一種串聯(lián)的半導體激光器組的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種串聯(lián)的半導體激光器組，包括多個半導體激光器；每個半導體激光器包括半導體安裝座和半導體安裝座上呈品字形的排布有上電極、左電極、右電極；上電極上固定有半導體芯片；左電極之上設置有第一固定引腳；右電極之上設置有第二固定引腳；上電極和左電極之間通過第一引線帶連接；上電極和右電極之間過第二引線帶連接；匯流條或者引線固定于第一固定引腳和第二固定引腳之上；多個半導體激光器之間通過匯流條相連接；在末端的半導體激光器的固定引腳之上連接有接觸電極，接觸電極之上連接有導線。本發(fā)明將多個半導體激光器排布為一排串聯(lián)使用，并不影響每個半導體激光器的工作。
【專利說明】
一種串聯(lián)的半導體激光器組
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及有源發(fā)光器件，具體涉及一種串聯(lián)的半導體激光器組。
【背景技術】
[0002]半導體激光器中設置有半導體激光芯片，半導體激光芯片的工作原理是通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶之間，或者半導體物質的能帶與雜質能級之間，實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉，當處于粒子數(shù)反轉狀態(tài)的大量電子與空穴復合時，便產生受激發(fā)射作用。
[0003]半導體激光器工作時，會產生大量熱量，尤其是高功率的半導體激光器，為了使之散熱良好，有的工藝會增加半導體激光器的外表面積，即增大了散熱面，但是這種方案又使之體積過大，在多個半導體激光器共同工作時，以上兩個問題就顯得更加關鍵。

【發(fā)明內容】

[0004]針對現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明公開了一種串聯(lián)的半導體激光器組。
[0005]本發(fā)明的技術方案如下:
[0006]—種串聯(lián)的半導體激光器組，包括多個半導體激光器;每個半導體激光器包括包括半導體安裝座和半導體安裝座上呈品字形的排布有上電極、左電極、右電極;上電極上固定有半導體芯片；左電極之上設置有第一固定引腳;右電極之上設置有第二固定引腳;上電極和左電極之間通過第一引線帶連接;上電極和右電極之間過第二引線帶連接;匯流條或者引線固定于第一固定引腳和第二固定引腳之上;多個半導體激光器之間通過匯流條相連接;在末端的半導體激光器的固定引腳之上連接有接觸電極，接觸電極之上連接有導線。
[0007]其進一步的技術方案為，所述半導體安裝座由厚度為400μπι的ALN絕緣材料制成。
[0008]其進一步的技術方案為，所述上電極、左電極、右電極由銅制成。
[0009]本發(fā)明的有益技術效果是:
[0010]本發(fā)明將半導體激光芯片單獨固定于一個電極之上，激光發(fā)射時并無其他配件阻擋，所以可以在半導體激光器的左右兩端盡量減小體積，也不會影響半導體激光芯片的散熱，同時本發(fā)明將多個半導體激光器排布為一排串聯(lián)使用，并不影響每個半導體激光器的工作。
【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明的示意圖。
【具體實施方式】
[0012]圖1是本發(fā)明的示意圖。如圖1所示，本發(fā)明包括多個半導體激光器。半導體安裝座I由厚度為400μπι的ALN絕緣材料制成。半導體安裝座I上呈品字形的排布有上電極2、左電極
6、右電極7，上電極2、左電極6、右電極7由銅制成。上電極2上固定有半導體芯片3;左電極6之上設置有第一固定引腳8;右電極7之上設置有第二固定引腳9。電極的此種排布方式，使得半導體芯片3單獨固定，左右沒有影響半導體芯片發(fā)光的其他部件，則第一，半導體芯片的寬度可以盡量減小，最小的時候，可以僅與半導體芯片的長度相等，第二，半導體芯片向前方發(fā)光，則左右兩邊適宜串聯(lián)多個半導體發(fā)光器共同工作而不互相影響。上電極2和左電極6之間通過第一引線帶4連接;上電極2和右電極7之間過第二引線帶5連接;匯流條或者引線固定于第一固定引腳8和第二固定引腳9之上。
[0013]多個半導體激光器之間通過匯流條相連接;在末端的半導體激光器的固定引腳之上連接有接觸電極，接觸電極之上連接有導線
[0014]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，本發(fā)明不限于以上實施例?？梢岳斫猓绢I域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和構思的前提下直接導出或聯(lián)想到的其他改進和變化，均應認為包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種串聯(lián)的半導體激光器組，其特征在于:包括多個半導體激光器;每個半導體激光器包括包括半導體安裝座(I)和半導體安裝座(I)上呈品字形的排布有上電極(2)、左電極(6)、右電極(7);上電極(2)上固定有半導體芯片(3);左電極(6)之上設置有第一固定引腳(8);右電極(7)之上設置有第二固定引腳(9);上電極(2)和左電極(6)之間通過第一引線帶(4)連接;上電極(2)和右電極(7)之間過第二引線帶(5)連接;匯流條或者引線固定于第一固定引腳(8)和第二固定引腳(9)之上；多個半導體激光器之間通過匯流條(10)相連接;在末端的半導體激光器的固定引腳(8、9)之上連接有接觸電極(11)，接觸電極(11)之上連接有導線(12)。2.如權利要求1所述的小體積的半導體激光器，其特征在于，所述半導體安裝座(I)由厚度為400μπι的ALN絕緣材料制成。3.如權利要求1所述的小體積的半導體激光器，其特征在于，所述上電極(2)、左電極(6)、右電極(7)由銅制成。
【文檔編號】H01S5/40GK105914583SQ201610481508
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年6月28日
【發(fā)明人】呂耀安
【申請人】無錫宏納科技有限公司