垂直基片集成波導(dǎo)及包括該波導(dǎo)的垂直連接結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開垂直基片集成波導(dǎo)及包括該波導(dǎo)的垂直連接結(jié)構(gòu)，包括，介質(zhì)基片以及附著于所述介質(zhì)基片上下表面的金屬層；其中，所述介質(zhì)基片上下表面平行，所述介質(zhì)基片內(nèi)設(shè)有多個垂直于介質(zhì)基片的金屬化通孔，所述上下表面金屬層覆蓋所述金屬化通孔，并刻蝕有相同且上下對應(yīng)的孔縫結(jié)構(gòu)，所述金屬化通孔沿所述孔縫結(jié)構(gòu)圍成閉合結(jié)構(gòu)，所述垂直基片集成波導(dǎo)可實現(xiàn)電磁能量在多層介質(zhì)基片內(nèi)的垂直傳輸。
【專利說明】
垂直基片集成波導(dǎo)及包括該波導(dǎo)的垂直連接結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種集成于介質(zhì)基片的電磁波傳輸結(jié)構(gòu)。更具體地，涉及垂直基片集成波導(dǎo)及包括該波導(dǎo)的垂直連接結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳輸線作為電磁能量的傳輸結(jié)構(gòu)，是微波毫米波電路系統(tǒng)中的重要組成部分。各類金屬波導(dǎo)作為傳輸線結(jié)構(gòu)之一，在微波毫米波頻段具有傳輸損耗低、基本無電磁能量漏泄的優(yōu)點。然而，隨著工作頻率的升高，金屬波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)尺寸將越來越小，由此導(dǎo)致金屬波導(dǎo)對于機械加工精度的要求不斷提高，加工難度和成本也會相應(yīng)增加。另一方面，包括微帶線、帶狀線在內(nèi)的多種平面?zhèn)鬏斁€結(jié)構(gòu)具有可集成于介質(zhì)基片、易于加工實現(xiàn)的優(yōu)點，但在毫米波頻段具有相對較大的傳輸損耗。與以上兩類傳輸線結(jié)構(gòu)相比，基片集成波導(dǎo)具有易于加工制造、可集成于介質(zhì)基片的優(yōu)點，且具有與金屬波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相類似的工作特性，近年來已廣泛用于微波毫米波器件和系統(tǒng)的研究設(shè)計中。
[0003]目前已有的各類基片集成波導(dǎo)傳輸結(jié)構(gòu)均集成于一層或幾層介質(zhì)基片內(nèi)，使得電磁能量在基片集成波導(dǎo)內(nèi)沿著與介質(zhì)基片平行的方向傳播，而采用已有基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，難以實現(xiàn)電磁能量在與介質(zhì)基片垂直的方向上的傳輸，因而不能方便地連接位于不同介質(zhì)基片層內(nèi)的電路器件結(jié)構(gòu)。
[0004]因此，需要提供一種垂直基片集成波導(dǎo)。
[0005]目前已有的各類基片集成波導(dǎo)傳輸結(jié)構(gòu)均集成于一層或幾層介質(zhì)基片內(nèi)，使得電磁能量在基片集成波導(dǎo)內(nèi)沿著與介質(zhì)基片平行的方向傳播，而采用已有基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，難以實現(xiàn)電磁能量在與介質(zhì)基片垂直的方向上的傳輸，因而不能方便地連接位于不同介質(zhì)基片層內(nèi)的電路器件結(jié)構(gòu)。
[0006]在由微帶線、共面波導(dǎo)等平面?zhèn)鬏斁€結(jié)構(gòu)構(gòu)成的多層器件和電路中，通常采用金屬過孔或耦合縫隙等結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)不同層間的垂直連接。然而由于基片集成波導(dǎo)所具有的波導(dǎo)工作模式，采用金屬過孔作為不同層內(nèi)基片集成波導(dǎo)器件或電路間的垂直連接結(jié)構(gòu)，將存在不易于集成實現(xiàn)、工作帶寬較窄等問題，而采用縫隙耦合的方法又僅限于相鄰層間的垂直連接。
[0007]因此需要提供一種適用于多層基片集成波導(dǎo)器件和電路中任意層間垂直連接的結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的一個目的在于提供一種垂直基片集成波導(dǎo)，以實現(xiàn)電磁能量在與介質(zhì)基片垂直的方向上的傳輸。
[0009]本發(fā)明的另一個目的在于提供一種包括該波導(dǎo)的垂直連接結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)不同層間波導(dǎo)的垂直連接。
[0010]為達到上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
[0011]垂直基片集成波導(dǎo)，包括，
[0012]介質(zhì)基片I以及附著于所述介質(zhì)基片I上下表面的金屬層2;其中，所述介質(zhì)基片I上下表面平行；
[0013]所述介質(zhì)基片I內(nèi)設(shè)有多個垂直于介質(zhì)基片I的金屬化通孔4，所述金屬化通孔4圍成閉合結(jié)構(gòu)。
[0014]所述上下表面金屬層2至少覆蓋所述金屬化通孔4，并在所述金屬化通孔4圍成閉合結(jié)構(gòu)范圍內(nèi)刻蝕有上下對應(yīng)的孔縫結(jié)構(gòu)3;
[0015]所述介質(zhì)基片I和金屬層2構(gòu)成單層垂直基片集成波導(dǎo)。
[0016]優(yōu)選的，所述集成波導(dǎo)包括，η個上下重疊放置的單層垂直基片集成波導(dǎo)，所述η個上下重疊放置的單層垂直基片集成波導(dǎo)的孔縫結(jié)構(gòu)3相互對應(yīng);其中，η>1且為正整數(shù)。
[0017]優(yōu)選的，所述金屬層2覆蓋所述介質(zhì)基片I上下表面。
[0018]優(yōu)選的，所述介質(zhì)基片I厚度不大于四分之一介質(zhì)波長，相對介電常數(shù)不大于20，上下表面面積大于垂直于所述介質(zhì)基片的切面面積。
[0019]優(yōu)選的，所述金屬層2厚度不大于0.15mm。
[0020]優(yōu)選的，所述金屬層2為銅。
[0021]優(yōu)選的，所述孔縫結(jié)構(gòu)3為圓形孔、橢圓形孔或等多邊形孔且孔縫結(jié)構(gòu)3的尺寸保證垂直基片波導(dǎo)在所需工作頻帶內(nèi)不處于截止?fàn)顟B(tài)。
[0022]優(yōu)選的，所述金屬化通孔4的直徑小于二十分之一介質(zhì)波長，金屬化通孔4孔間距小于十分之一介質(zhì)波長。
[0023]帶有如上所述垂直基片集成波導(dǎo)的垂直連接結(jié)構(gòu)，還包括，
[0024]第一水平基片集成波導(dǎo)和第二水平基片集成波導(dǎo)；
[0025]所述水平基片集成波導(dǎo)包括水平介質(zhì)基片5、附著于所述水平介質(zhì)基片5上下表面的水平波導(dǎo)金屬層6以及兩排平行設(shè)置的水平波導(dǎo)金屬化通孔7;
[0026]其中，
[0027]所述水平介質(zhì)基片5—端還設(shè)置有短路金屬化通孔8，所述短路金屬化通孔8將所述水平基片集成波導(dǎo)一端短路，所述水平介質(zhì)基片5另一端作為水平基片集成波導(dǎo)輸入或輸出端；
[0028]所述上下表面水平波導(dǎo)金屬層6中的一層刻蝕有水平波導(dǎo)孔縫結(jié)構(gòu)9，所述水平波導(dǎo)孔縫結(jié)構(gòu)9位于兩排平行設(shè)置的金屬化通孔7和短路金屬化通孔8圍成的范圍內(nèi)；
[0029]所述垂直基片集成波導(dǎo)設(shè)置于第一水平基片集成波導(dǎo)上，所述第一水平基片集成波導(dǎo)上設(shè)有孔縫結(jié)構(gòu)9的水平波導(dǎo)金屬層6與所述垂直基片集成波導(dǎo)相連，且兩者孔縫結(jié)構(gòu)9相互匹配；
[0030]所述第二水平基片集成波導(dǎo)設(shè)置于所述垂直基片集成波導(dǎo)上，所述第二水平基片集成波導(dǎo)上設(shè)有孔縫結(jié)構(gòu)9的水平波導(dǎo)金屬層6與所述垂直基片集成波導(dǎo)相連，且兩者的孔縫結(jié)構(gòu)9相互匹配。
[0031]優(yōu)選的，所述第一和第二水平基片集成波導(dǎo)的輸入或輸出端設(shè)置在所述水平垂直集成波導(dǎo)的同一側(cè)或兩側(cè)。
[0032]本發(fā)明的有益效果如下:
[0033]1、可實現(xiàn)電磁能量在多層介質(zhì)基片內(nèi)的垂直傳輸。
[0034]2、可實現(xiàn)位于任意不同介質(zhì)基片層內(nèi)的基片集成波導(dǎo)電路器件間的相互連接。
[0035]3、結(jié)構(gòu)緊湊，集成度高，在各層介質(zhì)基片內(nèi)占用的面積較小。
[0036]4、易于加工實現(xiàn)，整個基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)由金屬層和集成于各基片內(nèi)的金屬化通孔共同實現(xiàn)。
[0037]5、具有良好的傳輸帶寬和低損耗特性。
【附圖說明】
[0038]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細(xì)的說明。
[0039]圖1示出本發(fā)明所述具有9層結(jié)構(gòu)的垂直基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖。
[0040]圖2示出本發(fā)明所述垂直基片集成波導(dǎo)單層結(jié)構(gòu)圖。
[0041 ]圖3示出本發(fā)明所述垂直基片集成波導(dǎo)單層側(cè)面剖視圖。
[0042]圖4示出本發(fā)明所述垂直基片集成波導(dǎo)孔縫結(jié)構(gòu)形狀示意圖。
[0043]圖5示出本發(fā)明所述垂直基片集成波導(dǎo)內(nèi)電場分布設(shè)計結(jié)果。
[0044]圖6示出本發(fā)明所述垂直基片集成波導(dǎo)的S參數(shù)設(shè)計結(jié)果。
[0045]圖7示出本發(fā)明所述垂直連接結(jié)構(gòu)的分層結(jié)構(gòu)圖。
[0046]圖8示出本發(fā)明所述垂直連接結(jié)構(gòu)的三維結(jié)構(gòu)圖。
[0047]圖9示出本發(fā)明所述垂直連接結(jié)構(gòu)的S參數(shù)設(shè)計結(jié)果。
【具體實施方式】
[0048]為了更清楚地說明本發(fā)明，下面結(jié)合優(yōu)選實施例和附圖對本發(fā)明做進一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標(biāo)記進行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的，不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護范圍。
[0049].垂直基片集成波導(dǎo)
[0050]本發(fā)明所述垂直基片集成波導(dǎo)，包括介質(zhì)基片I以及附著于所述介質(zhì)基片I上下表面的金屬層2;其中，所述介質(zhì)基片I上下表面平行;所述介質(zhì)基片I內(nèi)設(shè)有多個垂直于介質(zhì)基片I的金屬化通孔4;所述上下表面金屬層2覆蓋所述金屬化通孔4，并刻蝕有相同且上下對應(yīng)的孔縫結(jié)構(gòu)3;所述金屬化通孔4沿所述孔縫結(jié)構(gòu)3圍成閉合結(jié)構(gòu)。
[0051]所述介質(zhì)基片I和金屬層2構(gòu)成單片垂直基片集成波導(dǎo)。
[0052]此外，所述垂直基片集成波導(dǎo)還可以由η個所述單片垂直基片集成波導(dǎo)組成，所述η個單片垂直基片集成波導(dǎo)上下重疊放置;其中，η為正整數(shù)，相鄰的介質(zhì)基片I共用一個金屬層2。
[0053]所述介質(zhì)基片I上下表面面積和所述金屬層2面積可以相同，也可以不同。
[0054]所述介質(zhì)基片I厚度不大于四分之一介質(zhì)波長，相對介電常數(shù)不大于20，面積大于所述垂直基片集成波導(dǎo)的垂直于所述介質(zhì)基片的豎直橫截面積。
[0055]所述金屬層2厚度不大于0.15mm，材質(zhì)為銅或金，也可以為其他金屬。
[0056]所述孔縫結(jié)構(gòu)3為圓形孔、橢圓形孔或等多邊形孔且其尺寸應(yīng)保證垂直基片波導(dǎo)在所需工作頻帶內(nèi)不處于截止?fàn)顟B(tài)。
[0057]所述金屬化通孔4的直徑小于二十分之一介質(zhì)波長，金屬化通孔4孔間距小于十分之一介質(zhì)波長。
[0058]如圖1所示，當(dāng)η為9時，即所述垂直基片集成波導(dǎo)包括9層上下平行重疊放置的介質(zhì)基片I以及10層附著于所述介質(zhì)基片I上下表面的金屬層2，并且所述金屬層2面積和所述介質(zhì)基片I上下表面積相同。
[0059]如圖2所示，所述介質(zhì)基片I厚度不大于四分之一介質(zhì)波長，介質(zhì)基片I上下表面面積大于垂直于所述介質(zhì)基片I的切面面積，相對介電常數(shù)不大于20，且所述金屬層2為銅或金等常見金屬;當(dāng)所述金屬層2為銅時，厚度不大于4οζ，即0.15_。
[0060]如圖3所示，所述金屬化通孔4的直徑小于二十分之一介質(zhì)波長，金屬化通孔4孔間距小于十分之一波長。
[0061]如圖4所示，所述孔隙結(jié)構(gòu)3可以為圓形孔、橢圓形孔或等多邊形孔，所述孔隙結(jié)構(gòu)3尺寸應(yīng)保證垂直基片波導(dǎo)在所需工作頻帶內(nèi)不處于截止?fàn)顟B(tài)。
[0062]進一步，當(dāng)所述孔縫結(jié)構(gòu)3為圓形孔時，該圓形孔的直徑大小應(yīng)保證垂直基片波導(dǎo)在所需工作頻帶內(nèi)不處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)所述孔縫結(jié)構(gòu)3為橢形孔時，該橢圓形孔的較大直徑大小應(yīng)保證垂直基片波導(dǎo)在所需工作頻帶內(nèi)不處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)所述孔縫結(jié)構(gòu)3為等多邊形時，該等多邊形孔的最大間距大小應(yīng)保證垂直基片波導(dǎo)在所需工作頻帶內(nèi)不處于截止?fàn)顟B(tài)
[0063]〈垂直基片集成波導(dǎo)實施例〉
[0064]本發(fā)明在Ka波段實現(xiàn)了上述垂直基片集成波導(dǎo)設(shè)計。用來構(gòu)成垂直基片集成波導(dǎo)的介質(zhì)基片I厚度為0.787mm，介電常數(shù)為2.2，金屬層2厚度為0.035mm，刻蝕于金屬層上的矩形孔隙結(jié)構(gòu)3尺寸為4.7mm*0.7mm，位于介質(zhì)基片I內(nèi)的金屬化通孔4的直徑為0.4mm，孔徑間距為0.7mm。
[0065]垂直基片集成波導(dǎo)內(nèi)的電場分布結(jié)果如圖5所示，由場分布可以看出該設(shè)計的工作模式為基片集成波導(dǎo)的基模TE10模。
[0066]所設(shè)計的垂直基片集成波導(dǎo)的S參數(shù)結(jié)果如圖6所示，可以看出在整個單模工作頻帶范圍內(nèi)，垂直基片集成波導(dǎo)的I Sn I低于_30dB，同時I S211不大于0.2dB0
[0067].帶有上述垂直基片集成波導(dǎo)的垂直連接結(jié)構(gòu)
[0068]帶有如上述垂直基片集成波導(dǎo)的垂直連接結(jié)構(gòu)，包括，第一水平基片集成波導(dǎo)和第二水平基片集成波導(dǎo)。
[0069]如圖7所示，所述水平基片集成波導(dǎo)包括水平介質(zhì)基片5、附著于所述水平介質(zhì)基片5上下表面的水平波導(dǎo)金屬層6以及兩排平行設(shè)置的水平波導(dǎo)金屬化通孔7;其中，所述介質(zhì)基片一端還設(shè)置有短路金屬化通孔8，所述短路金屬化通孔8將所述水平基片集成波導(dǎo)一端短路，另一端作為輸入或輸出端;所述上下表面水平波導(dǎo)金屬層6中的一層刻蝕有水平波導(dǎo)孔縫結(jié)構(gòu)9，所述水平波導(dǎo)孔縫結(jié)構(gòu)9位于兩排平行設(shè)置的金屬化通孔7和短路金屬化通孔8圍成的范圍內(nèi)。
[0070]所述垂直基片集成波導(dǎo)設(shè)置于第一水平基片集成波導(dǎo)上，所述第一水平基片集成波導(dǎo)上設(shè)有水平波導(dǎo)孔縫結(jié)構(gòu)9的水平波導(dǎo)金屬層與所述垂直基片集成波導(dǎo)相連，兩者孔縫結(jié)構(gòu)相互匹配;所述第二水平基片集成波導(dǎo)設(shè)置于所述垂直基片集成波導(dǎo)上，其設(shè)有水平波導(dǎo)孔縫結(jié)構(gòu)9的水平波導(dǎo)金屬層與所述垂直基片集成波導(dǎo)相連且兩者的孔縫結(jié)構(gòu)9相互匹配。
[0071]所述第一和第二水平基片集成波導(dǎo)的輸入或輸出端設(shè)置在所述水平垂直集成波導(dǎo)的同一側(cè)或兩側(cè)。
[0072]〈垂直連接結(jié)構(gòu)實施例〉
[0073]如圖9所示，本發(fā)明在Ka波段實現(xiàn)了上述基片集成波導(dǎo)垂直連接設(shè)計。用來構(gòu)成該設(shè)計的介質(zhì)基片厚度為0.787mm，介電常數(shù)為2.2，金屬層厚度為0.035mm，位于水平方向基片集成波導(dǎo)的寬度為4.98mm，刻蝕于上表面的矩形縫隙尺寸為4.7mm*0.43mm，組成連接結(jié)構(gòu)垂直部分的各介質(zhì)層上下表面金屬層上刻蝕的矩形縫隙尺寸為4.7mm*0.7mm，位于各介質(zhì)基片內(nèi)的金屬化通孔的直徑為0.4mm，孔徑間距為0.7_。所設(shè)計的基片集成波導(dǎo)垂直連接結(jié)構(gòu)的S參數(shù)結(jié)果如圖5所示，可以看出該設(shè)計在22.5GHz至40GHz頻帶范圍內(nèi)|Sn I低于-20dB,同時插入損耗I S211不大于0.2dB。
[0074]顯然，本發(fā)明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對本發(fā)明的實施方式的限定，對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動，這里無法對所有的實施方式予以窮舉，凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護范圍之列。
【主權(quán)項】
1.垂直基片集成波導(dǎo)，其特征在于，包括， 介質(zhì)基片(I)以及附著于所述介質(zhì)基片(I)上下表面的金屬層(2);其中，所述介質(zhì)基片(I)上下表面平行； 所述介質(zhì)基片(I)內(nèi)設(shè)有多個垂直于介質(zhì)基片(I)的金屬化通孔(4)，所述金屬化通孔(4)圍成閉合結(jié)構(gòu)。 所述上下表面金屬層(2)至少覆蓋所述金屬化通孔(4)，并在所述金屬化通孔(4)圍成閉合結(jié)構(gòu)范圍內(nèi)刻蝕有上下對應(yīng)的孔縫結(jié)構(gòu)(3); 所述介質(zhì)基片(I)和金屬層(2)構(gòu)成單層垂直基片集成波導(dǎo)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述集成波導(dǎo)，其特征在于，所述集成波導(dǎo)包括， η個上下重疊放置的單層垂直基片集成波導(dǎo)，所述η個上下重疊放置的單層垂直基片集成波導(dǎo)的孔縫結(jié)構(gòu)(3)相互對應(yīng);其中，η>1且為正整數(shù)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述集成波導(dǎo)，其特征在于，所述金屬層(2)覆蓋所述介質(zhì)基片(I)上下表面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述集成波導(dǎo)，其特征在于，所述介質(zhì)基片(I)厚度不大于四分之一介質(zhì)波長，相對介電常數(shù)不大于20，上下表面面積大于垂直于所述介質(zhì)基片的切面面積。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述集成波導(dǎo)，其特征在于，所述金屬層(2)厚度不大于0.15mm。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述集成波導(dǎo)，其特征在于，所述金屬層(2)為銅。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述集成波導(dǎo)，其特征在于，所述孔縫結(jié)構(gòu)(3)為圓形孔、橢圓形孔或等多邊形孔且孔縫結(jié)構(gòu)(3)的尺寸保證垂直基片波導(dǎo)在所需工作頻帶內(nèi)不處于截止?fàn)顟B(tài)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述集成波導(dǎo)，其特征在于，所述金屬化通孔(4)的直徑小于二十分之一介質(zhì)波長，金屬化通孔(4)孔間距小于十分之一介質(zhì)波長。9.帶有如權(quán)利要求1-8任意一項所述垂直基片集成波導(dǎo)的垂直連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括， 第一水平基片集成波導(dǎo)和第二水平基片集成波導(dǎo)； 所述水平基片集成波導(dǎo)包括水平介質(zhì)基片(5)、附著于所述水平介質(zhì)基片(5)上下表面的水平波導(dǎo)金屬層(6)以及兩排平行設(shè)置的水平波導(dǎo)金屬化通孔(7); 其中， 所述水平介質(zhì)基片(5) —端還設(shè)置有短路金屬化通孔(8)，所述短路金屬化通孔(8)將所述水平基片集成波導(dǎo)一端短路，所述水平介質(zhì)基片(5)另一端作為水平基片集成波導(dǎo)輸入或輸出端； 所述上下表面水平波導(dǎo)金屬層(6)中的一層刻蝕有水平波導(dǎo)孔縫結(jié)構(gòu)(9)，所述水平波導(dǎo)孔縫結(jié)構(gòu)(9)位于兩排平行設(shè)置的金屬化通孔(7)和短路金屬化通孔(8)圍成的范圍內(nèi)； 所述垂直基片集成波導(dǎo)設(shè)置于第一水平基片集成波導(dǎo)上，所述第一水平基片集成波導(dǎo)上設(shè)有孔縫結(jié)構(gòu)(9)的水平波導(dǎo)金屬層(6)與所述垂直基片集成波導(dǎo)相連，且兩者孔縫結(jié)構(gòu)(9)相互匹配； 所述第二水平基片集成波導(dǎo)設(shè)置于所述垂直基片集成波導(dǎo)上，所述第二水平基片集成波導(dǎo)上設(shè)有孔縫結(jié)構(gòu)(9)的水平波導(dǎo)金屬層(6)與所述垂直基片集成波導(dǎo)相連，且兩者的孔縫結(jié)構(gòu)(9)相互匹配。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述垂直連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一和第二水平基片集成波導(dǎo)的輸入或輸出端設(shè)置在所述水平垂直集成波導(dǎo)的同一側(cè)或兩側(cè)。
【文檔編號】H01P3/02GK105958167SQ201610514786
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年7月1日
【發(fā)明人】李雨鍵, 王均宏, 陳美娥, 張展, 李錚
【申請人】北京交通大學(xué)