薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法以及薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法
【專利摘要】一種薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，包含層積體制造工序，該層積體制造工序是在真空室內(nèi)，通過在轉(zhuǎn)鼓上交替地重復(fù)進行對單體進行蒸鍍形成單體層后向該單體層照射電子束使得所述單體層硬化從而形成樹脂薄膜層的樹脂薄膜層形成工序、以及對金屬材料進行蒸鍍從而形成金屬薄膜層的金屬薄膜層形成工序，從而在轉(zhuǎn)鼓上制造由樹脂薄膜層與金屬薄膜層交替層積而成的層積體。在樹脂薄膜層形成工序中，使用具有以如下化學(xué)式(1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物作為單體從而形成單體層?！臼?】而在化學(xué)式(1)中，符號A表示含有脂環(huán)烴的有機基團。根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)⑺玫降臉渲∧拥挠不瘸浞值靥岣?，因此，能夠制造具有所需性能的薄膜高分子層積薄膜電容器。
【專利說明】
薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法以及薄膜高分子層積 薄膜電容器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種薄膜高分子層積薄膜(Fi Im)電容器(Condenser)的制造方法及一 種薄膜高分子層積薄膜電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]圖2是薄膜高分子層積薄膜電容器1的斜視圖。在圖2中，符號2表示由薄膜高分子 構(gòu)成的樹脂薄膜層與由金屬蒸鍍膜構(gòu)成的金屬薄膜層交替層積而成的層積體，符號3,4表 示外部電極。
[0003]薄膜高分子層積薄膜電容器1具有：由通過在對單體(Monomer)進行蒸鍍形成單體 層之后向該單體層照射電子束使得單體層硬化從而形成的樹脂薄膜層，和將金屬材料進行 蒸鍍從而形成的金屬薄膜層交替層積而成的層積體2(參照圖2)。
[0004] 相比于通過將由金屬薄膜層形成在樹脂薄膜上的長條薄膜卷繞成圓筒狀所制造 的一般的薄膜電容器，薄膜高分子層積薄膜電容器1具有更容易小型化的特點。另外，薄膜 高分子層積薄膜電容器1與層積陶瓷(Ceramic)電容器相比更加輕量，且沒有層積陶瓷電容 器那樣的壓電特性。并且，還具有如下的特征：因為開路(Open)失效模式(Mode)而引起的冒 煙、點火這樣的風(fēng)險(risk)低，且溫度特性穩(wěn)定。因此，近年來，薄膜高分子層積薄膜電容器 1在各種領(lǐng)域中被廣泛使用。
[0005] 通過層積薄膜電容器的制造方法，能夠制造薄膜高分子層積薄膜電容器1，該制造 方法包含層積體制造工序，該層積體制造工序是在真空室(Chamber)內(nèi)，通過在轉(zhuǎn)鼓(Drum) 上交替地重復(fù)進行對單體進行蒸鍍形成單體層后向該單體層照射電子束使得單體層硬化 從而形成樹脂薄膜層的樹脂薄膜層形成工序、以及將金屬材料進行蒸鍍從而形成金屬薄膜 層的金屬薄膜層形成工序，從而在轉(zhuǎn)鼓上制造由樹脂薄膜層與金屬薄膜層交替層積而成的 層積體(例如，參照專利文獻一及二）。
[0006] 在專利文獻一及二中，公開了使用雙環(huán)戊二烯甲醇二丙烯酸酯 (Dicyclopentadiene methanol diacrylate)或三環(huán)癸酯二甲醇二丙稀酸酯 (Tricyclodecane dimethanol diacrylate)等各種丙稀酸酯(Aerylate)化合物作為單體 的方法。另外，還公開了使用甲基丙稀酸酯(Me t ha cr y I a t e)化合物作為單體的方法。
[0007] 然而，由于這些單體中的甲基丙烯酸酯化合物的硬化性很差，導(dǎo)致很難將甲基丙 烯酸酯化合物用作為薄膜高分子層積薄膜電容器的電介質(zhì)材料，因此現(xiàn)在一般是丙烯酸酯 化合物被用作為薄膜高分子層積薄膜電容器的電介質(zhì)材料。
[0008] 先行技術(shù)文獻
[0009] 專利文獻
[0010]【專利文獻一】日本特開2002-198257號公報 [0011]【專利文獻二】日本特開平6-29147號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 在電容器的技術(shù)領(lǐng)域中，一直在尋求與以往相比在高溫?高濕度環(huán)境下壽命更長 的電容器，以及能夠制造這樣的電容器的制造方法，而在薄膜高分子層積薄膜電容器的領(lǐng) 域里也不例外。然而，在采用丙烯酸酯化合物作為薄膜高分子層積薄膜電容器的電介質(zhì)材 料的情況下，由于樹脂薄膜層的吸濕性高，因此要實現(xiàn)在高溫?高濕度環(huán)境下壽命長久的 薄膜高分子層積薄膜電容器非常困難。
[0013] 因此，想到不采用丙烯酸酯化合物，而采用能夠制造出與丙烯酸酯化合物的情況 相比吸濕性更低的聚合物(Polymer)的甲基丙烯酸酯化合物來作為單體。是因為通過采用 吸濕性低的聚合物作為薄膜高分子層積薄膜電容器的樹脂薄膜層，被認(rèn)為是能夠延長其在 高溫?高濕度環(huán)境下的壽命。
[0014] 然而，本發(fā)明的發(fā)明人們在重復(fù)各種試驗后發(fā)現(xiàn)，如果采用一般的甲基丙烯酸酯 化合物來作為單體，由于其硬化性較低，無法得到硬化度合適的樹脂薄膜層，因此要制造具 有所需性能的薄膜高分子層積薄膜電容器非常困難。
[0015] 因此，本發(fā)明正是鑒于這樣的情況，目的是提供一種與以往相比在高溫·高濕度 環(huán)境下壽命長久，且具有所需性能的薄膜高分子層積薄膜電容器，以及能夠制造這樣的薄 膜高分子層積薄膜電容器的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法。
[0016] 本發(fā)明的發(fā)明人們在重復(fù)各種試驗后發(fā)現(xiàn)，如果采用不是一般的甲基丙烯酸酯化 合物而是具有由下述化學(xué)式（1)中表示的脂環(huán)經(jīng)結(jié)構(gòu)的二甲基丙稀酸(Dimethacrylate)化 合物而來作為單體，能夠充分提高所得到的樹脂薄膜層的硬化度，且能夠制造具有所需性 能的薄膜高分子層積薄膜電容器以完成本發(fā)明（薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法及 薄膜高分子層積薄膜電容器）。
[0017] 【化合物1】
[0018]
[0019] 而在化學(xué)式(1)中，符號A表示含有脂環(huán)烴的有機基團。
[0020] [1]本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，包含層積體制造工序，該層 積體制造工序是在真空室內(nèi)，通過在轉(zhuǎn)鼓上交替地重復(fù)進行對單體進行蒸鍍形成單體層后 向該單體層照射電子束使得所述單體層硬化從而形成樹脂薄膜層的樹脂薄膜層形成工序、 以及對金屬材料進行蒸鍍從而形成金屬薄膜層的金屬薄膜層形成工序，從而在所述轉(zhuǎn)鼓上 制造由所述樹脂薄膜層與所述金屬薄膜層交替層積而成的層積體，在所述樹脂薄膜層形成 工序中，特征在于采用具有由下述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物作 為單體從而形成單體層。
[0021 ]【化合物2】
[0022]
[0023] 而在化學(xué)式(I)中，符號A表示含有脂環(huán)烴的有機基團。
[0024] [2]在本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法中，在所述樹脂薄膜層形 成工序中，在以所述樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓在lOkV/um~25kV/um的范圍內(nèi)，且 "電子束的電流值(mA)"除以"所述轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度(m) X所述轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度(m/s) X所述 樹脂薄膜層的層厚(um)"所得的值(關(guān)于電子束的電流值條件的值)在100~2500的范圍內(nèi) 為條件對所述單體層照射電子束較為理想。
[0025] [3]在本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法中，在所述樹脂薄膜層形 成工序和所述金屬薄膜層形成工序之間，包含對在所述樹脂薄膜層形成工序中被形成的所 述樹脂薄膜層以在50W~1000W的范圍內(nèi)為條件進行等離子處理的第一等離子處理工序較 為理想。
[0026] [4]在本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法中，在所述金屬薄膜層形 成工序和所述樹脂薄膜層形成工序之間，包含對在所述金屬薄膜層形成工序中被形成的所 述金屬薄膜層以在50W~1000W的范圍內(nèi)為條件進行等離子處理的第二等離子處理工序較 為理想。
[0027] [5]在本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法中，在所述金屬薄膜層形 成工序中，以蒸發(fā)源與所述轉(zhuǎn)鼓的距離在50mm~300mm的范圍內(nèi)為條件對金屬材料進行蒸 鍍從而形成所述金屬薄膜層較為理想。
[0028] [6]在本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法中，在所述層積體制造工 序中，在已冷卻到(TC~20°C的范圍內(nèi)的某個指定溫度的轉(zhuǎn)鼓上交替地重復(fù)進行所述樹脂 薄膜層形成工序和所述金屬薄膜層形成工序較為理想。
[0029] [7]在本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法中，所述二甲基丙烯酸化 合物為在下述化學(xué)式（2)中所表示的三環(huán)癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯（Tricyclodecane Dimethanol Dimethacrylate)車交為理想。
[0030]【化合物3】
[0031]
[0032] [8]本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器具有：由通過蒸鍍法形成單體層后向該 單體層照射電子束使得所述單體層硬化從而被形成的樹脂薄膜層與通過蒸鍍法被形成的 金屬薄膜層交替層積而成的層積體，所述單體的特征在于:是具有由下述化學(xué)式（1)表示的 脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物。
[0033] 【化合物4】
[0034]
[0035] 而在化學(xué)式(1)中，符號A表示含有脂環(huán)烴的有機基團。
[0036] [9]在本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器中，所述二甲基丙烯酸化合物為在下 述化學(xué)式（2)中表示的三環(huán)癸燒二甲醇二甲基丙稀酸酯（Tricyclodecane Dimethanol Dimethacry late)較為理想。
[0037] 【仆合物51
[0038]
[0039]發(fā)明效果
[0040] 根據(jù)本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于采用不是一般的甲基 丙烯酸酯化合物而是具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物而來 作為單體，后述試驗例一也表明，能夠充分提高所得到的樹脂薄膜層的硬化度，便能夠制造 具有所需性能的薄膜高分子層積薄膜電容器。因此，本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器 是具有所需性能的薄膜高分子層積薄膜電容器。
[0041] 另外，采用具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物的理 由如下。即，是因為在采用具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物 的情況下，與采用具有鏈狀烴結(jié)構(gòu)的化合物的情況相比單體的反應(yīng)性更高，便能夠提高所 得到的樹脂薄膜層的硬化度。特別是在脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)為三環(huán)的情況下，該效果非常顯著。另 外，是因為在采用分子內(nèi)具有兩個功能群的二甲基丙烯酸化合物的情況下，與采用分子內(nèi) 只具有一個功能群的甲基丙烯酸酯化合物的情況相比單體的反應(yīng)性更高，便能夠提高所得 到的樹脂薄膜層的硬化度。此外，分子內(nèi)具有三個以上功能群的甲基丙烯酸化合物與分子 內(nèi)具有兩個功能群的二甲基丙烯酸化合物不同，雖然反應(yīng)性高，但是由于粘度過高導(dǎo)致難 以用于薄膜高分子層積薄膜電容器的制造。
[0042] 另外，根據(jù)本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于采用不是一般 的丙烯酸酯化合物而是具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物而 來作為單體，后述試驗例二也表明，能夠制造在高溫·高濕度環(huán)境下壽命長久的薄膜高分 子層積薄膜電容器。因此，本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器是在高溫?高濕度環(huán)境下 壽命長久的薄膜高分子層積薄膜電容器。具體而言，能夠達到"60 °C · 95 % RH"或者是"85 。(：· 85 %RH"的壽命性能保證。
[0043] 另外，根據(jù)本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于采用不是一般 的丙烯酸酯化合物而是具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物而 來作為單體，后述試驗例三也表明，能夠制造吸濕量低的的薄膜高分子層積薄膜電容器， 即，潮敏壽命(Floor Life)性能(吸濕回流焊處理(Reflow)性能)高的薄膜高分子層積薄膜 電容器。因此，本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器是潮敏壽命性能（吸濕回流焊處理性 能)高的薄膜高分子層積薄膜電容器。
[0044] 此外，根據(jù)本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于采用不是一般 的丙烯酸酯化合物而是具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物而 來作為單體，后述試驗例四也表明，能夠制造介質(zhì)損耗角正切值(tanS)小的薄膜高分子層 積薄膜電容器。因此，本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器是介質(zhì)損耗角正切值(tanS)小 的薄膜高分子層積薄膜電容器。
[0045] 簡單【附圖說明】
[0046] 【圖1】顯示用于對實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法進行實 施的制造裝置10的圖。
[0047] 【圖2】是薄膜高分子層積薄膜電容器1的斜視圖。
【具體實施方式】
[0048] 以下，將關(guān)于本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，根據(jù)圖中所示的 實施方式進行說明。
[0049] [實施方式]
[0050] 1.薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法
[0051] 圖1是顯示用于對實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法進行實 施的制造裝置10的圖。
[0052] 制造裝置10包括:真空室12,在真空室12內(nèi)旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)鼓14,沿著轉(zhuǎn)鼓14的旋轉(zhuǎn)方向 Ha被設(shè)置在轉(zhuǎn)鼓14周圍的單體蒸鍍裝置18,電子束照射裝置20,第一等離子處理裝置22， 金屬薄膜層構(gòu)圖（Patterning)裝置24,金屬蒸鍍裝置26,以及第二等離子處理裝置28。另 外，在真空室12中連接有圖中未顯示的真空排氣裝置及凈化(Purge)裝置。
[0053]轉(zhuǎn)鼓14通過圖中未顯示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置朝旋轉(zhuǎn)方向14a被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。轉(zhuǎn)鼓14的轉(zhuǎn) 速可自由設(shè)定，通常為15fpm~70rpm左右。轉(zhuǎn)鼓14的外周面(基板面)被平滑地加工為鏡面 狀較為理想，通過冷卻裝置16被冷卻在0 °C~20 °C的范圍內(nèi)較為理想，被冷卻到5 °C~15 °C 的范圍內(nèi)的指定溫度則更為理想。
[0054]單體蒸鍍裝置18對用于形成樹脂薄膜層的單體進行加熱從而使其蒸發(fā)?氣化，并 使其在轉(zhuǎn)鼓14上蒸鍍?沉積。
[0055]電子束照射裝置20使單體樹脂聚合或交聯(lián)，且將單體層作為樹脂薄膜層。
[0056]第一等離子處理裝置22是用于通過氧等離子體處理使樹脂薄膜層的表面活性化， 從而使樹脂薄膜層與金屬薄膜層的粘著性提高的氧等離子體設(shè)備。在實施方式涉及的薄膜 高分子層積薄膜電容器的制造方法中，通過等離子的熱來促進樹脂薄膜層的聚合反應(yīng)從而 起到充分提高樹脂薄膜層硬化度的作用。另外，第一等離子處理裝置22不只被限定為氧等 離子體設(shè)備，亦可為氮等離子體處理裝置，氬(Argon)等離子體處理裝置或其他等離子處理 裝置。
[0057]金屬薄膜層構(gòu)圖裝置24將使構(gòu)圖材料例如石油(Oil)蒸發(fā)·氣化后的產(chǎn)物從噴嘴 (Nozzle)中噴射出來并使其在樹脂薄膜層表面沉積為帶狀。
[0058]金屬蒸鍍裝置26通過電子束(Beam)加熱蒸鍍法使金屬材料在轉(zhuǎn)鼓14的表面進行 蒸鍍從而形成金屬薄膜層。具體而言，電子束從電子槍中被照射到被收容在坩堝(金屬蒸鍍 源）中的金屬材料中，坩堝內(nèi)的金屬材料通過電子束的能量蒸發(fā)?氣化從而在轉(zhuǎn)鼓14上沉 積。另外，金屬蒸鍍裝置26不只被限定為通過電子束加熱蒸鍍法的裝置，亦可是通過電阻加 熱蒸鍍法等的其他真空蒸鍍法或者派射(Spattering)法等。
[0059]第二等離子處理裝置28是用于在將由金屬薄膜層構(gòu)圖裝置24所沉積的構(gòu)圖材料 去除的同時，通過氧等離子體處理使金屬薄膜層的表面活性化，從而使金屬薄膜層與樹脂 薄膜層的粘著性提高的氧等離子體處理設(shè)備。在實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容 器的制造方法中，通過等離子的熱來促進樹脂薄膜層的聚合反應(yīng)從而還起到充分提高樹脂 薄膜層硬化度的作用。另外，第二等離子處理裝置28不只被限定為氧等離子體設(shè)備，亦可為 氮等離子體處理裝置，氬(Argon)等離子體處理裝置或其他等離子體裝置。
[0060] 控制裝置對單體蒸鍍裝置18,電子束照射裝置20,第一等離子處理裝置22,金屬薄 膜層構(gòu)圖裝置24,金屬蒸鍍裝置26及第二等離子處理裝置28,以及圖中未顯示的真空排氣 裝置及凈化裝置的操作進行控制。
[0061] 2.實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法
[0062] 將對實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法進行說明。
[0063] 首先，通過單體蒸鍍裝置18在轉(zhuǎn)鼓14的外周形成單體層，且通過電子束照射裝置 20使該單體層硬化從而將其作為樹脂薄膜層(樹脂薄膜層形成工序）。接著，由第一等離子 處理裝置22通過氧等離子體處理使樹脂薄膜層的表面活性化(第一等離子處理工序）。接 著，通過金屬薄膜層構(gòu)圖裝置24使構(gòu)圖材料在樹脂薄膜層上沉積為帶狀。接著，通過金屬蒸 鍍裝置26在樹脂薄膜層上形成金屬薄膜層(金屬薄膜層形成工序）。此時，在構(gòu)圖材料被沉 積處不形成金屬薄膜層，此處成為層積體的電絕緣部分。樹脂薄膜層的層厚例如是l〇〇nm~ 1500nm，金屬薄膜層的厚度例如是IOnm~40nm。
[0064] 接著，由第二等離子處理裝置28通過氧等離子體處理使金屬薄膜層的表面活性化 (第二等離子處理工序）。通過這樣，便能夠通過金屬薄膜層構(gòu)圖裝置24將被沉積的構(gòu)圖材 料去除。另外，在通過單體蒸鍍裝置18再次形成單體層時，構(gòu)成金屬薄膜層的金屬與構(gòu)成樹 脂薄膜層的單體中所含有的碳化學(xué)鍵合，于是，金屬薄膜層與樹脂薄膜層的粘著性提高。
[0065] 在樹脂薄膜層形成工序中，使用具有由化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙 烯酸化合物作為單體從而形成單體層。具體而言，將具有由化學(xué)式(1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的 二甲基丙烯酸化合物加熱從而使其蒸發(fā)?氣化，且使該被蒸發(fā)?氣化后的二甲基丙烯酸化 合物在被冷卻的轉(zhuǎn)鼓14上沉積從而形成單體層。
[0066]在樹脂薄膜層形成工序中，在以樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓在lOkV/um~ 25kV/um的范圍內(nèi)，且"電子束的電流值(mA)"除以"轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度(m) X轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度 (m/s) X樹脂薄膜層的層厚(um)"所得的值(關(guān)于電子束的電流值條件的值)在100~2500的 范圍內(nèi)為條件對所述單體層照射電子束。
[0067]這里，將樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓設(shè)定在IOkVAim~25kV Aim的范圍內(nèi) 的理由如下。即，是因為在將樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓設(shè)定為低于10kV/um的情 況下，存在使單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng))充分地進行，而難以使所得到的樹脂薄膜層的硬 化度充分提高的情況。另外，是因為一旦將樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓設(shè)定為高于 25kV/um，存在會產(chǎn)生對下層的層積體造成損害從而使電容器性能劣化的不良情況的可能 性。另外，由于一般在薄膜高分子層積薄膜電容器的制造中采用丙烯酸酯化合物的情況下， 樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓為5kV Aim~15kV Aim左右為適合的條件，因此本發(fā)明的 加速電壓條件是其的1.5倍~3倍左右。
[0068]另外，將"電子束的電流值(mA)"除以"轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度(m) X轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度(m/ s) X樹脂薄膜層的層厚(um)"所得的值設(shè)定在100~2500的范圍內(nèi)的理由如下。即，是因為 在將該值設(shè)定為小于100的情況下，存在使單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng))充分地進行，而難以 使所得到的樹脂薄膜層的硬化度充分提高的情況。另外，是因為在將該值設(shè)定為大于2500 的情況下，由于所得到的樹脂薄膜層的硬化度過高導(dǎo)致層積體自身變得硬而脆，在之后的 工序中在將層積體從轉(zhuǎn)鼓上剝離時或者使其平坦化時便容易產(chǎn)生破裂的不良情況。如此看 來，在樹脂薄膜層形成工序中，以關(guān)于電子束的電流值條件的上述值在300~1000的范圍內(nèi) 為條件對單體層照射電子束更為理想。另外，由于一般在薄膜高分子層積薄膜電容器中采 用丙烯酸酯化合物的情況下，關(guān)于電子束的電流值條件的上述值為50~300左右為適合的 條件，因此本發(fā)明的電子束的電流值條件是其的2倍~8倍左右。
[0069] 在第一等離子處理工序中，將在樹脂薄膜層形成工序中被形成的樹脂薄膜層以在 50W~1000W的范圍內(nèi)為條件進行等離子處理。
[0070] 這里，在第一等離子處理工序中，將樹脂薄膜層以在50W~1000W的范圍內(nèi)為條件 進行等離子處理的理由如下。即，是因為在以小于50W為條件對樹脂薄膜層進行等離子處理 的情況下，由于在對樹脂薄膜層實施等離子處理的過程中不能夠?qū)渲∧映浞值丶?熱，導(dǎo)致存在使單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng))充分地進行，而難以使所得到的樹脂薄膜層的 硬化度充分提高的情況。另外，是因為如果在1000W左右對樹脂薄膜層進行等離子處理，由 于在對樹脂薄膜層實施等離子處理的過程中能充分得到將樹脂薄膜層加熱的效果，因此不 需要對樹脂薄膜層實施高于1000W的條件的等離子處理。
[0071] 在金屬薄膜層形成工序中，通過電子束加熱蒸鍍法，以蒸發(fā)源與轉(zhuǎn)鼓的距離在 50mm~300mm的范圍內(nèi)為條件，將金屬材料在轉(zhuǎn)鼓14的表面進行蒸鍍從而形成金屬薄膜層。 具體而言，從電子槍中將電子束照射到被收容在坩堝(金屬蒸鍍源）內(nèi)的金屬材料中，通過 電子束的能量使謝堝內(nèi)的金屬材料蒸發(fā)?氣化從而在轉(zhuǎn)鼓14上沉積?？梢詮腁l ,Cu,Zn,Sn, Au ,Ag及Pt中選擇至少一種金屬材料用作為金屬材料。
[0072]這里，將蒸發(fā)源與轉(zhuǎn)鼓的距離設(shè)定在50mm~300mm的范圍內(nèi)的理由如下。即，是因 為在將該距離設(shè)定為比300mm長的情況下，由于在對金屬薄膜層進行蒸鍍的過程中不能夠 將樹脂薄膜層充分地加熱，導(dǎo)致存在使單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng))充分地進行，而難以使 所得到的樹脂薄膜層的硬化度充分提高的情況。另外，在將該距離設(shè)定為比50mm短的情況 下，存在難以均一地形成金屬薄膜層的情況。
[0073]在第二等離子處理工序中，將在金屬薄膜層形成工序中被形成的金屬薄膜層以在 50W~1000W的范圍內(nèi)為條件進行等離子處理。
[0074]這里，在第二等離子處理工序中，將金屬薄膜層以在50W~1000W的范圍內(nèi)為條件 進行等離子處理的理由如下。即，是因為在以小于50W為條件對金屬薄膜層進行等離子處理 的情況下，由于在對金屬薄膜層實施等離子處理的過程中不能夠?qū)渲∧映浞值丶?熱，導(dǎo)致存在使單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng))充分地進行，而難以使所得到的樹脂薄膜層的 硬化度充分提高的情況。另外，是因為如果在1000W左右對金屬薄膜層進行等離子處理，由 于在對金屬薄膜層實施等離子處理的過程中能充分得到將樹脂薄膜層加熱的效果，因此不 需要對金屬薄膜層實施高于1000W的條件的等離子處理。
[0075]在實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法中，在已冷卻到(TC~ 20°C的范圍內(nèi)的某個指定溫度的轉(zhuǎn)鼓14上進行層積體制造工序。為了將轉(zhuǎn)鼓14冷卻到(TC ~20 °C的范圍內(nèi)的某個指定溫度，通過在轉(zhuǎn)鼓14的內(nèi)側(cè)的某個空間使在-5 °C~20 °C的范圍 內(nèi)的冷卻介質(zhì)(防凍液或者水)循環(huán)而得以實行。
[0076]這里，在已冷卻到0 °C~20 °C的范圍內(nèi)的某個指定溫度的轉(zhuǎn)鼓14上進行層積體制 造工序的理由如下。即，是因為在冷卻到低于(TC的溫度的轉(zhuǎn)鼓上進行層積體制造工序時， 存在單體的硬化被阻礙從而難以得到適合的樹脂薄膜層的情況。另外，是因為在高于20°C 的溫度的轉(zhuǎn)鼓上進行層積體制造工序時，存在氣化在轉(zhuǎn)鼓14的外周面上的單體粘著效率下 降的情況。
[0077]通過重復(fù)以上工序，一旦將由樹脂薄膜層與將帶狀的電絕緣部分去除的金屬薄膜 層所構(gòu)成的層積單位在轉(zhuǎn)鼓14的外周面進行指定次數(shù)層積，便能夠得到圓筒狀的層積體。 之后，將該圓筒狀的層積體沿半徑方向分割，從轉(zhuǎn)鼓14上卸下，經(jīng)由圖中未顯示的門取出到 真空室12外。從真空室12中取出的層積體彎曲成與轉(zhuǎn)鼓14的外周面幾乎相同曲率的圓弧 狀。接著，對該彎曲的層積體在加熱環(huán)境下按壓(Press)從而使其平坦化。之后，在將平坦化 了的層積體切斷成棒(Stick)狀后，形成外部電極，如果將其進一步切斷成片(Chip)狀，便 能夠得到薄膜高分子層積薄膜電容器。
[0078] 即，實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法包含層積體制造工 序，該層積體制造工序是在真空室12內(nèi)，通過在轉(zhuǎn)鼓14上交替地重復(fù)進行由單體蒸鍍裝置 18對單體進行蒸鍍形成單體層后，由電子束照射裝置20向單體層照射電子束使得單體層硬 化從而形成樹脂薄膜層的樹脂薄膜層形成工序、以及由金屬蒸鍍裝置26將金屬材料進行蒸 鍍從而形成金屬薄膜層的金屬薄膜層形成工序，從而在轉(zhuǎn)鼓14上制造由樹脂薄膜層與金屬 薄膜層交替層積而成的層積體。
[0079] 然后，在實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法中，在樹脂薄膜 層形成工序中，如上所述，使用具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化 合物作為單體從而形成單體層。
[0080] 能夠適當(dāng)采用由上述化學(xué)式(2)表示的三環(huán)癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯作為這樣 的二甲基丙烯酸化合物。
[0081] 3.實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法及薄膜高分子層積薄 膜電容器的效果
[0082] 根據(jù)實施方式涉及的如以上所述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造 方法，由于采用不是一般的甲基丙烯酸酯化合物而是具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴 結(jié)構(gòu)的二甲基丙烯酸化合物而來作為單體，因此如上所述，另外后述試驗例一也表明，能夠 充分提高所得到的樹脂薄膜層的硬化度，便能夠制造具有所需性能的薄膜高分子層積薄膜 電容器。因此，實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器是具有所需性能的薄膜高分子 層積薄膜電容器。
[0083]另外，根據(jù)實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于采用不 是一般被采用的丙烯酸酯化合物而是具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙 烯酸化合物而來作為單體，后述試驗例二也表明，能夠制造在高溫·高濕度環(huán)境下壽命長 久的薄膜高分子層積薄膜電容器。因此，實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器是在 高溫?高濕度環(huán)境下壽命長久的薄膜高分子層積薄膜電容器。具體而言，能夠達到"60°C · 95%時'或者是"85°0 85%時'的壽命性能保證。
[0084]另外，根據(jù)實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于采用不 是一般被采用的丙烯酸酯化合物而是具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙 烯酸化合物而來作為單體，后述試驗例三也表明，能夠制造吸濕量低的的薄膜高分子層積 薄膜電容器，即，潮敏壽命性能(吸濕回流焊處理性能)高的薄膜高分子層積薄膜電容器。因 此，實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器是潮敏壽命性能(吸濕回流焊處理性能)高 的薄膜高分子層積薄膜電容器。
[0085] 此外，根據(jù)實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于采用不 是一般被采用的丙烯酸酯化合物而是具有由上述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)烴結(jié)構(gòu)的二甲基丙 烯酸化合物而來作為單體，后述試驗例四也表明，能夠制造介質(zhì)損耗角正切值(tanS)小的 薄膜高分子層積薄膜電容器。因此，實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器是介質(zhì)損 耗角正切值(tanS)小的薄膜高分子層積薄膜電容器。
[0086] 另外，根據(jù)實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，在所述樹脂 薄膜層形成工序中，由于在以樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓在IOkVAim~25kVAim的 范圍內(nèi)，且"電子束的電流值(mA)"除以"轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度(m) X轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度(m/s) X樹 脂薄膜層的層厚(um)"所得的值以在100~2500的范圍內(nèi)為條件對單體層照射電子束，因此 在對單體層照射電子束的過程中單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng))進行，且能夠得到硬化度合適 的樹脂薄膜層。
[0087] 另外，根據(jù)實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于在樹脂 薄膜層形成工序和金屬薄膜層形成工序之間，包含將在樹脂薄膜層形成工序中被形成的樹 脂薄膜層以在50W~1000W的范圍內(nèi)為條件進行等離子處理的第一等離子處理工序，因此在 第一等離子處理工序中對樹脂薄膜層實施等離子處理的過程中樹脂薄膜層被充分加熱，于 是單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng))進行，且能夠使所得到的樹脂薄膜層的硬化度進一步提高。
[0088] 在這種情況下，由于在對單體層照射電子束從而作為樹脂薄膜層之后立即進行等 離子處理(第一等離子處理），因此對樹脂硬化度的促進效果很大。
[0089] 另外，根據(jù)實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于在金屬 薄膜層形成工序中，以蒸發(fā)源與轉(zhuǎn)鼓的距離在50mm~300mm的范圍內(nèi)為條件對金屬材料進 行蒸鍍從而形成金屬薄膜層，因此在金屬薄膜層形成工序在對金屬材料進行蒸鍍的過程中 樹脂薄膜層被充分加熱，于是單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng))進行，且能夠使所得到的樹脂薄 膜層的硬化度進一步提高。
[0090] 另外，根據(jù)實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于在金屬 薄膜層形成工序和樹脂薄膜層形成工序之間，包含將在金屬薄膜層形成工序中被形成的金 屬薄膜層以在50W~1000W的范圍內(nèi)為條件進行等離子處理的第二等離子處理工序，因此在 第二等離子處理工序中對樹脂薄膜層實施等離子處理的過程中樹脂薄膜層被充分加熱，于 是單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng))在進行，且能夠使所得到的樹脂薄膜層的硬化度進一步提 尚。
[0091] 另外，根據(jù)實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于在層積 體制造工序中，在已冷卻到〇°C~20°C的范圍內(nèi)的某個指定溫度的轉(zhuǎn)鼓上交替地重復(fù)進行 樹脂薄膜層形成工序和金屬薄膜層形成工序，因此能夠提高單體的附著效率。
[0092] 另外，在像這樣地在已冷卻到(TC~20°C的范圍內(nèi)的某個指定溫度的轉(zhuǎn)鼓上進行 樹脂薄膜層形成工序時，由于單體層被冷卻，因此單體的聚合反應(yīng)(交聯(lián)反應(yīng)）的進行也變 得緩慢。然而，后述試驗例一表明，通過在樹脂薄膜層形成工序中，在以樹脂薄膜層的每Ium 層厚的加速電壓在lOkV/um~25kV/um的范圍內(nèi)，且"電子束的電流值(mA)"除以"轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn) 鼓寬度(m) X轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度(m/s) X樹脂薄膜層的層厚(um)"所得的值以在100~2500的 范圍內(nèi)為條件對單體層照射電子束;在第一等離子處理工序中，以在50W~1000 W的范圍內(nèi) 為條件對樹脂薄膜層進行等離子處理;在金屬薄膜層形成工序中，以蒸發(fā)源與轉(zhuǎn)鼓的距離 在50mm~300mm的范圍內(nèi)為條件對金屬材料進行蒸鍍從而形成金屬薄膜層;在第二等離子 處理工序中，以在50W~1000W的范圍內(nèi)為條件進行等離子處理，極可能得到硬化度合適的 樹脂薄膜層，且能夠制造具有所需性能的薄膜高分子層積薄膜電容器。
[0093] 另外，根據(jù)實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，由于二甲基 丙烯酸化合物為上述化學(xué)式(2)表示的三環(huán)癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯，因此能夠?qū)⒃谥?造時的單體的蒸發(fā)性，在轉(zhuǎn)鼓上的附著效率，硬化性，以及作為單體性能的在高溫·高濕環(huán) 境下的壽命性能，吸濕量，介質(zhì)損耗角正切值(tanS)保持在均衡(Banlance)的高水準(zhǔn)上。
[0094] [試驗例]
[0095] 試驗例一為顯示"通過本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法被制造的 薄膜高分子層積薄膜電容器是樹脂薄膜層硬化度很高，且具有所需性能的薄膜高分子層積 薄膜電容器"的試驗例。試驗例二為顯示"通過本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造 方法被制造的薄膜高分子層積薄膜電容器在高溫?高濕環(huán)境下的壽命很長"的試驗例。試 驗例三為顯示"通過本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法被制造的薄膜高分子 層積薄膜電容器吸濕量很小"的試驗例。試驗例四為顯示"通過本發(fā)明的薄膜高分子層積薄 膜電容器的制造方法被制造的薄膜高分子層積薄膜電容器介質(zhì)損耗角正切值(tanS)很小" 的試驗例。
[0096] 1.樣品的制備
[0097] [1]樣品一(實施例）
[0098] 通過基本上與實施方式涉及的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法同樣的層 積體制造工序制造層積體，且采用該層積體制作薄膜高分子層積薄膜電容器(樹脂薄膜層 的層厚:〇.5um，容量：luF，芯片尺寸(Chip Size) :4532)并將其作為樣品一。但是，采用由上 述化學(xué)式(2)表示的三環(huán)癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯作為單體。另外，采用在以樹脂薄膜層 的每Ium層厚的加速電壓為14kV/um，且"電子束的電流值(mA)"除以"轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度(m) X 轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度(m/s) X樹脂薄膜層的層厚(um)"所得的值(關(guān)于電子束的電流值條件的 值)為667的條件作為電子束照射的條件。
[0099] [2]樣品二(比較例）
[0100] 采用在以樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓為8kV/um，且"電子束的電流值 (mA)"除以"轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度(m) X轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度(m/s) X樹脂薄膜層的層厚(um)"所得的 值(關(guān)于電子束的電流值條件的值)為117的條件作為電子束照射的條件之外通過與樣品一 的制造方法同樣的方法制造層積體，且采用該層積體制作薄膜高分子層積薄膜電容器并將 其作為樣品二。
[0101] [3]樣品三(比較例）
[0102] 采用三環(huán)癸酯二甲醇二丙烯酸酯作為單體，以及采用在以樹脂薄膜層的每Ium層 厚的加速電壓為8kV/um，且"電子束的電流值(mA)"除以"轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度(m) X轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn) 速度(m/s) X樹脂薄膜層的層厚(um)"所得的值(關(guān)于電子束的電流值條件的值)為117的條 件作為電子束照射的條件之外通過與樣品一的制造方法同樣的方法制造層積體，且采用該 層積體制作薄膜高分子層積薄膜電容器并將其作為樣品三。
[0103] 2 ·評定方法
[0104] [1]試驗例一(硬化度）
[0105] 在制造層積體之后立即測定樹脂薄膜層的硬化度。該測定用紅外分光光度計對層 積體的樹脂薄膜層及原料單體中的C = O基的吸光度和C = C基的吸光度進行測定的同時，使 用樹脂薄膜層的C = 0基的吸光度和C = C基的吸光度的第一比率，和原料單體中的C = 0基的 吸光度和C = C基的吸光度的第二比率并計算。
[0106] [2]試驗例二(高溫?高濕環(huán)境下的壽命）
[0107] 將各樣品分別在高溫?高濕(85°C · 85%RH)環(huán)境下，外加直流電壓50V放置500小 時。之后，將各樣品取出并對其測定容量(在處于高溫?高濕環(huán)境下時的容量），以將樣品放 置在高溫·高濕環(huán)境下之前所測定的容量作為基準(zhǔn)對該容量的容量減少了多少進行測定 (在處于高溫?高濕環(huán)境下時的容量變化率）。在試驗例二中，能夠判斷出容量減少量越小， 在高溫?高濕環(huán)境下的壽命便越長。另外，關(guān)于樣品二，由于硬化度過低從而層積體自身的 層間產(chǎn)生剝離，導(dǎo)致不能制造薄膜高分子層積薄膜電容器，因此僅關(guān)于樣品一及樣品三進 行涉及試驗例二的試驗。
[0108] [3]試驗例三(吸濕量）
[0109]將各樣品分別在"30°C · 60%RH"的環(huán)境下放置250小時。之后，將各樣品取出并對 其測定容量(在處于"30°C · 60%RH"的環(huán)境下時的容量），以將樣品放置在"30°C · 60%RH" 的環(huán)境下之前所測定的容量作為基準(zhǔn)對該容量的容量增加了多少進行測定（在處于"30 °C · 60%RH"的環(huán)境下時的容量變化率）。在試驗例三中，能夠判斷出容量增加量越小，吸濕 量便越低。另外，如上所述，關(guān)于樣品二，由于硬化度過低導(dǎo)致不能制造薄膜高分子層積薄 膜電容器，因此僅關(guān)于樣品一及樣品三進行涉及試驗例三的試驗。
[0110] [4]試驗例四（介質(zhì)損耗角正切值(tans))
[0111] 對各樣品分別通過LCR測試儀(Meter)對IkHz的介質(zhì)損耗角正切值(tanS)進行測 定。另外，如上所述，關(guān)于樣品二，由于硬化度過低導(dǎo)致不能制造薄膜高分子層積薄膜電容 器，因此僅關(guān)于樣品一及樣品三進行涉及試驗例四的試驗。
[0112] 3.評定結(jié)果
[0113] 表1是顯示試驗例一~四的結(jié)果的圖。
[0114] 【表1】
[0116] 從表1可知，采用三環(huán)癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯作為單體所制成的樣品（樣品 一）與采用三環(huán)癸酯二甲醇二丙烯酸酯作為單體所制成的樣品（樣品三）的情況同樣，樹脂 薄膜層以適合的硬化度被形成，能夠制造具有所需性能的薄膜高分子層積薄膜電容器(參 照試驗例一）。另外，采用三環(huán)癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯作為單體所制成的樣品(樣品一） 相比于采用三環(huán)癸酯二甲醇二丙烯酸酯作為單體所制成的樣品（樣品三），在高溫?高濕環(huán) 境下的壽命更長(參照試驗例二），吸濕度更低（參照試驗例三），介質(zhì)損耗角正切值(tanS) 更小(參照試驗例四），是總體出色的薄膜高分子層積薄膜電容器。
[0117] 另外，在采用三環(huán)癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯作為單體的同時，采用在以樹脂薄 膜層的每Ium層厚的加速電壓為14kV/um，且"電子束的電流值(mA)"除以"轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度 (m) X轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度(m/s) X樹脂薄膜層的層厚(um)"所得的值(關(guān)于電子束的電流值條 件的值)為667的條件作為電子束照射的條件而制成的樣品（樣品一）與在采用三環(huán)癸烷二 甲醇二甲基丙烯酸酯作為單體的同時，采用在以樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓為 8kV/um，且"電子束的電流值(mA)"除以"轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度(m) X轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度(m/s) X樹 脂薄膜層的層厚(um)"所得的值(關(guān)于電子束的電流值條件的值)為117的條件作為電子束 照射的條件而制成的樣品（樣品二）不同，是具有所需性能的薄膜高分子層積薄膜電容器 (參照試驗例一）。
[0118] 以上，對本發(fā)明的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法及薄膜高分子層積薄膜 電容器根據(jù)上述實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不僅限于此，在不脫離其主旨的范圍內(nèi) 便可以實施，例如也可以像以下這樣的變形。
[0119] [ 1 ]在實施方式中，采用具有單體蒸鍍裝置18，電子束照射裝置20，第一等離子處 理裝置22，金屬薄膜層構(gòu)圖裝置24，金屬蒸鍍裝置26及第二等離子處理裝置28，以及真空排 氣裝置及凈化裝置的制造裝置10作為制造薄膜高分子層積薄膜電容器的制造裝置，但本發(fā) 明不僅限于此。也能夠采用不具備這些裝置中的一個以上裝置(例如第二等離子處理裝置 28)的制造裝置。另外，還能夠采用外加在這些裝置上還具有其他裝置(例如將用于使金屬 薄膜層與樹脂薄膜層的粘著性提高的耦合(Coupling)材料(Ti)在金屬薄膜層的表面沉積 的裝置)的制造裝置。
[0120] 符號說明
[0121] 1……薄膜高分子層積薄膜電容器;2……層積體;3,4……外部電極；10……制造 裝置;12……真空室；14……轉(zhuǎn)鼓;16……冷卻裝置；18……單體蒸鍍裝置;20……電子束照 射裝置;22……第一等離子處理裝置;24……金屬薄膜層構(gòu)圖裝置;26……金屬蒸鍍裝置； 28……第二等離子處理裝置。
【主權(quán)項】
1. 一種薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，包含層積體制造工序，該層積體制造 工序是在真空室內(nèi)，通過在轉(zhuǎn)鼓上交替地重復(fù)進行對單體進行蒸鍛形成單體層后向該單體 層照射電子束使得所述單體層硬化從而形成樹脂薄膜層的樹脂薄膜層形成工序、W及對金 屬材料進行蒸鍛從而形成金屬薄膜層的金屬薄膜層形成工序，從而在所述轉(zhuǎn)鼓上制造由所 述樹脂薄膜層與所述金屬薄膜層交替層積而成的層積體，其特征在于： 其中，在所述樹脂薄膜層形成工序中，采用具有由下述化學(xué)式（1)表示的脂環(huán)控結(jié)構(gòu)的 二甲基丙締酸化合物作為單體從而形成單體層?！净衔?】 …打） 而在化學(xué)式(1)中，符號A表示含有脂環(huán)控的有機基團。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，其特征在于： 其中，在所述樹脂薄膜層形成工序中，在W所述樹脂薄膜層的每Ium層厚的加速電壓在 lOkV/um~2化VAim的范圍內(nèi)，且嘴子束的電流值(mA)"除W "所述轉(zhuǎn)鼓的轉(zhuǎn)鼓寬度(m) X所 述轉(zhuǎn)鼓的旋轉(zhuǎn)速度(m/s) X所述樹脂薄膜層的層厚(um)"所得的值(關(guān)于電子束的電流值條 件的值)在100~2500的范圍內(nèi)為條件對所述單體層照射電子束。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，其特征在于： 其中，在所述樹脂薄膜層形成工序和所述金屬薄膜層形成工序之間，包含對在所述樹 脂薄膜層形成工序中被形成的所述樹脂薄膜層W在50W~1000 W的范圍內(nèi)為條件進行等離 子處理的第一等離子處理工序。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，其特征 在于： 其中，在所述金屬薄膜層形成工序和所述樹脂薄膜層形成工序之間，包含對在所述金 屬薄膜層形成工序中被形成的所述金屬薄膜層W在50W~1000 W的范圍內(nèi)為條件進行等離 子處理的第二等離子處理工序。5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，其特征 在于： 其中，在所述金屬薄膜層形成工序中，W蒸發(fā)源與所述轉(zhuǎn)鼓的距離在50mm~300mm的范 圍內(nèi)為條件對金屬材料進行蒸鍛從而形成所述金屬薄膜層。6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，其特征 在于： 其中，在所述層積體制造工序中，在已冷卻到(TC~2(TC的范圍內(nèi)的某個指定溫度的轉(zhuǎn) 鼓上交替地重復(fù)進行所述樹脂薄膜層形成工序和所述金屬薄膜層形成工序。7. 根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項所述的薄膜高分子層積薄膜電容器的制造方法，其特征 在于： 其中，所述二甲基丙締酸化合物為在下述化學(xué)式（2)中所表示的=環(huán)癸燒二甲醇二甲 基丙締酸醋。 【化合物2】…(句8. -種薄膜高分子層積薄膜電容器，具有由通過蒸鍛法形成單體層后向該單體層照射 電子束使得所述單體層硬化從而被形成的樹脂薄膜層與通過蒸鍛法被形成的金屬薄膜層 交替層積而成的層積體，其特征在于： 其中，所述單體是具有由下述化學(xué)式(1)表示的脂環(huán)控結(jié)構(gòu)的二甲基丙締酸化合物。 【化合物3】…(1)9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜高分子層積薄膜電容器，其特征在于： 其中，所述二甲基丙締酸化合物為在下述化學(xué)式（2)中表示的=環(huán)癸燒二甲醇二甲基 丙締酸醋。I 斗 I - Zv j、 …巧
【文檔編號】H01G4/18GK105917426SQ201480072667
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2014年2月10日
【發(fā)明人】富本茂也, 加古智直
【申請人】如碧空股份有限公司