一種低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的一種低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片，包括芯片體，所述芯片體包括從上往下依次排列的P+層、N層和N+層，所述P+層上表面設(shè)置有金屬層，P+層和N層兩側(cè)燒結(jié)有玻璃層。其生產(chǎn)工藝包括勻膠、刀片劃槽、臺面腐蝕、清洗、玻璃鈍化、鍍鎳金、晶圓測試和激光切割。本發(fā)明的有益效果是：通過對芯片參數(shù)和工藝的改進(jìn)，使芯片不但尺寸和功耗降低，而且浪涌能力大大提高，提升了芯片的品質(zhì)。
【專利說明】
一種低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片及其生產(chǎn)工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片及其生產(chǎn)工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電器元件的微小型化發(fā)展，芯片封裝形式小型化及貼片化已成市場標(biāo)準(zhǔn)需求，但是產(chǎn)品應(yīng)用對芯片的能力要求只增未減，在微小型封裝中要求芯片尺寸降低和芯片的功耗降低，但是芯片的浪涌能力不僅未降低反而要求提升，目前常規(guī)芯片生產(chǎn)工藝已無法滿足產(chǎn)品應(yīng)用需求，所以需通過芯片流程設(shè)計及參數(shù)改進(jìn)，提升產(chǎn)品應(yīng)用能力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決以上技術(shù)上的不足，本發(fā)明提供了一種能夠提升產(chǎn)品應(yīng)用能力的低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片及其生產(chǎn)工藝。
[0004]本發(fā)明是通過以下措施實現(xiàn)的:
本發(fā)明的一種低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片，包括芯片體，所述芯片體包括從上往下依次排列的P+層、N層和N+層，所述P+層上表面設(shè)置有金屬層，P+層和N層兩側(cè)燒結(jié)有玻璃層。
[0005]上述芯片體的參數(shù)如下:雪崩擊穿電壓VBO彡1000V;正向電壓VF( IF=2A)彡0.92V；正向浪涌能力IFSM彡90A;反向漏電流IR彡IuA;結(jié)溫Tj=150°C。
[0006]本發(fā)明低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片的生產(chǎn)工藝，包括以下步驟:
步驟1，在晶片表面涂覆一層均勻厚度的光刻膠，并經(jīng)過堅膜烘烤使光刻膠牢固粘附在晶片表面；
步驟2，將附著光刻膠的晶片進(jìn)行劃槽，劃切深度控制90-110um;
步驟3，使用混合酸在低溫條件下將切割損傷層腐蝕，形成表面光滑的“U”型溝槽，再使用化學(xué)方法將晶片表面光刻膠去除干凈，并對晶片表面及溝槽內(nèi)部PN結(jié)進(jìn)行表面雜質(zhì)去除；
步驟4，將玻璃粉填充至已清洗干凈的溝槽內(nèi)部，再使用精密控溫的玻璃燒結(jié)爐將玻璃粉熔化成致密的玻璃鈍化層；
步驟5，將已玻璃鈍化后的晶片在專用鍍槽內(nèi)進(jìn)行表面鍍鎳和鍍金，并將已鍍鎳金的晶片進(jìn)行100%測試，確保每顆芯片都符合電性標(biāo)準(zhǔn)；
步驟6，使用激光技術(shù)在晶片N面即未開槽面進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)定位，然后參照芯片尺寸進(jìn)行激光劃切，形成單顆P+NN+的二極管整流芯片。
[0007]本發(fā)明的有益效果是:通過對芯片參數(shù)和工藝的改進(jìn)，使芯片不但尺寸和功耗降低，而且浪涌能力大大提高，提升了芯片的品質(zhì)。
【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖中:I是金屬層，2是玻璃層，3是溝槽，4是P+層，5是N層，6是N+層。
【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的描述:
如圖1所示，本發(fā)明的低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片其結(jié)構(gòu)為P+NN+型，包括從上往下依次排列的P+層、N層和N+層，P+層上表面設(shè)置有金屬層，P+層和N層兩側(cè)燒結(jié)有玻璃層。芯片體的參數(shù)如下:雪崩擊穿電壓VBO彡1000V;正向電壓VF(IF=2A)彡0.92V;正向浪涌能力IFSM彡90A;反向漏電流IR彡IuA;結(jié)溫Tj=I50°C。
[0011 ]本發(fā)明低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片生產(chǎn)工藝如下:
1)勻膠:在晶片表面滴膠通過旋轉(zhuǎn)速度及時間控制光刻膠厚度，使晶片表面涂覆一層均勻厚度的光刻膠，再經(jīng)過堅膜烘烤使光刻膠牢固粘附在晶片表面；
2)刀片劃槽:將附著光刻膠的晶片使用一定寬度切割刀片進(jìn)行劃槽，劃切深度控制90-11um；
3)臺面腐蝕:使用混合酸在低溫條件下將切割損傷層腐蝕，形成表面光滑的“U”型溝槽，再使用化學(xué)方法將晶片表面光刻膠去除干凈；
4)清洗:使用標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗方式，對晶片表面及溝槽內(nèi)部PN結(jié)進(jìn)行表面雜質(zhì)去除；
5)玻璃鈍化:首先使用既簡單又適合批量作業(yè)的刮涂方式，將玻璃粉填充至已清洗干凈的溝槽內(nèi)部，再使用精密控溫的玻璃燒結(jié)爐將玻璃粉熔化成致密的玻璃鈍化層；
6)鍍鎳金:將已玻璃鈍化后的晶片在專用鍍槽內(nèi)進(jìn)行表面鍍鎳和鍍金；
7)晶圓測試:將已鍍鎳金的晶片進(jìn)行100%測試，確保每顆芯片都符合電性標(biāo)準(zhǔn)；
8)激光切割:使用激光技術(shù)在晶片N面即未開槽面進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)定位，然后參照芯片尺寸進(jìn)行激光劃切，形成單顆P+NN+的二極管整流芯片。
[0012]以上所述僅是本專利的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本專利技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本專利的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片，其特征在于:包括芯片體，所述芯片體包括從上往下依次排列的P+層、N層和N+層，所述P+層上表面設(shè)置有金屬層，P+層和N層兩側(cè)燒結(jié)有玻璃層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片，其特征在于:所述芯片體的參數(shù)如下:雪崩擊穿電壓VBO彡1000V;正向電壓VF(IF=2A)彡0.92V;正向浪涌能力IFSM彡90A;反向漏電流IR彡IuA ；結(jié)溫Tj=I 50 °C。3.—種如權(quán)利要求1所述低功耗高浪涌能力的二極管整流芯片的生產(chǎn)工藝，其特征在于，包括以下步驟: 步驟I，在晶片表面涂覆一層均勻厚度的光刻膠，并經(jīng)過堅膜烘烤使光刻膠牢固粘附在晶片表面； 步驟2，將附著光刻膠的晶片進(jìn)行劃槽，劃切深度控制90-1 1um; 步驟3，使用混合酸在低溫條件下將切割損傷層腐蝕，形成表面光滑的“U”型溝槽，再使用化學(xué)方法將晶片表面光刻膠去除干凈，并對晶片表面及溝槽內(nèi)部PN結(jié)進(jìn)行表面雜質(zhì)去除； 步驟4，將玻璃粉填充至已清洗干凈的溝槽內(nèi)部，再使用精密控溫的玻璃燒結(jié)爐將玻璃粉熔化成致密的玻璃鈍化層； 步驟5，將已玻璃鈍化后的晶片在專用鍍槽內(nèi)進(jìn)行表面鍍鎳和鍍金，并將已鍍鎳金的晶片進(jìn)行100%測試，確保每顆芯片都符合電性標(biāo)準(zhǔn)； 步驟6，使用激光技術(shù)在晶片N面即未開槽面進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)定位，然后參照芯片尺寸進(jìn)行激光劃切，形成單顆P+NN+的二極管整流芯片。
【文檔編號】H01L21/329GK105932070SQ201610435120
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年6月17日
【發(fā)明人】史國順, 徐明星, 陳茂文, 王超
【申請人】山東芯諾電子科技有限公司