晶片分割方法【專利摘要】晶片分割方法。本發(fā)明涉及將一側(cè)具有器件區(qū)域的晶片分割成裸片的方法，該器件區(qū)域具有由多條分割線劃分的多個(gè)器件。該方法包括：將保護(hù)晶片上的器件的膠帶附接至晶片的一側(cè)，通過(guò)附接裝置將支承膠帶的載體附接至膠帶的與面向晶片的一側(cè)相反的側(cè)。此外，該方法包括：研磨晶片的與一側(cè)相反的側(cè)以調(diào)節(jié)晶片厚度；研磨后，將保護(hù)層應(yīng)用到晶片的與一側(cè)相反的側(cè)；和沿分割線切割晶片。以第一切割寬度機(jī)械地不完全切割晶片的與一側(cè)相反的側(cè)，在已形成不完全切口或多個(gè)不完全切口的區(qū)域或多個(gè)區(qū)域中，以第二切割寬度從晶片的與一側(cè)相反的側(cè)在晶片厚度方向上機(jī)械切割和/或激光切割和/或等離子體切割晶片的剩余部分。第二切割寬度小于或等于第一切割寬度?！緦＠f(shuō)明】晶片分割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
[0001]本發(fā)明涉及一種將在一側(cè)上包含具有通過(guò)多條分割線劃分的多個(gè)器件的器件區(qū)域的晶片(諸如半導(dǎo)體晶片)分割成裸片的方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]在半導(dǎo)體器件制造工藝中，包含具有通過(guò)多條分割線劃分的多個(gè)器件的器件區(qū)域的晶片被分成單獨(dú)的裸片。該制造工藝通常包括用于調(diào)節(jié)晶片厚度的研磨步驟和沿分割線切割晶片以獲得單獨(dú)的裸片的切割步驟。為了在該制造工藝期間保護(hù)形成在晶片上的器件，并且為了適當(dāng)?shù)囟ㄎ粏为?dú)的裸片，可以將膠帶附接至晶片的形成有器件的一側(cè)。[0003]在已知的諸如倒裝芯片封裝、晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)和嵌入式晶片級(jí)球柵陣列(eWLB)的半導(dǎo)體器件制造工藝中，上文提到的切割步驟從晶片的形成有器件的前側(cè)執(zhí)行。在該切割工藝中，沿分割線通過(guò)激光刻槽首先將形成在晶片前側(cè)上的諸如低k層(S卩，具有低介電常數(shù))的表面層去除。隨后，從晶片的前側(cè)沿著所形成的激光刻槽通過(guò)刀片劃切徹底地切割晶片。[0004]通過(guò)該激光刻槽工藝形成的刻槽需要具有足夠的寬度，以使得切割刀片能夠在隨后的刀片劃切步驟中安全地從該刻槽中穿過(guò)，而不損壞剩余的表面層。因此，將激光刻槽寬度選擇為遠(yuǎn)大于刀片劃切工藝中的切割寬度。該相對(duì)較大的激光刻槽寬度的要求導(dǎo)致相鄰器件之間的較寬的間隔，并且因此限制了在晶片上可以布置的器件的數(shù)量，即，封裝密度。此外，需要多次激光操作以提供這種寬的激光刻槽，由此導(dǎo)致激光刻槽工藝耗時(shí)且低效。[0005]因此，減小了每小時(shí)處理的器件的生產(chǎn)量并且降低了生產(chǎn)率。[0006]而且，由于在激光刻槽工藝中產(chǎn)生的熱量，形成在晶片前側(cè)上的表面層的剩余部分(諸如低k層)可能會(huì)至少部分地分層，導(dǎo)致對(duì)器件和/或晶片基板的損害。這種損害不僅會(huì)影響器件的功能，而且還降低所形成的器件芯片的裸片強(qiáng)度。[0007]因此，需要一種在時(shí)間方面和成本方面都高效的晶片分割方法，該方法能夠?qū)?duì)晶片產(chǎn)生損害的任何風(fēng)險(xiǎn)都降為最低?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0008]因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種在時(shí)間方面和成本方面都高效的將晶片分割成裸片的方法，該方法使得對(duì)晶片造成任何損壞的風(fēng)險(xiǎn)能夠被最小化。該目的通過(guò)具有權(quán)利要求I的技術(shù)特征的晶片分割方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式由從屬權(quán)利要求產(chǎn)生。[0009]本發(fā)明提供了一種將在一側(cè)上包含具有通過(guò)多條分割線劃分的多個(gè)器件的器件區(qū)域的晶片分割成裸片的方法。該方法包括以下步驟:將用于保護(hù)所述晶片上的器件的膠帶附接至所述晶片的所述一側(cè);通過(guò)附接裝置將用于支承所述膠帶的載體附接至所述膠帶的與面向所述晶片的所述一側(cè)相反的側(cè)；以及研磨所述晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)以調(diào)節(jié)所述晶片的厚度。所述方法還包括以下步驟:在所述研磨步驟之后，將保護(hù)層應(yīng)用到所述晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)；以及沿所述分割線切割所述晶片。在該切割工藝中，以第一切割寬度對(duì)所述晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)進(jìn)行機(jī)械地不完全切割，并且在已經(jīng)形成不完全切口或多個(gè)不完全切口的區(qū)域或多個(gè)區(qū)域中，在所述晶片的厚度方向上，以第二切割寬度從所述晶片的與所述一側(cè)相反的所述側(cè)對(duì)所述晶片的剩余部分進(jìn)行機(jī)械切割和/或激光切割和/或等離子體切割。所述第二切割寬度小于或等于所述第一切割寬度。[0010]在機(jī)械地不完全切割所述晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)的步驟中，在所述晶片的厚度方向上(即，沿著所述晶片的厚度的部分)機(jī)械地不完全切割所述晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)。[0011]根據(jù)本發(fā)明的晶片分割方法，從所述晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)(S卩，從所述晶片的未形成有器件的后側(cè))沿分割線切割晶片。具體地，以第一切割寬度機(jī)械地不完全切割晶片后側(cè)，并且以第二切割寬度從后側(cè)機(jī)械切割和/或激光切割和/或等離子體切割所述晶片的剩余部分，所述第二切割寬度小于或等于所述第一切割寬度。[0012]因此，在晶片前側(cè)上不需要具有大于機(jī)械切割工藝中的切割寬度的刻槽寬度的激光刻槽。因此，可以減小器件區(qū)域中的相鄰器件之間的間隔，因此增加了晶片上可以布置的器件的數(shù)量，從而提高封裝密度。[0013]因此，可以增加每小時(shí)加工的器件的生產(chǎn)量，并且可以提高生產(chǎn)率，從而實(shí)現(xiàn)在時(shí)間方面和成本方面都高效的晶片分割方法。[0014]另外，由于從晶片的后側(cè)沿分割線切割晶片，因此不發(fā)生對(duì)晶片前側(cè)的損壞(諸如晶片前側(cè)上形成的表面層(例如，低k層)的分層)。因此，可以可靠地防止對(duì)器件和/或晶片基板的任何損害，使得能夠獲得具有高裸片強(qiáng)度的魯棒的器件芯片。[0015]此外，如果晶片的剩余部分通過(guò)激光來(lái)切割，則能夠顯著減少在切割工藝中激光操作的數(shù)量，因?yàn)樵诰皞?cè)上不需要具有較大的刻槽寬度的激光刻槽。因此，進(jìn)一步提高了晶片分割方法的效率。[0016]可以在例如通過(guò)刀片劃切或鋸的單個(gè)機(jī)械切割步驟中或在單個(gè)激光切割步驟中或在例如利用等離子體源的單個(gè)等離子體切割步驟中來(lái)切割晶片的剩余部分?？梢酝ㄟ^(guò)一系列機(jī)械切割和/或激光切割和/或等離子體切割步驟來(lái)切割晶片的剩余部分。例如，機(jī)械切割步驟后可以是激光切割步驟或等離子體切割步驟。[0017]在機(jī)械地不完全切割晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)的步驟中，可以沿著晶片的厚度的50%或更多，優(yōu)選70%或更多，更優(yōu)選80%或更多，甚至更優(yōu)選90%或更多來(lái)切割晶片。[0018]在本發(fā)明的方法的特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，第二切割寬度小于第一切割寬度。[0019]如上所述，從晶片的沒(méi)有形成器件的后側(cè)沿分割線切割晶片。因此，機(jī)械地不完全切割晶片后側(cè)的步驟中的第一切割寬度不影響在晶片的相反側(cè)(即，晶片的前側(cè))上形成的器件所需的間隔。[0020]此外，在根據(jù)該優(yōu)選實(shí)施方式的方法中，以小于第一切割寬度的第二切割寬度來(lái)切割晶片的厚度方向上的剩余部分。因此，以減小的切割寬度從晶片后側(cè)切割晶片的一側(cè)(即，前側(cè))上的器件區(qū)域。本發(fā)明的該優(yōu)選實(shí)施方式的方法因此使得器件區(qū)域中的相鄰器件之間的間隔能夠被進(jìn)一步減小，從而進(jìn)一步提高器件的封裝密度。[0021]以這種方法，可以進(jìn)一步提高每小時(shí)加工的器件的生產(chǎn)量以及生產(chǎn)率。[0022]另外，如果晶片的剩余部分通過(guò)激光來(lái)切割，則由于減小的第二切割寬度，可以進(jìn)一步減少激光操作的數(shù)量，因此，進(jìn)一步提高了晶片分割方法的效率。具體地，在這種情況下，對(duì)于切割工藝，單次激光操作就足夠了。[0023]晶片可以是(例如)半導(dǎo)體晶片、玻璃晶片、藍(lán)寶石晶片、諸如氧化鋁(Al2O3)陶瓷晶片的陶瓷晶片、石英晶片、氧化鋯晶片、PZT(鋯鈦酸鉛)晶片、聚碳酸酯晶片、金屬(例如，銅、鐵、不銹鋼、鋁等)或金屬化材料晶片、鐵氧體晶片、光學(xué)晶體材料晶片、涂覆有樹(shù)脂(例如，環(huán)氧樹(shù)脂)或模塑的晶片等。[0024]具體地，晶片可以是(例如)Si晶片、GaAs晶片、GaN晶片、GaP晶片、InAs晶片、InP晶片、SiC晶片、SiN晶片、LT(組酸裡)晶片、LN(銀酸裡)晶片等。[0025]晶片可以由單種材料或不同材料(例如，兩種或更多種上述材料)的組合制成。例如，晶片可以是Si和玻璃結(jié)合的晶片，在該晶片中由Si制成的晶片元件被結(jié)合至由玻璃制成的晶片元件。[0026]膠帶可以粘接至在器件區(qū)域中形成的器件中的至少一些器件或所有器件。另選地，膠帶可以不粘接至在器件區(qū)域中形成的器件。[0027]膠帶的面向晶片的一側(cè)的那側(cè)上的粘接劑在俯視圖中可以完全位于晶片的器件區(qū)域之外。以這種方法，可以可靠地確保粘接劑不粘接至形成在器件區(qū)域中的器件。因此，當(dāng)從晶片剝?nèi)ツz帶時(shí)，可以安全地防止對(duì)器件的任何損害。[0028]粘接劑可以按環(huán)形形狀布置在其面向晶片的一側(cè)的側(cè)上。[0029]膠帶的面向晶片的一側(cè)的側(cè)上的粘接劑可以被布置為不延伸超過(guò)晶片的外圍邊緣區(qū)域。[0030]膠帶可以由柔性或易彎曲的材料形成。在這種情況下，膠帶可以變形以便以可靠的方式與器件區(qū)域中形成的器件一致，從而能夠在研磨步驟中特別薄地研磨晶片。[0031]膠帶可以是耐熱的和/或抗等離子體的和/或防潮的。以這種方法，可以確保膠帶在諸如熱固化或等離子刻蝕的隨后工藝步驟中不被損壞，由此為器件區(qū)域中的器件提供特別有效的保護(hù)。[0032]晶片可以在所述一側(cè)上具有在器件區(qū)域周圍不形成器件的外圍邊緣區(qū)域。[0033]附接裝置可以是由粘性材料形成的粘接層。粘性材料可以通過(guò)諸如熱量、UV輻射、電場(chǎng)和/或化學(xué)制劑的外部刺激來(lái)固化。以這種方法，在處理后，可以從膠帶輕易地去除載體。所述外部刺激可以被施加至粘性材料，以便降低材料的粘接力，因此能夠容易地去除載體。[0034]具體地，粘性材料可以是丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。用于粘性材料的UV可固化型樹(shù)脂的優(yōu)選示例例如是聚氨酯丙烯酸酯低聚物。[0035]此外，粘性材料可以是(例如)可水溶樹(shù)脂。[0036]附接裝置在俯視圖中可以完全位于晶片的器件區(qū)域外。這種布置提供了以下優(yōu)點(diǎn)。[0037]在從載體剝?nèi)ゾ倪^(guò)程中，晶片可能會(huì)經(jīng)受大的彎曲應(yīng)力，這可能會(huì)導(dǎo)致晶片開(kāi)裂和/或?qū)π纬稍诰系钠骷膿p壞。由于在載體分離的過(guò)程中晶片的彎曲，部分分離的裸片可能會(huì)彼此接觸，并因此被損壞。此外，一旦載體分離，大的彎曲應(yīng)力還會(huì)作用在載體上。載體可能因此在去除的過(guò)程中受到危害或甚至被損壞，導(dǎo)致其不能再使用。出于這些原因，必須非常慢且非常小心地將晶片從載體去除，導(dǎo)致生產(chǎn)率下降，即，每小時(shí)加工的單元的生產(chǎn)量下降，且因此增加了加工成本。[0038]通過(guò)使附接裝置在俯視圖中完全位于晶片的器件區(qū)域外，顯著縮小了載體和膠帶彼此附接的區(qū)域。因此，可以更容易地將載體從晶片分離，并且可以將分離時(shí)損壞晶片或載體的風(fēng)險(xiǎn)降為最小。[0039]此外，如果處理附接裝置以能夠更輕易地分離載體，則因?yàn)槠骷c存在附接裝置的區(qū)域分開(kāi)，所以不容易損壞器件。[0040]而且，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，將附接裝置完全放置在晶片的器件區(qū)域外使得能夠以特別高的精確度研磨晶片的后側(cè)。在這種情況下，附接裝置用作研磨工藝中的緩沖物。[0041]附接裝置可以被設(shè)置為不延伸超過(guò)晶片的外圍邊緣區(qū)域。[0042]附接裝置可以具有環(huán)形形狀。這種形狀提供了這樣的優(yōu)點(diǎn)，S卩，在用于將膠帶固定在適當(dāng)位置的足夠大的附接區(qū)域和用于使得能夠以損壞晶片和載體的最小的風(fēng)險(xiǎn)分離載體的足夠小的附接區(qū)域之間實(shí)現(xiàn)良好的折衷。此外，環(huán)形的形狀使得附接裝置合算且容易處理。另外，環(huán)形形狀使得膠帶很好地固定至載體，從而可以特別可靠地防止裸片移動(dòng)。[0043]附接裝置可以被設(shè)置在載體的平坦的上表面上。這種設(shè)置提供了載體和附接裝置的特別簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。[0044]附接裝置可以具有在5m至10m的范圍內(nèi)的厚度。[0045]附接裝置可以被容納在形成在載體中的凹陷中，該凹陷優(yōu)選為環(huán)形凹陷。這種設(shè)置使得附接裝置能夠集成到載體中。因此，提供了易于操作的一組晶片和載體。此外，具體地，如果載體由相對(duì)硬且剛性的材料制成，則在該載體中可以輕易地且高精度地形成凹陷。因此，所述方法能夠確保良好的加工質(zhì)量。[0046]另選地，凹陷也可以形成在膠帶中或膠帶和載體的組合中。[0047]附接裝置可以(例如)沿著載體和膠帶的整個(gè)圓周布置在載體的外周側(cè)表面上和膠帶的外周側(cè)表面上。在這種情況下，在載體和膠帶之間的交界處不存在附接裝置的部分。因此，可以確保特別光滑、平坦和均勻的交界。[0048]在切割晶片之前，可以將保護(hù)層應(yīng)用到晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)面。在這種情況下，在切割工藝期間，特別可靠地保護(hù)晶片的后側(cè)。[0049]在穿過(guò)晶片的部分執(zhí)行機(jī)械切割之前，可以沿著分割線穿過(guò)保護(hù)層執(zhí)行機(jī)械切害J。因此，可以以特別高效的方式執(zhí)行機(jī)械地不完全切割晶片的后側(cè)的工藝，其中，首先機(jī)械地切割保護(hù)層，然后在相同的切割步驟中，緊接著不完全地機(jī)械切割晶片后側(cè)。[0050]在切割晶片后，可以將保護(hù)層應(yīng)用到晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)面。在這種情況下，具體地，如果保護(hù)層以液體模制(liquidmold)材料的形式被應(yīng)用，則保護(hù)層的材料可以滲透到在切割工藝中形成的裸片之間的切口中。因此，保護(hù)層也可以被應(yīng)用到裸片的側(cè)表面，因此基本包圍裸片，提供特別可靠的保護(hù)。例如，對(duì)于像嵌入式晶片級(jí)球柵陣列(eWLB)的器件制造過(guò)程，可以采用該方法。[0051]如果在切割晶片后將保護(hù)層應(yīng)用到晶片的后側(cè)，則本發(fā)明的晶片分割方法還可以包括以下步驟:在切割晶片之前，在分割線所在的位置處沿線切割保護(hù)層。以這種方法，后側(cè)和側(cè)表面被應(yīng)用了保護(hù)層的裸片可靠地彼此分離。[0052]根據(jù)本發(fā)明的晶片分割方法還可以包括以下步驟:在保護(hù)層上設(shè)置激光標(biāo)記。[0053]根據(jù)本發(fā)明的晶片分割方法還可以包括以下步驟:在應(yīng)用保護(hù)層之后，研磨所述晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)面，以便去除保護(hù)層。以這種方法，保護(hù)層可以在諸如切割和等離子體刻蝕的工藝步驟期間用于保護(hù)晶片，但是不保留在完成的裸片中。例如，對(duì)于在完成的產(chǎn)品中不期望有保護(hù)層的倒裝芯片封裝工藝，可以采用該方法。[0054]可以在切割晶片和/或在等離子體刻蝕晶片之后執(zhí)行保護(hù)層的去除。[0055]保護(hù)層可以是耐熱的和/或抗等離子體的和/或防潮的。以這種方法，可以確保在諸如等離子體刻蝕的隨后工藝步驟中，保護(hù)層不被損壞，由此提供對(duì)晶片的特別有效的保護(hù)。[0056]保護(hù)層可以以固體片(例如，膠帶)的形式或者以液體模制材料的形式來(lái)應(yīng)用。[0057]以(例如)膠帶的固體片的形式應(yīng)用保護(hù)層是能夠?qū)崿F(xiàn)保護(hù)層的特別高的精確度和均勻性的簡(jiǎn)單的方法。[0058]如上所述，針對(duì)保護(hù)層使用液體模制材料提供這樣的優(yōu)點(diǎn)，S卩，如果在切割晶片后將所述材料應(yīng)用到晶片的后側(cè)，則所述材料可以可靠地且高效地滲入到在切割工藝中形成的裸片之間的切口中。因此，也可以將保護(hù)層可靠地應(yīng)用到裸片的側(cè)表面，由此提供特別可靠的保護(hù)。[0059]保護(hù)層可以由通過(guò)外部刺激可固化的材料形成，或包括通過(guò)外部刺激可固化的材料，所述外部刺激是例如熱、UV輻射、電場(chǎng)和/或化學(xué)制劑。具體地，保護(hù)層可以由熱固材料和/或能量射線可固化材料形成，或包括熱固材料和/或能量射線可固化材料。[0060]根據(jù)本發(fā)明的晶片分割方法還可以包括通過(guò)施加外部刺激來(lái)固化保護(hù)層。[0061]表面層(具體地，低k層，即具有低介電常數(shù)的層)可以被設(shè)置在晶片的一側(cè)上?？梢詮木呐c所述一側(cè)相反的側(cè)面對(duì)該表面層(具體地，低k層)進(jìn)行機(jī)械切割和/或激光切割和/或等離子體切割。[0062]如上所述，由于晶片從其后側(cè)沿著分割線被切割，所以晶片上形成的表面層不發(fā)生分層。因此，可以可靠地防止對(duì)器件和/或晶片基板的任何損壞，能夠獲得具有高裸片強(qiáng)度的魯棒的器件芯片。[0063]本發(fā)明的晶片分割方法可以特別有益地被用于前側(cè)上具有低k層的晶片。當(dāng)從晶片的前側(cè)切割晶片時(shí)，低k層通常是很易碎的，并且容易被損壞和/或分層。然而，當(dāng)使用本發(fā)明的方法分割這種晶片時(shí)，不發(fā)生這種損壞和/或分層。[0064]膠帶的面向晶片的一側(cè)的側(cè)面上的粘接劑可通過(guò)諸如熱、UV輻射、電場(chǎng)和/或化學(xué)制劑的外部刺激來(lái)固化。以這種方法，在處理后，可以從晶片輕易地去除膠帶。外部刺激可以被施加至膠帶的面向晶片的一側(cè)的側(cè)面上的粘接劑，以便降低該粘接劑的粘接力，因此能夠容易地去除膠帶。[0065]具體地，粘接劑可以是丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。用于粘接劑的UV可固化型樹(shù)脂的優(yōu)選示例是(例如)聚氨酯丙烯酸酯低聚物。[0066]此外，粘接劑可以是(例如)可水溶樹(shù)脂。[0067]本發(fā)明的晶片分割方法還可以包括以下步驟:在切割晶片后，將等離子體刻蝕施加至晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)面。以這種方法，可以去除晶片中由切割工藝所產(chǎn)生的任何機(jī)械損害，由此減小切割晶片期間在晶片中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力并且提高所得到的器件芯片的裸片強(qiáng)度。[0068]在應(yīng)用保護(hù)層之后，可以將等離子體刻蝕施加至晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)面。以這種方法，保護(hù)層在等離子體刻蝕期間用作掩模，保護(hù)晶片后側(cè)免受等離子體并且高效地將等離子體引導(dǎo)到在切割工藝中產(chǎn)生的裸片之間的切口中，由此可靠地刻蝕裸片的側(cè)表面。[0069]本發(fā)明的晶片分割方法還可以包括以下步驟:在切割晶片之后，將粘性拾取帶附接至晶片的與所述一側(cè)相反的側(cè)面。[0070]因?yàn)槁闫烧承允叭П３?，所以該步驟能夠特別輕易地將載體從膠帶分離并且將膠帶從晶片的所述一側(cè)分離。[0071]該粘性拾取帶可以被進(jìn)一步配置為可徑向延伸或徑向拉伸。所述方法還可以包括以下步驟:(例如)通過(guò)使用膨脹鼓徑向延伸粘性拾取帶，以增加裸片之間的距離并且能夠更輕易地拾取裸片。[0072]根據(jù)本發(fā)明的晶片分割方法還可以包括以下步驟:將膠帶的與面向晶片的所述一側(cè)的表面相反的表面與晶片的與所述一側(cè)相反的表面平行地放置。以這種方法，可以實(shí)現(xiàn)較高的加工精度，也可以實(shí)現(xiàn)更高的加工質(zhì)量。[0073]載體可以由諸如硅和/或玻璃的剛性材料制成。如果載體由玻璃制成，則能夠利用可穿透玻璃傳播的輻射(例如，UV輻射)將能量輸入到附接裝置中。如果載體由硅制成，則提供了有成本效益的載體。兩種材料的組合也是可能的?！靖綀D說(shuō)明】[0074]下文中，參照附圖對(duì)本發(fā)明的非限制性示例進(jìn)行說(shuō)明，在附圖中:[0075]圖1是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第一步驟的截面圖；[0076]圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第二步驟的截面圖；[0077]圖3是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的另選第一步驟的截面圖；[0078]圖4是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第三步驟、第四步驟和第五步驟的截面圖；[0079]圖5是圖4中的區(qū)域A的放大圖；[0080]圖6是圖4中的區(qū)域A的針對(duì)附接裝置的另選布置的放大圖；[0081]圖7是圖4中的區(qū)域A的針對(duì)附接裝置的另一另選布置的放大圖；[0082]圖8是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第六步驟的截面圖；[0083]圖9是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第七步驟的截面圖；[0084]圖10是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第八步驟和第九步驟的截面圖；[0085]圖11是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第十步驟的截面圖；[0086]圖12是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第十一步驟的截面圖；[0087]圖13是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第十二步驟的截面圖；[0088]圖14是例示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的分割晶片的方法的第七步驟和第八步驟的截面圖；[0089]圖15是例示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的分割晶片的方法的第九步驟的截面圖；[0090]圖16是例示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的分割晶片的方法的第十步驟的截面圖；[0091]圖17是示出通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的分割晶片的方法獲得的分離的裸片的截面圖；[0092]圖18是例示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的分割晶片的方法的第十一步驟的截面圖；[0093]圖19是例示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的分割晶片的方法的第十二步驟的截面圖；以及[0094]圖20是例示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的分割晶片的方法的第十三步驟的截面圖?！揪唧w實(shí)施方式】[0095]現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。優(yōu)選實(shí)施方式涉及用于將晶片W分割成裸片的方法。[0096]晶片W例如可以是在其前側(cè)表面上(在下面的描述中被稱為圖案?jìng)?cè)I)形成有MEMS器件的MEMS晶片。然而，該晶片W不限于MEMS晶片，也可以是在其圖案?jìng)?cè)I上形成有優(yōu)選地作為固態(tài)成像器件的CMOS器件的CMOS晶片，或者在其圖案?jìng)?cè)I上具有其它類型器件的晶片。[0097]晶片W可以由例如娃的半導(dǎo)體制成。這種娃晶片W可以包括娃基板上的諸如IC(集成電路)和LSI(大規(guī)模集成)的器件。另選地，晶片可以是光學(xué)器件晶片，該光學(xué)器件晶片通過(guò)在(例如)陶瓷、玻璃或藍(lán)寶石的無(wú)機(jī)材料基板上形成諸如LED(發(fā)光二極管)的光學(xué)器件來(lái)構(gòu)成。晶片W不限于此，并且可以以任何其它方式形成。另外，上述示例性晶片設(shè)計(jì)的組合也是可能的。[0098]晶片W在研磨前可以具有μπι范圍內(nèi)的厚度，優(yōu)選地在625μπι至925μπι的范圍內(nèi)。[0099]晶片W優(yōu)選地呈現(xiàn)為圓形的形狀。晶片W設(shè)置有形成在其圖案?jìng)?cè)I上的稱為街區(qū)的多個(gè)交叉的分割線(未示出)，由此將晶片W劃分成分別形成有諸如上文所述的那些器件的多個(gè)矩形區(qū)域。這些器件形成在晶片W的器件區(qū)域2中。在圓形晶片W的情況下，該器件區(qū)域2優(yōu)選地是圓形的，并且與晶片W的外圓周同心地布置。器件區(qū)域2由包圍該器件區(qū)域2的環(huán)形的外圍邊緣區(qū)域3包圍。沒(méi)有器件形成在該外圍邊緣區(qū)域3中。外圍邊緣區(qū)域3優(yōu)選地與器件區(qū)域2和/或晶片W的外圓周同心地布置。外圍邊緣區(qū)域3的徑向延伸可以在mm范圍內(nèi)，并且優(yōu)選地在Imm至3mm的范圍內(nèi)。[0100]晶片W的圖案?jìng)?cè)I還設(shè)置有易碎結(jié)構(gòu)或用于與分離的裸片中的器件區(qū)域2的器件建立電接觸的凸塊(bump)14。[0101]在下文中，將參照?qǐng)D1至圖13來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的切割晶片W的方法。[0102]圖1描繪了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第一步驟的結(jié)果。在該第一步驟中，將膠帶4附接至晶片W的圖案?jìng)?cè)I。換句話說(shuō)，圖案?jìng)?cè)I被膠帶4層壓。膠帶4優(yōu)選地具有與晶片W相同的形狀，并且同心地附接至晶片W。當(dāng)附接至晶片W時(shí)，膠帶4粘接至在圖案?jìng)?cè)I的器件區(qū)域2中形成的器件。該膠帶4能夠保護(hù)在晶片W的器件區(qū)域2中形成的器件。[0103]膠帶4的面向晶片W的圖案?jìng)?cè)I的一側(cè)上的粘接劑可以通過(guò)諸如熱、UV輻射、電場(chǎng)和/或化學(xué)制劑的外部刺激而固化。以這種方式，在處理后，膠帶4可以輕易地從晶片W上去除。[0104]具體地，膠帶4的粘接劑可以是丙烯酸樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。用于粘接劑的UV可固化型樹(shù)脂的優(yōu)選示例(例如)是聚氨酯丙稀酸酯低聚物(urethaneacrylateoligomer)。此外，粘接劑可以是(例如)水溶性樹(shù)脂。[0105]圖2例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的第二步驟。應(yīng)注意，該第二步驟對(duì)于根據(jù)該第一實(shí)施方式的方法是可選的。在該第二步驟中，使膠帶4的遠(yuǎn)離晶片W定向的表面與晶片W的遠(yuǎn)離膠帶4定向的表面平行。由于器件形成在晶片W的圖案?jìng)?cè)I上的事實(shí)，膠帶4的上表面5由于形成在其下方的器件可能呈現(xiàn)不平的表面輪廓。該上表面5的最低點(diǎn)(該最低點(diǎn)是表面的最靠近晶片W的點(diǎn))和該上表面5的最尚點(diǎn)(該最尚點(diǎn)是距晶片W最遠(yuǎn)的點(diǎn))之間的距離可以是約70μπι。通過(guò)在該第二步驟中的平行，該距離可以例如被減小至約2μπι。所述平行優(yōu)選可以通過(guò)在工作盤(chucktable)上夾緊晶片W并且沿上表面5移動(dòng)銑削裝置15使得該銑削裝置15的加工平面與晶片W的后側(cè)表面6平行地定向來(lái)實(shí)現(xiàn)。可以通過(guò)該第二步驟顯著改善具有層壓的膠帶4的晶片W的總厚度值。[0106]圖3例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的分割晶片的方法的另選第一步驟。在該另選第一步驟中，不同類型的膠帶4被附接至晶片W。該膠帶4的面向晶片W的圖案?jìng)?cè)I的一側(cè)上的粘接劑16按照環(huán)形形狀布置，并且在俯視圖中完全位于晶片W的器件區(qū)域2外。粘接劑16不延伸超過(guò)晶片W的外圍邊緣區(qū)域3。[0107]圖4和圖5示出了根據(jù)該第一實(shí)施方式的切割晶片的方法的第三步驟、第四步驟和第五步驟的結(jié)果。[0108]在第三步驟中，提供了硬載體7。該硬載體7優(yōu)選由比膠帶4的材料明顯更硬且更剛性的材料制成。硬載體7例如由硅、玻璃或它們的組合制成。優(yōu)選地，如圖4所示，硬載體7與膠帶4一致地形成，并且與該膠帶4同心地布置。硬載體7可以例如呈現(xiàn)為500μπι至ΙΟΟΟμπι的高度。[0109]在第一實(shí)施方式的可選的第四步驟中，如圖4和圖5所示，在硬載體7中同心地形成諸如凹口的環(huán)形凹陷8。優(yōu)選地，環(huán)形凹陷8在截面中具有矩形的輪廓并且/或者從硬載體7的外周表面9向內(nèi)徑向延伸。在硬載體7的高度方向上，凹陷8可以沿著載體高度的約一半延伸。[0110]硬載體7呈現(xiàn)出外部環(huán)形部分S，該外部環(huán)形部分s從晶片W的外圓周9向內(nèi)徑向延伸。當(dāng)硬載體7同心地附接至膠帶4時(shí)，環(huán)形部分s對(duì)應(yīng)于晶片W的外圍邊緣區(qū)域3。凹陷8的延伸和布置被限定在外部環(huán)形部分s內(nèi)。因此，如圖4和圖5所示，當(dāng)硬載體7同心地附接至膠帶4時(shí)，在俯視圖中，凹陷8不在晶片W的器件區(qū)域2中延伸。要注意，凹陷8也可以從徑向位置開(kāi)始，該徑向位置從硬載體7的外圓周9向內(nèi)徑向移動(dòng)。另外，與矩形輪廓不同的輪廓(例如，三角形輪廓或半圓形輪廓等)也是可能的。[0111]在該第一實(shí)施方式的第五步驟中，硬載體7同心地附接至膠帶4的上表面5。由于硬載體7和膠帶4一致地形成的事實(shí)，這兩個(gè)部件形成連續(xù)的圓周表面。硬載體7附接至膠帶4是通過(guò)附接裝置10實(shí)現(xiàn)的，這允許硬載體7隨后與膠帶4分離，而不損壞該硬載體7。[0112]附接裝置10可以呈現(xiàn)出粘接特性，該粘接特性可以通過(guò)應(yīng)用諸如UV輻射的能量而被影響。附接裝置10可以包括優(yōu)選的雙面膠帶形式的UV可固化膠。附接裝置10設(shè)置在硬載體7的凹陷8中以將硬載體7附接至膠帶4。如圖4和圖5所示，由于凹陷8的結(jié)構(gòu)，附接裝置10整個(gè)位于晶片W的外圍邊緣區(qū)域3內(nèi)，因此，未延伸到器件區(qū)域2中。[0113]在該第五步驟之后，晶片W、膠帶4和硬載體7形成具有固定的(或近似固定的)直徑的單元。該單元(特別是膠帶4)在結(jié)構(gòu)上由剛性硬載體7支承，剛性硬載體7利用設(shè)置在凹陷8中的附接裝置10的UV可固化膠附接至膠帶4。當(dāng)將UV可固化膠用于附接裝置10時(shí)，硬載體7優(yōu)選地由玻璃制成。這使得UV輻射能夠穿透載體7以固化凹陷8中的膠，以使得膠失去其粘接特性，并且載體7可以輕易地分開(kāi)而不被損壞。[0114]另選地，代替UV可固化膠，可將熱固化膠帶(優(yōu)選地雙面膠帶)用于附接裝置，以將硬載體7附接至膠帶4。該膠帶優(yōu)選地布置在硬載體7的凹陷8中。這種熱可固化膠帶使得通過(guò)將熱量施加至該熱可固化膠帶，硬載體7能夠輕易地從膠帶4分離，而不損壞該載體7。因?yàn)椴恍枰该鞫?，所以該結(jié)構(gòu)允許使用硅作為硬載體7的材料。另選地，可水溶膠可以被用于附接裝置10。[0115]還有可能的是，分配的液體膠可以用于附接裝置10。液體膠將變干，并且將膠帶4和硬載體7彼此連接。該膠可以被布置在凹陷8中。凹陷8可以被設(shè)置在膠帶4的圓周表面、硬載體7的圓周表面或兩者內(nèi)。液體膠然后可以被設(shè)置在凹陷內(nèi)的膠帶4和載體7的交界處。凹陷8可以呈現(xiàn)三角形截面。[0116]如參照示出了附接裝置10的另選布置的圖6和圖7所進(jìn)一步詳細(xì)描述的，還有可能不設(shè)置凹陷。[0117]如圖6中示意性地示出的，附接裝置10可以按環(huán)形布置被設(shè)置在載體7的平坦上表面上。因?yàn)椴皇潜仨氃O(shè)置凹陷，所以這種布置提供了載體7和附接裝置10的特別簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。附接裝置10可以具有5m至10m的范圍內(nèi)的厚度。[0118]另選地，如圖7中示意性地示出的，附接裝置10可以例如沿著載體7和膠帶4的整個(gè)圓周布置在載體7的外周側(cè)表面9和膠帶4的外周側(cè)表面18上。在這種情況下，載體7與膠帶4之間的交界處不存在附接裝置10的部分。因此，可以確保在這兩個(gè)元件之間的特別光滑、平坦和均勻的交界。[0119]在附接裝置10的所有上述結(jié)構(gòu)中，附接裝置10未延伸到晶片W的器件區(qū)域2中。[0120]為了將硬載體7從膠帶4分離，刀或任何其它機(jī)械切割裝置可以被用于切割附接裝置10，以在沒(méi)有損壞的情況下將硬載體7從膠帶4分離。另選地，用于附接裝置10的諸如液體膠的膠可以通過(guò)諸如UV輻射或熱的外部刺激來(lái)固化。在這種情況下，通過(guò)將外部刺激施加至膠，可以將硬載體7從膠帶4分離，由此使膠固化并因此降低其粘接力，并隨后將硬載體7從膠帶4上去除。此外，諸如液體膠的膠可以是可水溶膠，通過(guò)將水應(yīng)用于膠而使得硬載體7能夠從膠帶4去除。[0121]圖8例示了該第一實(shí)施方式的第六步驟的結(jié)果。在該第六步驟中，利用研磨裝置，將已附接了膠帶4的晶片W(其中，硬載體7被安裝至膠帶4)從其后側(cè)表面6研磨至所期望的厚度。該厚度可以是裸片的最終厚度。這種研磨裝置可以包括諸如金剛石砂輪的一個(gè)或更多個(gè)研磨輪。[0122]如圖9所示，在該第一實(shí)施方式的第七步驟中，在研磨之后，將保護(hù)層20應(yīng)用于晶片W的后側(cè)。[0123]例如，保護(hù)層20可以以例如膠帶的固體片的形式或以液體模制材料的形式來(lái)應(yīng)用。[0124]在本發(fā)明的晶片分割方法的第一實(shí)施方式中，保護(hù)層20優(yōu)選地以已經(jīng)應(yīng)用了可通過(guò)諸如熱、UV輻射、電場(chǎng)和/或化學(xué)制劑的外部刺激來(lái)固化的材料的固體片(S卩，帶)的形式來(lái)應(yīng)用。具體地，所述帶可以已經(jīng)應(yīng)用了熱固材料和/或能量射線可固化材料。例如，由LINTECCorporat1n制造的AdwiIILC帶可以被用作保護(hù)層20。[0125]通過(guò)向保護(hù)層施加外部刺激來(lái)固化保護(hù)層20，例如針對(duì)熱可固化(例如，熱固)材料的情況，通過(guò)在爐中加熱來(lái)固化保護(hù)層20。[0126]該方法能夠?qū)崿F(xiàn)保護(hù)層20的極高程度的精確性和均勻性。[0127]如圖10所示，在第一實(shí)施方式的晶片分割方法的第八步驟和第九步驟中，從晶片W的被研磨的后側(cè)沿著分割線切割晶片W。[0128]具體地，首先使用諸如刀片或鋸的機(jī)械切割裝置以第一切割寬度奶(參見(jiàn)圖10的左手側(cè)，示意性地示出不完全切割)機(jī)械地不完全切割晶片W的被研磨的后側(cè)。如在圖10中示意性地示出的，沿著晶片W的厚度機(jī)械地切割晶片W超過(guò)80%。在穿過(guò)晶片W的部分執(zhí)行機(jī)械切割之前，沿著分割線穿過(guò)保護(hù)層20進(jìn)行機(jī)械切割。[0129]隨后，從該晶片W的后側(cè)以第二切割寬度《2(參見(jiàn)圖10的右手側(cè)，示意性地示出達(dá)到穿過(guò)晶片W的整個(gè)厚度的切割22)對(duì)晶片W的厚度方向上的已形成不完全切口的區(qū)域中的剩余部分21進(jìn)行機(jī)械切割和/或激光切割和/或等離子體切割。[0130]如圖10所示，第二切割寬度《2小于第一切割寬度W1。[0131]在第一實(shí)施方式中，優(yōu)選地通過(guò)激光來(lái)切割晶片W的剩余部分21。然而，另選地，可以例如通過(guò)使用諸如刀片或鋸的機(jī)械切割裝置，以小于用于不完全切割的機(jī)械切割裝置的寬度的寬度來(lái)機(jī)械地切割晶片W的剩余部分21。此外，作為進(jìn)一步的另選實(shí)施方式，可以通過(guò)等離子體(例如，使用等離子體源)來(lái)切割晶片W的剩余部分21。另外，也可以使用這些不同切割方法的組合。[0132]通過(guò)切割晶片W的剩余部分21，裸片23彼此完全分離。[0133]如果晶片W在其圖案?jìng)?cè)I上呈現(xiàn)出表面層(未示出)，具體地，低k層，則本發(fā)明的方法是特別有益的。當(dāng)從晶片W的圖案?jìng)?cè)I切割晶片W時(shí)，低k層通常是非常易碎的，并且容易被損壞和/或分層。然而，當(dāng)使用本發(fā)明的方法來(lái)分割這種晶片W時(shí)，因?yàn)榘凑丈鲜龇绞綇木琖的后側(cè)切割該晶片W，所以不會(huì)發(fā)生這種損壞和/或分層。[0134]如圖11所示，在裸片23已經(jīng)彼此完全分離之后，它們分別粘接至硬載體7所附接的膠帶4。在第一實(shí)施方式的第十步驟中，在切割晶片W之后，對(duì)晶片后側(cè)應(yīng)用等離子體刻蝕，如圖11中的箭頭B所指示的。以這種方式，可以消除切割工藝在晶片W中產(chǎn)生的任何機(jī)械損害，因此緩解了在切割晶片W期間在該晶片W中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，并且提高了所得到的器件芯片的強(qiáng)度。在等離子體刻蝕工藝中，保護(hù)層20用作掩模，保護(hù)晶片后側(cè)免受等離子體并且高效地將等離子體引導(dǎo)到在切割工藝中形成的裸片23之間的切口22中，因此可靠地刻蝕裸片23的側(cè)表面。[0135]在第一實(shí)施方式的第十一步驟中，在圖12中示出了其結(jié)果，分別由膠帶4和硬載體7保持的單獨(dú)的裸片23被放置在安裝在環(huán)形框架25上的粘性拾取帶24上。如圖12所示，裸片23、膠帶4和硬載體7的單元按照保護(hù)層20的上表面接觸粘性拾取帶24的方式放置在該粘性拾取帶24上。[0136]在第一實(shí)施方式的第十二步驟中，在圖13中示出了其結(jié)果，將載體7和膠帶4從晶片W去除。具體地，如上所述，膠帶4在其面向晶片W的圖案?jìng)?cè)I的一側(cè)上的粘接劑可以通過(guò)向其施加外部刺激來(lái)固化，以便降低所述粘接劑的粘接力，因此使得膠帶4和載體7能夠輕易地從晶片W上被去除。[0137]隨后，可以通過(guò)拾取裝置從粘性拾取帶24拾取單獨(dú)的分離的裸片23。通過(guò)徑向拉伸拾取帶24可以增加單獨(dú)的裸片23之間的間隔，以便有助于拾取工藝。[0138]在下文中，將參照?qǐng)D14至圖17來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的分割晶片W的方法。第二實(shí)施方式的方法與第一實(shí)施方式的方法的不同之處在于在圖14至圖17中所示的第七方法步驟至第十方法步驟。[0139]具體地，如圖14所示，在第二實(shí)施方式的方法中，在應(yīng)用保護(hù)層20之前，在第七步驟和第八步驟中執(zhí)行晶片W的切割。[0140]隨后，如圖15中示意性地示出的，在第九步驟中，將用于保護(hù)層的液體模制材料應(yīng)用到晶片W的后側(cè)。該液體模制材料滲入在切割工藝中形成的裸片23之間的切口22中。因此，保護(hù)層20也可以可靠地應(yīng)用到裸片23的側(cè)表面，因此提供特別可靠的保護(hù)。[0141]液體模制材料可以通過(guò)諸如熱、UV輻射、電場(chǎng)和/或化學(xué)制劑的外部刺激來(lái)固化。在用于保護(hù)層20的液體模制材料已經(jīng)被應(yīng)用到晶片W的后側(cè)之后，通過(guò)向該液體模制材料施加外部刺激而使其固化，例如針對(duì)熱可固化(例如，熱固)材料的情況，通過(guò)在爐中加熱來(lái)固化液體模制材料。[0142]可選地，在固化之后，保護(hù)層20可以經(jīng)受研磨工藝以使得保護(hù)層20的上表面特別平直和平坦。[0143]在圖16中示意性地示出的第二實(shí)施方式的第十步驟中，在切割晶片W之前，在分割線所在的位置處沿著線切割保護(hù)層20。以這種方式，后側(cè)和側(cè)表面被應(yīng)用了保護(hù)層20的裸片23可靠地彼此分離。例如，可以通過(guò)機(jī)械切割(例如，使用刀片或鋸)和/或通過(guò)激光的切割和/或通過(guò)等離子體的切割來(lái)執(zhí)行該切割工藝。[0144]可選地，可以在保護(hù)層20上設(shè)置激光標(biāo)記。[0145]隨后，可以以與上文針對(duì)第一實(shí)施方式詳細(xì)說(shuō)明的方式相同的方式來(lái)拾取分離的裸片23。在圖17中示出了通過(guò)第二實(shí)施方式的方法獲得的單獨(dú)的分離的裸片23。[0146]在下文中，將參照?qǐng)D18至圖20來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的分割晶片W的方法。第三實(shí)施方式的方法與第一實(shí)施方式的方法實(shí)質(zhì)上不同之處在于在圖18至圖20中所例示的第十一方法步驟至第十三方法步驟。[0147]具體地，在第三實(shí)施方式的方法中，晶片W在圖8中針對(duì)第一實(shí)施方式所示出的研磨步驟中被研磨。然而，在第三實(shí)施方式的該步驟中，晶片W不是被研磨至其最終厚度，而是被預(yù)研磨至例如200m至400m的厚度。[0148]隨后，將保護(hù)層20應(yīng)用到晶片W的預(yù)研磨的表面并固化(參見(jiàn)圖9)，并且從晶片W的后側(cè)切割晶片W(參見(jiàn)圖10)。此外，在切割晶片W之后，將等離子體刻蝕應(yīng)用于晶片后側(cè)(參見(jiàn)圖11)。按照與針對(duì)第一實(shí)施方式相同的方式來(lái)執(zhí)行所有這些步驟。[0149]在等離子體刻蝕之后，晶片W經(jīng)受作為第十一步驟的進(jìn)一步的研磨步驟，從晶片W研磨掉保護(hù)層20并且將晶片W研磨至其最終的期望厚度，例如，1m至50m。在圖18中示出了該研磨步驟的結(jié)果。[0150]在該進(jìn)一步的研磨步驟之后，例如通過(guò)(例如，使用干燥的拋光墊)拋光后側(cè)可以將應(yīng)力消除處理應(yīng)用于晶片后側(cè)。[0151]在第三實(shí)施方式的第十二步驟中，在圖19中示出了其結(jié)果，分別由膠帶4和硬載體7保持的單獨(dú)的裸片23被放置在安裝在環(huán)形框架25上的粘性拾取帶24上。如圖19所示，與第一實(shí)施方式相比，裸片23、膠帶4和硬載體7的單元以裸片23的被研磨的表面接觸粘性拾取帶24的方式放置在粘性拾取帶24上。[0152]在第三實(shí)施方式的第十三步驟中，在圖20中示出了其結(jié)果，從晶片W去除載體7和膠帶4。具體地，如上文已經(jīng)詳細(xì)描述的，膠帶4在其面向晶片W的圖案?jìng)?cè)I的一側(cè)上的粘接劑可以通過(guò)向其施加外部刺激而被固化，以便降低該粘接劑的粘接力，因此使得膠帶4和載體7能夠輕易地從晶片W上被去除。[0153]隨后，可以按照與針對(duì)第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式相同的方式通過(guò)拾取裝置從粘性拾取帶24拾取單獨(dú)的分離的裸片23。通過(guò)徑向拉伸拾取帶24可以增加單獨(dú)的裸片23之間的間隔，以便有助于拾取工藝?！局鳈?quán)項(xiàng)】1.一種將晶片(W)分割成裸片(23)的方法，所述晶片(W)在其一個(gè)側(cè)面(I)上具有器件區(qū)域(2)，所述器件區(qū)域(2)具有由多條分割線劃分的多個(gè)器件，所述方法包括以下步驟:將用于保護(hù)所述晶片(W)上的器件的膠帶(4)附接至所述晶片(W)的所述一個(gè)側(cè)面(I);通過(guò)附接裝置(10)，將用于支承所述膠帶(4)的載體(7)附接至所述膠帶(4)的與面向所述晶片(W)的所述一個(gè)側(cè)面(I)的側(cè)面相反的側(cè)面；研磨所述晶片(W)的與所述一個(gè)側(cè)面(I)相反的側(cè)面(6)以調(diào)節(jié)所述晶片的厚度；在研磨之后，將保護(hù)層(20)應(yīng)用到所述晶片(W)的與所述一個(gè)側(cè)面(I)相反的所述側(cè)面(6);以及沿所述分割線切割所述晶片(W)，其中，以第一切割寬度On)對(duì)所述晶片(W)的與所述一個(gè)側(cè)面(I)相反的所述側(cè)面(6)進(jìn)行機(jī)械地不完全切割，并且在所述晶片(W)的厚度方向上，以第二切割寬度(W2)從所述晶片(W)的與所述一個(gè)側(cè)面(I)相反的所述側(cè)面(6)機(jī)械切割和/或激光切割和/或等離子體切割已形成不完全切口或多個(gè)不完全切口的區(qū)域或多個(gè)區(qū)域中的所述晶片(W)的剩余部分(21)，其中，所述第二切割寬度(W2)小于或等于所述第一切割寬度(W1)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二切割寬度(W2)小于所述第一切割寬度(Wl)ο3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述附接裝置(10)在俯視圖中完全位于所述晶片(W)的所述器件區(qū)域(2)之外。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述附接裝置(10)被布置在所述載體(7)的平坦的上表面(17)上，或者所述附接裝置(10)被容納在形成在所述載體(7)中的凹陷(8)中，所述凹陷(8)優(yōu)選為環(huán)形凹陷，或者所述附接裝置(10)被布置在所述載體(7)的外周側(cè)表面(9)和所述膠帶(4)的外周側(cè)表面(18)上。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在切割所述晶片(W)之前，將所述保護(hù)層(20)應(yīng)用到所述晶片(W)的與所述一個(gè)側(cè)面(I)相反的所述側(cè)面(6)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在穿過(guò)所述晶片(W)的部分執(zhí)行機(jī)械切割之前，沿所述分割線穿過(guò)所述保護(hù)層(20)執(zhí)行機(jī)械切割。7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在切割所述晶片(W)之后，將所述保護(hù)層(20)應(yīng)用到所述晶片(W)的與所述一個(gè)側(cè)面(I)相反的所述側(cè)面(6)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，該方法還包括以下步驟:在切割所述晶片(W)之前，在所述分割線所在的位置處沿線切割所述保護(hù)層(20)。9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，該方法還包括以下步驟:在應(yīng)用所述保護(hù)層(20)之后，研磨所述晶片(W)的與所述一個(gè)側(cè)面(I)相反的所述側(cè)面(6)以便去除所述保護(hù)層(20)。10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述保護(hù)層(20)是耐熱的和/或抗等離子體的和/或防潮的。11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述保護(hù)層(20)以固體片的形式來(lái)應(yīng)用或者以液體模制材料的形式來(lái)應(yīng)用。12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在所述晶片(W)的所述一個(gè)側(cè)面(I)上設(shè)置低k層，并且從所述晶片(W)的與所述一個(gè)側(cè)面(I)相反的所述側(cè)面(6)機(jī)械切割和/或激光切割和/或等離子體切割所述低101。13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述膠帶(4)的面向所述晶片(W)的所述一個(gè)側(cè)面(I)的側(cè)面上的粘接劑能夠通過(guò)外部刺激來(lái)固化，所述外部刺激諸如是熱、UV輻射、電場(chǎng)和/或化學(xué)制劑。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，該方法還包括以下步驟:將所述外部刺激施加至所述膠帶(4)的面向所述晶片(W)的所述一個(gè)側(cè)面(I)的所述側(cè)面上的所述粘接劑以便降低所述粘接劑的粘接力。15.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，該方法還包括以下步驟:在切割所述晶片(W)之后，將等離子體刻蝕(B)應(yīng)用至所述晶片(W)的與所述一個(gè)側(cè)面(I)相反的所述側(cè)面(6)ο【文檔編號(hào)】H01L21/301GK105931956SQ201610109044【公開(kāi)日】2016年9月7日【申請(qǐng)日】2016年2月26日【發(fā)明人】卡爾·海因茨·普利瓦西爾【申請(qǐng)人】株式會(huì)社迪思科