像素結(jié)構(gòu)與其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種像素結(jié)構(gòu)與其制造方法，像素結(jié)構(gòu)的制造方法包括下列步驟。在基板上形成柵極以及與柵極連接的掃描線。于基板上形成絕緣層，并且圖案化絕緣層以形成對應(yīng)于柵極的開口。形成柵極絕緣層以覆蓋柵極及掃描線。于柵極絕緣層上形成通道層，且通道層位于開口中。于通道層上形成第一歐姆接觸層以及第二歐姆接觸層，且第一歐姆接觸層以及第二歐姆接觸層位于開口中。在第一歐姆接觸層以及第二歐姆接觸層上形成源極、漏極以及與源極連接的數(shù)據(jù)線。形成第一電極，其中第一電極與漏極電連接。
【專利說明】
像素結(jié)構(gòu)與其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)與其制造方法，且特別是涉及一種具有較低的柵極-漏 極的寄生電容與柵極-源極的寄生電容的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著現(xiàn)代資訊科技的進步，各種不同規(guī)格的顯示器已被廣泛地應(yīng)用在消費者電子 產(chǎn)品的熒幕之中，例如手機、筆記型電腦、數(shù)字相機以及個人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等。在這些顯示器中，由于液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)及 有機電激發(fā)光顯示器（Organic Electro-luminescent Display，0ELD或稱為0LED)具有輕 薄以及消耗功率低的優(yōu)點，因此在市場中成為主流商品。
[0003] IXD與0LED的制作工藝包括將半導(dǎo)體元件陣列排列于基板上，而半導(dǎo)體元件包含 薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)。隨著LCD與0LED的分辨率越來越高，單位面積下 薄膜晶體管所占的比例也越來越多。也因為薄膜晶體管的柵極與源極以及柵極與漏極之間 有部分區(qū)域重疊，導(dǎo)致薄膜晶體管的柵極-漏極與柵極-源極的寄生電容（parasitic capacitance，亦即：Cgd與Cgs)相對于儲存電容的比例也隨之升高。因此，以上述的薄膜晶 體管來作為驅(qū)動電路中的晶體管時，在信號的傳輸上往往會產(chǎn)生相當(dāng)大的電阻電容負(fù)載 (RC loading)，導(dǎo)致顯示器的顯示品質(zhì)下降。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可以避免因高柵極-漏極的寄生電容 與高柵極-源極的寄生電容等現(xiàn)象而導(dǎo)致顯示器的顯示品質(zhì)下降的問題。
[0005] 本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)。像素結(jié)構(gòu)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、柵極、絕緣層、柵極絕緣 層、通道層、第一歐姆接觸層、第二歐姆接觸層、源極、漏極以及第一電極。掃描線以及數(shù)據(jù) 線互相交錯設(shè)置于基板上。柵極位于基板上與掃描線電連接。絕緣層位于柵極上且具有開 口對應(yīng)柵極設(shè)置。柵極絕緣層位于柵極上。通道層位于柵極絕緣層上，且通道層位于開口 中。第一歐姆接觸層以及第二歐姆接觸層位于通道層上且設(shè)置于開口中。源極位于第一歐 姆接觸層上，其中源極與數(shù)據(jù)線電連接。漏極位于第二歐姆接觸層上。第一電極位于絕緣層 上且與漏極電連接。
[0006] 本發(fā)明另提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，此制造方法包括以下步驟。在基板上形 成柵極以及與柵極連接的掃描線。在基板上形成絕緣層，并且圖案化絕緣層以形成對應(yīng)于 柵極的開口。形成柵極絕緣層以覆蓋柵極及掃描線。在柵極絕緣層上形成通道層，且通道層 位于絕緣層開口中。在通道層上形成第一歐姆接觸層以及第二歐姆接觸層，且第一歐姆接 觸層以及第二歐姆接觸層位于絕緣層開口中。在第一歐姆接觸層以及第二歐姆接觸層上形 成源極、漏極以及與源極連接的數(shù)據(jù)線。形成第一電極，其中第一電極與漏極電連接。
[0007] 基于上述，由于絕緣層配置于柵極與源極及與源極電連接的數(shù)據(jù)線以及柵極與漏 極及與漏極電連接的第一電極之間，因此可以增加?xùn)艠O與源極及與源極電連接的數(shù)據(jù)線以 及柵極與漏極及與漏極電連接的第一電極之間的距離，使得柵極-漏極的寄生電容Cgd與柵 極-源極的寄生電容Cgs降低，如此一來便可減少電阻電容負(fù)載(RC loading)，以確保顯示 器的顯示品質(zhì)。
[0008] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0009] 圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A及圖6A為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的 流程上視圖；
[0010] 圖1B、圖2B、圖3B、圖3C、圖4B、圖5B以及圖6B為圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A及圖6A 的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的沿著剖線AA'的流程剖視圖；
[0011] 圖7A及圖8A為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程上視圖；
[0012] 圖7B及圖8B為圖7A及圖8A的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的沿著剖線AA'的流程剖視圖； [0013]圖9A、圖10A、圖11A、圖12A及圖13A為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的 流程上視圖；
[0014] 圖9B、圖10B、圖11B、圖12B及圖13B為圖9A、圖10A、圖11A、圖12A及圖13A的像素結(jié) 構(gòu)的制造方法的沿著剖線AA'的流程剖視圖；
[0015] 圖14A及圖15A為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程上視圖；
[0016] 圖14B及圖15B為圖14A及圖15A的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的沿著剖線AA'的流程剖視 圖；
[0017] 圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A、圖21A、圖22A為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的 制造方法的流程上視圖；
[0018] 圖16B、圖17B、圖18B、圖19B、圖20B、圖21B以及圖22B分別為圖16A、圖17A、圖18A、 圖19A、圖20A、圖21A及圖22A的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的沿著剖線AA'的流程剖視圖；
[0019] 圖23為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0020] 符號說明
[0021] 10a、10a'、10b、10b'、20a、20a'、20b、20b' ：像素結(jié)構(gòu)
[0022] 100a、100a'、200a:薄膜晶體管
[0023] 110:基版
[0024] 120:柵極
[0025] 130:絕緣層
[0026] 140:柵極絕緣層
[0027] 150a:通道材料層
[0028] 150:通道層
[0029] 160a:歐姆接觸材料層
[0030] 160:歐姆接觸層
[0031] 161:第一歐姆接觸材料層
[0032] 162:第二歐姆接觸材料層
[0033] 170:第一電極
[0034] 180:保護層
[0035] 190、190'：第二電極
[0036] 200:圖案化光致抗蝕劑層
[0037] AA，：剖線
[0038] C1:第一接觸窗
[0039] C2:第二接觸窗
[0040] CL:共用電極線 [0041 ] D:漏極
[0042] DL:數(shù)據(jù)線
[0043] 〇:開口
[0044] S:源極
[0045] SL:掃描線
[0046] W1、W2:寬度
【具體實施方式】
[0047]圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A及圖6A為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的 流程上視圖。圖1B、圖2B、圖3B、圖3C、圖4B、圖5B以及圖6B分別為圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖 5A及圖6A的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的沿著剖線AA'的流程剖視圖。請參照圖1A與圖1B，提供基 板110?；?10的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導(dǎo)電材 料、金屬、晶片、陶瓷、或其它可適用的材料）、或是其它可適用的材料。在基板110上形成柵 極120以及與柵極120連接的掃描線SL。在本實施例中，柵極110以及掃描線SL的制造方法例 如是先沉積金屬材料層（未繪示）并對其進行圖案化制作工藝以形成柵極110以及掃描線 SL。上述圖案化制作工藝?yán)缡枪饪涛g刻制作工藝，但本發(fā)明不限于此。柵極120以及掃描 線SL的材料例如是包含金屬、金屬氧化物、有機導(dǎo)電材料或上述的組合。
[0048] 請參照圖2A與圖2B，在基板110上形成絕緣層130,其中絕緣層130的厚度約介于1 微米至4微米，但不以此為限。在本實施例中，絕緣層130例如是直接在柵極120上沉積絕緣 材料層(未繪示)來形成。絕緣層130的材料例如是包括聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙酰類、聚 碳酸酯類、聚環(huán)氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類等無機材料或硅氧烷 (Siloxane)等有機材料或其它合適的材料、或上述的組合。接著，以一道圖案化制作工藝， 對絕緣層130進行圖案化以形成暴露出柵極120的開口0,其中沿著掃描線SL的延伸方向，開 口 〇具有寬度W1。寬度W1約介于5微米至15微米之間，但不以此為限。上述圖案化制作工藝?yán)?如是光刻蝕刻制作工藝，但本發(fā)明不限于此。
[0049] 請參照圖3A至圖3C，在基板110上形成柵極絕緣層140以覆蓋柵極120、掃描線SL、 絕緣層130以及開口 0。在本實施例中，柵極絕緣層140的材料包含無機材料(例如:氧化硅、 氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料、或其它合 適的材料、或上述的組合。接著，如圖3B所示，通道層150以及歐姆接觸層160的形成方法例 如是先于柵極絕緣層140上依序沉積通道材料層150a以及歐姆接觸材料層160a，使通道材 料層150a以及歐姆接觸材料層160a順應(yīng)地覆蓋絕緣層130以及開口 0。接著，在基板110上進 行光致抗蝕劑材料的涂布程序，并通過開口 0的凹陷輪廓，使得基板110上具有開口 0的區(qū)域 的光致抗蝕劑材料的厚度大于基板110上的其它區(qū)域的光致抗蝕劑材料的厚度;再通過等 離子體處理、灰化處理等方法，以移除基板110上的部分光致抗蝕劑材料，使得僅基板110上 具有開口 0的區(qū)域具有光致抗蝕劑材料，而形成一圖案化光致抗蝕劑層200。接著，通過圖案 化光致抗蝕劑層200為蝕刻掩模，對通道材料層150a以及歐姆接觸材料層160a進行圖案化 程序而形成位于開口 0內(nèi)的通道層150以及歐姆接觸層160,其中通道層150以及歐姆接觸層 160具有相同的圖案。最后，如圖3C所示，移除圖案化光致抗蝕劑層200，在柵極絕緣層140上 依序形成通道層150以及歐姆接觸層160。值得注意的是，在本實施例中，通過開口0的凹陷 輪廓的設(shè)置，可利用自我對準(zhǔn)(self-align)的特性來確保圖案化制作工藝的精準(zhǔn)度，進而 減少一道光掩膜制作工藝的成本，然本發(fā)明不以此為限。在一實施例，也可以以一道圖案化 制作工藝(例如是光刻蝕刻制作工藝），對通道材料層150a以及歐姆接觸材料層160a進行圖 案化程序，形成具有相同圖案且位于開口 0內(nèi)的通道層150以及歐姆接觸層160。
[0050] 此外，在其它實施例中，例如是先沉積通道材料層(未繪示)再圖案化通道材料層 以形成通道層150;接著，沉積歐姆接觸材料層(未繪示)再圖案化歐姆接觸材料層以形成歐 姆接觸層160,其中前述的兩次圖案化制作工藝分別是光刻蝕刻制作工藝與自對準(zhǔn)圖案化 制作工藝。據(jù)此，通過不同的圖案化制作工藝方式，通道層150以及歐姆接觸層160可具有不 同的圖案。本發(fā)明不特別限定通道層150以及歐姆接觸層160是否具有相同圖案。
[0051] 通道層150可為金屬氧化物半導(dǎo)體材料、多晶硅、非晶硅或是其他合適的半導(dǎo)體材 料，上述金屬氧化物半導(dǎo)體材料例如是氧化銦鎵鋅（Indium-Gallium-Zinc Oxide，IGZ0)、 氧化鋅（ZnO)氧化錫（SnO)、氧化銦鋅（Indium-Zinc Oxide，IZO)、氧化鎵鋅(Gallium-Zinc Oxide，GZ0)、氧化鋅錫（Zinc-Tin Oxide，ΖΤ0)或氧化銦錫（Indium-Tin Oxide，I TO)。歐姆 接觸材料層160的材料可以是包含含有摻雜物(dopant)的金屬氧化物半導(dǎo)體材料、含有摻 雜物的多晶硅、含有摻雜物的非晶硅或是其他合適的含有摻雜物的半導(dǎo)體材料、或其它合 適的材料、或上述的組合。此外，圖案化光致抗蝕劑層200的材料例如是正型光致抗蝕劑或 負(fù)型光致抗蝕劑，本發(fā)明不以此為限。
[0052]請參照圖4A與圖4B，在基板110上形成源極S、漏極D以及與源極S連接的數(shù)據(jù)線DL。 其中，源極S以及漏極D形成于開口0中。源極S、漏極D以及數(shù)據(jù)線DL的形成方法例如是先形 成一導(dǎo)電材料層(未繪示)再加以圖案化形成源極S、漏極D以及數(shù)據(jù)線DL。例如是以光刻與 蝕刻進行圖案化制作工藝，但不以此為限。以導(dǎo)電特性為考慮下，源極S、漏極D以及數(shù)據(jù)線 DL的材料例如是金屬，然本發(fā)明不限于此。在本實施例中，源極S的形狀例如是I型，然本發(fā) 明不限于此;在其它實施例中，源極S的形狀也可以例如是U型或L型。又，在形成源極S、漏極 D以及數(shù)據(jù)線DL的圖案化制作工藝步驟中，更同時圖案化歐姆接觸層160以形成與源極S接 觸的第一歐姆接觸層161以及與漏極D接觸的第二歐姆接觸層162,且第一歐姆接觸層161以 及第二歐姆接觸層162-起暴露出通道層150。換言之，第一歐姆接觸層161與第二歐姆接觸 層162是形成于通道層150上且位于開口 0中，且源極S、漏極D以及數(shù)據(jù)線DL位于第一歐姆接 觸層161與第二歐姆接觸層162上，其中源極S以及部分漏極D形成于開口 0中，數(shù)據(jù)線DL以及 部分漏極D位于開口 0外，如圖4A與圖4B所示。也就是，第一歐姆接觸層161位于通道層150與 源極S之間，且第二歐姆接觸層162位于通道層150與漏極D之間。
[0053]此外，在開口0內(nèi)，第一歐姆接觸層161與源極S具有相同圖案，且第二歐姆接觸層 162與漏極D具有相同圖案，但本發(fā)明不限于此。其中，在本實施例中，在形成源極S、漏極D以 及數(shù)據(jù)線DL的圖案化制作工藝步驟中，除了同時圖案化歐姆接觸層160以形成第一歐姆接 觸層161以及第二歐姆接觸層162外，更可以進一步圖案化通道層150以移除一部分的被第 一歐姆接觸層161以及第二歐姆接觸層162暴露出來的通道層150,如圖4B所示;然本發(fā)明不 限于此。在其它實施例中，也可以在圖案化歐姆接觸材料層160以形成第一歐姆接觸層161 以及第二歐姆接觸層162時，僅暴露出通道層150但不對通道層150進行圖案化制作工藝。至 此，本實施例的薄膜晶體管(thin-film transistor) 100a已形成。
[0054]請參照圖5A與圖5B，在薄膜晶體管100a上形成第一電極170,其中第一電極170與 漏極D電連接。第一電極170可為穿透式像素電極、反射式像素電極或是半穿透半反射式像 素電極。穿透式像素電極的材質(zhì)包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧 化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。反 射式像素電極的材質(zhì)包括具有高反射率的金屬材料。至此步驟，本實施例的像素結(jié)構(gòu)l〇a已 完成。
[0055]更值得注意的是，當(dāng)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于邊緣電場切換式（fringe field switching，F(xiàn)FS)液晶顯示面板時，還包括形成保護層180以及第二電極190在本實施例的圖 5A與圖5B的像素結(jié)構(gòu)10a上，請參照圖6A與圖6B(即：像素結(jié)構(gòu)10a'）。具體來說，保護層180 覆蓋源極S、漏極D以及第一電極170,且第二電極190形成于保護層180上。因此，在本實施例 中，第一電極170是像素電極，第二電極190是共用電極，其中第一電極170與第二電極190之 間耦合來形成儲存電容器(未繪示）。保護層180的材料包含無機材料（例如:氧化硅、氮化 硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料、或其它合適的 材料、或上述的組合。第二電極190可為穿透式電極、反射式電極或是半穿透半反射式電極。 穿透式電極的材質(zhì)包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧 化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。反射式電極的 材質(zhì)包括具有高反射率的金屬材料。
[0056]就結(jié)構(gòu)上而言，請先參考圖5A與圖5B，本實施例的像素結(jié)構(gòu)10a包括掃描線SL、數(shù) 據(jù)線DL、柵極120、絕緣層130、柵極絕緣層140、通道層150、第一歐姆接觸層161、第二歐姆接 觸層162、源極S、漏極D以及第一電極170。掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL互相交錯設(shè)置于基板110 上。柵極120位于基板110上與掃描線SL電連接。絕緣層130位于柵極120上且具有開口 0對應(yīng) 柵極120設(shè)置。柵極絕緣層140覆蓋柵極120以及掃描線SL，且位于絕緣層130上并順應(yīng)地覆 蓋開口0。更具體的說，絕緣層130位于柵極120與柵極絕緣層140之間，且絕緣層130的開口0 暴露出柵極120。通道層150位于柵極絕緣層140上，且通道層150位于開口0中。第一歐姆接 觸層161以及第二歐姆接觸層162位于通道層150上且設(shè)置于開口0中。源極S位于第一歐姆 接觸層161上，其中源極S與數(shù)據(jù)線DL電連接。漏極D位于第二歐姆接觸層162上，其中漏極D 與第一電極170電連接。換言之，第一歐姆接觸層161位于通道層150與源極S之間，第二歐姆 接觸層162位于通道層150與漏極D之間，且源極S以及漏極D與開口 0重疊設(shè)置并位于開口 0 內(nèi)。第一電極170位于柵極絕緣層140上，且未設(shè)置于開口0內(nèi)。柵極絕緣層140位于絕緣層 130與源極S、漏極D以及第一電極170之間。在本實施例中，柵極120、柵極絕緣層140、第一歐 姆接觸層161以及第二歐姆接觸層162是單層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，柵極 120、柵極絕緣層140、第一歐姆接觸層161以及第二歐姆接觸層162也可以是雙層結(jié)構(gòu)或多 層堆疊結(jié)構(gòu)。此外，掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL數(shù)據(jù)線DL 的延伸方向垂直;其中掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL是分別位于不相同的膜層且彼此電性絕緣，掃 描線SL以及數(shù)據(jù)線DL主要用來傳遞驅(qū)動像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動信號。
[0057]當(dāng)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于FFS液晶顯示面板中時，圖5A與圖5B的像素結(jié)構(gòu)10a還 包括保護層180以及第二電極190,請參照圖6A與圖6B(即：像素結(jié)構(gòu)10a'）。具體來說，保護 層180覆蓋源極S、漏極D以及第一電極170,且第二電極190形成于保護層180上。其中，第一 電極170是像素電極，第二電極190是共用電極。
[0058] 此外，本實施例的像素結(jié)構(gòu)更可以包括共用電極線（未繪示），其例如是與掃描線 SL為同一膜層且鄰近于掃描線SL進行配置，其中共用電極線的延伸方向例如是與掃描線SL 相同，與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同，并與第一電極170耦合來形成儲存電容器(未繪示）， 本發(fā)明不以此為限。當(dāng)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于FFS液晶顯示面板，共用電極線電連接第二 電極190,用以降低第二電極190的整體電阻值(overall resistance)。
[0059] 基于上述，本實施例的像素結(jié)構(gòu)10a、10a'通過絕緣層130的設(shè)置，可調(diào)整柵極G與 源極S以及漏極D之間的距離長度，使柵極G與源極S以及柵極G與漏極D之間相隔較大的間 距。由于電容的大小與間距成反比，故當(dāng)間距變大，源極S及與其電連接的數(shù)據(jù)線DL跟柵極G 之間的寄生電容Cgs和漏極D及與其電連接的第一電極170跟柵極G之間的寄生電容Cgd皆變 小。因此，本實施例除了利用自我對準(zhǔn)(self-align)的特性，減少光掩膜的使用數(shù)量與免除 對位問題，也可降低像素結(jié)構(gòu)中寄生電容Cgs與Cgd，進而減少電阻電容負(fù)載，確保顯示器的 顯示品質(zhì)。
[0060] 圖7A及圖8A為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程上視圖。圖7B及圖 8B為圖7A及圖8A的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的沿著剖線AA'的流程剖視圖。圖7A-圖7B的實施例 與上述圖5A-圖5B的結(jié)構(gòu)相似，并且圖8A-圖8B的實施例與上述圖6A-圖6B的結(jié)構(gòu)相似，因此 相同的元件以相同的符號表示，且不在重復(fù)說明。
[0061] 圖7A-圖7B的結(jié)構(gòu)與圖5A-圖5B不相同之處在于，圖7A-圖7B的像素結(jié)構(gòu)10b的開口 〇具有寬度W2,其中源極S以及漏極D自開口 0內(nèi)朝遠(yuǎn)離開口 0的絕緣層130的一表面延伸。具 體來說，圖7A-圖7B的像素結(jié)構(gòu)10b的開口 0的寬度W2小于圖5A-圖5B的像素結(jié)構(gòu)10a的開口 0 的寬度Wl，即W2〈W1。在本實施例中，圖7A-圖7B的像素結(jié)構(gòu)10b的源極S以及漏極D是部分位 于開口 0中且部分位于開口 0外。
[0062] 相似地，圖8A-圖8B的結(jié)構(gòu)與圖6A-圖6B不相同之處在于，圖8A-圖8B的像素結(jié)構(gòu) 1 〇b '的開口 0具有寬度W2，其中源極S以及漏極D是自開口 0內(nèi)朝遠(yuǎn)離開口 0的絕緣層130的一 表面延伸。具體來說，圖8A-圖8B的像素結(jié)構(gòu)10b '的開口 0的寬度W2小于圖6A-6B的像素結(jié)構(gòu) 10a'的開口0的寬度W1，即W2〈W1。在本實施例中，圖8A-圖8B的像素結(jié)構(gòu)10b'的源極S以及漏 極D是部分位于開口 0中且部分位于開口 0外。
[0063]圖9A、圖10A、圖11A、圖12A及圖13A為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的 流程上視圖。圖9B、圖10B、圖11B、圖12B及圖13B為圖9A、圖10A、圖11A、圖12A及圖13A的像素 結(jié)構(gòu)的制造方法的沿著剖線AA'的流程剖視圖。圖9A至圖13B的實施例與上述圖1A-圖6B的 元件具有相同或相似的結(jié)構(gòu)與材料，因此相同或相似的元件以相同的符號表示，且不在重 復(fù)對其材質(zhì)與形成方式進行細(xì)部說明，避免贅述。
[0064] 請參照圖9A與圖9B，提供基板110,并在基板110上形成柵極120以及與柵極120連 接的掃描線SL。接著，在基板110上形成柵極絕緣層140,其中柵極絕緣層140覆蓋柵極120以 及掃描線SL。在柵極絕緣層140上依序形成通道層150以及歐姆接觸層160,其中歐姆接觸層 160與通道層150覆蓋部分的柵極120以及部分的柵極絕緣層140。
[0065]請參照圖10A與圖10B，在基板110上形成絕緣材料層(未繪示）以覆蓋柵極絕緣層 140、通道層150以及歐姆接觸層160。接著，圖案化絕緣材料層以形成絕緣層130與對應(yīng)于柵 極120的開口 0,其中開口 0可完全暴露或部分暴露出通道層150以及歐姆接觸層160。本實施 例中的通道層150以及歐姆接觸層160是完全被開口 0所暴露，故通道層150以及歐姆接觸層 160位于開口0中，如圖10B所示。其中，沿著掃描線SL的延伸方向，開口0具有寬度W1，其約介 于5微米至15微米之間，但不以此為限。在本實施例中，絕緣層130的厚度約介于1微米至4微 米，但不以此為限。絕緣層130的材料例如是包括聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙酰類、聚碳酸酯 類、聚環(huán)氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類等無機材料或硅氧烷 (S i 1 oxane)等有機材料或其它合適的材料、或上述的組合。
[0066] 接著，類似于圖4A與圖4B的步驟，請參照圖11A與圖11B，在基板110上形成源極S、 漏極D以及與源極S連接的數(shù)據(jù)線DL時，一并圖案化歐姆接觸材料層160以形成與源極S接觸 的第一歐姆接觸層161以及與漏極D接觸的第二歐姆接觸層162,且第一歐姆接觸層161以及 第二歐姆接觸層162-起暴露出通道層150。其中，源極S、漏極D、第一歐姆接觸層161以及第 二歐姆接觸層162形成于開口0中，且第一歐姆接觸層161以及第二歐姆接觸層162-起暴露 出通道層150,如圖11A與圖11B所示。換言之，第一歐姆接觸層161與第二歐姆接觸層162是 形成于通道層150上且位于開口 0中，且源極S、漏極D位于第一歐姆接觸層161與第二歐姆接 觸層162上，其中源極S以及部分漏極D形成于開口0中，數(shù)據(jù)線DL以及部分漏極D位于開口0 外。也就是，第一歐姆接觸層161位于通道層150與源極S之間，且第二歐姆接觸層162位于通 道層150與漏極D之間。又，在本實施例中，在形成源極S、漏極D以及數(shù)據(jù)線DL的圖案化制作 工藝步驟中，除了同時圖案化歐姆接觸層160以形成第一歐姆接觸層161以及第二歐姆接觸 層162外，更可以進一步圖案化通道層150以移除一部分的被第一歐姆接觸層161以及第二 歐姆接觸層162暴露出來的通道層150。在其它實施例中，也可以在圖案化歐姆接觸材料層 160以形成第一歐姆接觸層161以及第二歐姆接觸層162時，僅暴露出通道層150但不對通道 層150進行圖案化制作工藝。至此，本實施例的薄膜晶體管200a已形成。
[0067]請參照圖12A與圖12B，在薄膜晶體管200a上形成第一電極170,其中第一電極170 與漏極D電連接。至此步驟，本實施例的像素結(jié)構(gòu)20a已完成。
[0068]更值得注意的是，當(dāng)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于FFS液晶顯示面板中時，還包括形成 保護層180以及第二電極190在本實施例的圖12A與圖12B的像素結(jié)構(gòu)20a上，請參照圖13A與 圖13B(即：像素結(jié)構(gòu)20a'）。具體來說，保護層180覆蓋源極S、漏極D以及第一電極170,且第 二電極190形成于保護層180上。因此，在本實施例中，第一電極170是像素電極，第二電極 190是共用電極，其中第一電極170與第二電極190之間耦合形成儲存電容器(未繪示）。 [00 69]就結(jié)構(gòu)上而言，請先參考圖12A與圖12B，本實施例的像素結(jié)構(gòu)20a包括掃描線SL、 數(shù)據(jù)線DL、柵極120、絕緣層130、柵極絕緣層140、通道層150、第一歐姆接觸層161、第二歐姆 接觸層162、源極S、漏極D以及第一電極170。掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL互相交錯設(shè)置于基板 110上。柵極120位于基板110上與掃描線SL電連接。柵極絕緣層140位于柵極120上并覆蓋柵 極120以及掃描線SL。通道層150位于柵極絕緣層140上并覆蓋柵極120。第一歐姆接觸層161 與第二歐姆接觸層162位于通道層150上方。絕緣層130位于柵極120上且具有對應(yīng)柵極120 設(shè)置的開口 0,其中開口 0位于通道層150以及第一歐姆接觸層161與第二歐姆接觸層162上 并暴露出通道層150以及第一歐姆接觸層161與第二歐姆接觸層162,使通道層150以及第一 歐姆接觸層161與第二歐姆接觸層162位于開口內(nèi)。更具體的說，柵極絕緣層140位于柵極 120與絕緣層130之間，通道層150以及第一歐姆接觸層161與第二歐姆接觸層162位于絕緣 層130與柵極絕緣層140之間，即：絕緣層130位于柵極120、柵極絕緣層140、通道層150以及 第一歐姆接觸層161與第二歐姆接觸層162上。源極S位于第一歐姆接觸層161上，其中源極S 與數(shù)據(jù)線DL電連接。漏極D位于第二歐姆接觸層162上，其中漏極D與第一電極170電連接。換 言之，第一歐姆接觸層161位于通道層150與源極S之間，第二歐姆接觸層162位于通道層150 與漏極D之間，且源極S以及漏極D與開口0重疊設(shè)置并位于開口0內(nèi)。第一電極170位于絕緣 層130上，且未設(shè)置于開口 0內(nèi)。在本實施例中，柵極120、柵極絕緣層140、第一歐姆接觸層 161以及第二歐姆接觸層162例如可以是單層結(jié)構(gòu)、雙層結(jié)構(gòu)或多層堆疊結(jié)構(gòu)。此外，掃描線 SL以及數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL數(shù)據(jù)線DL的延伸方向垂直;其中掃 描線SL與數(shù)據(jù)線DL是分別位于不相同的膜層，掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL主要用來傳遞驅(qū)動像 素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動信號。
[0070] 當(dāng)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于FFS液晶顯示面板中時，圖12A與圖12B的像素結(jié)構(gòu)20a 還包括保護層180以及第二電極190,請參照圖13A與圖13B(即：像素結(jié)構(gòu)20a'）。具體來說， 保護層180覆蓋源極S、漏極D以及第一電極170,且第二電極190形成于保護層180上。其中， 第一電極170是像素電極，第二電極190是共用電極。
[0071] 此外，本實施例的像素結(jié)構(gòu)更可以包括共用電極線（未繪示），其例如是與掃描線 SL為同一膜層且鄰近于掃描線SL進行配置，其中共用電極線的延伸方向例如是與掃描線SL 相同，與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同，并與第一電極170耦合來形成儲存電容器(未繪示）， 本發(fā)明不以此為限。當(dāng)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于FFS液晶顯示面板，共用電極線電連接第二 電極190,用以降低第二電極190的整體電阻值(overall resistance)。
[0072] 基于上述，本實施例的像素結(jié)構(gòu)20a、20a'通過絕緣層130的設(shè)置，可調(diào)整柵極G與 源極S以及漏極D之間的距離長度，使柵極G與源極S以及柵極G與漏極D之間相隔較大的間 距。由于電容的大小與間距成反比，故當(dāng)間距變大，源極S及與其電連接的數(shù)據(jù)線DL跟柵極G 之間的寄生電容Cgs和漏極D及與其電連接的第一電極170跟柵極G之間的寄生電容Cgd皆變 小，可降低像素結(jié)構(gòu)中寄生電容Cgs與Cgd的大小，進而減少電阻電容負(fù)載，確保顯示器的顯 不品質(zhì)。
[0073] 圖14A與圖15A為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程上視圖。圖14B 與圖15B為圖14A與圖15A的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的沿著剖線AA'的流程剖視圖。圖14A至圖 14B的實施例與上述圖12A至圖12B的結(jié)構(gòu)相似，并且圖15A至圖15B的實施例與上述圖13A至 圖13B的結(jié)構(gòu)相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不在重復(fù)說明。
[0074] 圖14A至圖14B的結(jié)構(gòu)與圖12A至圖12B不相同之處在于，圖14A至圖14B的像素結(jié)構(gòu) 20b之開口 0具有寬度W2，其中源極S以及漏極D自開口 0內(nèi)朝遠(yuǎn)離開口 0的絕緣層130的一表 面延伸。具體來說，圖14A至圖14B的像素結(jié)構(gòu)20b的開口 0的寬度W2小于圖12A至圖12B的像 素結(jié)構(gòu)20a的開口0的寬度Wl，即W2〈W1。在本實施例中，圖14A至圖14B的像素結(jié)構(gòu)20b的源極 S以及漏極D是部分位于開口 0中且部分位于開口 0外。
[0075] 相似地，圖15A至圖15B的結(jié)構(gòu)與圖13A至圖13B不相同之處在于，圖15A至圖15B的 像素結(jié)構(gòu)20b'的開口0具有寬度W2，其中源極S以及漏極D是自開口0內(nèi)朝遠(yuǎn)離開口0的絕緣 層130的一表面延伸。具體來說，圖15Α至圖15Β的像素結(jié)構(gòu)20b'的開口0的寬度W2小于圖13Α 至圖13B的像素結(jié)構(gòu)20a'的開口0的寬度W1，即W2〈W1。在本實施例中，圖15A至圖15B的像素 結(jié)構(gòu)20b '的源極S以及漏極D是部分位于開口0中且部分位于開口0外。
[0076]另外，如上所述，本發(fā)明實施例列舉的像素結(jié)構(gòu)10a、10a'、10b、10b'、20a、20a'、 20b、20b'更可以包括共用電極線的設(shè)計。為了簡明地說明上述具有共用電極線的像素結(jié)構(gòu) 的制作方法，本發(fā)明特舉圖6A及圖6B所繪示的像素結(jié)構(gòu)10a'的變化型作為示范例進行說 明，本領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)了解此處的揭露內(nèi)容也可以相同或相似的方式應(yīng)用至其他 態(tài)樣的像素結(jié)構(gòu)，故不再贅述。
[0077] 具體來說，當(dāng)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)還包括與第二電極190電連接的共用電極線時，其 詳細(xì)的制作步驟請參照下方圖16A至圖2 2A以及圖16B至圖2 2B的說明。
[0078] 圖16A至圖22A為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程上視圖。圖16B、 圖17B、圖18B、圖19B、圖20B、圖21B以及圖22B分別為圖16A至圖22A的像素結(jié)構(gòu)的制造方法 的沿著剖線AA'的流程剖視圖。其中，圖21A及圖21B與圖22A及圖22B的像素結(jié)構(gòu)與圖6A及圖 6B的像素結(jié)構(gòu)10a'具有相同或相似的元件，因此上述相同或相似的元件以相同或相似的元 件符號表示，且不再重復(fù)說明元件的材料/制作工藝方式。
[0079]請參照圖16A與圖16B，在本實施例中，在基板110上形成柵極120、與柵極120連接 的掃描線SL以及共用電極線CL。共用電極線CL與柵極120及掃描線SL分離開來。其中，共用 電極線CL例如是鄰近于掃描線SL且互相平行配置，其延伸方向例如是與掃描線SL相同，與 數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同。
[0080] 請參照圖17A與圖17B，在基板110上形成絕緣層130,其中絕緣層130的厚度約介于 1微米至4微米，但不以此為限。接著，對絕緣層130進行圖案化以形成暴露出柵極120的開口 0以及暴露出共用電極線CL的第一接觸窗C1。其中，沿著掃描線SL的延伸方向，開口0具有寬 度W1。寬度W1約介于5微米至15微米之間，但不以此為限。
[0081] 請參照圖18A至圖18B，在絕緣層130上形成第二電極190'，其通過第一接觸窗C1與 共用電極線CL電連接。第二電極190'的形成方法例如是先形成電極材料層(未繪示)于絕緣 層130上，再加以圖案化形成第二電極190'，其中上述電極材料層是填入第一接觸窗C1中以 與共用電極線CL接觸。在此，例如是以光刻與蝕刻進行圖案化制作工藝，但不以此為限。第 二電極190'可為穿透式電極、反射式電極或是半穿透半反射式電極。穿透式電極的材質(zhì)包 括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、 或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。反射式電極的材質(zhì)包括具有高反射 率的金屬材料。
[0082] 請參照圖19A至圖19B，在基板110上形成柵極絕緣層140以覆蓋柵極120、掃描線 SL、共用電極線CL、絕緣層130、第二電極190'、第一接觸窗C1以及開口 0。接著，在柵極絕緣 層140上依序形成位于開口0中的通道層150以及歐姆接觸層160,如圖19B所示。其中，由于 柵極絕緣層140覆蓋共用電極線CL、第二電極190'以及第一接觸窗C1，因此使共用電極線CL 與第二電極190'電性絕緣于通道層150以及歐姆接觸層160,可避免短路（short circuit) 現(xiàn)象的發(fā)生。
[0083]請參照圖20A與圖20B，在基板110上形成源極S、漏極D以及與源極S連接的數(shù)據(jù)線 DL。其中，源極S以及部分漏極D形成于開口0中。且在形成源極S、漏極D以及數(shù)據(jù)線DL的圖案 化制作工藝步驟中，更同時圖案化歐姆接觸層160以形成與源極S接觸的第一歐姆接觸層 161以及與漏極D接觸的第二歐姆接觸層162,且第一歐姆接觸層161以及第二歐姆接觸層 162-起暴露出通道層150,且一部分被第一歐姆接觸層161以及第二歐姆接觸層162暴露出 來的通道層150被移除，如圖20B所示。第一歐姆接觸層161位于通道層150與源極S之間，且 第二歐姆接觸層162位于通道層150與漏極D之間。至此，本實施例的薄膜晶體管100a'已形 成。
[0084]請參照圖21A與圖21B，在薄膜晶體管100a'上依序形成第一電極170與保護層180。 具體來說，第一電極170與漏極D電連接。接著，在第一電極170上形成保護層180,其中保護 層180覆蓋源極S、通道層150、漏極D、第一電極170以及第二電極190'。至此步驟，具有共用 電極線CL的像素結(jié)構(gòu)已完成，然本發(fā)明不以此限。
[0085]在另一實施例中，例如是先在薄膜晶體管100a'上形成保護層180,再形成第一電 極170,如圖22A與圖22B所示。具體來說，在薄膜晶體管100a'上形成保護層180以覆蓋源極 S、通道層150、漏極D以及第二電極190'，再對保護層180進行圖案化以形成暴露出漏極D的 第二接觸窗C2。接著，于保護層180上形成第一電極170,其中第一電極170通過第二接觸窗 C2與漏極D接觸，由此與漏極D電連接。至此步驟，具有共用電極線CL的另一像素結(jié)構(gòu)也已完 成。
[0086] 據(jù)此架構(gòu)，本發(fā)明的共用電極線CL可電連接位于其延伸方向上的第二電極190'， 可降低第二電極190'的整體電阻值。
[0087] 除此之外，為了證明本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計確實可以降低像素結(jié)構(gòu)中寄生電容 Cgs與Cgd，特以本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)10a '（圖6A與圖6B)、1 Ob '（圖8A與圖8B)以及現(xiàn)有像素結(jié) 構(gòu)（即：在源極/漏極與柵極120之間不具有絕緣層)來做驗證，請參考下方表1。
[0088] 表 1
[0089]
[0090]由表1的實驗數(shù)據(jù)可知，通過柵極120與源極S以及漏極D之間配置有絕緣層130,使 得柵極G與源極S以及柵極G與漏極D之間相隔較大的間距;據(jù)此，本發(fā)明的實施例的像素結(jié) 構(gòu)10a'、10b'的Cgs及Cgd低于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的Cgs及Cgd，可確實達到降低像素結(jié)構(gòu)的電 阻電容負(fù)載，減少耗電量，以確保顯示器的顯示品質(zhì)。
[0091]此外，本發(fā)明是通過絕緣層130的設(shè)置來降低像素結(jié)構(gòu)的Cgs以及Cgd。在應(yīng)用邊緣 電場切換式(fringe field switching，F(xiàn)FS)液晶顯示面板的范例中，因為源極S及與其電 連接的數(shù)據(jù)線DL跟第二電極190(于此作為共用電極）制作于絕緣層130之后。源極S及與其 電連接的數(shù)據(jù)線DL跟第二電極190之間的寄生電容Csc相較于柵極G與第二電極190之間的 寄生電容Cgc更大。為解決此問題，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可進行簡單變化，將第一電極170以及 第二電極190作轉(zhuǎn)向設(shè)置。具體來說，第一電極170以及第二電極190的長邊將從平行于數(shù)據(jù) 線DL的延伸方向轉(zhuǎn)向為平行于掃描線SL的延伸方向，如圖23所示?；蚴牵M一步將在數(shù)據(jù) 線DL上方重疊部分的第二電極190移除。如此一來，第二電極190與數(shù)據(jù)線DL的重疊面積劇 減，可有效降低寄生電容Csc與寄生電容Cgc的總合。且，由于掃描線SL與第一電極170以及 第二電極190之間具有較大的間距（即：絕緣層130的配置），因此掃描線SL與第一電極170以 及第二電極190之間依舊具有較小的寄生電容。
[0092] 表 2
[0093]
[0094]由表2的實驗數(shù)據(jù)可知，通過將第一電極170以及第二電極190的長邊將從平行于 數(shù)據(jù)線DL的延伸方向轉(zhuǎn)向為平行于掃描線SL的延伸方向，且更進一步將在數(shù)據(jù)線DL上方重 疊部分的第二電極190移除，可有效降低第二電極190與數(shù)據(jù)線DL之間的耦合效應(yīng)。據(jù)此，可 顯著降低像素結(jié)構(gòu)的整體寄生電容。
[0095] 綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)配置有絕緣層于柵極與源極以及柵極與漏極之間， 因此增加?xùn)艠O與源極以及柵極與漏極之間的距離，使得柵極-漏極的寄生電容Cgd與柵極-源極的寄生電容Cgs降低，如此一來便可減少電阻電容負(fù)載，減少耗電量，且確保顯示器的 顯示品質(zhì)。其中，在本發(fā)明的一實施例中，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)更可通過絕緣層的開口所具有 的凹陷輪廓的設(shè)置，利用自我對準(zhǔn)（self-align)的特性來確保圖案化制作工藝的精準(zhǔn)度， 進而減少一道光掩膜制作工藝的成本，有效提升制作良率以及降低制造成本。
[0096] 此外，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可進行簡單變化，將第一電極以及第二電極作轉(zhuǎn)向設(shè)置， 使第一電極以及第二電極的長邊將從平行于數(shù)據(jù)線的延伸方向轉(zhuǎn)向為平行于掃描線的延 伸方向，或更進一步將在數(shù)據(jù)線上方重疊部分的第二電極移除。如此一來，第二電極與數(shù)據(jù) 線的重疊面積劇減，可有效降低數(shù)據(jù)線與第二電極之間的寄生電容。且，由于掃描線與第一 電極以及掃描線與第二電極之間具有絕緣層，因此掃描線與第一電極以及掃描線與第二電 極之間依舊保有較小的寄生電容。故，相較于現(xiàn)有的像素電極，本發(fā)明的像素電極及其制造 方法，確實可以避免因高柵極-漏極的寄生電容與高柵極-源極的寄生電容等現(xiàn)象而導(dǎo)致顯 示器的顯示品質(zhì)下降的問題。
[0097] 雖然結(jié)合以上實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明 的保護范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1. 一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括： 在一基板上形成一柵極以及與該柵極連接的一掃描線； 在該基板上形成一絕緣層，并且圖案化該絕緣層以形成對應(yīng)于該柵極的一開口； 形成一柵極絕緣層以覆蓋該柵極及該掃描線； 在柵極絕緣層上形成一通道層，且該通道層位于該開口中； 在該通道層上形成一第一歐姆接觸層及一第二歐姆接觸層，且該第一歐姆接觸層及該 第二歐姆接觸層位于該開口中； 在該第一歐姆接觸層及該第二歐姆接觸層上形成一源極、一漏極以及與該源極連接的 一數(shù)據(jù)線；以及 形成一第一電極，該第一電極與該漏極電連接。2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成該柵極之后，依序在該柵極上 先形成該絕緣層，接著于該絕緣層中形成該開口以暴露出部分的該柵極，再形成該柵極絕 緣層以覆蓋該絕緣層及該開口。3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成該柵極之后，依序在該柵極上 先形成該柵極絕緣層及該通道層，接著形成該絕緣層以覆蓋該柵極絕緣層及該通道層，再 于該絕緣層中形成該開口以完全暴露出該通道層。4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該源極與部分的該漏極形成于該開 口中，且另一部分的該漏極自該開口內(nèi)朝遠(yuǎn)離該開口的該絕緣層的一表面延伸。5. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中部分的該源極與部分的該漏極形成 于該開口中，且另一部分的該源極與另一部分的該漏極自該開口內(nèi)朝遠(yuǎn)離該開口的該絕緣 層的一表面延伸。6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成該柵極的步驟中，還包括形成 一共用電極線，且在形成該柵極與該共用電極線之后，依序在該柵極上先形成該絕緣層，接 著于該絕緣層中形成該開口以暴露出部分的該柵極以及一第一接觸窗以暴露出部分的該 共用電極線，再形成一第二電極電連接該共用電極線。7. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該第二電極之后，先形成該柵極 絕緣層以覆蓋該絕緣層、該開口、該第一接觸窗以及該第二電極，再形成該通道層于該開口 中。8. -種像素結(jié)構(gòu)，包括： 掃描線以及數(shù)據(jù)線，互相交錯設(shè)置于一基板上； 柵極，位于該基板上，與該掃描線電連接； 絕緣層，位于該柵極上，具有一開口對應(yīng)該柵極設(shè)置； 柵極絕緣層，位于該柵極上； 通道層，位于該柵極絕緣層上，且該通道層位于該開口中； 第一歐姆接觸層及第二歐姆接觸層，位于該通道層上，且設(shè)置于該開口中； 源極，位于該第一歐姆接觸層上，其中該源極與該數(shù)據(jù)線電連接； 漏極，位于該第二歐姆接觸層上；以及 第一電極，位于該絕緣層上，與該漏極電連接。9. 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該絕緣層位于該柵極與該柵極絕緣層之間，且該 絕緣層的該開口暴露出部分的該柵極。10. 如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該柵極絕緣位于該絕緣層與該源極、該漏極及 該第一電極之間。11. 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中： 該柵極絕緣層覆蓋該柵極以及該掃描線； 該通道層覆蓋該柵極絕緣層；以及 該絕緣層位于該通道層及該柵極絕緣層上，其中該絕緣層的該開口位于該通道層上， 并且完全暴露出該通道層。12. 如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該柵極絕緣位于該絕緣層與該柵極之間。13. 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一歐姆接觸層及該第二歐姆接觸層位于該 通道層與該源極之間以及該通道層與該漏極之間。14. 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該源極與部分的該漏極與該開口重疊設(shè)置，且 另一部分的該漏極自該開口內(nèi)朝遠(yuǎn)離該開口的該絕緣層的一表面延伸設(shè)置。15. 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中部分的該源極與部分的該漏極與該開口重疊設(shè) 置，且另一部分的該源極與另一部分的該漏極自該開口內(nèi)朝遠(yuǎn)離該開口的該絕緣層的一表 面延伸設(shè)置。16. 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括： 共用電極線，位于該基板與該絕緣層之間；以及 第二電極，位于該絕緣層上，其中該絕緣層具有第一接觸窗，暴露出該共用電極線，使 得該共用電極線與該第二電極電連接。17. 如權(quán)利要求16所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該柵極絕緣層位于該絕緣層及該第二電極與 該通道層之間。
【文檔編號】H01L51/56GK105932176SQ201610307519
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年5月11日
【發(fā)明人】張吉和
【申請人】友達光電股份有限公司