用于減少掉落顆粒缺陷的底部泵送與凈化以及底部臭氧清潔硬件的制作方法
【專利摘要】本文所述的實施例總體上涉及防止半導(dǎo)體處理腔室內(nèi)的污染物沉積以及從半導(dǎo)體處理腔室移除污染物。底部凈化與泵送分別防止基座加熱器下方的污染物沉積或從基座下方排出污染物。底部凈化防止污染物沉積在基座下方，并且提供從定位成與被處理的基板基本上共面的處理腔室排氣。底部泵送從處理腔室移除存在于基座下方的污染物。具體地，本文所述的實施例涉及經(jīng)由基座波紋管和/或均衡端口的凈化與泵送。
【專利說明】用于減少掉落顆粒缺陷的底部累送與凈化從及底部臭氧清潔 硬件
[0001] 背景
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本文所述的實施例總體上設(shè)及防止半導(dǎo)體處理腔室內(nèi)的污染物沉積W及從半導(dǎo) 體處理腔室移除污染物。更具體地，本文所述的實施例設(shè)及用于減少掉落顆粒缺陷的底部 累送與凈化W及底部臭氧清潔硬件。
【背景技術(shù)】
[0003] 紫外線(UV)半導(dǎo)體處理腔室和工藝可用于在半導(dǎo)體基板上形成含娃膜。運些膜包 括低k和超低k電介質(zhì)，分別具有小于大約4.0和2.5的k值?？赏ㄟ^將空隙并入低k電介質(zhì)基 質(zhì)內(nèi)W形成多孔的電介質(zhì)材料來制造超低k電介質(zhì)材料。制造多孔的電介質(zhì)的方法通常設(shè) 及形成含有兩種成分的前體膜:致孔劑(通常為有機材料，例如碳氨化合物）與結(jié)構(gòu)化或電 介質(zhì)材料(例如，含娃材料）。一旦前體膜形成在基板上，就可移除致孔劑成分，從而留下結(jié) 構(gòu)完整的多孔電介質(zhì)基質(zhì)或氧化物網(wǎng)狀物。
[0004] 用于形成低k與超低k電介質(zhì)的UV處理腔室在移除致孔劑的UV固化工藝期間，可能 具有通過腔室的不均勻的氣體流動。因此，UV處理腔室會變成涂覆有致孔劑材料，包括對允 許UV光到達基板的窗的涂覆，W及對經(jīng)歷不均勻的氣體流動的UV處理腔室的其他區(qū)域的涂 覆。例如，加熱器(例如，基座）下方的UV處理腔室的區(qū)域往往變成受到致孔劑殘余物的污 染。
[0005] UV腔室部件上積聚的或致孔劑殘余物(通常為有機污染物)會導(dǎo)致跨基板表面的 不均勻固化的膜。隨著時間的推移，致孔劑殘余物通過減少基板處可用的有效UV強度而減 少后續(xù)UV致孔劑移除工藝的有效性。另外，過量殘余物在UV腔室中的積聚是基板上的顆粒 缺陷的來源。因此，熱學(xué)上不穩(wěn)定的有機材料(起因于用于增加多孔性的致孔劑)需要從UV 處理腔室移除。用來移除致孔劑殘余物的增加的清洗頻率與時間不期望地導(dǎo)致了減少的產(chǎn) 量。
[0006] 因此，本領(lǐng)域中存在對改進的UV處理腔室W及使用此改進的UV處理腔室的方法的 需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 在一個實施例中，提供一種用于處理基板的設(shè)備。所述設(shè)備包括處理腔室主體，所 述處理腔室主體界定處理區(qū)域?？梢苿拥幕M件設(shè)置在所述處理區(qū)域內(nèi)，且紫外線福射 源禪接至所述腔室主體。光透射窗設(shè)置在紫外線福射源與基座組件之間。第一端口設(shè)置成 在第一區(qū)域處通過腔室主體，所述第一區(qū)域與所述基座組件的處理位置基本上共面，且第 二端口設(shè)置成在第二區(qū)域處通過腔室主體的側(cè)壁。所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域下方。 [000引在另一實施例中，提供一種用于處理基板的設(shè)備。所述設(shè)備包括處理腔室主體，所 述處理腔室主體界定處理區(qū)域?？梢苿拥幕M件設(shè)置在處理區(qū)域內(nèi)?；M件具有基座 組件表面、桿和波紋管組件，所述波紋管組件圍繞所述桿的至少一部分。所述波紋管組件設(shè) 置在所述處理容積的外部。紫外線福射源禪接至腔室主體，且光透射窗設(shè)置在紫外線福射 源與基座組件之間。第一端口設(shè)置成在第一區(qū)域處通過腔室主體，所述第一區(qū)域與所述基 座組件的處理位置基本上共面。第二端口設(shè)置成在第二區(qū)域處通過腔室主體的底部，所述 第二區(qū)域圓周地圍繞所述桿。
[0009] 在又另一實施例中，提供雙容積處理腔室。所述腔室包括腔室主體，所述腔室主體 界定第一內(nèi)容積與第二內(nèi)容積。第一基座組件設(shè)置在第一內(nèi)容積內(nèi)，第一紫外線福射源禪 接至所述腔室主體且與所述第一內(nèi)容積相鄰，且第一光透射窗設(shè)置在第一紫外線福射源與 第一基座組件之間。第二基座組件設(shè)置在第二內(nèi)容積內(nèi)，第二紫外線福射源禪接至所述腔 室主體且與所述第二內(nèi)容積相鄰，且第二光透射窗設(shè)置在第二紫外線福射源與第二基座組 件之間。第一端口設(shè)置在第一內(nèi)容積與第二內(nèi)容積之間的腔室主體的中屯、區(qū)域內(nèi)。第一端 口與第一基座組件和第二基座組件的處理位置基本上共面。第二端口設(shè)置在第一端口下方 的腔室主體的中屯、區(qū)域內(nèi)。第一端口與第二端口將第一內(nèi)容積與第二內(nèi)容積在容積上禪 接。
【附圖說明】
[0010] 因此，為了能夠詳細地理解本公開的上述特征的方式，可通過參照實施例得出W 上簡要概括的本公開的更具體的描述，實施例中的一些在所附附圖中示出。然而，注意到， 所附附圖僅描繪本公開的典型實施例且因此不視為限制本公開的范圍，因為本公開可允許 其他等效實施例。
[0011] 圖1描繪根據(jù)本文所述的一個實施例的處理系統(tǒng)的橫剖面視圖。
[0012] 圖2描繪圖1的處理系統(tǒng)的一部分的側(cè)視圖。
[0013] 圖3描繪圖1的處理系統(tǒng)的平面視圖，其中移除了UV源W描繪內(nèi)部部件。
[0014] 為了促進理解，已經(jīng)在可能的情況下使用相同的元件標(biāo)號來指定附圖中共有的相 同元件?？稍O(shè)想到，一個實施例的元件和特征可有益地并入在其他實施例中而無需進一步 的敘述。
【具體實施方式】
[0015] 本文所述的實施例總體上設(shè)及防止半導(dǎo)體處理腔室內(nèi)的污染物沉積W及從半導(dǎo) 體處理腔室移除污染物。底部累送與凈化基本上防止基座組件下方的污染物沉積或從基座 組件下方排出污染物。底部凈化基本上防止污染物沉積在基座組件下方，并且提供從定位 成與被處理的基板基本上共面的處理腔室的排氣。底部累送從處理腔室移除存在于基座組 件下方的污染物。具體地，本文所述的實施例設(shè)及經(jīng)由基座波紋管和/或均衡端口的凈化與 累送。
[0016] 圖1描繪雙容積處理系統(tǒng)100的橫剖面視圖。系統(tǒng)100描繪在市場上可從加利福尼 亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司購買到的300mmP民ODUCERie處理系統(tǒng)的示例性實施例。 本文所述的實施例也可有利地使用在PRODUCER~\\0CL1《E?與P民〇[)uceR.'60NYX? 系統(tǒng)（運兩者都可從加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司購買到）W及其他適當(dāng)適配 的處理系統(tǒng)上，包括來自其他制造商的那些系統(tǒng)。
[0017] 處理系統(tǒng)100包括兩個處理腔室101a、10化，所述處理腔室101a、10化基本上彼此 相同。處理腔室101a、10化共享腔室主體102與腔室蓋體104。處理腔室101a、10化為彼此關(guān) 于中屯、平面129的鏡像。
[0018] 腔室IOla界定了用于處理單一基板的處理容積124。腔室IOla包括設(shè)置在處理容 積124上方的UV透明窗116和UV透明氣體分配噴淋頭120。腔室10化界定了用于處理單一基 板的處理容積126。腔室10化包括設(shè)置在處理容積上方126的UV透明窗118和UV透明氣體分 配噴淋頭122。
[0019] 腔室101a、l(nb共享氣體面板108與真空累110。腔室IOla經(jīng)由輸入歧管112禪接至 氣體面板108，且腔室10化經(jīng)由輸入歧管114禪接至氣體面板108。第一UV光源136經(jīng)由蓋體 104禪接至腔室101a。窗116設(shè)置在第一UV光源136與處理容積124之間。第二UV光源138經(jīng)由 蓋體104禪接至腔室10化。窗118設(shè)置在第二UV光源138與處理容積126之間。
[0020] 處理系統(tǒng)100還包括基座組件150、152,所述基座組件150、152分別設(shè)置在腔室 101a、10化中。襯墊166設(shè)置在腔室101a、10化的每一個內(nèi)并且圍繞基座組件150、152的每一 個?；M件150至少部分地設(shè)置在腔室IOla內(nèi)，且基座組件152至少部分地設(shè)置在腔室 10化內(nèi)。襯墊166屏蔽腔室主體102免受處理容積124、126中的處理化學(xué)物的影響。排氣氣室 170徑向地圍繞處理容積124、126,且多個孔172形成為通過襯墊166并將排氣氣室170與處 理容積124、126連接。多個孔172和排氣氣室170的至少一部分可與基座組件150、152的支撐 表面154基本上共面。
[0021] 真空累110與排氣氣室170流體地連通，使得處理容積124、126可通過多個孔172和 排氣氣室170來被抽氣。排氣氣室170禪接至公共的排氣氣室171，公共的排氣氣室171延伸 通過腔室底部134至累導(dǎo)管174。累導(dǎo)管174禪接至真空累IlOW促進從公共的排氣氣室171 累送氣體。公共的排氣閥173設(shè)置在公共的排氣氣室171與累110之間的累導(dǎo)管174上。公共 的排氣閥173可打開或關(guān)閉，取決于期望的累送操作。
[0022] 基座組件150、152的支撐表面154設(shè)置在處理容積124、126內(nèi)。支撐表面154通常為 基座組件150、152的頂部并配置成在處理期間支撐基板。腔室101a、l(nb的底部區(qū)域105界 定在腔室底部134與基座組件150、152的支撐表面154之間。每一基座組件150、152具有桿 156,所述桿156從每一個基座組件150、152的底表面延伸通過腔室主體102的底部134。桿 156禪接至相應(yīng)的電機164,所述相應(yīng)的電機164配置成獨立地升高和降低每一個基座組件 150、152。
[0023] 基座波紋管端口 160形成在腔室主體102的底部134中?；y管端口 160延伸通 過腔室主體102的底部134。每一個基座波紋管端口 160具有大于桿156的直徑的直徑并且限 制每一個桿156,在每一個基座波紋管端口 160處，桿156延伸通過腔室主體102的底部134。 基座波紋管端口 160圓周地圍繞桿156。
[0024] 波紋管組件158設(shè)置成環(huán)繞每一個基座波紋管端口 160 W防止真空泄漏到腔室主 體102外。波紋管組件158限制并圍封每一個桿156的設(shè)置在腔室主體102外的部分。波紋管 組件158禪接在腔室主體102的底部134的外表面與基底構(gòu)件180之間?；讟?gòu)件180可容納 電機164和禪接至電機164的桿156的一部分。
[0025] 波紋管組件158可由金屬或金屬化材料形成，并且可配置成形成氣體流動通道 162。氣體流動通道162被界定為桿156與波紋管組件158之間的區(qū)域且從基座波紋管端口 160延伸至基底構(gòu)件180。如此，氣體流動通道162形成波紋管組件158與桿156之間的中空圓 柱形形狀的通道。氣體流動通道162流體地禪接在底部區(qū)域105與排氣導(dǎo)管178之間。排氣導(dǎo) 管178從氣體流動通道162延伸通過基底構(gòu)件180至累導(dǎo)管174。閥179設(shè)置在氣體流動通道 162與累導(dǎo)管174之間的排氣導(dǎo)管178上。當(dāng)閥179關(guān)閉時，可進行經(jīng)由排氣氣室170的累送， 且當(dāng)閥179打開時，可進行經(jīng)由基座波紋管端口 160的累送。當(dāng)閥179打開時，公共的排氣閥 173可關(guān)閉，W增強底部區(qū)域105經(jīng)由基座波紋管端口 160的累送。
[00%] 在累送工藝的一個實施例中，每一個腔室101曰、10化的底部區(qū)域105經(jīng)由基座波紋 管端口 160來累送。存在于底部區(qū)域105中的氣體和顆粒行進通過基座波紋管端口 160、氣體 流動通道162和排氣導(dǎo)管178至累110。在此實施例中，公共的排氣閥173關(guān)閉且閥179打開， 使得累與底部區(qū)域105流體地連通。例如，當(dāng)腔室處于閑置并且不處理基板時，在腔室清洗 處理期間執(zhí)行經(jīng)由基座波紋管端口 160的累送。在一個實施例中，W大約每分鐘10標(biāo)準(zhǔn)升 (slm,standard liter per minute)與大約50slm之間（諸如約30slm)的流動速率來執(zhí)行經(jīng) 由每一個基座波紋管端口 160的累送。還可在基座波紋管累送工藝期間將惰性氣體提供至 腔室1013、10化。例如，從氣體面板108^大約531111與大約2531111之間（諸如，對于每一個腔室 101曰、10化，大約15slm)的流動速率將氣氣提供至兩個腔室101曰、10化。相信，經(jīng)由氣體面板 108提供的氣氣實現(xiàn)底部區(qū)域105的更有效率的清潔與累送。
[0027] 在一個實施例中，氣體源168經(jīng)由氣體流動通道162和基座波紋管端口 160流體地 禪接至底部區(qū)域105。氣體源168可配置來傳送惰性氣體或清潔氣體至底部區(qū)域105。盡管示 意性地繪示為物理上緊緊地靠近系統(tǒng)100,氣體源168通常為位于系統(tǒng)100遠處的遠程氣體 源。氣體源168禪接至導(dǎo)管176,所述導(dǎo)管176從氣體源168延伸通過基底構(gòu)件180。導(dǎo)管176與 氣體流動通道162流體地連通。閥177設(shè)置在氣體源168與基底構(gòu)件180之間的導(dǎo)管176上。
[0028] 在一個實施例中，惰性氣體或凈化氣體被提供至底部區(qū)域105。在操作中，沿著從 氣體源168、通過導(dǎo)管176(其中閥177打開）、氣體流動通道162和基座波紋管端口 160的流動 路徑將凈化氣體提供至底部區(qū)域105。在腔室101a、10化中處理基板期間，從氣體源168提供 凈化氣體。合適的凈化氣體包括惰性氣體，例如氮、氛與氣。然而，也可使用其他的非反應(yīng)性 氣體。在一個實施例中，W大約Islm與大約40slm之間（諸如約20slm)的流動速率來提供氣 氣。氣氣流動可在腔室l〇la、l(nb之間劃分，使得大約IOslm的氣氣經(jīng)由基座波紋管端口 160 提供至每一個腔室101a、10化的底部區(qū)域105。
[0029] 相信，在處理基板期間使凈化氣體流動防止顆粒與污染物掉落在支撐表面154下 方并且沉積在界定底部區(qū)域105的腔室101a、10化的表面上。在經(jīng)由基座波紋管端口 160的 累送期間，腔室l〇la、l(nb的累送經(jīng)由排氣氣室170與累110來進行。多個孔172和排氣氣室 170的至少一部分與支撐表面154基本上共面。經(jīng)由排氣氣室170的累送從底部區(qū)域105吸取 凈化氣體。在此實施例中，在污染物沒有掉落在支撐表面154下方的情況下從腔室101a、 1 (n b排出凈化氣體和污染物。
[0030] 在另一個實施例中，清洗氣體經(jīng)由氣體源168提供至底部區(qū)域105。在一個實施例 中，臭氧用作清潔氣體，然而，設(shè)想到，也可利用其他清潔氣體。在一個實施例中，由遠程等 離子體系統(tǒng)或其他類似的設(shè)備遠程地生成臭氧。在另一個實施例中，沿著與上述凈化氣體 相同的路徑將臭氧提供至底部區(qū)域105。在此實施例中，腔室101a、IOlb被加壓并被加熱W 促進臭氧分解成礦與化。在清潔工藝(與基板處理分開執(zhí)行）中，元素氧與存在于界定底部區(qū) 域105的表面上的碳氨化合物和碳物種(致孔劑)起反應(yīng)，W形成揮發(fā)性氣體，諸如一氧化碳 和二氧化碳，然后從腔室l〇la、l(nb排出所述揮發(fā)性氣體。
[0031] 在臭氧清潔處理的一個示例中，氧暴露于選定波長的UV福射，W原位地生成臭氧。 例如，光源136、138被激勵W發(fā)射具有大約184.9皿與大約153.7皿之間的波長的UV福射。UV 福射由臭氧吸收，此臭氧分解成氧氣W及元素氧兩者，從而清潔底部區(qū)域105。
[0032] 系統(tǒng)100還包括均衡端口 140,所述均衡端口 140設(shè)置成通過系統(tǒng)的中屯、壁132。中 屯、壁132劃分腔室101曰、10化，并且界定底部區(qū)域105的至少一部分。均衡端口 140是與每一 個腔室101曰、10化的底部區(qū)域105流體地連通的開口。均衡端口 140可形成在中屯、壁132中或 者通過界定底部區(qū)域105的主體102的不同區(qū)域。均衡端口 140基本上設(shè)置在支撐表面154與 排氣氣室170下方。均衡端口 140從每一個腔室101a、IOlb的底部區(qū)域105延伸通過中屯、壁 132并且使每一個腔室101曰、10化的底部區(qū)域105能夠彼此流體地連通。
[0033] 導(dǎo)管144從均衡端口 140延伸通過中屯、壁132并且在出口端口 142處離開腔室主體 102的底部134。導(dǎo)管144將均衡端口 140與導(dǎo)管178流體地禪接。閥143設(shè)置在出口端口 142與 導(dǎo)管178之間的導(dǎo)管144上。因此，當(dāng)閥143打開時，底部區(qū)域105與累110流體地連通。
[0034] 在一個示例中，底部區(qū)域105通過均衡端口 140累送工藝來排氣。在腔室處于閑置 時（諸如在閑置清潔工藝期間）執(zhí)行均衡端口 140累送工藝。為了能夠經(jīng)由均衡端口 140累 送，閥173關(guān)閉且閥143打開。如此，累110經(jīng)由導(dǎo)管144和均衡端口 140與底部區(qū)域105流體地 連通。作為閥173關(guān)閉的結(jié)果，腔室101a、l(nb的排氣經(jīng)由均衡端口 140進行并且不通過排氣 氣室170。
[0035] 在均衡端口 140累送工藝期間，累110通過均衡端口 140和導(dǎo)管144從底部區(qū)域105 排出氣體和污染物。在一個實施例中，經(jīng)由均衡端口 140W大約IOslm與大約50slm之間（諸 如約30slm)的流動速率從底部區(qū)域105累送氣體和污染物。也可在均衡端口 140累送工藝期 間將惰性氣體提供至腔室101a、10化。例如，從氣體面板108 W大約5slm與大約25slm之間 (諸如，每一個腔室101a、l(nb約15slm)的流動速率來將氣氣提供至兩個腔室101曰、10化。相 信，經(jīng)由氣體面板108提供的氣氣實現(xiàn)對底部區(qū)域105的更有效率的清潔與累送。經(jīng)由均衡 端口 140的累送從底部區(qū)域105移除不期望的污染物而不利用排氣氣室170,運提供了系統(tǒng) 100的增加的功能性。
[0036] 在一個實施例中，氣體源148經(jīng)由導(dǎo)管144和均衡端口 140流體地禪接到底部區(qū)域 105。氣體源148可配置成將惰性氣體或清潔氣體傳送至底部區(qū)域105。盡管示意性地示為物 理上緊緊地靠近系統(tǒng)100,氣體源148通常為位于系統(tǒng)100遠處的遠程氣體源。氣體源148禪 接至導(dǎo)管146,所述導(dǎo)管146從氣體源148延伸至導(dǎo)管144。閥145設(shè)置在氣體源148與導(dǎo)管144 之間的導(dǎo)管146上。
[0037] 在一個實施例中，惰性氣體或凈化氣體被提供至底部區(qū)域105。在操作中，沿著從 氣體源148、通過導(dǎo)管146(其中閥145打開）、導(dǎo)管144和均衡端口 140的流動路徑將凈化氣體 提供至底部區(qū)域105。在閑置清潔工藝期間，從氣體源148提供凈化氣體。合適的凈化氣體包 括惰性氣體，諸如氮、氛與氣。然而，也可利用其他的非反應(yīng)性氣體。在一個實施例中，W大 約IOslm與大約50slm之間(諸如約30slm)的流動速率來提供氣氣。氣氣流動可在腔室101a、 1 (n b之間劃分，使得大約15s Im的氣氣經(jīng)由均衡端口 140提供至每一個腔室101 a、1 (n b的底 部區(qū)域105。
[0038] 相信，在閑置清潔工藝期間使凈化氣體流動攬動且攬拌可能存在于界定底部區(qū)域 105的表面上的顆粒與污染物。在經(jīng)由均衡端口 140的累送期間，腔室101a、10化的累送經(jīng)由 排氣氣室170與累110來進行。經(jīng)由排氣氣室170的累送從底部區(qū)域105吸取凈化氣體。在此 實施例中，凈化氣體與污染物從腔室l〇la、l(nb排出而不會有污染物再沉積在支撐表面154 下方或波紋管組件158內(nèi)。
[0039] 在另一個實施例中，清潔氣體經(jīng)由氣體源148提供至底部區(qū)域105。在一個實施例 中，臭氧用作清潔氣體，然而，設(shè)想到，也可使用其他清潔氣體。在一個實施例中，由遠程等 離子體系統(tǒng)或其他類似的設(shè)備遠程地生成臭氧。在另一個實施例中，沿著與上述凈化氣體 相同的路徑將臭氧提供至底部區(qū)域105。臭氧凈化工藝可如同關(guān)于經(jīng)由基座波紋管端口 160 的臭氧凈化所述地進行
[0040] 圖2描繪圖1的系統(tǒng)100的一部分的側(cè)視圖。如圖所示，沿著圖1的線128剖切系統(tǒng) 100。在此視圖中，省略了容納UV光源的蓋體。主體102的中屯、壁132描繪公共的排氣氣室171 與均衡端口 140的位置。閥173設(shè)置在排氣導(dǎo)管174上，所述排氣導(dǎo)管174從公共的排氣氣室 171延伸至累110(未示出）。
[0041] 均衡端口 140形成為通過中屯、壁132的橫向相鄰區(qū)域。導(dǎo)管144從均衡端口 140延伸 并且在出口端口 142處離開中屯、壁132。閥143設(shè)置在出口端口 142與導(dǎo)管144禪接至排氣導(dǎo) 管174的位置之間的導(dǎo)管144上。導(dǎo)管144禪接至閥173與累110之間的排氣導(dǎo)管174。
[0042] 圖3描繪圖1的系統(tǒng)100的平面視圖。在此視圖中，省略了容納UV光源的蓋體，且蓋 體104與噴淋頭120、122為可見的。公共的排氣氣室171中屯、地定位在系統(tǒng)100內(nèi)，且排氣氣 室170設(shè)置成與公共的排氣氣室171相鄰。沿著中屯、平面129設(shè)置公共的排氣氣室171。腔室 101曰、10化是沿著中屯、平面129的基本上相同的鏡像。導(dǎo)管140橫向地偏離中屯、平面129。均 衡端口 140流體地禪接至導(dǎo)管144。此圖示意在提供導(dǎo)管144/均衡端口 140與排氣氣室170/ 公共的排氣氣室171之間的空間關(guān)系。
[0043] 在上述的實施例中，通過累送工藝從腔室排出污染物(諸如顆粒），或者通過凈化 工藝基本上防止污染物(諸如顆粒)沉積在腔室表面上。設(shè)想到，可單獨使用或彼此組合地 使用一個或更多個累送與凈化工藝，W減少半導(dǎo)體處理腔室內(nèi)的顆粒的不期望的影響。本 文所述的實施例對于存在致孔劑顆粒的UV半導(dǎo)體處理腔室是特別有用的。也設(shè)想到，本文 所述的實施例可有利地使用在雙腔室處理系統(tǒng)W及單腔室處理系統(tǒng)上。處理系統(tǒng)可包括基 座波紋管累送/凈化或均衡端口累送/凈化的元件，或者處理系統(tǒng)可在單一處理系統(tǒng)上包括 基座波紋管累送/凈化與均衡端口累送/凈化兩者。
[0044] 雖然前述內(nèi)容設(shè)及本公開的實施例，可設(shè)計本公開的其他與進一步的實施例而不 偏離本公開的基本范圍，且本公開的范圍由所附權(quán)利要求書確定。
【主權(quán)項】
1. 一種用于處理基板的設(shè)備，包括： 處理腔室主體，所述處理腔室主體界定處理區(qū)域； 基座組件，所述基座組件設(shè)置在所述處理區(qū)域內(nèi)； 紫外線輻射源，所述紫外線輻射源耦接至所述腔室主體； 光透射窗，所述光透射窗設(shè)置在所述紫外線輻射源與所述基座組件之間； 排氣端口，所述排氣端口設(shè)置成在第一區(qū)域處通過所述腔室主體，所述排氣端口與所 述處理區(qū)域流體地連通，且所述第一區(qū)域設(shè)置成與所述處理區(qū)域相鄰；以及 栗送/凈化端口，所述栗送/凈化端口設(shè)置成在第二區(qū)域處通過所述腔室主體，其中所 述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域下方。2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括第一導(dǎo)管，所述第一導(dǎo)管耦接在所述排氣端口 與栗之間。3. 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中第一閥設(shè)置在所述排氣端口與所述栗之間的所述第 一導(dǎo)管上。4. 如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中第二導(dǎo)管將所述栗送/凈化端口耦接至所述第一閥與 所述栗之間的所述第一導(dǎo)管。5. 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中第二閥設(shè)置在所述栗送/凈化端口與所述第一導(dǎo)管之 間的所述第二導(dǎo)管上。6. 如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中凈化氣體源耦接至所述栗送/凈化端口與所述第二閥 之間的所述第二導(dǎo)管。7. -種用于處理基板的設(shè)備，包括： 處理腔室主體，所述處理腔室主體界定處理區(qū)域； 基座組件，所述基座組件設(shè)置在所述處理區(qū)域內(nèi)，所述基座組件包括基板支撐表面、桿 和波紋管組件，所述波紋管組件圍繞所述桿的至少一部分，所述波紋管組件設(shè)置在所述處 理容積的外部； 紫外線輻射源，所述紫外線輻射源耦接至所述腔室主體； 光透射窗，所述光透射窗設(shè)置在所述紫外線輻射源與所述基座組件之間； 排氣端口，所述排氣端口設(shè)置成在第一區(qū)域處通過所述腔室主體，所述第一區(qū)域與所 述基座組件的處理位置基本上共面；以及 栗送/凈化端口，所述栗送/凈化端口設(shè)置成在第二區(qū)域處通過所述腔室主體的底部， 其中所述第二區(qū)域圓周地圍繞所述桿。8. 如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中氣體流動通道從所述桿與所述波紋管組件之間的所 述栗送/凈化端口延伸。9. 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中導(dǎo)管將所述排氣端口耦接至栗。10. 如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中第一閥設(shè)置在所述排氣端口與所述栗之間的所述第 一導(dǎo)管上。11. 如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中第二導(dǎo)管將所述氣體流動通道耦接至所述第一閥 與所述栗之間的所述第一導(dǎo)管。12. 如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中第二閥設(shè)置在所述氣體流動通道與所述第一導(dǎo)管 之間的所述第二導(dǎo)管上。13. 如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中凈化氣體源耦接至所述栗送/凈化端口與所述第二 導(dǎo)管之間的所述氣體流動通道。14. 一種雙容積處理設(shè)備，包括： 腔室主體，所述腔室主體界定第一內(nèi)容積與第二內(nèi)容積； 第一基座組件，所述第一基座組件設(shè)置在所述第一內(nèi)容積內(nèi)； 第一紫外線輻射源，所述第一紫外線輻射源耦接至所述腔室主體且與所述第一內(nèi)容積 相鄰； 第一光透射窗，所述第一光透射窗設(shè)置在所述第一紫外線輻射源與所述第一基座組件 之間； 第二基座組件，所述第二基座組件設(shè)置在所述第二內(nèi)容積內(nèi)； 第二紫外線輻射源，所述第二紫外線輻射源耦接至所述腔室主體且與所述第二內(nèi)容積 相鄰； 第二光透射窗，所述第二光透射窗設(shè)置在所述第二紫外線輻射源與所述第二基座組件 之間； 第一端口，所述第一端口設(shè)置在所述第一內(nèi)容積與所述第二內(nèi)容積之間的所述腔室主 體的中心區(qū)域內(nèi)，所述第一端口與所述第一基座組件和所述第二基座組件的處理位置基本 上共面；以及 第二端口，所述第二端口設(shè)置在所述第一端口下方的所述腔室主體的中心區(qū)域內(nèi)，其 中所述第一端口和所述第二端口將所述第一內(nèi)容積與所述第二內(nèi)容積流體地耦接。15. 如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，進一步包括： 第一波紋管組件和第二波紋管組件，所述第一波紋管組件圍繞所述第一基座組件的第 一桿，且所述第二波紋管組件圍繞所述第二基座組件的第二桿，其中所述第一波紋管組件 和第二波紋管組件設(shè)置在所述腔室主體的外部； 第三端口，所述第三端口設(shè)置成通過所述腔室主體的底部，在所述第三端口處，第一基 座組件桿進入所述第一內(nèi)容積； 第一氣體流動通道，所述第一氣體流動通道設(shè)置在所述第一桿與所述第一波紋管組件 之間，所述第一氣體流動通道從所述第三端口延伸至出口； 第四端口，所述第四端口設(shè)置成通過所述腔室主體的底部，在所述第四端口處，第二基 座組件桿進入所述第二內(nèi)容積；以及 第二氣體流動通道，所述第二氣體流動通道設(shè)置在所述第二桿與所述第二波紋管組件 之間，所述第二氣體流動通道從所述第四端口延伸至所述出口。
【文檔編號】H01L21/02GK105940480SQ201580006249
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2015年1月12日
【發(fā)明人】A·坎古德, S·巴錄佳, J·C·羅查-阿爾瓦雷斯, D·拉杰
【申請人】應(yīng)用材料公司