非可逆電路元件以及使用其的通信裝置的制造方法
【專利摘要】提供即使在中心導(dǎo)體的搭載位置偏移的情況下也能夠抑制高頻特性的變化的非可逆電路元件，具備：基板(14)，包含具有圓形面(SA)的磁性體基板(14A)及具有圓環(huán)面(SB)的電介質(zhì)環(huán)(14B)；中心導(dǎo)體(15)，配置于基板(14)；永久磁鐵(12,18)，將磁場施加于中心導(dǎo)體(15)。中心導(dǎo)體(15)包含延伸成放射狀的主導(dǎo)體部(41～43)及分支導(dǎo)體部(51～53)。分支導(dǎo)體部(51～53)包含配置于圓形面(SA)上的寬幅部分(W)、以寬度窄于寬幅部分(W)并橫跨圓形面(SA)與圓環(huán)面(SB)的邊界的方式配置的窄幅部分(N)。根據(jù)本發(fā)明，由窄幅部分(N)橫跨圓形面(SA)與圓環(huán)面(SB)的邊界，所以能夠抑制中心導(dǎo)體(15)的搭載位置偏移的情況下的高頻特性的變化。
【專利說明】
非可逆電路元件以及使用其的通信裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及非可逆電路元件以及使用該非可逆電路元件的通信裝置，特別是涉及 分布常數(shù)型的非可逆電路元件以及使用其的通信裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隔離器（isolator)或循環(huán)器(circulator)等的非可逆電路元件例如被編入使用 于手機那樣的移動體通信設(shè)備或在基地臺被使用的通信裝置等。對于非可逆電路元件來說 有分布常數(shù)型或集中常數(shù)型等的類型，其中尤其是分布常數(shù)型的非可逆電路元件適合于基 地臺等要求高輸出的用途。
[0003] 分布常數(shù)型的非可逆電路元件的結(jié)構(gòu)例如被記載于專利文獻1。專利文獻1所記載 的非可逆電路元件具備具有以相互成120°的角度延伸成放射狀的3個導(dǎo)體枝(主導(dǎo)體部)和 從主導(dǎo)體部的根基部分以相互成120°的角度延伸成放射狀的3個分支電極部(分支導(dǎo)體部） 的中心導(dǎo)體，并且具有該中心導(dǎo)體被載置于基板的結(jié)構(gòu)?；鍨殡娊橘|(zhì)環(huán)被配置于圓盤狀 的鐵氧體的外周的一體化基板。然后，3個主導(dǎo)體部的前端分別被連接于輸入輸出端子或者 終端電阻器，由此進行信號的輸入輸出或者終端。3個分支導(dǎo)體部為了獲得作為目的的高頻 特性(例如電容)而適當(dāng)設(shè)計其形狀或面積。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1:日本專利申請公開平9-121104號公報
[0007] 在專利文獻1所記載的非可逆電路元件中，主導(dǎo)體部的前端向周向被擴大，該擴大 部分覆蓋電介質(zhì)環(huán)。在此，擴大部分的徑向上的寬度基本上與電介質(zhì)環(huán)的徑向上的寬度相 一致。因此，在偏移發(fā)生于中心導(dǎo)體的搭載位置的情況下，高頻特性的變化會變得非常大。
[0008] 即，如果中心導(dǎo)體的搭載位置發(fā)生偏移的話，則在3個主導(dǎo)體部中，對于某個主導(dǎo) 體部，擴大部分與圓盤狀的鐵氧體相重疊，另一方面，對于其它的主導(dǎo)體部，擴大部分不與 圓盤狀的鐵氧體相重疊等，會在主導(dǎo)體部之間產(chǎn)生條件差。其結(jié)果，如果中心導(dǎo)體的搭載位 置發(fā)生偏移的話，則會有高頻特性大幅變化等的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009] 因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種即使是在中心導(dǎo)體的搭載位置發(fā)生偏移的情 況下，也能夠抑制高頻特性的變化的非可逆電路元件以及使用該非可逆電路元件的通信裝 置。
[0010] 本發(fā)明的非可逆電路元件，其特征在于，具備:基板，包含具有圓形面的磁性體基 板和具有構(gòu)成與所述圓形面相同的平面的圓環(huán)面的電介質(zhì)環(huán)；中心導(dǎo)體，被配置于所述基 板上;永久磁鐵，將磁場施加于所述中心導(dǎo)體;所述中心導(dǎo)體包含位于連結(jié)所述圓形面的中 心和所述圓環(huán)面的外周的直線上的主導(dǎo)體部、與所述主導(dǎo)體部一體地設(shè)置并且從所述圓形 面的所述中心向所述基板的徑向進行延伸的分支導(dǎo)體部，所述分支導(dǎo)體部包含被配置于所 述圓形面上的寬幅部分、以寬度窄于所述寬幅部分并且橫跨所述圓形面與所述圓環(huán)面的邊 界的方式被配置的窄幅部分。
[0011] 另外，本發(fā)明的通信裝置，其特征在于，具備上述的非可逆電路元件。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明，因為由窄幅部分橫跨圓形面與圓環(huán)面的邊界，所以即使是在中心導(dǎo) 體的搭載位置發(fā)生偏移的情況下，被中心導(dǎo)體覆蓋的磁性體基板的面積或被中心導(dǎo)體覆蓋 的電介質(zhì)環(huán)的面積的變化也較小。因此，可以抑制在中心導(dǎo)體的搭載位置發(fā)生偏移的情況 下的尚頻特性的變化。
[0013] 在本發(fā)明中，優(yōu)選，所述窄幅部分以從所述寬幅部分的徑向上的端面向所述徑向 突出的方式被設(shè)置。由此，即使分支導(dǎo)體部的搭載位置在徑向上發(fā)生偏移也能夠?qū)⑵溆绊?控制到最低限度。
[0014] 在此情況下，優(yōu)選，所述分支導(dǎo)體部進一步包含被配置于所述圓環(huán)面上并且被連 接于所述窄幅部分的連接部分。由此，由連接部分能夠獲得所希望的電容并且即使分支導(dǎo) 體部的搭載位置在徑向上發(fā)生偏移，連接部分也不會與磁性體基板相重疊，并且可以正確 地位于電介質(zhì)環(huán)上。
[0015] 在此情況下，所述連接部分的周向上的寬度即使大于所述寬幅部分的所述周向上 的寬度也沒有關(guān)系。由此，由連接部分能夠獲得更大的電容。
[0016] 在本發(fā)明中，優(yōu)選，所述寬幅部分的所述端面具有所述基板的周向上的第1以及第 2端部，所述窄幅部分包含以從所述寬幅部分的所述第1以及第2端部分別向所述徑向突出 的方式被設(shè)置的第1以及第2部分。由此，能夠抑制由搭載位置的偏移引起的高頻特性的變 化且能夠獲得與由寬幅部分橫跨邊界的情況相近的特性。
[0017] 在此情況下，優(yōu)選，所述主導(dǎo)體部由從所述圓形面的中心以相互成120°的角度延 伸成放射狀的第1、第2以及第3主導(dǎo)體部構(gòu)成，所述寬幅部分由從所述圓形面的中心以相互 成120°的角度延伸成放射狀并且與所述第1、第2或者第3主導(dǎo)體部所成的角度為60°的第1、 第2以及第3寬幅部分構(gòu)成，所述窄幅部分的所述第1以及第2部分以從所述第1、第2以及第3 寬幅部分的所述第1以及第2端部分別向所述徑向突出的方式被設(shè)置。由此，可以提供一種 具有3個輸入輸出端子的非可逆電路元件。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種即使是在中心導(dǎo)體的搭載位置發(fā)生偏移的情況下，也 抑制高頻特性的變化的非可逆電路元件以及使用該非可逆電路元件的通信裝置。
【附圖說明】
[0019] 圖1是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式的非可逆電路元件的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
[0020] 圖2是用于說明第1實施方式的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系的 平面圖。
[0021] 圖3是用于說明比較例的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系的平面 圖。
[0022] 圖4是表示在使用了圖2所表示的第1實施方式的中心導(dǎo)體15的情況下的隔離器的 輸入回波損耗(return loss)的圖表。
[0023] 圖5是表示在使用了圖3所表示的比較例的中心導(dǎo)體15的情況下的隔離器的輸入 回波損耗的圖表。
[0024]圖6是用于說明對直和jX值的史密斯圓圖（Smith chart)。
[0025]圖7是用于說明第2實施方式的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系的 平面圖。
[0026]圖8是用于說明第3實施方式的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系的 平面圖。
[0027]圖9是用于說明比較例的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系的平面 圖。
[0028]圖10是用于說明第4實施方式的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系 的平面圖。
[0029]圖11是表示使用了本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式的非可逆電路元件的通信裝置80的 結(jié)構(gòu)的方塊圖。
【具體實施方式】
[0030] 以下，參照附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式進行詳細的說明。
[0031] 圖1是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式的非可逆電路元件的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
[0032] 圖1所表示的非可逆電路元件為分布常數(shù)型隔離器，并且被編入使用于如手機那 樣的移動體通信設(shè)備和在基地臺被使用的通信裝置等。雖然沒有特別的限定，但是本實施 方式的非可逆電路元件優(yōu)選被用于在基地臺進行使用的高輸出的通信裝置。但是，將本發(fā) 明的非可逆電路元件作為隔離器來使用不是必須的，也可以作為循環(huán)器來使用。
[0033] 如圖1所示，本實施方式的非可逆電路元件包含磁轉(zhuǎn)子裝配體10、容納其的殼體部 20、用于閉塞殼體部20的蓋部30。
[0034]磁轉(zhuǎn)子裝配體10具有第1永久磁鐵12、屏蔽板13、第1基板14、中心導(dǎo)體15、第2基板 16、第1非磁性薄片17、第2永久磁鐵18以及第2非磁性薄片19按該順序被皇積起來的結(jié)構(gòu)， 并且由沒有圖示的導(dǎo)電性接合劑而被一體化。
[0035]第1永久磁鐵12以及第2永久磁鐵18為板面的直徑為數(shù)十mm的圓板狀體，并且起到 將磁場施加于由第1基板14、中心導(dǎo)體15以及第2基板16構(gòu)成的磁轉(zhuǎn)子的作用。第2永久磁鐵 18被第1以及第2非磁性薄片17,19夾持。
[0036] 屏蔽板13是對板面的直徑為數(shù)十_、厚度為0.1~0.2_左右的銅板或者鐵板進行 沖壓后的圓盤狀的導(dǎo)體板，并且為了接地電極的強化以及穩(wěn)定化而被使用。
[0037] 第1基板14由圓盤狀的磁性體基板14A、被嵌入到其外周的電介質(zhì)環(huán)14B構(gòu)成。作為 磁性體基板14A的材料，優(yōu)選使用紀/鐵/石植石(garnet )(YIG)等的軟磁性材料。作為電介 質(zhì)環(huán)14B的材料，優(yōu)選使用具有所希望的介電常數(shù)的陶瓷。磁性體基板14A的主面即圓形面 SA和電介質(zhì)環(huán)14B的主面即圓環(huán)面SB構(gòu)成彼此相同的平面。因此，磁性體基板14A的厚度和 電介質(zhì)環(huán)14B的厚度實質(zhì)上相同，例如為1.0mm左右。另外，第1基板14的直徑為數(shù)十mm。
[0038] 關(guān)于第2基板16,也與上述的第1基板14相同，由圓盤狀的磁性體基板16A和被嵌入 到其外周的電介質(zhì)環(huán)16B構(gòu)成。
[0039] 中心導(dǎo)體15是對厚度為0.1~1.0mm左右的銅板加工后的導(dǎo)體板，并具備第1~第3 主導(dǎo)體部41~43、第1~第3分支導(dǎo)體部51~53。主導(dǎo)體部41~43為分別被連接于對應(yīng)的端 子的導(dǎo)體部分，并從中心以相互成120°的角度延伸成放射狀。在本實施方式中，第1主導(dǎo)體 部41的前端被連接于終端電阻器29,第2主導(dǎo)體部42被連接于銷端子P2,第3主導(dǎo)體部43被 連接于銷端子P3。銷端子P2，P3分別構(gòu)成隔離器的輸入輸出端子。還有，在將本實施方式的 非可逆電路元件作為循環(huán)器來使用的情況下，替代將第1主導(dǎo)體部41連接于終端電阻器29 而可以將第1主導(dǎo)體部41連接于別的銷端子。
[0040] 第1~第3分支導(dǎo)體部51~53與主導(dǎo)體部41~43-體地設(shè)置，從圓形面SA的中心以 相互成120°的角度延伸成放射狀。于是，在主導(dǎo)體部41~43和分支導(dǎo)體部51~53中，在周向 上相互鄰接的2個所成的角均為60°。關(guān)于中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系， 在后面進行詳述。
[0041] 磁轉(zhuǎn)子裝配體10被容納于殼體部20。殼體部20為有底的大致筒狀體或者大致容器 狀體，并具有用于將磁轉(zhuǎn)子裝配體10容納于其內(nèi)部的空間即容納部20A。殼體部20的內(nèi)部形 狀作為整體而為大致圓筒形。殼體部20優(yōu)選通過由鐵等的磁性金屬材料構(gòu)成從而起到作為 相對于被容納于容納部20A的磁轉(zhuǎn)子裝配體10的磁輒(yoke)的功能。
[0042]殼體部20的容納部20A由3個側(cè)壁21~23、構(gòu)成底面部分的底部24來進行劃定。側(cè) 壁21~23分別從底部24的周緣彼此隔開規(guī)定的間隔并在相同的圓周上豎起，在豎起兩端面 的一方具有沿著圓周方向切割開的凹部21A~23A。
[0043] 在所鄰接的側(cè)壁21~23的端緣相互相對的部分形成有開口部25~27。從開口部25 ~27,將第1~第3主導(dǎo)體部41~43的前端部分導(dǎo)出至外部。
[0044] 蓋部30,成為其主要部的蓋面部30A作為整體而為圓板狀，并且與殼體部20相組合 而作為閉塞容納部20A的蓋子來使用。即，蓋部30的形狀，根據(jù)其本來用途，對應(yīng)于殼體部20 的內(nèi)部形狀來決定，所以在本實施方式中，使用大致圓筒形狀的殼體部20,也就是被形成為 圓板狀。蓋部30優(yōu)選通過由鐵等的磁性金屬材料構(gòu)成，從而能夠與殼體部20-起起到作為 相對于磁轉(zhuǎn)子裝配體1 〇的磁輒(yoke)的功能。
[0045]蓋部30的蓋面部30A具有能夠嵌入到殼體部20的開放端面的直徑尺寸以及輪廓形 狀。簡單地說，蓋面部30A具有比開放端面的內(nèi)徑縮小一些的形狀。如果根據(jù)該結(jié)構(gòu)的話，則 通過使蓋面部30A嵌入到殼體部20的開放端面，從而能夠謀求與蓋面部30A的厚度相應(yīng)的非 可逆電路元件的薄型化。優(yōu)選蓋面部30A的上面?zhèn)葮?gòu)成與殼體部20的上端面大致相同的平 面。
[0046]蓋面部30A，其外周形狀為圓形狀，并且在其圓形狀外周面上突出設(shè)置有凸部31~ 33。凸部31~33被嵌合于殼體部20的凹部21A~23A，具有對應(yīng)于凹部21A~23A的間隔以及 寬度(厚度)來進行形成。凸部31~33具有使蓋面部30A的外周面單單向徑向突出的單純的 形狀。
[0047] 于是，通過將凸部31~33的前端部插入到凹部21A~23A并使蓋部30或者殼體部20 相對地旋轉(zhuǎn)，從而能夠在殼體部20與蓋部30之間形成凹凸嵌合。
[0048]另外，構(gòu)成殼體部20的底部24具有經(jīng)由開口部25向徑向突出的突出部28。將用于 吸收反射波的終端電阻器29設(shè)置于突出部28,由此，能夠?qū)⒈緦嵤┓绞降姆强赡骐娐吩?作為隔離器來使用。
[0049]圖2是用于說明第1實施方式的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系的 平面圖。
[0050] 如圖2所示，中心導(dǎo)體15具備第1~第3主導(dǎo)體部41~43和第1~第3分支導(dǎo)體部51 ~53，這些各部分均位于由磁性體基板14A構(gòu)成的圓形面SA或者由電介質(zhì)環(huán)14B構(gòu)成的圓環(huán) 面SB上。
[00511第1主導(dǎo)體部41具有直線地連結(jié)圓形面SA的中心和圓環(huán)面SB的外周的直線部41A、 從直線部41A進行分支并延伸成L字型的2個突起部61，62。第2主導(dǎo)體部42具有直線地連結(jié) 圓形面SA的中心和圓環(huán)面SB的外周的直線部42A、從直線部42A進行分支并延伸成L字型的2 個突起部63，64。第3主導(dǎo)體部43具有直線地連結(jié)圓形面SA的中心和圓環(huán)面SB的外周的直線 部43A、從直線部43A進行分支并延伸成L字型的2個突起部65,66。
[0052] 然后，直線部41A~43A以橫跨圓形面SA和圓環(huán)面SB的方式在徑向上進行延伸設(shè) 置，另一方面，突起部61~66在圓環(huán)面SB上在周向上進行分支而設(shè)置，進一步進行彎曲并在 徑向上進行延伸設(shè)置。突起部61~66中，在徑向上進行延伸的部分以橫跨由電介質(zhì)環(huán)14B構(gòu) 成的圓環(huán)面SB與由磁性體基板14A構(gòu)成的圓形面SA的邊界的方式被配置。
[0053]第1分支導(dǎo)體部51位于直線部41A與直線部42A之間，并且具有從圓形面SA的中心 朝著徑向進行延伸的形狀。第2分支導(dǎo)體部52位于直線部42A與直線部43A之間，并且具有從 圓形面SA的中心朝著徑向進行延伸的形狀。第3分支導(dǎo)體部53位于直線部43A與直線部41A 之間，并且具有從圓形面SA的中心朝著徑向進行延伸的形狀。
[0054] 在本實施方式中。分支導(dǎo)體部51~53均由寬幅部分W、窄幅部分N以及連接部分C構(gòu) 成。如圖2所示，寬幅部分W為周向上的寬度大的部分，并且位于由磁性基板14A構(gòu)成的圓形 面SA上。窄幅部分N為周向上的寬度小的部分，并且以橫跨圓形面SA與圓環(huán)面SB的邊界的方 式從寬幅部分W向徑向突出來進行設(shè)置。連接部分C為周向上的寬度大的部分且位于由電介 質(zhì)環(huán)14B構(gòu)成的圓環(huán)面SB上，并且經(jīng)由窄幅部分N而被連接于寬幅部分W。
[0055]如果更加具體地說明的話，則寬幅部分W的徑向上的端面被設(shè)置于圓形面SA與圓 環(huán)面SB的邊界附近，也就是說被設(shè)置于偏向（offset)于圓形面SA側(cè)的位置。另外，連接部分 C的徑向上的內(nèi)周側(cè)的端面被設(shè)置于圓形面SA與圓環(huán)面SB的邊界附近，也就是說被設(shè)置于 偏向于圓環(huán)面SB上側(cè)的位置。因此，圓形面SA與圓環(huán)面SB的邊界位于寬幅部分W的端面與連 接部分C的端面之間。于是，由以橫跨該邊界的方式被設(shè)置的窄幅部分N來連結(jié)寬幅部分W和 連接部分C。雖然并沒有特別的限定，但是，在本實施方式中，連接部分C的周向上的寬度大 于寬幅部分W的周向上的寬度，由此確保了大的電容。
[0056]在圖2所表示的第1實施方式中，在分支導(dǎo)體部51~53的每個上設(shè)置有2個窄幅部 分N，它們被配置于寬幅部分W的端面的周向上的兩端。因此，分支導(dǎo)體部51~53成為位于圓 形面SA與圓環(huán)面SB的邊界的部分被鏜削(bore)成島狀的形狀。
[0057]這樣，在本實施方式中，因為寬度小的窄幅部分N橫跨圓形面SA與圓環(huán)面SB的邊 界，所以即使是在將中心導(dǎo)體15重疊于第1基板14的時候發(fā)生位置偏移的情況下，被中心導(dǎo) 體15覆蓋的磁性體基板14A(以及磁性體基板16A)的面積或被中心導(dǎo)體15覆蓋的電介質(zhì)環(huán) 14B(以及電介質(zhì)環(huán)16B)的面積的變化也較小。由此，可以抑制由位置偏移引起的高頻特性 的變化。換言之，窄幅部分N的長度作為相對于位置偏移的盈余(margin)進行工作。因此，如 果考慮在裝配時有可能發(fā)生的位置偏移量來設(shè)計窄幅部分N的長度的話則可以可靠地抑制 由位置偏移引起的高頻特性的變化。
[0058]而且，分支導(dǎo)體部51~53具有位于圓形面SA與圓環(huán)面SB的邊界的部分被鏜削成島 狀的形狀，寬幅部分W的寬度和連結(jié)2個窄幅部分N的寬度大致相同。因此，作為高頻特性，能 夠獲得與使用了圖3所表示的參考例的形狀的情況大致相同等的特性。這是因為，在高頻區(qū) 域的電感較大程度地依賴于導(dǎo)體寬度，并且這是因為，即使是中央部被鏜削的情況下，其給 予電感的影響也小。
[0059] 還有，如果使用圖3所表示的參考例的形狀的話，則在位置偏移發(fā)生于中心導(dǎo)體15 的情況下，被中心導(dǎo)體15覆蓋的磁性體基板14A(以及磁性體基板16A)的面積或被中心導(dǎo)體 15覆蓋的電介質(zhì)環(huán)14B(以及電介質(zhì)環(huán)16B)的面積的變化會非常大并且高頻特性會發(fā)生大 幅變化。相對于此，根據(jù)圖2所表示的第1實施方式的形狀，如以上所述，即使是發(fā)生位置偏 移的情況下，也可以抑制高頻特性的變化。
[0060] 圖4是表示在使用了圖2所表示的第1實施方式的中心導(dǎo)體15的情況下的隔離器的 輸入回波損耗的圖表。圖5是表示在使用了圖3所表示的比較例的中心導(dǎo)體15的情況下的隔 離器的輸入回波損耗的圖表。在圖4以及圖5中，（a)表示圖6所表示的史密斯圓圖（Smith chart)上的R值與位置偏移量的關(guān)系，（b)表示圖6所表示的史密斯圓圖上的jX值與位置偏 移量的關(guān)系。
[0061 ]圖4以及圖5所表示的值是將輸入信號的頻率設(shè)為860ΜΗζ、865ΜΗζ、870ΜΗζ的情況 下的輸入回波損耗，分別以?標記、標記、▲標記、X標記來進行描述。另外，根據(jù)各個描 述劃出近似直線，將橫軸設(shè)為X、將縱軸設(shè)為y并以方程式表示近似直線。因此，方程式中的X 的乘數(shù)表示近似直線的傾斜度。
[0062] 如果對圖4和圖5進行比較的話，則可以了解到圖4所表示的圖線的傾斜度小于圖5 所表示的圖線的傾斜度。即，使用了圖2所表示的第1實施方式的中心導(dǎo)體15,相對于位置偏 移的R值以及jX值的變化小于使用了圖3所表示的比較例的中心導(dǎo)體15的情況。特別是可以 了解到圖4(a)所表示的R值的傾斜度被顯著改善，相對于位置偏移的特性的變化被有效地 抑制。
[0063] 圖7是用于說明第2實施方式的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系的 平面圖。
[0064] 第2實施方式的中心導(dǎo)體15與圖2所表不的中心導(dǎo)體15的不同在于，在每個分支導(dǎo) 體部51~53上僅設(shè)置有1個窄幅部分N，并且其被配置于寬幅部分W的端面的周向上的中央 部。對于其他方面，與圖2所表示的中心導(dǎo)體15相同，所以將相同的符號標注于相同的結(jié)構(gòu) 并省略重復(fù)的說明。
[0065] 即使是在這樣的結(jié)構(gòu)中，也與第1實施方式相同，可以抑制在發(fā)生位置偏移的情況 下的高頻特性的變化。而且，在本實施方式中，因為橫跨圓形面SA與圓環(huán)面SB的邊界的窄幅 部分N在每個分支導(dǎo)體部51~53上僅1個，所以在位置偏移發(fā)生于中心導(dǎo)體15的情況下的中 心導(dǎo)體15所覆蓋的磁性體基板14A (以及磁性體基板16A)的面積或中心導(dǎo)體15所覆蓋的電 介質(zhì)環(huán)14B(以及電介質(zhì)環(huán)16B)的面積的變化小于第1實施方式。
[0066] 但是，在本實施方式中，因為寬幅部分W的端面的周向上的兩端被解放，所以作為 高頻特性，如表1所示，與使用了圖2所表示的形狀的情況相比有著很大的差異。具體來說， 使用了圖2所表示的形狀，其插入損耗、輸入回波損耗、輸出回波損耗以及隔離度，與使用了 圖7所表示的形狀的情況相比較，能夠獲得良好的值。這是因為，如以上所述，因為在高頻區(qū) 域的電感較大程度地依賴于導(dǎo)體寬度，所以在圖7所表示的結(jié)構(gòu)的情況下，電感在窄幅部分 N發(fā)生較大的變化。還有，插入損耗更接近于零的為良好的值，輸入回波損耗、輸出回波損耗 以及隔離度，其值小的為良好的值。
[0067] [表1]
[0068]
[0069」 圖8是用t說明弟3買施萬式的中心導(dǎo)體15的形狀以及與弟1基攸14的位置天糸的 平面圖。
[0070]即使是在本實施方式中，中心導(dǎo)體15也具備第1~第3主導(dǎo)體部41~43和第1~第3 分支導(dǎo)體部51~53,這些各部分均位于由磁性體基板14A構(gòu)成的圓形面SA或者由電介質(zhì)環(huán) 14B構(gòu)成的圓環(huán)面SB上。
[0071]第1主導(dǎo)體部41具有直線地連結(jié)圓形面SA的中心和圓環(huán)面SB的外周的直線部41A、 從直線部41A分支并在周向上進行延伸的2個突起部61，62。第2主導(dǎo)體部42具有直線地連結(jié) 圓形面SA的中心和圓環(huán)面SB的外周的直線部42A、從直線部42A分支并在周向上進行延伸的 2個突起部63，64。第3主導(dǎo)體部43具有直線地連結(jié)圓形面SA的中心和圓環(huán)面SB的外周的直 線部43A、從直線部43A分支并在周向上進行延伸的2個突起部65,66。
[0072] 于是，直線部41A~43A以橫跨圓形面SA和圓環(huán)面SB的方式在徑向上延伸設(shè)置，另 一方面，突起部61~66在圓環(huán)面SB上在周向上延伸設(shè)置。于是，突起部61~66的寬度(徑向 上的寬度)細于直線部41A~43A的寬度(周向上的寬度）。
[0073]這樣，因為從主導(dǎo)體部41~43分支并設(shè)置的突起部61~66在由電介質(zhì)環(huán)14B構(gòu)成 的圓環(huán)面SB上在周向上細長地延伸，所以能夠抑制覆蓋電介質(zhì)環(huán)14B的面積且能夠遍布更 寬范圍來覆蓋電介質(zhì)環(huán)14B。
[0074]第1分支導(dǎo)體部51位于直線部41A與直線部42A之間，并且具有從圓形面SA的中心 朝著徑向進行延伸的形狀。第2分支導(dǎo)體部52位于直線部42A與直線部43A之間，并且具有從 圓形面SA的中心朝著徑向進行延伸的形狀。第3分支導(dǎo)體部53位于直線部43A與直線部41A 之間，并且具有從圓形面SA的中心朝著徑向進行延伸的形狀。
[0075]在此，分支導(dǎo)體部51~53的寬幅部分W的寬度（周向上的寬度）大于直線部41A~ 43A的寬度（周向上的寬度）。分支導(dǎo)體部51~53的寬幅部分W位于由磁性體基板14A構(gòu)成的 圓形面SA上，但是，從寬幅部分W突出的窄幅部分N即突起部71~76位于由電介質(zhì)環(huán)14B構(gòu)成 的圓環(huán)面SB上。
[0076]如果具體地進行說明的話，則分支導(dǎo)體部51~53的寬幅部分W的端面51A~53A被 設(shè)置于圓形面SA與圓環(huán)面SB的邊界附近，也就是說被設(shè)置于偏向于圓形面SA側(cè)的位置。于 是，端面51A具有周向上的第1端部51Ai和第2端部51A 2并且以從這2個端部51A151A2向徑向 突出的方式設(shè)置有窄幅部分N即2個突起部71，72。端面52A具有周向上的第1端部52Ai和第2 端部52A2并且以從這2個端部52A152A2向徑向突出的方式設(shè)置有窄幅部分N即2個突起部 73,74。端面534具有周向上的第1端部534 1和第2端部53六2并且以從這2個端部5341，53八2向 徑向突出的方式設(shè)置有窄幅部分N即2個突起部75，76。
[0077]窄幅部分N即突起部71~76橫跨圓形面SA與圓環(huán)面SB的邊界并進行延伸，其大部 分位于由電介質(zhì)環(huán)14B構(gòu)成的圓環(huán)面SB上。于是，突起部71~76的寬度(周向上的寬度)細于 直線部41A~43A的寬度(周向上的寬度）。
[0078] 這樣，因為被設(shè)置于分支導(dǎo)體部51~53的突起部71~76在由電介質(zhì)環(huán)14B構(gòu)成的 圓環(huán)面SB上在徑向上細長地延伸，所以能夠抑制覆蓋電介質(zhì)環(huán)14B的面積且能夠遍布更寬 范圍來覆蓋電介質(zhì)環(huán)14B。
[0079] 如以上所說明的那樣，在本實施方式中，因為在周向上進行延伸的細長的突起部 61~66和在徑向上進行延伸的細長的突起部71~76被配置于由電介質(zhì)環(huán)14B構(gòu)成的圓環(huán)面 SB上，所以能夠抑制覆蓋電介質(zhì)環(huán)14B的中心導(dǎo)體15的面積且能夠由中心導(dǎo)體15來寬范圍 地覆蓋電介質(zhì)環(huán)14B。
[0080] 由此，在夾著中心導(dǎo)體15重疊第1基板14和第2基板16的時候，因為施加于電介質(zhì) 環(huán)14B(以及電介質(zhì)環(huán)16B)的應(yīng)力被分散并且局部的應(yīng)力難以施加到特定的地方，所以可以 防止裝配時的基板的破損。而且，因為突起部61~66，71~76具有細長的形狀，所以對于覆 蓋電介質(zhì)環(huán)14B(以及電介質(zhì)環(huán)16B)的面積，能夠充分地抑制。由此，因為能夠減小突起部61 ~66,71~76給予高頻特性的影響，所以可以正確地獲得作為目的的高頻特性。
[0081] 再有，在本實施方式中，因為寬度細的突起部71~76橫跨圓形面SA與圓環(huán)面SB的 邊界，所以即使是在將中心導(dǎo)體15重疊于第1基板14的時候發(fā)生位置偏移的情況下，被中心 導(dǎo)體15覆蓋的磁性體基板14A (以及磁性體基板16A)的面積或被中心導(dǎo)體15覆蓋的電介質(zhì) 環(huán)14B(以及電介質(zhì)環(huán)16B)的面積的變化也較小。由此，與上述的各個實施方式相同，可以抑 制由位置偏移引起的高頻特性的變化。
[0082] 圖9是用于說明比較例的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系的平面 圖。
[0083]在圖9所表示的比較例中，突起部61~66的寬度大于第3實施方式，并且分支導(dǎo)體 部51~53的端面51A~53A向前突出到由電介質(zhì)環(huán)14B構(gòu)成的圓環(huán)面SB上。不設(shè)置窄幅部分N 即突起部71~76,分支導(dǎo)體部51~53僅由寬幅部分W構(gòu)成。雖然具有這樣的形狀的不同，但 是，被中心導(dǎo)體15覆蓋的磁性體基板14A的面積或被中心導(dǎo)體15覆蓋的電介質(zhì)環(huán)14B的面積 與圖8所表示的第3實施方式大致相同，因此，對于所獲得的高頻特性，沒有大的變化。
[0084] 然而，在圖9所表示的比較例中，因為突起部61~66的寬度大，所以其周向上的長 度必然變短。另外，在分支導(dǎo)體部51~53上不設(shè)置突起部71~76。由此，因為成為由電介質(zhì) 環(huán)14B構(gòu)成的圓環(huán)面SB遍布寬范圍從中心導(dǎo)體15露出的狀態(tài)，所以在夾著中心導(dǎo)體15重疊 第1基板14和第2基板16的時候局部的應(yīng)力施加于電介質(zhì)環(huán)14B的特定地方，從而會產(chǎn)生基 板發(fā)生破損的擔(dān)憂。特別是如果強的應(yīng)力施加于分支導(dǎo)體部51~53的端面51A~53A的附近 的話，則容易破損的電介質(zhì)環(huán)14B的內(nèi)周附近被強力推壓，從而容易發(fā)生破損。
[0085] 相對于此，根據(jù)上述的第3實施方式的結(jié)構(gòu)，這樣的問題會被解除，并且可以有效 地防止裝配時的基板的破損。
[0086] 另外，在圖9所表示的比較例中，因為分支導(dǎo)體部51~53的寬幅部分W橫跨圓形面 SA與圓環(huán)面SB的邊界，所以在將中心導(dǎo)體部15重疊于第1基板14的時候發(fā)生位置偏移的情 況下，被中心導(dǎo)體15覆蓋的磁性體基板14A的面積或被中心導(dǎo)體15覆蓋的電介質(zhì)環(huán)14B的面 積會大幅變化。
[0087] 相對于此，根據(jù)上述的第3實施方式的結(jié)構(gòu)，這樣的問題會被解除，并且可以抑制 由位置偏移引起的高頻特性的變化。
[0088] 圖10是用于說明第4實施方式的中心導(dǎo)體15的形狀以及與第1基板14的位置關(guān)系 的平面圖。
[0089]第4實施方式的中心導(dǎo)體15在連接部分C即突起部77~79被追加的方面與圖8所表 示的中心導(dǎo)體15不同。對于其他方面，與圖8所表示的中心導(dǎo)體15相同，所以將相同的符號 標注于相同的結(jié)構(gòu)并省略重復(fù)的說明。
[0090] 連接部分C即突起部77為第1分支導(dǎo)體部51的一部分，并且以相互連接窄幅部分N 即突起部71，72的方式在圓環(huán)面SB上在周向上延伸設(shè)置。連接部分C即突起部78為第2分支 導(dǎo)體部52的一部分，并且以相互連接窄幅部分N即突起部73,74的方式在圓環(huán)面SB上在周向 上延伸設(shè)置。連接部分C即突起部79為第3分支導(dǎo)體部53的一部分，并且以相互連接窄幅部 分N即突起部75，76的方式在圓環(huán)面SB上在周向上延伸設(shè)置。
[0091] 于是，突起部77~79的徑向上的寬度與突起部71~76大致相同，因此，細于直線部 41A~43A的周向上的寬度。
[0092] 這樣的結(jié)構(gòu)，在比圖8所表示的第3實施方式大的電容為必要的情況下是適宜的。 根據(jù)第4實施方式，能夠獲得比第3實施方式大的電容并且相較于第3實施方式能夠由中心 導(dǎo)體15更寬范圍地覆蓋電介質(zhì)環(huán)14B，所以可以更進一步有效地防止裝配時的基板的破損。 [0093]圖11是表示使用了本實施方式的非可逆電路元件的通信裝置80的結(jié)構(gòu)的方塊圖。 [0094]圖11所表示的通信裝置80例如是一種移動體通信系統(tǒng)中的被配備于基地臺的通 信裝置，并且包含信號接收電路部80R和信號發(fā)送電路部80T，它們被連接于收發(fā)信號用的 天線ANT。信號接收電路部80R包含信號接收用放大電路81、處理被接收的信號的信號接收 電路82。信號發(fā)送電路部80T包含生成聲音信號、映像信號等的信號發(fā)送電路83、功率放大 電路84。
[0095]在具有這樣的結(jié)構(gòu)的通信裝置80中，本實施方式的非可逆電路元件91，92被用于 從天線ANT到信號接收電路部80R的路徑或從信號發(fā)送電路部80T到天線ANT的路徑。非可逆 電路元件91起到作為循環(huán)器的功能，非可逆電路元件92起到作為具有終端電阻器R0的隔離 器的功能。
[0096]以上，對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式進行了說明，但是，本發(fā)明并不限定于上述的實 施方式，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以進行各種變更，不用說它們也包含于本發(fā)明 的范圍內(nèi)。
[0097]符號的說明 [0098] 10磁轉(zhuǎn)子裝配體
[0099] 12,18永久磁鐵
[0100] 13屏蔽板
[0101] 14第1基板
[0102] 14A，16A磁性體基板
[0103] 14B，16B 電介質(zhì)環(huán)
[0104] 15中心導(dǎo)體
[0105] 16第2基板
[0106] 17,19非磁性薄片
[0107] 20殼體部
[0108] 20A容納部
[0109] 21 ~23 側(cè)壁
[0110] 21A ~23A 凹部
[0111] 24 底部
[0112] 25 ~27 開口部
[0113] 28 突出部
[0114] 29終端電阻器
[0115] 30 蓋部
[0116] 30A蓋面部
[0117] 31 ~33 凸部
[0118] 41~43主導(dǎo)體部
[0119] 41A~43A直線部
[0120] 51~53分支導(dǎo)體部
[0121] 51A ~53A 端面
[0122] 51Ai, 51A2,52Αι, 52A2,53Αι, 53A2 端部
[0123] 61~66,71~79 突起部
[0124] 80通信裝置
[0125] 80R信號接收電路部
[0126] 80T信號發(fā)送電路部
[0127] 81信號接收用放大電路
[0128] 82信號接收電路
[0129] 83信號發(fā)送電路
[0130] 84功率放大電路
[0131] 91，92非可逆電路元件
[0132] ANT 天線
[0133] C連接部分
[0134] N窄幅部分
[0135] P2，P3 銷端子
[0136] R0終端電阻器
[0137] SA圓形面
[0138] SB圓環(huán)面
[0139] W寬幅部分
【主權(quán)項】
1. 一種非可逆電路元件，其特征在于： 具備： 基板，包含具有圓形面的磁性體基板和具有構(gòu)成與所述圓形面相同的平面的圓環(huán)面的 電介質(zhì)環(huán)； 中心導(dǎo)體，被配置于所述基板上；以及 永久磁鐵，將磁場施加于所述中心導(dǎo)體， 所述中心導(dǎo)體包含位于連結(jié)所述圓形面的中心和所述圓環(huán)面的外周的直線上的主導(dǎo) 體部、以及與所述主導(dǎo)體部一體地設(shè)置并且從所述圓形面的所述中心向所述基板的徑向進 行延伸的分支導(dǎo)體部， 所述分支導(dǎo)體部包含被配置于所述圓形面上的寬幅部分、以及以寬度窄于所述寬幅部 分并且橫跨所述圓形面與所述圓環(huán)面的邊界的方式被配置的窄幅部分。2. 如權(quán)利要求1所述的非可逆電路元件，其特征在于： 所述窄幅部分以從所述寬幅部分的徑向上的端面向所述徑向突出的方式被設(shè)置。3. 如權(quán)利要求2所述的非可逆電路元件，其特征在于： 所述分支導(dǎo)體部進一步包含被配置于所述圓環(huán)面上并且被連接于所述窄幅部分的連 接部分。4. 如權(quán)利要求3所述的非可逆電路元件，其特征在于： 所述連接部分的周向上的寬度大于所述寬幅部分的所述周向上的寬度。5. 如權(quán)利要求2所述的非可逆電路元件，其特征在于： 所述寬幅部分的所述端面具有所述基板的周向上的第1以及第2端部， 所述窄幅部分包含以從所述寬幅部分的所述第1以及第2端部分別向所述徑向突出的 方式被設(shè)置的第1以及第2部分。6. 如權(quán)利要求5所述的非可逆電路元件，其特征在于： 所述主導(dǎo)體部由從所述圓形面的中心以相互成120°的角度延伸成放射狀的第1、第2以 及第3主導(dǎo)體部構(gòu)成， 所述寬幅部分由從所述圓形面的中心以相互成120°的角度延伸成放射狀并且與所述 第1、第2或者第3主導(dǎo)體部所成的角度為60°的第1、第2以及第3寬幅部分構(gòu)成， 所述窄幅部分的所述第1以及第2部分以從所述第1、第2以及第3寬幅部分的所述第1以 及第2端部分別向所述徑向突出的方式被設(shè)置。7. -種通信裝置，其特征在于： 具備權(quán)利要求相1~6中的任意一項所述的非可逆電路元件。
【文檔編號】H01P1/36GK105932384SQ201610108582
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年2月26日
【發(fā)明人】佐佐木英行, 酒井稔
【申請人】Tdk株式會社