電介質(zhì)填充表面安裝波導(dǎo)裝置以及耦合微波能量的方法
【專利摘要】電介質(zhì)填充表面安裝的射頻波導(dǎo)、制造射頻波導(dǎo)的方法、射頻裝置、無(wú)線裝置、電路板以及制造電路板的方法。在一些實(shí)施例中，射頻(RF)波導(dǎo)可以包括具有第一邊緣的介電塊，所述第一邊緣連接安裝表面和第一鄰接表面。所述RF波導(dǎo)可以進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上覆蓋所述介電塊的導(dǎo)電涂層。所述導(dǎo)電涂層可以限定環(huán)繞式開(kāi)口，所述環(huán)繞式開(kāi)口暴露沿所述第一邊緣的介電塊。所述環(huán)繞式開(kāi)口可以包括沿所述第一邊緣的所述第一鄰接表面上的帶和沿所述第一邊緣的所述安裝表面上的帶。
【專利說(shuō)明】
電介質(zhì)填充表面安裝波導(dǎo)裝置以及耦合微波能量的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本公開(kāi)涉及波導(dǎo)裝置及微波應(yīng)用的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在一些微波應(yīng)用中，信號(hào)可以在兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間按路徑傳輸(routed)和/或處理。在一些情形中，這樣的按路徑傳輸和/或處理可以通過(guò)射頻波導(dǎo)來(lái)促進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)多個(gè)實(shí)現(xiàn)方式，本公開(kāi)涉及射頻(RF)波導(dǎo)，其包括具有第一邊緣的介電塊，所述第一邊緣連接安裝表面和第一鄰接表面。所述RF波導(dǎo)進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上覆蓋所述介電塊的導(dǎo)電層。所述導(dǎo)電層限定環(huán)繞式開(kāi)口，所述環(huán)繞式開(kāi)口暴露沿所述第一邊緣的介電塊。所述環(huán)繞式開(kāi)口包括沿所述第一邊緣的第一鄰接表面上的帶和沿所述第一邊緣的安裝表面上的帶。
[0004]在一些實(shí)施例中，當(dāng)所述RF波導(dǎo)被定向以進(jìn)行安裝時(shí)，所述安裝表面可以包括底表面。所述介電塊可以具有矩形盒形狀。所述鄰接表面可以包括端壁表面。所述導(dǎo)電涂層可以進(jìn)一步限定沿第二邊緣的第二環(huán)繞式開(kāi)口，所述第二邊緣連接所述底表面和與所述第一端壁表面相對(duì)的第二端壁表面。所述第二環(huán)繞式開(kāi)口可以暴露所述介電塊的相對(duì)應(yīng)的部分。
[0005]在一些實(shí)施例中，所述鄰接表面可以包括側(cè)壁表面。所述環(huán)繞式開(kāi)口可以被實(shí)現(xiàn)為與所述矩形盒形狀的相對(duì)應(yīng)的端部接近。所述導(dǎo)電涂層可以進(jìn)一步限定沿第一邊緣的第二環(huán)繞式開(kāi)口，所述第二環(huán)繞式開(kāi)口與所述矩形盒形狀的另一個(gè)端部接近。所述第二環(huán)繞式開(kāi)口可以暴露所述介電塊的相對(duì)應(yīng)的部分。
[0006]在一些實(shí)施例中，所述環(huán)繞式開(kāi)口可以配置為允許電路板的表面上的信號(hào)跡線在所述環(huán)繞式開(kāi)口下延伸并耦合至所述環(huán)繞式開(kāi)口。環(huán)繞式開(kāi)口可以允許與所述信號(hào)跡線耦合，而不會(huì)與圍繞所述環(huán)繞式開(kāi)口的導(dǎo)電涂層的另一部分短接。所述環(huán)繞式開(kāi)口可以配置為允許一個(gè)或多個(gè)接地連接被制造在所述電路板的表面上。所述環(huán)繞式開(kāi)口的尺寸可以設(shè)定為允許所述接地連接被制造在沿所述第一邊緣的所述底表面上的所述帶的兩個(gè)端部處。
[0007]在一些實(shí)施例中，所述介電塊可以例如包括陶瓷材料。
[0008]在一些教導(dǎo)中，本公開(kāi)涉及制造射頻(RF)波導(dǎo)的方法。所述方法包括形成或提供具有第一邊緣的介電塊，所述第一邊緣連接安裝表面和第一鄰接表面。所述方法進(jìn)一步包括使用導(dǎo)電材料覆蓋所述介電塊以限定環(huán)繞式開(kāi)口，所述環(huán)繞式開(kāi)口暴露沿所述第一表面的所述介電塊。所述環(huán)繞式開(kāi)口包括沿所述第一邊緣的所述第一鄰接表面上的帶和沿所述第一邊緣的所述安裝表面上的帶。
[0009]在一些實(shí)施例中，所述覆蓋包括使用掩模來(lái)掩蔽與所述環(huán)繞式開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的區(qū)域，金屬化所述介電塊，并移除所述掩模以產(chǎn)生所述環(huán)繞式開(kāi)口。在一些實(shí)施例中，所述覆蓋包括金屬化所述介電塊，并移除與所述環(huán)繞式開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的區(qū)域處的金屬化。
[0010]根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式，本公開(kāi)涉及射頻(RF)裝置，其包括基板，配置為容納一個(gè)或多個(gè)組件，以及安裝在所述基板上的RF波導(dǎo)。所述RF波導(dǎo)包括具有第一邊緣的介電塊，所述第一邊緣連接安裝表面和第一鄰接表面，所述RF波導(dǎo)進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上覆蓋所述介電塊的導(dǎo)電涂層，所述導(dǎo)電涂層限定環(huán)繞式開(kāi)口，所述環(huán)繞式開(kāi)口暴露沿所述第一邊緣的所述介電塊。所述環(huán)繞式開(kāi)口包括沿所述第一邊緣的所述第一鄰接表面上的帶和沿所述第一邊緣的所述安裝表面上的帶。
[0011]在一些實(shí)施例中，所述RF裝置可以進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上實(shí)現(xiàn)在所述基板的表面上的信號(hào)跡線。所述信號(hào)跡線可以具有配置為形成與所述RF波導(dǎo)的所述導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近所述RF波導(dǎo)的所述安裝表面上的帶的邊緣。在一些實(shí)施例中，所述RF裝置可以進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上實(shí)現(xiàn)在所述基板的表面上的一個(gè)或多個(gè)接地跡線。每個(gè)接地跡線可以具有配置為形成與所述導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近所述RF波導(dǎo)的所述安裝表面上的帶的端部。
[0012]在一些實(shí)施例中，所述基板可以包括例如電路板。在一些實(shí)施例中，所述RF裝置可以是例如RF濾波器。
[0013]在一些實(shí)現(xiàn)方式中，本公開(kāi)涉及無(wú)線裝置，其包括收發(fā)器，配置為處理射頻(RF)信號(hào)，以及與所述收發(fā)器通信的天線，所述天線配置為促進(jìn)發(fā)射放大RF信號(hào)和/或接收輸入信號(hào)。所述無(wú)線裝置進(jìn)一步包括實(shí)現(xiàn)在所述收發(fā)器和所述天線之間的RF組件。所述RF組件包括基板和安裝在所述基板上的RF波導(dǎo)。所述RF波導(dǎo)包括具有第一邊緣的介電塊，所述第一邊緣連接安裝表面和第一鄰接表面。所述RF波導(dǎo)進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上覆蓋所述介電塊的導(dǎo)電涂層。所述導(dǎo)電涂層限定環(huán)繞式開(kāi)口，所述環(huán)繞式開(kāi)口暴露沿所述第一邊緣的所述介電塊。所述環(huán)繞式開(kāi)口包括沿所述第一邊緣的所述第一鄰接表面上的帶和沿所述第一邊緣的所述安裝表面上的帶。
[0014]根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式，本公開(kāi)涉及電路板，其包括具有表面的基板，所述基板配置為容納射頻(RF)波導(dǎo)。所述電路板進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上實(shí)施在所述表面上的信號(hào)跡線。所述信號(hào)跡線具有配置為形成與所述RF波導(dǎo)的導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近環(huán)繞式開(kāi)口的底邊緣，所述環(huán)繞式開(kāi)口位于所述波導(dǎo)的第一端部的底邊緣處。所述電路板進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上實(shí)現(xiàn)在所述表面上的接地跡線，并具有配置為形成與所述導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近在所述底邊緣處的環(huán)繞式開(kāi)口的相對(duì)的端部。
[0015]在一些實(shí)施例中，所述信號(hào)跡線的尺寸可以設(shè)定為包括沿一方向延伸的部分，所述方向具有與所述波導(dǎo)的縱向軸線平行的分量，以使得所述部分跨越所述環(huán)繞式開(kāi)口的所述底邊緣。所述信號(hào)跡線的所述部分的所述方向可以實(shí)質(zhì)上與所述波導(dǎo)的縱向軸線平行。所述接地跡線中的每一個(gè)的尺寸可以設(shè)定為包括沿一方向延伸的部分，所述方向具有與所述波導(dǎo)的縱向軸線平行的分量。每個(gè)接地跡線的所述部分的所述方向可以實(shí)質(zhì)上與所述波導(dǎo)的縱向軸線平行。
[0016]在一些教導(dǎo)中，本公開(kāi)涉及制造電路板的方法。所述方法包括形成或提供基板，所述基板具有表面并配置為容納射頻(RF)波導(dǎo)。所述方法進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上在所述表面上實(shí)現(xiàn)信號(hào)跡線，所述信號(hào)跡線具有配置為形成與所述RF波導(dǎo)的導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近環(huán)繞式開(kāi)口的底邊緣，所述環(huán)繞式開(kāi)口位于所述波導(dǎo)的第一端部的底邊緣處。所述方法進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上在所述表面上布置接地跡線，所述接地跡線具有配置為形成與所述導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近在所述底邊緣處的環(huán)繞式開(kāi)口的相對(duì)的端部。
[0017]為了概括本公開(kāi)的目的，本發(fā)明的某些方面、優(yōu)點(diǎn)和新穎性特征已經(jīng)在這里描述。可以理解的是，根據(jù)本發(fā)明的任何特定實(shí)施例不必要獲得所有的這種優(yōu)點(diǎn)。因此，本發(fā)明可以以獲得或優(yōu)化如這里教導(dǎo)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或一組優(yōu)點(diǎn)而不必要獲得這里教導(dǎo)或建議的其他優(yōu)點(diǎn)的方式實(shí)施或完成。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1示出了具有塊形狀介電材料和導(dǎo)電涂層的波導(dǎo)裝置。
[0019]圖2示出了示例電場(chǎng)圖案，其可以在射頻(RF)電流通過(guò)在導(dǎo)電涂層上實(shí)現(xiàn)的槽被分流(diverted)時(shí)來(lái)形成。
[0020]圖3示出了安裝在基板上的圖1的波導(dǎo)裝置。
[0021]圖4示出了具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置可以配置為安裝至安裝基板的表面。
[0022]圖5A示出了具有表面安裝能力的波導(dǎo)裝置的示例配置。
[0023]圖5B示出了圖5A的波導(dǎo)裝置的一個(gè)端部的更詳細(xì)的立體圖。
[0024]圖5C示出了圖5A的波導(dǎo)裝置的端視圖。
[0025]圖f5D示出了圖5A的波導(dǎo)裝置的相同端部的仰視圖。
[0026]圖5E示出了圖5A的波導(dǎo)裝置的剖視圖。
[0027]圖6示出了具有導(dǎo)電跡線及其相應(yīng)的接觸墊的電路板的平面視圖。
[0028]圖7示出了具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置的立體圖，其設(shè)置在圖6的電路板上。
[0029]圖8示出了可以被實(shí)現(xiàn)以制造具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置的工
-H-
O
[0030]圖9示出了與圖8的工藝相對(duì)應(yīng)的多個(gè)階段的示例。
[0031]圖10示出了可以被實(shí)現(xiàn)以制造具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置的另一個(gè)工藝。
[0032]圖11示出了與圖10的工藝相對(duì)應(yīng)的多個(gè)階段的示例。
[0033]圖12示出了可以被實(shí)現(xiàn)以制造或配置用于容納具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置的電路板的工藝。
[0034]圖13示出了與圖12的工藝相對(duì)應(yīng)的多個(gè)階段的示例。
[0035]圖14示出了可以被實(shí)現(xiàn)以安裝具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置的工藝。
[0036]圖15示出了與圖14的工藝相對(duì)應(yīng)的多個(gè)階段的示例。
[0037]圖16示出了在一些實(shí)施例中，波導(dǎo)裝置可以包括沿邊緣的一個(gè)或多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口，該邊緣連接側(cè)壁表面和底表面。
[0038]圖17示出了在一些實(shí)施例中，波導(dǎo)裝置可以包括多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口，該多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口實(shí)現(xiàn)在沿與波導(dǎo)裝置的底表面相關(guān)聯(lián)的四個(gè)邊緣的任意位置。
[0039]圖18示出了在一些實(shí)施例中，本公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)特征可以實(shí)現(xiàn)在射頻(RF)組件中。
[0040]圖19示出了在一些實(shí)施例中，封裝裝置可以包括具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的RF組件。
[0041 ]圖20示出了在一些實(shí)施例中，具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的RF組件可以實(shí)現(xiàn)在無(wú)線裝置中。
[0042]圖21示出了在一些實(shí)施例中，具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的RF組件可以實(shí)現(xiàn)在RF裝置中。
【具體實(shí)施方式】
[0043]這里提供的標(biāo)題，如果有的話，僅用于方便起見(jiàn)，并不一定影響所要求保護(hù)的發(fā)明的范圍或含義。
[0044]電介質(zhì)填充(例如陶瓷)的波導(dǎo)裝置(例如濾波器)典型地設(shè)計(jì)為具有連接器，連接器具有穿透陶瓷體積的中心導(dǎo)體針。這樣的配置典型地?zé)o法在沒(méi)有來(lái)自連接器的線纜的情況下進(jìn)行表面安裝。
[0045]在一些實(shí)現(xiàn)方式中，本公開(kāi)涉及可以排除或減少用于電介質(zhì)波導(dǎo)的連接器的需求的裝置和方法，從而提供安裝在例如印刷電路板上的真正的表面安裝裝置。一個(gè)或多個(gè)這樣的表面安裝電介質(zhì)波導(dǎo)裝置可以作為，例如射頻(RF)濾波器、波導(dǎo)組件、電介質(zhì)填充空腔諧振器等。
[0046]圖1示出了波導(dǎo)裝置10，其具有塊形狀介電材料12和導(dǎo)電涂層14。槽16被示出為形成在每個(gè)端部18的大約中心處以暴露介電材料12。相應(yīng)的，波導(dǎo)裝置10可以在兩個(gè)端部槽16之間提供射頻(RF)波導(dǎo)功能。
[0047 ]圖2示出了示例電場(chǎng)圖案20，其可以在RF電流通過(guò)圖1的波導(dǎo)裝置1的槽16被分流(diverted)時(shí)來(lái)形成。基于這樣的電場(chǎng)，電壓可以產(chǎn)生為如圖所示的跨越槽16。反之，如果RF電壓被外加(impressed)跨越槽16，則RF電流可以產(chǎn)生在波導(dǎo)中。
[0048]圖3示出了安裝在基板22上的圖1和圖2的波導(dǎo)裝置10。波導(dǎo)裝置10的每個(gè)端部的底部被示出為通過(guò)接地墊32耦合至接地跡線30。為了在槽16處產(chǎn)生前述的RF激勵(lì)，導(dǎo)體28(其電連接至信號(hào)跡線26)典型地需要與槽16上的導(dǎo)電涂層14接觸。在圖3的示例中，導(dǎo)體28和信號(hào)跡線26的這樣的升高的高度可以通過(guò)介電層24來(lái)促進(jìn)。
[0049]在圖3的示例中，可以看到波導(dǎo)裝置10典型地需要高于安裝表面的連接特征。相應(yīng)的，示例波導(dǎo)裝置10不是純正的表面安裝裝置，在純正的表面安裝裝置中，波導(dǎo)裝置和安裝基板之間的耦合可以通過(guò)通常在安裝基板的表面上或之下的連接特征來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0050]圖4示出了具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置100可以配置為安裝至安裝基板102(例如是封裝基板、印刷電路板等)的表面104。如本文所述，這樣的波導(dǎo)(100)可以被配置，以通過(guò)通常在表面104上或之下的連接特征耦合至安裝基板102。
[0051 ]圖5A示出了具有前述表面安裝能力的波導(dǎo)裝置100的示例配置。圖5B-5E示出了波導(dǎo)裝置100的一個(gè)端部的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。更具體的，圖5B示出了一個(gè)端部的更詳細(xì)的立體圖，圖5C示出了相同端部的端視圖，圖5D示出了相同端部的仰視圖，圖5E示出了圖5A中所表示的剖視圖。雖然波導(dǎo)裝置100在上下文中被描述為塊形狀，但應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)特征也可以實(shí)現(xiàn)在其它形狀的波導(dǎo)裝置中。
[0052]參考圖5A-圖5E，波導(dǎo)裝置100被示出為包括介電塊122，介電塊122幾乎全部由導(dǎo)電層118覆蓋，以限定上表面110a、下表面110b、側(cè)壁表面112a、112b、以及端壁表面114a、114b。導(dǎo)電層118中的開(kāi)口 120被示出為包括沿端壁114a的底邊緣的帶126和沿下表面11Ob的端邊緣的類似的帶124。在一些實(shí)施例中，這樣的帶(126、124)通?？梢詾橄噙B的，以使得開(kāi)口 120是單一開(kāi)口。相應(yīng)的，如圖5E的剖視圖所示，開(kāi)口 120被示出為以環(huán)繞式方式暴露沿下端部邊緣的介電塊122。類似的開(kāi)口被示出為沿另一端部的下邊緣來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0053]在圖5A-5E中示出的示例中，開(kāi)口120的帶126、124被描述為通常具有相同的長(zhǎng)度。應(yīng)當(dāng)理解的是這樣的帶可以具有或可以不具有相同的長(zhǎng)度。還應(yīng)當(dāng)理解的是這樣的帶的寬度可以相同或可以不相同。還應(yīng)當(dāng)理解的是實(shí)現(xiàn)在波導(dǎo)裝置100的兩個(gè)端部處的開(kāi)口 120的尺寸可以相同或可以不相同。
[0054]在一些實(shí)施例中，圖5A-5E的環(huán)繞式開(kāi)口 120可以耦合至如圖6和圖7的示例中所示的RF線(line)。圖6示出了具有導(dǎo)電跡線154、160及其相應(yīng)的接觸墊156、162的電路板102的平面視圖。波導(dǎo)裝置的輪廓150和環(huán)繞式槽(圖7中的120)的輪廓152被示出以表示可以如何相對(duì)于接觸墊156、162設(shè)置環(huán)繞式槽120。圖7示出了以前述方式設(shè)置在電路板102上的波導(dǎo)裝置100的立體圖。
[0055]如圖6和圖7所示，跡線154可以是單一跡線。這樣的跡線可以在環(huán)繞式開(kāi)口 120的底壁部分(例如圖5A-5E的帶124)下延伸，以允許接觸墊156形成與底壁IlOb的導(dǎo)電層118的電接觸。由于環(huán)繞式開(kāi)口 120沒(méi)有由導(dǎo)電層118覆蓋，通過(guò)信號(hào)跡線154的這樣的連接可以在沒(méi)有短路問(wèn)題的情況下實(shí)現(xiàn)。
[0056]在圖6和圖7的示例中，在信號(hào)跡線154的兩側(cè)的跡線160可以是接地跡線。接地跡線160中的每一個(gè)可以通過(guò)相應(yīng)的接觸墊162耦合至位于或接近環(huán)繞式開(kāi)口 120的端部處的底壁IlOb的導(dǎo)電層118。
[0057]在一些實(shí)施例中，可以實(shí)現(xiàn)接地特征以形成與位于或接近環(huán)繞式開(kāi)口120的端部處的端壁(例如圖5B和圖5C中的114a)的導(dǎo)電層118的電接觸。雖然這樣的接地特征可以高于電路板102的表面，但這樣的高度可以保持為最小或減小的值，這是由于環(huán)繞式開(kāi)口 120是沿端壁的下邊緣。
[0058]相應(yīng)的，信號(hào)156)和接地162的前述接觸墊可以在如圖5D中的140和142通常所表示的位置處提供與波導(dǎo)裝置100的底側(cè)的耦合。因此，可見(jiàn)波導(dǎo)裝置100可以以真正的表面安裝的方式被功能的安裝在例如電路板的基板上，而無(wú)需依賴升高的特征。
[0059]在一些實(shí)施例中，環(huán)繞式槽的尺寸可以選擇為，例如確定至和/或從波導(dǎo)裝置100的耦合程度。
[0060]在一些實(shí)施例中，具有參考圖4-7的如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置100可以排除或顯著的減少與連接器和/或連接特征相關(guān)聯(lián)的成本。進(jìn)一步的，使用這樣的波導(dǎo)裝置可以排除或顯著的減少穿透電介質(zhì)以及將連接器附接至波導(dǎo)的難題。
[0061]在本文所述的多個(gè)示例中，介電塊或相對(duì)應(yīng)的波導(dǎo)裝置自身有時(shí)用下或底側(cè)、表面、邊緣等名詞來(lái)描述。應(yīng)當(dāng)理解的是這樣的用法假設(shè)了波導(dǎo)裝置是在其相對(duì)于面朝上的基板的安裝或被安裝方向上。相應(yīng)的，應(yīng)當(dāng)理解的是這些名詞可以包括波導(dǎo)裝置與相對(duì)應(yīng)的基板的相對(duì)方向。例如，如果波導(dǎo)裝置被安裝在面朝下的基板上，本文所使用的名詞“下”或“底”可以被理解為包括以這種方式定向的波導(dǎo)裝置的上部或頂部。
[0062]如本文所述的，有時(shí)會(huì)使用名詞“鄰接表面”。應(yīng)當(dāng)理解的是，這樣的鄰接表面可以包括通過(guò)邊緣與另一表面連接的表面。例如，在矩形塊形狀的情況下，四個(gè)側(cè)壁中的每一個(gè)(兩個(gè)沿著塊的長(zhǎng)度，以及兩個(gè)端部)可以限定相對(duì)于底表面的鄰接表面。如果底表面是安裝表面，那么四個(gè)側(cè)壁表面中的每一個(gè)可以是相對(duì)于安裝表面的鄰接表面。
[0063]圖8示出了可以被實(shí)現(xiàn)以制造具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置的工藝200。圖9示出了與圖8的工藝200相對(duì)應(yīng)的多個(gè)階段的示例。
[0064]在框202中，可以提供或形成介電塊。在圖9中，這樣的介電塊表示為122。在框204中，掩?？梢孕纬稍诎ㄔ谶吘壍膬蓚?cè)上的帶的區(qū)域處，該邊緣在側(cè)表面和底表面之間。在圖9中，這樣的掩模表示為210。在框206中，介電塊可以被金屬化。在圖9中，這樣的金屬化表示為118。在框208中，掩?？梢员灰瞥员┞侗谎诒螀^(qū)域處的介電塊。在圖9中，介電塊的這樣的暴露的區(qū)域表示為開(kāi)口 120。雖然未在圖9中示出，但應(yīng)當(dāng)理解的是類似的開(kāi)口可以形成在波導(dǎo)裝置的另一端部處。
[0065]圖10示出了示出了可以被實(shí)現(xiàn)以制造具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置的另一個(gè)工藝220。圖11示出了與圖10的工藝220相對(duì)應(yīng)的多個(gè)階段的示例。
[0066]在框222中，可以提供或形成介電塊。在圖11中，這樣的介電塊表示為122。在框224中，介電塊可以實(shí)質(zhì)上完全被金屬化。在圖11中，這樣的金屬化表示為118。在框226中，金屬化可以被移除以暴露在包括在邊緣的兩側(cè)上的帶的區(qū)域處的介電塊，該邊緣在側(cè)表面(例如端表面)和底表面之間。在圖11中，介電塊的這樣的暴露的區(qū)域表不為開(kāi)口 120。雖然未在圖11中示出，但應(yīng)當(dāng)理解的是類似的開(kāi)口可以形成在波導(dǎo)裝置的另一端部處。
[0067]圖12示出了可以被實(shí)現(xiàn)以制造或配置用于容納具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置的電路板的工藝230。圖13示出了與圖12的工藝230相對(duì)應(yīng)的多個(gè)階段的示例。
[0068]在框232中，可以提供或形成具有用于容納波導(dǎo)的區(qū)域的電路板。在圖13中，電路板102上的這樣的容納區(qū)域表示為150。在框234中，信號(hào)跡線可以形成在電路板的表面上。在圖13中，這樣的信號(hào)跡線表示為154。在框236中，一個(gè)或多個(gè)接地跡線可以形成在電路板的表面上。在圖13中，這樣的接地跡線表示為160。雖然未在圖13中示出，但應(yīng)當(dāng)理解的是類似的信號(hào)跡線和接地跡線可以形成在容納區(qū)域的另一端部處。
[0069]圖14示出了可以被實(shí)現(xiàn)以將具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置安裝在例如圖12和圖13的示例的電路板上的工藝240。圖15示出了與圖14的工藝240相對(duì)應(yīng)的多個(gè)階段的示例。
[0070]在框242中，可以形成或提供配置為用于波導(dǎo)的表面安裝的電路板。在圖15中，這樣的電路板表示為1 2。如本文所述的，這樣的電路板可以包括用于波導(dǎo)的安裝的容納區(qū)域150，以及信號(hào)跡線154和接地跡線160。在框244中，波導(dǎo)可以被表面安裝在電路板上。在圖15中，這樣的波導(dǎo)表不為100。
[0071]在與圖5至圖15相關(guān)聯(lián)的多個(gè)示例中，假設(shè)波導(dǎo)裝置100具有位于波導(dǎo)裝置100的任一端部或兩個(gè)端部處的環(huán)繞式開(kāi)口 120。應(yīng)當(dāng)理解的是，具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的波導(dǎo)裝置可以包括以不同配置實(shí)現(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口。
[0072]例如，圖16示出了在一些實(shí)施例中，波導(dǎo)裝置100可以包括沿邊緣的一個(gè)或多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口 120，該邊緣連接側(cè)壁表面(例如112a)和下表面110b。這樣的環(huán)繞式開(kāi)口 120可以允許波導(dǎo)裝置100配置為被表面安裝至如本文所述的安裝基板(例如電路板)。例如，兩個(gè)示例開(kāi)口 120中的每一個(gè)可以與參考圖6和圖7的如本文所述的導(dǎo)體跡線和接觸特征耦合，除外的是這樣的導(dǎo)體跡線和接觸特征可以配置為適應(yīng)(accommodate)面朝側(cè)面的開(kāi)口 120。
[0073]在圖16的示例中，環(huán)繞式開(kāi)口120可以實(shí)現(xiàn)為以使得每個(gè)開(kāi)口形成為接近波導(dǎo)裝置100的相對(duì)應(yīng)的端部(例如114a或114b)。這樣的環(huán)繞式開(kāi)口的間隔距離可以被選擇以產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)期望的波導(dǎo)性能。
[0074]在圖5-15和圖16的示例中，具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口被描述為相對(duì)于一個(gè)或多個(gè)端部來(lái)實(shí)現(xiàn)，或相對(duì)于相對(duì)應(yīng)的波導(dǎo)裝置的一個(gè)或多個(gè)側(cè)面來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0075]圖17示出了在一些實(shí)施例中，波導(dǎo)裝置100可以包括多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口，該多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口實(shí)現(xiàn)在沿與波導(dǎo)裝置100的下表面IlOb相關(guān)聯(lián)的四個(gè)邊緣的任意位置。在圖17的示例中，一個(gè)或多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口 120被示出為實(shí)現(xiàn)在這樣的四個(gè)下表面邊緣中的每一個(gè)上。
[0076]例如，如參考圖5-15所述的，環(huán)繞式開(kāi)口 120可以實(shí)現(xiàn)在與下表面IlOb相關(guān)聯(lián)的兩個(gè)端部邊緣中的每一個(gè)上。
[0077]在另一個(gè)示例中，并參考圖16所示，環(huán)繞式開(kāi)口120可以實(shí)現(xiàn)為接近沿與下表面I 1b相關(guān)聯(lián)的側(cè)邊緣的每個(gè)端部。
[0078]在又一個(gè)示例中，一個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口 120可以實(shí)現(xiàn)在下表面IlOb的端部邊緣上，且另一個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口 120可以實(shí)現(xiàn)為接近下表面IlOb的側(cè)邊緣的相對(duì)端部。
[0079]在又一個(gè)示例中，一個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口 120可以實(shí)現(xiàn)為接近下表面I1b的一個(gè)側(cè)邊緣的端部，且另一個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口 120可以實(shí)現(xiàn)為接近下表面IlOb的另一側(cè)邊緣的相對(duì)端部。
[0080]應(yīng)當(dāng)理解的是，涉及一個(gè)或多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口120的其它配置也可以被實(shí)現(xiàn)。還應(yīng)當(dāng)理解的是，本文雖然是在具有矩形塊形狀的波導(dǎo)100的情況下描述多個(gè)示例，但本公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)特征也可以實(shí)現(xiàn)在具有其它形狀(具有可以表面安裝的下表面和側(cè)壁)的波導(dǎo)中。例如，具有適應(yīng)一個(gè)或多個(gè)環(huán)繞式開(kāi)口的特征的L形狀波導(dǎo)或曲線波導(dǎo)可以得益于本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征。
[0081]圖18示出了在一些實(shí)施例中，本公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)特征可以實(shí)現(xiàn)在射頻(RF)組件300中。這樣的組件可以包括，例如RF濾波器、RF波導(dǎo)、RF諧振器等。這樣的組件可以實(shí)現(xiàn)在多種產(chǎn)品、裝置和/或系統(tǒng)中。
[0082]例如，圖19示出了在一些實(shí)施例中，封裝裝置可以包括RF組件300，其配置為耦合至輸入連接312和輸出連接314以促進(jìn)如本文所述的表面安裝特征。這樣封裝裝置可以配置為提供與圖18的RF組件300相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)前述功能。
[0083]圖20示出了在一些實(shí)施例中，具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的RF組件組件300可以實(shí)現(xiàn)在無(wú)線裝置320中。這樣的無(wú)線裝置320可以包括與RF組件300通信(線326)的天線328。無(wú)線裝置320可以進(jìn)一步包括電路322，其配置為提供發(fā)射(Tx)和/或接收(Rx)功能。Tx/Rx電路322被示出為與RF組件300通信(線324)。
[0084]圖21示出了在一些實(shí)施例中，具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)特征的RF組件300可以實(shí)現(xiàn)在RF裝置330中。這樣的裝置可以包括提供輸入RF信號(hào)至RF組件300(線334)的輸入組件322，以及從RF組件300接收(線336)處理的RF信號(hào)(例如濾波的RF信號(hào))的輸出組件338 AF裝置330可以是例如圖20的示例的無(wú)線裝置、有線裝置、或它們的任意組合。
[0085]在一些實(shí)現(xiàn)方式中，具有如本文所述的一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)裝置的RF組件可以用于涉及系統(tǒng)和裝置的多種應(yīng)用中。這些應(yīng)用可以包括但不限于有線電視(CATV);無(wú)線控制系統(tǒng)(WCS);微波分配系統(tǒng)(MDS);工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM);蜂窩系統(tǒng)，例如PCS(個(gè)人通訊服務(wù))、數(shù)字蜂窩系統(tǒng)(DCS)和通用移動(dòng)通信系統(tǒng)(UMTS);以及全球定位系統(tǒng)(GPS)。也可能是其它的應(yīng)用。
[0086]在本文所述的多個(gè)示例中，名詞“微波”和“射頻(RF)”有時(shí)可互通的使用。應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)特征可以通過(guò)涉及電磁波譜的這些名詞中的任一個(gè)或兩個(gè)相關(guān)聯(lián)的最寬泛的理解來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0087]除非上下文清楚地要求，否則貫穿本說(shuō)明書及權(quán)利要求書中的詞語(yǔ)“包括”及其類似詞語(yǔ)被解釋為具有包容性的含義，而不是排他或者窮舉的含義;也就是說(shuō)，是“包括，但不限于”的含義。詞語(yǔ)“耦合”，如通常這里所使用的，指代兩個(gè)或多個(gè)元件可以是直接連接，或者通過(guò)一個(gè)或多個(gè)中間元件連接。另外，詞語(yǔ)“這里”、“上述”、“下文”以及類似意思的詞，當(dāng)用在本申請(qǐng)中時(shí)，應(yīng)指本申請(qǐng)的整體并且并非指本申請(qǐng)的任何特定部分。只要上下文允許，上述【具體實(shí)施方式】中使用的單數(shù)或復(fù)數(shù)的詞語(yǔ)也可以分別包括復(fù)數(shù)或者單數(shù)。詞語(yǔ)“或者(或)”參考兩個(gè)或多個(gè)項(xiàng)目的列表，這個(gè)詞語(yǔ)涵蓋了詞語(yǔ)的所有下列解釋:列表中的任何項(xiàng)目、列表中的所有項(xiàng)目、以及列表中的項(xiàng)目的任意組合。
[0088]本發(fā)明實(shí)施例的上述詳細(xì)描述不旨在窮舉或限制本發(fā)明為上述公開(kāi)的精確形式。同時(shí)本發(fā)明的具體實(shí)施例或者用于本發(fā)明的示例用于說(shuō)明的目的在上面描述，在本發(fā)明的范圍內(nèi)的各種等效修改方式是可能的，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到這些。例如，盡管工藝或者塊以給定的順序呈現(xiàn)，但是可選擇的實(shí)施例可以以不同的順序執(zhí)行具有步驟的程序、或使用具有塊的系統(tǒng)，并且一些工藝或塊可以刪除、移動(dòng)、增加、細(xì)分、組合、和/或修改。這些工藝或者塊中的每一個(gè)可以以各種不同的方式執(zhí)行。同樣，盡管工藝或者塊在時(shí)間上示出為連續(xù)執(zhí)行，但是這些工藝或者塊可以替代為并列執(zhí)行，或者在不同時(shí)間執(zhí)行。
[0089]這里提供的本發(fā)明的教導(dǎo)可以應(yīng)用到其他系統(tǒng)、而不必須是上述的系統(tǒng)。上述的各個(gè)實(shí)施例的元件和動(dòng)作可以組合以提供更進(jìn)一步的實(shí)施例。
[0090]雖然本發(fā)明的一些實(shí)施例已被描述，這些實(shí)施例已經(jīng)僅以示例提出，并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。的確，本文所述的新方法和系統(tǒng)可能以各種其他形式體現(xiàn);此外，可以進(jìn)行各種省略、替代和改變這里所述的方法和系統(tǒng)的形式，而不脫離本發(fā)明的精神。所附權(quán)利要求及其等同旨在覆蓋這些形式或變型以落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)。
[0091]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0092]本申請(qǐng)要求于2015年3月4日遞交的題為DEVICES AND METHODS FOR⑶UPLINGMICROWAVE ENERGY WITH A DIELECTRIC-FILLED SURFACE-MOUNTED WAVEGUIDE的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)N0.62/127，955的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)在此通過(guò)引用將其全部明確地并入本文。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種射頻(RF)波導(dǎo)，包括: 介電塊，具有第一邊緣，所述第一邊緣連接安裝表面和第一鄰接表面；以及 導(dǎo)電涂層，實(shí)質(zhì)上覆蓋所述介電塊，所述導(dǎo)電涂層限定環(huán)繞式開(kāi)口，所述環(huán)繞式開(kāi)口暴露沿所述第一邊緣的所述介電塊，所述環(huán)繞式開(kāi)口包括沿所述第一邊緣的所述第一鄰接表面上的帶和沿所述第一邊緣的所述安裝表面上的帶。2.如權(quán)利要求1所述的射頻波導(dǎo)，其中，當(dāng)所述射頻波導(dǎo)被定向以進(jìn)行安裝時(shí)，所述安裝表面包括底表面。3.如權(quán)利要求2所述的射頻波導(dǎo)，其中所述介電塊具有矩形盒形狀。4.如權(quán)利要求3所述的射頻波導(dǎo)，其中所述鄰接表面包括端壁表面。5.如權(quán)利要求4所述的射頻波導(dǎo)，其中所述導(dǎo)電涂層進(jìn)一步限定沿第二邊緣的第二環(huán)繞式開(kāi)口，所述第二邊緣連接所述底表面和與所述第一端壁表面相對(duì)的第二端壁表面，所述第二環(huán)繞式開(kāi)口暴露所述介電塊的相對(duì)應(yīng)的部分。6.如權(quán)利要求3所述的射頻波導(dǎo)，其中所述鄰接表面包括側(cè)壁表面。7.如權(quán)利要求6所述的射頻波導(dǎo)，其中所述環(huán)繞式開(kāi)口被實(shí)現(xiàn)為與所述矩形盒形狀的相對(duì)應(yīng)的端部接近。8.如權(quán)利要求7所述的射頻波導(dǎo)，其中所述導(dǎo)電涂層進(jìn)一步限定沿第一邊緣的第二環(huán)繞式開(kāi)口，所述第二環(huán)繞式開(kāi)口與所述矩形盒形狀的另一個(gè)端部接近，所述第二環(huán)繞式開(kāi)口暴露所述介電塊的相對(duì)應(yīng)的部分。9.如權(quán)利要求2所述的射頻波導(dǎo)，其中所述環(huán)繞式開(kāi)口配置為允許電路板的表面上的信號(hào)跡線在所述環(huán)繞式開(kāi)口下延伸并耦合至所述環(huán)繞式開(kāi)口。10.如權(quán)利要求9所述的射頻波導(dǎo)，其中所述環(huán)繞式開(kāi)口允許與所述信號(hào)跡線耦合，而不會(huì)與圍繞所述環(huán)繞式開(kāi)口的導(dǎo)電涂層的另一部分短接。11.如權(quán)利要求10所述的射頻波導(dǎo)，其中所述環(huán)繞式開(kāi)口配置為允許一個(gè)或多個(gè)接地連接被制造在所述電路板的表面上。12.權(quán)利要求11所述的射頻波導(dǎo)，其中所述環(huán)繞式開(kāi)口的尺寸設(shè)定為允許所述接地連接被制造在沿所述第一邊緣的所述底表面上的所述帶的兩個(gè)端部處。13.如權(quán)利要求2所述的射頻波導(dǎo)，其中所述介電塊包括陶瓷材料。14.一種制造射頻(RF)波導(dǎo)的方法，所述方法包括: 形成或提供具有第一邊緣的介電塊，所述第一邊緣連接安裝表面和第一鄰接表面；以及 使用導(dǎo)電材料覆蓋所述介電塊以限定環(huán)繞式開(kāi)口，所述環(huán)繞式開(kāi)口暴露沿所述第一表面的所述介電塊，所述環(huán)繞式開(kāi)口包括沿所述第一邊緣的所述第一鄰接表面上的帶和沿所述第一邊緣的所述安裝表面上的帶。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述覆蓋包括使用掩模來(lái)掩蔽與所述環(huán)繞式開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的區(qū)域，金屬化所述介電塊，并移除所述掩模以產(chǎn)生所述環(huán)繞式開(kāi)口。16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述覆蓋包括金屬化所述介電塊，并移除與所述環(huán)繞式開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的區(qū)域處的金屬化。17.—種射頻(RF)裝置，包括: 基板，配置為容納一個(gè)或多個(gè)組件；以及 安裝在所述基板上的射頻波導(dǎo)，所述射頻波導(dǎo)包括具有第一邊緣的介電塊，所述第一邊緣連接安裝表面和第一鄰接表面，所述射頻波導(dǎo)進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上覆蓋所述介電塊的導(dǎo)電涂層，所述導(dǎo)電涂層限定環(huán)繞式開(kāi)口，所述環(huán)繞式開(kāi)口暴露沿所述第一邊緣的所述介電塊，所述環(huán)繞式開(kāi)口包括沿所述第一邊緣的所述第一鄰接表面上的帶和沿所述第一邊緣的所述安裝表面上的帶。18.如權(quán)利要求17所述的射頻裝置，進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上實(shí)現(xiàn)在所述基板的表面上的信號(hào)跡線，所述信號(hào)跡線具有配置為形成與所述射頻波導(dǎo)的所述導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近所述射頻波導(dǎo)的所述安裝表面上的帶的邊緣。19.如權(quán)利要求18所述的射頻裝置，進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上實(shí)現(xiàn)在所述基板的表面上的一個(gè)或多個(gè)接地跡線，每個(gè)接地跡線具有配置為形成與所述導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近所述射頻波導(dǎo)的所述安裝表面上的帶的端部。20.如權(quán)利要求17所述的射頻裝置，其中所述基板包括電路板。21.如權(quán)利要求20所述的射頻裝置，其中所述射頻裝置是射頻濾波器。22.—種無(wú)線裝置，包括: 收發(fā)器，配置為處理射頻(RF)信號(hào)； 與所述收發(fā)器通信的天線，所述天線配置為促進(jìn)發(fā)射放大射頻信號(hào)和/或接收輸入信號(hào)；以及 實(shí)現(xiàn)在所述收發(fā)器和所述天線之間的射頻組件，所述射頻組件包括基板和安裝在所述基板上的射頻波導(dǎo)，所述射頻波導(dǎo)包括具有第一邊緣的介電塊，所述第一邊緣連接安裝表面和第一鄰接表面，所述射頻波導(dǎo)進(jìn)一步包括實(shí)質(zhì)上覆蓋所述介電塊的導(dǎo)電涂層，所述導(dǎo)電涂層限定環(huán)繞式開(kāi)口，所述環(huán)繞式開(kāi)口暴露沿所述第一邊緣的所述介電塊，所述環(huán)繞式開(kāi)口包括沿所述第一邊緣的所述第一鄰接表面上的帶和沿所述第一邊緣的所述安裝表面上的帶。23.—種電路板，包括: 具有表面的基板，所述基板配置為容納射頻(RF)波導(dǎo)； 實(shí)質(zhì)上實(shí)現(xiàn)在所述表面上的信號(hào)跡線，所述信號(hào)跡線具有配置為形成與所述射頻波導(dǎo)的導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近環(huán)繞式開(kāi)口的底邊緣，所述環(huán)繞式開(kāi)口位于所述波導(dǎo)的第一端部的底邊緣處；以及 實(shí)質(zhì)上實(shí)現(xiàn)在所述表面上的接地跡線，所述接地跡線具有配置為形成與所述導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近在所述底邊緣處的環(huán)繞式開(kāi)口的相對(duì)的端部。24.如權(quán)利要求23所述的電路板，其中所述信號(hào)跡線的尺寸設(shè)定為包括沿一方向延伸的部分，所述方向具有與所述波導(dǎo)的縱向軸線平行的分量，以使得所述部分跨越所述環(huán)繞式開(kāi)口的所述底邊緣。25.如權(quán)利要求24所述的電路板，其中所述信號(hào)跡線的所述部分的所述方向?qū)嵸|(zhì)上與所述波導(dǎo)的縱向軸線平行。26.如權(quán)利要求24所述的電路板，其中所述接地跡線中的每一個(gè)的尺寸設(shè)定為包括沿一方向延伸的部分，所述方向具有與所述波導(dǎo)的縱向軸線平行的分量。27.如權(quán)利要求24所述的電路板，其中每個(gè)接地跡線的所述部分的所述方向?qū)嵸|(zhì)上與所述波導(dǎo)的縱向軸線平行。28.一種制造電路板的方法，所述方法包括: 形成或提供基板，所述基板具有表面并配置為容納射頻(RF)波導(dǎo)； 實(shí)現(xiàn)實(shí)質(zhì)上在所述表面上的信號(hào)跡線，所述信號(hào)跡線具有配置為形成與所述射頻波導(dǎo)的導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近環(huán)繞式開(kāi)口的底邊緣，所述環(huán)繞式開(kāi)口位于所述波導(dǎo)的第一端部的底邊緣處；以及 布置實(shí)質(zhì)上在所述表面上的接地跡線，所述接地跡線具有配置為形成與所述導(dǎo)電涂層直接電接觸的端部，所述直接電接觸位于或接近在所述底邊緣處的環(huán)繞式開(kāi)口的相對(duì)的端部。
【文檔編號(hào)】H01P3/00GK105938929SQ201610124277
【公開(kāi)日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年3月4日
【發(fā)明人】J.C.德里索
【申請(qǐng)人】天工方案公司