一種底發(fā)射型顯示面板及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種底發(fā)射型顯示面板及其制備方法。所述底發(fā)射型顯示面板包括TFT基板，設(shè)置在所述TFT基板上的光反射結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述光反射結(jié)構(gòu)上的平坦層，且所述平坦層覆蓋所述TFT基板上未設(shè)置光反射結(jié)構(gòu)的區(qū)域，設(shè)置在所述平坦層上的底發(fā)射發(fā)光器件，且所述底發(fā)射發(fā)光器件之間設(shè)置有像素bank，其中，所述光反射結(jié)構(gòu)繞設(shè)于所述底發(fā)射發(fā)光器件在所述TFT基板的投影區(qū)的邊緣區(qū)域。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種底發(fā)射型顯示面板及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種底發(fā)射型顯示面板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在信息社會(huì)的當(dāng)代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進(jìn)一步加強(qiáng)，為了在未來(lái)占據(jù)主導(dǎo)地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質(zhì)量的趨勢(shì)發(fā)展。有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)由于其具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，其潛在的市場(chǎng)前景被業(yè)界看好。量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)由于其光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調(diào)等優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)成了OLED的有力競(jìng)爭(zhēng)者。因此，這兩種顯示技術(shù)是目前顯示領(lǐng)域發(fā)展的兩個(gè)主要方向。
[0003]底發(fā)射型器件由于通過(guò)常用高透光率的ITO作為底電極，其制作工藝簡(jiǎn)單，技術(shù)更為成熟，因此相對(duì)頂發(fā)射器件更易于量產(chǎn)。目前的商業(yè)化的OLED顯示面板基本都采用底發(fā)射器件結(jié)構(gòu)。但在底發(fā)射的顯示器件結(jié)構(gòu)中，仍存在一些問(wèn)題。具體的，由于OLED和QLED均為面光源，因此，其側(cè)面以及正面均有光出射。而目前的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)中，側(cè)面出射的光基本被損耗掉，這樣不僅會(huì)降低發(fā)光器件的出光效率，甚至?xí)?duì)光敏感的驅(qū)動(dòng)TFT產(chǎn)生影響。因此，現(xiàn)有技術(shù)有待進(jìn)一步改進(jìn)和發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種底發(fā)射型顯示面板，旨在解決現(xiàn)有底發(fā)射型顯示面板側(cè)面出光導(dǎo)致出光效率低、驅(qū)動(dòng)TFT受影響，進(jìn)而導(dǎo)致穩(wěn)定性差的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明的另一目的在于提供一種底發(fā)射型顯示面板的制備方法。
[0006]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種底發(fā)射型顯示面板，包括TFT基板，設(shè)置在所述TFT基板上的光反射結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述光反射結(jié)構(gòu)上的平坦層，且所述平坦層覆蓋所述TFT基板上未設(shè)置光反射結(jié)構(gòu)的區(qū)域，設(shè)置在所述平坦層上的底發(fā)射發(fā)光器件，且所述底發(fā)射發(fā)光器件之間設(shè)置有像素bank，其中，所述光反射結(jié)構(gòu)繞設(shè)于所述底發(fā)射發(fā)光器件在所述TFT基板的投影區(qū)的邊緣區(qū)域。
[0007]以及，一種底發(fā)射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0008]提供一具有TFT陣列的TFT基板，其中，所述TFT陣列表面覆蓋保護(hù)層；
[0009]在所述TFT基板上、沿著所述底發(fā)射發(fā)光器件在所述TFT基板的投影區(qū)的邊緣區(qū)域制作光反射結(jié)構(gòu)；
[0010]在所述光反射結(jié)構(gòu)和未設(shè)置光反射結(jié)構(gòu)的所述TFT基板上制作平坦層；
[0011]在所述平坦層上挖孔形成連接孔，并制作通過(guò)所述連接孔與所述TFT陣列的S/Di極電連接的透明像素電極；
[0012]制作像素bank，且所述像素bank露出像素發(fā)光區(qū)域的所述透明像素電極；
[0013]在所述透明像素電極上沉積發(fā)光層以及反射頂電極。
[0014]本發(fā)明提供的底發(fā)射型顯示面板，通過(guò)在底發(fā)射發(fā)光像素單元的出光側(cè)引入光反射結(jié)構(gòu)，使得從所述底發(fā)射發(fā)光器件側(cè)面出射的光可以經(jīng)所述光反射結(jié)構(gòu)反射、從正面出射，從而提高了顯示面板的出光效率；同時(shí)，所述光反射結(jié)構(gòu)的設(shè)置，還能避免出射光的光子對(duì)TFT陣列的照射，進(jìn)而提高面板的穩(wěn)定性。
[0015]本發(fā)明提供的底發(fā)射型顯示面板的制備方法，方法簡(jiǎn)單，工藝相對(duì)成熟易控，易于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的底發(fā)射型顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供光反射結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的底發(fā)射型顯示面板的制備方法流程示意圖；
[0019]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的在TFT基板上制作光反射結(jié)構(gòu)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的制作完平坦層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的制作完透明像素電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的制作完像素bank后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0025]結(jié)合圖1-2，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種底發(fā)射型顯示面板，包括TFT基板I，設(shè)置在所述TFT基板I上的光反射結(jié)構(gòu)2，設(shè)置在所述光反射結(jié)構(gòu)2上的平坦層3，且所述平坦層3覆蓋所述TFT基板I上未設(shè)置所述光反射結(jié)構(gòu)2的區(qū)域，設(shè)置在所述平坦層3上的底發(fā)射發(fā)光器件4，且所述底發(fā)射發(fā)光器件4之間設(shè)置有像素bank 5，其中，所述光反射結(jié)構(gòu)2繞設(shè)于所述底發(fā)射發(fā)光器件4在所述TFT基板I的投影區(qū)的邊緣區(qū)域。
[0026]具體的，本發(fā)明實(shí)施例中，所述TFT基板I上具有用于驅(qū)動(dòng)所述底發(fā)射發(fā)光器件4的TFT陣列，且在所述TFT陣列上，覆蓋有保護(hù)層。其中，所述TFT陣列為本領(lǐng)域常規(guī)結(jié)構(gòu)的TFT陣列，可以是硅基TFT，也可以是氧化物TFT;所述保護(hù)層為鈍化層，可以防止后續(xù)工藝對(duì)所述TFT陣列的破壞。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例中，為了提高出射光的出光效率，在所述底發(fā)射發(fā)光器件4的出光面設(shè)置了所述光反射結(jié)構(gòu)2。由于單獨(dú)采用反射金屬來(lái)制作反射結(jié)構(gòu)時(shí)，通過(guò)刻蝕形成的反射結(jié)構(gòu)側(cè)面較為粗糙，很難形成高光學(xué)反射的反射側(cè)面。因此，本發(fā)明實(shí)施例所述光反射結(jié)構(gòu)2優(yōu)選為包括設(shè)置在所述TFT基板I上的反射結(jié)構(gòu)主體21和設(shè)置在所述反射結(jié)構(gòu)主體21表面的反射表面22，即通過(guò)先制作所述光反射主體21、然后在所述光反射主體21上制作反射表面22的方式，來(lái)實(shí)現(xiàn)光滑且高光學(xué)反射率的光反射結(jié)構(gòu)2。進(jìn)一步的，所述光反射主體21優(yōu)選采用有機(jī)材料制成，更優(yōu)選采用感光樹(shù)脂材料制成，優(yōu)選的材料有利于所述光反射結(jié)構(gòu)2的主體結(jié)構(gòu)圖案的形成。作為另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述光反射主體21的厚度為1-5μπι。所述反射表面22優(yōu)選采用光學(xué)反射率高金屬或金屬合金制成，包括但不限于Ag、Al等高反射性金屬或合金。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例中，如圖2所示，所述反射表面22包括近所述底發(fā)射發(fā)光器件4在所述TFT基板I的投影區(qū)的內(nèi)壁面221和所述內(nèi)壁面221在所述反射結(jié)構(gòu)主體21頂部延伸形成的上表面222。所述內(nèi)壁面221可以對(duì)從所述底發(fā)射發(fā)光器件4發(fā)出的出射光進(jìn)行有效反射，從而提高所述底發(fā)射型顯示面板的出光效率;所述上表面222可進(jìn)一步避免所述底發(fā)射發(fā)光器件4的光子照射到所述驅(qū)動(dòng)TFT影響其性能，從而提高顯示面板的穩(wěn)定性。為了便于所述反射表面22的制備、簡(jiǎn)化所述底發(fā)射型顯示面板的制作工藝，可在所述反射結(jié)構(gòu)主體21的整體表面制備所述反射表面22，即所述反射表面22包括所述內(nèi)壁面221、所述上表面222和與所述內(nèi)壁面221相對(duì)的外壁面223。
[0029]進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例中，所述反射表面22的所述內(nèi)壁面221的設(shè)置角度對(duì)出射光的反射效果有一定的影響。作為優(yōu)選實(shí)施例，所述內(nèi)壁面221與所述光反射結(jié)構(gòu)2的底面形成60-90°的夾角(圖2中所示α)，從而更好地實(shí)現(xiàn)出射光的反射，提高出光效率。若角度太小，出射光經(jīng)反射后會(huì)被反射回所述底發(fā)射發(fā)光器件4，無(wú)法從出光側(cè)射出；若角度太大(>90°)，所述上表面會(huì)對(duì)所述內(nèi)壁面造成阻擋，從而減少可被反射的光。
[0030]作為進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施例，所述光反射結(jié)構(gòu)2的縱切面呈梯形。該優(yōu)選的結(jié)構(gòu)，通過(guò)常規(guī)的曝光顯影工藝或刻蝕即可實(shí)現(xiàn)，可簡(jiǎn)化工藝。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例所述平坦層3用于平坦化所述光反射結(jié)構(gòu)2以及所述TFT陣列引起的基板表面凹凸結(jié)構(gòu)，從而便于后面像素Bank 5的制作。所述平坦層3的材料和厚度沒(méi)有嚴(yán)格限制，可參照本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)進(jìn)行。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例中，所述底發(fā)射發(fā)光器件4為OLED或QLED平面型主動(dòng)發(fā)光器件。所述底發(fā)射發(fā)光器件4由依次設(shè)置在所述平坦層3上的透明底電極41、發(fā)光層42和反射頂電極43組成。其中，所述透明底電極41為本領(lǐng)域常規(guī)的導(dǎo)電透明薄膜組成，如ΙΤ0、ΙΖ0等。所述發(fā)光層42包括光發(fā)射層，所述光發(fā)射層42可以根據(jù)發(fā)光器件類(lèi)型的不同，選擇有機(jī)發(fā)光材料或量子點(diǎn)發(fā)光材料。優(yōu)選的，所述發(fā)光層42還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層中的至少一層。作為較佳實(shí)施例，所述發(fā)光層42為包括空穴注入層、空穴傳輸層、光發(fā)射層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層的多層層疊結(jié)構(gòu)。所述反射頂電極43為導(dǎo)電金屬薄膜，包括但不限于Al、Ag、Cu、Au或它們的
I=IO
[0033]在所述底發(fā)射發(fā)光器件4之間設(shè)置有像素bank5，所述像素bank 5用于定義各像素(發(fā)光器件)的大小以及位置。所述像素bank 5的材料和厚度可采用本領(lǐng)域的常規(guī)設(shè)置。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的底發(fā)射型顯示面板，通過(guò)在底發(fā)射發(fā)光像素單元的出光側(cè)引入光反射結(jié)構(gòu)，使得從所述底發(fā)射發(fā)光器件側(cè)面出射的光可以經(jīng)所述光反射結(jié)構(gòu)反射、從正面出射，從而提高了顯示面板的出光效率；同時(shí)，所述光反射結(jié)構(gòu)的設(shè)置，還能避免出射光的光子對(duì)TFT陣列的照射，進(jìn)而提高面板的穩(wěn)定性。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例所述底發(fā)射型顯示面板，可以通過(guò)下述方法制備獲得。
[0036]以及，結(jié)合圖1、3_8，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種底發(fā)射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟，流程示意圖如圖3所示:
[0037]SOl.提供一具有TFT陣列的TFT基板I，其中，所述TFT陣列表面覆蓋保護(hù)層；
[0038]S02.在所述TFT基板I上、沿著所述底發(fā)射發(fā)光器件4在所述TFT基板I的投影區(qū)的邊緣區(qū)域制作光反射結(jié)構(gòu)2;
[0039]S03.在所述光反射結(jié)構(gòu)2和未設(shè)置光反射結(jié)構(gòu)2的所述TFT基板I上制作平坦層3;
[0040]S04.在所述平坦層3上挖孔形成連接孔，并制作通過(guò)所述連接孔與所述TFT陣列的S/D電極電連接的透明像素電極41 ；
[0041]S05.制作像素bank 5，且所述像素bank 5露出像素發(fā)光區(qū)域的所述透明像素電極41；
[0042]S06.在所述透明像素電極41上沉積發(fā)光層42以及反射頂電極43。
[0043]具體的，上述步驟SOl中，提供一TFT基板I，如圖4所示。所述TFT基板I為包括TFT陣列(圖中未標(biāo)出)的基板，所述TFT陣列表面覆蓋有保護(hù)層(圖中未標(biāo)出)，所述保護(hù)層為鈍化層。
[0044]上述步驟S02中，本發(fā)明實(shí)施例沿著所述底發(fā)射發(fā)光器件4在所述TFT基板I的投影區(qū)的邊緣區(qū)域制作圖案化的光反射結(jié)構(gòu)2，具體的，所述光反射結(jié)構(gòu)2包括設(shè)置在所述TFT基板I上的反射結(jié)構(gòu)主體21，和設(shè)置在所述反射結(jié)構(gòu)主體21表面的反射表面22。在所述TFT基板I上制備所述光反射結(jié)構(gòu)2后的結(jié)構(gòu)如圖5所示。
[0045]上述步驟S03中，在所述光反射結(jié)構(gòu)2和未設(shè)置光反射結(jié)構(gòu)I的所述TFT基板I上制作平坦層3，所述平坦層3用于平坦化所述光反射結(jié)構(gòu)2以及TFT陣列引起的基板表面凹凸結(jié)構(gòu)，從而便于后期的透明像素電極41以及像素bank5的制作。所述平坦層3的制備方法可采用本領(lǐng)域常規(guī)方法制備獲得，制作完所述平坦層3后的結(jié)構(gòu)如圖6所示。
[0046]上述步驟S04中，在所述平坦層3上挖孔制作用于實(shí)現(xiàn)所述TFT陣列的S/D電極和所述透明像素電極41之間電連接的連接孔(圖中未標(biāo)出)，之后，制作所述透明像素電極41。所述連接孔和所述透明像素電極41的制備方法可采用本領(lǐng)域常規(guī)方法制備獲得，制作完所述透明像素電極41后的結(jié)構(gòu)如圖7所示。
[0047]上述步驟S05中，所述像素bank5用于定義像素(發(fā)光器件)的大小和位置，所述bank 5在用于形成像素區(qū)域的周邊，并露出像素發(fā)光區(qū)域(發(fā)光器件)的所述透明像素電極41。所述像素bank 5的制備方法可采用本領(lǐng)域常規(guī)方法制備獲得，制作完所述像素bank 5后的結(jié)構(gòu)如圖8所示。
[0048]上述步驟S06中，在所述透明像素電極41上沉積發(fā)光層42和反射頂電極43，所述透明像素電極41、發(fā)光層42和反射頂電極43共同形成底發(fā)射發(fā)光器件4。制作完所述底發(fā)射發(fā)光器件4后的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
[0049]本發(fā)明實(shí)施例提供的底發(fā)射型顯示面板的制備方法，方法簡(jiǎn)單，工藝相對(duì)成熟易控，易于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
[0050]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種底發(fā)射型顯示面板，其特征在于，包括TFT基板，設(shè)置在所述TFT基板上的光反射結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述光反射結(jié)構(gòu)上的平坦層，且所述平坦層覆蓋所述TFT基板上未設(shè)置光反射結(jié)構(gòu)的區(qū)域，設(shè)置在所述平坦層上的底發(fā)射發(fā)光器件，且所述底發(fā)射發(fā)光器件之間設(shè)置有像素bank，其中，所述光反射結(jié)構(gòu)繞設(shè)于所述底發(fā)射發(fā)光器件在所述TFT基板的投影區(qū)的邊緣區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述的底發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述光反射結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述TFT基板上的反射結(jié)構(gòu)主體和設(shè)置在所述反射結(jié)構(gòu)主體表面的反射表面。3.如權(quán)利要求2所述的底發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述反射表面包括近所述底發(fā)射發(fā)光器件在所述TFT基板的投影區(qū)的內(nèi)壁面和所述內(nèi)壁面在所述反射結(jié)構(gòu)主體頂部延伸形成的上表面。4.如權(quán)利要求2所述的底發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述反射表面包括近所述底發(fā)射發(fā)光器件在所述TFT基板的投影區(qū)的內(nèi)壁面、所述內(nèi)壁面在所述反射結(jié)構(gòu)主體頂部延伸形成的上表面、以及與所述內(nèi)壁面相對(duì)的外壁面。5.如權(quán)利要求3或4所述的底發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述內(nèi)壁面與所述光反射結(jié)構(gòu)的底面形成60-90°的夾角。6.如權(quán)利要求2所述的底發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述反射結(jié)構(gòu)主體的材料為感光樹(shù)脂材料;和/或 所述反射表面的材料為金屬或金屬合金。7.如權(quán)利要求2所述的底發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述反射結(jié)構(gòu)主體的厚度為1-5μπι08.如權(quán)利要求1-4任一所述的底發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述光反射結(jié)構(gòu)的縱切面呈梯形。9.如權(quán)利要求1-4任一所述的底發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述底發(fā)射發(fā)光器件為OLED器件或QLED器件。10.—種底發(fā)射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟: 提供一具有TFT陣列的TFT基板，其中，所述TFT陣列表面覆蓋保護(hù)層； 在所述TFT基板上、沿著所述底發(fā)射發(fā)光器件在所述TFT基板的投影區(qū)的邊緣區(qū)域制作光反射結(jié)構(gòu)； 在所述光反射結(jié)構(gòu)和未設(shè)置光反射結(jié)構(gòu)的所述TFT基板上制作平坦層； 在所述平坦層上挖孔形成連接孔，并制作通過(guò)所述連接孔與所述TFT陣列的S/D電極電連接的透明像素電極； 制作像素bank，且所述像素bank露出像素發(fā)光區(qū)域的所述透明像素電極； 在所述透明像素電極上沉積發(fā)光層以及反射頂電極。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105932040SQ201610390381
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年6月1日
【發(fā)明人】陳亞文
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