壓印裝置和制造物品的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了通過使用模具使基板的壓射區(qū)域上的壓印材料成型的壓印裝置，該壓印裝置包括：檢測單元，被配置成檢測照射模具的第一標記和基板的第二標記的第一光并測量第一標記與第二標記之間的位置偏差；加熱單元，被配置成用第二光照射基板以便加熱基板并使壓射區(qū)域變形；以及控制單元，被配置成基于位置偏差控制模具與基板之間的對準，其中，檢測單元或加熱單元的參數(shù)被設(shè)定成在檢測第一光并且用第二光照射基板時檢測單元不檢測第二光。
【專利說明】
壓印裝置和制造物品的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及壓印裝置和制造物品的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]使用模具來使基板上的壓印材料成型的壓印裝置作為用于磁存儲介質(zhì)、半導(dǎo)體器件等的批量生產(chǎn)光刻裝置中的一個獲得了關(guān)注。壓印裝置可以通過在提供到基板上的壓印材料接觸模具的狀態(tài)下使壓印材料硬化(cure)并且從硬化的壓印材料分離(脫離)模具，來在基板上形成圖案。
[0003]在半導(dǎo)體器件等的制造中，模具的圖案區(qū)域需要以高精度對準形成在基板上的壓射區(qū)域并轉(zhuǎn)印到壓射區(qū)域。日本專利特開N0.2004-259985提出了用光照射基板來加熱基板并使基板上的壓射區(qū)域變形并且對準基板和模具的方法。
[0004]日本專利特開N0.2004-259985中公開的壓印裝置包括:檢測單元，其用光照射布置在模具上的標記和布置在基板上的標記，并且基于反射的光檢測在這些標記之間的位置偏差。根據(jù)日本專利特開N0.2004-259985，檢測單元檢測標記之間的位置偏差，然后模具與基板基于檢測到的位置偏差而被對準。然而，在通過檢測單元檢測標記之間的位置偏差之后對準模具與基板的方法中，可能難于以高精度對準模具與基板，這是因為標記之間的位置偏差即使在對準期間也可能發(fā)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了例如有利于以高精度對準模具與基板的壓印裝置。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種壓印裝置，其通過使用在其上形成有圖案的模具來使基板的壓射區(qū)域(sho t r eg i on)上的壓印材料成型(mo I d)，該壓印裝置包括:檢測單元，被配置成用第一光照射模具的第一標記和基板的第二標記，檢測來自第一標記和第二標記的第一光，并測量第一標記與第二標記之間的位置偏差;加熱單元，被配置成用用于加熱的第二光經(jīng)由模具照射基板，并加熱基板以使壓射區(qū)域變形；以及控制單元，被配置成基于位置偏差控制模具與基板之間的對準;其中，檢測單元的參數(shù)、加熱單元的參數(shù)或檢測單元和加熱單元的參數(shù)被設(shè)定成在通過使用檢測單元來檢測來自第一標記和第二標記的第一光并且通過使用加熱單元來用第二光照射基板且加熱基板時，檢測單元不檢測由模具和基板中的至少一個反射的第二光。
[0007]本發(fā)明的進一步特征將從以下參考附圖的示范性實施例的描述而變得清楚。
【附圖說明】
[0008]圖1是示出了根據(jù)第一實施例的壓印裝置的示意圖。
[0009]圖2A是用于解釋模具的標記的布置的示例的視圖。
[0010]圖2B是用于解釋模具的標記的視圖。
[0011 ]圖2C是用于解釋基板的標記的布置的示例的視圖。
[0012]圖2D是用于解釋基板的標記的視圖。
[0013]圖3A是用于解釋通過加熱單元校正壓射區(qū)域的形狀的示例的視圖。
[0014]圖3B是用于解釋通過加熱單元校正壓射區(qū)域的形狀的示例的視圖。
[0015]圖4是示出了在壓印處理中的操作序列的流程圖。
[0016]圖5是示出了加熱單元和檢測單元的配置的示例的視圖。
[0017]圖6是示出了加熱單元和檢測單元的配置的示例的視圖。
[0018]圖7是示出了根據(jù)第二實施例的壓印裝置中的檢測單元、加熱單元和硬化單元的配置的視圖。
[0019]圖8是示出了第二實施例中的檢測單元的配置的示例的視圖。
[0020]圖9是示出了光瞳面上的光強度分布和數(shù)值孔徑NA之間的關(guān)系的視圖。
[0021 ]圖1OA是示出了從X方向觀察的模具的標記和基板的標記的視圖。
[0022]圖1OB是示出了從Y方向觀察的模具的標記和基板的標記的視圖。
[0023]圖11是示出了基板的由加熱單元發(fā)射的第二光照射的區(qū)域的視圖。
【具體實施方式】
[0024]下面將參考附圖描述本發(fā)明的示范性實施例。注意貫穿附圖相同的附圖標記表示相同的要件，并且將不會給出其重復(fù)的描述。
[0025]〈第一實施例〉
[0026]將參考圖1描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的壓印裝置I。壓印裝置I用于制造半導(dǎo)體器件等等。壓印裝置I通過使用模具8使基板11的壓射區(qū)域上的壓印材料成型來執(zhí)行在基板11上形成圖案的壓印處理。例如，壓印裝置I在其上形成有圖案的模具8接觸基板上的壓印材料(樹脂)的狀態(tài)下使壓印材料硬化。然后，壓印裝置I放寬模具8和基板11之間的間隔，從硬化的壓印材料分離(脫離)模具8，從而可以在基板上形成圖案。使壓印材料硬化的方法包括使用熱的熱循環(huán)方法和使用光的光硬化方法。根據(jù)第一實施例的壓印裝置I采用光硬化方法。光硬化方法是這樣的方法:將未硬化的紫外線硬化樹脂(以下稱作樹脂14)作為壓印材料提供到基板上，并在模具8和樹脂14彼此接觸的狀態(tài)下用紫外線照射樹脂14，從而使樹脂14硬化。在通過紫外線照射來使樹脂14硬化之后，模具8從樹脂14分離，并且圖案可被形成在基板上。
[0027][壓印裝置的配置]
[0028]圖1是示出了根據(jù)第一實施例的壓印裝置I的示意圖。壓印裝置I可包括保持模具8的模具臺3，保持基板11的基板臺4，硬化單元2，加熱單元6，檢測單元22，和樹脂提供單元5。模具臺3固定到由底盤24經(jīng)由柱26支撐的橋接盤25?；迮_4固定到底盤24。壓印裝置I包括控制單元7，其包括例如CPU和存儲器并且控制壓印處理(控制壓印裝置I的各單元)。
[0029]模具8通常由能夠透過紫外線的材料制成，諸如石英。要被轉(zhuǎn)印到基板11的三維圖案形成在基板這側(cè)的表面上的部分區(qū)域(圖案區(qū)域8a)中。基板11可以是例如單晶硅基板或SOI(絕緣體上硅)基板。樹脂提供單元5(稍后描述)將樹脂14(紫外線硬化樹脂)提供到基板11的上表面(要處理的表面)。
[0030]模具臺3包括通過真空吸力、靜電力等等來保持模具8的模具保持單元15，以及在Z方向驅(qū)動模具保持單元15的模具驅(qū)動單元16。模具保持單元15和模具驅(qū)動單元16在它們的中間部分(內(nèi)部)具有開口區(qū)域17，并且配置為用硬化單元2或加熱單元6發(fā)射的光經(jīng)由模具8照射基板11。由于制造誤差、熱變形等等，有時在模具8中生成包括諸如倍率成分或梯形成分的變形。為了抵消此變形，模具臺3可以包括變形單元18，其通過對在模具8的側(cè)表面上的多個部分施加力使圖案區(qū)域8a變形。例如，變形單元18可以包括多個致動器，其布置成對在模具8的各個側(cè)表面上的多個部分施加力?？赏ㄟ^用多個致動器對在模具8的各個側(cè)表面上的多個部分獨立地施加力來將模具8的圖案區(qū)域8a變形為期望的形狀。變形單元18的致動器是例如線性馬達、空氣氣缸或壓電致動器。
[0031]模具驅(qū)動單元16包括諸如線性馬達或空氣氣缸的致動器，并且在Z方向驅(qū)動模具保持單元15(模具8)以便使模具8的圖案區(qū)域8a與基板上的樹脂14接觸或從基板上的樹脂14分離。由于在使模具8和基板上的樹脂14彼此接觸時要求模具驅(qū)動單元16的高精度對準，模具驅(qū)動單元16可以由諸如粗驅(qū)動系統(tǒng)和精細驅(qū)動系統(tǒng)的多個驅(qū)動系統(tǒng)構(gòu)成。模具驅(qū)動單元16可以具有例如不只在Z方向驅(qū)動模具8也在X和Y方向和Θ方向(繞Z軸的旋轉(zhuǎn)方向)調(diào)整模具8的位置的位置調(diào)整功能，以及校正模具8的傾斜的傾斜功能。在根據(jù)第一實施例的壓印裝置I中，模具驅(qū)動單元16執(zhí)行改變基板11和模具8之間的距離的操作。然而，基板臺4的基板驅(qū)動單元20可以執(zhí)行此操作，或者基板驅(qū)動單元20和模具驅(qū)動單元16 二者可以執(zhí)行此操作。
[0032]基板臺4包括基板保持單元19和基板驅(qū)動單元20。當使模具8的圖案區(qū)域8a和基板上的樹脂14彼此接觸時，基板臺4在X和Y方向移動基板11，并且對準模具8和基板11 ο基板保持單元19通過真空吸力、靜電力等保持基板11。基板驅(qū)動單元20機械地保持基板保持單元19，并在X和Y方向驅(qū)動基板保持單元19(基板11)?；弪?qū)動單元20可以使用例如線性馬達并且可以由諸如粗驅(qū)動系統(tǒng)和精細驅(qū)動系統(tǒng)的多個驅(qū)動系統(tǒng)構(gòu)成?；弪?qū)動單元20可以具有例如在Z方向驅(qū)動基板11的驅(qū)動功能，在Θ方向旋轉(zhuǎn)和驅(qū)動基板11來調(diào)整基板11的位置的位置調(diào)整功能，和校正基板11的傾斜的傾斜功能。
[0033]檢測單元22檢測布置在模具8上的標記AM(第一標記)和布置在基板11上的標記AW(第二標記)之間的位置偏差(X和Y方向)。檢測單元22可以包括發(fā)射光來照射模具8的標記AM和基板11的標記AW的發(fā)射單元22a，以及接收由這些標記衍射的光的光接收單元22b。模具8的標記AM布置在模具8的圖案區(qū)域8a中的多個部分。基板的標記AW布置在基板上的壓射區(qū)域11 a中的多個部分。例如，基板11的標記AW布置在設(shè)在壓射區(qū)域11 a外側(cè)的劃片線11 b上，如圖2C中所示。模具8的標記AM布置在圖案區(qū)域8a的外側(cè)的與基板11的標記AW對應(yīng)的區(qū)域8b中，如圖2A中所示。模具8的標記AM和基板11的標記AW被布置成使得在使圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域I Ia在X和Y方向彼此重合時它們重疊。檢測單元22檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間在各部分的位置偏差。結(jié)果，可獲得圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異。稍后將描述檢測單元22的配置的細節(jié)。
[0034]將參考圖2A至2D解釋模具8的標記AM和基板11的標記AW的布置的示例。例如，八個標記AMl至AM8形成在模具8上的圖案區(qū)域8a外側(cè)的區(qū)域8b中(對應(yīng)于基板11的劃片線I Ib的區(qū)域)，如圖2A中所示。標記AMl至AM8的每一個都包括由線和間隔衍射光柵構(gòu)成的X-方向測量標記AMx和Y-方向測量標記AMy，如圖2B中示出的標記AM4的結(jié)構(gòu)。標記AMl (AM2)、標記AM3(AM4)、標記AM5 (AM6)和標記AM7 (AM8)布置成使得標記AM的結(jié)構(gòu)依次旋轉(zhuǎn)90度。類似地，八個標記AWl至AW8形成在設(shè)在基板11的壓射區(qū)域11 a外側(cè)的劃片線11 b上，如圖2C所示。標記Aff I至AW8的每一個都包括由棋盤格衍射光柵構(gòu)成的X-方向測量標記AWx和Y-方向測量標記AWy，如圖2D中的標記AW4的結(jié)構(gòu)。標記AWl (AW2)、標記AW3 (AW4)、標記AW5 (AW6)和標記AW7(Aff 8)布置成使得標記AW的結(jié)構(gòu)依次旋轉(zhuǎn)90度。
[0035]模具8的標記AM上的衍射光柵和基板11的標記AW上的衍射光柵構(gòu)建為在測量方向上具有稍微不同的節(jié)距。由模具8的標記AM和基板11的標記AW反射并且入射到光接收單元22b的光在圖像傳感器上生成對應(yīng)于模具8的標記AM上的衍射光柵和基板11的標記AW上的衍射光柵之間的節(jié)距差異的干涉條紋(莫爾條紋)。圖像傳感器224感測此莫爾條紋并執(zhí)行圖像處理，于是模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差可被檢測。通過對各個標記檢測這個位置偏差，可以取得圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異。模具8的標記AM和基板11的標記AW可被布置成不止在模具8的圖案區(qū)域8a和基板11的壓射區(qū)域I Ia中的各個頂點，也可以在各個邊。在圖2A至圖2D中所示的示例中，X測量標記和Y測量標記布置在模具8的圖案區(qū)域8a和基板11的壓射區(qū)域Ila的每一個中的多個部分(八個部分)。這樣，除了偏移成分、倍率成分、旋轉(zhuǎn)成分和梯形成分(X和Y方向)以外，即使諸如弓形成分或桶形成分的高階成分也可以根據(jù)圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異取得。
[0036]在以上描述的示例中，為模具8的標記AM形成線和間隔衍射光柵，為基板11的標記AW形成棋盤格衍射光柵。然而，標記并不限于它們。例如，可以為模具8的標記AM形成棋盤格衍射光柵，并且可以為基板11的標記AW形成線和間隔衍射光柵。下面將描述其中為基板11的標記AW形成棋盤格衍射光柵的情況。
[0037]樹脂提供單元5提供(涂布)樹脂14(未硬化樹脂)到基板上。如以上所述，根據(jù)第一實施例的壓印裝置I使用具有由紫外線照射來硬化樹脂的屬性的紫外線硬化樹脂作為壓印材料。然而，本發(fā)明并不限制于此，并且由樹脂提供單元5提供給基板11的樹脂14(壓印材料)可根據(jù)半導(dǎo)體器件制造步驟中的多種條件來適當?shù)剡x擇。從樹脂提供單元5排出的樹脂的量可以是考慮形成在基板上的樹脂14上的圖案的厚度和密度等等來適當決定的。模具8和樹脂14期望地彼此接觸達預(yù)先確定的時間以便令人滿意地用提供到基板上的樹脂14填充形成在模具8的圖案區(qū)域8a中的三維圖案。
[0038]在壓印處理時，硬化單元2通過用光(紫外線)照射提供到基板上的壓射區(qū)域Ila的樹脂14來使樹脂14硬化。硬化單元2可以包括，例如，發(fā)射用于使樹脂14硬化的光(紫外線)的光源，和用于將光源發(fā)射的光調(diào)整為適于壓印處理的光的光學(xué)元件。由于第一實施例采用光硬化方法，硬化單元2包括用于發(fā)射紫外線的光源。然而，例如，當采用熱硬化方法時，硬化單元2可以包括用于使充當壓印材料的熱硬化樹脂硬化的熱源。
[0039]將要經(jīng)歷壓印裝置I壓印處理的基板11在一系列半導(dǎo)體器件制造步驟中在諸如濺射步驟的沉積步驟中的加熱步驟之后裝載到壓印裝置I中。在一些情況中，包括諸如倍率成分、梯形成分、弓形成分、或桶形成分的成分的變形在基板上的壓射區(qū)域Ila中生成。在此情況中，可能難以僅靠由模具臺3的變形單元18使模具8的圖案區(qū)域8a變形來實現(xiàn)圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的高精度對準。因此，基板上的壓射區(qū)域Ila可以依照由變形單元18變形的模具8的圖案區(qū)域8a的形狀來變形。為了這么做，根據(jù)第一實施例的壓印裝置I包括通過用光照射基板11并加熱基板11來使壓射區(qū)域11 a變形的加熱單元6。
[0040]加熱單元6可以包括發(fā)射用于加熱基板11的光的光源，以及調(diào)整來自光源的照射基板11的光的強度的調(diào)整單元。加熱單元6的光源發(fā)射具有適于加熱基板11而不使提供到基板上的樹脂14硬化的波長的光。例如，可以使用發(fā)射具有400nm或更長的波長的光的光源作為加熱單元6的光源。調(diào)整單元調(diào)整照射基板11的光的強度以使得壓射區(qū)域Ila中的溫度分布成為期望的分布。作為調(diào)整單元，例如液晶器件或數(shù)字微鏡器件(DMD)是可用的。液晶器件可以通過在光透過表面上布置多個液晶元件并個體地控制提供給各個液晶元件的電壓來改變照射基板11的光的強度。數(shù)字微鏡器件可以通過在光反射表面上布置多個微鏡元件并個體地調(diào)整各個微鏡元件的表面方向來改變照射基板11的光的強度。
[0041]這里，根據(jù)第一實施例的壓印裝置I構(gòu)建成使得由硬化單元2發(fā)射的光被光學(xué)元件21反射并照射基板11，而由加熱單元6發(fā)射的光穿過光學(xué)元件21并照射基板11。然而，壓印裝置I并不限制于此。例如，壓印裝置I可被構(gòu)建成使得由加熱單元6發(fā)射的光被光學(xué)元件21反射并照射基板11，而由硬化單元2發(fā)射的光穿過光學(xué)元件21并照射基板11。光學(xué)元件21可以是例如具有透過有著兩個不同波長中的一個波長的光并反射有著另一個波長的光的特性的分束器(例如二向色鏡)。
[0042]接下來將參考圖3A和圖3B解釋其中加熱單元6校正經(jīng)受包括梯形成分的變形的壓射區(qū)域I Ia的形狀的示例。在將經(jīng)受包括梯形成分的變形的壓射區(qū)域I Ia的形狀校正成目標形狀時，如圖3A中所示，控制單元7控制加熱單元6 (調(diào)整單元)以使得由加熱單元6發(fā)射的光的強度在Y方向線性地增大。當壓射區(qū)域Ila被用加熱單元6發(fā)射的光以這樣的光強度分布32照射時，在壓射區(qū)域Ila中可以形成圖3A中所示的溫度分布33，而壓射區(qū)域Ila可被以圖3A中所示的位移量34來變形。結(jié)果，壓射區(qū)域Ila的形狀可以接近目標形狀30，如圖3B中所不O
[0043]將參考圖4解釋在具有根據(jù)第一實施例的此配置的壓印裝置I中將模具8的圖案轉(zhuǎn)印到基板11的壓射區(qū)域Ila的壓印處理。圖4是示出了在將模具8的圖案轉(zhuǎn)印到基板11的壓射區(qū)域Ila的壓印處理中的操作序列的流程圖。
[0044]在步驟SlOO中，控制單元7控制模具輸送機構(gòu)(未示出)來輸送模具8到模具保持單元15下方，并控制模具保持單元15來保持模具8。從而，模具8布置在壓印裝置I中。在步驟S101中，控制單元7控制基板輸送機構(gòu)(未示出)來輸送基板11到基板保持單元19上，并控制基板保持單元19來保持基板11。基板11因而布置在壓印裝置I中。在步驟S102中，控制單元7控制樹脂提供單元5來將樹脂14(紫外線硬化樹脂)提供給壓射區(qū)域Ila來經(jīng)歷壓印處理。在步驟S103中，控制單元7控制基板驅(qū)動單元20來移動基板11以便其處已提供有樹脂14的壓射區(qū)域Ila被布置在模具8的圖案區(qū)域8a下方。在步驟S104中，控制單元7控制模具驅(qū)動單元16來使模具8的圖案區(qū)域8a和基板上的樹脂14彼此接觸，即縮短模具8和基板11之間的距離。
[0045]在步驟S105中，控制單元7控制檢測單元22來在模具8和基板上的樹脂14彼此接觸的狀態(tài)中檢測模具8的標記AM(第一標記)和基板11的標記AW(第二標記)之間的位置偏差?；趤碜詸z測單元22的檢測結(jié)果，控制單元7可以取得模具8的圖案區(qū)域8a和基板11的壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異。在步驟S106中，控制單元7基于取得的形狀差異決定圖案區(qū)域8a的校正量和壓射區(qū)域Ila的校正量以使得模具8的圖案區(qū)域8a的形狀與基板11的壓射區(qū)域Ila的形狀相符合。
[0046]在步驟S107中，控制單元7控制基板驅(qū)動單元20來基于在步驟S106中取得的形狀差異來移動基板U，并對準模具8和基板U。在步驟S107中的對準是為了校正模具8的圖案區(qū)域8a和基板11的壓射區(qū)域Ila之間形狀差異中的平移偏移成分和旋轉(zhuǎn)成分。這個形狀差異除了平移偏移成分和旋轉(zhuǎn)成分之外還可以包括諸如倍率成分和梯形成分的變形成分，如以上所述。諸如倍率成分和梯形成分的變形成分可以在驟S108和S109被校正。在步驟S108中，控制單元7控制變形單元18來通過基于在步驟S106中決定的圖案區(qū)域8a的校正量對模具8的側(cè)表面上的多個部分施加力來使圖案區(qū)域8a變形。在步驟S109中，控制單元7控制加熱單元6來用光照射基板11，對壓射區(qū)域Ila給出溫度分布，并基于在步驟S106中決定的壓射區(qū)域Ila的校正量使壓射區(qū)域Ila變形。通過步驟S108和S109，可以使得模具8的圖案區(qū)域8a和基板11的壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異落在允許的范圍內(nèi)，并且模具8的圖案能以高精度被轉(zhuǎn)印到壓射區(qū)域11a。
[0047]在步驟SllO中，控制單元7控制檢測單元22來檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差?；趤碜詸z測單元22的檢測結(jié)果，控制單元7可以取得模具8的圖案區(qū)域8a和基板11的壓射區(qū)域I Ia之間的形狀差異。在步驟SI 11中，控制單元7判定在步驟SI 10中取得的形狀差異是否落在允許的范圍內(nèi)。如果在步驟SllO中取得的形狀差異并未落在允許的范圍內(nèi)，處理回到步驟S106，并且控制單元7再次基于此形狀差異決定圖案區(qū)域8a的校正量和壓射區(qū)域Ila的校正量。如果在步驟SllO中取得的形狀差異落在允許的范圍內(nèi)，處理回到步驟SI 12。
[0048]在步驟S112中，控制單元7控制硬化單元2來用紫外線照射與模具8的圖案區(qū)域8a接觸的樹脂14，并使樹脂14硬化。在步驟S113中，控制單元7控制模具驅(qū)動單元16來將模具8的圖案區(qū)域8a從基板上的樹脂14分離(脫離)，即，增大模具8和基板11之間的距離。在步驟S114中，控制單元7判定模具8的圖案隨后將要轉(zhuǎn)印至其上的壓射區(qū)域Ila(下一個壓射區(qū)域Ila)是否留在基板上。如果有下一個壓射區(qū)域11a，處理回到步驟S102。如果沒有下一個壓射區(qū)域IIa，處理前進到步驟SI 15。在步驟SI 15中，控制單元7控制基板輸送機構(gòu)(未示出)來從基板保持單元19回收基板11。在步驟SI 16中，控制單元7判定是否有基板11 (下一個基板11)隨后要經(jīng)歷壓印處理。如果有下一個基板11，處理回到步驟S101。如果沒有下一個基板11，處理前進到步驟SI 17。在步驟SI 17中，控制單元7控制模具輸送機構(gòu)(未示出)來從模具保持單元15回收模具8。
[0049][檢測單元和加熱單元的配置]
[0050]在具有以上描述的根據(jù)第一實施例的配置的壓印裝置I中，重復(fù)步驟S106至S109直到圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異落在允許的范圍內(nèi)為止，以便提高模具8和基板11之間的對準精度。此時，在取得圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異時，基板11可以由加熱單元6用光照射并且壓射區(qū)域Ila可被變形。即，在由檢測單元22檢測模具8的標記AM(第一標記)和基板11的標記AW(第二標記)時，基板11可以由加熱單元6用光照射并且壓射區(qū)域I Ia可被變形。然而，在這個對準方法中，由加熱單元6發(fā)射的用于加熱(以下稱作第二光)的光可能被模具8的標記AM或基板11的標記AW反射并入射到檢測單元22上。在此情況中，入射到檢測單元22(光接收單元22b)的圖像傳感器224上的第二光成為噪聲成分，而位置偏差檢測精度可能降低。同樣地，當來自加熱單元6的入射到檢測單元22上的第二光超出檢測單元22(光接收單元22b)的圖像傳感器224可檢測的光強度水平并且飽和時，位置偏差檢測精度可能降低。作為防止位置偏差檢測精度降低的方法，一個方法是在步驟SllO中檢測單元22檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差時停止由加熱單元6用光照射基板11。然而，在此方法中，施加到基板11的熱傳到基板保持單元19，通過樹脂14傳到模具8，等等，而且圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異可能在停止由加熱單元6用光照射基板11期間逐漸增大。換言之，此方法花費長時間用于模具8和基板11之間的對準，并且不能令人滿意地以高精度執(zhí)行對準。因而，在根據(jù)第一實施例的壓印裝置I中，檢測單元22和加熱單元6配置成使得入射到檢測單元22的第二光的強度低于由模具8和基板11中的至少一個反射的第二光的最大強度。更具體地，在壓印裝置I中，檢測單元22和加熱單元6配置成抑制由模具8和基板11中的至少一個反射的第二光向檢測單元22的入射。以下將解釋加熱單元6和檢測單元22的配置。
[0051]圖5是示出了加熱單元6和檢測單元22的配置的示例的視圖。在圖5中，加熱單元6包括光源61、調(diào)整單元62和光學(xué)系統(tǒng)63。檢測單元22包括向模具8的標記AM和基板11的標記AW發(fā)射光(以下稱作第一光)的發(fā)射單元22a，和接收由模具8的標記AM和基板11的標記AW反射的第一光的光接收單元22b。發(fā)射單元22a包括例如光源221和照明光學(xué)系統(tǒng)222。光接收單元22b包括例如檢測光學(xué)系統(tǒng)223和圖像傳感器224。檢測單元22用由發(fā)射單元22a發(fā)射的第一光照射模具8的標記AM和基板11的標記AW。檢測單元22通過圖像傳感器224觀測由模具8的標記AM衍射的光和基板11的標記AW衍射的光生成的干涉條紋。檢測單元22可以基于從圖像傳感器224輸出的信號檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差。模具8的標記AM和基板11的標記AW可以包括衍射光柵。在第一實施例中，模具8的標記AM可以包括僅在測量方向具有周期的線和間隔衍射光柵。基板11的標記AW可以包括分別在測量方向和與其垂直的方向具有周期的棋盤格衍射光柵。發(fā)射單元22a和光接收單元22b配置成相對于垂直于基板11的表面的基準軸(Z軸)在垂直于測量方向的方向(圖5中的X方向)傾斜照明光學(xué)系統(tǒng)222的光軸和檢測光學(xué)系統(tǒng)223的光軸。即，發(fā)射單元22a和光接收單元22b配置成在模具8的標記AM和基板11的標記AW上執(zhí)行斜入射照明。
[0052]接下來，將描述配置加熱單元6和檢測單元22來抑制由加熱單元6發(fā)射并由模具8和基板11中的至少一個衍射(反射)的第二光向檢測單元22的光接收單元22b的入射的方法。以下將解釋配置加熱單元6和檢測單元22來抑制由加熱單元6發(fā)射并由基板11反射的第二光向光接收單元22b的入射的方法。相同的方法也可被用作配置加熱單元6和檢測單元22來抑制由模具8反射的第二光向光接收單元22b的入射的方法。
[0053]在根據(jù)第一實施例的壓印裝置I中，檢測單元22的參數(shù)、加熱單元6的參數(shù)或檢測單元22和加熱單元6的參數(shù)被設(shè)定成抑制由加熱單元6發(fā)射的第二光向檢測單元22的光接收單元22b的入射。檢測單元22的參數(shù)是檢測單元22的在檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差時可被設(shè)定的要素。來自發(fā)射單元22a的第一光的波長、發(fā)射單元22a發(fā)射第一光的方向、光接收單元22b接收第一光的方向和檢測單元22(光接收單元22b)的數(shù)值孔徑中的至少一個可被設(shè)定作為檢測單元22的參數(shù)。加熱單元6的參數(shù)是加熱單元6的在用用于加熱基板11的第二光照射基板11時可被設(shè)定的要素。來自加熱單元6的第二光的波長和來自加熱單元的第二光入射到基板11的方向中的至少一個可被設(shè)定作為加熱單元6的參數(shù)。
[0054]例如，當滿足等式(I)時，由發(fā)射單元22a發(fā)射并由在非測量方向具有周期dm的衍射光柵的基板11的標記AW反射(衍射)的第一光入射到光接收單元22b:
[0055]dm(sinaa+sinPa) =mAa...(I)
[0056]其中aa是在基準軸(垂直于基板表面的軸(Z軸))和發(fā)射單元22a發(fā)射第一光的方向之間的角度，&是在基準軸與光接收單元22b接收由基板11的標記AW反射的第一光的方向之間的角度，入3是第一光的波長，而m是由基板11的標記AW衍射的由發(fā)射單元22a發(fā)射的第一光的光的衍射級次。當使用包括許多波長的起寬帶光源作用的鹵素?zé)舻鹊茸鳛楫a(chǎn)生第一光的光源時，等式(I)中的第一光的波長Aa可以是第一光的中心波長。最優(yōu)地，檢測單元22的參數(shù)滿足等式(I)，但并不限制于此，只要光入射到光接收單元22b的數(shù)值孔徑上即可。
[0057]相反，當滿足不等式⑵時，由加熱單元6發(fā)射并由基板11的標記AW反射(衍射)的第二光入射到光接收單元22b:
[0058]dm(sinah+sin(Pa-9) )^nAh^dm(sinah+sin(Pa+9))...(2)
[0059]更具體地，為了抑制由加熱單元6發(fā)射并由基板11的標記AW反射的第二光向光接收單元22b的入射，需要滿足通過反轉(zhuǎn)在不等式(2)中的不等式符號取得的不等式(3):
[0060]dm(sinah+sin(0a_9) )>nAh或dm(sinah+sin(0a+9) )〈nAh...(3)在不等式(2)和(3)中，ah是在基準軸與來自加熱單元6的第二光入射到基板11上的方向之間的角度(在此實施例中，<^ = 0)，8；[110是光接收單元2213的數(shù)值孔徑，人11是第二光的波長，而11是由基板11的標記AW衍射的由加熱單元6發(fā)射的第二光的光的衍射級次。注意第一光和第二光所經(jīng)過的空氣的折射率設(shè)定成I。
[0061]由此，檢測單元22和加熱單元6可被配置成滿足等式(I)和不等式(3)，以便抑制由加熱單元6發(fā)射并由基板11(標記AW)反射的第二光向光接收單元22b的入射。根據(jù)第一實施例的壓印裝置I因而可以防止由加熱單元6發(fā)射的第二光入射到光接收單元22b造成的檢測精度降低。在通過檢測單元22來檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差時，壓印裝置I可以通過由加熱單元6用第二光照射基板11來使壓射區(qū)域Ila變形。即，模具8和基板11能夠以尚精度重置。
[0062]檢測單元22可被配置成包括在發(fā)射單元22a中的光路和在光接收單元22b中的光路之間共用的部件，如圖6中所示。在此情況中，在基準軸與發(fā)射單元22a發(fā)射第一光的方向之間的角度?等于在基準軸與光接收單元22b接收由基板的標記AW反射的第一光的方向之間的角度氏。這樣，等式(I)改寫為等式(4):
[0063]2dm(sinPa) =mAa...(4)
[0064]在圖6所示的配置中，檢測單元22和加熱單元6可被配置成滿足不等式(3)和等式
(4)，以便抑制由加熱單元6發(fā)射并由基板11的標記AW反射的第二光入射到光接收單元22b。
[0065]模具8的標記AM和基板11的標記AW上的衍射光柵的周期dm可以根據(jù)標記位置偏差檢測精度、電路圖案設(shè)計等等來改變。因此，驅(qū)動檢測單元22和加熱單元6的驅(qū)動機構(gòu)可被布置成使得檢測單元22中的第一光的出射角和入射角以及加熱單元6中的第二光的出射角可被調(diào)整。進一步地，檢測單元22和加熱單元6可被配置成使得來自檢測單元22的第一光的波長和來自加熱單元6的第二光的波長彼此不同。檢測單元22和加熱單元6可以使用能夠改變波長的光源，或者可以將波長濾光器插入光路中以使得來自檢測單元22的第一光的波長和來自加熱單元6的第二光的波長可被調(diào)整。
[0066][檢測單元和硬化單元的配置]
[0067]將解釋硬化單元2對檢測單元22的影響。當開始由硬化單元2用紫外線照射樹脂14時，樹脂14開始硬化，樹脂14的剛性逐漸升高，并且基板臺4和模具8之間的狀態(tài)可被看作其中阻尼成分連接的狀態(tài)。在此狀態(tài)下，樹脂14具有流動性，所以模具8和基板11可以相對移動。此外，樹脂14的剪切應(yīng)力作用在模具8和基板11之間，而模具8和基板11之間可能產(chǎn)生位置偏差。為了提高模具8和基板11之間的重疊精度，模具8和基板11可以在取得圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異時緊接在樹脂14被硬化前被對準。換言之，即使在硬化單元2用紫外線照射樹脂14時，檢測單元22也可以檢測模具8的標記AM(第一標記)和基板11的標記AW(第二標記)之間的位置偏差。然而，在此情況中，如果由硬化單元2發(fā)射的用于硬化的光(以下稱作第三光)被模具8或基板11反射并且入射到檢測單元22上，入射到檢測單元22上的第三光成為噪聲成分，而且標記位置偏差檢測精度可能降低。因此，在根據(jù)第一實施例的壓印裝置I中，檢測單元22和硬化單元2被配置成使得入射到檢測單元22上的第三光的強度低于由模具8和基板11中的至少一個反射的第三光的最大強度。更具體地，在壓印裝置I中，檢測單元22和硬化單元2被配置成抑制由模具8和基板11中的至少一個反射的第三光向檢測單元22的入射。
[0068]接下來，將描述配置硬化單元2和檢測單元22來抑制由硬化單元2發(fā)射并由模具8和基板11中的至少一個反射的第三光向檢測單元22的光接收單元22b的入射的方法。以下將解釋配置硬化單元2和檢測單元22來抑制由硬化單元2發(fā)射并由基板11反射的第三光向光接收單元22b的入射的方法。相同的方法也可被用作配置硬化單元2和檢測單元22來抑制由模具8反射的第三光向光接收單元22b的入射的方法。
[0069]在根據(jù)第一實施例的壓印裝置I中，檢測單元22的參數(shù)、或硬化單元2的參數(shù)或檢測單元22和硬化單元2的參數(shù)被設(shè)定成抑制由硬化單元2發(fā)射的第三光入射到檢測單元22的光接收單元22b。檢測單元22的參數(shù)是檢測單元22的在檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差時可被設(shè)定的要素，如以上所述。來自發(fā)射單元22a的第一光的波長、發(fā)射單元22a發(fā)射第一光的方向、光接收單元22b接收第一光的方向和檢測單元22(光接收單元22b)的數(shù)值孔徑中的至少一個可被設(shè)定作為檢測單元22的參數(shù)。硬化單元2的參數(shù)是硬化單元2的在用使樹脂14硬化的第三光照射樹脂14時可被設(shè)定的要素。來自硬化單元2的第三光的波長和來自硬化單元2的第三光入射到樹脂14的方向中的至少一個可被設(shè)定作為硬化單元2的參數(shù)。
[0070]例如，當檢測單元22被配置成如圖5中所示時，當滿足等式(I)時，由發(fā)射單元22a發(fā)射并由在非測量方向具有周期dm的衍射光柵的基板11的標記AW反射(衍射)的第一光入射到光接收單元22b。相反，當滿足不等式(5)時，由硬化單元2發(fā)射并由基板11的標記AW反射(衍射)的第三光入射到光接收單元22b:
[0071]dm(sinae+sin(Pa-0) )^nAe^dm(sinae+sin(Pa+0))...(5)
[0072]更具體地，為了抑制由硬化單元2發(fā)射并由基板11的標記AW反射的第三光入射到光接收單元22b，需要滿足通過反轉(zhuǎn)在不等式(5)中的不等式符號取得的不等式(6):
[0073]dm(sinae+sin(0a-9))>ηλ0 或dm(sinae+sin(0a+9))〈ηλ0...(6)
[0074]在不等式(5)和(6)中，ae是在基準軸與來自硬化單元2的第三光入射到基板11上的方向之間的角度，sin0是光接收單元22b的數(shù)值孔徑，Ae3是第三光的波長，而n是由基板11的標記AW衍射的由硬化單元2發(fā)射的第三光的光的衍射級次。注意第一光和第三光所經(jīng)過的空氣的折射率設(shè)定成I。
[0075]由此，檢測單元22和硬化單元2可被配置成滿足等式(I)和不等式(6)，以便抑制由硬化單元2發(fā)射并由基板11(標記AW)反射的第三光入射到光接收單元22b。當發(fā)射單元22a中的光路和光接收單元22b中的光路被配置成包括共用的部件時，如圖6中所示，檢測單元22和硬化單元2可被配置成滿足等式(4)和不等式(6)。根據(jù)第一實施例的壓印裝置I因而可以防止由硬化單元2發(fā)射的第三光入射到光接收單元22b造成的檢測精度降低。在通過檢測單元22來檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差時，壓印裝置I可以通過由硬化單元2用第三光照射樹脂14來使樹脂14硬化。即，模具8和基板11可以緊接在樹脂14被硬化前對準。
[0076]驅(qū)動硬化單元2的驅(qū)動機構(gòu)可被布置成使得硬化單元2中的第三光的出射角可被調(diào)整。此外，檢測單元22和硬化單元2可被配置成使得來自檢測單元22的第一光的波長和來自硬化單元2的第三光的波長彼此不同。加熱單元6和硬化單元2可被配置成使得來自加熱單元6的第二光的波長和來自硬化單元2的第三光的波長彼此不同。硬化單元2可以使用能夠改變波長的光源，或者可以將波長濾光器插入光路中以便可以調(diào)整來自硬化單元2的第三光的波長。
[0077]〈第二實施例〉
[0078]將參考圖7描述根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的壓印裝置。圖7是示出了根據(jù)第二實施例的壓印裝置中的檢測單元22、加熱單元6和硬化單元2的配置的視圖。在根據(jù)第二實施例的壓印裝置中，除了檢測單元22、加熱單元6和硬化單元2的配置以外的配置和在壓印處理中的操作序列與第一實施例中的那些相同，將不重復(fù)其描述。
[0079]多個標記(模具8的標記AM和基板11的標記AW)被布置在模具8和基板11上以便能夠檢測在圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila中的包括倍率成分、梯形成分、弓形成分等等的變形(見圖2A至圖2D)。當一個檢測單元22被配置成檢測一個標記時，可以使用多個檢測單元22。為了在壓印裝置中以高精度對準模具8和基板11，可以在至少兩個方向(例如，X和Y方向)獲取有關(guān)模具8和基板11的相對位置的信息。在此情況中，可能使用更大數(shù)目的檢測單元22。即，可以布置多個檢測單元22以便在壓印裝置中以高精度快速測量圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異。然而，當多個檢測單元22被布置在壓印裝置中時，可能難以確保用于布置多個檢測單元22的空間。
[0080]另一方面，壓印裝置需要提高圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的重疊精度。因此，在通過檢測單元22檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW時，基板11可以由加熱單元6用第二光來照射并且壓射區(qū)域Ila可被變形。在壓印裝置中，即使在通過用第三光照射樹脂14來由硬化單元2使樹脂14硬化期間通過檢測單元22檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW時，模具8和基板11也可被對準。然而，如果來自加熱單元6的第二光或來自硬化單元2的第三光被模具8或基板11反射并入射到檢測單元22上，則入射到檢測單元22上的光成為噪聲成分，而標記位置偏差檢測精度可能降低。
[0081]因此，根據(jù)第二實施例的壓印裝置被配置成使得來自檢測單元22的第一光、來自加熱單元6的第二光和來自硬化單元2的第三光具有不同的波長。根據(jù)第二實施例的壓印裝置被配置成包括含有兩個分束器232和233的光學(xué)系統(tǒng)23。分束器232被配置成限制由加熱單元6發(fā)射并由模具8或基板11反射的第二光向檢測單元22的入射。分束器233被配置成限制由硬化單元2發(fā)射并由模具8或基板11反射的第三光向檢測單元22的入射。分束器232和233可以是具有透過有著兩個不同波長中的一個波長的光并反射有著另一個波長的光的特性的二向色鏡。
[0082]在根據(jù)第二實施例的壓印裝置中，由檢測單元22發(fā)射的第一光經(jīng)過分束器232和233，并照射模具8的標記AM和基板11的標記AW。由這些標記反射的第一光再次經(jīng)過分束器232和233，并入射到檢測單元22上。由加熱單元6發(fā)射的第二光被分束器232反射，經(jīng)過分束器233，并照射基板11。由硬化單元2發(fā)射的第三光被分束器233反射并照射提供到基板上的樹脂14。壓印裝置的這個配置可以抑制由加熱單元6發(fā)射并由模具8或基板11反射的第二光和由硬化單元2發(fā)射并由模具8或基板11反射的第三光向檢測單元22入射。因此，可以防止由來自加熱單元6的第二光和來自硬化單元2的第三光向檢測單元22入射導(dǎo)致的檢測精度降低，并且模具8和基板11能夠以高精度重疊。
[0083]在根據(jù)第二實施例的壓印裝置中，檢測單元22、加熱單元6和硬化單元2的布置可被適當?shù)馗淖?。在此情況中，分束器232和233的特性也可被適當?shù)馗淖?。例如，當檢測單元22和加熱單元6的位置互換時，分束器232可被配置成反射來自檢測單元22的第一光并透過來自加熱單元6的第二光。當檢測單元22和硬化單元2的位置互換時，分束器233被配置成反射來自檢測單元22的第一光并透過來自硬化單元2的第三光。類似地，即使當加熱單元6和硬化單元2的位置互換時，分束器232和233的特性也可被適當?shù)馗淖儭?br>[0084]接下來將參考圖8描述第二實施例中的檢測單元22的配置。圖8是示出了第二實施例中的檢測單元22的配置示例的視圖。根據(jù)第二實施例的檢測單元22可以包括光源221、圖像傳感器226、用于透過由光源221發(fā)射的光的光學(xué)系統(tǒng)222和用于使得由模具8的標記AM和基板11的標記AW反射的光入射到圖像傳感器226上的光學(xué)系統(tǒng)223。由檢測單元22發(fā)射的第一光經(jīng)由反射鏡234被導(dǎo)向模具8和基板11。由模具8的標記AM和基板11的標記AW反射的第一光通過反射鏡234被導(dǎo)向檢測單元22。
[0085]例如，使用鹵素?zé)艋騆ED作為光源221，光源221被配置成發(fā)射不含會使樹脂14硬化的紫外線的光(例如，可見光線或紅外光線)。由光源221發(fā)射的光經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)222被改變?yōu)槠叫泄猓还鈱W(xué)系統(tǒng)223的棱鏡225反射，并出射為來自檢測單元22的第一光。從檢測單元22出射的第一光被靠近光學(xué)系統(tǒng)23的投射表面布置的反射鏡234轉(zhuǎn)向，并照射模具8的標記AM和基板11的標記AW。由模具8的標記AM和基板11的標記AW反射的第一光通過反射鏡234入射到檢測單元22上，經(jīng)過棱鏡225，入射到圖像傳感器226上。如以上參考圖2A至圖2D所述，模具8的標記AM和基板11的標記AW被配置成具有不同的周期。這樣，由來自這些標記行進的衍射光束之間的干涉生成的干涉條紋(莫爾條紋)在圖像傳感器226上形成為圖像。
[0086]光學(xué)系統(tǒng)222和223被配置成共享一些構(gòu)成它們的光學(xué)構(gòu)件。棱鏡225布置在光學(xué)系統(tǒng)222(光學(xué)系統(tǒng)223)的光瞳面上或附近。用于在光學(xué)系統(tǒng)222的光瞳面的外圍部分反射光的反射膜225a形成在棱鏡225的膠合面上。反射膜225a起到限制在光學(xué)系統(tǒng)222的光瞳面上的光強度分布的孔徑光闌的作用。反射膜225a也起到限制光學(xué)系統(tǒng)223的光瞳的尺寸(或數(shù)值孔徑NA)的孔徑光闌的作用。棱鏡225也可以是在膠合面上具有半透膜的半棱鏡，或者也可以不限制為棱鏡并可以是由在表面上沉積反射膜來構(gòu)建的盤狀光學(xué)元件。進一步地，為了改變光學(xué)系統(tǒng)222或223的光瞳的形狀，棱鏡225可被配置成可以由轉(zhuǎn)臺或滑動機構(gòu)(未示出)的切換機構(gòu)用具有其他孔徑形狀的棱鏡來替換。
[0087]圖9示出了光學(xué)系統(tǒng)222的光瞳面上的光強度分布和數(shù)值孔徑NA之間的關(guān)系。在圖9中，數(shù)值孔徑NAo代表光瞳的尺寸。光學(xué)系統(tǒng)222的光瞳面上的光強度分布被形成為包括四個極ILl至IL4。通過在棱鏡上布置反射膜225a作為光學(xué)系統(tǒng)222的光瞳面上的孔徑光闌，可以從一個光源221形成包括多個極ILl至IL4的光強度分布。因此，可以簡化檢測單元22的配置來縮小檢測單元22的尺寸。四個極ILl至IL4的每一個都具有直徑為NAp的圓形形狀。極ILl和IL2分別在從光瞳面的參考點0(中心)起的+Y和-Y方向被布置在間隔NAil的位置。同樣地，極IL3和IL4分別在從光瞳面的參考點O起的+X和-X方向被布置在間隔NAil的位置。
[0088]如果在衍射光柵(模具8的標記AM和基板11的標記AW)在明亮視場中被檢測(從垂直方向照射以檢測從垂直方向衍射的光)以便檢測莫爾條紋，則即使是來自衍射光柵的O級次光也被檢測。由于O級次光是降低莫爾條紋的對比度的因素，因此根據(jù)第二實施例的檢測單元采取不檢測O級次光的暗視場配置。模具8的標記AM和基板11的標記AW中的一個由棋盤格衍射光柵形成以便即使是通過執(zhí)行斜入射照明的暗視場配置也能檢測到莫爾圖像。
[0089]圖1OA和圖1OB是示出了當從X和Y方向觀察時的用于檢測模具8和基板11在X方向的相對位置的模具8的標記AM和基板11的標記AW的視圖。以下將描述由檢測單元22在模具8的標記AM和基板11的標記AW重疊的狀態(tài)下檢測莫爾條紋的原理。用于檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW在X方向的相對位置的莫爾條紋由在作為非測量方向的Y方向?qū)实臉OILl和IL2生成。
[0090]在圖1OA中，模具8的標記AM和基板11的標記AW由在Y方向?qū)实臉OILI和IL2從Y方向(非測量方向)傾斜地照射。由模具8的標記AM和基板11的標記AW在Z方向反射的光Dl不入射到檢測單元22上。相反，由在Y方向具有周期dm的衍射光柵的基板11的標記AW以角度Φπι衍射的光D2入射到檢測單元22(圖像傳感器226)上。根據(jù)第二實施例的檢測單元22從不包括O級次光的衍射光中檢測出具有最高光強度的±1級次衍射光束。以這種方式，對于Y方向(非測量方向)，模具8的標記AM從Y方向被傾斜地照射，而由基板11的標記AW在Y方向衍射的光被檢測。
[0091 ]接下來，將參考圖1OB解釋在X方向(測量方向)衍射的光。在光瞳面上Y方向?qū)实臉OILl和IL2在垂直于X方向的方向上入射到模具8的標記AM和基板11的標記AW上。此時，將檢測± I級次衍射光束，如同在Y方向那樣。由模具8的標記AM衍射為+/-1級次光和由基板11的標記AW衍射為-/+I級次光的光D4根據(jù)模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的衍射光柵的周期的差異而相對于X方向以小角度入射到檢測單元22。由模具8的標記AM和基板11的標記AW的任一個衍射的光D3在角度Φπι出射。由于光D3成為噪聲而不產(chǎn)生莫爾條紋，光D3可能不入射到檢測單元22上。
[0092]不是由模具8的標記AM也不是由基板11的標記AW在X方向衍射的光D5(O級次衍射光)被模具8的標記AM和基板11的標記AW在Z方向反射，并入射到檢測單元22上。在不被基板11的標記AW衍射的情況下被基板11反射前后的由模具8的標記AM在X方向衍射為+/-η級次衍射光和_/+η級次衍射光(總共O級次衍射光)的衍射光也入射到檢測單元22上。這些光束成為降低莫爾條紋的對比度而不形成莫爾條紋的因素。然而，在此實施例中，基板11的標記AW包括棋盤格衍射光柵，來自鄰接的光柵的衍射光束的相位偏移:π，并且衍射的光束彼此相消。結(jié)果是，光D5的強度降低，而可以檢測到高對比度的莫爾條紋。
[0093]已經(jīng)解釋了用于測量模具8和基板11在X方向的相對位置的莫爾條紋的檢測。此原理也應(yīng)用到用于測量在Y方向的相對位置的莫爾條紋的檢測。用于測量在Y方向的相對位置的莫爾條紋通過由在Y方向?qū)实臉OIL3和IL4照射兩個衍射光柵來生成。
[0094]〈第三實施例〉
[0095]將參考圖11描述根據(jù)本發(fā)明第三實施例的壓印裝置。圖11是示出了由加熱單元6發(fā)射的第二光照射的基板11的區(qū)域54的視圖。根據(jù)第三實施例的壓印裝置具有與根據(jù)第一實施例的壓印裝置的裝置配置相同的裝置配置，遂將不再重復(fù)裝置配置的描述。
[0096]即使在根據(jù)第三實施例的壓印裝置中，壓射區(qū)域Ila也可以在由檢測單元22檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW時由加熱單元6來變形，以便提高模具8和基板11之間的對準精度。然而，在此對準方法中，由加熱單元6發(fā)射的第二光被基板11的標記AW反射并入射到檢測單元22(光接收單元22b)上，而且標記位置偏差檢測精度可能降低。為了避免如此，在根據(jù)第三實施例的壓印裝置中，控制在用來自加熱單元6的第二光照射的基板11的區(qū)域54中的第二光的強度以便抑制由加熱單元6發(fā)射并由基板11的標記AW反射的第二光向檢測單元22的入射。即，控制單元7控制加熱單元6(調(diào)整單元)以使得第二光在每個包括標記AW的部分54a的強度低于第二光在除部分54a之外的部分54b的最大強度。具體地，控制單元7可以控制加熱單元6(調(diào)整單元)不用由加熱單元6發(fā)射的第二光照射基板11的標記AW。
[0097]例如，在圖4中示出的流程圖的步驟S106中，控制單元7根據(jù)圖案區(qū)域8a和壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異決定壓射區(qū)域Ila的校正量。在步驟S109中，控制單元7控制加熱單元6(調(diào)整單元)來基于在步驟S106中取得的壓射區(qū)域Ila的校正量用第二光照射基板11，以便不用來自加熱單元6的第二光照射包括標記AW的部分54a。此時，給予壓射區(qū)域Ila的溫度分布成為其中在包括標記AW的部分54a的溫度的升高被抑制的溫度分布。根據(jù)第三實施例的壓印裝置可以防止由加熱單元6發(fā)射的第二光入射到檢測單元22(光接收單元22b)導(dǎo)致的檢測精度降低。根據(jù)第三實施例的壓印裝置可以在由檢測單元22檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差時通過由加熱單元6用第二光照射基板11來使壓射區(qū)域Ila變形。即，模具8和基板11能夠以高精度重疊。
[0098]有關(guān)于不用來自加熱單元6的第二光照射基板11的標記AW對壓射區(qū)域Ila的變形的影響的擔憂。然而，一個標記AW的尺寸大約是50μπιΧ100μπι，并且即使是布置在壓射區(qū)域
IIa中的多個標記AW(在圖9中是8個)的總和也等于或小于壓射區(qū)域I Ia的尺寸26mmX 33mm的0.005%。為此，即使控制加熱單元6(調(diào)整單元)不用來自加熱單元6的第二光照射包括標記AW的部分54a，壓射區(qū)域Ila的變形也幾乎不受影響?？刂茊卧?可以控制加熱單元6(調(diào)整單元)以使得照射包括標記AM的部分的光的強度低于照射模具8的在用來自加熱單元6的第二光照射的區(qū)域中的、除包括標記AM的部分之外的部分的光的最大強度。這樣可以抑制由加熱單元6發(fā)射并由模具8的標記AM反射的第二光向檢測單元22(光接收單元22b)的入射。
[0099]〈第四實施例〉
[0100]將參考圖5，圖6和圖11描述根據(jù)本發(fā)明第四實施例的壓印裝置。根據(jù)第四實施例的壓印裝置基本上具有與根據(jù)第一實施例的壓印裝置的裝置配置相同的裝置配置，遂將僅描述差異。
[0101]即使在根據(jù)第四實施例的壓印裝置中，壓射區(qū)域Ila可以在由檢測單元22檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW時由加熱單元6來變形，以便提高模具8和基板11之間的對準精度。然而，在此對準方法中，除非由加熱單元6發(fā)射的第二光被控制，否則由基板11的標記AW反射的第二光會入射到檢測單元22(光接收單元22b)，而且標記位置偏差檢測精度可能降低。
[0102]因此，在根據(jù)第四實施例的壓印裝置中，配置檢測單元22和加熱單元6以使得控制由加熱單元6發(fā)射并由基板11的標記AW和標記AM反射的第二光入射到檢測單元22上。此外，控制單元7控制加熱單元6以使得在每個包括用來自加熱單元6的第二光照射的基板11的標記AW的部分54a的第二光的強度低于在除了部分54a之外的部分54b的第二光的最大強度。結(jié)果，位置偏差從第二光檢測。更具體地，模具8和基板11之間的位置偏差通過使用由控制單元7控制來照射部分54a的第二光來檢查?？刂茊卧?控制在部分54a的第二光的強度，只要檢測單元22的檢測信號不飽和即可。因此，由來自加熱單元6的第二光入射到光接收單元22b造成的檢測信號的飽和可被抑制，檢測精度的降低可被防止。
[0103]例如，在圖4中的流程圖的步驟S103中，如果布置為彼此面對的模具8和基板11之間的距離落入預(yù)先確定的范圍，則即使在基板上的樹脂14和模具8之間沒有任何接觸，檢測單元22也可以觀測到干涉條紋。在步驟S103中，由被控制單元7控制的發(fā)射單元22a發(fā)射的第一光被基板11的標記AW反射(衍射)并入射到光接收單元22b上?？刂茊卧?控制檢測單元22來檢測模具8的標記AM(第一標記)和基板11的標記AW(第二標記)之間的位置偏差?；趤碜詸z測單元22的檢測結(jié)果，控制單元7可以取得模具8的圖案區(qū)域8a和基板11的壓射區(qū)域Ila之間的形狀差異。隨后在步驟S104中，控制單元7控制模具驅(qū)動單元16來使模具8的圖案區(qū)域8a和基板上的樹脂14彼此接觸，S卩，縮短模具8和基板11之間的距離。
[0104]在步驟S105中，控制單元7控制檢測單元22來檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差。在根據(jù)第四實施例的壓印裝置中，設(shè)定檢測單元22的參數(shù)和加熱單元6的參數(shù)以使得由加熱單元6發(fā)射的第二光入射到檢測單元22的光接收單元22b上，而不像根據(jù)第一實施例的壓印裝置I那樣。注意檢測單元22的參數(shù)是檢測單元22的在檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差時可被設(shè)定的要素。來自發(fā)射單元22a的第一光的波長、發(fā)射單元22a發(fā)射第一光的方向、光接收單元22b接收第一光的方向和檢測單元22(光接收單元22b)的數(shù)值孔徑中的至少一個可以被設(shè)定成檢測單元22的參數(shù)。加熱單元6的參數(shù)是加熱單元6的在用第二光照射基板11以便加熱基板11時可以被設(shè)定的要素。來自加熱單元6的第二光的波長和來自加熱單元的第二光入射到基板11上的方向中的至少一個可以被設(shè)定成加熱單元6的參數(shù)。
[0105]例如，在根據(jù)第一實施例的檢測單元22的配置中，在滿足等式(7)時，由發(fā)射單元22a發(fā)射并由在非測量方向具有周期dm的衍射光柵的基板11的標記AW衍射的第一光入射到光接收單元22b:
[0106]dm(sinaa+sinPa) =mAa...(7)
[0107]其中aa是在基準軸(垂直于基板表面的軸(Z軸))和發(fā)射單元22a發(fā)射第一光的方向之間的角度，&是在基準軸與光接收單元22b接收基板11的標記AW反射的第一光的方向之間的角度，入3是第一光的波長，而m是由基板11衍射的由發(fā)射單元22a發(fā)射的第一光的光的衍射級次。
[0108]進一步地，在根據(jù)第一實施例的檢測單元22和加熱單元6的配置中，當滿足不等式(8)時，由加熱單元6發(fā)射并由基板11的標記AW衍射的第二光入射到光接收單元22b:
[0109]dm(sinah+sin(Pa-9) )^nAh^dm(sinah+sin(Pa+9))...(8)
[0110]其中，Cth是在基準軸與來自加熱單元6的第二光入射到基板11上的方向之間的角度(在此實施例中，ah = 0)，sin0是光接收單元22b的數(shù)值孔徑，入11是第二光的波長，而η是由基板11衍射的由加熱單元6發(fā)射的第二光的光的衍射級次。注意第一光和第二光所經(jīng)過的空氣的折射率設(shè)定成I。
[0111]在根據(jù)第四實施例的步驟S109中，控制單元7控制第二光滿足等式(7)和不等式
(8)以使得在每個包括基板11的標記AW的部分54a的第二光的強度低于在部分54b的第二光的最大強度。在模具8的標記AM上的衍射光柵和在基板11的標記AW上的衍射光柵被配置成在測量方向具有稍微不同的節(jié)距。為此，由模具8的標記AM和基板11的標記AW反射并入射到光接收單元22b上的光在圖像傳感器上產(chǎn)生對應(yīng)于模具8的標記AM上的衍射光柵和基板11的標記AW上的衍射光柵之間的節(jié)距差異的干涉條紋。入射到檢測單元22的第二光產(chǎn)生莫爾條紋，圖像傳感器224檢測此莫爾條紋并執(zhí)行圖像處理。因此，可以檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差。此時，控制單元7控制在部分54a的第二光的強度，只要檢測單元22的檢測信號不飽和即可。
[0112]在步驟SI10中，控制單元7控制從加熱單元6發(fā)射第二光。此外，控制單元7控制檢測單元22來檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差?；谌肷涞綑z測單元
22的第二光的檢測結(jié)果，控制單元7可以取得模具8的圖案區(qū)域8a和基板11的壓射區(qū)域11 a之間的形狀差異。
[0113]由此，檢測單元22和加熱單元6可被配置來滿足等式(7)和不等式(8)，以便由基板11(標記AW)衍射來自加熱單元6的第二光并使第二光入射到光接收單元22b上。根據(jù)第四實施例的壓印裝置可以抑制由來自加熱單元6的第二光入射到光接收單元22b引起的檢測信號飽和，并且可以防止檢測精度降低。壓印裝置可以在由檢測單元22檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差時通過由加熱單元6用第二光照射基板11來使壓射區(qū)域I Ia變形。即，模具8和基板11能夠以高精度重疊。
[0114]此實施例示例了兩個光源的使用，即一個產(chǎn)生用于檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差的第一光的光源，和一個產(chǎn)生用于加熱并變形基板11的第二光的光源。例如，可以假定這樣的情況，其中使用具有低相干性的諸如鹵素?zé)舻膶拵РㄩL的光源作為產(chǎn)生第一光的光源，而為第二光使用具有高相干性的激光。當模具8和基板11之間的距離大時，高相干性光源在模具8和基板11之間產(chǎn)生多重相干，而由光接收單元22b檢測的信號可能畸變。為此，當模具8和基板11之間的距離較大時，可以通過使用產(chǎn)生第一光的低相干性的光源檢測位置偏差來以高精度檢測位置偏差。當模具8和基板11之間的距離小時，通過使用產(chǎn)生第二光的高相干性的光源來檢測位置偏差。這樣，用于檢測位置偏差的光可以根據(jù)模具8和基板11之間的距離從第一光和第二光之中選擇。
[0115]然而，本發(fā)明并不限制于此，并且可以對于檢測模具8的標記AM和基板11的標記AW之間的位置偏差和加熱基板11 二者都使用產(chǎn)生第二光的激光光束源。在此情況中，在步驟S103中位置偏差的檢測并不執(zhí)行，而在模具8和基板11之間的距離小的狀態(tài)下執(zhí)行用第二光的位置偏差檢測。在此配置中，在圖5和圖6中產(chǎn)生第一光的發(fā)射單元22a可以被省略，以便簡化壓印裝置的配置。
[0116]〈制造物品的方法的實施例〉
[0117]根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造物品的方法適用于制造物品，諸如微器件(例如，半導(dǎo)體器件)或具有微結(jié)構(gòu)的元件。根據(jù)本實施例的制造物品的方法包括通過使用壓印裝置在涂布到基板上的樹脂上形成圖案的步驟(在基板上執(zhí)行壓印處理的步驟)，以及處理在先前的步驟中在其上形成有圖案的基板的步驟。進一步地，此制造方法包括其它熟知的步驟(例如，氧化，沉積，蒸汽沉積，摻雜，平坦化，刻蝕，脫膠，劃片，粘接和封裝)O根據(jù)本實施例的制造物品的方法在性能、質(zhì)量、生產(chǎn)率和物品的生產(chǎn)成本中的至少一個方面優(yōu)于傳統(tǒng)方法。
[0118]盡管本發(fā)明參考示范性的實施例來描述，應(yīng)理解到本發(fā)明并不限制于所公開的示范性實施例。下面的權(quán)利要求的范圍將符合最寬泛的解讀以便包含所有這樣的修改和等同結(jié)構(gòu)及功能。
[0119]本申請要求2014年I月24日遞交的日本專利申請N0.2014-011784的權(quán)益，其整體通過引用而被結(jié)合在本文中。
【主權(quán)項】
1.一種通過使用其上形成有圖案的模具來使基板的壓射區(qū)域上的壓印材料成型的壓印裝置，包括: 檢測單元，被配置成用第一光照射模具的第一標記和基板的第二標記，檢測來自第一標記和第二標記的第一光，并測量第一標記與第二標記之間的位置偏差； 加熱單元，被配置成用用于加熱的第二光經(jīng)由模具照射基板，并加熱基板以使壓射區(qū)域變形；以及 控制單元，被配置成基于位置偏差控制模具與基板之間的對準； 其中，檢測單元的參數(shù)、加熱單元的參數(shù)或檢測單元和加熱單元的參數(shù)被設(shè)定成在通過使用檢測單元來檢測來自第一標記和第二標記的第一光并且通過使用加熱單元來用第二光照射基板且加熱基板時，檢測單元不檢測由模具和基板中的至少一個反射的第二光。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，檢測單元的參數(shù)包括第一光的波長、檢測單元發(fā)射第一光的方向、檢測單元接收第一光的方向和檢測單元的數(shù)值孔徑中的至少一個。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，加熱單元的參數(shù)包括第二光的波長和第二光入射到基板上的方向中的至少一個。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中， 第一標記和第二標記中的至少一個包括衍射光柵，并且 令dm是衍射光柵的周期，?是在垂直于基板表面的基準軸與檢測單元發(fā)射第一光的方向之間的角度，化是在基準軸與檢測單元接收第一光的方向之間的角度，Clh是在基準軸與第二光入射到基板上的方向之間的角度，Sine是檢測單元的數(shù)值孔徑，Aa是第一光的波長，Ah是第二光的波長，m是由檢測單元發(fā)射的光被衍射光柵衍射的衍射級次，而η是由加熱單元發(fā)射的光被衍射光柵衍射的衍射級次，則檢測單元和加熱單元被配置成滿足: dm(sinaa+sinPa) =mAa 并且滿足:dm(sinah+sin( θ)) >nAh 或 dm (s i nah+s i η (β3+θ)) <nAh。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括波長濾光器，該波長濾光器被配置成限制由模具和基板中的至少一個反射的第二光向檢測單元的入射。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括硬化單元，該硬化單元被配置成通過用用于硬化的第三光經(jīng)由模具照射壓印材料來使壓印材料硬化， 其中，檢測單元的參數(shù)、硬化單元的參數(shù)或檢測單元和硬化單元的參數(shù)被設(shè)定成在通過使用檢測單元來檢測來自第一標記和第二標記的第一光并且通過使用硬化單元來用第三光照射壓印材料且使壓印材料硬化時，檢測單元不檢測由模具和基板中的至少一個反射的第三光。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，即使在硬化單元使壓印材料硬化期間控制檢測單元測量位置偏差時，控制單元也基于測得的位置偏差控制加熱單元對基板的加熱并且控制模具與基板之間的對準。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，硬化單元的參數(shù)包括第三光的波長和第三光入射到壓印材料上的方向中的至少一個。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中 第一標記和第二標記中的至少一個包括衍射光柵，并且 令CU是衍射光柵的周期，?是在垂直于基板表面的基準軸與檢測單元發(fā)射第一光的方向之間的角度，化是在基準軸與檢測單元接收第一光的方向之間的角度，?是在基準軸與第三光入射到基板上的方向之間的角度，Sine是檢測單元的數(shù)值孔徑，Aa是第一光的波長，λΘ是第三光的波長，m是由檢測單元發(fā)射的光被衍射光柵衍射的衍射級次，而η是由硬化單元發(fā)射的光被衍射光柵衍射的衍射級次，則檢測單元和硬化單元被配置成滿足:dm(sinaa+sinPa) =mAa并且滿足:cU( s inae+s in (β3-θ)) >nAe 或 dm( s inae+s in (Pa+Θ)) <ηλ0。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，還包括波長濾光器，該波長濾光器被配置成限制由模具和基板中的至少一個反射的第二光向檢測單元的入射。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，檢測單元包括發(fā)射單元和光接收單元，該發(fā)射單元被配置成向第一標記和第二標記發(fā)射第一光，該光接收單元被配置成接收由第一標記和第二標記反射的第一光。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，檢測單元被配置成包括在發(fā)射單元中的光路與光接收單元中的光路之間共用的部分。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，在控制檢測單元測量位置偏差時，控制單元基于測得的位置偏差來控制加熱單元對基板的加熱并且控制模具與基板之間的對準。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，第一光和第二光具有不同的波長。15.—種制造物品的方法，該方法包括: 使用壓印裝置在基板上形成圖案；以及 處理在其上形成有圖案的基板以制造物品， 其中通過使用其上形成有圖案的模具來使基板的壓射區(qū)域上的壓印材料成型的壓印裝置包括: 檢測單元，被配置成用第一光照射模具的第一標記和基板的第二標記，檢測來自第一標記和第二標記的第一光，并測量第一標記與第二標記之間的位置偏差； 加熱單元，被配置成用用于加熱的第二光經(jīng)由模具照射基板，并加熱基板以使壓射區(qū)域變形；以及 控制單元，被配置成基于位置偏差控制模具與基板之間的對準； 其中，檢測單元的參數(shù)、加熱單元的參數(shù)或檢測單元和加熱單元的參數(shù)被設(shè)定成在通過使用檢測單元來檢測來自第一標記和第二標記的第一光并且通過使用加熱單元來用第二光照射基板且加熱基板時，檢測單元不檢測由模具和基板中的至少一個反射的第二光。16.—種通過使用其上形成有圖案的模具來使基板的壓射區(qū)域上的壓印材料成型的壓印裝置，包括: 檢測單元，被配置成用第一光照射模具的第一標記和基板的第二標記，檢測來自第一標記和第二標記的第一光，并測量第一標記與第二標記之間的位置偏差； 加熱單元，被配置成用與第一光波長不同的第二光經(jīng)由模具照射基板，并加熱基板以使壓射區(qū)域變形； 控制單元，被配置成基于位置偏差來控制模具與基板之間的對準；以及 分束器，被配置成透過第一光和第二光中的一個并反射第一光和第二光中的另一個，將來自第一標記和第二標記的第一光向檢測單元引導(dǎo)，并防止由模具和基板中的至少一個反射的第二光入射到檢測單元上。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中，分束器包括二向色鏡。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，還包括: 硬化單元，被配置成通過用第三光照射壓印材料來使壓印材料硬化；以及第二分束器，被配置成透過第一光和第三光中的一個并反射第一光和第三光中的另一個，將來自第一標記和第二標記的第一光向檢測單元引導(dǎo)，并防止由模具和基板中的至少一個反射的第三光入射到檢測單元上。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中，即使在硬化單元使壓印材料硬化期間控制檢測單元測量位置偏差時，控制單元也基于測得的位置偏差來控制加熱單元對基板的加熱并且控制模具與基板之間的對準。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中，第二分束器包括二向色鏡。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中，第一光和第二光具有不同的波長。22.一種制造物品的方法，該方法包括: 使用壓印裝置在基板上形成圖案；以及 處理在其上形成有圖案的基板以制造物品， 其中，通過使用其上形成有圖案的模具來使基板的壓射區(qū)域上的壓印材料成型的壓印裝置包括: 檢測單元，被配置成用第一光照射模具的第一標記和基板的第二標記，檢測來自第一標記和第二標記的第一光，并測量第一標記與第二標記之間的位置偏差； 加熱單元，被配置成用與第一光波長不同的第二光經(jīng)由模具照射基板，并加熱基板以使壓射區(qū)域變形； 控制單元，被配置成基于位置偏差來控制模具與基板之間的對準；以及分束器，被配置成透過第一光和第二光中的一個并反射第一光和第二光中的另一個，將來自第一標記和第二標記的第一光向檢測單元引導(dǎo)，并防止由模具和基板中的至少一個反射的第二光入射到檢測單元上。23.—種通過使用其上形成有圖案的模具來使基板的壓射區(qū)域上的壓印材料成型的壓印裝置，包括: 檢測單元，被配置成用第一光照射模具的第一標記和基板的第二標記，并檢測第一標記與第二標記之間的位置偏差； 加熱單元，被配置成用用于加熱的第二光照射基板，并加熱基板以使壓射區(qū)域變形；以及 控制單元，被配置成在控制檢測單元檢測位置偏差時，基于位置偏差控制加熱單元對基板的加熱，并控制模具與基板之間的對準； 其中，控制單元在基板上形成第二光的強度分布以便將照射包括第二標記的部分的第二光的強度設(shè)定成小于照射基板的用第二光照射的區(qū)域中的、除包括第二標記的部分之外的部分的第二光的最大強度。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中，控制單元在基板上形成第二光的強度分布以便不用第二光照射包括第二標記的部分。25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中，控制單元在模具上形成第二光的強度分布以便將照射包括第一標記的部分的第二光的強度設(shè)定成小于照射模具的用第二光照射的區(qū)域中的、除包括第一標記的部分之外的部分的第二光的最大強度。26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中，檢測單元通過檢測照射模具的第一標記和基板的第二標記的用于加熱的第二光來檢測第一標記與第二標記之間的位置偏差。27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中， 第一標記和第二標記中的至少一個包括衍射光柵，并且 令dm是衍射光柵的周期，?是在垂直于基板表面的基準軸與檢測單元發(fā)射第一光的方向之間的角度，化是在基準軸與檢測單元接收第一光的方向之間的角度，Clh是在基準軸與第二光入射到基板上的方向之間的角度，Sine是檢測單元的數(shù)值孔徑，Aa是第一光的波長，Ah是第二光的波長，m是由檢測單元發(fā)射的光被衍射光柵衍射的衍射級次，而η是由加熱單元發(fā)射的光被衍射光柵衍射的衍射級次，則檢測單元和加熱單元被配置成滿足:dm(sinaa+sinPa) =mAa并且滿足: dm(sinah+sin(Pa-9) )^nAh^dm(sinah+sin(Pa+9))。28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中，控制單元根據(jù)布置成彼此相對的模具與基板之間的距離從第一光和第二光中選擇照射模具的第一標記和基板的第二標記以便由檢測單元檢測第一標記與第二標記之間的位置偏差的光。29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中，單個光源發(fā)射照射模具的第一標記和基板的第二標記以便檢測第一標記與第二標記之間的位置偏差的第一光以及用于加熱的第二光。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的裝置，其中， 第一標記和第二標記中的至少一個包括衍射光柵，并且 令dm是衍射光柵的周期，&是在垂直于基板表面的基準軸與檢測單元接收第二光的方向之間的角度，cth是在基準軸與第二光入射到基板上的方向之間的角度，sin0是檢測單元的數(shù)值孔徑，Xh是第二光的波長，而η是由加熱單元發(fā)射的光的衍射級次，則檢測單元和加熱單元被配置成滿足: dm(sinah+sin(Pa-9) )^nAh^dm(sinah+sin(Pa+9))。31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的裝置，其中，第一光和第二光具有不同的波長。32.一種制造物品的方法，該方法包括: 使用壓印裝置在基板上形成圖案；以及 處理在其上形成有圖案的基板以制造物品， 其中，通過使用其上形成有圖案的模具來使基板的壓射區(qū)域上的壓印材料成型的壓印裝置包括: 檢測單元，被配置成用第一光照射模具的第一標記和基板的第二標記，并檢測第一標記與第二標記之間的位置偏差； 加熱單元，被配置成用用于加熱的第二光照射基板，并加熱基板以使壓射區(qū)域變形；以及 控制單元，被配置成在控制檢測單元檢測位置偏差時，基于位置偏差控制加熱單元對基板的加熱，并控制模具與基板之間的對準； 其中，控制單元在基板上形成第二光的強度分布以便將照射包括第二標記的部分的第二光的強度設(shè)定成小于照射基板的用第二光照射的區(qū)域中的、除包括第二標記的部分之外的部分的第二光的最大強度。
【文檔編號】B29C59/02GK105917442SQ201580005034
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2015年1月20日
【發(fā)明人】佐藤洋, 佐藤一洋, 長谷川敬恭, 松本隆宏
【申請人】佳能株式會社