具有光提取電極的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光二極管(10)包括基板(20)、第一電極(12)、發(fā)射有源堆(14)和第二電極(18)。該第一電極和該第二電極(12，18)中的至少一個(gè)是具有金屬層(28)的光提取電極(26)。該金屬層(28)包括在該金屬層(28)上和/或在該金屬層(28)中的光散射特征(29)。該光提取特征(29)增加了從該有機(jī)發(fā)光二極管(10)的光提取。
【專利說明】具有光提取電極的有機(jī)發(fā)光二極管
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2013年12月26日提交的美國臨時(shí)專利申請?zhí)?1/920,792的優(yōu)先權(quán)，其 在此通過引用以其全文并入。
[0003] 政府支持通知
[0004] 本發(fā)明是根據(jù)能源部授予的合同號DE-EE-0003209利用政府支持進(jìn)行。美國政府 在本發(fā)明中可具有某些權(quán)力。
[0005] 發(fā)明背景 發(fā)明領(lǐng)域
[0006] 本發(fā)明大體涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，且更特別地涉及一種具有增強(qiáng)的發(fā)光性 質(zhì)的導(dǎo)電電極的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0007] 技術(shù)考慮
[0008] 有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)是具有響應(yīng)于施加電流而發(fā)射電磁輻射(諸如可見光）的 發(fā)射層的器件。發(fā)射層位于兩個(gè)電極（陽極與陰極)之間。當(dāng)電流在陽極與陰極之間通過時(shí) (即，通過發(fā)射層），發(fā)射層發(fā)射電磁能。OLED用于許多應(yīng)用中，諸如電視屏幕、計(jì)算機(jī)監(jiān)視 器、移動電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、手表、燈具和各種其他電子器件。
[0009] OLED提供了相對于常規(guī)無機(jī)器件的許多優(yōu)點(diǎn)，諸如用于顯示器和白熾燈或緊湊型 熒光燈(CLF)和其他照明應(yīng)用中的液晶。例如，OLED在無需背光的情況下發(fā)揮作用。在低環(huán) 境光中，諸如暗室中，OLED屏幕可實(shí)現(xiàn)比常規(guī)液晶顯示器更高的對比度。OLED也比液晶顯示 器更薄、更輕和更可撓。與白熾燈或緊湊型熒光燈相比較，OLED需要較少能量來操作并且可 提供成本節(jié)省。
[0010]然而，OLED器件的一個(gè)缺點(diǎn)在于由發(fā)射層產(chǎn)生的大量電磁能不是從OLED器件發(fā)射 的。大部分的所產(chǎn)生的電磁能歸因于在OLED器件的各層的界面處的電磁輻射的反射所造成 的"光波導(dǎo)效應(yīng)"而陷留在OLED器件內(nèi)。在典型的OLED照明器件中，從發(fā)射層發(fā)射的約80% 可見光歸因于此光波導(dǎo)效應(yīng)而陷留在OLED器件中。因此，由發(fā)射層產(chǎn)生的光的僅約20%實(shí) 際上被OLED器件發(fā)射。
[0011] 與常規(guī)的OLED器件相比，有利的是提供一種其中從OLED器件發(fā)射由發(fā)射層產(chǎn)生的 更多電磁輻射的OLED器件。例如，有利的是提供一種方法來減少OLED器件的至少一層中的 光波導(dǎo)效應(yīng)以增加 OLED發(fā)射。還有利的是提供一種制造具有減少的光波導(dǎo)效應(yīng)的OLED器件 的方法，以促進(jìn)從OLED器件的增加的電磁發(fā)射。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 現(xiàn)將在以下編號條款(clause)中描述本發(fā)明的方面：
[0013] 條款1: 一種有機(jī)發(fā)光二極管，其包括：基板；第一電極；發(fā)射有源堆（active stack);和第二電極。第一電極和第二電極中的至少一個(gè)為包括金屬層的光提取電極。金屬 層在金屬層上和/或在金屬層中包括光散射特征(feature)。
[0014] 條款2:如條款1的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光散射特征選自凸出物、樹突狀物 (dendrite)、裂紋、空隙、與金屬層不同密度的區(qū)域，以及與金屬層不同化學(xué)組成的區(qū)域。
[0015] 條款3:如條款1或2的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光散射特征包括凸出物。
[0016] 條款4:如條款1-3中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光散射特征包括凸出物，該凸 出物具有5nm至IOOnm的范圍的高度，諸如IOnm至80nm、諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm， 諸如30nm至50nm。
[0017]條款5.如條款1-4中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光散射特征包括凸出物，且其 中凸出物的至少一些具有5nm的最小高度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如 30nm、諸如 35nm、諸如 40nm、諸如 50nm。
[0018]條款6:如條款1-5中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光散射特征包括凸出物，且其 中凸出物的至少一些具有IOOnm的最大高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如60nm、諸 如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm。
[0019] 條款7:如條款1-6中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光散射特征的至少一些為樹 關(guān)狀。
[0020] 條款8:如條款7項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中樹突狀光散射特征的至少一些具有10 微米至50微米的范圍內(nèi)的直徑，諸如10微米至40微米、諸如20微米至40微米、諸如30微米至 40微米。
[0021] 條款9:如條款1-8中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中金屬層包括選自鉑、銥、鋨、 鈀、鋁、金、銅、銀及其混合物和/或合金的至少一種金屬。
[0022] 條款10:如條款1-9中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中金屬層包括金屬銀。
[0023 ]條款11:如條款1-10中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光提取電極為多層結(jié)構(gòu)，該 多層結(jié)構(gòu)包括具有光散射特征的金屬層。
[0024] 條款12:如條款1-11中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光提取電極為陽極。
[0025] 條款13:如條款1-12中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中第二電極是透明的。
[0026] 條款14:如條款1-13中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中第二電極比第一電極更接 近基板。
[0027] 條款15:如條款1-14中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其包括位于金屬層與基板之間 的底層。
[0028] 條款16:如條款15的有機(jī)發(fā)光二極管，其中底層包括選自硅、鈦、鋁、鋯、磷、鉿、鈮、 鋅、鉍、鉛、銦、錫及其合金和混合物的氧化物的一種或多種金屬氧化物材料。
[0029]條款17:如條款15或16的有機(jī)發(fā)光二極管，其中底層選自均質(zhì)層、梯度層和多層結(jié) 構(gòu)。
[0030] 條款18:如條款15-17中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中底層包括氧化鋅層和錫酸 鋅層的至少一種。
[0031] 條款19:如條款15-18中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中底層包括在錫酸鋅層上方 的氧化鋅層。
[0032]條款20:如條款1-19中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其包括在金屬層上方的底漆層。 [0033]條款21:如條款第20項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中底漆層包括選自鈦、硅、二氧化硅、 氮化硅、氮氧化硅、鎳-鉻合金、鋯、鋁、硅鋁合金、含鈷和鉻的合金及其混合物的材料。
[0034] 條款22:如條款20或21的有機(jī)發(fā)光二極管，其中底漆層包括鈦。
[0035] 條款23:如條款1-22中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其包括在金屬層上方的頂部層。 [0036]條款24:如條款23項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中頂部層包括選自鋅、錫、鋯、鋁、硅、銦 及其混合物的氧化物的至少一種氧化物材料。
[0037]條款25:如條款23或24的有機(jī)發(fā)光二極管，其中頂部層包括錫酸鋅。
[0038]條款26:如條款23或24的有機(jī)發(fā)光二極管，其中頂部層包括二氧化硅和氧化鋁的 混合物。
[0039] 條款27:如條款23或24的有機(jī)發(fā)光二極管，其中頂部層包括選自銦錫氧化物、鋁鋅 氧化物和銦鋅氧化物的導(dǎo)電層。
[0040] 條款28:如條款1-27中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中第一電極為選自鋇、鈣和鎂 的陰極。
[0041 ]條款29:如條款1-28中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中第一電極是不透明和/或反 射性的。
[0042]條款30:如條款1-29中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中基板包括玻璃。
[0043]條款31:如條款1-30中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光提取電極具有1Ω/□至 20〇/口的范圍內(nèi)的薄層電阻，諸如1〇/口至15〇/口、諸如1〇/口至1(^/口、諸如1〇/口 至 8 Ω/□、諸如 2Ω / □至8 Ω/□、諸如 4Ω / □至8 Ω / 口。
[0044] 條款32:如條款1-31中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光提取電極具有50 %至 97%的范圍內(nèi)的可見光透射率，諸如70%至95%、諸如75%至95%、諸如80%至95%、諸如 85%至95%、諸如88%至95%、諸如90%至95%。
[0045] 條款33 :如條款1-32中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光提取電極具有0.5%至 10%的霧度，諸如1 %至10%、諸如1 %至8%。
[0046]條款34:如條款1-33中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中光提取電極具有5nm至60nm 的范圍內(nèi)的均方根表面粗糙度，諸如25nm至60nm、諸如40nm至60nm、諸如50nm至60nm。
[0047] 條款35:如條款1-34中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中基板包括玻璃，其中第一電 極為陰極，其中光提取電極為陽極，其中光散射特征包括從基板的第一表面延伸的凸出物， 且其中凸出物的至少一些具有20nm至60nm的范圍內(nèi)的高度。
[0048] 條款36:如條款1-35中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其中基板包括玻璃，其中第一電 極為陰極，其中第一電極是不透明和/或反射性的，其中光提取電極為陽極，其中陽極比第 一電極更接近基板，其中金屬層包括金屬銀，其中光散射特征包括從基板的第一表面延伸 的凸出物，且其中凸出物的至少一些具有20nm至60nm的范圍內(nèi)的高度。
[0049]條款37:如條款35或36的有機(jī)發(fā)光二極管，其包括位于金屬層與基板之間的底層， 其中底層包括在錫酸鋅層上方的氧化鋅層。
[0050]條款38:如條款35-37中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其包括在金屬層上方的底漆 層，其中底漆層包括鈦。
[0051 ]條款39:如條款35-38中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管，其包括在金屬層上方的頂部 層，其中頂部層選自錫酸鋅、二氧化硅和氧化鋁的混合物、銦錫氧化物、鋁鋅氧化物和銦鋅 氧化物。
[0052]條款40:-種制造有機(jī)發(fā)光二極管的方法，該方法包括：提供第一電極、發(fā)射有源 堆，以及在基板上方的第二電極。第一電極和第二電極中的至少一個(gè)為包括金屬層的光提 取電極。金屬層包括在金屬層上和/或在金屬層中的光散射特征。
[0053]條款41:如條款40的方法，其中光散射特征選自凸出物、樹突狀物、裂紋、空隙、與 金屬層不同密度的區(qū)域，以及與金屬層不同化學(xué)組成的區(qū)域。
[0054]條款42:如條款40或41項(xiàng)的方法，其中光散射特征包括凸出物。
[0055]條款43:如條款40-42中任一項(xiàng)的方法，其中光散射特征包括凸出物，該凸出物具 有5nm至I OOnm的范圍內(nèi)的高度，諸如I Onm至80nm、諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm、諸如 30nm至50nm。
[0056] 條款44:如條款40-43中任一項(xiàng)的方法，其中光散射特征包括凸出物，且其中凸出 物的至少一些具有5nm的最低高度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸 如35nm、諸如40nm、諸如50nm。
[0057] 條款45:如條款40-44中任一項(xiàng)的方法，其中凸出物的至少一些具有IOOnm的最大 高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如60nm、諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm〇
[0058] 條款46:如條款40-45中任一項(xiàng)的方法，其中光散射特征的至少一些為樹突狀。 [0059]條款47:如條款46項(xiàng)的方法，其中樹突狀光散射特征的至少一些具有10微米至50 微米的范圍內(nèi)的直徑，諸如10微米至40微米、諸如20微米至40微米、諸如30微米至40微米。 [0060]條款48:如條款40-47中任一項(xiàng)的方法，其中光提取電極為陽極。
[0061 ]條款49:如條款40-48中任一項(xiàng)的方法，其中光散射特征由選自以下的至少一種方 法提供:將金屬層暴露于氧;加熱金屬層;將金屬層暴露于激光;將金屬層暴露于氧等離子 體處理；以及摻雜金屬層。
[0062]條款50:如條款40-49中任一項(xiàng)的方法，包括將金屬層暴露于氧持續(xù)1分鐘至20分 鐘的范圍內(nèi)的時(shí)間段，諸如1分鐘至10分鐘、諸如1分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至5分鐘、諸如3 分鐘至4.5分鐘。
[0063]條款51:如條款40-50中任一項(xiàng)的方法，包括將金屬層加熱至400°C至1000°C的范 圍內(nèi)的溫度，諸如500°C至900°C、諸如600°C至800°C、諸如700°C至800°C、諸如700°C至750 cC。
[0064]條款52:如條款40-51中任一項(xiàng)的方法，包括用選自銅、鋁和鋅的摻雜物摻雜金屬 層。
[0065]條款53:如條款40-52中任一項(xiàng)的方法，包括將第二電極定位成比第一電極更接近 基板。
[0066]條款54:如條款40-53中任一項(xiàng)的方法，包括在金屬層與基板之間提供底層。
[0067]條款55:如條款第54的方法，其中底層包括氧化鋅層和錫酸鋅層的至少一種。
[0068]條款56:如條款40-55中任一項(xiàng)的方法，包括在金屬層上方提供底漆層。
[0069]條款57:如條款第56的方法，其中底漆層包括鈦。
[0070]條款58:如條款40-57中任一項(xiàng)的方法，包括在金屬層上方提供頂部層。
[0071]條款59:如條款第58的方法，其中頂部層選自錫酸鋅、二氧化硅和氧化鋁的混合 物、銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鋅氧化物及其混合物。
[0072]條款60:如條款40-59中任一項(xiàng)的方法，其中金屬層包括銀。
[0073]條款61: -種光提取電極，其包括:金屬層，其中金屬層在金屬層上和/或在金屬層 中包括光散射特征。
[0074]條款62:如條款61的光提取電極，其中光散射特征選自凸出物、樹突狀物、裂紋、空 隙、與金屬層不同密度的區(qū)域，以及與金屬層不同化學(xué)組成的區(qū)域。
[0075]條款63:如條款61或62項(xiàng)的光提取電極，其中光散射特征包括凸出物。
[0076]條款64:如條款61-63中任一項(xiàng)的光提取電極，其中光散射特征包括凸出物，該凸 出物具有IOnm至80nm的范圍內(nèi)的高度，諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm、諸如30nm至 50nm〇
[0077]條款65:如條款61-64中任一項(xiàng)的光提取電極，其中光散射特征包括凸出物，且其 中該凸出物的至少一些具有5nm的最低高度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸 如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如50nm。
[0078]條款66:如條款61-65中任一項(xiàng)的光提取電極，其中光散射特征包括凸出物，且其 中該凸出物的至少一些具有IOOnm的最大高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如60nm、 諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm。
[0079]條款67:如條款61-66中任一項(xiàng)的光提取電極，其中光散射特征的至少一些為樹突 狀。
[0080] 條款68:如條款67的光提取電極，其中樹突狀光散射特征的至少一些具有10微米 至50微米的范圍內(nèi)的直徑，諸如10微米至40微米、諸如20微米至40微米、諸如30微米至40微 米。
[0081] 條款69:如條款61-67中任一項(xiàng)的光提取電極，其中金屬層包括至選自鉑、銥、鋨、 鈀、鋁、金、銅、銀及其混合物和/或合金的至少一種金屬。
[0082]條款70:如條款61 -69中任一項(xiàng)的光提取電極，其中金屬層包括金屬銀。
[0083] 條款71:如條款61-70中任一項(xiàng)的光提取電極，其中光提取電極為多層結(jié)構(gòu)，該多 層結(jié)構(gòu)包括具有光散射特征的金屬層。
[0084] 條款72:如條款61-71中任一項(xiàng)的光提取電極，其包括包含一種或多種金屬氧化物 材料的底層，該一種或多種金屬氧化物材料選自硅、鈦、鋁、鋯、磷、鉿、鈮、鋅、鉍、鉛、銦、錫 及其合金與混合物的氧化物。
[0085]條款73:如條款72的光提取電極，其中底層包括氧化鋅層和錫酸鋅層的至少一種。 [0086]條款74:如條款72或73的光提取電極，其中底層包括在錫酸鋅層上方的氧化鋅層。 [0087]條款75:如條款61-74中任一項(xiàng)的光提取電極，其包括在金屬層上方的底漆層，其 中底漆層包括選自鈦、硅、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、鎳-鉻合金、鋯、鋁、硅鋁合金、含鈷 和鉻的合金及其混合物。
[0088]條款76:如條款75的光提取電極，其中底漆層包括鈦。
[0089]條款77:如條款61-76中任一項(xiàng)的光提取電極，其包括在金屬層上方的頂部層。 [0090]條款78:如條款77項(xiàng)的光提取電極，其中頂部層包括選自鋅、錫、鋯、鋁、硅、銦及其 混合物的氧化物的至少一種氧化物材料。
[0091]條款79:如條款77或78的光提取電極，其中頂部層包括錫酸鋅。
[0092]條款80:如條款77或78項(xiàng)的光提取電極，其中頂部層包括二氧化硅和氧化鋁的混 合物。
[0093]條款81:如條款77或78的光提取電極，其中頂部層包括選自銦錫氧化物、鋁鋅氧化 物和銦鋅氧化物的導(dǎo)電層。
[0094]條款82:-種如條款1-39中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管在顯不設(shè)備尤其是選自以下 的顯示設(shè)備中的用途:計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、計(jì)算機(jī)屏幕、移動電話、電視屏幕、個(gè)人數(shù)字助理、手 表以及照明器件。
[0095] 條款83: -種如條款61至81中任一項(xiàng)的光提取電極在OLED器件中的用途。
[0096]條款84:-種如條款61至81中任一項(xiàng)的光提取電極在顯示設(shè)備尤其是選自以下的 顯示設(shè)備中的用途:計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、計(jì)算機(jī)屏幕、移動電話、電視屏幕、個(gè)人數(shù)字助理、手表 以及照明器件。
[0097] 附圖簡述
[0098] 圖1是說明并入本發(fā)明的光散射電極的本發(fā)明的OLED器件的側(cè)視截面圖；
[0099] 圖2是并入額外任選的層的圖1的OLED器件的側(cè)視截面圖；
[0100] 圖3是加熱后(實(shí)施例1)的樣品Ic的顯微圖；
[0101] 圖4是圖3的樣品Ic的三維原子力顯微圖（50微米乘50微米）；
[0102]圖5是三個(gè)月后圖3的樣品Ic的顯微圖；
[0103]圖6是圖5的樣品Ic的二維原子力顯微圖（50微米乘50微米）；
[0104] 圖7是加熱后樣品7c(來自實(shí)施例2)的顯微圖；
[0105] 圖8是圖7的樣品7c的二維原子力顯微圖（50微米乘50微米）；且 [0106]圖9是圖7的樣品7c的三維原子力顯微圖（50微米乘50微米）。
[0107] 優(yōu)選方面的描述
[0108] 如本文所用，空間或方向術(shù)語，諸如"左"、"右"、"內(nèi)部"、"外部"、"上面"、"下面"等 如其在附圖所示那樣涉及本發(fā)明。應(yīng)理解，本發(fā)明可假定各種替代定向，且因此，此類術(shù)語 不應(yīng)被理解為是限制性的。本說明書和權(quán)利要求中所使用的所有數(shù)字應(yīng)理解為在所有情況 下由術(shù)語"約"修飾。本文公開的所有范圍應(yīng)理解為涵蓋開始范圍值和結(jié)束范圍值和包含在 其中的任何與所有子范圍。本文提出的范圍表示超過指定范圍的平均值。本文涉及的所有 文件應(yīng)視為全部內(nèi)容"以引用的方式并入"。
[0109] 術(shù)語"膜"指的是具有所期望或選擇的組成的涂層區(qū)。"層"包括一個(gè)或多個(gè)"膜"。 "涂層"或"堆"包括一個(gè)或多個(gè)"層"。術(shù)語"有機(jī)材料"包括聚合物以及小分子有機(jī)材料，諸 如用于制造有機(jī)光電子器件的材料。術(shù)語"上方"意指"上"或"上面"。術(shù)語"聚合物"或"聚合 物型"包含低聚物、均聚物、共聚物和三元共聚物。術(shù)語"可見光"意指波長范圍為380nm至 780nm的電磁能。術(shù)語"紅外福射"意指波長范圍大于780nm至100，OOOnm的電磁能。術(shù)語"紫 外福射"意指波長范圍為IOOnm至小于380nm的電磁能。
[0110]出于以下討論的目的，本發(fā)明將參考底部發(fā)射OLED器件來討論。然而，應(yīng)理解，本 發(fā)明不限于使用底部發(fā)射OLED器件，但是可以頂部發(fā)射OLED器件和也以其他領(lǐng)域中的器件 實(shí)踐，例如，太陽能電池，諸如光伏薄膜太陽能電池。
[0111] 本發(fā)明包含本發(fā)明的以任何組合的以下方面、由該方面組成、或?qū)嵸|(zhì)上由該方面 組成。在本文的單獨(dú)附圖中說明了本發(fā)明的各個(gè)方面。然而，應(yīng)了解，此僅是為了便于說明 與討論。在本發(fā)明的實(shí)踐中，一個(gè)附圖所示的本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面可與一個(gè)或多個(gè)其 他附圖所示的本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面組合。
[0112] 并入本發(fā)明的特征的基礎(chǔ)的OLED器件(OLED) 10如圖1所示。OLED器件10包括第一 電極(例如，頂部電極）12、并入電致發(fā)光發(fā)射層16的有源堆14、第二電極(例如，底部電極） 18和基板20?；?0具有第一表面22(例如，頂部表面)和第二表面24(例如，底部表面）。發(fā) 射層16可包括電致發(fā)光發(fā)射有機(jī)材料。
[0113]為了以下討論的目的，將OLED 10描述為底部發(fā)光0LED。第一電極12將被視為"陰 極"且第二電極18將被視為"陽極"。然而，此僅是為了便于描述本發(fā)明，且不應(yīng)被視為是限 制性的。電極的位置可顛倒，諸如用于頂部發(fā)射0LED。本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解常規(guī)OLED器件 的一般結(jié)構(gòu)和操作，且因此不再贅述。
[0114] 在本發(fā)明的實(shí)踐中且如下文所述，第一和第二電極12、18的至少一個(gè)為并入本發(fā) 明的一個(gè)或多個(gè)方面的光提取電極26。光提取電極26可為并入一個(gè)或多個(gè)光提取特征29的 單金屬層28,下文將更詳細(xì)描述。光提取電極26也可為并入至少一個(gè)金屬層28和一個(gè)或多 個(gè)任選的層的多層結(jié)構(gòu)，下文將更詳細(xì)描述。
[0115] 在以下討論中，將相對于第二電極18(例如陽極)描述光提取電極26。為了便于討 論，光提取電極26(例如陽極)在本文將被稱為"電極"（或"陽極"），而不管光提取電極26為 單金屬層28或?yàn)榘ń饘賹?8以及存在用于除電子傳輸之外的功能的一個(gè)或多個(gè)額外任 選的層的多層結(jié)構(gòu)。OLED的第一和第二電極12、18二者可為透明的或者一個(gè)電極可為透明 的且另一個(gè)電極可為不透明的（例如，反射性的）。對于底部發(fā)射0LED，第二電極18(最接近 基板20)優(yōu)選對所產(chǎn)生的電磁輻射為透明的。
[0116]如本文中使用，"透明"意指在一個(gè)或多個(gè)期望的波長下電磁輻射的透射率為至少 50% (例如，在550納米(nm)的波長下的可見光透射率），諸如至少60 %、諸如至少70 %、諸如 至少80%、諸如至少90%、諸如至少95%。如本文中使用，"不透明"意指在一個(gè)或多個(gè)期望 的波長下電磁輻射的透射率為小于50% (諸如在550nm的波長下的可見光透射率），諸如小 于40%、諸如小于30%、諸如小于20%、諸如小于10%、諸如小于5%、諸如0%。如本文中使 用，"反射性"意指有源堆14產(chǎn)生的電磁能的至少一部分被電極反射。
[0117] 用于陰極(例如在所示實(shí)施例中的第一電極12)的合適材料的實(shí)例包括金屬，諸如 鋇、鈣和鎂。陰極通常具有低功函。對于其中光發(fā)射僅來自或主要來自器件10的底部的OLED (通過器件10的基板側(cè)），第一電極12可為不透明和/或反射性的。例如，第一電極12可反射 或至少部分反射有源堆14產(chǎn)生的光的至少一部分。第一電極12可反射至少20%，諸如至少 30%、諸如至少40%、諸如至少50%、諸如至少60%、諸如至少70%、諸如至少80%、諸如至 少90 %的具有550nm波長的電磁能。第一電極12可為具有高導(dǎo)電率的相對厚反射金屬層。備 選地，若期望從器件10的頂部發(fā)出，則第一電極12可為透明的。
[0118] 有源層14可包括任何常規(guī)發(fā)射層16。適于發(fā)射層16的材料的實(shí)例包括小分子，諸 如有機(jī)金屬螯合物(例如，Alq3)、焚光和磷光染料、和共輒樹枝狀聚合物。合適材料的進(jìn)一 步實(shí)例包括三苯胺、二萘嵌苯、紅熒烯、喹吖啶酮。備選地，可使用電致發(fā)光聚合材料。導(dǎo)電 聚合物的實(shí)例包括聚(對苯撐亞乙稀）（poly(p-phenylene vinyIene))和聚荷。也可使用磷 光材料。此種材料的實(shí)例包括聚合物，諸如聚(η-乙烯基咔唑），其中添加諸如銥絡(luò)合物的有 機(jī)金屬絡(luò)合物作為摻雜物。
[0119] 對于底部發(fā)射0LED，基板20優(yōu)選為透明的?；?0的合適材料的實(shí)例包括玻璃，諸 如常規(guī)鈉鈣硅酸鹽玻璃，諸如浮法玻璃。對于諸如照明設(shè)備的應(yīng)用，基板20在550納米(nm) 的參考波長和3.2mm的參考厚度下具有高可見光透射率。"高可見光透射率"意指至少85% 的可見光透射率（在550nm的參考波長和3.2mm的參考厚度下），諸如至少87%、諸如至少 90%、諸如至少91 %、諸如至少92%、諸如至少93%、諸如至少95%。
[0120] 可用于本發(fā)明的玻璃的實(shí)例包括Starphire?、SolarpMre?，. So I arphire?PV,和CLEAR?玻璃，均商購自賓夕法尼亞州匹茲堡市PPGIndus tries， Inc0
[0121 ] 基板20可具有任何期望的厚度，諸如在0.5mm至IOmm的范圍內(nèi)諸如Imm至IOmm諸如 Imm至 4mm 諸如2mm至 3.2mm。
[0122] 如圖1所示，光提取電極26可為或者可包括具有增加光提取電極26的霧度（即，光 散射)的光散射特征29的金屬層28。
[0123] 適于金屬層28的材料的實(shí)例包括金屬鉑、銥、鋨、鈀、鋁、金、銅、銀和/或其混合物 和/或合金。在優(yōu)選方面中，金屬層28為金屬銀或者包括金屬銀。
[0124] 光散射特征29位于金屬層28中和/或金屬層28的表面上。光散射特征29是金屬層 28的一部分或被并入金屬層28中。光散射特征29并非沉積在金屬層28上的單獨(dú)涂層或?qū)拥?一部分。
[0125] 光散射特征29的實(shí)例包括缺陷和/或樹突狀物。"樹突狀物"或"樹突狀"意指金屬 層28中或上的分支、樹形特征。例如，樹突狀物可為晶體或結(jié)晶塊體。缺陷"意指金屬層28中 和/或金屬層28上散射電磁輻射的點(diǎn)/或區(qū)和/或區(qū)域。缺陷的實(shí)例包括從金屬層表面延伸 的凸出物、金屬層28中和/或金屬層28上形成的裂紋或空隙、金屬層28中和/或金屬層28上 的不同密度區(qū)域，以及金屬層28上中和/或金屬層28上的不同化學(xué)組成的區(qū)域。光散射特征 29的存在使電磁能散射且?guī)椭鷾p少上述波導(dǎo)效應(yīng)。
[0126] 例如，樹突狀物可具有10微米至50微米的范圍內(nèi)的直徑，諸如10微米至40微米、諸 如20微米至40微米、諸如30微米至40微米。例如，樹突狀物可具有30微米至35微米的范圍內(nèi) 的平均直徑。
[0127] 例如，樹突狀物和/或缺陷可包括從金屬層28的表面（例如上表面22)向上延伸的 凸出物。例如，凸出物的至少一些可具有IOnm至80nm的范圍內(nèi)的高度(相對于金屬層28的表 面），諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm、諸如30nm至50nm。例如，凸出物的至少一些可具有 30nm至50nm的高度。
[0128] 例如，凸出物的至少一些可具有5nm的最小高度，諸如10nm、諸如15nm，諸如20nm、 諸如25nm、諸如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如50nm。
[0129] 例如，凸出物的至少一些可具有IOOnm的最大高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如 70nm、諸如60nm、諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm。
[0130] 圖2說明了額外任選的層，其一個(gè)或多個(gè)可被并入光提取電極26中。這些額外任選 的層將描述為"電極"的部分，即使可存在一個(gè)或多個(gè)任選的層用于除電子傳輸之外的功 能。
[0131]光提取電極26可并入位于金屬層28與基板20的頂部表面22之間的任選的底層30。
[0132] 底層30可為均質(zhì)層、梯度層和/或可包含多個(gè)層或膜。"均質(zhì)層"意指其中材料隨機(jī) 分布在整個(gè)涂層中的層。"梯度層"意指具有兩種或更多種組分的層，其中組分的濃度隨著 離基板的距離變化而連續(xù)變化(或階式(step))。
[0133] 底層30可包括一種或多種金屬氧化物材料。適用于底層30的氧化物材料的實(shí)例包 括硅、鈦、鋁、鋯、磷、鉿、鈮、鋅、鉍、鉛、銦、錫、及其合金和混合物的氧化物。
[0134] 例如，底層30可包括至少二氧化硅和二氧化鈦的混合物。例如，底層30可包括二氧 化硅、二氧化鈦和磷氧化物的混合物。
[0135] 底層30可具有IOnm的最小厚度，諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸如 35nm、諸如40nm、諸如45nm、諸如50nm、諸如55nm、諸如60nm、諸如65nm、諸如70nm、諸如80nm、 諸如 90nm、諸如 100nm、諸如 11〇11111、諸如11511111。
[0136] 底層30可具有120nm的最大厚度，諸如115nm、諸如110腦、諸如105腦、諸如100腦、 諸如95nm、諸如90nm、諸如85nm、諸如80nm、諸如75nm、諸如70nm、諸如65nm、諸如60nm、諸如 55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm、諸如30nm、諸如25nm、諸如20nm。
[0137] 在優(yōu)選方面中，底層30具有IOnm至120nm的范圍內(nèi)的厚度，諸如30nm至80nm、優(yōu)選 30nm 至 80nm、更優(yōu)選 30nm 至 70nm。
[0138] 底層30可包括含鋅層，諸如并入鋅的氧化物。合適的含鋅層的實(shí)例包括氧化鋅層、 包括鋅和錫組合的層、鋅合金氧化物層、鋅-錫合金氧化物層、錫酸鋅層和Zn 2SnO4t3例如，含 鋅層可包括氧化鋅層和錫酸鋅層的至少一種。
[0139] 可從鋅目標(biāo)物(target)沉積包括一種或多種其他材料的含鋅層以改良目標(biāo)物的 濺射特性，以便增加鋅目標(biāo)物的導(dǎo)電率。例如，鋅目標(biāo)物可包括少量(例如，至多1 〇重量％、 諸如至多5重量％ )材料以改良濺射。在此情況下，所得鋅氧化物層將包含少百分比的添加 材料的氧化物，例如，至多10重量％的材料氧化物，例如，至多5重量％的材料氧化物。從鋅 目標(biāo)物沉積具有至多10重量％的額外材料以增強(qiáng)鋅目標(biāo)物的濺射特性的層在本文中稱為 "鋅氧化物層"，即使可存在少量的添加材料(例如，材料氧化物）。
[0140] 可被添加至鋅目標(biāo)物以改良濺射的材料的實(shí)例包括導(dǎo)電金屬。例如，所添加的材 料可選自？6、]^^1、〇6、511、513、^\2廣附、8丨、11、(：〇、0、5丨及其組合。
[0141 ]在優(yōu)選方面中，所添加的材料為錫。據(jù)信鋅目標(biāo)物中的少量錫(例如，小于或等于 10重量％，諸如小于或等于5重量％ )會在主要鋅氧化物層中形成錫氧化物。如上文所討論， 這樣的層將被稱為"鋅氧化物"層。
[0142] 底層30可包括或可為錫酸鋅層。"錫酸鋅"意指下式的組分:ZnxSm-X02-x(式1)，其 中"X"在大于0至小于1的范圍內(nèi)變化。例如，"X"可大于0且可為大于0至小于1之間的任何分 數(shù)或小數(shù)。錫酸鋅層具有占主要量的一種或多種形式的式1。
[0143] 在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，x = 2/3。其中x = 2/3的錫酸鋅層通常被稱為uZn2SnO4'
[0144] 底層30可為多層結(jié)構(gòu)，其具有沉積于基板12的頂部表面22的至少一部分上方的第 一層32和沉積于第一層32上方的第二層34。例如，第一層32可為金屬合金氧化物膜且第二 層34可為金屬氧化物或氧化物混合物層。例如，第一層32可為鋅/錫合金氧化物。"鋅/錫合 金氧化物"意指真實(shí)的合金以及氧化物的混合物兩者。一種合適的金屬合金氧化物材料為 錫酸鋅。在優(yōu)選方面中，錫酸鋅為Zn 2Sn〇4。
[0145] 第二層34可為金屬氧化物層，諸如鋅氧化物（如上文所述具有或不具有錫氧化 物）。在優(yōu)選方面中，第一層32為錫酸鋅層且第二層34為鋅氧化物層。在更優(yōu)選方面中，第一 層32為Zn 2SnO4且第二層34為鋅氧化物(具有至多10重量％錫氧化物，諸如至多5重量％錫氧 化物）。
[0146] 第一層32可具有5nm的最小厚度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如 30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如45nm、諸如50nm、諸如55nm。
[0147] 第一層32可具有60nm的最大厚度，諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm、諸如 35]1111、諸如3〇11111、諸如2511111、諸如2〇11111、諸如1511111、諸如1〇11111。
[0148] 在優(yōu)選方面中，第一層32具有5nm至60nm的范圍內(nèi)的厚度，諸如5nm至50nm、諸如 7 · 5nm 至 35nm、諸如 IOnm 至 25nm、諸如 15nm 至 25nm、諸如 19 · 5nm 至 25nm、諸如 20nm 至 25nm、諸 如20nm至22nm。
[0149] 第二層34可具有5nm的最小厚度，諸如8nm、諸如10nm、諸如12nm、諸如14nm、諸如 16]1111、諸如1811111。
[0150] 第二層34可具有20nm的最大厚度，諸如18nm、諸如16nm、諸如14nm、諸如12nm、諸如 10nm、諸如 8nm、諸如 6nm。
[0151 ] 在優(yōu)選方面中，第二層34具有5nm至20nm的范圍內(nèi)的厚度、諸如7 · 5nm至20nm、諸如 IOnm至15nm、諸如 IOnm至11nm。
[0152]任選的底漆層36可提供在金屬層28上方。底漆層38可為單一膜或多個(gè)膜層。底漆 層38可包含在沉積工藝期間可犧牲的捕氧材料，以控制濺射工藝期間或隨后之加熱工藝期 間金屬層28的降解或氧化。用于底漆層38的材料的實(shí)例包括鈦、硅、二氧化硅、氮化硅、氮氧 化硅、鎳-鉻合金(諸如Inconel)、鋯、鋁、硅鋁合金、含鈷和鉻的合金(例如，Stel IUe⑧） 和其混合物。
[0153] 例如，底漆層36可為或可包括鈦。
[0154] 底漆層36可具有0 · 5nm至5nm的范圍內(nèi)的厚度例如0 · 5nm至3nm、例如0 · 5nm至lnm、 例如0 · 5至0 · 6nm〇
[0155] 任選的頂部層38可被提供在底漆層36上方(若存在)或在金屬層28上方(若不存在 底漆層36)。頂部層38可為保護(hù)層以為下伏層提供機(jī)械或化學(xué)耐久性。
[0156] 頂部層38可包括一種或多種金屬氧化物、硅氧化物、鋁氧化物、鋁硅酸鹽、氮化硅、 碳化硅和硅碳氧化物。適于頂部層38的材料的實(shí)例包括鋯、鋅、錫、鋁、硅和其混合物和/或 合金中的一種或多種的氧化物。例如，頂部層38可包括鋅和錫。例如，頂部層38可為鋅氧化 物和錫氧化物和/或鋅和錫的合金(諸如錫酸鋅)的混合物。
[0157] 例如，頂部層38可為包括0重量％至100重量％的氧化鋁和/或0重量％至100重 量％的二氧化硅和/或〇重量％至1〇〇重量％的氧化鋯的單一涂層。例如，頂部層38可包括二 氧化硅和氧化鋁，具有例如1重量％至99重量％的二氧化硅和99重量％至1重量％的氧化 鋁，諸如至少40重量％的二氧化硅和60重量％或更少的氧化鋁、諸如至少70重量％的二氧 化硅和30重量％或更少的氧化鋁、諸如至少75重量％的二氧化硅、諸如至少80重量％的二 氧化硅、諸如至少85重量％的二氧化硅。在一個(gè)非限制性方面中，頂部層38包括85重量％的 二氧化硅和15重量％的氧化鋁。在另一非限制性方面中，頂部層38包括40重量％的二氧化 硅和60重量％的氧化鋁。在另一非限制性方面，頂部層38包括二氧化硅和氧化鋁的混合物。
[0158] 頂部層38可具有0.5nm的最小厚度，諸如0.6nm、諸如lnm、諸如2nm、諸如5nm、諸如 10nm、諸如20nm、諸如30nm、諸如40nm、諸如50nm、諸如60nm、諸如70nm、諸如75nm、諸如 lOOnm、諸如 110腦、諸如120腦、諸如15011111、諸如20011111、諸如25011111、諸如30011111、諸如500腦、 諸如 700nm、諸如 l，000nm、諸如 2,000、諸如3,00011111。
[0159] 頂部層38可具有5，OOOnm的最大厚度，諸如3，OOOnrn、諸如2，OOOnrn、諸如I，OOOnrn、 諸如500nm、諸如300nm、諸如200nm、諸如150nm、諸如lOOnm，諸如90nm、諸如80nm。
[0160] 在優(yōu)選方面中，頂部層38具有0.5nm至5，OOOnm的范圍內(nèi)的厚度，諸如0.5nm至3， 000]1111、諸如0.5111]1至2,00011111、諸如0.5111]1至1，00011111、諸如1111]1至50011111、諸如2111]1至30011111、諸 如 5nm 至300nm、諸如 50nm 至200nm、諸如 50nm 至 150nm、諸如50nm 至 120nm、諸如60nm 至 120nm、 諸如 70nm 至 120nm、諸如 70nm 至 I OOnm、諸如 70nm 至 80nm。
[0161] 在本發(fā)明的替代方面中，頂部層38包括具有至少40重量％的二氧化硅的二氧化 硅/氧化鋁混合物，諸如至少50重量％的二氧化硅、諸如至少60重量％的二氧化硅、諸如至 少70重量％的二氧化硅、諸如至少80重量％的二氧化硅、諸如在80重量％至90重量％的二 氧化硅和10重量％至20重量％的氧化鋁的范圍內(nèi)、例如85重量％的二氧化硅和15重量％的 氧化鋁。在此非限制性方面中，頂部層38可具有大于Onm至2微米的范圍內(nèi)的厚度，諸如 0.5nm 至 500nm、諸如5nm 至200nm、諸如 IOnm 至 10〇11111、諸如3〇111]1至5〇11111、諸如35111]1至4〇111]1。在 另一非限制性方面中，頂部層38可具有大于Onm至1微米的范圍內(nèi)的厚度，諸如0.5nm至 1〇]1111、諸如1〇111]1至2511111、諸如1〇111]1至1511111。
[0162]任選的底層30、金屬層28、任選的底漆層36和任選的頂部層38可通過任何常規(guī)方 法沉積，諸如常規(guī)化學(xué)氣相沉積(CVD)和/或物理氣相沉積(PVD)方法。CVD工藝的實(shí)例包括 噴霧熱解。PVD工藝的實(shí)例包括電子束蒸發(fā)和真空濺射(諸如磁控管濺射氣相沉積(MSVD))。 也可使用其他涂布方法，如溶膠-凝膠沉積。該層可通過相同或不同的方法沉積。
[0163] 在任選的方面中，頂部層38可為導(dǎo)電層。合適的導(dǎo)電材料的實(shí)例包括導(dǎo)電氧化物， 諸如導(dǎo)電金屬氧化物。
[0164] 導(dǎo)電氧化物的特定實(shí)例包括銦錫氧化物（ITO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物 (IZ0)。頂部層34的導(dǎo)電性質(zhì)可有利于減少0LED的10的驅(qū)動電壓。
[0165] 光提取電極26(或金屬層28)可具有1歐姆每平方（Ω/口）的最小薄層電阻，諸如2 Ω /□、諸如4 Ω / □、諸如5 Ω/□、諸如5.5Ω/□、諸如6 Ω / □、諸如6.5 Ω / □、諸如7 Ω / 口、 諸如8 Ω / □、諸如9 Ω / □、諸如10 Ω/□、諸如12Ω / □、諸如13 Ω / □、諸如15 Ω / □、諸如17 Ω / □、諸如 18 Ω / □、諸如20 Ω / □、諸如25 Ω / □、諸如30 Ω / □、諸如32 Ω / □、諸如34 Ω / □、諸如36 Ω /□、諸如40 Ω /□、諸如50 Ω /□、諸如55 Ω /□、諸如60 Ω /口。
[0166] 光提取電極26(或金屬層28)可具有210 Ω /□的最大薄層電阻，諸如200 Ω /□、諸 如 175 Ω / □、諸如 150 Ω / □、諸如 125 Ω / □、諸如 100 Ω / □、諸如75 Ω / □、諸如50 Ω /□、諸 如30 Ω /□、諸如20 Ω /□、諸如 15 Ω /□、諸如 13 Ω /□、諸如 10 Ω /□、諸如8 Ω /口。
[0167] 在優(yōu)選方面中，光提取電極26(或金屬層28)具有1Ω/□至20 Ω/□的范圍內(nèi)的薄 層電阻，諸如1 Ω/□至15Ω/□、諸如1 Ω/□至10Ω/□、諸如1Ω / □至8 Ω / □、諸如2 Ω / □ 至8 Ω /□、諸如4 Ω /□至8 Ω /□。
[0168] 光提取電極26可具有50%的最小可見光透射率(在2mm厚度下），諸如60%、諸如 65%、諸如70%、諸如75%、諸如78%、諸如80%、諸如83%、諸如85%、諸如90%、諸如91 %、 諸如92%、諸如93%、諸如95%。
[0169] 光提取電極26可具有99%的最大可見光透射率(在2mm的厚度下），諸如97%、諸如 96%、諸如95%、諸如93、諸如92%、諸如91 %、諸如90%、諸如85%、諸如80%、諸如70%、諸 如60 % 〇
[0170] 在優(yōu)選方面中，光提取電極26具有50%至97%的范圍內(nèi)的可見光透射率(在2mm的 厚度下），諸如70%至95%、諸如75 %至95 %、諸如80%至95%、諸如85 %至95 %、諸如88% 至95%、諸如90%至95%。
[0171] 光提取電極26可具有0.04%的最小霧度，諸如0.05 %、諸如0.07 %、諸如0.08%、 諸如0.1 %、諸如0.12%、諸如0.15%、諸如0.2%、諸如0.3%、諸如0.5%、諸如0.8%、諸如 1 %、諸如1.5%、諸如2%、諸如3%、諸如4%、諸如5%、諸如6%、諸如7%、諸如8%、諸如 9%、諸如10%、諸如12%、諸如15%。
[0172] 光提取電極26可具有20%的最大霧度，諸如15%、諸如12%、諸如10%、諸如9%、 諸如8%、諸如7%、諸如6%、諸如5%、諸如4%、諸如3%、諸如2%、諸如1 %。
[0173] 在優(yōu)選方面中，光提取電極26具有0.5%至10%的范圍內(nèi)的霧度，諸如1%至10%、 諸如1%至8%。
[0174] 光提取電極26可具有5nm的最小均方根(RMS)表面粗糙度，諸如6nm、諸如8nm、諸如 10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如45nm、諸如47nm、 諸如50nm、諸如52nm、諸如54nm、諸如55nm。
[0175] 光提取電極26可具有60nm的最大均方根表面粗糙度，諸如55nm、諸如54nm、諸如 50nm、諸如47nm、諸如45nm、諸如40nm、諸如35nm、諸如25nm、諸如20nm、諸如15nm、諸如10nm。
[0176] 在優(yōu)選方面中，光提取電極26具有5nm至60nm的范圍內(nèi)的均方根表面粗糙度，諸如 25nm 至 60nm、諸如40nm 至 60nm、諸如 50nm 至 60nm。
[0177] 金屬層28的光散射特征29可由若干種方法提供。
[0178]例如，在于基板20上形成金屬層28之后，金屬層28可暴露于氧。對于許多金屬，金 屬與氧反應(yīng)氧化以在金屬中或上形成缺陷。例如，此暴露于氧可在金屬層28上方形成任選 的頂部層38的工藝期間發(fā)生或作為單個(gè)步驟發(fā)生。
[0179]例如，金屬層28可暴露于氧(諸如暴露于環(huán)境大氣)持續(xù)1分鐘至20分鐘的范圍內(nèi) 的時(shí)間段，諸如1分鐘至10分鐘、諸如1分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至4.5分 鐘。
[0180]在金屬層28中形成光散射特征29(例如，霧度引發(fā)的缺陷）的另一示例性方法為后 加熱(post heating)。"后加熱"意指在沉積金屬層28之后加熱基板12和金屬層28。暴露或 未暴露于氧的后加熱趨于氧化金屬層28的金屬以在金屬層中或上形成缺陷和/或增加金屬 層28的霧度。
[0181] 例如，金屬層28可被加熱至400°C至1000°C的范圍內(nèi)的溫度，諸如500°C至900°C、 諸如600°C 至800°C、諸如700°C 至800°C、諸如700°C 至750°C。
[0182] 金屬層28可加熱持續(xù)1分鐘至20分鐘的范圍內(nèi)的時(shí)間段，諸如1分鐘至10分鐘、諸 如1分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至4.5分鐘。
[0183] 加熱可在常規(guī)爐中或在鏈條式平爐中進(jìn)行。例如，鏈條式平爐可具有2.5cm/min至 51cm/min的輸送機(jī)線速度(conveyor line speed)，諸如5cm/min至38cm/min、諸如5cm/min 至 28cm/min、諸如 5cm/min 至 20cm/min、諸如 10cm/min 至 20cm/min。
[0184] 鏈條式平爐可具有一個(gè)或多個(gè)加熱室。例如，一個(gè)或多個(gè)加熱室可具有400°C至 1000°C的范圍內(nèi)的溫度，諸如500°C至800°C、諸如500°C至700°C、諸如500°C至650°C、諸如 525°C至625°C。加熱室可具有相同或不同的溫度。
[0185] 引發(fā)光散射特征29的另一示例性方法為將金屬層28暴露于激光束以在金屬層28 中形成缺陷。例如，這可在施加任選的頂部層38之前進(jìn)行。缺陷可為通過激光在金屬層28中 和/或上形成的裂紋或空隙。缺陷也可為通過將激光聚焦在金屬層28的表面上或內(nèi)部中的 位置而造成的不同密度的區(qū)域。
[0186] 引發(fā)這些光散射特征29的另一個(gè)示例性方法為通過將金屬層28暴露于氧等離子 體處理。氧等離子體造成金屬層28的表面上的凸出物。
[0187] 引發(fā)光散射特征29的仍另一示例性方法為通過用產(chǎn)生缺陷或以其他方式增加金 屬層28的霧度的摻雜物摻雜金屬層28。此類摻雜物的實(shí)例包括銅、鋁和鋅。摻雜物可與金屬 層28的金屬反應(yīng)或與其組合或與其混合，以形成具有與金屬層28的剩余部分不同密度和/ 或不同組分的點(diǎn)或區(qū)。
[0188] 應(yīng)理解，上文所討論的所有任選的層的無需存在于OLED 10中。可基于諸如成本、 便于制造和OLED 10所期望的終端用途的考慮視期望提供一個(gè)或多個(gè)這些任選的層。
[0189] 現(xiàn)將特定參考圖1描述OLED器件10的操作。
[0190] 在操作期間，跨第一電極12與第二電極18施加電壓。電子流從陰極(例如，第一電 極12)流至陽極(例如，第二電極18)，且因此，通過發(fā)射層16(和任選的層，若存在）。此電流 取決于發(fā)射層16的組成而造成發(fā)射層16發(fā)射所選波長或波長范圍的電磁輻射(諸如光）。由 發(fā)射層16發(fā)射的光波行進(jìn)進(jìn)入第二電極18的金屬層28中。在常規(guī)的OLED器件中，進(jìn)入第二 電極18的大部分電磁輻射將通過波導(dǎo)效應(yīng)而陷留。然而，在本發(fā)明中，此電磁能的至少一部 分被光散射特征29散射。此散射造成光波更隨機(jī)地行進(jìn)且干擾波導(dǎo)效應(yīng)，增加了經(jīng)過金屬 層28進(jìn)人基板20且然后離開底部表面24的電磁能的量。由金屬層28的光散射特征29造成的 光散射效應(yīng)增加了 OLED器件10的整體光提取。
[0191] 以下實(shí)施例說明了本發(fā)明的各個(gè)方面。然而，應(yīng)理解，本發(fā)明不限于這些特定方 面。 實(shí)施例
[0192] 在在以下實(shí)施例中，基板為商購自PPG Industries Ohio,Inc.、具有2毫米(mm)的 厚度的透明玻璃?？梢姽馔干渎?T)值和霧度(Haz e)值為百分比值并使用商購自美國BYK-Gardner的Haze-Gard Plus霧度計(jì)測量。使用具有5英寸的目標(biāo)寬度和60英寸每分鐘的線速 度的常規(guī)Airco MSVD涂布機(jī)施加涂層。"Zn90"意指具有90重量％的鋅和10重量％的錫的目 標(biāo)物。"A1 60"意指具有60重量％的鋁和40重量％的硅的目標(biāo)物。"SnZn"意指具有52.4重 量％的鋅和47.6重量％的錫的目標(biāo)物（以沉積Zn 2SnO4層）。所有涂布機(jī)功率設(shè)定以千瓦(Kw) 計(jì)。所有時(shí)間值以分鐘計(jì)。薄層電阻值以歐姆每平方（Ω/口）計(jì)。"0/R"意指值超出測量范圍 之外。"一"符號意指值未測量。"M"意指兆歐。對于以下實(shí)施例，用特定涂層涂布的基板的復(fù) 制物以涂層號后的小寫字母標(biāo)示。例如，樣品^、113、1(3、1(1等標(biāo)示用涂層1涂布的復(fù)制玻璃 基板。諸如凸出物的高度、表面粗糙度和樹突狀物直徑的物理特性由常規(guī)原子力顯微鏡 (AFM)測定。
[0193] 實(shí)施例1
[0194] 本實(shí)施例說明具有鋅氧化物(具有10重量％的錫氧化物）的底層/金屬銀導(dǎo)電層/ 60重量％的氧化鋁和40重量％的二氧化硅的頂部層(保護(hù)層)的光散射電極結(jié)構(gòu)。
[0195] 表1列出了沉積期間的涂布機(jī)功率設(shè)定?；逶诿總€(gè)目標(biāo)物下經(jīng)受一道（one pass)ο
[0196]表1
L〇198」在加熱之前（加熱前）測量經(jīng)徐布的基板的溥層電阻并然后在130(TF(704UC)卜在 盒式爐中加熱持續(xù)表2所列示的時(shí)間。在加熱后，允許經(jīng)涂布的基板冷卻至室溫并然后再次 測量薄層電阻、透射率和霧度(加熱后）。所得值示于表2中。
[0199]表2
[0200] 薄層電阻 加熱后

[0203] 圖3是展示金屬層中/上的缺陷的樣品Ic(加熱后）的顯微圖。圖4是圖3的樣品Ic的 三維原子力顯微圖（50微米乘50微米）。如可以看出的，金屬層具有從金屬層的表面向上延 伸的缺陷（凸出物或點(diǎn)缺陷）。該缺陷的至少一些具有50nm的高度。對于圖3和圖4所示的樣 品I c，加熱前樣品具有0.64nm的均方根(RMS)表面粗糙度。加熱后，樣品在缺陷與包括該缺 陷的47.6nm的RMS表面粗糙度之間具有3.97的RMS粗糙度。在三個(gè)月后測量復(fù)制樣品Ic。圖5 是三個(gè)月后復(fù)制樣品Ic的顯微圖。圖6是圖5的復(fù)制樣品Ic的二維原子力顯微圖（50微米乘 50微米）。復(fù)制樣品Ic具有0.69nm的加熱前的均方根(RMS)表面粗糙度和57.3nm的加熱后的 RMS表面粗糙度。三個(gè)月后，樣品I c具有80 Ω /□的薄層電阻。
[0204] 實(shí)施例2
[0205] 本實(shí)施例說明了具有鋅氧化物（具有10重量％的錫氧化物）的底層/金屬銀導(dǎo)電 層/鋅摻雜的氧化銦(IZO)的頂部層(導(dǎo)電層)的光散射電極結(jié)構(gòu)。
[0206]表3列示了沉積所列目標(biāo)物期間的涂布機(jī)功率設(shè)定。用Zn90和Ag涂布基板1道并用 IZO涂布2道。
[0207]表 3
[0209] 在加熱之前（加熱前）測量經(jīng)涂布的基板的薄層電阻并然后在1300UF(704°C)下在 盒式爐中加熱持續(xù)表4所列示的時(shí)間。在加熱后，允許經(jīng)涂布的基板冷卻至室溫并然后再次 測量薄層電阻、透射率和霧度(加熱后）。所得值示于表4中。
[0210] 表4
[0211] 薄層電阻 加熱后

L〇213」圖7是加熱后的樣品7c的顯微圖。圖8是圖7的樣品7c的二維原子力顯微圖（50微米 乘50微米）。圖9是圖8的樣品7c的三維原子力顯微圖（50微米乘50微米）。缺陷是成形為具有 分支的樹突狀物。該樹突狀物具有從其中向上延伸的凸出物。凸出物的至少一些具有40nm 的高度。樣品7c具有0.64nm的加熱前的均方根(RMS)表面粗糙度。加熱之后，樣品7c在缺陷 與包括該缺陷的6.92nm的RMS表面粗糙度之間具有3.64的RMS粗糙度。
[0214] 實(shí)施例3
[0215]本實(shí)施例說明了具有錫酸鋅（Zn2SnO4)的底層/金屬銀層/鈦底漆層/錫酸鋅 (Zm Sn〇4)的頂部層的陽極結(jié)構(gòu)。
[0216] 表5列示了沉積所列目標(biāo)物期間的涂布機(jī)功率設(shè)定。用Ag和Ti涂布基板1道并用錫 酸鋅涂布4道(用于底層和頂部層兩者）。
[0217] 表5
L^iVj (那熱刖）測重J泣徐仲的盎懨的溥居電阻開然/5仕DUlT KUU4D卜仕顯5^尸甲 加熱持續(xù)表6所列示的時(shí)間。在加熱后，允許經(jīng)涂布的基板冷卻至室溫并然后再次測量薄層 電阻、透射率和霧度(加熱后）。所得值示于表6中。
[0220] 表 6
[0221] 薄層電阻 加熱后
[0224] 實(shí)施例4
[0225] 本實(shí)施例說明了使用帶式輸送機(jī)而非盒式爐用于樣品加熱。在具有五個(gè)加熱區(qū)的 常規(guī)Lindberg爐中加熱所選涂層樣品的復(fù)制品。區(qū)1具有1130°F(610°C)的溫度；區(qū)2具有 1155°?(624°〇的溫度；區(qū)3具有1155°?(624。(：）的溫度；區(qū)4具有1155°?(624°(：)的溫度；和 區(qū)5具有1000° F(538°C)的溫度。具有列示涂層的玻璃基板的加熱前的值示于表7中。
[0226] 表 7
[0228] ~然后在以表8所示的輸送機(jī)線速度下在Lindberg爐中加熱經(jīng)涂布的玻璃基板的樣 品。線速度以英寸每分鐘計(jì)(厘米每分鐘）。樣品的加熱后的值也示于表8中。
[0229] 表8
LUZ〇I」 斗、々災(zāi)切 J又/ivy ViAH寸廿勿'觀/云，Kl 刈半漢叨 KtIJII多 LKr 冃兩 HU 念。因此，本文詳細(xì)描述的特定方面僅是說明性并且不限于所附權(quán)利要求及其任何與所有 等效物的全部寬度所給定的本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其包括： 基板(20); 第一電極(12); 發(fā)射有源堆（14);和 第二電極(18)， 其中第一電極（12)和第二電極（18)中的至少一個(gè)為包括金屬層（28)的光提取電極 (26)，和其中金屬層(28)在金屬層(28)上和/或在金屬層(28)中包括光散射特征(29)。2. 權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光二極管（I0)，其中光散射特征（29)選自凸出物、樹突狀物、裂 紋、空隙、與金屬層(28)不同密度的區(qū)域和與金屬層(28)不同化學(xué)組成的區(qū)域。3. 權(quán)利要求1或2的有機(jī)發(fā)光二極管（10 )，其中光散射特征(29)包括凸出物。4. 權(quán)利要求1 _3中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（I 0 )，其中光散射特征(29)包括凸出物，該 凸出物具有5nm至IOOnm的范圍內(nèi)的高度，諸如IOnm至80nm、諸如20nm至60nm、諸如30nm至 60nm、諸如 30nm 至 50nm。5. 權(quán)利要求1 -4中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（I 0 )，其中光散射特征(29)包括凸出物，和 其中凸出物的至少一些具有5nm的最小高度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸 如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如50nm。6. 權(quán)利要求1 -5中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（I 0 )，其中光散射特征(29)包括凸出物，和 其中凸出物的至少一些具有IOOnm的最大高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如60nm、 諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm。7. 權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10 )，其中光散射特征（29)的至少一些為 樹突狀。8. 權(quán)利要求7的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中樹突狀光散射特征（29)的至少一些具有10 微米至50微米的范圍內(nèi)的直徑，諸如10微米-40微米、諸如20微米-40微米、諸如30微米-40 微米。9. 權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10 )，其中金屬層(28)包括選自鉑、銥、鋨、 鈀、鋁、金、銅、銀及其混合物和/或合金的至少一種金屬。10. 權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中金屬層(28)包括金屬銀。11. 權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中光提取電極(26)為多層結(jié)構(gòu)， 該多層結(jié)構(gòu)包括具有光散射特征(29)的金屬層(28)。12. 權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中光提取電極(26)為陽極。13. 權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中第二電極(18)是透明的。14. 權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中第二電極（18)比第一電極 (12)更接近基板(20)。15. 權(quán)利要求1-14中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，包括位于金屬層(28)和基板(20) 之間的底層(30)。16. 權(quán)利要求15的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中底層(30)包括選自硅、鈦、鋁、鋯、磷、鉿、 鈮、鋅、鉍、鉛、銦、錫及其合金和混合物的氧化物的一種或多種金屬氧化物材料。17. 權(quán)利要求15或16的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中底層(30)選自均質(zhì)層、梯度層和多層 結(jié)構(gòu)。18. 權(quán)利要求15-17中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中底層(30)包括氧化鋅層和錫 酸鋅層的至少一種。19. 權(quán)利要求15-18中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中底層(30)包括在錫酸鋅層上 方的氧化鋅層。20. 權(quán)利要求1-19中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其包括在金屬層(28)上方的底漆 層(36)。21. 權(quán)利要求20的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中底漆層(36)包括選自鈦、硅、二氧化硅、氮 化硅、氮氧化硅、鎳-鉻合金、鋯、鋁、硅鋁合金、含鈷和鉻的合金及其混合物的材料。22. 權(quán)利要求20或21的有機(jī)發(fā)光二極管（10 )，其中底漆層(36)包括鈦。23. 權(quán)利要求1-22中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其包括在金屬層(28)上方的頂部 層(38)。24. 權(quán)利要求23的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中頂部層(38)包括選自鋅、錫、鋯、鋁、硅、銦 及其混合物的氧化物的至少一種氧化物材料。25. 權(quán)利要求23或24的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中頂部層(38)包括錫酸鋅。26. 權(quán)利要求23或24的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中頂部層（38)包括二氧化硅和氧化鋁 的混合物。27. 權(quán)利要求23或24的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中頂部層(38)包括選自銦錫氧化物、鋁 鋅氧化物和銦鋅氧化物的導(dǎo)電層。28. 權(quán)利要求1 -27中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10 )，其中第一電極（12)為選自鋇、鈣和 鎂的陰極。29. 權(quán)利要求1-28中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中第一電極（12)是不透明和/或 反射性的。30. 權(quán)利要求1-29中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10 )，其中基板(20)包括玻璃。31. 權(quán)利要求1-30中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中光提取電極(26)具有1Ω/口 至20Ω/□的范圍內(nèi)的薄層電阻，諸如1Ω/□至15Ω/□、諸如1Ω/□至10Ω/□、諸如1Ω/ □至8 Ω/□、諸如 2Ω / □至8 Ω/□、諸如 4Ω / □至8 Ω / 口。32. 權(quán)利要求1-31中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中光提取電極(26)具有50%至 97%的范圍內(nèi)的可見光透射率，諸如70%至95%、諸如75%至95%、諸如80%至95%、諸如 85%至95%、諸如88%至95%、諸如90%至95%。33. 權(quán)利要求1-32中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中光提取電極(26)具有0.5%至 10%的范圍內(nèi)的霧度，諸如1 %至10%、諸如1 %至8%。34. 權(quán)利要求1-33中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中光提取電極（26)具有5nm至 60nm的范圍內(nèi)的均方根表面粗糙度，諸如25nm至60nm、諸如40nm至60nm、諸如50nm至60nm。35. 權(quán)利要求1-34中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中基板(20)包括玻璃，其中第一 電極（12)為陰極，其中光提取電極(26)為陽極，其中光散射特征（29)包括從基板(20)的第 一表面(22)延伸的凸出物，且其中該凸出物的至少一些具有20nm至60nm的范圍內(nèi)的高度。36. 權(quán)利要求1-35中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其中基板(20)包括玻璃，其中第一 電極（12)為陰極，其中第一電極（12)是不透明和/或反射性的，其中光提取電極(26)為陽 極，其中陽極(18)比第一電極(12)更接近基板(20)，其中金屬層(28)包括金屬銀，其中光散 射特征(29)包括從基板(20)的第一表面(22)延伸的凸出物，且其中該凸出物的至少一些具 有20nm至60nm的范圍內(nèi)的高度。37. 權(quán)利要求35或36的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其包括位于金屬層（28)與基板(20)之間 的底層(30)，其中底層(30)包括在錫酸鋅層上方的氧化鋅層。38. 權(quán)利要求35-37中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其包括在金屬層(28)上方的底漆 層(36)，其中底漆層(36)包括鈦。39. 權(quán)利要求35-38中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)，其包括在金屬層(28)上方的頂部 層(38)，其中頂部層(38)選自錫酸鋅、二氧化硅和氧化鋁的混合物、銦錫氧化物、鋁鋅氧化 物和銦鋅氧化物。40. 制造有機(jī)發(fā)光二極管（10)的方法，該方法包括： 提供第一電極(12)、發(fā)射有源堆（14)，以及在基板(20)上方的第二電極(18)，和 其中第一和第二電極（12，18)中的至少一個(gè)為包括金屬層(28)的光提取電極(26)，和 其中金屬層(28)包括在金屬層(28)上和/或在金屬層(28)中的光散射特征(29)。41. 權(quán)利要求40的方法，其中光散射特征（29)選自凸出物、樹突狀物、裂紋、空隙、與金 屬層(28)不同密度的區(qū)域，以及與金屬層(28)不同化學(xué)組成的區(qū)域。42. 權(quán)利要求40或41的方法，其中光散射特征(29)包括凸出物。43. 權(quán)利要求40-42中任一項(xiàng)的方法，其中光散射特征（29)包括凸出物，該凸出物具有 5nm至IOOnm的范圍內(nèi)的高度，諸如IOnm至80nm、諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm、諸如 30nm至50nm。44. 權(quán)利要求40-43中任一項(xiàng)的方法，其中光散射特征（29)包括凸出物，且其中該凸出 物的至少一些具有5nm的最低高度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、諸如30nm、諸 如35nm、諸如40nm、諸如50nm。45. 權(quán)利要求40-44中任一項(xiàng)的方法，其中凸出物的至少一些具有IOOnm的最大高度，諸 如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如60nm、諸如55nm、諸如50nm、諸如45nm、諸如40nm。46. 權(quán)利要求40-45中任一項(xiàng)的方法，其中光散射特征(29)的至少一些為樹突狀。47. 權(quán)利要求46的方法，其中樹突狀光散射特征（29)的至少一些具有10微米至50微米 的范圍內(nèi)的直徑，諸如10微米至40微米、諸如20微米至40微米、諸如30微米至40微米。48. 權(quán)利要求40-47中任一項(xiàng)的方法，其中光提取電極(26)為陽極。49. 權(quán)利要求40-48中任一項(xiàng)的方法，其中光散射特征(29)由選自以下的至少一種方法 提供： 將金屬層(28)暴露于氧； 加熱金屬層(28); 將金屬層(28)暴露于激光； 將金屬層(28)暴露于氧等離子體處理;和 摻雜金屬層(28)。50. 權(quán)利要求40-49中任一項(xiàng)的方法，包括將金屬層(28)暴露于氧持續(xù)1分鐘至20分鐘 的范圍內(nèi)的時(shí)間段，諸如1分鐘至10分鐘、諸如1分鐘至5分鐘、諸如3分鐘至5分鐘、諸如3分 鐘至4.5分鐘。51. 權(quán)利要求40-50中任一項(xiàng)的方法，包括將金屬層（28)加熱至400°C至1000°C的范圍 內(nèi)的溫度，諸如500°C至900°C、諸如600°C至800°C、諸如700°C至800°C、諸如700°C至750°C。52. 權(quán)利要求40-51中任一項(xiàng)的方法，包括用選自銅、鋁和鋅的摻雜物摻雜金屬層(28)。53. 權(quán)利要求40-52中任一項(xiàng)的方法，包括將第二電極（18)定位成比第一電極（12)更接 近基板(20)。54. 權(quán)利要求40-53中任一項(xiàng)的方法，包括在金屬層（28)與基板（20)之間提供底層 (30)〇55. 權(quán)利要求54的方法，其中底層(30)包括氧化鋅層和錫酸鋅層的至少一種。56. 權(quán)利要求40-55中任一項(xiàng)的方法，包括在金屬層(28)上方提供底漆層(36)。57. 權(quán)利要求56的方法，其中底漆層(36)包括鈦。58. 權(quán)利要求40-57中任一項(xiàng)的方法，包括在金屬層(28)上方提供頂部層(38)。59. 權(quán)利要求58的方法，其中頂部層(38)選自錫酸鋅、二氧化硅和氧化鋁的混合物、銦 錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鋅氧化物及其混合物。60. 權(quán)利要求40-59中任一項(xiàng)的方法，其中金屬層(28)包括銀。61. -種光提取電極(26)，其包括： 金屬層（28)，其中金屬層（28)在金屬層（28)上和/或在金屬層（28)中包括光散射特征 (29)〇62. 權(quán)利要求61的光提取電極(26)，其中光散射特征(29)選自凸出物、樹突狀物、裂紋、 空隙、與金屬層(28)不同密度的區(qū)域，以及與金屬層(28)不同化學(xué)組成的區(qū)域。63. 權(quán)利要求61或62的光提取電極(26 )，其中光散射特征(29)包括凸出物。64. 權(quán)利要求61 -63中任一項(xiàng)的光提取電極(26 )，其中光散射特征（29)包括凸出物，該 凸出物具有IOnm至80nm的范圍內(nèi)的高度，諸如20nm至60nm、諸如30nm至60nm、諸如30nm至 50nm〇65. 權(quán)利要求61 -64中任一項(xiàng)的光提取電極(26 )，其中光散射特征（29)包括凸出物，且 其中該凸出物的至少一些具有5nm的最低高度，諸如10nm、諸如15nm、諸如20nm、諸如25nm、 諸如30nm、諸如35nm、諸如40nm、諸如50nm。66. 權(quán)利要求61 -65中任一項(xiàng)的光提取電極(26 )，其中光散射特征（29)包括凸出物，且 其中該凸出物的至少一些具有IOOnm的最大高度，諸如90nm、諸如80nm、諸如70nm、諸如 60nm、諸如 55nm、諸如 50nm、諸如 45nm、諸如 40nm。67. 權(quán)利要求61-66中任一項(xiàng)的光提取電極(26 )，其中光散射特征(29)的至少一些為樹 關(guān)狀。68. 權(quán)利要求67的光提取電極(26 )，其中樹突狀光散射特征（29)的至少一些具有10微 米至50微米的范圍內(nèi)的直徑，諸如10微米至40微米、諸如20微米至40微米、諸如30微米至40 微米。69. 權(quán)利要求61-67中任一項(xiàng)的光提取電極（26)，其中金屬層（28)包括至選自鉑、銥、 鋨、鈀、鋁、金、銅、銀及其混合物和/或合金的至少一種金屬。70. 權(quán)利要求61-69中任一項(xiàng)的光提取電極(26)，其中金屬層(28)包括金屬銀。71. 權(quán)利要求61 -70中任一項(xiàng)的光提取電極(26 )，其中光提取電極(26)為多層結(jié)構(gòu)，該 多層結(jié)構(gòu)包括具有光散射特征(29)的金屬層(28)。72. 權(quán)利要求61-71中任一項(xiàng)的光提取電極(26)，其包括包含一種或多種金屬氧化物材 料的底層(30)，該一種或多種金屬氧化物材料選自硅、鈦、鋁、鋯、磷、鉿、鈮、鋅、鉍、鉛、銦、 錫及其合金與混合物的氧化物。73. 權(quán)利要求72的光提取電極(26)，其中底層(30)包括氧化鋅層和錫酸鋅層的至少一 種。74. 權(quán)利要求72或73的光提取電極(26)，其中底層(30)包括在錫酸鋅層上方的氧化鋅 層。75. 權(quán)利要求61-74中任一項(xiàng)的光提取電極（26)，其包括在金屬層（28)上方的底漆層 (36 )，其中底漆層（36)包括選自鈦、硅、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、鎳-鉻合金、鋯、鋁、硅 鋁合金、含鈷和鉻的合金及其混合物。76. 權(quán)利要求75的光提取電極(26 )，其中底漆層(36)包括鈦。77. 權(quán)利要求61-76中任一項(xiàng)的光提取電極（26)，其包括在金屬層（28)上方的頂部層 (38)〇78. 權(quán)利要求77的光提取電極(26)，其中頂部層(38)包括選自鋅、錫、鋯、鋁、硅、銦及其 混合物的氧化物的至少一種氧化物材料。79. 權(quán)利要求77或78的光提取電極(26)，其中頂部層(38)包括錫酸鋅。80. 權(quán)利要求77或78的光提取電極（26)，其中頂部層（38)包括二氧化硅和氧化鋁的混 合物。81. 權(quán)利要求77或78的光提取電極(26)，其中頂部層(38)包括選自銦錫氧化物、鋁鋅氧 化物和銦鋅氧化物的導(dǎo)電層。82. 權(quán)利要求1-39中任一項(xiàng)的有機(jī)發(fā)光二極管（10)在顯示設(shè)備尤其是選自以下的顯示 設(shè)備中的用途:計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、計(jì)算機(jī)屏幕、移動電話、電視屏幕、個(gè)人數(shù)字助理、手表以及 照明器件。83. 權(quán)利要求61至81中任一項(xiàng)的光提取電極(26)在OLED器件（10)中的用途。84. 權(quán)利要求61至81中任一項(xiàng)的光提取電極(26)在顯示設(shè)備尤其是選自以下的顯示設(shè) 備中的用途:計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、計(jì)算機(jī)屏幕、移動電話、電視屏幕、個(gè)人數(shù)字助理、手表以及照 明器件。
【文檔編號】H01L51/52GK105917484SQ201480070473
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2014年10月21日
【發(fā)明人】A·布翰達(dá)利, H·布海
【申請人】Ppg工業(yè)俄亥俄公司