采用單向加熱的使用鋼化玻璃的基板翹曲控制的制作方法
【專利摘要】一種方法，包括將集成電路封裝基板固定在第一和第二支撐基板之間；將被固定住的封裝基板從單一方向暴露于熱源；以及改變所述封裝基板的形狀。一種裝置，包括第一和第二支撐基板，第一支撐基板包括是封裝基板第一面的面積的75％至95％的二維面積，而第二支撐基板包括是與封裝基板的面積至少相等的二維面積，并且第一支撐基板和第二支撐基板都包括其中具有腔的主體，從而使得在被組裝于封裝基板相對的面上時，每個腔具有使得支撐基板的主體不與封裝基板的區(qū)域接觸的容積尺寸。
【專利說明】采用單向加熱的使用鋼化玻璃的基板翹曲控制
[0001 ] 背景
[0002]題堡
[0003]集成電路封裝基板。
[0004]相關(guān)技術(shù)說明
[0005]集成電路封裝的封裝為集成電路提供許多功能，包括輸送電力至芯片、向和從芯片傳輸信息、散熱以及保護(hù)芯片免受物理和/或環(huán)境的損壞。到了封裝基板被損壞或有缺陷的程度，那么這些功能中的一個或多個可能受到影響。
[0006]典型的芯片封裝基板包括具有目前大約400微米(μπι)數(shù)量級及以下厚度的樹脂材料的芯基板。諸如ABF之類的介電材料的構(gòu)建層隔絕連接至封裝基板的用于連接集成電路芯片的表面(封裝基板的器件側(cè))上的接觸點(diǎn)的導(dǎo)電布線層，且隔絕代表性地連接至封裝基板的用于諸如電阻器和電容器之類的無源器件的背側(cè)上的接觸點(diǎn)和連接至封裝基板的相反側(cè)上的用于將封裝基板連接至諸如印刷電路板之類的另一基板的接觸點(diǎn)的布線層。
[0007]在封裝基板制造期間，封裝基板會經(jīng)歷翹曲。在封裝基板設(shè)備側(cè)邊上的過度凸面翹曲(向外彎曲)在連接芯片至基板的回流焊期間可能導(dǎo)致開路焊點(diǎn)失效。隨著基板芯變得更薄，對于翹曲的考慮不斷提升。
【附圖說明】
[0008]圖1示出了組件的示意性側(cè)視圖，該組件包括被置于第一支撐基板和第二支撐基板之間的封裝基板。
[0009]圖2示出了圖1組件的頂視圖。
[0010]圖3示出了被置于回流爐中的圖1的組件。
[0011]圖4是包括裝入于封裝基板中的微處理器的移動計(jì)算機(jī)。
[0012]圖5示出了計(jì)算設(shè)備的實(shí)施例。
[0013]詳細(xì)說明
[0014]在一個實(shí)施例中，描述了一種能夠降低諸如封裝基板之類的基板的動態(tài)和靜態(tài)翹曲的方法。有代表性地，方法包括在第一支撐基板和第二支撐基板之間固定集成電路封裝基板。固定住的封裝基板從單一方向被暴露至熱源。這樣的單向熱暴露往往會改變封裝基板的形狀。具有隨機(jī)形狀、馬鞍形狀或大致外凸形狀的封裝基板的器件側(cè)表面可被改變?yōu)榇笾缕秸蛏詢?nèi)凹的形狀以改善連接至其的集成電路芯片的連接。類似的，具有大致平整表面的封裝基板的器件側(cè)表面可相似地被改變?yōu)樯詢?nèi)凹的形狀以改善連接至其的芯片的連接。在一個實(shí)施例中，還描述了可用于支撐封裝基板以用于單向熱處理的組件。
[0015]圖1示出了組件的實(shí)施例。組件100包括置于第一支撐基板和第二支撐基板之間的集成電路封裝基板。在一個實(shí)施例中，封裝基板110包括具有大約400μπι及以下數(shù)量級厚度的樹脂材料芯，每攝氏度百萬分之(ppm)五至七的熱膨脹系數(shù)，2950C TMA/260°C DMA的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)，以及室溫下32千兆帕斯卡(GPA)和高溫下19GPA的楊氏模量。在器件側(cè)(器件側(cè)115)上覆蓋封裝基板芯的是由介電材料(例如，ABF)絕緣的一個或多個布線層。這些布線層被連接至封裝基板的表面上的接觸點(diǎn)120，接觸點(diǎn)120用于集成電路芯片或管芯至封裝基板110的連接。在一個實(shí)施例中，被置于接觸點(diǎn)120上的是例如，無鉛焊料合金，諸如錫合金的焊球。在器件側(cè)相反側(cè)(背側(cè))上覆蓋芯的是由介電材料(例如，ABF)絕緣的一個或多個布線層。這些布線層被連接至封裝基板的表面上的接觸點(diǎn)130，接觸點(diǎn)130用于諸如電容和/或電阻的一個或多個無源器件的連接。圖1示出了封裝基板110背側(cè)117上的接觸點(diǎn)130和通過例如接觸點(diǎn)130和器件135之間的焊錫膏(通過表面貼裝技術(shù)工藝)連接至接觸點(diǎn)130的無源器件135。在一實(shí)施例中，在核心背側(cè)的這些布線層也被連接至被置于封裝基板背側(cè)117上的引腳格柵陣列，以連接封裝基板至諸如印刷電路板之類的另一基板。
[0016]組件100示出了被置于第一支撐基板150和第二支撐基板160之間的封裝基板110。如所示，在該實(shí)施例中，第一支撐基板150位于封裝基板110的器件側(cè)115上，而支撐基板160被置于基板的背側(cè)117上。參照支撐基板150，在一個實(shí)施例中，支撐基板150由具有熱膨脹系數(shù)小于封裝基板110的芯的熱膨脹系數(shù)的材料形成。在一個實(shí)施例中，適合的材料是鋼化玻璃，其具有小于5ppm/K數(shù)量級的熱膨脹系數(shù)。在一個實(shí)施例中，支撐基板150的主體具有厚度，t，用以承受封裝基板110的重量。
[0017]在一個實(shí)施例中，組件100的第一支撐基板150的二維面積小于基板110的二維面積。圖2示出了圖1的組件100的頂視圖，并且示出了具有長度，I，和寬度，w的第一支撐基板150，界定了第一支撐基板150的二維面積。在一個實(shí)施例中，第一支撐基板150的二維面積是由長度L和寬度W界定的封裝基板110的二維面積的75 %至90 %。
[0018]再次參照圖1，在一個實(shí)施例中，第一支撐基板150包括具有足以避免與接觸點(diǎn)120和/或這些接觸點(diǎn)上的焊球125接觸的深度Cl1的腔155。在一實(shí)施例中，深度，Cl1等于最大的焊球高度。在一個實(shí)施例中，腔155相對于器件側(cè)115表面的二維面積被限制以包圍接觸點(diǎn)120/焊球125的陣列。在另一實(shí)施例中，腔155的二維面積可比用于包圍陣列的面積更大。
[0019]被置于圖1中組件100的封裝基板110的背側(cè)117的是第二支撐基板160。在一個實(shí)施例中，第二支撐基板160具有長度和寬度以界定至少與基板110的二維面積相等的二維面積。有代表性地，在一個實(shí)施例中，第二支撐基板160是與用于第一支撐基板150的材料相類似的材料。第二支撐基板160是具有熱膨脹系數(shù)小于封裝基板110的芯材料的熱膨脹系數(shù)的材料。第二支撐基板160具有一主體，其具有厚度t2，在一實(shí)施例中，該厚度被選擇以承受封裝基板110的重量。在一個實(shí)施例中，第二支撐基板160具有形成于其中的腔165。腔165具有由深度，d2，界定的體積，該深度足以避免與接觸點(diǎn)130和封裝基板110的背側(cè)117上任何無源器件或引腳接觸。在一實(shí)施例中，腔165具有深度，d2，其等于接觸點(diǎn)130上無源器件的厚度加上器件135間隙，該間隙在50?100微米的典型范圍內(nèi)。
[0020]在一實(shí)施例中，其中，第一支撐基板150和第二支撐基板160分別都是鋼化玻璃，在一個實(shí)施例中，該鋼化玻璃被拋光以避免支撐基板與封裝基板110接觸時的任何按壓標(biāo)記。在一個實(shí)施例中，與基板110接觸的第一支撐基板150和第二支撐基板160的表面具有小于五微米的翹曲率/粗糙度。
[0021 ]封裝基板翹曲的典型考量是，當(dāng)從器件側(cè)觀察時封裝基板的形狀是外凸的，從而使得封裝的側(cè)邊向外延伸。在這樣的事例中，封裝基板器件側(cè)(器件側(cè)115)上的接觸點(diǎn)(接觸點(diǎn)120)的陣列是不共面的。參照圖1，其中封裝基板110的器件側(cè)115面朝上方，如組件100的分解插圖中所示，封裝基板的外凸形狀意味著接觸點(diǎn)陣列的外圍上的接觸點(diǎn)會在陣列中央的接觸點(diǎn)的平面低(低的接觸點(diǎn)更接近封裝基板的中點(diǎn))。由于封裝基板的接觸點(diǎn)(特別是陣列外圍的接觸點(diǎn))和將要與其附連的管芯或芯片的對應(yīng)接觸點(diǎn)之間增大的距離，外凸的形狀可能導(dǎo)致封裝基板器件側(cè)上的開路焊點(diǎn)。在一個實(shí)施例中，需要產(chǎn)生具有無翹曲形狀的封裝基板(所有接觸點(diǎn)120共面或零外凸翹曲)。在另一實(shí)施例中，具有以下封裝基板是可接受的，其中封裝基板的器件側(cè)在內(nèi)凹方向上具有至多30微米翹曲的內(nèi)凹形狀。一旦管芯附連至具有稍內(nèi)凹形狀(例如，至多30μπι內(nèi)凹)的器件側(cè)的封裝基板的器件側(cè)，封裝基板往往會朝著最小翹曲的方向改變其形狀。
[0022]圖3示出了被倒轉(zhuǎn)并置于回流爐中的圖1組件。在一個實(shí)施例中，熱爐200具有熱源205以在一個方向上引導(dǎo)熱(如所見向下)。圖3示出了置于夾具210中的組件100，該夾具例如是具有支持其內(nèi)部組件100尺寸的鋁夾具。圖3還示出了具有用以施加壓力至組件100的對臂的鉗子。
[0023]在一個實(shí)施例中，封裝基板110具有包括相對于器件側(cè)115外凸翹曲的形狀。由于封裝基板被放置在支撐基板之間，該翹曲在圖1或圖3中并不明顯。參照圖3，熱爐200中的基板110往往具有面朝上朝向熱源205的相對側(cè)邊。將封裝基板110放置于熱爐200中，并從一個方向(如所見朝向背側(cè)117)將熱爐加熱，熱往往在一個側(cè)邊直接接觸基板110，在這種情況下是背側(cè)117，并使得該側(cè)邊相對于器件側(cè)115膨脹。封裝基板110的形狀將往往會從加熱側(cè)向外翹曲的意義上被改變(在由箭頭250所指的方向上)。由于第一支撐基板150的二維面積小于封裝基板110的二維面積，且該差別產(chǎn)生了支撐基板和夾具210之間的間隙225，故有助于上述改變。這樣，通過采用單向加熱，形狀可在一個方向上被改變，而相對于封裝基板110器件側(cè)115的外凸形狀能向著零至30微米內(nèi)凹的目標(biāo)改變。
[0024]在一個實(shí)施例中，一種方法包括將置于支撐基板之間的封裝基板110暴露至來自熱源205的熱，該熱源在高于封裝基板上焊塊125的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度但低于焊塊125熔點(diǎn)的溫度上提供一個方向或單一方向的加熱。有代表性地，適合的溫度是在180°C至200°C的數(shù)量級上。在另一實(shí)施例中，適合的溫度范圍是在180°C至250°C的數(shù)量級上。采用250°C數(shù)量級上的溫度允許在封裝基板110的背側(cè)117上連接的無源器件135進(jìn)行一次回流過程。有代表性地，暴露至一個方向的加熱可持續(xù)足以改變封裝基板形狀的時間長度。合適的改變是在封裝基板110的器件側(cè)115上實(shí)現(xiàn)零翹曲(大致平整)至30微米內(nèi)凹形狀的改變。合適的時間長度是一分鐘至30分鐘數(shù)量級的。
[0025]在一個實(shí)施例中，為了阻止與封裝基板110相關(guān)聯(lián)的接觸點(diǎn)或焊接材料的氧化，將封裝基板110暴露至熱源是在其中最少氧氣的環(huán)境中完成的。有代表性地，熱爐200可包括被連接至其的氮?dú)庠?。在一個實(shí)施例中，氮?dú)庠?30被用以通過導(dǎo)管235將氮?dú)庖胫翢釥t200中。在一個實(shí)施例中，將封裝基板暴露至熱源的方法在氮?dú)馇疑儆诎偃f分之100氧氣的環(huán)境中完成。緊跟著使封裝基板暴露至熱源之后，可從熱爐200、夾具210和支撐基板中移除封裝基板。
[0026]所描述的采用一個方向(單一方向)加熱支撐基板之間的基板的方法允許了具有一致可接受平整度(和平面共面性)的封裝基板或具有最小凹度(例如，30μπι或更少)的器件側(cè)表面的生產(chǎn)。方法可用于由于具有不可接受的翹曲(例如，在封裝基板的器件側(cè)上過度外凸的形狀)而被認(rèn)為非可用的基板，或可用作形成封裝基板的常規(guī)實(shí)現(xiàn)以分別一致性地實(shí)現(xiàn)所需的平整度或具有微小內(nèi)凹形狀(例如，零至30微米內(nèi)凹形狀)的器件側(cè)。
[0027]圖4示出了計(jì)算機(jī)組件的實(shí)施例，在該實(shí)施例中，是移動計(jì)算機(jī)。置于計(jì)算機(jī)組件300中的是被連接至封裝的微處理器，而封裝被連接至印刷電路板。參照圖4，微處理器305被連接至封裝基板310。封裝基板310通過例如在其背側(cè)上的引腳格柵陣列被連接至印刷電路板325。在一個實(shí)施例中，封裝基板310的器件側(cè)根據(jù)以上所描述的方法被準(zhǔn)備，從而使得裝配的封裝(封裝基板310和微處理器305)呈大致平面，使得微處理器305和封裝基板之間的焊接落實(shí)。
[0028]圖5示出了根據(jù)一個實(shí)現(xiàn)的計(jì)算設(shè)備400。計(jì)算設(shè)備400容納有板402。板402可包括數(shù)個元件，包括但不限于處理器404和至少一個通信芯片406。處理器404被物理及電氣地耦合至板402。在一些實(shí)現(xiàn)中，至少一個通信芯片406也被物理及電氣地耦合至板402。在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)中，通信芯片406是處理器404的一部分。
[0029]根據(jù)其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備400可包括其他元件，所述其他元件可以或可以不物理及電氣地連接至板402。這些其他元件包括，但不限于，易失性存儲器(例如DRAM)、非易失性存儲器(例如R0M)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編解碼器、視頻編解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、攝像機(jī)以及大容量存儲設(shè)備(諸如硬盤驅(qū)動器、光盤(⑶)、數(shù)字多功能盤(DVD)等)。
[0030]通信芯片406實(shí)現(xiàn)對于去往和來自計(jì)算設(shè)備400的數(shù)據(jù)傳輸?shù)臒o線通信。術(shù)語“無線”及其衍生詞可被用于描述可通過使用調(diào)制的電磁輻射經(jīng)由非實(shí)體介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信通道等。該術(shù)語并不表示相關(guān)設(shè)備不含有任何導(dǎo)線，盡管在一些實(shí)施例中，它們可能沒有。通信芯片606可實(shí)現(xiàn)多種無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任一種，包括但不限于W1-Fi (IEEE 802.11系列)、WiMAX( IEEE 802.16系列)、IEEE802.20、長期演進(jìn)(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙、其衍生，以及被指定為3G、4G、5G等的任何其他無線協(xié)議。計(jì)算設(shè)備400可包括多個通信芯片406。例如，第一通信芯片406可專用于短距離無線通信，例如W1-Fi和藍(lán)牙，而第二通信芯片406可專用于長距離無線通信，例如 GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO 等。
[0031]計(jì)算設(shè)備400的處理器404包括封裝在處理器404中的集成電路管芯。在一些實(shí)現(xiàn)中，以如上所述的方式使用如上所述的包括使封裝被暴露至如上所述的單向熱源的封裝技術(shù)。術(shù)語“處理器”可指任何設(shè)備或設(shè)備的一部分，其處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成其他可被儲存在寄存器和/或存儲器中的電子數(shù)據(jù)。
[0032]通信芯片406還包括封裝在通信芯片406中的集成電路管芯。根據(jù)另一實(shí)現(xiàn)，以如上所述的方式使用如上所述的包括使封裝被暴露至如上所述的單向熱源的封裝技術(shù)。
[0033]在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)中，收納于計(jì)算設(shè)備400中的另一元件可包含按照以如上所述的方式包括如上所述的使封裝被暴露至如上所述的單向熱源的封裝技術(shù)的集成電路管芯。
[0034]在不同的實(shí)現(xiàn)中，計(jì)算設(shè)備400可以是手提計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、超級本、智能手機(jī)、平板、個人數(shù)字助理(PDA)、超級移動PC、移動電話、臺式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂播放器、或數(shù)字錄像機(jī)。在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)中，計(jì)算設(shè)備400可以是任何其他處理數(shù)據(jù)的電子設(shè)備。
[0035]實(shí)例
[0036]示例I是一種方法，包括將集成電路封裝基板固定在第一支撐基板和第二支撐基板之間;將被固定的封裝基板從單一方向暴露至熱源；以及改變封裝基板的形狀。
[0037]在示例2中，示例I方法中的封裝基板包括第一面，該第一面包括二維面積，且第一支撐基板被固定至封裝基板的第一面，該第一支撐基板包括是封裝基板的第一面的面積的75%至95%的二維面積。
[0038]在示例3中，示例2方法中的熱源的單一方向是封裝基板第一面的面上的一個方向。
[0039]在示例4中，示例2方法中的第二支撐基板包括至少等于封裝基板面積的二維面積。
[0040]在示例5中，示例I方法中的第一支撐基板的材料和第二支撐基板的材料是鋼化玻璃。
[0041 ]在示例6中，示例5方法中的鋼化玻璃是被拋光的。
[0042]在示例7中，示例I方法中的封裝基板的第一面包括管芯區(qū)域，并且在改變形狀之前，封裝基板的第一面具有外凸的形狀。
[0043]在示例8中，示例7方法中的改變形狀包括將封裝基板的第一面的外凸形狀改變?yōu)閮?nèi)凹形狀。
[0044]在示例9中，示例I或2任一項(xiàng)方法中的封裝基板包括暴露的焊料，并且方法還包括將被固定的封裝基板在減少氧氣的環(huán)境中暴露至熱源。
[0045]在示例1中，示例I或2任一項(xiàng)方法中的熱源包括具有180 °C至250 °C溫度的熱源。
[0046]在示例11中，在將被固定的封裝基板暴露至熱源之前，示例10的方法包括將焊錫膏引入在封裝基板的表面上，并將被固定的封裝基板暴露至熱源，包括暴露至適于回流焊錫膏的溫度的熱源。
[0047]在示例12中，封裝基板通過示例I或2方法中的任一項(xiàng)制成。
[0048]示例13是一種方法，包括在第一支撐基板和第二支撐基板之間固定集成電路封裝基板，其中，在隨后的管芯附著工藝中，所述封裝基板被配置以接受集成電路管芯，并且所述第一支撐基板和所述第二支撐基板中的每一個包括鋼化玻璃;將被固定的封裝基板以正交于所述封裝基板表面的單一方向暴露于熱源；以及改變封裝基板的形狀。
[0049]在示例14中，示例13方法中的封裝基板包括第一面，該第一面包括二維面積，且第一支撐基板被固定至封裝基板的第一面，該第一支撐基板包括是封裝基板的第一面的面積的75 %至95 %的二維面積。
[0050]在示例15中，示例14方法中的熱源的單一方向是封裝基板第一面的面上的一個方向。
[0051]在示例16中，示例14方法中的第二支撐基板包括至少等于封裝基板面積的二維面積。
[0052]在示例17中，示例13方法中的封裝基板的第一面包括管芯區(qū)域，并且在改變形狀之前，封裝基板的第一面具有外凸的形狀。
[0053]在示例18中，示例12方法中的改變形狀包括將封裝基板的第一面的外凸形狀改變?yōu)閮?nèi)凹形狀。
[0054]在示例19中，通過示例13或14方法中的任一項(xiàng)制成的封裝基板。
[0055]示例20是一種裝置，包括第一支撐基板和第二支撐基板各自包括具有熱膨脹系數(shù)小于集成電路封裝基板材料的熱膨脹系數(shù)的材料，第一支撐基板包括是封裝基板第一面的面積的75 %至95 %的二維面積，而第二支撐基板包括與封裝基板的面積至少相等的二維面積，并且第一支撐基板和第二支撐基板都包括其中具有腔的主體，從而使得在被組裝于封裝基板相對的面上時，每個腔具有使得支撐基板的主體不與封裝基板的有源區(qū)域接觸的容積尺寸。
[0056]在示例21中，示例20裝置中的第一支撐基板和第二支撐基板中每個的材料包括鋼化玻璃。
[0057]在示例22中，示例21裝置中的鋼化玻璃是被拋光的。
[0058]以上本發(fā)明示意性實(shí)現(xiàn)的描述，包括摘要中的描述，并非旨在窮舉或是要將本發(fā)明限制于所公開的確切形式。由于具體的實(shí)現(xiàn)方式和實(shí)例在此以示意性的目的被描述，相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員會意識到，在本公開范圍內(nèi)的各種不同的等效修改都是可能的。
[0059]根據(jù)以上的詳細(xì)說明可對本發(fā)明作出這些修改。在隨附的權(quán)利要求中的術(shù)語不應(yīng)被解讀為將本發(fā)明限制于說明書和權(quán)利要求中所公開的特定的實(shí)現(xiàn)方式。相反，應(yīng)由隨附的權(quán)利要求來確定本發(fā)明的范圍，權(quán)利要求應(yīng)根據(jù)權(quán)利要求解釋的既成規(guī)則來解讀。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種方法，包括: 將集成電路封裝基板固定在第一支撐基板和第二支撐基板之間； 將被固定住的所述封裝基板從單一方向暴露于熱源；以及 改變所述封裝基板的形狀。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述封裝基板包括第一面，所述第一面包括二維面積，且所述第一支撐基板被固定至所述封裝基板的所述第一面，所述第一支撐基板包括是所述封裝基板的所述第一面的所述面積的75%至95%的二維面積。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述熱源的所述單一方向是所述封裝基板的所述第一面的面上的方向。4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二支撐基板包括與所述封裝基板的所述面積至少相等的二維面積。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一支撐基板的所述材料和所述第二支撐基板的所述材料是鋼化玻璃。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述鋼化玻璃是被拋光的。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述封裝基板的第一面包括管芯區(qū)域，并且在改變所述形狀之前，所述封裝基板的所述第一面具有外凸的形狀。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，改變所述形狀包括將所述封裝基板的所述第一面的所述外凸形狀改變?yōu)閮?nèi)凹形狀。9.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述封裝基板包括暴露的焊料，并且所述方法還包括將所述被固定的封裝基板在減少氧氣的環(huán)境中暴露至熱源。10.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述熱源包括具有180°C至250°C溫度的熱源。11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在將所述被固定的封裝基板暴露至熱源之前，所述方法包括將焊錫膏引入在所述封裝基板的表面上，并且將所述被固定的封裝基板暴露至熱源包括暴露至適于回流所述焊錫膏的溫度的熱源。12.通過權(quán)利要求1或2所述的任一方法制成的封裝基板。13.一種方法，包括: 在第一支撐基板和第二支撐基板之間固定集成電路封裝基板，其中，在隨后的管芯附著工藝中，所述封裝基板被配置以接受集成電路管芯，并且所述第一支撐基板和所述第二支撐基板中的每一個包括鋼化玻璃； 將所述被固定的封裝基板以正交于所述封裝基板表面的單一方向暴露于熱源；以及 改變所述封裝基板的形狀。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述封裝基板包括第一面，所述第一面包括二維面積，且所述第一支撐基板被固定至所述封裝基板的所述第一面，所述第一支撐基板包括是所述封裝基板的所述第一面的所述面積的75%至95%的二維面積。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述熱源的所述單一方向是所述封裝基板的所述第一面的面上的方向。16.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第二支撐基板包括與所述封裝基板的所述面積至少相等的二維面積。17.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述封裝基板的第一面包括管芯區(qū)域，并且在改變所述形狀之前，所述封裝基板的所述第一面具有外凸的形狀。18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，改變所述形狀包括將所述封裝基板的所述第一面的所述外凸形狀改變?yōu)閮?nèi)凹形狀。19.通過權(quán)利要求13或14中任一項(xiàng)制成的封裝基板。20.—種裝置，包括: 第一支撐基板和第二支撐基板，各自包括具有熱膨脹系數(shù)小于集成電路封裝基板材料的熱膨脹系數(shù)的材料，所述第一支撐基板包括是所述封裝基板的第一面的面積的75%至95%的二維面積，而所述第二支撐基板包括與所述封裝基板的面積至少相等的二維面積，并且所述第一支撐基板和所述第二支撐基板都包括其中具有腔的主體，從而使得在被組裝于封裝基板的相反的面上時，每個腔具有使得支撐基板的主體不與封裝基板的有源區(qū)域接觸的容積尺寸。21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，所述第一支撐基板和所述第二支撐基板中每個的材料包括鋼化玻璃。22.如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述鋼化玻璃是被拋光的。
【文檔編號】H01L23/12GK105960708SQ201480010966
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2014年9月27日
【發(fā)明人】C·K·鐘, T·首藤
【申請人】英特爾公司