切割，形成單個芯片15; (3) 酸洗:將步驟(2)中的單個芯片15,放置在酸溶液內(nèi)進(jìn)行酸洗，去除劃片過程中對芯 片造成的損傷，且該酸洗過程分為三個階段，第一階段采用質(zhì)量比為2:7:5的HN03、HF、H 3P〇4 的混合酸，酸洗150-300S，酸溫控制在5-15°C;第二階段采用質(zhì)量濃度為10-20%的HNO 3溶 液，酸洗20-60S，酸溫控制在5-35°C ;第三階段采用質(zhì)量濃度為2-8%的HF溶液，酸洗20-60S， 酸溫控制在5-35 °C ; (4) 焊接:將酸洗后的芯片15的P、N端分別與兩引線焊接固定； (5) 堿洗:將焊接固定的芯片15和引線取出，放置于堿溶液內(nèi)進(jìn)行堿洗，去除焊接中的 二氧化硅氧化層，同時粗化芯片表面，加強(qiáng)芯片與芯片護(hù)封用膠的緊密性，該堿洗采用質(zhì)量 濃度為2-15%的KOH溶液，堿洗60-180S，堿液溫度控制在60-100 °C ; (6) 灌膠:將堿洗后的芯片15及引線置于一上端開口的塑封殼體20中，使塑封殼體20的 內(nèi)側(cè)壁與芯片15側(cè)壁之間形成一個在芯片15外圍的環(huán)形間隙；在環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封 用膠17,使芯片護(hù)封用膠17環(huán)繞在芯片15外側(cè)壁表面，該灌膠中芯片護(hù)封用膠使用常溫固 化膠，并通過直徑為0.5mm的灌注針頭將芯片護(hù)封用膠灌注至所述的芯片環(huán)形間隙中，灌注 時，灌注針頭通過N 2加壓進(jìn)行灌注，N2壓力控制在0.5-2. Okgf/cm2，灌注時間為5-10S;芯片 的外圍被灌注芯片護(hù)封用膠后，再通過超聲波振動，使灌注均勻，無氣孔產(chǎn)生； (7) 膠固化:將灌膠后的芯片15、引線和塑封殼體20進(jìn)行護(hù)封膠固化，固化溫度為5-35 °C，固化5_30min; (8) 塑封:膠固化后，通過塑封工序在塑封殼體20外形成一包裹芯片15及塑封殼體20的 塑封結(jié)構(gòu)18。
[0036] 實(shí)施例3 本實(shí)施例與實(shí)施例1相比，為了更好地在芯片外形成一個環(huán)繞在芯片外圍的環(huán)形間隙， 通過改變實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)，預(yù)制一個帶有芯片內(nèi)殼的塑封外殼，將焊接后的引線和芯片置于 芯片內(nèi)殼中，具體結(jié)構(gòu)，如圖8所示，其包括芯片15,芯片的兩端分別通過焊料16焊接上引線 13和下引線14,將焊接后的芯片15及引線置于芯片內(nèi)殼22中，使芯片內(nèi)殼22的內(nèi)側(cè)壁與芯 片15側(cè)壁之間形成一個在芯片15外圍的環(huán)形間隙，該芯片內(nèi)殼22設(shè)置在一個高度高于芯片 內(nèi)殼的塑封外殼21底部中心;且環(huán)形間隙內(nèi)灌有芯片護(hù)封用膠17;并通過塑封外殼21中灌 入環(huán)氧樹脂填料，使填料與塑封外殼21形成一包裹芯片15的塑封結(jié)構(gòu)18。
[0037] 本實(shí)施例上述結(jié)構(gòu)的貼片二極管的上膠工藝步驟具體如下： (1) 合金:取焊片和擴(kuò)散片，按焊片-擴(kuò)散片-焊片的順序，依次堆疊好，然后將堆疊好 的焊片、擴(kuò)散片置于高頻合金爐內(nèi)進(jìn)行合金加熱，使擴(kuò)散片與焊片相互結(jié)合后形成良好的 合金； (2) 劃片：將步驟（1)中形成的合金放入自動劃片機(jī)內(nèi)，并且按照二極管芯片圖形的尺 寸要求對合金進(jìn)行切割，形成單個芯片15; (3) 酸洗:將步驟(2)中的單個芯片15,放置在酸溶液內(nèi)進(jìn)行酸洗，去除劃片過程中對芯 片造成的損傷，且該酸洗過程分為三個階段，第一階段采用質(zhì)量比為2:7:5的HN03、HF、H 3P〇4 的混合酸，酸洗150-300S，酸溫控制在5-15°C;第二階段采用質(zhì)量濃度為10-20%的HNO 3溶 液，酸洗20-60S，酸溫控制在5-35°C ;第三階段采用質(zhì)量濃度為2-8%的HF溶液，酸洗20-60S， 酸溫控制在5-35 °C ; (4) 焊接:將酸洗后的芯片15的P、N端分別與兩引線焊接固定； (5) 堿洗:將焊接固定的芯片15和引線取出，放置于堿溶液內(nèi)進(jìn)行堿洗，去除焊接中的 二氧化硅氧化層，同時粗化芯片表面，加強(qiáng)芯片與芯片護(hù)封用膠的緊密性，該堿洗采用質(zhì)量 濃度為2-15%的KOH溶液，堿洗60-180S，堿液溫度控制在60-1OO °C ; (6) 預(yù)制塑封外殼:預(yù)制一塑封外殼21，該塑封外殼21底部中心具有一個高度低于塑封 外殼21的芯片內(nèi)殼22,且芯片內(nèi)殼22上端開口； (7) 灌膠:將堿洗后的芯片15及引線置于步驟(6)中的芯片內(nèi)殼22中，使芯片內(nèi)22的內(nèi) 側(cè)壁與芯片15側(cè)壁之間形成一個在芯片15外圍的環(huán)形間隙；在環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封用 膠17,使芯片護(hù)封用膠17環(huán)繞在芯片15外側(cè)壁表面，該灌膠中芯片護(hù)封用膠使用常溫固化 膠，并通過直徑為0.5mm的灌注針頭將芯片護(hù)封用膠灌注至所述的芯片環(huán)形間隙中，灌注 時，灌注針頭通過N 2加壓進(jìn)行灌注，N2壓力控制在0.5-2. Okgf/cm2，灌注時間為5-10S;芯片 的外圍被灌注芯片護(hù)封用膠后，再通過超聲波振動，使灌注均勻，無氣孔產(chǎn)生； (8) 膠固化:將灌膠后的芯片15、引線和塑封外殼21進(jìn)行護(hù)封膠固化，固化溫度為5-35 °C，固化5_30min; (9) 塑封:膠固化后，向塑封外殼21中灌入環(huán)氧樹脂填料，使填料與塑封外殼21形成一 包裹芯片15及引線的塑封結(jié)構(gòu)18。
[0038]表1是本發(fā)明所用各芯片護(hù)封膠的對比表。
[0039]表2是傳統(tǒng)0/J類芯片二極管上膠工藝與實(shí)施例1~3貼片二極管上膠工藝的對比 表。
[0040]表1本發(fā)明所用各芯片護(hù)封膠的對比
結(jié)論:通過試驗(yàn)測試，采用常溫固化膠與硅膠、環(huán)氧樹脂膠相比，固化時間及固化溫度 大大降低，且固化成本相對較低，因而為降低生產(chǎn)成本，實(shí)施例中所用常溫固化膠。 「00411 串9佑絡(luò)n/TiliA片一秘替h防丁艾isSt偷仿Ih~訓(xùn)?片一秘替h防丁艾的對屮
結(jié)論:本發(fā)明貼片二極管上膠工藝與傳統(tǒng)0/J二極管上膠工藝相比，上膠速度快，但固 化時間短、成本低;且膠利用率可達(dá)100%;因而，使用本發(fā)明工藝生產(chǎn)的產(chǎn)品節(jié)約能源，成本 較低。
[0042]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征以及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技 術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明 本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些 變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及 其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種貼片二極管的上膠工藝，依次包括劃片、焊接、芯片上膠和固化工序；其特征在 于:在貼片二極管下引線的芯片連接端設(shè)置一可容納芯片的凹坑，將芯片置于凹坑內(nèi)，然后 將芯片與上、下引線焊接固定，使凹坑的內(nèi)側(cè)壁與芯片側(cè)壁之間形成一個環(huán)繞在芯片外圍 的環(huán)形間隙；在芯片上膠工序中，向環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封用膠，使芯片護(hù)封用膠環(huán)繞在 芯片外側(cè)壁表面，再對護(hù)封膠進(jìn)行固化，且灌膠中芯片護(hù)封膠使用常溫固化膠或高溫固化 膠，并通過灌注針頭將芯片護(hù)封用膠灌注至所述的芯片環(huán)形間隙中，灌注時，灌注針頭通過 N2加壓進(jìn)行灌注，N2壓力控制在1.0-2. Okgf/cm2，灌注時間為5-10S;芯片的外圍被灌注芯片 護(hù)封用膠后，再通過超聲波振動，使灌注均勻，無氣孔產(chǎn)生。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片二極管的上膠工藝，其特征在于:在所述劃片工序后，焊 接工序前，對芯片進(jìn)行酸洗工序。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片二極管的上膠工藝，其特征在于:在所述焊接工序后，芯 片上膠工序前，對芯片進(jìn)行堿洗工序。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片二極管的上膠工藝，其特征在于:在護(hù)封固化后，進(jìn)行模 壓塑封，在引線外形成一包裹芯片及引線的塑封結(jié)構(gòu)。5. -種貼片二極管的上膠工藝，依次包括劃片、焊接、芯片上膠和固化工序；其特征在 于:在所述焊接工序中，將兩引線分別與芯片的P、N端焊接固定;焊接后，將芯片及引線置于 一上端開口的塑封殼體中，使塑封殼體的內(nèi)側(cè)壁與芯片側(cè)壁之間形成一個在芯片外圍的環(huán) 形間隙；在所述芯片上膠工序中，向環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封用膠，使芯片護(hù)封用膠環(huán)繞在 芯片外側(cè)壁表面，再對護(hù)封膠進(jìn)行固化，且灌膠中芯片護(hù)封膠使用常溫固化膠或高溫固化 膠，并通過灌注針頭將芯片護(hù)封用膠灌注至所述的芯片環(huán)形間隙中，灌注時，灌注針頭通過 N2加壓進(jìn)行灌注，N2壓力控制在1.0-2. Okgf/cm2，灌注時間為5-10S;芯片的外圍被灌注芯片 護(hù)封用膠后，再通過超聲波振動，使灌注均勻，無氣孔產(chǎn)生。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的貼片二極管的上膠工藝，其特征在于:在所述劃片工序后，焊 接工序前，對芯片進(jìn)行酸洗工序。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的貼片二極管的上膠工藝，其特征在于:在所述焊接工序后，芯 片上膠工序前，對芯片進(jìn)行堿洗工序。8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的貼片二極管的上膠工藝，其特征在于:在護(hù)封固化后，進(jìn)行塑 封，通過模壓工序在塑封殼體外形成一包裹芯片及塑封殼體的塑封結(jié)構(gòu)。9. 一種貼片二極管的上膠工藝，依次包括劃片、焊接、芯片上膠和固化工序；其特征在 于:預(yù)制一塑封外殼，該塑封外殼底部中心具有一個高度低于塑封外殼的芯片內(nèi)殼，且芯片 內(nèi)殼上端開口；在所述焊接工序中，將兩引線分別與芯片的P、N端焊接固定;焊接后，將芯片 及引線置于芯片內(nèi)殼中，使芯片內(nèi)殼的內(nèi)側(cè)壁與芯片側(cè)壁之間形成一個在芯片外圍側(cè)的環(huán) 形間隙；在所述芯片上膠工序中，向環(huán)形間隙內(nèi)灌入芯片護(hù)封用膠，使芯片護(hù)封用膠環(huán)繞在 芯片外側(cè)壁表面，再對護(hù)封膠進(jìn)行固化，且灌膠中芯片護(hù)封膠使用常溫固化膠或高溫固化 膠，并通過灌注針頭將芯片護(hù)封用膠灌注至所述的芯片環(huán)形間隙中，灌注時，灌注針頭通過 N2加壓進(jìn)行灌注，N2壓力控制在1.0-2. Okgf/cm2，灌注時間為5-10S;芯片的外圍被灌注芯片 護(hù)封用膠后，再通過超聲波振動，使灌注均勻，無氣孔產(chǎn)生。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的貼片二極管的上膠工藝，其特征在于:在所述劃片工序后，焊 接工序前，對芯片進(jìn)行酸洗工序。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的貼片二極管的上膠工藝，其特征在于:在所述焊接工序后，芯 片上膠工序前，對芯片進(jìn)行堿洗工序。12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的貼片二極管的上膠工藝，其特征在于:在護(hù)封固化后，向塑封 外殼中灌入環(huán)氧樹脂填料，使填料與塑封外殼形成一個包裹芯片及引線的塑封結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L21/56GK105914132SQ201610296540
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年5月6日
【發(fā)明人】王志敏
【申請人】王志敏