低剖面lte定向天線的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及天線技術領域，尤其涉及低剖面LTE定向天線，包括第一矩形金屬片、第二矩形金屬片、第三矩形金屬片、第四矩形金屬片、金屬柱、小介質基板、大介質基板和反射地板。本發(fā)明通過金屬柱給矩形金屬片饋電結合矩形金屬片耦合的方式饋電，在獲得高的天線極化純度的同時，通過第一矩形金屬片、第二矩形金屬片和第三矩形金屬片之間的耦合，使得低剖面LTE定向天線工作在多個頻段，設計靈活，應用廣泛。
【專利說明】
低剖面LTE定向天線
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及天線技術領域，尤其涉及低剖面LTE定向天線。【背景技術】
[0002]隨著通信技術的發(fā)展，4G技術越來越普及，覆蓋范圍越來越廣，隨之增加的是運營商對于各種能夠補盲、增強4G體驗的小型設備的需求。能夠適應不同運營商工作頻段的多頻段小型化設備越來越受到歡迎，這對寬帶小型化天線的設計提出了巨大的挑戰(zhàn)。
[0003]傳統(tǒng)的倒F天線通過增加饋電點與接地點的數量以及增加縫隙的數量來實現天線的多頻段工作，但是倒F天線的工作頻帶寬度在一定的高度下相對來說比較窄，為了達到工作頻寬，勢必需要增加高度，在移動終端設備小型化的趨勢下，已越來越不適應發(fā)展需求。 單極類的天線通過增加諧振枝節(jié)的方式能夠實現多頻段的功能，但是往往不是定向天線。
[0004]對于目前的市場趨勢，需要在特定的尺寸內完成多頻段的天線設計，同時還要滿足定向輻射，高隔離等一系列的要求，靠傳統(tǒng)移動終端中天線設計的方案不能滿足新的應用需求，因此天線的設計成為通信技術中的一個難題。
【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的是克服現有技術存在的缺陷，提供一種可以工作在多個頻段的低剖面LTE定向天線。
[0006]實現本發(fā)明目的的技術方案是:低剖面LTE定向天線，包括第一矩形金屬片、第二矩形金屬片、第三矩形金屬片、第四矩形金屬片、金屬柱、小介質基板、大介質基板和反射地板，第一矩形金屬片設置在小介質基板的上表面，第二矩形金屬片、第三矩形金屬片和第四矩形金屬片均設置在小介質基板的下表面，大介質基板設置在反射地板的上表面，第二矩形金屬片、第三矩形金屬片和第四矩形金屬片均設置在小介質基板和大介質基板之間，第四矩形金屬片和反射地板通過金屬柱連接，通過金屬柱給第四矩形金屬片饋電。
[0007]作為本發(fā)明的優(yōu)化方案，第二矩形金屬片和第三矩形金屬片是寄生貼片。
[0008]作為本發(fā)明的優(yōu)化方案，金屬柱為同軸空心金屬柱，金屬柱的饋點在金屬柱的內芯的底端。
[0009]作為本發(fā)明的優(yōu)化方案，通過改變小介質基板和大介質基板的厚度比，實現對所述低剖面LTE定向天線工作頻比的控制。
[0010]本發(fā)明具有積極的效果:1)本發(fā)明通過金屬柱給矩形金屬片饋電結合矩形金屬片耦合的方式饋電，在獲得高的天線極化純度的同時，通過第一矩形金屬片、第二矩形金屬片和第三矩形金屬片之間的耦合，使得低剖面LTE定向天線工作在多個頻段，設計靈活，應用廣泛；
[0011]2)本發(fā)明通過改變大介質基板和小介質基板的厚度比，實現了對低剖面LTE定向天線工作頻比的控制；
[0012]3)本發(fā)明在低剖面的約束條件下實現了定向輻射；
[0013]4)本發(fā)明具有較高的極化純度，低剖面LTE定向天線之間具有極高的隔離度?！靖綀D說明】
[0014]為了使本發(fā)明的內容更容易被清楚地理解，下面根據具體實施例并結合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，其中:
[0015]圖1是本發(fā)明的局部結構圖；
[0016]圖2是本發(fā)明的整體結構圖；
[0017]圖3是本發(fā)明的回波損耗曲線圖；[〇〇18]圖4是本發(fā)明的隔離度曲線圖。[〇〇19]其中，1、第一矩形金屬片，2、第二矩形金屬片，3、第三矩形金屬片，4、第四矩形金屬片，5、金屬柱，6、小介質基板，7、大介質基板，8、反射地板，51、金屬柱的內芯?！揪唧w實施方式】
[0020]如圖1-3所示，本發(fā)明公開了低剖面LTE定向天線，包括第一矩形金屬片1、第二矩形金屬片2、第三矩形金屬片3、第四矩形金屬片4、金屬柱5、小介質基板6、大介質基板7和反射地板8,第一矩形金屬片1設置在小介質基板6的上表面，第二矩形金屬片2、第三矩形金屬片3和第四矩形金屬片4均設置在小介質基板6的下表面，大介質基板7設置在反射地板8的上表面，第二矩形金屬片2、第三矩形金屬片3和第四矩形金屬片4均設置在小介質基板6和大介質基板7之間，第四矩形金屬片4和反射地板8通過金屬柱5連接，通過金屬柱5給第四矩形金屬片4饋電。再通過非共面的第一矩形金屬片1、第二矩形金屬片2和第三矩形金屬片3 之間的耦合使低剖面LTE定向天線工作在多個頻段。通過改變小介質基板6和大介質基板7 的厚度比，實現對低剖面LTE定向天線工作頻比的控制。[〇〇21]第二矩形金屬片2和第三矩形金屬片3是寄生貼片。第二矩形金屬片2和第三矩形金屬片3通過與第一矩形金屬片1之間的耦合，達到了低剖面LTE定向天線多頻道的目的，使得低剖面LTE定向天線工作在LTE的F頻段、E頻段和D頻段。
[0022]金屬柱5為同軸空心金屬柱，金屬柱5的饋點在金屬柱的內芯51的底端，低剖面LTE 定向天線采用同軸饋電加矩形金屬片耦合的激勵方式饋電，有效的展寬了帶寬。
[0023]如圖 3-4 所示，經過實物測試，在 1880-1920MHz，2290-2415MHz，2555-2685MHz 頻率范圍內回波損耗小于-10dB，覆蓋LTE的F、E和D頻段，隔離度大于55dB。
[0024]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.低剖面LTE定向天線，其特征在于:包括第一矩形金屬片(1)、第二矩形金屬片(2)、第 三矩形金屬片(3)、第四矩形金屬片(4)、金屬柱(5)、小介質基板(6)、大介質基板(7)和反射 地板(8)，所述的第一矩形金屬片(1)設置在小介質基板(6)的上表面，所述的第二矩形金屬 片(2)、第三矩形金屬片(3)和第四矩形金屬片(4)均設置在小介質基板(6)的下表面，所述 的大介質基板(7)設置在反射地板(8)的上表面，所述的第二矩形金屬片(2)、第三矩形金屬 片(3)和第四矩形金屬片(4)均設置在小介質基板(6)和大介質基板(7)之間，所述的第四矩 形金屬片(4)和反射地板(8)通過金屬柱(5)連接，通過金屬柱(5)給第四矩形金屬片(4)饋 電。2.根據權利要求1所述的低剖面LTE定向天線，其特征在于:所述的第二矩形金屬片(2) 和第二矩形金屬片(3)是寄生貼片。3.根據權利要求1所述的低剖面LTE定向天線，其特征在于:所述的金屬柱(5)為同軸空 心金屬柱，金屬柱(5)的饋點在金屬柱的內芯(51)的底端。4.根據權利要求1所述的低剖面LTE定向天線，其特征在于:通過改變小介質基板(6)和 大介質基板(7)的厚度比，實現對低剖面LTE定向天線工作頻比的控制。
【文檔編號】H01Q1/50GK105958193SQ201610375199
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年5月31日
【發(fā)明人】陳平, 童好娉, 朱曉維, 蒯振起, 張彥
【申請人】南京濠暻通訊科技有限公司