基于水浴和后硒化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種水浴和后硒化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法。其特征在于將銻的無機鹽溶解在溶液中得到溶液A；將含硫化合物溶解在去離子水中得到溶液B；將溶液B加入溶液A中使其充分混合，形成Sb2S3前驅(qū)體沉積液；在水浴條件下將Sb2S3前驅(qū)體沉積液沉積于清潔襯底上，形成Sb2S3前驅(qū)體薄膜，并用氮氣吹干，真空保存；將Sb2S3前驅(qū)體薄膜在硒氣氛下進行硒化熱處理，最終得到本方法所述的Sb2(S,Se)3薄膜。本發(fā)明采用化學水浴合成Sb2S3前驅(qū)體薄膜，經(jīng)過硒氣氛中熱處理的制備方法，具有合成工藝簡單、安全無毒、原料成本低廉、可實現(xiàn)大面積生產(chǎn)、薄膜成分以及厚度易控等優(yōu)點。
【專利說明】
基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池材料與器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會經(jīng)濟的快速發(fā)展，傳統(tǒng)化石能源消耗日益增長，由此引起人類急需解決的兩個首要問題:能源危機與環(huán)境污染。目前已探明煤、石油、天然氣等常規(guī)能源儲量有限，而且過多的使用化石能源，將造成溫室效應、酸雨、霧霾、環(huán)境污染等負面影響。因此，為了解決能源短缺問題和環(huán)境協(xié)調(diào)的關(guān)系，尋找一種清潔、可再生的能源迫在眉睫。太陽輻射資源顯然是一個解決能源危機的好選擇，而光伏電池是利用太陽能的主要形式。
[0003]當前太陽能電池主要分為第一代晶硅太陽能電池、第二代薄膜太陽能電池以及第三代有機太陽能電池。其中，薄膜太陽能電池具有材料用料少、效率高、可柔性等特點，是一類具有很好應用前景的太陽能電池。而銻基Sb2(S，Se)3是繼銅鋅錫硫(CZTS)薄膜太陽能電池后發(fā)展起來的一類新型薄膜太陽能電池，它具有原材料豐富、價格低廉等特點和優(yōu)勢。同時，與CZTS這類四元化合物材料所不同的是Sb2(S，Se)3薄膜的化學組分更為單一，可以避免其它雜相的生成。而相比同為組分單一的碲化鎘CdTe，Sb2(S，Se)3中所包含的元素更為豐富、安全無毒。所以Sb2(S，Se)3薄膜太陽能電池被認為是一類極具發(fā)展?jié)摿Φ男滦捅∧ぬ柲茈姵?。Sb2(S，Se)3是一種直接帶隙半導體且具有與太陽光譜較為匹配的帶隙寬度(1.15-1.75eV)，吸收系數(shù)大(15Cnf1)，500nm左右就可確保對太陽光有較大的吸收率。2009年，墨西哥的Messina等人首先采用直接采用化學水浴法(CBD)制備出了Sb2SxSe3—x: Sb2O3材料，并制備成了光電效率為0.66%的太陽能電池，但由于退火時使用的砸源為化學水浴沉積的砸薄膜，退火時易揮發(fā)的砸薄膜會造成薄膜結(jié)晶性差、缺陷較多等問題，限制其電池轉(zhuǎn)換效率的提高，故未受到重視(Messina S，Nair MTS, Nair P K.Solar cells withSb2S3 absorber films [J].Thin Solid Films, 2009, 517(7): 2503-2507.)。2014年，韓國的Choi和西班牙Ngo課題組分別采用熱分解和電沉積法基于染料敏化的概念制備了砸化銻材料類電池，效率為6.6%和2.1%(Choi Y C，Mandal T N, Yang WS, et al.Sb2Se3-Sensitized Inorganic-Organic Heterojunct1n Solar Cells Fabricated Using aSingle-Source Precursor [J].Angewandte Chemie, 2014， 126(5): 1353-1357； NgoT T， Chavhan S， Kosta I， et al.Electro deposit1n of Antimony Selenide ThinFilms and Applicat1n in Semiconductor Sensitized Solar Cells [J].ACSapplied materials & interfaces, 2014，6(4): 2836-2841.)。但這種有機無機混合的太陽能電池仍然存在著穩(wěn)定差等問題。直到2014年，Zhou等人才將銻、砸單質(zhì)溶在肼中，采用退火的方式制備得到純凈的砸化銻薄膜，并取得了 2.26%轉(zhuǎn)換效率的Sb2Se3薄膜太陽能電池(Zhou Y， Leng M， Xia Z, et al.Solut1n-Processed Antimony SelenideHeterojunct1n Solar Cells [J].Advanced Energy Materials 4 (2014) 1301846.)D同年，Chen等采用熱蒸發(fā)法制備了 CdS/Sb2Se3型結(jié)構(gòu)的薄膜太陽能電池，效率為2.1%(ChenJ，Luo M,Zhou Y，et al.Thermal Evaporat1n and Characterizat1n of Sb2Se3 ThinFilm for Substrate Sb2Se3/CdS Solar Cells [J].ACS Applied Materials andInterface, 6 (2014) 10687-10695.)。2015年Zhou等人采用在熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上引入砸蒸氣進行退火，最終制備成CdS/Sb2Se3型結(jié)構(gòu)的太陽能電池，效率提高到5.6%，這是當前高穩(wěn)定性全無機Sb2Se3薄膜太陽能電池的最高效率(Zhou Y, Wang L, Chen S，et al, Thin-fiIm Sb2Se3 photovoltaics with oriented one-dimens1nal ribbons and benigngrain boundaries, Nature Photonics 9 (2015) 409-415.)。經(jīng)對現(xiàn)有技術(shù)文獻專利檢索發(fā)現(xiàn)，在制備Sb2(S，Se)3無機太陽能電池收層的方法中，已經(jīng)有利用濺射硫化銻預制層后砸化制備砸硫化銻半導體薄膜材料的專利(申請?zhí)?01510489479.4)，但是磁控濺射鍍膜法需要的設(shè)備較為昂貴。上述各類方法均存在一定的問題，如肼溶液有毒，真空方法所需設(shè)備昂貴，生廣成本尚等。為了進一步降低太陽能電池制備成本、提尚生廣安全性，探索一種新型的Sb2(S，Se)3薄膜制備方法勢在必行。因此本專利專注于此問題，采用低成本、簡易的水浴法制備Sb2S3前驅(qū)體薄膜后，再通過在砸氣氛中熱處理，獲得均勻大面積、帶隙匹配的高質(zhì)量Sb2(S，Se)3薄膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提出一種低成本、簡易的化學水浴與后砸化退火相結(jié)合制備太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜的方法。本發(fā)明所采用的是在空氣中化學水浴合成Sb2S3前驅(qū)體薄膜，經(jīng)過砸(Se)氣氛中熱處理的制備方法，具有合成工藝簡單、安全無毒、制備設(shè)備不復雜、原料成本低廉、可實現(xiàn)大面積生產(chǎn)、薄膜成分以及厚度易控等優(yōu)點，適用于大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)。
[0005]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的所采用的技術(shù)方案是:
步驟一:選擇襯底，對襯底表面進行清洗獲得清潔襯底；
步驟二:將銻的無機鹽溶解在溶液中得到溶液A;將含硫化合物溶解在去離子水中得到溶液B；將溶液B加入溶液A中，搖晃使其充分混合，再將去離子水加入上述混合溶液中，形成Sb2S3前驅(qū)體沉積液；
步驟三:在水浴條件下將步驟二得到的Sb2S3前驅(qū)體沉積液沉積于步驟一所述清潔襯底上，形成Sb2S3前驅(qū)體薄膜，并用氮氣吹干，真空保存;沉積時間3?6h。
[0006]步驟四:將在步驟三得到Sb2S3前驅(qū)體薄膜，在砸氣氛下進行砸化熱處理，最終得到本方法所述的Sb2(S, Se)3薄膜。
[0007]本發(fā)明步驟一所述的襯底為鍍鉬薄膜、導電玻璃、鈉鈣玻璃、石英玻璃以及金屬箔中的一種。
[0008]本發(fā)明步驟二所述的Sb2S3前驅(qū)體薄膜沉積液中，含有濃度為0.005?0.05M的銻無機鹽、含濃度為0.01?0.5M的含硫化合物；
本發(fā)明所述銻的無機鹽是指硝酸銻、硫酸銻和三氯化銻中的一種或幾種任意比例的混合；
本發(fā)明所述的含硫化合物是指硫代乙酰胺、硫代硫酸鈉或者硫脲中的一種或幾種任意比例的混合；
本發(fā)明所述的溶劑是水、乙醇或丙酮中的一種或幾種任意比例的混合。
[0009]本發(fā)明步驟三中所述的水浴條件是指溫度控制在O?40°C。
[0010]本發(fā)明所述的Sb2S3前驅(qū)體薄膜的沉積，時間是2?1h，其厚度控制在0.2?Iym之間。
[0011]本發(fā)明步驟四中所述砸化熱處理，是指將Sb2S3前驅(qū)體薄膜與固態(tài)砸源或砸化氫氣體置于密閉空間進行砸化熱處理，或者是將Sb2S3前驅(qū)體薄膜處于流動的砸蒸汽或者砸化氫氣體中進行砸化熱處理；
本發(fā)明所述砸化熱處理可以采用常規(guī)管式爐進行退火，退火溫度230?600°C，升溫速率控制在I?40°C/min，保溫時間I?60 min;或者采用快速退火爐(RTP)進行退火，升溫速率控制在40?80°C/s，退火溫度230?600°C，保溫時間I?60 min。
[0012]當上述步驟中的砸化熱處理采用固態(tài)砸源時，砸粉與Sb2S3前驅(qū)體薄膜置于密閉管式爐內(nèi)，抽背景真空至10—2pa，使砸粉與Sb2S3前驅(qū)體薄膜同時從室溫開始升溫，或者砸粉一端先升溫。升溫速率40°C/min，保持固態(tài)砸源溫度230?60(TC，Sb2S3前驅(qū)薄膜溫度維持在250?450°C，保溫時間I?60 min，隨后緩慢冷卻到室溫。
[0013]上述技術(shù)方案中所涉及到的銻的無機鹽、含硫化合物、溶劑等化學試劑均采購于國藥集團化學試劑公司，砸粉采購于Aladdin Chemistry c0.ltd，襯底所涉及到的鍍鉬玻璃和鈉鈣玻璃分別采購于生陽新材料科技(寧波)有限公司和洛陽龍耀玻璃有限公司。
[0014]本發(fā)明的原理是:
I)使用化學水浴在襯底上沉積出含銻和硫的Sb2S3前驅(qū)體薄膜。
[0015]2)將上述Sb2S3前驅(qū)體薄膜在砸氣氛下退火形成太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜。
[0016]本發(fā)明具有以下突出有益效果:本發(fā)明提出了一種利用低成本、制備過程簡單的化學水浴法制備含銻和含硫的Sb2S3前驅(qū)體薄膜，并利用后續(xù)砸化退火工藝得到太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜。根據(jù)前面相關(guān)文獻和專利報道，其他高質(zhì)量Sb2(S，Se)3薄膜的制備通常需要高毒性溶劑、價格昂貴的真空設(shè)備等，制備條件較為苛刻。因此本專利采用了公認的制備方法簡單的化學水浴方法成功合成含銻和硫的Sb2S3前驅(qū)體薄膜，同時施于中高溫砸化退火最終獲得太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜。具體有益如下幾點:
I)有文獻報道采用肼溶解Sb2Se3粉體后，涂覆于襯底之上，隨后進行砸化退火處理，但所用溶劑肼為高毒性溶劑，本專利采用的化學水浴法，制備過程簡單，所用溶劑安全、低毒，沉積過程可在大氣環(huán)境中完成，解決了大規(guī)?；a(chǎn)安全性差等額問題。
[0017]2)有專利報道磁控濺射Sb2S3前驅(qū)體薄膜后，進行砸化退火得到了太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜，所需設(shè)備較為昂貴、復雜，本專利采用化學水浴反應合成Sb2S3前驅(qū)體薄膜，制備過程可以在非真空中完成，過程簡單，周期短，解決了大規(guī)?；a(chǎn)成本高的問題。
[0018]3)專利檢索發(fā)現(xiàn)，本專利首次結(jié)合低成本的化學水浴和后砸化退火制備出太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜;化學水浴法制備無機薄膜有文獻報道有兩個大的方面的益處:其一，在于薄膜厚度可以很容易的通過控制反應溫度和時間來實現(xiàn);其二，在于水浴法制備前驅(qū)薄膜可以做到大面積的沉積，適合工業(yè)化大規(guī)模制備要求。
【附圖說明】
[0019]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步說明。
[0020]圖1為本發(fā)明所述實施例1制備的Sb2S3前驅(qū)體薄膜表面與斷面SEM圖。
[0021]圖2為本發(fā)明所述實施例1制備的太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜XRD圖。
[0022]圖3為本發(fā)明所述實施例1制備的太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜表面與斷面SEM 圖。
【具體實施方式】
[0023]為了對本發(fā)明有更好的理解，現(xiàn)以實施例的方式對本發(fā)明做進一步的說明。
[0024]實施例1
1、首先對玻璃襯底進行清洗:將玻璃襯底依次浸入洗滌劑、去離子水、乙醇，丙酮溶液中，然后去離子水超聲并沖洗干凈，氮氣吹干；
2、將0.13g三氯化銻SbCl3溶解在500ul丙酮溶液，稱之為溶液A。將1.24g的五水合硫代硫酸鈉(Na2S2O3AH2O)溶解在5ml水中，稱之為溶液B。將溶液B加入溶液A，搖晃使其充分混合，再將14.5ml的去離子水加入上述混合溶液中，形成Sb2S3前驅(qū)體沉積液。
[0025]3、將步驟I得到的潔凈玻璃襯底放入步驟2配置好的Sb2S3前驅(qū)體沉積液，在水浴溫度為20°C的條件下進行薄膜沉積，形成Sb2S3前驅(qū)體薄膜，沉積時間3h。
[0026]4、將步驟3所獲得致的Sb2S3前驅(qū)體薄膜取出后用去離子水沖洗3遍，用氮氣吹干，真空避光保存。其表面和斷面掃描電鏡結(jié)果如圖1所示。
[0027]5、利用步驟4得到的Sb2S3前驅(qū)體薄膜置于砸氣氛中熱處理。選擇密閉升溫管式爐，使用固體砸粉作為砸源，將0.02g砸粉與Sb2S3薄膜置于密閉管式爐內(nèi)，添加在管式爐的一端，抽背景真空至10—2pa。使砸粉與Sb2S3薄膜同時從室溫開始升溫，升溫速率40 °C/min，最終保持在400°C，保溫lOmin，隨后緩慢冷卻到室溫后，得到太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜。
[0028]利用X射線衍射對本實施例制備的太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜進行測試，如圖2所示，為本實施例制備的太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜的X射線衍射圖譜，從圖2可以看出，所述退火薄膜的XRD衍射峰與標準Sb2Se3的XRD衍射峰吻合，結(jié)合成分EDS分析可知退火后薄膜中仍然含有少量的硫(S)，因此所獲得退火薄膜為Sb2(S，Se)3相。圖3為該退火薄膜的掃描電鏡圖片，從圖中可以看出，該薄膜致密性好、結(jié)晶性強、平整性高。
[0029]實施例2
1、首先對鍍鉬襯底進行清洗:將鍍鉬襯底依次浸入洗滌劑、去離子水、乙醇，丙酮溶液中，然后去離子水超聲并沖洗干凈，氮氣吹干；
2、將0.52g三氯化銻SbCl3溶解在4ml丙酮溶液，稱之為溶液A。將4.96g的五水合硫代硫酸鈉(Na2S2O3AH2O)溶解在20ml水中，稱之為溶液B。將溶液B加入溶液A，搖晃使其充分混合，再將58ml的去離子水加入上述混合溶液中，形成Sb2S3前驅(qū)體沉積液。
[0030]3、將步驟I得到的潔凈鍍鉬襯底放入步驟2配置好的Sb2S3前驅(qū)體沉積液，在水浴溫度為40°C的條件下進行薄膜沉積，反應時間6h。
[0031]4、將步驟3所獲得致的Sb2S3前驅(qū)體薄膜取出后用去離子水沖洗3遍，用氮氣吹干，真空避光保存。
[0032]5、利用步驟4得到的Sb2S3前驅(qū)體薄膜置于砸氣氛中熱處理。選擇敞開式的升溫管式爐，使用固體砸粉作為砸源，將0.1g砸粉與Sb2S3前驅(qū)體薄膜置于敞開式管式爐內(nèi)，抽背景真空至10—2Pa后通入高純氬氣(純度為99.999%，流量為5SCCm)。使砸粉和襯底同時從室溫開始升溫至420°C，升溫速率均為40°C/min，反應時間30min后，緩慢冷卻到室溫，得到太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜。
[0033]實施例3
1、首先對石英襯底進行清洗:將石英襯底依次浸入洗滌劑、去離子水、乙醇，丙酮溶液中，然后去離子水超聲并沖洗干凈，氮氣吹干；
2、將0.26g三氯化銻SbCl3溶解在4ml丙酮溶液，稱之為溶液A。將1.24g的五水合硫代硫酸鈉(Na2S2O3AH2O)溶解在20ml水中，稱之為溶液B。將溶液B加入溶液A，搖晃使其充分混合，再將20ml的去離子水加入上述混合溶液中，形成Sb2S3前驅(qū)體沉積液。
[0034]3、將步驟I得到的潔凈石英襯底放入步驟2配置好的Sb2S3前驅(qū)體沉積液，在水浴溫度為1 °C的條件下進行薄膜沉積，反應時間5h。
[0035]4、將步驟3所獲得致的Sb2S3前驅(qū)體薄膜取出后用去離子水沖洗3遍，用氮氣吹干，真空避光保存。
[0036]5、利用步驟4得到的Sb2S3前驅(qū)體薄膜置于砸氣氛中熱處理。選擇密閉升溫管式爐，使用固體砸粉作為砸源，將0.05g砸粉與Sb2S3前驅(qū)體薄膜置于密閉管式爐內(nèi)，添加在管式爐的一端，抽背景真空至10—2pa。使砸粉從20°C開始升溫，當砸源溫度升高至450°C后，立即將Sb2S3前驅(qū)體薄膜從20°C升溫至3800C，并保溫20min。砸源和薄膜的升溫速率均為40°C/min。反應結(jié)束后，砸源和襯底溫度同時緩慢冷卻到室溫，得到太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜。
[0037]上述三個實施例中，制備所涉及到的化學試劑:三氯化銻、硫代硫酸鈉、無水乙醇等均采購于國藥集團化學試劑公司，砸粉采購于Aladdin Chemistry c0.ltd，襯底所涉及到的鍍鉬玻璃和鈉鈣玻璃分別采購于生陽新材料科技(寧波)有限公司和洛陽龍耀玻璃有限公司。
[0038]上述具體實施例一中，制備所得Sb2S3前驅(qū)體薄膜SEM圖如圖1所示，所制備的Sb2(S，Se)3太陽能電池吸收層薄膜XRD、Raman以及SEM測試結(jié)果分別如圖2、3和4所示。需要指出的是，實施例2和3測試結(jié)果與實施例1類似。
[0039]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的兩個【具體實施方式】，對本發(fā)明做了進一步說明，描述較為詳細和具體，但并不能因此理解為對本發(fā)明專利的限制。應當指出的是，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權(quán)利要求為準。
【主權(quán)項】
1.一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法，其特征在于: 步驟一:選擇襯底，對襯底表面進行清洗獲得清潔襯底； 步驟二:將銻的無機鹽溶解在溶液中得到溶液A;將含硫化合物溶解在去離子水中得到溶液B；將溶液B加入溶液A中，搖晃使其充分混合，再將去離子水加入上述混合溶液中，形成Sb2S3前驅(qū)體沉積液； 步驟三:在水浴條件下將步驟二得到的Sb2S3前驅(qū)體沉積液沉積于步驟一所述清潔襯底上，形成Sb2S3前驅(qū)體薄膜，并用氮氣吹干，真空保存;沉積時間3?6h; 步驟四:將在步驟三得到厚度在0.2?Ιμπι之間的Sb2S3前驅(qū)體薄膜，在砸氣氛下進行砸化熱處理，最終得到本方法所述的Sb2 (S，Se)3薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法，其特征在于本發(fā)明步驟一所述的襯底為鍍鉬薄膜、導電玻璃、鈉鈣玻璃、石英玻璃以及金屬箔中的一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法，其特征在于步驟二所述的Sb2S3前驅(qū)體薄膜沉積液中，含有濃度為0.005?0.05Μ的銻無機鹽、含濃度為0.0I?0.5Μ的含硫化合物。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法，其特征在于所述銻的無機鹽是指硝酸銻、硫酸銻和三氯化銻中的一種或幾種任意比例的混入口 ο5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層Sb2(S，Se)3薄膜的方法，其特征在于所述的含硫化合物是指硫代乙酰胺、硫代硫酸鈉或者硫脲中的一種或幾種任意比例的混合。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法，其特征在于所述的溶劑是水、乙醇或丙酮中的一種或幾種任意比例的混合。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法，其特征在于步驟三中所述的水浴條件是指水浴溫度控制在O?40°C。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法，其特征在于步驟四中所述砸化熱處理，是指將Sb2S3前驅(qū)體薄膜與固態(tài)砸源或砸化氫氣體置于密閉空間進行砸化熱處理，或者是將Sb2S3前驅(qū)體薄膜處于流動的砸蒸汽或者砸化氫氣體中進行砸化熱處理。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法，其特征在于本發(fā)明所述砸化熱處理可以采用常規(guī)管式爐進行退火，退火溫度230?600°C，升溫速率控制在I?40 °C /mi η，保溫時間I?60 mi η;或者采用快速退火爐(RTP )進行退火，升溫速率控制在40?80 °C/s，退火溫度230?600 °C，保溫時間I?60 min。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種基于水浴和后砸化制備太陽能電池吸收層薄膜的方法，其特征在于當砸化熱處理采用固態(tài)砸源時，砸粉與Sb2S3前驅(qū)體薄膜置于密閉管式爐內(nèi)，抽背景真空至10—2pa，使砸粉與Sb2S3前驅(qū)體薄膜同時從室溫開始升溫，或者砸粉一端先升溫，升溫速率40 °C/min，保持固態(tài)砸源溫度230?600 °C ,Sb2S3前驅(qū)薄膜溫度維持在250?450 °C，保溫時間I?60 min，隨后緩慢冷卻到室溫。
【文檔編號】H01L31/032GK105932114SQ201610567679
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年7月19日
【發(fā)明人】陳桂林, 張進, 陳水源, 黃志高
【申請人】福建師范大學