国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種可調(diào)諧寬光譜響應(yīng)的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極的制備方法

      文檔序號(hào):10595709閱讀:384來(lái)源:國(guó)知局
      一種可調(diào)諧寬光譜響應(yīng)的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極的制備方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種可調(diào)諧寬光譜響應(yīng)的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極的制備方法,采用連續(xù)離子層吸附與反應(yīng)法,以一定摩爾濃度(0.01~1M)的陽(yáng)離子源(Pb2+、Cd2+和Zn2+甲醇溶液)和陰離子源(S2?甲醇/水混合溶液)為前驅(qū)液,在膜厚為2~20微米的寬帶隙氧化物多孔薄膜上,依次沉積適量的(Pb,Cd)S、CdS、ZnS量子點(diǎn),制備復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極。本方法可通過(guò)調(diào)節(jié)陽(yáng)離子源中Cd2+和Pb2+的摩爾濃度比調(diào)諧光譜響應(yīng);且CdS將有效鈍化PbS量子點(diǎn)表面缺陷態(tài)以抑制載流子復(fù)合。本發(fā)明的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極能夠?qū)崿F(xiàn)可調(diào)諧寬光譜響應(yīng)、快速電荷傳輸以及高效電荷收集,從而獲得高性能量子點(diǎn)光伏器件。
      【專利說(shuō)明】
      一種可調(diào)諧寬光譜響應(yīng)的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極的制備方法 一、
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001] 本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池光電極薄膜制備技術(shù),具體地說(shuō)是一種可調(diào)諧寬光譜 響應(yīng)的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極的制備方法,屬于太陽(yáng)能電池薄膜技術(shù)領(lǐng)域。 二、
      【背景技術(shù)】
      [0002] 量子點(diǎn)(Quantum Dot,QD)是一種三維方向尺寸均小于相應(yīng)物質(zhì)塊體材料激子德 布羅意波長(zhǎng)的準(zhǔn)零維納米結(jié)構(gòu),一般介于1~l〇nm之間。常用的量子點(diǎn)是由II-VI族或III-V 族元素組成的窄帶隙半導(dǎo)體。而當(dāng)半導(dǎo)體顆粒達(dá)到納米尺寸,成為量子點(diǎn)之后,就會(huì)產(chǎn)生許 多有別于體材料的奇異特性,例如量子尺寸效應(yīng)、多激子產(chǎn)生效應(yīng)等。這些獨(dú)特的性質(zhì)使量 子點(diǎn)在太陽(yáng)能、顯示等光電領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。特別地,作為光敏材料的量子點(diǎn)與有機(jī)染 料、鈣鈦礦材料等相比,具有光譜易調(diào)、性能穩(wěn)定等明顯優(yōu)勢(shì),且量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池的理論 效率高達(dá)44%,能夠突破傳統(tǒng)單結(jié)PN結(jié)太陽(yáng)能電池的Shockley-Queisser極限(31% ),彰顯 了其在第三代太陽(yáng)能電池中的巨大潛力。早在1982年,美國(guó)新能源國(guó)家實(shí)驗(yàn)室Nozik教授等 人就首次提出可將量子點(diǎn)作為光敏劑應(yīng)用于太陽(yáng)能電池,并于1998年成功制備InP量子點(diǎn) 敏化T i 〇2光電極。近年來(lái),基于量子點(diǎn)敏化光電極的太陽(yáng)能電池受到廣泛研究。如北京科技 大學(xué)公開(kāi)了一種CcU-xMnxSe量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池的制備方法(申請(qǐng)?zhí)?CN201410315476.4);華 僑大學(xué)公開(kāi)了一種量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池對(duì)電極的制備方法(申請(qǐng)?zhí)枺?CN201510999618.8)。目前,量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池的效率記錄值已突破10%(J.Du et al, J.Am.Chem.Soc.2016,138,42(n-4209)。
      [0003]作為太陽(yáng)能電池中的核心部分,光電極的光譜響應(yīng)范圍直接影響器件的光子捕獲 能力。眾所周知,太陽(yáng)光譜的波長(zhǎng)范圍為0.3~2.5wn,其中,紅外光波段約占總太陽(yáng)光譜能 量的40%。而常用的CdS、CdSe等量子點(diǎn)的光譜吸收僅局限在可見(jiàn)光區(qū)域,造成紅外光譜能 量的嚴(yán)重浪費(fèi)。故研究者們?cè)絹?lái)越熱衷于研制可見(jiàn)至近紅外光寬光譜響應(yīng)量子點(diǎn)光伏器 件。選擇合適的量子點(diǎn)敏化劑,實(shí)現(xiàn)器件光譜響應(yīng)與太陽(yáng)光譜的良好匹配以充分利用紅外 光,將有望大幅提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。硫化鉛(PbS)具有很窄的禁帶寬度(體材 料為0.41eV)和很高的吸收系數(shù)(1~SXIOYhT 1),可以輕松將吸光范圍拓展至近紅外光波 段。許多研究也已證實(shí)基于PbS量子點(diǎn)的光伏器件確實(shí)能夠獲得良好的器件性能,特別是出 眾的光電流密度(J.W.Lee at al,Sci.Rep.2013,3,1050;X.Z.Lan et al, Adv .Mater. 2015,28,299-304.)。然而,作為一種極具應(yīng)用前景的敏化劑,PbS量子點(diǎn)表面缺 陷態(tài)密度很高,造成器件內(nèi)部載流子復(fù)合嚴(yán)重。因此,探索有效方法對(duì)PbS量子點(diǎn)光譜響應(yīng) 進(jìn)行調(diào)控,提高光子捕獲能力;并進(jìn)一步鈍化量子點(diǎn)表面缺陷態(tài),抑制載流子復(fù)合,最終制 備兼具寬光譜響應(yīng)、快速電荷傳輸以及高效電荷收集能力的光電極,對(duì)于提高量子點(diǎn)光伏 器件性能具有重要意義。 三、

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的目的是提供一種可調(diào)諧寬光譜響應(yīng)的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極的制備方 法,增強(qiáng)光伏器件的光子捕獲能力,并降低器件內(nèi)部載流子復(fù)合,最終提高太陽(yáng)能電池的光 電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明采用連續(xù)離子層吸附與反應(yīng)(SILAR)法,具有成本低、工藝簡(jiǎn)單、易工業(yè) 化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
      [0005] 本發(fā)明可調(diào)諧寬光譜響應(yīng)的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極的制備方法,是通過(guò)SILAR法 制備,包括如下步驟:
      [0006] 1、將寬帶隙氧化物薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)1~25次,獲得(Pb,Cd)S量子點(diǎn)(即PbS和CdS混合量子點(diǎn))。
      [0007] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為Pb2+和Cd2+的甲醇溶液,Pb 2+和Cd2+的摩爾比為0.01~100: 1,陽(yáng)離子源前驅(qū)液中Pb2+和Cd 2+的總濃度為0.01~1M;所述陰離子源前驅(qū)液為S2-的甲醇和 水混合溶液,其中sh的濃度為0.01~1M,甲醇和水的體積比為0.1~10:1。
      [0008] 進(jìn)一步地,所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為乙酸鉛(Pb(CH3COO)2)或硝酸鉛(Pb(N〇3) 2)與乙 酸鎘(Cd(CH3COO)2)或硝酸鎘(Cd(N0 3)2)的甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液為似以的甲醇和 水混合溶液。
      [0009] 每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別 控制在1~5分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。
      [0010] 2、將步驟1獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)1~15次,獲得CdS量子點(diǎn)。
      [0011] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為〇.〇1~1M Cd2+的甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液為S2-的 甲醇和水混合溶液,其中sh的濃度為0.01~1M,甲醇和水的體積比為0.1~10:1。
      [0012] 進(jìn)一步地,所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為Cd(CH3COO)2或(Cd(N0 3)2)的甲醇溶液;所述陰 離子源前驅(qū)液為他以的甲醇和水混合溶液。
      [0013] 每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別 控制在1~5分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。
      [0014] 3、將步驟2獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)1~5次,獲得ZnS量子點(diǎn),即獲得(Pb,Cd)S/CdS/ZnS復(fù)合量子點(diǎn) 敏化光電極。
      [0015] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為0.01~1M Zn2+的甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液為S2-的 甲醇和水混合溶液,其中sh的濃度為0.01~1M,甲醇和水的體積比為0.1~10:1。
      [0016] 進(jìn)一步地,所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為乙酸鋅(Zn(CH3COO)2)或硝酸鋅(Zn(N〇3) 2)的甲 醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液為他以的甲醇和水混合溶液。
      [0017] 每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別 控制在1~5分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。
      [0018] 步驟1中所述寬帶隙氧化物薄膜是將10~200nm的寬帶隙氧化物半導(dǎo)體二氧化鈦 (Ti02)、氧化鋅(ZnO)或二氧化錫(Sn0 2)與粘合劑和造孔劑等混合均勻并涂覆在導(dǎo)電玻璃 (FT0或IT0)上,在300~500°C下燒結(jié)30~120分鐘,獲得厚度為2~20微米的多孔結(jié)構(gòu)氧化 物薄膜一一寬帶隙氧化物薄膜。
      [0019] 步驟1、2、3中,控制陽(yáng)離子源和陰離子源的濃度相同。
      [0020] 與已有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果體現(xiàn)在:
      [0021] 1、在步驟1中,CdS與PbS同步沉積,能夠抑制PbS量子點(diǎn)的過(guò)度生長(zhǎng),從而通過(guò)調(diào)節(jié) 陽(yáng)離子源中Pb2+和Cd2+的摩爾濃度比調(diào)控PbS量子點(diǎn)大小,并進(jìn)一步調(diào)節(jié)光電極的光譜吸收 范圍;同時(shí)這里的CdS還可以起到鈍化PbS量子點(diǎn)表面缺陷態(tài)的作用;
      [0022] 2、在步驟2中,沉積的CdS包覆層能夠進(jìn)一步鈍化PbS量子點(diǎn)表面缺陷態(tài);
      [0023] 3、在步驟3中,沉積的ZnS包覆層能夠抑制太陽(yáng)能電池中光生電子向空穴傳輸體回 傳,抑制電荷復(fù)合,改善器件性能及其穩(wěn)定性。且量子點(diǎn)負(fù)載量可通過(guò)前驅(qū)液濃度和SILAR 循環(huán)次數(shù)控制。因此,這種復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極能夠?qū)崿F(xiàn)可調(diào)諧寬光譜響應(yīng)、快速電荷傳 輸以及高效電荷收集,從而獲得高性能量子點(diǎn)光伏器件。
      [0024] 此外,本發(fā)明中的制備方法成本低、工藝簡(jiǎn)單、易工業(yè)化生產(chǎn),具有廣闊的研究?jī)r(jià) 值和應(yīng)用前景。 四、
      【附圖說(shuō)明】
      [0025] 圖1是本發(fā)明復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極的結(jié)構(gòu)示意圖:1為導(dǎo)電玻璃(FT0或IT0); 2為 納米顆粒結(jié)構(gòu)的寬帶隙半導(dǎo)體氧化物;3為PbS量子點(diǎn);4為CdS量子點(diǎn);5為ZnS量子點(diǎn)。
      [0026]圖2是本發(fā)明復(fù)合量子點(diǎn)敏化Ti02光電極表面的掃描電子顯微鏡(SEM)照片。由圖 2可以看出,Ti02薄膜呈多孔結(jié)構(gòu)。而量子點(diǎn)由于其顆粒尺寸較小則不易觀測(cè)。
      [0027]圖3是(Pb,Cd)S/CdS復(fù)合量子點(diǎn)敏化Ti02光電極表面的元素能譜(EDS)圖。由圖3 可以看出能譜包括Ti,0,Pb,Cd和S五種元素的特征峰,表明量子點(diǎn)在多孔薄膜上成功負(fù)載。 [0028]圖4是復(fù)合量子點(diǎn)敏化氧化物Ti0 2納米顆粒的透射電子顯微鏡(TEM)照片。圖4中 大顆粒為寬帶隙氧化物Ti02納米顆粒;大顆粒表面的小黑點(diǎn)為量子點(diǎn)??梢钥闯?,采用 SILAR法制備的復(fù)合量子點(diǎn)均勻分布在Ti02納米顆粒表面。
      [0029] 圖5是復(fù)合量子點(diǎn)敏化Ti02光電極的紫外-可見(jiàn)-近紅外吸收譜。由圖5可以看出, 本發(fā)明的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極能夠?qū)崿F(xiàn)可見(jiàn)至近紅外光寬光譜響應(yīng)。
      [0030] 圖6是基于復(fù)合量子點(diǎn)敏化氧化物Ti02光電極的太陽(yáng)能電池的電流-電壓(I-V)光 伏曲線。 五、
      【具體實(shí)施方式】
      [0031] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒?發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí) 施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
      [0032] 實(shí)施例1:
      [0033] 1、將25nm的Ti02納米粉末與粘合劑、造孔劑混合均勻配制成漿料,采用刮涂法將 所述漿料涂覆在FT0導(dǎo)電玻璃基底上,在450°C下燒結(jié)30分鐘,得到厚度為12微米的多孔 Ti〇2薄膜;
      [0034] 2、將步驟1制備的Ti02薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為 一次SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)5次,獲得(Pb,Cd) S量子點(diǎn)。每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在 陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別控制在1分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行 甲醇沖洗、空氣吹干。
      [0035] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為乙酸鉛(Pb (CH3C00) 2)或硝酸鉛(Pb (N03) 2)與乙酸鎘(Cd (CH3COO)2)或硝酸鎘(Cd(N〇3)2)的甲醇溶液,陽(yáng)離子源前驅(qū)液中Pb 2+和Cd2+的摩爾比為1:2~ 5,陽(yáng)離子源前驅(qū)液中Pb2+和Cd2+的總濃度為0.01~0.2M;所述陰離子源前驅(qū)液為Na 2S的甲醇 和水混合溶液,其中S2^的濃度為0.01~0.2M,甲醇和水的體積比為1:1。每次SILAR循環(huán)過(guò)程 中,控制陽(yáng)離子源和陰離子源的濃度相同。
      [0036] 3、將步驟2獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)5次,獲得CdS量子點(diǎn)。每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前 驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別控制在1分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空 氣吹干。
      [0037] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為0.1M的Cd(CH3COO)2甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液為Na 2S 的甲醇和水混合溶液,其中sh的濃度為0.1M,甲醇和水的體積比為1:1。
      [0038] 4、將步驟3獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)2次,獲得ZnS量子點(diǎn),即獲得(Pb,Cd)S/CdS/ZnS復(fù)合量子點(diǎn)敏化 光電極。每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別控 制在1分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。
      [0039] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為0.1M乙酸鋅(Zn(CH3COO)2)甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液 為Na2S的甲醇和水混合溶液,其中S2^的濃度為0.1M,甲醇和水的體積比為1:1。
      [0040] 5、將硫(S)粉溶于濃度為1M的Na2S水溶液中,S與Na2S的摩爾比為1:1,50°C下反應(yīng)1 小時(shí),制備得到多硫電解質(zhì);將厚度為〇 . 3mm的黃銅箱置于濃度為37 %的濃鹽酸中,70°C下 反應(yīng)30分鐘,沖洗、吹干之后再浸入所述多硫電解質(zhì)中,常溫下反應(yīng)5分鐘,再次沖洗、吹干, 即制備得到CU2S對(duì)電極;
      [0041] 6、將步驟4制備的光電極與多硫電解質(zhì)和硫化亞銅對(duì)電極結(jié)合組裝太陽(yáng)能電池, 測(cè)試器件光電轉(zhuǎn)換性能,見(jiàn)表1。
      [0042] 表1不同陽(yáng)離子源前驅(qū)液條件下的太陽(yáng)能電池性能
      [0044]從表1可以看出,不同陽(yáng)離子源前驅(qū)液條件下制備所得復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極對(duì) 相應(yīng)太陽(yáng)能電池性能有較大影響。
      [0045] 實(shí)施例2:
      [0046] 1、將25nm的Ti02納米粉末與粘合劑、造孔劑混合均勻配制成漿料,采用刮涂法將 所述漿料涂覆在FTO導(dǎo)電玻璃基底上,在450°C下燒結(jié)30分鐘,得到厚度為12微米的多孔 Ti〇2薄膜;
      [0047] 2、將步驟1制備的Ti02薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為 一次SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)2~11次,獲得(Pb,Cd)S量子點(diǎn)。每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸 潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別控制在1分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜 進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。
      [0048] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為乙酸鉛(Pb (CH3C00)2)與乙酸鎘(Cd (CH3C00) 2)甲醇溶液, 陽(yáng)離子源前驅(qū)液中Pb2+和Cd2+的摩爾比為1:5,陽(yáng)離子源前驅(qū)液中Pb2+和Cd 2+的總濃度為 〇. 1M;所述陰離子源前驅(qū)液為Na2S的甲醇和水混合溶液,其中S2_的濃度為0.1M,甲醇和水的 體積比為1:1。
      [0049] 3、將步驟2獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)2~8次,獲得CdS量子點(diǎn)。每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子 源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別控制在1分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖 洗、空氣吹干。
      [0050] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為0.1M的Cd(CH3COO)2;所述陰離子源前驅(qū)液為他以的甲醇和 水混合溶液,其中sh的濃度為0.1M,甲醇和水的體積比為1:1。
      [0051] 4、將步驟3獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)2~4次,獲得ZnS量子點(diǎn),即獲得(Pb,Cd)S/CdS/ZnS復(fù)合量子點(diǎn) 敏化光電極。每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分 別控制在1分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。
      [0052] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為0.1M乙酸鋅(Zn(CH3COO)2)甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液 為Na2S的甲醇和水混合溶液,其中S2^的濃度為0.1M,甲醇和水的體積比為1:1。
      [0053] 5、將硫(S)粉溶于濃度為1M的Na2S水溶液中,S與Na2S的摩爾比為1:1,50°C下反應(yīng)1 小時(shí),制備得到多硫電解質(zhì);將厚度為〇 . 3mm的黃銅箱置于濃度為37 %的濃鹽酸中,70°C下 反應(yīng)30分鐘,沖洗、吹干之后再浸入所述多硫電解質(zhì)中,常溫下反應(yīng)5分鐘,再次沖洗、吹干, 即制備得到CU2S對(duì)電極;
      [0054] 6、將步驟4制備的光電極與多硫電解質(zhì)和硫化亞銅對(duì)電極結(jié)合組裝太陽(yáng)能電池, 測(cè)試器件光電轉(zhuǎn)換性能,見(jiàn)表2。
      [0055] 表2不同SILAR循環(huán)次數(shù)下的太陽(yáng)能電池性能
      [0057] 從表2可以看出,不同SILAR循環(huán)次數(shù)下制備所得復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極對(duì)相應(yīng)太 陽(yáng)能電池性能有較大影響。
      [0058] 實(shí)施例3:
      [0059] 1、將一定顆粒尺寸的Ti〇2、ZnO和Sn〇2納米粉末與粘合劑、造孔劑混合均勻配制成 漿料,采用刮涂法將所述漿料涂覆在FT0導(dǎo)電玻璃基底上,在一定溫度下燒結(jié)30分鐘,得到 多孔Ti02薄膜;
      [0060] 2、將步驟1制備的Ti02薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為 一次SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)5次,獲得(Pb,Cd) S量子點(diǎn)。每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在 陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別控制在1分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行 甲醇沖洗、空氣吹干。
      [0061 ] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為乙酸鉛(Pb (CH3C00)2)與乙酸鎘(Cd (CH3C00) 2)甲醇溶液, 陽(yáng)離子源前驅(qū)液中Pb2+和Cd2+的摩爾比為1:5,陽(yáng)離子源前驅(qū)液中Pb2+和Cd 2+的總濃度為 〇. 1M;所述陰離子源前驅(qū)液為Na2S的甲醇和水混合溶液,其中S2_的濃度為0.1M,甲醇和水的 體積比為1:1。
      [0062] 3、將步驟2獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)5次,獲得CdS量子點(diǎn)。每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前 驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別控制在1分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空 氣吹干。
      [0063] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為0.1M的Cd(CH3COO)2甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液為Na 2S 的甲醇和水混合溶液,其中sh的濃度為0.1M,甲醇和水的體積比為1:1。
      [0064] 4、將步驟3獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)2次,獲得ZnS量子點(diǎn),即獲得(Pb,Cd)S/CdS/ZnS復(fù)合量子點(diǎn)敏化 光電極。每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間分別控 制在1分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。
      [0065] 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為0.1M乙酸鋅(Zn(CH3COO)2)甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液 為Na2S的甲醇和水混合溶液,其中S2^的濃度為0.1M,甲醇和水的體積比為1:1。
      [0066] 5、將硫(S)粉溶于濃度為1M的Na2S水溶液中,S與Na2S的摩爾比為1:1,50°C下反應(yīng)1 小時(shí),制備得到多硫電解質(zhì);將厚度為0.3mm的黃銅箱置于濃度為37 %的濃鹽酸中,70°C下 反應(yīng)30分鐘,沖洗、吹干之后再浸入所述多硫電解質(zhì)中,常溫下反應(yīng)5分鐘,再次沖洗、吹干, 即制備得到CU2S對(duì)電極;
      [0067] 6、將步驟4制備的光電極與多硫電解質(zhì)和硫化亞銅對(duì)電極結(jié)合組裝太陽(yáng)能電池, 測(cè)試器件光電轉(zhuǎn)換性能,見(jiàn)表3。
      [0068] 表3基于不同寬帶隙氧化物納米顆粒光電極的太陽(yáng)能電池性能
      [0070]從表3可以看出,基于不同寬帶隙氧化物納米顆粒的光電極對(duì)相應(yīng)太陽(yáng)能電池性 能有較大影響。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 一種可調(diào)諧寬光譜響應(yīng)的復(fù)合量子點(diǎn)敏化光電極的制備方法,其特征在于包括如下 步驟: (1) 將寬帶隙氧化物薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)1~25次,獲得(Pb, Cd)S量子點(diǎn); 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為Pb2+和Cd2+的甲醇溶液,Pb2+和Cd 2+的摩爾比為0.01~100:1,陽(yáng) 離子源前驅(qū)液中Pb2+和Cd2+的總濃度為0.01~1M;所述陰離子源前驅(qū)液為S2^的甲醇和水混 合溶液,其中S 2^的濃度為0.01~IM,甲醇和水的體積比為0.1~10:1; (2) 將步驟(1)獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)1~15次,獲得CdS量子點(diǎn); 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為0.01~IM Cd2+的甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液為S2-的甲醇和 水混合溶液,其中S2^的濃度為0.01~IM,甲醇和水的體積比為0.1~10:1; (3) 將步驟(2)獲得的薄膜依次浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中,為一次 SILAR循環(huán),重復(fù)SILAR循環(huán)1~5次,獲得ZnS量子點(diǎn),即獲得(Pb,Cd)S/CdS/ZnS復(fù)合量子點(diǎn) 敏化光電極; 所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為0.01~IM Zn2+的甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液為S2-的甲醇和 水混合溶液,其中S2^的濃度為0.01~IM,甲醇和水的體積比為0.1~10:1。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于: 步驟(1)中所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為乙酸鉛或硝酸鉛與乙酸鎘或硝酸鎘的甲醇溶液;所 述陰離子源前驅(qū)液為他以的甲醇和水混合溶液。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于: 步驟(1)中每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間 分別控制在1~5分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于: 步驟(2)中所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為乙酸鎘或硝酸鎘的甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液 為Na2S的甲醇和水混合溶液。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于: 步驟(2)中每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間 分別控制在1~5分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于: 步驟(3)中所述陽(yáng)離子源前驅(qū)液為乙酸鋅或硝酸鋅的甲醇溶液;所述陰離子源前驅(qū)液 為Na2S的甲醇和水混合溶液。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于: 步驟(3)中每次SILAR循環(huán)過(guò)程中,浸潤(rùn)在陽(yáng)離子源前驅(qū)液和陰離子源前驅(qū)液中的時(shí)間 分別控制在1~5分鐘,每次浸潤(rùn)后均對(duì)薄膜進(jìn)行甲醇沖洗、空氣吹干。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于: 步驟(1)中所述寬帶隙氧化物薄膜是將10~200nm的寬帶隙氧化物半導(dǎo)體二氧化鈦、氧 化鋅或二氧化錫與粘合劑和造孔劑混合均勻并涂覆在導(dǎo)電玻璃上,在300~500 °C下燒結(jié)30 ~120分鐘,獲得厚度為2~20微米的多孔結(jié)構(gòu)氧化物薄膜。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于: 步驟(1)、( 2)、( 3)中,分別控制陽(yáng)離子源和陰離子源的濃度相同。
      【文檔編號(hào)】H01G9/20GK105957720SQ201610567371
      【公開(kāi)日】2016年9月21日
      【申請(qǐng)日】2016年7月18日
      【發(fā)明人】周儒, 徐進(jìn)章, 吉鳳巍, 萬(wàn)磊, 牛海紅, 毛小麗
      【申請(qǐng)人】合肥工業(yè)大學(xué)
      網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
      • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
      1